-
Die Erfindung betrifft eine Maske
zur Projektion eines Strukturmusters auf ein Halbleitersubstrat in
einem Belichtungsgerät,
wobei das Belichtungsgerät
eine minimale Auflösungsgrenze
erzielbare laterale Ausdehnung für
ein auf das Halbleitersubstrat zu projizierendes Element des Strukturmusters
aufweist.
-
Die Bildung von Strukturen auf einem
Halbleitersubstrat wird üblicherweise
mittels Projektion eines Strukturmusters von einer Maske über ein
Linsensystem eines Belichtungsgerätes auf das Halbleitersubstrat
bewerkstelligt. Um die Qualität
einer Abbildung und die Funktionalität der integrierten herzustellenden
Schaltung zu gewährleisten,
wird dabei eine Toleranz vorgegeben, mit welcher die laterale Ausdehnung
der auf dem Halbleitersubstrat gebildeten Struktur von derjenigen
auf der projizierten Maske bzw. der Designvorlage unter Berücksichtigung
eines Verkleinerungsfaktors bei der Abbildung abweichen darf.
-
Als freie Parameter bei der Durchführung einer
Projektion in einem Belichtungsgerät stehen beispielsweise die
Belichtungsdosis und die Einstellung eines Fokuswertes des betreffenden
Linsensystems zur Verfügung.
Im allgemeinen ergibt sich eine Anzahl von Kombinationen der beiden
genannten Belichtungsparameter, für welche eine Abweichung, die beispielsweise
mittels eines Mikroskops gemessen werden kann, geringer als der
vorgegebene Toleranzwert ist. Ein zweidimenionales Intervall der
eine solche Bedingung erfüllenden
Kombinationen wird auch Prozeßfenster
genannt.
-
Bei fester Belichtungsdosis steht
als Schnitt durch dieses Prozeßfenster
ein Intervall von zulässigen
Fokuswerten für die
Belichtung zur Verfügung. Dieses
auch Tiefenschärfe
genannte Intervall besitzt Idealerweise eine große Ausdehnung. Einerseits kann
nämlich
bei einer Vielzahl von Vorprozessen auf dem Halbleitersubstrat unter
Bildung einer entsprechenden Anzahl von Ebenen einer Schaltung bereits eine
komplizierte Oberflächentopographie
ausgebildet worden sein. Demzufolge muß eine Abbildung in verschiedenen
Tiefen, jedoch in einem Abbildungsvorgang jeweils mit großer Schärfe durchgeführt werden
können.
-
Andererseits bewirken beispielsweise
Linsenaberrationen über
die Bildebene des Halbleitersubstrats hinweg eine Verteilung von
Abweichungen des lokalen Fokuswertes gegenüber einem mittleren Wert für den Fokus.
Die Abweichungen (engl.: Defocus) können nicht auskorrigiert, ohne
die andere Bereiche in der Bildebene nachteilhaft zu beeinflussen.
-
Moderne Techniken zur Verbesserung
des Auflösungsvermögens bei
der Projektion, die sogenannten Lithographic Resolution Enhancement
Techniques, führen
gleichfalls zu einer nachteilhaften Verkleinerung des Tiefenschärfenbereiches,
wenn mit ihnen Strukturelemente im Bereich der Auflösungsgrenze
des Belichtungsgerätes
in die Bildebene übertragen
werden sollen. Zu diesen Techniken zählen beispielsweise der Einsatz
annu1-larer Beleuchtung
(Off-Axis Illumination, OAI) oder die Verwendung von Halbton-Phasenmasken.
-
Da die Verringerung der Auflösungsgrenze vor
allem auf eine Projektion besonders dichter Strukturen wie etwa
bei Speicherproduktion abzielt, tritt das Problem des zu geringen
Tiefenschärfebereiches
besonders bei isoliert auf dem Substrat angeordneten Strukturelementen
hervor. Linsenaberrationen als auch die jeweils verwendete Beleuchtungseinstellung
wie etwa die annullare Beleuchtung oder bestimmte Aperturformen
haben nämlich
unterschiedliche Auswirkungen auf dicht angeordnete beziehungsweise
isoliert stehende Strukturelemente.
-
Als Lösung wurden verschiedene andere Techniken
vorgeschlagen, unter denen beispielsweise die alternierenden Phasenmasken
zu nennen sind, welche aufgrund ihrer Eigenschaften einen nur unwesentlichen
Einfluß auf
den Tiefenschärfenbereich
in Bezug auf isoliert stehende Strukturen haben. Sie sind allerdings
sehr aufwendig in der Herstellung und erfordern zumeist Doppelbelichtungen, was
eine deutliche Verteuerung des gesamten Herstellungsprozesses bedeutet.
-
Eine andere Lösung besteht darin, eine Doppelbelichtung
jeweils für
dichte Strukturen sowie für die
isoliert stehenden Strukturelemente im Peripheriebereich durchzuführen. Dies
führt zu
einem erhöhten
Kostenaufwand sowie möglicherweise
zu einer Qualitätsreduktion
aufgrund eines zusätzlich
durchzuführenden
Alignments bei der Belichtung.
-
Eine weitere Lösung besteht darin, sogenannte
sublithographische Strukt;uren (englisch: Subresolution Assist Features
(SRAF)) in unmittelbarer Umgebung der isoliert stehenden Strukturelemente
auf der Maske anzuordnen. Diese sublithographischen Strukturelemente
besitzen eine laterale Ausdehnung, welche geringer als die mit dem
Belichtungsgerät
minimal erzielbare laterale Ausdehnung ist. Sie werden somit unter
normalen Belichtungsbedingungen nicht auf dem Halbleitersubstrat
abgebildet. Durch ihre Nähe
zu der isoliert stehenden Struktur liefert, das sublithographische
Strukturelement jedoch einen Licht- und Phasenbeitrag zur Abbildung der
isoliert stehenden Struktur, ähnlich
wie dies etwa benachbarte Strukturelemente innerhalb einer dichten
Strukturanordnung bewirken würden.
Durch die sublithographischen Strukturelemente wird daher eine dichte
Strukturanordnung um das isoliert stehende Strukturelement herum
simuliert.
-
Ein Nachteil dieser Lösung besteht
darin, daß bei
der Zuordnung und Dimensionierung dieser sublithographischer Strukturelemente
als Hilfsstrukturen für
isoliert stehende Strukturelemente komplizierte Rechenverfahren
unter Beachtung der Design Rules der Schaltung durchgeführt werden
muß. Die Design
Rules umfassen Bedingungen mit denen die Position und Abstände von
Strukturelementen untereinander über
mehrere Schaltungsebenen hinweg untereinander abgestimmt sein müssen. Ein
weiterer Nachteil besteht in der erhöhten Empfindlichkeit gegenüber dem
sogenannten Mask Error Enhancement Factor (MEF), welcher eine nichtlineare,
sehr stark ansteigende Beziehung zwischen der Abweichung der lateralen
Ausdehnungen von Strukturen auf der Maske und der Größenordnung
der Abweichung der lateralen Ausdehnung derselben Strukturen auf
dem Halbleitersubstrat gerade im Bereich der Auflösungsgrenze,
d.h. der minimal erzielbaren lateralen Ausdehnung des Belichtungsgerätes, beschreibt.
Noch ein weiterer Nachteil liegt in der erheblichen Verkleinerung
des Rasters, mit welchen Strukturen auf der Maske binär hergestellt
werden. Aufgrund der geringeren Ausdehnung der sublithographischen
Strukturelemente ist dieses Raster besonders klein zu wählen, welches
die Schreibzeit und damit den Kostenaufwand für die Herstellung der Maske
erheblich vergrößert.
-
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
eine Maske anzugeben, mit welcher der Tiefenschärfebereich für die Projektion
einer Maske auf ein Halbleitersubstrat gegenüber konventionellen Masken
oder Phasenmasken vergrößert wird.
Es ist außerdem
eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Maßhaltigkeit einer Abbildung
von Strukturelementen in dichten Strukturanordnungen sowie auch isoliert
stehende Strukturelemente bei der Projektion auf das Halbleitersubstrat
zu verbessern.
-
Die Aufgabe wird gelöst durch
eine Maske zur Projektion eines Strukturmusters auf ein Halbleitersubstrat
in einem Belichtungsgerät,
wobei das Belichtungsgerät
eine minimale Auflösungsgrenze
für ein
auf das Halbleitersubstrat projiziertes Element des Strukturmusters
aufweist, umfassend ein Substrat, wenigstens ein erhabenes erstes
Strukturelement auf dem Substrat, welches eine laterale Ausdehnung
besitzt, die wenig stens die minimal durch das Belichtungsgerät erzielbare
laterale Ausdehnung beträgt,
eine Anordnung von zweiten erhabenen Strukturelementen, welche in
einer Umgebung des wenigstens einen ersten Strukturelementes auf
dem Substrat in Form einer Matrix mit einem Zeilen- und einem Spaltenabstand
angeordnet sind, deren Form und Größe untereinander im wesentlichen
identisch ist, und welches jeweils eine laterale Ausdehnung aufweisen,
die weniger als die minimal durch das Belichtungsgerät erzielbare
lateral Ausdehnung beträgt.
-
Die Aufgabe wird außerdem gelöst durch
einen Maskenrohling für
die Herstellung der Maske umfassend ein Substrat, eine erste Schicht
mit einer matrixförmigen
Anordnung von Strukturelementen, welche auf dem Substrat angeordnet
sind, eine zweite opake oder semitransparente Schicht für die Ausbildung
von ersten Strukturelementen auf der Maske, welcher oberhalb der
ersten Schicht mit dem Füllmaterial
angeordnet ist.
-
Die minimale Auflösungsgrenze des Belichtungsgerätes entspricht
hier einer minimal erzielbaren lateralen Ausdehnung eines auf das
Halbleitersubstrat projizierten Elementes eines Strukturmusters
auf einer Maske.
-
Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung
ist in den Zwischenräumen
der matrixförmigen
Anordnung ein Füllmaterial
angeordnet.
-
Die Aufgabe wird außerdem gelöst durch
ein Verfahren zur Herstellung der Maske aus dem Maskenrohling mit
den Merkmalen des Anspruchs 8-12 sowie der Verwendung des Maskenrohlings
zur Herstellung der Maske.
-
Gemäß der vorliegenden Erfindung
wird die Umgebung eines vorzugsweise isoliert stehenden Strukturelementes
mit einer oberhalb der Auflösungsgrenze
des Belichtungssystems liegenden lateralen Ausdehnung eine matrixförmige Anordnung von
sublithographischen Strukturelementen gebildet. Die Auflö sungsgrenze
des Projektionssystems entspricht der minimal erzielbaren lateralen
Ausdehnung von Strukturen auf dem Halbleitersubstrat mit Hilfe des
Belichtungsgerätes.
Diese ist durch die Eigenschaften des Belichtungsgerätes, insbesondere den
Beleuchtungseinstellungen, der verwendeten Wellenlänge des
strukturbildenden Lichtes oder Teilchenstrahles (Elektronen-, Ionen-,
EUV-, W- und visueller Strahl) dem Linsensystem, aber auch von den Eigenschaften
der Maske und des Halbleitersubstrates, insbesondere vom verwendeten
photoempfindlichen Resist, abhängig.
-
Die sublithographischen Strukturelemente besitzen
eine laterale Ausdehnung, welche kleiner als die minimal mit dem
Belichtungsgerät
erzielbare laterale Ausdehnung auf dem Halbleitersubstrat ist. Die
matrixförmige
Strukturanordnung wird somit als solche nicht auf dem Halbleitersubstrat
gebildet. Die Matrix umfaßt
eine Anzahl von Strukturelementen, welche in Reihen und Spalten
angeordnet sind. Die Strukturelemente in den Reihen und Spalten
besitzen einen festen Abstand zueinander. D.h., jede Reihe der Matrix
besitzt den gleichen Abstand zu einer ihr benachbarten Reihe und
jede Spalte besitzt einen zweiten Abstand zu einer ihr benachbarten
Spalte. Es ist nicht notwendig, daß die Richtungen der Reihen
und Spalten jeweils senkrecht aufeinander stehen.
-
Die Belegungsdichte der Strukturanordnung ist
vorzugsweise derart gering, daß im
Falle der Verwendung eines Positivresists eine großflächige Durchbelichtung
auf dem Halbleitersubstrat an der entsprechenden Position in der
photoempfindlichen Schicht entsteht.
-
Die Form und die Größe der sublithographischen
Strukturelemente sind jeweils untereinander im wesentlichen identisch.
Es ist auch vorgesehen, daß erfindungsgemäß in einer
Spalte abwechselnd sublithographische Strukturelemente mit einer
ersten Form und einer zweiten Form angeordnet sind. Gleiches gilt
für die
Reihen der matrixförmigen
Strukturanordnungen.
-
Eine solche Anordnung kann entweder
erfindungsgemäß als zwei
ineinander gesetzte matrixförmige
erfindungsgemäße Strukturanordnungen
aufgefaßt
werden. Es können
aber auch zwei benachbarte Strukturelemente verschiedener Form mit
sublithographischer lateraler Ausdehnung als jeweils ein zusammengesetztes,
erfindungsgemäßes, sublithographisches
Strukturelement aufgefaßt
werden, welche in vergrößerten Reihen
und/oder Spalten einer Matrix angeordnet sind.
-
Die sublithographischen Strukturelemente können jeweils
miteinander verbunden sein, beispielsweise zu einem Gitter umfassend
sich kreuzende Linien. Als sublithographische Strukturelemente sind
hier etwa die Kreuzungen der Linien aufzufassen.
-
Die sublithographischen Strukturelemente können als
opake oder semitransparente Schichtstrukturen ausgeführt sein.
-
Die vorteilhafte Wirkung der vorliegenden
Erfindung läßt sich
dadurch erklären,
daß durch
das periodische Muster, welches großflächig in einer Umgebung eines
isoliert auf dem Substrat angeordneten Strukturelementes angeordnet
ist, die Fourier-Transformierte
des Strukturmusters auf der Maske, welches insbesondere in der Blendenebene
des Linsensystems entsteht, derart moduliert wird, daß das Vorhandensein
dichter, auf dem Halbleitersubstrat abbildender Strukturen simuliert
wird.
-
Zwar werden diese Anteile durch das
Linsensystem nicht auf dem Halbleitersubstrat abgebildet, die großflächige Strukturanordnung
liefert jedoch vorteilhaft Beiträge
zur Abbildung des isoliert angeordneten Strukturelementes. Bei den
isolierten Strukturen wie auch den sublithographischen Strukturen kann
es sich sowohl um transparente Strukturen in einer opaken oder semitransparenten
Umgebung wie auch um opake oder semitransparente Strukturen in einer
transparenten Umgebung handeln.
-
Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung
der vorliegenden Erfindung befindet sich jedes der Strukturelemente
der matrixförmigen
Strukturanordnung außerhalb
eines Abstandes vom isoliert angeordneten Strukturelement, so daß die Strukturen
der matrixförmigen
Anordnung nicht mit der isolierten Struktur verbunden sind.
-
Die Erfindung soll nun anhand von
Ausführungsbeispielen
mit Hilfe einer Zeichnung näher
erläutert
werden. Darin zeigen:
-
1:
einen Ausschnitt aus einer Maske mit einem opaken oder semitransparenten
Strukturelement, welches von einer erfindungsgemäßen Anordnung von sublithographischen
Strukturelementen umgeben ist,
-
2:
eine Folge von Prozeßschritten
zur Herstellung der erfindungsgemäßen Maske aus einem Maskenrohling
mit einer eigens für
die Anordnung sublithographischer Strukturelemente eingerichteten,
separaten Schicht,
-
3:
zwei Beispiele für
Strukturelemente, aus welchen die matrixförmige Strukturanordnung sublithographischer
Elemente zusammengesetzt ist.
-
In l ist
ein erstes Ausführungsbeispiel
einer erfindungsgemäßen Maske
gezeigt. Die Abbildung zeigt einen detaillierten Ausschnitt aus
der Oberfläche
der Maske mit einem isolierten, opaken oder semitransparenten Strukturelement 7,
welches eine flächige „Pad"-Struktur
(oben rechts im 1) und
eine damit zusammenhängende „Antennen"-Struktur
(links in 1) aufweist.
Die Auflösungsgrenze,
d.h. die mit dem hier verwendeten Belichtungsgerät minimal auf dem Substrat
erzielbare laterale Ausdehnung 40 eines Strukturelementes
beträgt
in diesem Beispiel 0.13 μm.
In 1 ist an der linken
Seite ein Lineal mit einem 0.1 μm – Raster
eingezeichnet, welches die auf den Wafer bezogenen Größen wiedergibt.
Die tatsächli chen
Größen auf
der Maske sind daher um den Faktor 4 oder 5 größer.
-
Die in dem dargestellten Ausschnitt
nicht von dem Strukturelement 7 belegten Bereiche auf dem Substrat 1 weisen
Strukturelemente 3 auf, welche zu einer matrixförmigen Anordnung 20 von
Strukturelementen 3 mit Reihen und Spalten gruppiert sind.
Die Strukturelemente 3 besitzen eine quadratische Form mit
einer lateralen Ausdehnung 42 von 0.05 μm. Die Periode 41 der
Anordnung von Strukturelementen, d.h. der Abstand von Gitterpunkt
zu Gitterpunkt in der Matrix, beträgt 0.17 μm. Die Strukturelemente 3 werden
daher durch das Projektionssystem nicht auf dem Halbleiterwafer
aufgelöst.
-
Das unter Berücksichtigung der Nicht-Abbildung
der Strukturelemente 3 isoliert auf dem Halbleitersubstrat
abbildende Strukturelement 7 ist vollständig umgeben von der Strukturanordnung 3 (in 1 nur ausschnittsweise dargestellt).
In der unmittelbaren Umgebung des Strukturelementes 7 ist
jedoch ein Bereich 10 auf dem transparenten Substrat 1 freigelassen
von Strukturelementen 3 der Anordnung 20. Der
Bereich 10 besitzt eine Ausdehnung von 0.075 μm.
-
3a zeigt
in vergrößerter Darstellung
die in 1 eingetragenen
Strukturelemente 3 in quadratischer Ausführungsform.
Die exakte Form und Größe kann
jedoch beliebig gewählt
werden, wobei die eingangs genannten Bedingungen einzuhalten sind.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel
ist in 3b skizziert. Die sublithographischen
Strukturelemente 3 sind hier aus vier zu einem Viereck
zusammengesetzten schmalen Linien aufgebaut.
-
für
eine Abbildung auf das Halbleitersubstrat maßgebliche laterale Ausdehnung 42 ist
als Querschnitt einer der vier Linien eines viereckigen Strukturelementes 3 zu
betrachten. Eine Ausdehnung von Linie zu Linie über den transparenten Zwischenraum im
Innern des Vierecks hinweg kann daher erfin dungsgemäß durchaus
oberhalb der minimal durch das Belichtungsgerät auf einem Halbleitersubstrat
erzielbaren lateralen Ausdehnung 40 liegen. Entscheidend
ist, daß eine
laterale Ausdehnung 42 in dem Strukturelement 3 unterhalb
der der minimal durch das Belichtungsgerät auf einem Halbleitersubstrat
erzielbaren lateralen Ausdehnung 40 vorhanden sein muß, so daß das Strukturelement 3 bzw.
die gesamte Strukturanordnung 20 nicht auf dem Halbleitersubstrat
gebildet wird.
-
Gemäß einem Ausführungsbeispiel
zur Herstellung der in 1 gezeigten
Maske wird eine optimale Form bzw. Größe für das Strukturelement 3 zunächst durch
Simulation oder Experiment, d.h. durch Testbelichtungen, gewonnen.
Dabei wird auch der optimale Abstand der entsprechenden Strukturanordnung 20 von
dem isolierten Strukturelement 7 bestimmt, welcher in einer
bevorzugten Ausführungsform
konstant an allen Kanten des Strukturelementes gewählt wird.
Desgleichen sind die Ausrichtungen und Abstände der Reihen und Spalten
der Matrix der Strukturanordnung 20 zu bestimmen.
-
In einem weiteren Schritt werden
mittels geeigneter Software die Strukturanordnungen 20 in
die Layoutdaten der herzustellenden Schaltung integriert. Ist es
das Ziel die von isolierten Strukturelementen 7 freigelassenen
Bereiche der Oberfläche des
Substrates 1 mit Strukturanordnungen vollflächig anzufüllen, so
beginnt der Füllprozess
in den Layoutdaten nahe an den Kanten der isoliert stehenden Strukturelemente 7.
Von diesen jeweils ausgehend werden geometrische Konflikte, wie
etwa der Fall, daß bei
zwei aufeinandertreffenden Strukturanordnungen nur noch für einen
halben Spaltenabstand Raum auf der Oberfläche vorhanden ist, durch Sprünge in den
jeweiligen Anordnungen nach Möglichkeit
in der Mitte zwischen zwei isolierten Strukturelementen 7 gelöst. Dadurch
ist der Abstand dieser Diskontinuitäten von den Strukturelementen 7 maximal
gewählt.
-
Danach werden optional OPC-Strukturen
in das Layout eingefügt
bzw. OPC auf die Strukturelemente 7 aufgerechnet, das Vorhandensein
der Strukturanordnungen 20 beruecksichtigend. Mit derart
aufgebauten Layoutdaten kann nun ein Maskenschreiber wie beispielsweise
ein Elektronenstrahlschreibgerät
oder ein Laserschreibgerät
bedient werden, um die Maske herzustellen. Die Inspektion und ggf.
Reparaturen werden ähnlich
wie bei herkömmlichen Masken
mit sublithographischen Hilfsstrukturelementen durchgeführt.
-
Der Vorteil bei diesem Ausführungsbeispiel liegt
in dem automatisierten Einfügen
eines sublithographischen Strukturelementes 3 mit jeweils
der gleichen Form, Größe, Abstand
unter objektiven und daher für
die Verwendung in einem Software-Progammier
nutzbaren Kriterien. Aufgrund der Homogenität der Strukturanordnungen 20 aus
dem Auffüllprozess ist
auch die Masken-Inspektion wesentlich einfacher als etwa im Falle
einzeln zugeordneter Hilfsstrukturen wie beispielsweise Scatter
Bars, welche oftmals als Defekte klassifiziert werden.
-
Ein weiterer Vorteil liegt darin,
daß ein
gegebenes Design für
Strukturanordnungen 20 einer großen Anzahl verschiedener Einstellungen
für die
Beleuchtung der Maske derart genügt,
daß diese
jeweils für
die gleiche Maske eingesetzt werden können. Daraus ergibt sich eine
erhöhte
Flexibilität
bei der Belichtung.
-
Durch die erhöhte, homogenere Belegungsdichte
auf der Maske ergeben sich zudem Vorteile für Ätzprozesse, welche auf der
Maske bei deren Herstellung durchzuführen sind.
-
Ein weiteres Ausführungsbeispiel zur Herstellung
der erfindungsgemäßen Maske
ist in 2 dargestellt. Dabei wird ein
besonderer Maskenrohling (englisch „Blank") zur Verfügung gestellt,
wie in dem Querschnittsprofil in 2a verdeutlicht
ist. Auf einem Substrat 1 ist eine erste Schicht 2 angeordnet, welche
eine vollflächige
Strukturanordnung 20 von subli thographischen Strukturelementen 3 umfaßt. Die
Strukturelemente 3 umfassen als Material Molybdän-Silizid.
Bei Freilegen der Strukturen sind diese semitransparent gegenüber eingestrahltem
Licht.
-
Die Zwischenräume 4 in der ersten
Schicht 2 sind mit einem Oxid und/oder einem Nitrid aufgefüllt, so
daß die
erste Schicht 2 eine planare Oberfläche aufweist. Im allgemeinen
ist aber auch eine nicht planare Oberfläche durchaus möglich. Anstatt
dem Oxid und/oder Nitrid kann auch ein anderes Material ausgewählt werden,
welches sich gegenüber
dem Molybdän-Silizid selektiv
entfernen läßt. Idealerweise weist
das Füllmaterial ähnliche
optische optischen Eigenschaften wie das Material der ersten Schicht auf – allerdings
bei hoher Ätzselektivität gegenüber der
Schicht, so daß das
Füllmaterial
einfach entfernt werden kann ohne die erste Schicht zu beeinträchtigen.
-
Auf der ersten Schicht 2 ist
eine weitere Schicht 5 umfassend Molybdän-Silizid angeordnet, sowie
darauf eine Chromschicht 6. Aus diesem Maskenrohling wird
wie im folgenden beschrieben eine Halbtonphasenmaske hergestellt.
-
2b zeigt
die Bildung eines von Strukturelementen 3 freien Bereiches
bzw. Rahmens in der unmittelbaren Umgebung der Positionen 30 der
in einem späteren
Schritt zu bildenden isolierten Strukturelemente 7. Dabei
werden sukzessive die Chromschicht 6, die weitere Schicht
umfassend Molybdän-Silizid sowie die
zweite Schicht mit dem Füllmaterial
und den Strukturelementen 3 in dem Bereich 10 mittels Ätzen entfernt.
-
2c zeigt
als nächsten
Schritt die Entfernung der Chromschicht 6, der weiteren
Schicht 5 umfassend Molybdän-Silizid sowie des Füllmaterials
in den Zwischenräumen 4 zur
Bildung der erhabenen Strukturelemente 7. Die außerhalb
der Bereiche 10 liegenden Strukturelemente 3 werden
nun aber nicht mehr entfernt. Sie bilden die erfindungsgemäße Strukturanordnung
20,
welche eine Matrixform für
die Strukturelemente 3 aufweist.
-
2d zeigt
den Schritt zur Bildung der Halbtonphasenmaske durch Ätzen der
dünnen Chromschicht
auf den Strukturelementen 7. Die isolierten Strukturelemente 7 sind
nun wie die sublithographischen Strukturelemente 3 semitransparent ausgebildet.
Der Schritt des Chromätzens
kann maskiert ausgeführt
werden, so daß weitere
Strukturelemente 7 vorliegen, welche opak sind. Besonders
hervorzuheben ist, daß sich
gemäß diesem
Ausführungsbeispiel
unter den Strukturelementen 7 verborgen in der ersten Schicht
weitere sublithographische Strukturlemente 3 befinden,
welche ungenutzt bleiben.