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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterwafers, wobei die Rückseite eines Ausgangshalbleiterwafers, an dessen Vorderseite eine Vielzahl von Halbleiterchips, zum Beispiel integrierte Schaltkreise (ICs) oder hochintegrierte Schaltkreise (LSIs), ausgebildet sind, über die ganze Fläche durch eine Schleifvorrichtung gleichmäßig geschliffen und verdünnt wird, und danach auf der geschliffenen Rückseite eine Oxidschicht ausgebildet wird.
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Bei einem Halbleiterwafer des oben spezifizierten Typs, der mit einer Vielzahl von Halbleiterchips wie z. B. ICs oder LSIs ausgebildet wird, wird dessen Rückseite durch eine Schleifvorrichtung geschliffen und verdünnt, und der geschliffene Halbleiterwafer wird danach durch eine Teilvorrichtung, wie z. B. eine Trenn- bzw. Vereinzelungsvorrichtung, in die einzelnen Halbleiterchips geteilt. Die Halbleiterchips werden montiert und in den Schaltkreisen von elektrischen Geräten, wie z. B. tragbaren Telefonen oder Personalcomputern, in großem Umfang genutzt.
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Da in den letzten Jahren die Strukturen von Halbleiterchips dünner ausgeführt worden sind, sind inzwischen Mehrschichtchips zur praktischen Anwendung gekommen, in denen jeweils Halbleiterchips vertikal übereinander gestapelt sind, um Funktionen, Verarbeitbarkeit, Speicherkapazität usw. zu verbessern. Dies gestattet daher die Herstellung von elektrischen Geräten, wie z. B. tragbaren Telefonen und Personalcomputern vom Notebook-Typ, von schlanker Konstruktion, geringer Größe und geringem Gewicht.
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Bei der Fertigung der Mehrschichtchips im Stadium eines Halbleiterwafers werden Elektroden eingebettet, die sich von der mit Schaltkreisen ausgebildeten Vorderseite des Halbleiterwafers zu dessen Rückseite erstrecken, und die Elektroden – werden freigelegt, indem die Rückseite mechanisch geschliffen oder chemisch geätzt wird. Außerdem wird auf der Rückseite des Halbleiterwafers eine Isolierschicht ausgebildet, wie z. B. eine SiO2-Schicht, um zu verhindern, daß Kupfer oder andere Metalle, welche die Elektroden bilden, in einen Halbleiter wie z. B. Silicium diffundieren.
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Ferner wird ein Verfahren zur praktischen Anwendung gebracht, wobei nach der Ausbildung der Leistungstransistorschaltungen usw. in der Vorderseite eines Ausgangshalbleiterwafers die Rückseite des Halbleiterwafers geschliffen oder geätzt wird und eine Metallschicht aus Titan (Ti), Silber (Ag), Gold (Au) oder dergleichen auf der bearbeiteten Rückseite bis zu einer Dicke von einigen-zig Nanometer (nm) ausgebildet wird, um dadurch einen Halbleiterwafer zu konstruieren.
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In einem solchen Fall, wo die Rückseite des Halbleiterwafers mit den an der Vorderseite ausgebildeten Schaltkreisen durch Schleifen, Polieren oder dergleichen verdünnt wird und danach die Schicht auf der Rückseite ausgebildet wird, muß der Halbleiterwafer so dünn wie möglich ausgebildet werden, um günstige thermische und elektrische Eigenschaften der Halbleiterchips zu erzielen.
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Wenn jedoch der Halbleiterwafer verdünnt und auf eine Dicke von beispielsweise etwa 100 μm–15 μm bearbeitet wird, besteht das Problem, daß der Halbleiterwafer deformiert wird und die Schichtbildung behindert, so daß die Schicht nicht gleichmäßig ausgebildet werden kann.
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Besonders wenn die Schichtbildung durch eine bei Unterdruck arbeitende Schichtbildungsvorrichtung ausgeführt wird, um die Schicht in einem Unterdruckmilieu zu bilden, kann in einem Haltetisch zum Fixieren des Halbleiterwafers keine Saugkraft angewandt werden, und der Halbleiterwafer wird durch ein elektrostatisches System fixiert. Daher widersteht die mechanische Spannung der Schicht der Haltekraft des auf dem elektrostatischen System basierenden Haltetischs und deformiert den Halbleiterwafer, und die Schicht kann nicht gleichmäßig ausgebildet werden.
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In der vorliegenden Situation ist dementsprechend die Dicke des Halbleiterwafers auf etwa 200 μm begrenzt, um ihm eine ausreichende Steifigkeit zu verleihen und die Deformation zu verhindern, und der Halbleiterwafer kann nicht dünner ausgebildet werden (vgl.
JP 2001-093 863 A ).
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Um im Fall der Schichtbildung auf der Rückseite des Halbleiterwafers die Ausbildung einer gleichmäßigen Schicht auch bei einer dünneren Ausbildung des Halbleiterwafers zu realisieren, hat der Erfinder ein Verfahren entwickelt, wobei der Halbleiterwafer auf einer Trägerplatte von hoher Steifigkeit, wie z. B. einer Glasträgerplatte, aufgeklebt und getragen wird, wobei die Rückseite des Halbleiterwafers geschliffen wird, um in diesem Zustand auf eine erforderliche Dicke verdünnt zu werden, und danach durch eine Schichtbildungsvorrichtung die erforderliche Schicht auf der Rückseite des Halbleiterwafers ausgebildet wird. Das Verfahren ist bereits unter dem Namen des gleichen Zessionars wie dem der vorliegenden Patentanmeldung als Patent angemeldet worden (vgl.
JP 2004-079 889 A ).
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Zum Stand der Technik wird ferner auf die
JP 2002-075 940 A verwiesen.
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In dieser Hinsicht hat sich jedoch ein Problem gezeigt, wie weiter unten dargelegt. Wenn die Rückseite des Halbleiterwafers durch eine Schleifvorrichtung geschliffen wird, haften Verunreinigungen, die während eines Schleifbearbeitungsschritts aufgetreten sind, an der Rückseite der Trägerplatte an, und der Halbleiterwafer wird danach einem Reinigungsschritt ausgesetzt. Dabei können die anhaftenden Verunreinigungen in dem Reinigungsschritt nicht vollständig entfernt werden. Wenn der Halbleiterwafer in die Schichtbildungsvorrichtung transportiert und die Schicht unter vermindertem Druck darauf ausgebildet wird, tritt das Problem auf, daß die nicht entfernten Verunreinigungen das Innere der Schichtbildungsvorrichtung verschmutzen und die Qualität eines Teils der Schicht verschlechtern, die auf der Rückseite des Halbleiterwafers ausgebildet wird.
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Angesichts des obigen Problems besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, in einem Verfahren zur Fertigung eine Halbleiterwafers, wobei die Rückseite eines Ausgangshalbleiterwafers, an dessen Vorderseite Schaltkreise ausgebildet sind, zum Verdünnen des Halbleiterwafers geschliffen wird, und wobei auf der geschliffenen Rückseite eine Dünnschicht ausgebildet wird, beim Schleifen der Rückseite des Halbleiterwafers zum Verdünnen des Halbleiterwafers und bei der Ausbildung einer Schicht eine Deformation zu verhindern. Ferner besteht eine weitere Aufgabe der Erfindung darin, zu verhindern, daß infolge eines Schichtbildungsschritts aufgetretene Verunreinigungsstoffe während der Schichtbildung als Verschmutzungen in die gebildete Schicht eintreten und die Qualität der Schicht verschlechtern. Diese Aufgaben werden mit den Merkmalen der Patentansprüche gelöst.
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Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterwafers, wobei an einer Rückseite eines Ausgangshalbleiterwafers mit an der Vorderseite ausgebildeten Schaltkreisen eine Schicht gebildet wird, weist auf: einen Vereinigungsschritt, in dem eine Vorderseite eines Halbleiterwafers auf eine Vorderseite einer Trägerplatte, die als ebene Auflagefläche ausgebildet ist, aufgelegt wird und die Trägerplatte und der Halbleiterwafer dann miteinander vereinigt werden; einen Schleifbearbeitungsschritt, in dem eine Trägerplattenseite der vereinigten Struktur auf einem Aufspanntisch einer Schleifvorrichtung fixiert und dann eine Rückseite des Halbleiterwafers durch eine Schleifeinrichtung der Schleifvorrichtung geschliffen wird, um den Halbleiterwafer zu verdünnen; und einen Schichtbildungsschritt, in dem die mit dem verdünnten Halbleiterwafer vereinigte Trägerplatte auf einem Aufspanntisch einer Schichtbildungsvorrichtung fixiert und dann durch eine Schichtbildungseinrichtung der Schichtbildungsvorrichtung die Schicht auf der Rückseite des Halbleiterwafers gebildet wird, wobei im Vereinigungsschritt ein abreißbares Schutzband auf eine Rückseite der Trägerplatte aufgeklebt wird, um den anschließenden Schleifbearbeitungsschritt mit dem auf der Trägerplatte getragenen Schutzband auszuführen; und wobei vor der Ausführung des Schichtbildungsschritts ein Schutzbandabreiß- und -entfernungsschritt eingefügt wird, um das Schutzband abzureißen und zu entfernen. Auf diese Weise kann der Halbleiterwafer ohne Deformation gleichmäßig verdünnt werden, und auf der Rückseite des Halbleiterwafers kann effizient die gleichmäßige Schicht gebildet werden, in der keine Verunreinigungsstoffe koexistieren.
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Ferner kann die einzusetzende Trägerplatte eine Glasträgerplatte oder eine Trägerplatte aus Polyetherimid sein, deren Dicke in einem Bereich von 1–3 mm liegt. Diese Trägerplatte wird im wesentlichen in der gleichen Form wie der Halbleiterwafer ausgebildet. Der Halbleiterwafer und die Trägerplatte werden durch einen Klebstoff vom Acryl-, Ester- oder Urethan-Typ miteinander verklebt. Ferner kann das an die Rückseite der Trägerplatte anzuklebende Schutzband ein Polyvinylchloridband oder ein Polyolefinband sein. Das Ankleben des Schutzbands an die Trägerplatte wird im Vereinigungsschritt für die Trägerplatte und den Halbleiterwafer ausgeführt, zumindest vor dem Schleifbearbeitungsschritt. Das heißt, im Vereinigungsschritt können sowohl die Vereinigung des Halbleiterwafers und der Trägerplatte als auch das Ankleben des Schutzbands an die Rückseite der Trägerplatte ohne weiteres gleichzeitig ausgeführt werden, das Schutzband kann auch vor der Vereinigung des Halbleiterwafers und der Trägerplatte angeklebt werden, und ferner kann das Schutzband auch ohne weiteres nach der Vereinigung des Halbleiterwafers und der Trägerplatte an die Rückseite der Trägerplatte angeklebt werden. Kurz gesagt, das Schutzband muß vor dem Schleifbearbeitungsschritt auf der Rückseite der Trägerplatte vorhanden sein.
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Außerdem wird die Rückseite oder Schutzbandfläche der mit dem Halbleiterwafer vereinigten Trägerplatte auf den Aufspanntisch der Schleifvorrichtung aufgelegt und durch Ansaugen fixiert, und die Rückseite des Halbleiterwafers wird durch die Schleifeinrichtung geschliffen, um den Halbleiterwafer zu verdünnen. Bei dieser Gelegenheit haften bestimmte, durch das Schleifen aufgetretene Verunreinigungsstoffe unter der Saugwirkung an der Schutzbandoberfläche an. Die anhaftenden Verunreinigungsstoffe können nicht vollständig entfernt werden, auch wenn nach dem Schleifbearbeitungsschritt ein Reinigungsschritt ausgeführt wird.
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Angenommen, einige Verunreinigungsstoffe gelangen in die Schichtbildungsvorrichtung, dann werden sie bei Betätigung der Schichtbildungseinrichtung unter vermindertem Druck innerhalb der Schichtbildungsvorrichtung gestreut und zusammen mit einer Schichtbildungssubstanz auf der Rückseite des Halbleiterwafers abgeschieden, so daß teilweise eine Schicht gebildet wird, welche die von den Verunreinigungsstoffen herrührenden Verschmutzungen enthält. Daher wird nach dem Reinigungsschritt für den Halbleiterwafer und die Trägerplatte im vereinigten Zustand und vor dem Transport der einheitlichen Struktur in die Schichtbildungsvorrichtung das mit den Verunreinigungsstoffen verschmutzte Schutzband abgerissen und entfernt. So können die Verunreinigungsstoffe vollständig von der Rückseite der Trägerplatte entfernt werden und gelangen nicht in die Schichtbildungsvorrichtung, so daß der auf die Verunreinigungsstoffe zurückzuführende Nachteil im Schleifbearbeitungsschritt beseitigt werden kann.
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Wie oben erwähnt, werden gemäß dem Verfahren zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Halbleiterwafers der Schleifbearbeitungsschritt und der Schichtbildungsschritt in einem Zustand implementiert, wo der Ausgangshalbleiterwafer durch die Trägerplatte von hoher Steifigkeit unterstützt wird. Daher kann auch dann, wenn der Halbleiterwafer im Schleifbearbeitungsschritt auf eine sehr geringe Dicke von 100 μm oder weniger bearbeitet wird, auf der Rückseite des Halbleiterwafers ohne Deformation des Halbleiterwafers eine gleichmäßige Schicht gebildet werden, so daß der Halbleiterwafer noch weiter verdünnt werden kann.
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Da ferner das Schutzband vor dem Schleifbearbeitungsschritt an die Rückseite der Trägerplatte angeklebt und vor Ausführung des Schichtbildungsschritts abgerissen und entfernt wird, kann in dem Schichtbildungsschritt eine Schicht von hoher Güte gebildet werden, die keine Verunreinigungen enthält.
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Nachstehend wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterwafers gemäß der vorliegenden Erfindung beschrieben.
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1 zeigt eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel eines Halbleiterwafers darstellt, auf den die vorliegende Erfindung anzuwenden ist;
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2 zeigt eine perspektivische Ansicht, die Beispiele einer Trägerplatte und eines Schutzbands, die mit dem Halbleiterwafer vereinigt werden sollen, in getrenntem Zustand darstellt;
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3 zeigt eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand darstellt, in dem der Halbleiterwafer und die Trägerplatte vereinigt werden und das Schutzband angeklebt wird;
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4 zeigt eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel einer Schleifvorrichtung darstellt, die bei der Erfindung in einem Schleifbearbeitungsschritt zum Verdünnen eingesetzt werden soll;
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5 zeigt eine perspektivische Ansicht, die eine Situation darstellt, in der das Schutzband vor einem erfindungsgemäßen Schleifbearbeitungsschritt von der Rückseite der mit dem Halbleiterwafer vereinigten Trägerplatte abgerissen und entfernt wird; und
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6 zeigt eine schematische Schnittansicht, die ein Beispiel einer bei Unterdruck arbeitenden Schichtbildungsvorrichtung darstellt, die in einem erfindungsgemäßen Schleifbearbeitungsschritt eingesetzt werden soll.
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1 zeigt einen Halbleiterwafer 1. Es wird ein Fall beschrieben, in dem an der Rückseite des Halbleiterwafers 1 nach dem Schleifen oder Ätzen eine Schicht ausgebildet wird. In der Vorderseite des Halbleiterwafers 1 sind in vorgegebenen Abständen mehrere Ritzgräben 2 in Gitterform ausgebildet, und in einer großen Zahl durch die Ritzgräben 2 markierter rechteckiger Bereiche sind Schaltkreisstrukturen ausgebildet. Ferner werden die jeweiligen rechteckigen Bereiche durch Zertrennen der Ritzgräben 2 zu Halbleiterchips 3 verarbeitet.
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Bevor die Rückseite des Halbleiterwafers 1 geschliffen oder poliert und die Schicht darauf ausgebildet wird, wird dieser Halbleiterwafer 1 mit einer in 2 dargestellten Trägerplatte 10 vereinigt. Die Trägerplatte 10 besteht aus einem Element von hoher Steifigkeit, so daß der Halbleiterwafer 1, dessen Dicke durch das Schleifen auf 100 μm oder weniger reduziert wurde, stabil unterstützt werden kann, ohne verbogen oder deformiert zu werden. Zum Beispiel kann eine Glasträgerplatte oder eine Polyetherimid-Trägerplatte als Trägerplatte 10 verwendet werden. Die aus Polyetherimid geformte Trägerplatte hat die Eigenschaft, daß sie sogar bei einer Temperatur von 200°C steif bleibt, ohne verformt zu werden. Als Polyetherimid brauchbar ist ”SUMLITE FS-1400” (Handelsbezeichnung der Sumitomo Bakelite Company Limited) oder ULTEM1000 (Handelsbezeichnung der Nihon G. E. Plastics Company Limited), die im Handel erhältlich sind. Alternativ können Keramik, eine Legierung, ein Metall oder ein Harz für die Trägerplatte 10 verwendet werden. Jedenfalls sollte die aus einem derartigen Material hergestellte Trägerplatte günstigerweise etwa 1–3 mm dick sein.
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Die Vorderseite 10a der Trägerplatte 10, die als Auflagefläche dient, und ihre Rückseite werden flach ausgebildet. Wie in 3 dargestellt, werden die Trägerplatte 10 und der Halbleiterwafer 1 durch einen Klebstoff so miteinander verklebt und vereinigt, daß die Vorderseite 10a der ersteren und die Vorderseite des letzteren einander gegenüber liegen können, wodurch ein sogenannter ”Vereinigungsschritt” ausgeführt wird, um den Halbleiterwafer 1 auf der Vorderseite 10a abzustützen. Wegen des Vereinigungsschritts liegt die Rückseite des Halbleiterwafers 1 frei, an der keine Schaltkreise ausgebildet sind.
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Der zu verwendende Klebstoff sollte vorzugsweise aus einem Harz bestehen, beispielsweise vom Acryl-, Ester- oder Urethan-Typ. Im Fall der Verwendung einer lichtdurchlässigen Grundplatte als Trägerplatte 10 sollte außerdem der Klebstoff vorzugsweise von dem Typ sein, dessen Haftfestigkeit durch Ultraviolettstrahlung vermindert wird. Der Grund dafür ist, daß die Ultraviolettstrahlung später durch die lichtdurchlässige Trägerplatte durchgelassen werden kann, um den Klebstoff zu bestrahlen, und die Trägerplatte 10 und der Halbleiterwafer 1 leicht auseinandergerissen werden können.
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Im Vereinigungsschritt wird ein Schutzband 11 auf die Rückseite der Trägerplatte 10 aufgeklebt. Das in diesem Fall verwendete Schutzband 11 ist zum Beispiel ein Polyvinylchloridband oder ein Polyolefinband. Das Schutzband 11 wird mit Hilfe einer auf dem entsprechenden technischen Gebiet bekannten Bandklebemaschine aufgeklebt. Es ist notwendig, daß vor dem nächsten Schleifbearbeitungsschritt zum Verdünnen mittels Abschleifen das Schutzband 11 auf die Rückseite der Trägerplatte 10 aufgeklebt wird.
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Anschließend wird der Schleifbearbeitungsschritt zum Verdünnen so ausgeführt, daß die Rückseite des auf der Trägerplatte 10 aufliegenden Halbleiterwafers 1, wie oben beschrieben, geschliffen oder poliert wird. Eine in 4 als Beispiel dargestellte Schleif- oder Poliervorrichtung 20 (hier nachstehend als ”Schleifvorrichtung” bezeichnet) kann für die Schleifarbeit verwendet werden.
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Die Schleifvorrichtung 20 ist so konstruiert, daß ein Paar Schienen 23 in vertikaler Richtung an der Innenfläche eines am Endabschnitt einer Grundplatte 21 montierten Wandabschnitts 22 angeordnet sind und daß eine Schleifeinrichtung 25 als an einer Trägerplatte 24 befestigte Verdünnungseinrichtung auf und ab bewegt wird, wenn die Trägerplatte 24 entlang den Schienen 23 aufwärts oder abwärts fährt. Außerdem ist auf der Grundplatte 21 ein Drehtisch 26 drehbar angeordnet, und mehrere Aufspanntische 27 zur Aufnahme der zu schleifenden oder zu polierenden Werkstücke sind drehbar auf dem Drehtisch 26 angeordnet.
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Die Schleifeinrichtung 25 ist so konstruiert, daß über ein Montierglied 29 eine Schleifscheibe 30 am distalen Ende einer Spindel 28 montiert ist, deren Achse sich in vertikaler Richtung erstreckt, und daß an der Unterseite der Schleifscheibe 30 ein Schleifkörper 31 so befestigt ist, daß er sich mit der Drehung der Spindel 28 dreht.
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Der mit der Trägerplatte 10 vereinigte Halbleiterwafer 1 wird durch Saugwirkung so abgestützt, daß die Rückseite der Trägerplatte 10, mit dem aufgeklebten Schutzband 11 auf dem Aufspanntisch 27 fixiert wird. Der aufliegende Halbleiterwafer 1 wird durch die Drehung des Drehtischs 26 direkt unter der Schleifeinrichtung 25 angeordnet und in einem Zustand mit nach oben gerichteter Rückseite dem Schleifkörper 31 gegenübergestellt.
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Außerdem fährt während der Drehung des Schleifkörpers 31 die Schleifeinrichtung 25 nach unten, um einen Axialdruck auf die Rückseite des Halbleiterwafers 1 auszuüben, wodurch die Rückseite geschliffen oder poliert wird. Das Schleifen oder Polieren wird in einem vorgegebenen Umfang ausgeführt, wodurch die Rückseite in dem vorgegebenen Umfang entfernt wird, und der Halbleiterwafer 1 wird dünn geschliffen und auf eine gewünschte Dicke gebracht, zum Beispiel auf 100 μm–15 μm. Auf diese Weise wird der Schleifbearbeitungsschritt zum Verdünnen ausgeführt.
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Übrigens können statt der oben angegebenen Schleifvorrichtung 20 eine chemisch-mechanische Poliervorrichtung (CMP-Vorrichtung), eine Trockenätzvorrichtung, eine Naßätzvorrichtung oder dergleichen als Verdünnungsbearbeitungsvorrichtung eingesetzt werden. Außerdem können die Schleifvorrichtung und die Ätzvorrichtung ohne weiteres so kombiniert werden, daß die geschliffene Fläche (Rückseite) nach dem Schleifen geätzt werden kann.
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Nach dem Schleifbearbeitungsschritt wird der vereinigte Halbleiterwafer 1 von der Schleifvorrichtung 20 abgenommen und einem Reinigungsschritt unterworfen, um anhaftende Verunreinigungsstoffe zu entfernen, die durch das Schleifen aufgetreten sind. Bei dem Reinigungsschritt wird Reinigungswasser gleichmäßig um den Halbleiterwafer 1 und die damit vereinigte Trägerplatte 10 herum geblasen, um dadurch die anhaftenden Verunreinigungsstoffe abzuwaschen.
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Nach dem Reinigungsschritt werden der Halbleiterwafer 1 und die damit vereinigte Trägerplatte 10 entwässert und getrocknet, wonach sie zum nächsten Schichtbildungsschritt verschoben werden. Hierbei wird vor dem Transport des Halbleiterwafers 1 und der Trägerplatte 10 in eine Schichtbildungsvorrichtung zur Ausführung des Schichtbildungsschritts das an der Rückseite der Trägerplatte 10 anhaftende Schutzband 11 abgerissen und entfernt, wie in 5 dargestellt. Das heißt, es wird ein Abreiß- und Entfernungsschritt für das mit Verunreinigungsstoffen verschmutzte Schutzband 11 ausgeführt.
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Im nächsten Schichtbildungsschritt wird unter Verwendung der geeigneten Schichtbildungsvorrichtung auf der Rückseite des verdünnten und bearbeiteten Halbleiterwafers 1 eine Schicht ausgebildet. Als Schichtbildungsvorrichtung können eine PVD-Vorrichtung (physikalische Beschichtungsvorrichtung) oder eine CVD-Vorrichtung (chemische Bedampfungsvorrichtung) eingesetzt werden. Hier wird nachstehend ein Fall mit Verwendung einer in 6 dargestellten Unterdruck-Schichtbildungsvorrichtung 40 beschrieben.
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In der Unterdruck-Schichtbildungsvorrichtung 40 ist eine Aufnahmeeinheit 42 zur Aufnahme eines flachen Objekts durch ein auf einem Aufspanntisch angebrachtes elektrostatisches System oder Ansaugsystem innerhalb einer Zerstäubungs- bzw. Sputterkammer 41 angeordnet, und eine durch ein Anregungselement 43 getragene Sputterquelle 44 aus Gold (Au) oder dergleichen ist in der oberen Position der Sputterkammer 41 gegenüber der Aufnahmeeinheit 42 angeordnet. An die Sputterquelle 44 wird eine Hochfrequenzstromquelle 47 angeschlossen. Außerdem ist in einem Seitenabschnitt der Sputterkammer 41 eine Zuflußöffnung 45 zum Einleiten eines Sputtergases angebracht, während im anderen Seitenabschnitt eine Druckminderungsöffnung 46 angebracht ist, die mit einer Druckminderungsquelle in Verbindung steht. Hierbei wird die Schichtbildungseinrichtung 48 durch die Sputterkammer 41, das Anregungselement 43, die Sputterquelle 44, die Zuflußöffnung 45, die Druckminderungsöffnung 46 und die Hochfrequenzstromquelle 47 gebildet.
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Die Rückseite der mit dem Halbleiterwafer 1 vereinigten Trägerplatte 10 wird auf der Aufnahmeeinheit 42 aufgenommen, wodurch die Rückseite des Halbleiterwafers 1 gegenüber der Sputterquelle 44 fixiert wird. Außerdem wird von der Hochfrequenzstromquelle 47 eine Hochfrequenzleistung bei etwa 40 kHz an die Sputterquelle 44 angelegt, die durch das Anregungselement 43 magnetisiert wird, der Innendruck der Sputterkammer 41 wird durch die Druckminderungsöffnung 46 auf etwa 10–2 Pa–10–4 Pa reduziert, um ein Unterdruckmilieu herzustellen, und ein Inertgas wie z. B. Argon wird durch die Zuflußöffnung 45 eingeleitet, um dadurch ein Plasma zu erzeugen. Dann stoßen Argonionen in dem Plasma mit der Sputterquelle 44 zusammen, und die Metallteilchen der Sputterquelle 44 werden herausgeschlagen und auf der Rückseite des Halbleiterwafers 1 abgeschieden, wodurch die Schicht gebildet wird. Auf diese Weise wird der Schichtbildungsschritt ausgeführt.
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Während der gemäß der obigen Beschreibung ausgeführten Schichtbildung befindet sich das Innere der Sputterkammer 41 im wesentlichen in einem Vakuumzustand, und es ist schwierig, den Halbleiterwafer 1 durch Saugwirkung an der Aufnahmeeinheit 42 zu fixieren. Daher wird der Halbleiterwafer 1 durch das vorteilhafte elektrostatische System fixiert. In dieser Hinsicht wird der verdünnte Halbleiterwafer 1 deformiert, wenn er direkt auf der Aufnahmeeinheit 42 des elektrostatischen Systems fixiert wird, da die Haltekraft schwächer ist als die des Ansaugsystems.
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Bei der Erfindung kann jedoch der mit der Trägerplatte 10 vereinigte Halbleiterwafer 1 durch diese Trägerplatte 10 von hoher Steifigkeit gehalten werden, die keine Deformation erfährt, so daß auch der durch die Verdünnungsbearbeitung in einer Dicke von etwa 100 μm–15 μm ausgebildete Halbleiterwafer 1 nicht deformiert wird, und auf der Rückseite des Halbleiterwafers 1 kann mit hoher Genauigkeit eine gleichmäßige Schicht ausgebildet werden. Außerdem wird das Schutzband 11 auf die Rückseite der Trägerplatte 10 aufgeklebt, die Verunreinigungsstoffe, die auf die Verdünnungsbearbeitung mittels Schleifen zurückzuführen sind und sonst an der Rückseite der Trägerplatte 10 anhaften, werden durch das Schutzband 11 aufgenommen, und das Schutzband 11 wird vor dem Schichtbildungsschritt abgerissen und entfernt, wodurch verhindert wird, daß die Verunreinigungsstoffe in die Unterdruck-Schichtbildungsvorrichtung 40 eintreten, so daß die Bildung einer Schicht von hoher Genauigkeit realisiert wird, welche die Verunreinigungen nicht enthält.
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Zusammenfassend läßt sich sagen, daß gemäß der vorliegenden Erfindung in einem Verfahren zur Fertigung eines Halbleiterwafers, wobei die Rückseite eines Ausgangshalbleiterwafers mit an dessen Vorderseite ausgebildeten Schaltkreisen geschliffen wird, um den Halbleiterwafer zu verdünnen, und wobei auf der geschliffenen Rückseite eine dünne Schicht ausgebildet wird, der Halbleiterwafer mit einer steifen Trägerplatte vereinigt wird, um verhindern zu können, daß der Halbleiterwafer selbst beim Schleifen der Rückseite zum Verdünnen des Halbleiterwafers und bei der Ausbildung der Schicht deformiert wird; auf die Rückseite der Trägerplatte wird zuvor ein abreißbares Schutzband aufgeklebt, damit verhindert werden kann, daß bestimmte, bei einem Schleifbearbeitungsschritt aufgetretene Verunreinigungsstoffe an der Rückseite der Trägerplatte anhaften, in eine Schichtbildungsvorrichtung transportiert werden, während der Schichtbildung in die gebildete Schicht gelangen und die Qualität der Schicht verschlechtern; und die Verunreinigungsstoffe werden vor der Ausführung eines Schichtbildungsschritts durch Abreißen und Entfernen des Schutzbands vollständig von der Trägerplatte entfernt, wodurch die gleichmäßige Schicht, die keine Verunreinigungen enthält, genau auf der Rückseite des Halbleiterwafers ausgebildet werden kann. Das erfindungsgemäße Verfahren ist in großem Umfang auf die Fertigung von Halbleiterchips anwendbar, bei der die Rückseite des Halbleiterwafers von dem spezifizierten Typ wirksam geschliffen wird, um den Halbleiterwafer zu verschlanken und zu verdünnen, und bei der eine Schicht von hoher Güte ausgebildet wird.