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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Gebiet der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Waferbearbeitungsverfahren zum Schleifen einer hinteren Oberfläche eines Wafers und Teilen des Wafers in einzelne Bauelemente.
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Beschreibung des Stands der Technik
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Ein mit mehreren Bauelementen, wie z. B. ICs (integrierte Schaltungen), ausgebildeter Wafer wird von der hinteren Oberfläche aus geschliffen, um eine gegebene Dicke aufzuweisen, und dann durch eine Zerteileinrichtung oder dergleichen in einzelne Bauelemente geteilt, die in verschiedenen elektronischen Einrichtungen verwendet werden. In den letzten Jahren wurde, um es zu ermöglichen, das Gewicht und die Größe elektronischer Einrichtungen zu verringern, ein Wafer durch Schleifen so ausgebildet, dass er äußerst dünn ist, wie beispielsweise 20 bis 100 µm. Jedoch wird der so dünn ausgebildete Wafer weich, wodurch Probleme bei einer nachfolgenden Beförderung entstehen und es schwierig wird, eine geschliffene Oberfläche mit einer Metallschicht, wie z. B. Gold, Silber, Titan oder dergleichen, mit einer Dicke von einigen zehn nm zum elektrischen Prüfen von Bauelementen zu bedecken.
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Um solche Probleme zu beseitigen, wurde das folgende Waferbearbeitungsverfahren vorgeschlagen und eine Patentanmeldung durch die vorliegende Anmelderin getätigt (z. B. das offengelegte japanische Patent
JP 2007- 19 379 A ). Bei diesem Verfahren wird ein Schutzband an der vorderen Oberfläche des Wafers befestigt und nur ein Abschnitt der hinteren Oberfläche des Wafers, welcher der hinteren Seite des Bauelementbereichs entspricht, geschliffen, um einen dicken ringförmigen Verstärkungsabschnitt an der äußeren Umfangsseite desselben auszubilden. Dies kann die Beförderung des Wafers ermöglichen und es erleichtern, den nachfolgenden Metallschichtausbildungsschritt durchzuführen. Bei der in dem offengelegten
japanischen Patent Nr. 2007-19379 beschriebenen Erfindung wird die Metallschicht auf die hintere Seite des Bauelementbereichs, an welcher der ringförmige Verstärkungsabschnitt ausgebildet wurde, geschichtet. Danach wird die hintere Oberfläche des ringförmigen Verstärkungsabschnitts geschliffen, um die hintere Oberfläche des Wafers eben auszubilden. Alternativ wird, nachdem der ringförmige Verstärkungsabschnitt geschnitten und entfernt wurde, das Schutzband von der vorderen Oberfläche des Wafers abgezogen und ein Zerteilungsband an der hinteren Oberfläche zum Zerteilen befestigt, wodurch der Wafer in einzelne Bauelemente geteilt wird.
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US 2007/0 123 002 A1 offenbart ein Waferteilungsverfahren zum Teilen eines Wafers in einzelne Bauelemente. Bei diesem Verfahren wird eine Rückseite des Wafers geschliffen, um einen Aussparungsabschnitt und einen den Aussparungsabschnitt umgebenden ringförmigen Verstärkungsteil auszubilden. Anschließend wird der ringförmige Verstärkungsteil durch Schleifen oder Schneiden von dem Wafer entfernt. Nach dem Entfernen des ringförmigen Verstärkungsteils wird der Wafer entlang von Trennlinien geschnitten, um diesen in die einzelnen Bauelemente zu teilen.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Die Metallschicht wird auf die hintere Oberfläche des Wafers, die mit dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt ausgebildet ist, geschichtet. Danach ist es jedoch schwierig, ohne eine Beschädigung der Metallschicht an der hinteren Oberfläche des Bauelementbereichs die hintere Seite des Bauelementbereichs bündig mit der hinteren Seite des zusätzlichen äußeren Umfangsbereichs auszubilden, indem nur die hintere Oberfläche des ringförmigen Verstärkungsabschnitts geschliffen wird. Zusätzlich bewirkt das Durchführen der Arbeitsschritte des Entfernens des ringförmigen Verstärkungsabschnitts, des Abziehens des Schutzbands von der vorderen Oberfläche des Wafers und des Befestigens des Zerteilungsbands an der hinteren Oberfläche auch eine Abnahme der Produktivität.
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Dementsprechend ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Waferbearbeitungsverfahren zum effizienten Teilen eines Wafers in einzelne Bauelemente ohne eine Beschädigung einer Metallschicht, die an einer hinteren Seite eines Bauelementbereichs einer vorderen Waferoberfläche aufgebracht ist, beim Teilen in die einzelnen Bauelemente des Wafers bereitzustellen, bei dem ein Aussparungsabschnitt an einem Abschnitt einer hinteren Oberfläche des Wafers, welcher der hinteren Seite des Bauelementbereichs entspricht, ausgebildet ist, ein ringförmiger Verstärkungsabschnitt an dem Umfang des Aussparungsabschnitts ausgebildet ist und die Metallschicht auf die hintere Oberfläche geschichtet ist.
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Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Waferbearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers in einzelne Bauelemente bereitgestellt, wobei der Wafer an einer vorderen Oberfläche einen Bauelementbereich, der durch vorgegebene Trennlinien abgeteilt ist, um mehrere der Bauelemente auszubilden, und einen zusätzlichen äußeren Umfangsbereich, der den Bauelementbereich umgibt, aufweist und das Waferbearbeitungsverfahren beinhaltet: einen Waferschleifschritt, bei dem in einem Zustand, in dem der Wafer an einer Seite eines an der vorderen Oberfläche des Wafers befestigten Schutzbands (Schutztapes) gehalten ist, eine hintere Seite des Bauelementbereichs an einer hinteren Oberfläche des Wafers geschliffen wird, um einen Aussparungsabschnitt und einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt an einer äußeren Umfangsseite des Aussparungsabschnitts auszubilden; einen Metallschichtbeschichtungsschritt zum Beschichten einer hinteren Oberfläche des Wafers, an dessen vorderer Oberfläche das Schutzband befestigt ist, mit einer Metallschicht; und einen Waferteilungsschritt zum Schneiden der vorgegebenen Trennlinien von einer hinteren Oberflächenseite des Wafers, an dessen vorderer Oberfläche das Schutzband befestigt ist, und Teilen des Wafers in einzelne Bauelemente. Der Waferteilungsschritt wird in einem Zustand durchgeführt, in dem der ringförmige Verstärkungsabschnitt an der äußeren Umfangsseite des Aussparungsabschnitts vorliegt.
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Vorzugsweise wird der Waferteilungsschritt durchgeführt, nachdem das an der vorderen Oberfläche des Wafers befestigte Schutzband an einem durch einen Zerteilungsrahmen gehaltenen Zerteilungsband (Zerteilungstape) befestigt wurde. Der Waferteilungsschritt kann durch Schneiden der vorgegebenen Trennlinien durch eine Schneidklinge oder einen Laserstrahl durchgeführt werden.
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Eine Kerbe wird manchmal in einem äußeren Umfangsabschnitt an einer Verlängerung der vorgegebenen Trennlinie vor dem Waferteilungsschritt ausgebildet, so dass die vorgegebene Trennlinie von der hinteren Oberflächenseite des Wafers aus erfasst werden kann.
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Bei der vorliegenden Erfindung wird ein Laserstrahl oder die Schneidklinge von der hinteren Oberflächenseite des Wafers aus zum Schneiden aufgebracht. Deshalb ist es nicht notwendig, das an der vorderen Oberfläche des Wafers befestigte Schutzband abzuziehen und außerdem den ringförmigen Verstärkungsabschnitt zu entfernen. Daher kann der Wafer ohne eine Beschädigung der auf der hinteren Seite des Bauelementbereichs an der hinteren Oberfläche des Wafers geschichteten Metallschicht effizient in einzelne Bauelemente geteilt werden.
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Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art und Weise, diese zu verwirklichen, werden offenkundiger werden und die Erfindung selbst wird am besten verstanden werden, indem die folgende Beschreibung und die angefügten Ansprüche mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, die einige bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung zeigen, studiert werden.
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Figurenliste
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- 1 ist eine perspektivische Einzelteildarstellung, die einen Wafer und ein Schutzband veranschaulicht;
- 2 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand veranschaulicht, in dem das Schutzband an einer vorderen Oberfläche des Wafers befestigt ist;
- 3 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Waferschleifschritt beispielhaft veranschaulicht;
- 4 ist eine perspektivische Ansicht, die den Wafer, der dem Waferschleifschritt unterzogen wurde, veranschaulicht;
- 5 ist eine Querschnittsdarstellung, die den Wafer, der dem Waferschleifschritt unterzogen wurde, veranschaulicht;
- 6 ist eine Querschnittsdarstellung, die schematisch eine Druckverringerungs-Abscheideinrichtung beispielhaft veranschaulicht;
- 7 ist eine Querschnittsdarstellung, die einen Wafer, der einem Metallschichtbeschichtungsschritt unterzogen wurde, veranschaulicht;
- 8 ist eine perspektivische Ansicht, die ein erstes Beispiel eines Waferteilungsschritts veranschaulicht;
- 9 ist eine perspektivische Ansicht, die ein zweites Beispiel des Waferteilungsschritts veranschaulicht;
- 10 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand veranschaulicht, in dem das an der vorderen Oberfläche des Wafers befestigte Schutzband an einem Zerteilungsband befestigt ist;
- 11 ist eine Seitenansicht, die eine Struktur zum Halten eines Schneidteils einer Klinge veranschaulicht;
- 12 ist eine Querschnittsdarstellung, die einen Zustand veranschaulicht, in dem der Schneidteil in einen mit einer Auslaufnut ausgebildeten ringförmigen Verstärkungsabschnitt schneidet;
- 13 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel eines mit einer Auslaufnut in dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt ausgebildeten Wafers veranschaulicht; und
- 14 ist eine perspektivische Ansicht eines Beispiels eines mit einer Kerbe in dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt ausgebildeten Wafers.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Mit Bezug auf 1 sind ein Bauelementbereich W1, der mit mehreren Bauelementen D ausgebildet ist, und ein zusätzlicher äußerer Umfangsbereich W2, der den Bauelementbereich W1 umgibt und ohne Bauelemente ausgebildet ist, an einer vorderen Oberfläche Wa eines Wafers W ausgebildet. Der Bauelementbereich W1 ist durch vorgegebene Trennlinien S, die sich längslaufend und horizontal erstrecken, abgeteilt und mit den Bauelementen D ausgebildet. Der als ein Beispiel gezeigte Wafer W ist an einem äußeren Umfangsabschnitt mit einer Kerbe N ausgebildet, die eine Markierung zur Kennzeichnung der Kristallorientierung ist.
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Ein Schutzband (Schutztape) 1 wird an vorderen Oberfläche Wa des Wafers W befestigt und der Wafer W wird umgedreht, um eine hintere Oberfläche Wb freizulegen, wie in 2 gezeigt ist. Die hintere Oberfläche Wb wird unter Verwendung z. B. einer in 3 gezeigten Schleifeinrichtung 2 geschliffen. Die Schleifeinrichtung 2 beinhaltet einen Einspanntisch 20, der den Wafer hält und mit diesem drehbar ist, und ein Schleifmittel 21 zum Schleifen des Wafers. Das Schleifmittel 21 beinhaltet eine Achse 22, die dafür geeignet ist, gedreht und auf und ab bewegt zu werden, eine Schleifscheibe 22, die an dem distalen Ende der Achse 22 angebracht ist und zusammen mit der Drehung der Achse 22 gedreht wird, und einen Schleifstein 24, der an der unteren Oberfläche der Schleifscheibe 23 befestigt ist.
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Der Wafer W wird an den Einspanntisch 20 von der Seite des Schutzbands 1 auf eine solche Weise gehalten, dass die hintere Oberfläche Wb desselben dem Schleifstein 24 zugewandt ist. Während der Wafer W zusammen mit der Drehung des Einspanntischs 20 gedreht wird, wird der zusammen mit der Drehung der Achse 22 gedrehte Schleifstein 24 abgesenkt und kommt mit der hinteren Oberfläche Wb des Wafers W in Kontakt. In diesem Fall wird der Schleifstein 24 mit einem Abschnitt der hinteren Oberfläche Wb in Kontakt gebracht, welcher der hinteren Seite des Bauelementbereichs W1 (siehe 1) der vorderen Oberfläche Wa entspricht, so dass verhindert wird, dass die anderen Abschnitte geschliffen werden. Auf diese Weise wird, wie in 4 und 5 gezeigt ist, ein Aussparungsabschnitt W3 an dem geschliffenen Abschnitt ausgebildet und ein ringförmiger Verstärkungsabschnitt W4 an der äußeren Umfangsseite des Aussparungsabschnitts W3 an einem gestuften Abschnitt ausgebildet, der relativ zu der unteren Oberfläche des Aussparungsabschnitts W3 ausgebildet ist (der Waferschleifschritt). Es ist erwünscht, dass der ringförmige Verstärkungsabschnitt W4 eine Dicke von einigen hundert µm aufweist. Andererseits kann die Dicke des Bauelementbereichs W1 auf z. B. annähernd 20 µm bis annähernd 100 um verringert werden.
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Als Nächstes wird der Wafer W zusammen mit dem Schutzband 1 von dem Einspanntisch 20 der Schleifeinrichtung 2 der 3 entfernt und die hintere Oberfläche Wb des Wafers W, die dem Waferschleifschritt unterzogen wurde, mit einer aus Gold, Silber, Titan oder dergleichen bestehenden Metallschicht beschichtet (der Metallschichtbeschichtungsschritt). Da der Wafer W mit dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt W4 ausgebildet ist, ist es einfach, den Wafer W und das Schutzband 1 von dem Einspanntisch 20 zu entfernen.
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Zum Beispiel kann die in 6 gezeigte Druckverringerungs-Abscheideinrichtung 3 verwendet werden, um den Metallschichtbeschichtungsschritt durchzuführen. Bei der Druckverringerungs-Abscheideinrichtung 3 ist ein Halteabschnitt 32 zum elektrostatischen Halten des Wafers W im Inneren einer Kammer 31 vorgesehen. Zusätzlich ist eine aus Metall bestehende Sputterquelle 34 an einer Position, die oberhalb des Halteabschnitts 32 liegt und diesem zugewandt ist, auf eine solche Weise angeordnet, dass sie durch ein Anregeelement 33 gehalten wird. Eine Hochfrequenzleistungsquelle 35 ist mit der Sputterquelle 34 verbunden. Die Kammer 31 ist mit einer Einführöffnung 36, die dafür eingerichtet ist, an einem von seitlichen Abschnitten Sputtergas einzuführen, und einer Druckverringerungsöffnung 37, die mit einer Druckverringerungsquelle an dem anderen seitlichen Abschnitt kommuniziert, versehen.
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Der Wafer W wird an der Seite des Schutzbands 1 durch den Halteabschnitt 32 elektrostatisch so gehalten, dass die hintere Oberfläche des Wafers W der Sputterquelle 34 gegenüberliegt. Eine Hochfrequenzleistung von annähernd 40 kHz wird von der Hochfrequenzleistungsquelle 35 an die durch das Anregeelement 33 magnetisierte Sputterquelle 34. angelegt. Zusätzlich wird der Innendruck der Kammer 31 durch die Druckverringerungsöffnung 37 auf annähernd 10-2 bis 10-4 Pa für eine Druckverringerungsumgebung verringert. Argongas wird von der Einführöffnung 36 zum Erzeugen eines Plasmas eingeführt. Auf diese Weise kollidieren Argon-Ionen in dem Plasma mit der Sputterquelle 34, um Teilchen zu sputtern und auf der hinteren Oberfläche des Wafers W abzuscheiden, wodurch eine Metallschicht 4 ausgebildet wird, wie in 7 gezeigt ist. Diese Metallschicht 4 weist eine Dicke von z. B. annähernd 30 bis 60 nm auf. In dem in 7 gezeigten Beispiel wird auch der ringförmige Verstärkungsabschnitt W4 mit der Metallschicht 4 beschichtet. Jedoch wird, wenn der ringförmige Verstärkungsabschnitt W4 bei dem Metallschichtbeschichtungsschritt einer Abdeckung unterzogen wird, nur der Aussparungsabschnitt W3 mit der Metallschicht 4 ausgebildet. Der Metallschichtbeschichtungsschritt wird in dem Zustand durchgeführt, in dem die hintere Seite des Bauelementbereichs W1 durch Schleifen dünner ausgebildet ist. Jedoch ist es, da der Wafer W mit dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt W4 ausgebildet ist, einfach, den Wafer W bei dem Metallschichtbeschichtungsschritt zu handhaben. Im Übrigen kann der Metallschichtbeschichtungsschritt durch Abscheiden, CVD oder dergleichen erreicht werden.
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Nur Musterabschnitte bezüglich einer Erkennung können einer Abdeckung unterzogen werden, so dass diese nicht mit der Metallschicht beschichtet werden und die vorgegebenen Trennlinien S von der hinteren Oberfläche aus durch eine Infrarotkamera erkannt werden können. Beispiele der Musterabschnitte bezüglich einer Erkennung beinhalten die vorgegebenen Trennlinien an sich als Erkennungsziele, einen Schnittabschnitt zwischen zwei vorgegebenen Trennlinien und ein Schlüsselmuster, das dazu dient, eine vorgegebene Trennlinie zu erfassen.
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Der Wafer W wird als Nächstes durch Schneiden der in 1 gezeigten vorgegebenen Trennlinien S in einzelne Bauelemente geteilt (der Waferteilungsschritt). Der Waferteilungsschritt kann eine Laserbearbeitungseinrichtung zum Schneiden mit einem Laserstrahl, eine Schneideinrichtung zum Schneiden mit einer Drehklinge usw. verwenden.
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Wenn die Laserbearbeitungseinrichtung für den Waferteilungsschritt verwendet wird, wird der Wafer W an dem Haltetisch 50 an der Seite des Schutzbands 1 in dem Zustand gehalten, in dem das Schutzband 1 an der vorderen Oberfläche Wa des Wafers W befestigt bleibt, wie in 8 gezeigt ist. Die Infrarotkamera wird verwendet, um es einem infraroten Strahl zu ermöglichen, durch die Metallschicht 4 und den Wafer W zu treten, um die an der vorderen Oberflächenseite des Wafers W ausgebildeten vorgegebenen Trennlinien S zu erfassen. Während der Haltetisch 50 in der horizontalen Richtung bewegt wird, wird ein Laserstrahl von einem Bearbeitungskopf 51 zu den vorgegebenen Trennlinien S emittiert, um Nuten G1 an entsprechenden vorgegebenen Trennlinien S zum Schneiden des Wafers W in Längsrichtung und horizontaler Richtung auszubilden. Während des Schneidens ist es nicht notwendig, einen Laserstrahl zu dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt W4 zu emittieren. Im Übrigen kann es sein, dass es wegen der Art oder der Dicke der Metallschicht 4 nicht möglich ist, die an der hinteren Oberflächenseite des Wafers W ausgebildeten vorgegebenen Trennlinien S durch die Infrarotkamera zu erfassen. In einem solchen Fall ist es notwendig, den Musterabschnitt bezüglich der Erkennung der vorgegebenen Trennlinie freizulegen, wie oben beschrieben wurde.
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Wenn die Schneideinrichtung für den Waferteilungsschritt verwendet wird, wird in dem Zustand, in dem das Schutzband 1 an der hinteren Oberfläche Wb des Wafers W befestigt bleibt, wie in 9 gezeigt ist, der Wafer an dem Haltetisch 60 an der Seite des Schutzbands 1 gehalten. Die Infrarotkamera wird verwendet, um es einem infraroten Strahl zu ermöglichen, durch die Metallschicht 4 und den Wafer W zu treten, um die an der vorderen Oberflächenseite des Wafers W ausgebildeten vorgegebenen Trennlinien S zu erfassen. Während der Haltetisch 60 in der horizontalen Richtung bewegt wird, schneidet eine sich mit hoher Geschwindigkeit drehende Klinge 61 in die vorgegebene Trennlinie S, um an entsprechenden vorgegebenen Trennlinien S zum Schneiden des Wafers in Längsrichtung und horizontaler Richtung Nuten G2 auszubilden. Während des Schneidens schneidet die Klinge 61 auch in den ringförmigen Verstärkungsabschnitt W4, um die vorgegebenen Trennlinien S vollständig zu schneiden.
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Wenn die Laserbearbeitung oder die Bearbeitung unter Verwendung der Klinge in dem Waferteilungsschritt durchgeführt wird, kann diese auch in dem Zustand durchgeführt werden, in dem das an der vorderen Oberfläche Wa des Wafers W befestigte Schutzband 1 an einem Zerteilungsband (Zerteilungstape) T befestigt ist, dessen Umfangsrandabschnitt durch den Zerteilungsrahmen F gehalten wird, wie in 10 gezeigt ist. Es ist nicht notwendig, das Schutzband 1 von der vorderen Oberfläche Wa des Wafers W abzuziehen, falls das Zerteilungsband T verwendet wird oder falls dieses nicht verwendet wird.
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Im Übrigen ist mit Bezug auf 11 die Klinge 61 allgemein so aufgebaut, dass ein Schneidabschnitt 610 durch eine Basis 611 so eingespannt ist, dass dieser um H von der Basis 611 in Richtung auf die äußere Umfangsseite hervorsteht. Die Breite der vorgegebenen Trennlinie S beträgt in vielen Fällenannähernd einige µm. Um dies zu bewältigen, ist der Schneidabschnitt 610 zum Schneiden so ausgebildet, dass er eine Dicke (z. B. 30 µm) aufweist, die kleiner als die Breite der vorgegebenen Trennlinie S ist. Um zu verhindern, dass der Schneidabschnitt 610 als Folge des Schneidens bricht, beträgt ein Vorstehbetrag H des Schneidabschnitts 610 von der Basis 611 annähernd 100 bis 200 µm, was kleiner als die Dicke des ringförmigen Verstärkungsabschnitts W4 ist. Deshalb kann, wenn ein Endabschnitt einer vorgegebenen Trennlinie S durch die Klinge geschnitten wird, die Basis 611 wahrscheinlich mit dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt W4 in Kontakt kommen, was das Schneiden der vorgegebenen Trennlinie S unterbrechen kann. Um eine solche Unterbrechung zu beseitigen, werden, wie in 12 und 13 gezeigt ist, Auslaufnuten G3 durch Verwendung der folgenden Klinge an entsprechenden Verlängerungen der vorgegebenen Trennlinien S in dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt W4 zuvor ausgebildet. Diese Klinge weist einen Schneidabschnitt auf, der dicker als die zum Schneiden der vorgegebenen Trennlinie S verwendete Klinge ist. Zum Beispiel weist der Schneidabschnitt eine Dicke von annähernd 2 mm auf. Auf diese Weise kann der Endabschnitt der vorgegebenen Trennlinie S problemlos geschnitten werden, während die Basis 611 nicht mit dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt W4 in Kontakt gebracht wird (der Auslaufnutausbildungsschritt).
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Im Übrigen kann der ringförmige Verstärkungsabschnitt W4 entfernt werden, indem dessen innerer Umfang mit einem Laserstrahl kreisförmig bestrahlt wird, während der in 8 oder 9 gezeigte Haltetisch 50 oder 60 gedreht wird. Alternativ kann der ringförmige Verstärkungsabschnitt W4 entfernt werden, indem dessen innerer Umfang durch die Klinge 51 geschnitten wird. In solchen Fällen kann der Waferteilungsschritt nach der Entfernung des ringförmigen Verstärkungsabschnitts W4 durchgeführt werden, ohne den oben beschriebenen Auslaufnutausbildungsschritt durchzuführen.
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Wenn die Metallschicht 4 im Fall der Verwendung eines Laserstrahls oder einer Klinge bei dem Waferteilungsschritt dick ausgebildet ist, kann die vorgegebene Trennlinie S manchmal nicht durch die Infrarotkamera erfasst werden. In einem solchen Fall wird vor dem Waferteilungsschritt die vorgegebene Trennlinie S von der vorderen Oberflächenseite aus erfasst. Zusätzlich wird ein Laserstrahl oder die Klinge von der vorderen Oberflächenseite aus auf die vorgegebene Trennlinie S aufgebracht, um an dem äußeren Umfangsabschnitt an der Verlängerung der vorgegebenen Trennlinie S eine Kerbe. 7 auszubilden, die wie in 14 gezeigt von der Vorderseite durch zu der Unterseite verläuft. Bei dem Waferteilungsschritt wird die vorgegebene Trennlinie S durch Erfassen der Kerbe 7 von der hinteren Oberflächenseite aus erfasst. Dann werden alle vorgegebenen Trennlinien geschnitten, während auf Grundlage der so erfassten vorgegebenen Trennlinie S der in 8 gezeigte Bearbeitungskopf 51 oder die in 9 gezeigte Klinge 61 um einen Abstand zwischen nebeneinander liegenden vorgegebenen Trennlinien überführt wird. Wenn die Kerbe 7 an zwei Stellen, d. h. an beiden Endabschnitten einer einzelnen vorgegebenen Trennlinie, ausgebildet ist, kann eine solche vorgegebene Trennlinie erfasst werden. Die vorgegebenen Trennlinien S sind in zwei Richtungen senkrecht zueinander ausgebildet. Deshalb ist es notwendig, nur wenigstens die vier Kerben 7 auszubilden. Im Übrigen kann auch in dem Fall, in dem die vorgegebene Trennlinie S durch eine Infrarotkamera erfasst werden kann, weil die Metallschicht 4 dünn ist, die Kerbe 7 zuvor ausgebildet werden.
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Wie oben beschrieben wurde, kann, sogar wenn die Metallschicht an der hinteren Oberfläche des Wafers W ausgebildet ist, der Wafer W durch Schneiden der vorgegebenen Trennlinien von der hinteren Oberflächenseite aus in dem Zustand in die Bauelemente D geteilt werden, in dem das Schutzband 1 an der vorderen Oberfläche befestigt bleibt. Deshalb ist es nicht erforderlich das Schutzband 1 zu entfernen.
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Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Einzelheiten der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert und alle Änderungen und Abwandlungen, die innerhalb der Äquivalenz des Umfangs der Ansprüche liegen, werden deshalb durch die Erfindung umfasst.