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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung bzw. ein Verfahren
zur Inspektion eines Wafers gemäß dem Oberbegriff
von Patentanspruch 1 bzw. 21.
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In
der Halbleiterfertigung werden Wafer während des Fertigungsprozesses
in einer Vielzahl von Prozessschritten sequenziell bearbeitet. Mit
zunehmender Integrationsdichte steigen die Anforderungen an die
Qualität
von auf dem Wafer auszubildenden Strukturen. Zu diesem Zweck ist
es von Vorteil, wenn man die Qualität auch einzelner Prozessschritte,
beispielsweise von Lithographieschritten, während des Herstellungsprozesses
und noch vor einem nachgeordneten Prozessschritt zuverlässig beurteilen
kann. Denn wird bereits nach Ausführung eines Prozessschrittes
und noch vor der Beendigung eines Fertigungsprozesses bestimmt,
dass ein Wafer oder auf dem Wafer ausgebildete Strukturen fehlerhaft sind,
so kann der Wafer unmittelbar ausgesondert werden, ohne dass noch
nachgeordnete Prozessschritte ausgeführt werden müssen. Oder
der für
fehlerhaft befundene Wafer kann gesondert nachbehandelt werden,
bis eine zufrieden stellende Qualität erzielt ist. In dieser Weise
kann die Effizienz und Ausbeute in der Halbleiterfertigung erhöht werden.
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Zur
Inspektion der Oberfläche
von Wafern eignen sich insbesondere optische Vorrichtungen. Es sind
optische Vorrichtungen bekannt, die durch Bilderkennung verschiedenste
Strukturen auf der Oberfläche
eines Wafers erkennen können.
Solche Wafer-Inspektionsvorrichtungen arbeiten entweder in einer
Hellfeld-Anordnung, in welcher die Oberfläche des Wafers beleuchtet und
das von der Oberfläche reflektierte
Licht von einer Kamera erfasst wird, oder in einer Dunkelfeld-Anordnung,
in welcher die Oberfläche
des Wafers beleuchtet und das von Defekten, Partikeln und dergleichen
auf der Oberfläche
gestreute Licht von einer Kamera erfasst wird. Bei einer solchen
Wafer-Inspektionsvorrichtung kann die Oberfläche des Wafers auch stroboskopisch
beleuchtet werden, d.h. mit kurzen Lichtblitzen.
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Die
Aussagekraft von Bildaufnahmen in einer Hellfeld- und in einer Dunkelfeld-Anordnung
ist unterschiedlich. Für
eine optimale Wafer-Inspektion ist es deshalb wünschenswert, mit einer Wafer-Inspektionsvorrichtung
Bilder sowohl in einer Hellfeld-Anordnung als auch in einer Dunkelfeld-Anordnung
zu erfassen. Um eine hohe Genauigkeit bei der Detektion von Defekten
auf der Oberfläche
von Wafern in einer Dunkelfeld-Anordnung zu erzielen, ist eine hohe
Intensität
der zur Beleuchtung der Oberfläche
verwendeten Lichtblitze gewünscht.
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Aufgabe
der vorliegenden Erfindung ist es, die gattungsbildende Vorrichtung
bzw. das gattungsbildende Verfahren zur Inspektion eines Wafers
dahingehend weiterzubilden, dass sowohl Hellfeldbilder als auch
Dunkelfeldbilder mit hoher Genauigkeit, mit einer vergleichsweise
geringen gegenseitigen Beeinflussung der Hellfeld- und Dunkelfeldbilder
und bei gleichzeitig hohem Durchsatz aufgenommen werden.
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Diese
Aufgabe wird gelöst
durch eine Vorrichtung bzw. ein Verfahren zur Inspektion von Wafern
mit den Merkmalen nach Anspruch 1 bzw. 21. Weitere vorteilhafte
Ausführungsformen
sind Gegenstand der rückbezogenen
Unteransprüche.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird eine Vorrichtung zur Inspektion der Oberfläche eines
Wafers bereitgestellt, mit mindestens einer ersten und einer zweiten
Auflicht-Beleuchtungseinrichtung, um einen ersten bzw. zweiten Auflicht-Beleuchtungslichtstrahl
abzustrahlen und auf der Oberfläche
einen Bereich zu beleuchten, und mit zumindest einer Bilderfassungseinrichtung,
um ein Bild des beleuchteten Bereichs zu erfassen, wobei die erste
Auflicht-Beleuchtungseinrichtung
und die zumindest eine Bilderfassungseinrichtung so angeordnet sind,
dass Bilder des beleuchteten Bereichs in einer Hellfeld-Anordnung erfassbar
sind, und wobei die zweite Auflicht-Beleuchtungseinrichtung und die zumindest eine
Bilderfassungseinrichtung so angeordnet sind, dass Bilder des beleuchteten
Bereichs in einer Dunkelfeld-Anordnung
erfassbar sind. Die Wafer-Inspektionsvorrichtung zeichnet sich erfindungsgemäß dadurch
aus, dass eine Steuereinrichtung zum Steuern der ersten und zweiten
Auflicht-Beleuchtungseinrichtung und der zumindest einen Bilderfassungseinrichtung
vorgesehen ist, sodass die Vielzahl Bilder in der Hellfeld-Anordnung
und die Vielzahl Bilder in der Dunkelfeld-Anordnung zeitlich versetzt
zueinander aufgenommen sind oder farblich getrennt sind.
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Durch
die zeitliche oder farbliche Trennung der Hellfeld- und Dunkelfeld-Bilder
kann eine gegenseitige Beeinflussung der Hellfeld- und Dunkelfeld-Bilder
vermieden werden. Vorteilhaft ist, dass sich erfindungsgemäß insbesondere
für die
Dunkelfeld-Bilder größere Signal-zu-Rausch-Verhältnisse erzielen
lassen, so dass die Genauigkeit der Detektion von Defekten insbesondere
in den Dunkelfeld-Bildern vorteilhaft erhöht werden kann.
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Bevorzugt
werden die zur Beleuchtung in der Hellfeld- und in der Dunkelfeld-Anordnung verwendeten
Auflicht-Beleuchtungseinrichtungen stroboskopisch betrieben, strahlen
diese also vergleichsweise kurze Beleuchtungs-Lichtblitze ab, die
auf die Oberfläche
des Wafers abgebildet werden. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform
sind somit auch die Beleuchtungs-Lichtblitze für Hellfeld-Bilder und für Dunkelfeld-Bilder
zueinander zeitlich versetzt.
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Zur
Erfassung sowohl von Hellfeld- als auch von Dunkelfeld-Bildern sind
gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform
zumindest zwei Auflicht-Beleuchtungseinrichtungen
und eine Bilderfassungseinrichtung vorgesehen. Während die eine der Auflicht-Beleuchtungseinrichtungen
in einer Hellfeld- Anordnung
angeordnet ist, so dass das Licht von der Oberfläche des Wafers direkt in die
zugeordnete Bilderfassungseinrichtung reflektiert wird, ist die
andere der beiden Auflicht-Beleuchtungseinrichtungen in einer Dunkelfeld-Anordnung angeordnet,
so dass nur Streulicht oder von der Oberfläche des Wafers gebeugtes Licht
in die zugeordnete Bilderfassungseinrichtung abgebildet wird. In
dieser Konfiguration strahlen die Auflicht-Beleuchtungseinrichtungen bevorzugt
alternierend Beleuchtungs-Lichtblitze ab, die alternierend für ein Hellfeld-Bild
und ein Dunkelfeld-Bild herangezogen werden.
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Selbstverständlich können erfindungsgemäß auch mehr
Auflicht-Beleuchtungseinrichtungen und/oder
Bilderfassungseinrichtungen vorgesehen sein und können diese
wahlweise betrieben werden, um eine Erfassung sowohl von Hellfeld-Bildern
als auch von Dunkelfeld-Bildern mit derselben Wafer-Inspektionsvorrichtung
zu realisieren. Dabei werden die Auflicht-Beleuchtungseinrichtungen und/oder die Bilderfassungseinrichtungen
bevorzugt mittels einer zentralen Prozessoreinheit, beispielsweise
eines Computers, als Steuereinrichtung je nach Bedarf angesteuert.
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Ein
vorteilhaft hoher Durchsatz der Wafer-Inspektionsvorrichtung lässt sich
erfindungsgemäß erzielen,
wenn ferner eine Bewegungseinrichtung oder eine Strahl-Ablenkeinrichtung,
die ein in einem Strahlengang zur geeigneten Ablenkung des Auflicht-Beleuchtungslichtstrahls
vorgesehenes optisches Element umfasst, vorgesehen ist, um den Wafer
und den Auflicht-Beleuchtungslichtstrahl
relativ zueinander zu bewegen. Dabei steuert die Steuereinrichtung
die Bewegungseinrichtung oder die Strahl-Ablenkeinrichtung so an, dass die Bilder
in der Hellfeld-Anordnung und die Bilder in der Dunkelfeld-Anordnung nicht
nur zeitlich versetzt sondern auch räumlich versetzt zueinander
aufgenommen sind.
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Bei
dieser Ausführungsform
tasten die Beleuchtungs-Lichtblitze die gesamte Oberfläche des Wafers
sequentiell ab. Die hierfür
erforderlich Relativverschiebung des Wafers und der Beleuchtungs-Lichtstrahlen
wird dabei bevorzugt gleichmäßig auf
die Sequenz der Beleuchtungs-Lichtblitze verteilt. Zwar muss bei
dieser Ausführungsform
die Bilderfassungseinrichtung ggf. mit einer höheren Frequenz betrieben werden,
doch lässt
sich dies durch geeignete Vorkehrungen, beispielsweise Framegrabber-Karten
mit hoher Auslesefrequenz oder durch die Verwendung von zwei Datenausleseeinrichtungen zum
alternierenden Auslesen der erfassten Bilder aus der Bilderfassungseinrichtung,
ohne weiteres realisieren.
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Gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform wird
die Abbildung der Beleuchtungs-Lichtblitze zeitlich nicht verändert und
wird der Wafer relativ zu dem ersten und zweiten Auflicht-Beleuchtungslichtstrahl bewegt.
Somit steuert die Steuereinrichtung die Bewegungseinrichtung so
an, dass der Wafer zumindest abschnittsweise kontinuierlich oder
getaktet relativ zu dem ersten und zweiten Auflicht-Beleuchtungslichtstrahl
bewegt wird. Zu diesem Zweck kann der Wafer kontinuierlich oder
getaktet gedreht werden oder kann der Wafer auf einer kontinuierlich
oder getaktet angesteuerten X-Y-Translationsstufe
aufgenommen sein, die beispielsweise von einem Schrittmotor oder
dergleichen angetrieben wird.
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Erfindungsgemäß wird die
Relativverschiebung des Wafers und der Beleuchtungslichtstrahlen so
auf die Sequenz der Beleuchtungs-Lichtblitze abgestimmt, dass die
Hellfeld-Bilder von periodisch zueinander versetzten Bereichen auf
der Oberfläche des
Wafers aufgenommen werden. Diese periodisch zueinander versetzten
Bereiche sind so vorgegeben, dass die gesamte Oberfläche des
Wafers sequentiell abgetastet werden kann, insbesondere überlappen die
zueinander versetzten Bereiche oder grenzen diese unmittelbar aneinander
an. Die periodisch zueinander versetzten Bereiche können zumindest
einem Die, der gesamten Oberfläche
eines einzelnen Dies oder einem Unterbereich eines Dies entsprechen.
Dies kann durch geeignete Kalibrierung der Wafer-Inspektionsvorrichtung
ohne weiteres gewährleistet
werden. Dabei können
sidh die Hellfeld-Bilder um eine vorgebbare Anzahl von Pixeln bzw.
Bildpunkten bis über
den Rand des Dies oder über
die Ränder
der insgesamt erfassten Dies hinaus erstrecken, so dass auch unter
Berücksichtigung
von Toleranzen der Wafer- Inspektionsvorrichtung
stets sichergestellt ist, dass die gesamte Oberfläche von
zumindest einem Die von einem Hellfeld-Bild erfasst wird.
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Gemäß einer
weiteren Ausführungsform steuert
die Steuereinrichtung die erste und zweite Auflicht-Beleuchtungseinrichtung
und/oder die Bilderfassungseinrichtung so, dass zwischen zwei Bildern,
die in der Hellfeld-Anordnung
aufgenommen sind, zumindest zwei Bilder, ganz besonders bevorzugt
genau zwei Bilder, in der Dunkelfeld-Anordnung aufgenommen sind.
Die Dunkelfeld-Bilder können dabei
unter verschiedenen Orientierungen der jeweiligen Auflicht-Beleuchtungseinrichtungen
in Bezug auf den Wafer aufgenommen werden. Beispielsweise kann die
für einen
ersten Lichtblitz für
ein erstes Dunkelfeld-Bild verwendete Auflicht-Beleuchtungseinrichtung
so ausgerichtet sein, dass eine Projektion der durch die Auflicht-Beleuchtungseinrichtung
festgelegten Beleuchtungsachse auf die Oberfläche des Wafers mit den auf
dem Wafer ausgebildeten Strukturen einen ersten Winkel einschließt, beispielsweise einen
Winkel von 45 Grad, und kann die für einen zweiten Lichtblitz
für ein
zweites Dunkelfeld-Bild verwendete Auflicht-Beleuchtungseinrichtung so ausgerichtet
sein, dass eine Projektion der durch die Auflicht-Beleuchtungseinrichtung
festgelegten Beleuchtungsachse auf die Oberfläche des Wafers mit den auf
dem Wafer ausgebildeten Strukturen einen zweiten Winkel einschließt, der
verschieden zu dem ersten Winkel ist, beispielsweise einen Winkel
von 90 Grad. Dadurch lässt
sich in einfacher Weise zusätzliche
Information über
etwaige auf dem Wafer vorhandene Defekte und/oder Partikel erhalten.
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Dabei
kann die Steuereinrichtung die erste und zweite Auflicht-Beleuchtungseinrichtung und/oder
die Bilderfassungseinrichtung auch so ansteuern, dass die Bilder
in der Dunkelfeld-Anordnung, die zwischen den Hellfeld-Bildern aufgenommen
werden, gleichzeitig aufgenommen werden. So lässt sich ein noch höherer Durchsatz
der Wafer-Inspektionsvorrichtung realisieren.
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Weil
die Bilder, die in der Dunkelfeld-Anordnung aufgenommen werden,
bevorzugt Bereiche von zumindest zwei benachbarten Dies auf der Oberfläche des
Wafers beinhalten, werden zweckmäßig Vorkehrungen
getroffen, sodass die Lage der jeweiligen Dies zum Zeitpunkt der
Erfassung der jeweiligen Dunkelfeld-Bilder bekannt ist. Die Lage
eines jeweiligen Dies kann grundsätzlich durch geeignete Kalibrierung
der Wafer-Inspektionsvorrichtung
und durch Berechnung der jeweiligen Lage aus der verwendeten Beleuchtungs-Sequenz
und der jeweiligen Bewegungssequenz des Wafers berechnet werden.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Ausführungsform
wird jedoch die Lage des jeweiligen Dies zum Zeitpunkt der Erfassung
der Dunkelfeld-Bilder aktiv bestimmt. Zu diesem Zweck kann die Steuereinrichtung
die erste und zweite Auflicht-Beleuchtungseinrichtung und/oder die
Bilderfassungseinrichtung so steuern, dass gleichzeitig ein Bild
mit der Dunkelfeld-Anordnung und der Hellfeld-Anordnung aufnehmbar
ist, wobei das mit der Hellfeld-Anordnung aufgenommene Bild eine
niedrigerer Auflicht-Beleuchtungslichtstrahlintensität aufweist.
Durch die niedrigere Intensität
der für
das weitere Hellfeld-Bild verwendeten Lichtblitze wird so auch weiterhin
eine gegenseitige Beeinflussung der Hellfeld- und der Dunkelfeld-Bilder
minimiert.
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Erfindungsgemäß kann alternativ
oder zusätzlich
zur zeitlichen Trennung eine farbliche Trennung der Hellfeld- und
der Dunkelfeld-Bilder vorgesehen sein. Zweckmäßig wird hierzu eine polychromatische
Auflicht-Beleuchtungseinrichtung
mit mehreren Farbkanälen
verwendet, wobei die Steuereinrichtung zur Erfassung des Bildes
in der Dunkelfeld-Anordnung bei der niedrigeren Auflicht-Beleuchtungslichtstrahlintensität einen
vorbestimmten der mehreren Farbkanäle der jeweiligen polychromatischen Auflicht-Beleuchtungseinrichtung
ansteuert. Die Erfassung der des Hellfeld-Bildes erfolgt dabei in
dem vorbestimmten Farbkanal während
die Erfassung der Dunkelfeld-Bilder in den übrigen Farbkanälen oder
in sämtlichen
anderen Farbkanälen
der jeweiligen für die
Erfassung der Dunkelfeld-Bilder verwendeten Bilderfassungseinrichtung
erfolgt. Anhand des zusätzlich
aufgenommen Hellfeld-Bildes, dem Strukturen auf der Oberfläche des
Wafers, beispielsweise Strassen oder Markierungen, ohne weiteres
entnommen werden können,
kann so die aktuelle Positionierung des Wafers zum Zeitpunkt der
Erfassung der Dunkelfeld-Bilder ermittelt werden.
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Wenn
der für
das Hellfeld-Bild mit der niedrigen Intensität verwendete Farbkanal beispielsweise der
rote Farbkanal (R) bzw. der blaue Farbkanal (B) der zugeordneten
Auflicht-Beleuchtungseinrichtung ist, so erfolgt die Erfassung der
Dunkelfeld-Bilder dann in den übrigen
Farbkanälen
der Bilderfassungseinrichtung, beispielsweise in den grünen (G)
und blauen (B) Farbkanälen
bzw. in den roten (R) und grünen
(G) Farbkanälen
einer farbempfindlichen Bilderfassungseinrichtung mit R-, G- und
B-Farbkanälen.
Diese zusätzliche
farbliche Separation ist jedoch nicht zwingend erforderlich, vielmehr
kann die Erfassung der Dunkelfeld-Bilder auch in sämtlichen
Farbkanälen
der Bilderfassungseinrichtung erfolgen.
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Bei
dieser Ausführungsform
ist bevorzugt eine Bildauswertungseinrichtung vorgesehen, beispielsweise
eine Mustererkennungssoftware, um auf der Grundlage des in der Hellfeld-Anordnung
bei der niedrigeren Auflicht-Beleuchtungslichtstrahlintensität aufgenommenen
Hellfeld-Bildes auf der Oberfläche
des Wafers Strukturen und/oder einzelne Dies zu identifizieren,
beispielsweise Strassen oder Markierungen auf der Oberfläche des
Wafers. In Kenntnis der Lage der Dies kann dann aus der Bildinformation der
Dunkelfeld-Bilder
auf die genaue Lage von Defekten und/oder Partikeln auf der Oberfläche des
Wafers zum Zeitpunkt der Aufnahme der jeweiligen Dunkelfeld-Bilder
geschlossen werden.
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Gemäß einem
weiteren Gesichtspunkt betrifft die vorliegende Erfindung auch ein
Verfahren zur Inspektion eines Wafers. Das Verfahren ist zum Betreiben
der in dieser Anmeldung beschriebenen Vorrichtung ausgelegt und
kann in Form eines Steuerprogramms bzw. einer Software auf einem
computer- oder maschinenlesbaren Medium, beispielsweise auf einem
magnetischen oder optischen Datenträger oder einem Halbleiterspeicherelement,
gespeichert sein, um von einem als Steuereinrichtung wirkenden Computer
bzw. Prozessor aufgerufen und ausgeführt zu werden.
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Nachfolgend
wird die Erfindung in beispielhafter Weise und unter Bezugnahme
auf die beigefügten
Zeichnungen beschrieben werden, woraus sich weitere Merkmale, Vorteile
und zu lösenden
Aufgaben ergeben werden. Es zeigen:
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1 in
einer schematischen Draufsicht auf einen Wafer eine Sequenz von
Bildbereichen, die von einer Wafer-Inspektionsvorrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung erfasst werden;
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2 ein
Zeitablaufdiagramm zur Steuerung von Beleuchtungs-Lichtblitzen einer
Wafer-Inspektionsvorrichtung einer ersten Ausführungsform gemäß der vorliegenden
Erfindung;
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3 ein
Zeitablaufdiagramm zur Steuerung von Beleuchtungs-Lichtblitzen einer
Wafer-Inspektionsvorrichtung einer zweiten Ausführungsform gemäß der vorliegenden
Erfindung;
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4 ein
Zeitablaufdiagramm zur Steuerung von Beleuchtungs-Lichtblitzen einer
Wafer-Inspektionsvorrichtung einer dritten Ausführungsform gemäß der vorliegenden
Erfindung;
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5 in
einer schematischen Draufsicht eine Wafer-Inspektionsvorrichtung
gemäß den 2 bis 4;
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6 in
einer schematischen Seitenansicht eine Wafer-Inspektionsvorrichtung nach einer weiteren
Ausführungsform
gemäß der vorliegenden
Erfindung; und
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7 ein
Zeitablaufdiagramm zur Steuerung von Beleuchtungs-Lichtblitzen einer
Wafer-Inspektionsvorrichtung einer vierten Ausführungsform gemäß der vorliegenden
Erfindung.
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In
den Figuren bezeichnen identische Bezugszeichen identische oder
im Wesentlichen gleich wirkende Elemente oder Elementgruppen.
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Anhand
der 5 und 6 wird nachfolgend eine Wafer-Inspektionsvorrichtung
gemäß der vorliegenden
Erfindung beschrieben werden. Die 6 zeigt
eine Wafer-Inspektionsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung
in einer schematischen Seitenansicht. Gemäß der 6 umfasst
die insgesamt mit dem Bezugszeichen 1 bezeichnete Wafer-Inspektionsvorrichtung
zwei Auflicht-Beleuchtungseinrichtungen 2, 2', die einen
jeweiligen Auflicht-Beleuchtungslichtstrahl 37 abstrahlen,
um auf der Oberfläche 32 des
Wafers 6 einen Bereich 8 zu beleuchten. Gemäß der 6 umfasst
die Wafer-Inspektionsvorrichtung 1 ferner
eine als Bilderfassungseinrichtung wirkende Kamera 4, um
ein Bild von dem beleuchteten Bereich 8 auf der Oberfläche 32 des
Wafers 6 zu erfassen. Die Kamera 4 kann eine Matrix-
oder Zeilen-Kamera
sein, die monochrome oder farbige Bilder, bevorzugt mit R-, G- und B-Farbanteilen,
erfasst. In der 6 bezeichnet das Bezugszeichen 30 schematisch
die Gesamtheit der Farbkanäle
der Kamera 4, die zum Auslesen von Farbbild-Daten geeignet
sind, beispielsweise in den Grundfarben RGB. Gemäß der 6 steht
die von der Kamera 4 festgelegte Abbildungsachse 10 senkrecht
zur Oberfläche 32 des
Wafers 6. Das der Kamera 4 vorgeschaltete Objektiv 5 bildet
den beleuchteten Bereich 8 auf die Bildebene der Kamera 4 ab.
Die von der Kamera 4 erfassten Bilddaten werden über die
Datenleitung 13 von dem als Datenausleseeinrichtung wirkenden
Computer 14 ausgelesen und dort zwischengespeichert oder
weiterverarbeitet. Schließlich
werden die Bilddaten auf einem Monitor oder einem Display 15 angezeigt.
Bevorzugt ist erfindungsgemäß nur eine
Kamera 4 vorgesehen, grundsätzlich können jedoch auch mehrere Kameras 4 vorgesehen
sein.
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Gemäß der 6 ist
der Auflicht-Beleuchtungseinrichtung 2 eine Lichtquelle 11 zugeordnet, deren
Licht über
einen Lichtleiter bzw. ein Lichtleiterbündel 12 in die Auflicht-Beleuchtungseinrichtung 2, beispielsweise
ein Glasfaser-Leuchtfeld
oder eine Glasfaserzeile, eingespeist wird. Ein Objektiv bzw. eine
Linse 3 bildet den Auflicht-Beleuchtungslichtstrahl 37 auf
die Oberfläche 32 des
Wafers 6 ab, muss jedoch nicht zwingend vorgesehen sein.
Gemäß der 6 legt
die Auflicht-Beleuchtungseinrichtung 2 eine Beleuchtungsachse 9 fest,
die unter einem Winkel α relativ
zu der Normalen auf die Oberfläche 32 des
Wafers bzw. zu der Abbildungsachse 10 geneigt ist.
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Gemäß der 6 ist
der Auflicht-Beleuchtungseinrichtung 2' eine Lichtquelle 11' zugeordnet, deren
Licht über
einen Lichtleiter bzw. ein Lichtleiterbündel 12' in die Auflicht-Beleuchtungseinrichtung 2' eingekoppelt
wird. Der von der Auflicht-Beleuchtungseinrichtung 2' abgestrahlte
Lichtstrahl wird von der Vorderseite des Strahlteiler-Spiegels 50 auf
die Oberfläche 32 des
Wafers 6 reflektiert, sodass die Beleuchtungsachse der
Auflicht-Beleuchtungseinrichtung 2' mit der Abbildungsachse 10 der
Kamera 4 zusammenfällt.
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Gemäß der 6 ist
die Auflicht-Beleuchtungseinrichtung 2' in einer Hellfeld-Anordnung angeordnet,
sodass das von dem beleuchteten Bereich 8 auf der Oberfläche 32 des
Wafers 6 reflektierte Licht den Strahlteiler-Spiegel 50 passiert
und in die Kamera 4 abgebildet wird. Gemäß der 6 ist
die Auflicht-Beleuchtungseinrichtung 2 in einer Dunkelfeld-Anordnung
angeordnet, sodass der Beleuchtungs-Lichtstrahl 37 von
der Oberfläche 32 des
Wafers 6 nicht direkt in die Kamera 4 reflektiert
wird. Von dem Auflicht-Beleuchtungslichtstrahl 37 wird
vielmehr nur Streulicht, das beispielsweise von Defekten oder Partikeln
in dem beleuchteten Bereich 8 herrührt, oder gebeugtes Licht in
die Kamera 4 abgebildet werden.
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Gemäß der 6 ist
der Wafer 6 auf einer Wafer-Aufnahmeeinrichtung 7 gehalten,
beispielsweise auf einer Vakuum-Spannvorrichtung (vacuum chuck)
oder einer elektrostatischen Spannvorrichtung (electrostatic chuck).
Der Wafer 6 ist auf der Wafer-Aufnahmeeinrichtung 7 beweglich
gehalten, sodass der Wafer 6 relativ zu den Auflicht-Beleuchtungslichtstrahlen
kontinuierlich oder getaktet bewegt werden kann, beispielsweise
durch Drehen des Wafers 6 um die durch den Auftreffpunkt 35 verlaufende Normale
auf die Oberfläche 32 des
Wafers 6 oder durch translatorische Verschiebung des Wafers 6 in zwei
zueinander orthogonale Raumrichtungen in der Ebene des Wafers 6.
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Die 5 zeigt
eine Draufsicht auf die Wafer-Inspektionsvorrichtung gemäß der 6.
Gemäß der 5 sind
die beiden Auflicht-Beleuchtungseinrichtungen 2, 2' unter einem
rechten Winkel zueinander angeordnet, an zwei Positionen, die durch
die eingekreisten Ziffern 1 und 2 gekennzeichnet
sind. Gemäß der 5 wird
der Wafer 6 unter einer vorgegebenen Orientierung auf der
Wafer-Aufnahmeeinrichtung 7 gehalten. Zur Ausrichtung des
Wafers 6 dient ein Notch 34, ein nicht dargestelltes
Flat oder eine Markierung auf der Oberfläche des Wafers 6. Zur
Ausrichtung des Wafers 6 kann ein Wafer-Aligner vorgesehen
sein oder kann der bereits definiert ausgerichtete Wafer 6 mittels
eines Greifarms oder dergleichen unter einer vorgegebenen Ausrichtung
an die Wafer-Aufnahmeeinrichtung übergeben werden.
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Wie
in der 5 gezeigt, sind auf der Oberfläche des Wafers 6 eine
Mehrzahl von Dies 17 ausgebildet und sind auf der Oberfläche des
Wafers 6 linienhafte und sich bevorzugt unter rechten Winkeln schneidende
Strukturen 33 ausgebildet, beispielsweise sogenannte Straßen. Gemäß der 5 verlaufen
die Projektionen der Beleuchtungsachsen 9, 9' auf die Oberfläche des
Wafers 6 parallel bzw. unter einem rechten Winkel zu den
linienförmigen
Strukturen 33 auf der Oberfläche des Wafers 6.
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Wie
in der 5 durch die gestrichelten Linien angedeutet, können entlang
dem Umfang des Wafers 6 weitere Auflicht-Beleuchtungseinrichtungen angeordnet
sein, und zwar unter Winkelabständen relativ
zu der mit der Ziffer 1 gekennzeichneten Auflicht-Beleuchtungseinrichtung 2,
die einem ganzzahligen Vielfachen von 45° oder 90° entsprechen. Diese möglichen
Positionen sind in der 5 durch die eingekreisten Ziffern 3 bis 8 gekennzeichnet.
Selbstverständlich
sind diese weiteren Auflicht-Beleuchtungseinrichtungen
nicht zwingend erforderlich, sondern können diese, sofern vorhanden,
optional mittels einer zentralen Steuerungseinrichtung wahlweise
angesteuert werden.
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Gemäß der 5 ist
die Kamera 4 auf der Mittelsenkrechten auf die Oberfläche des
Wafers 6 angeordnet, um Streulicht von der Oberfläche des Wafers 6 zu
detektieren, das von der Beleuchtung durch eine der Auflicht-Beleuchtungseinrichtungen herrührt, die
mit den Ziffern 1 bis 8 gekennzeichnet sind.
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Gemäß der 5 ist
eine weitere Auflicht-Beleuchtungseinrichtung an der mit der Ziffer 9 gekennzeichneten
Position angeordnet, die einen Lichtstrahl im Wesentlichen parallel
zu der Oberfläche
des Wafers 6 abstrahlt. Dieser Lichtstrahl wird, wie in
der 6 gezeigt, von der Vorderseite des Strahlteiler-Spiegels 50 senkrecht
auf die Oberfläche des
Wafers 6 reflektiert. Während
gemäß der 5 die
an den mit den Ziffern 1 bis 8 gekennzeichneten Positionen
vorgesehenen Auflicht-Beleuchtungseinrichtungen 2 in einer
Dunkelfeld-Anordnung angeordnet sind, ist die an der mit der Ziffer 9 gekennzeichneten
Position vorgesehene Auflicht-Beleuchtungseinrichtung 2 in
einer Hellfeld-Anordnung angeordnet.
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Zum
Betrieb der Wafer-Inspektionsvorrichtung werden die Auflicht-Beleuchtungseinrichtungen stroboskopisch
betrieben, um kurze Lichtblitze, beispielsweise mit einer Blitzdauer
von etwa 15 Mikrosekunden, auf die Oberfläche des Wafers 6 abzustrahlen.
Die genaue Sequenz der Beleuchtungs-Lichtblitze wird nachfolgend
ausführlicher
anhand der 1 bis 4 beschrieben
werden. Zwischen den Lichtblitzen wird der Wafer kontinuierlich,
gemäß einer
alternativen Ausführungsform
auch getaktet und synchron zur Bilderfassung, verschoben, sodass
Bilder von periodisch zueinander versetzten Bereichen auf der Waferoberfläche erfasst
werden und schließlich die
gesamte Waferoberfläche
sequentiell abgetastet wird. Anschließend startet ein neuer Belichtungszyklus.
Die von der Kamera 4 erfassten Bilder von dem beleuchteten
Bereich 8 auf der Oberfläche 32 des Wafers 6 werden
synchronisiert zu den Beleuchtungs-Lichtblitzen ausgelesen, beispielsweise
von einer Framegrabber-Karte, und an einen Computer weitergeleitet,
wo diese Bilddaten zwischengespeichert oder weiterverarbeitet werden,
etwa für
eine grafische Bildauswertung und eine Bilddarstellung auf dem Monitor 15.
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Die 1 zeigt
in einer schematischen Draufsicht auf einen Wafer eine Sequenz von
Bildern, die mit der in den 5 und 6 gezeigten Wafer-Inspektionsvorrichtung
gemäß der vorliegenden
Erfindung erfasst werden. In dem linken Teil der 1 ist
die Sequenz beispielhaft an einem beispielhaft herausgegriffenen
einzelnen Die 17_1 dargestellt, im rechten Teil der 1 ist die
Sequenz für eine
im Wesentlichen rechteckförmige
Folge von benachbarten Dies 17_1, 17_2, ... 17_n auf
der Oberfläche
des Wafers dargestellt. Gemäß der 1 sind die
einzelnen Dies durch linienförmige
Strukturen 33 begrenzt, beispielsweise durch Straßen auf
der Oberfläche
des Wafers.
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Gemäß dem linken
Teil der 1 umfasst das Bildfeld 20 bei
einer Bilderfassung in einer Hellfeld-Anordnung, beispielsweise
aufgenommen mittels der in der 5 mit der
Ziffer 9 gekennzeichneten Auflicht-Beleuchtungseinrichtung und der über dem
Wafer 6 angeordneten Kamera 4, einen einzelnen
Die 17_1. Damit ein Bild von dem gesamten Die 17_1 zuverlässig erfasst
werden kann, ist das Bildfeld 20 um einige Pixel größer als
der Bereich des Dies 17_1. Durch geeignete Kalibrierung
der Wafer-Inspektionsvorrichtung
kann eine Zentrierung des Dies 17_1 in dem Bildfeld 20 erzielt
werden.
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Gemäß der 1 wird
die zur Bilderfassung in der Hellfeld-Anordnung verwendete Auflicht-Beleuchtungseinrichtung
stroboskopisch betrieben und wird der Wafer zwischen zwei Beleuchtungs-Lichtblitzen
um einen Die weiter verschoben.
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In
dem unteren Teil der 1 ist das Bildfeld 21 für eine entsprechende
Bilderfassung in einer Dunkelfeld-Anordnung dargestellt. Aus Gründen der Übersichtlichkeit
sind in der 1 die Hellfeld- und Dunkel-Bildaufnahmen
separat dargestellt. Wie man dem unteren Teil der 1 entnehmen
kann, ist der Wafer 21 zum Zeitpunkt der Erfassung eines
Dunkelfeld-Bildes um eine halbe Die-Breite relativ zu der im oberen
Teil der 1 dargestellten Hellfeld-Anordnung verschoben.
Somit erfasst die Kamera in der Dunkelfeld-Anordnung Bereiche von zwei benachbarten
Dies 17_1 und 17_2, 17_3 und 17_4 ...,
wie durch die unterschiedlich gestrichelt dargestellten Bildbereiche
in der 1 dargestellt.
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Wie
man den 5 und 6 entnehmen kann,
wird für
die Bildaufnahmen in der Hellfeld-Anordnung und die Bildaufnahmen
in der Dunkelfeld-Anordnung dieselbe Kamera verwendet werden, beispielsweise
die senkrecht über
dem Wafer angeordnete Kamera gemäß der 5.
Für die
Bildaufnahmen in der Hellfeld-Anordnung wird die Auflicht-Beleuchtungseinrichtung
an der in der 5 mit der Ziffer 9 gekennzeichneten
Position verwendet. Für
die Bildaufnahmen in der Dunkelfeld-Anordnung gemäß dem unteren
Teil der 1 kann eine beliebige der in
der 5 mit den Ziffern 1 bis 8 gekennzeichneten
Auflicht-Beleuchtungseinrichtungen verwendet werden.
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Wie
der 1 entnommen werden kann, werden die Hellfeld-
und Dunkelfeld-Bildaufnahmen durch
zeitlich asynchrones Blitzen getrennt aufgenommen, sodass sich die
Hellfeld- und Dunkelfeld-Bildaufnahmen nicht gegenseitig beeinflussen. Erfindungsgemäß kann ein
hoher Durchsatz der Wafer-Inspektionsvorrichtung
dadurch erzielt werden, dass der Wafer kontinuierlich bewegt wird,
so dass die Hellfeld- und Dunkelfeld-Bildaufnahmen automatisch auch
räumlich
getrennt aufgenommen sind.
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Die 2 zeigt
ein Zeitablaufdiagramm zur Steuerung von Beleuchtungs-Lichtblitzen für die Sequenz
von Bildern gemäß der 1.
In dem oberen Teil der 2 sind die Beleuchtungs-Lichtblitze
für eine
Bilderfassung in einer Hellfeld-Anordnung (bright field; BF) dargestellt,
während
in dem unteren Teil der 2 die für eine Bildaufnahme in der
Dunkelfeld-Anordnung verwendeten Lichtblitze dargestellt sind (dark
field; DF). Die Beleuchtungs-Lichtblitze
für eine
Bildaufnahme in der Hellfeld-Anordnung werden zu den Zeitpunkten
t1, t2, t3 usw. abgestrahlt, während
die Beleuchtungs-Lichtblitze für
eine Bilderfassung in der Dunkelfeld-Anordnung zu den Zeitpunkten
t1', t2', t3' usw. abgestrahlt
werden. Wie der 2 entnommen werden kann, ist
die Intensität
der für
eine Bilderfassung in einer Hellfeld-Anordnung verwendeten Lichtblitze
bereits abgeklungen, wenn die für
eine Bilderfassung in der Dunkelfeld-Anordnung verwendeten Lichtblitze
abgestrahlt werden. Somit werden die Bildaufnahmen in der Dunkelfeld-Anordnung
nicht von den für
Bildaufnahmen in einer Hellfeld-Anordnung verwendeten Lichtblitzen beeinflusst
und werden umgekehrt die Bildaufnahmen in der Hellfeld-Anordnung nicht durch
die für eine
Bildaufnahme in einer Dunkelfeld-Anordnung verwendeten
Lichtblitze beeinflusst. Somit kann das Signal-zu- Rausch-Verhältnis der
erfassten Bilder, insbesondere der Dunkelfeld-Bilder, verbessert
werden.
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Ein
vorteilhaft hoher Durchsatz der Wafer-Inspektionsvorrichtung ergibt
sich, wenn der Wafer kontinuierlich bewegt wird. Die Lichtblitze,
die für
eine Bilderfassung in der Hellfeld-Anordnung verwendet werden, werden
entsprechend der Bewegungsgeschwindigkeit des Wafers bevorzugt so
synchronisiert, dass gemäß der 1 die
Bildbereiche 20 in der Hellfeld-Anordnung einen vollständigen Die
beinhalten. Gemäß der 2 werden
die für
eine Bildaufnahme in der Dunkelfeld-Anordnung verwendeten Lichtblitze
so synchronisiert, dass gemäß der 1 die
Bildfelder 21 in der Dunkelfeld-Anordnung Abschnitte von zwei benachbarten
Dies enthalten. In Kenntnis der Bewegungsgeschwindigkeit des Wafers und
der Synchronisation der zur Bilderfassung in der Dunkelfeld-Anordnung
verwendeten Lichtblitze kann die Lage der Grenzlinie zwischen den
beiden benachbarten Dies, die in der Dunkelfeld-Anordnung erfasst
werden, errechnet werden.
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Selbstverständlich kann
der beleuchtete Bereich auf der Oberfläche des Wafers auch mehrere Dies
oder einen Unterbereich eines Dies umfassen.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung können zwischen
zwei für
eine Bilderfassung in der Hellfeld-Anordnung verwendeten Lichtblitzen
auch mehrere Bilder in einer Dunkelfeld-Anordnung erfasst werden.
Dies wird beispielhaft anhand der 3 beschrieben
werden.
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Gemäß der 3 werden
zwischen zwei für eine
Bildaufnahme in einer Hellfeld-Anordnung verwendeten Lichtblitzen
BF zwei Lichtblitze für
Bildaufnahmen in einer jeweiligen Dunkelfeld-Anordnung DF1 bzw.
DF2 abgestrahlt. Zwischen den einzelnen Bildaufnahmen wird der Wafer
in der vorstehend beschriebenen Weise weiter bewegt, sodass in den Dunkelfeld-Anordnungen DF1 bzw.
DF2 jeweils unterschiedliche Abschnitte von zwei benachbarten Dies
erfasst werden.
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Bei
einer Bilderfassung gemäß den vorstehenden 2 und 3 wird
stets darauf geachtet, dass die in der Dunkelfeld-Anordnung erfassten
Bildbereiche, die in dem unteren Teil der 1 mit dem Bezugszeichen 21 bezeichnet
sind, miteinander überlappen
oder zumindest unmittelbar aneinander angrenzen, sodass mittels
der Sequenz von Bildaufnahmen schließlich die gesamte Oberfläche des
Wafers abgetastet werden kann, um Defekte bzw. Partikel auf der
gesamten Oberfläche
des Wafers erfassen zu können.
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Grundsätzlich ist
es für
eine Lagebestimmung der einzelnen Dies zum Zeitpunkt einer Bilderfassung
in einer Dunkelfeld-Anordnung ausreichend, wenn die Wafer-Inspektionsvorrichtung
kalibriert und die Bewegungssequenz des Wafers bekannt ist. Aus diesen
Informationen kann die Position eines Dies zum Zeitpunkt einer Bildaufnahme
in einer jeweiligen Dunkelfeld-Anordnung
in einfacher Weise berechnet werden. Die vorliegende Erfindung ist
jedoch nicht auf eine Berechnung der Positionen der Dies in der Dunkelfeld-Anordnung
beschränkt.
Vielmehr kann bei einer Bildaufnahme in einer Dunkelfeld-Anordnung
die jeweilige Position eines Dies auch aktiv bestimmt werden, was
nachfolgend anhand der 4 ausführlicher beschrieben werden
wird.
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Gemäß der 4 sei
die Sequenz von Beleuchtungs-Lichtblitzen gemäß der 2 angenommen,
d. h. Beleuchtungs-Lichtblitze in einer Hellfeld-Anordnung (IBF) und Beleuchtungs-Lichtblitze
in einer Dunkelfeld-Anordnung (IDF). Zur Bestimmung der Lage einzelner
Dies auf der Oberfläche
des Wafers eignen sich insbesondere Straßen oder die in der 5 mit
dem Bezugszeichen 33 bezeichneten linienförmigen Strukturen
oder andere geeignete Markierungen auf der Oberfläche des
Wafers. Bekanntermaßen
können
solche Strukturen in einer Dunkelfeld-Anordnung allenfalls in aufwendiger
Weise aufgelöst
werden.
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Eine
Vorgehensweise gemäß der vorliegenden
Erfindung zur Auflösung
solcher Strukturen wird nachfolgend anhand der 4 beschrieben
werden. Gemäß der 4 wird
gleichzeitig zu den für
eine Bilderfassung in der Dunkelfeld-Anordnung verwendeten Beleuchtungs-Lichtblitzen
(IDF) ein weiterer Beleuchtungs-Lichtblitz in einer Hellfeld-Anordnung (IBF'), bevorzugt mit
geringerer Intensität,
abgestrahlt. Eine gemeinsame Kamera erfasst sowohl die Bilder in
der Hellfeld-Anordnung als auch das Bild in der Dunkelfeld-Anordnung.
Um eine gegenseitige Beeinflussung der Bilder in der Hellfeld- und
Dunkelfeld-Anordnung zu vermeiden, wird zusätzlich eine farbliche Separation
der Hellfeld- und Dunkelfeld-Bildaufnahmen wie folgt vorgenommen.
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Es
sei nachfolgend beispielhaft angenommen, dass die zur Hellfeld-Beleuchtung und die
zur Dunkelfeld-Beleuchtung verwendeten Lichtquellen der Auflicht-Beleuchtungseinrichtungen
polychromatisch sind, mit mehreren Farbkanälen (nicht dargestellt) zur
Steuerung des von der jeweiligen Auflicht-Beleuchtungseinrichtung emittierten
Spektrums. Zur Hellfeld-Beleuchtung wird jedoch nur ein Farbkanal
der zugehörigen
Auflicht-Beleuchtungseinrichtung angesteuert, so dass ein farbiger
Lichtblitz, beispielsweise ein roter Lichtblitz, zur Beleuchtung
für die
weitere Hellfeld-Bildaufnahme abgestrahlt wird. Während nun
für die
Hellfeld-Bildaufnahme der rote Farbkanal der Kamera ausgelesen wird,
werden für die
Dunkelfeld-Bildaufnahme die übrigen
Farbkanäle ausgelesen,
also beispielsweise die grünen
(G) und blauen (B) Farbkanäle
einer RGB-Kamera, oder werden sämtliche
Farbkanäle
(Bezugszeichen 30 in der 6) der RGB-Kamera
ausgelesen. Auf diese Weise wird eine farbliche Separation der Hellfeld-
und Dunkelfeld-Bildaufnahmen
bewerkstelligt. Alternativ können
für die
Hellfeld-Beleuchtung und für
die Dunkelfeld-Beleuchtung monochromatische Lichtblitze von unterschiedlichen
Farben verwendet werden. Es sei beispielsweise angenommen, dass
zur Hellfeld-Beleuchtung ein blauer Lichtblitz verwendet wird und
zur Dunkelfeld-Beleuchtung ein polychromatischer oder ein Lichtblitz
mit einer anderen als der blauen Farbe verwendet wird. Dann wird
für die
Hellfeld-Bildaufnahme der blaue Farbkanal der RGB-Kamera ausgelesen
und werden für
die Dunkelfeld-Bildaufnahme die übrigen
Farbkanäle
der RGB-Kamera, d.h.
der grüne
und rote Farbkanal, ausgelesen oder werden für die Dunkelfeld-Bildaufnahme
sämtliche Farbkanäle der RGB-Kamera
ausgelesen.
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Wie
dem Fachmann ohne weiteres ersichtlich sein wird, können zur
farblichen Separation auch monochromatische Beleuchtungs-Lichtblitze
verwendet werden, mit unterschiedlichen Farben für eine Bilderfassung in einer
Hellfeld-Anordnung
und für
eine Bilderfassung in einer Dunkelfeld-Anordnung.
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Aus
dem in der Hellfeld-Anordnung aufgenommenen weiteren Bild kann auf
die Lage der Ränder
eines einzelnen Dies geschlossen werden. Zu diesem Zweck wird eine
Bildauswertung mit geeigneter Mustererkennung verwendet, wie diese
hinreichend aus dem Stand der Technik bekannt ist. Anhand dieser
Ränder
können
die Pixel der Bildaufnahme in der Dunkelfeld-Anordnung den beiden
benachbarten Dies eindeutig zugeordnet werden und kann auf die Lage
von Defekten auf der Oberfläche
des Wafers geschlossen werden.
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Gemäß einer
weiteren Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung werden die in der Hellfeld-Anordnung
und in der Dunkelfeld-Anordnung erfassten Bildaufnahmen farblich
separiert. Gemäß dieser
Vorgehensweise können
die für
die Hellfeld-Anordnung und für
die Dunkelfeld-Anordnung verwendeten Auflicht-Beleuchtungseinrichtungen polychromatische
Lichtblitze abstrahlen. Gemäß dieser
Vorgehensweise werden die Auflicht-Beleuchtungseinrichtungen jedoch so
angesteuert, dass die für
eine Bilderfassung in einer Hellfeld-Anordnung und die für eine Bilderfassung
in einer Dunkelfeld-Anordnung verwendeten Lichtblitze unterschiedliche,
im Wesentlichen nicht miteinander überlappende Farbspektren aufweisen.
So kann beispielsweise der zur Bilderfassung in der Hellfeld-Anordnung
verwendete Lichtblitz im roten (R) Spektralbereich abgestrahlt werden
und der zur Bilderfassung in der Dunkelfeld-Anordnung verwendete
Lichtblitz im grünen
(G) und/oder blauen (B) Spektralbereich abgestrahlt werden, in welchem
Fall die Bilddaten der Kamera so ausgelesen werden, dass die roten
Bilddaten für
eine Hellfeld-Bildaufnahme und die grünen und/oder blauen Bilddaten
für eine
Dunkelfeld-Bildaufnahme ausgelesen werden. Auf diese Weise wird
eine farbliche Separation bewerkstelligt. Bei dieser Ausführungsform
können
die Aufnahmen in der Hellfeld- und Dunkelfeld-Anordnung gleichzeitig aufgenommen werden
und identische Oberflächenbereiche
des Wafers darstellen.
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Diese
Vorgehensweise ist schematisch in der 7 zusammengefasst,
die ein Zeitablaufdiagramm zur Steuerung von Beleuchtungs-Lichtblitzen einer
Wafer-Inspektionsvorrichtung einer vierten Ausführungsform gemäß der vorliegenden
Erfindung darstellt. In dem oberen Teil der 7 sind die
zur Beleuchtung in der Hellfeld-Anordnung (bright field; BF) verwendeten
Lichtblitze, aufgetrennt nach den Spektralanteilen R (rot), G (grün) und B
(blau), dargestellt. In dem unteren Teil der 7 sind die
zur Beleuchtung in der Dunkelfeld-Anordnung (dark field; DF) verwendeten
Lichtblitze entsprechend dargestellt. Während nun für die Beleuchtung in der Hellfeld-Anordnung Lichtblitze
mit roten und grünen Spektralanteilen
verwendet werden, werden für
die Beleuchtung in der Dunkelfeld-Anordnung Lichtblitze mit ausschließlich blauem
Spektralanteil verwendet. Diese Lichtblitze werden synchron, zeitgleich
abgestrahlt.
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Zur
Bilderfassung in der Hellfeld-Anordnung werden gemäß der 7 die
roten und grünen
Farbkanäle
der Kamera ausgelesen. Zur Bilderfassung in der Dunkelfeld-Anordnung
wird gemäß der 7 nur der
blaue Farbkanal der Kamera ausgelesen.
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Gemäß einer
weiteren Ausführungsform
sind die für
die Hellfeld-Bildaufnahme und die für die Dunkelfeld-Bildaufnahme
verwendeten Auflicht-Beleuchtungseinrichtungen
monochromatische Farblichtquellen, wobei für die Bildaufnahmen in der
Hellfeld- und in der Dunkelfeld-Anordnung Lichtblitze mit unterschiedlichen
spektralen Anteilen verwendet werden. So können beispielsweise die Bildaufnahmen
in der Hellfeld-Anordnung mit roten Beleuchtungs-Lichtblitzen aufgenommen
und die Bildaufnahmen in der Dunkelfeld-Anordnung mit grünen und/oder
blauen Beleuchtungs-Lichtblitzen aufgenommen werden. Zur farblichen
Separation werden dann in der vorstehend beschriebenen Weise die Farbkanäle der Kamera
getrennt ausgelesen und den Bildaufnahmen zugeordnet.
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Wie
dem Fachmann beim Studium der vorstehenden Beschreibung ohne weiteres
ersichtlich sein wird, kann anstelle einer Bewegung des Wafers relativ
zu den Beleuchtungs-Lichtstrahlen erfindungsgemäß auch vorgesehen sein, dass
der Wafer ortsfest in der Wafer-Aufnahmeeinrichtung gehalten ist
und stattdessen die jeweiligen Beleuchtungslichtstrahlen zwischen
den einzelnen Bildaufnahmen abgelenkt werden, um die gesamte Oberfläche des
Wafers sequentiell abzutasten, beispielsweise mithilfe von kippbeweglichen
Spiegeln, mikroelektromechanischen bzw. in Mikrosystemtechnik hergestellten Spiegeln
oder vergleichbaren optischen Elementen. Zur Steuerung der jeweiligen
Auflicht-Beleuchtungseinrichtungen, der jeweiligen Bilderfassungseinrichtungen
und der Bewegungseinrichtung zum Bewegen des Wafers relativ zu den
Beleuchtungslichtstrahlen kann eine zentrale Prozessoreinheit vorgesehen
sein, beispielsweise der in der 6 gezeigte Computer 14.
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Erfindungsgemäß sind Bildaufnahmen
in einer Hellfeld-Anordnung und in einer Dunkelfeld-Anordnung nicht
gegenseitig beeinflusst. Dies wird gemäß der vorstehend beschriebenen
ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung durch zeitlich asynchrones Belichten
von Hellfeld- und Dunkelfeld-Bildbereichen
und gemäß der vorstehend
beschriebenen zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung durch farbliche Separation bewerkstelligt.
Auf diese Weise lassen sich sowohl die Vorteile einer Detektion
von Defekten in einer Hellfeld-Anordnung als auch die Vorteile einer
Detektion von Defekten in einer Dunkelfeld-Anordnung in einer einzigen Wafer-Inspektionsvorrichtung
bei gleichzeitig hohem Durchsatz der Wafer-Inspektionsvorrichtung erzielen.
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Wie
dem Fachmann beim Studium der vorstehenden Beschreibung ohne weiteres
ersichtlich sein wird, ist ein weiterer Gesichtspunkt der vorliegenden
Erfindung auf ein entsprechendes Verfahren zum Detektieren von Defekten
und/oder Partikeln auf einer Oberfläche eines Wafers gerichtet,
das bevorzugt mithilfe eines auf einem Computer lesbaren Medium
gespeicherten Steuerprogramms in der vorstehend beschriebenen Weise
gesteuert wird.
-
- 1
- Wafer-Inspektionsvorrichtung
- 2,
2'
- Auflicht-Beleuchtungseinrichtung
- 3
- Abbildendes
optisches Element/Objektiv
- 4
- Bilderfassungseinrichtung/Kamera
- 5
- Objektiv
- 6
- Wafer
- 7
- Wafer-Aufnahmeeinrichtung/Bewegungseinrichtung
- 8
- Beleuchteter
Bereich
- 9,
9'
- Beleuchtungsachse
- 10
- Abbildungsachse
- 11,
11'
- Lichtquelle
- 12,
12'
- Lichtleiter/Lichtleiterbündel
- 13
- Datenleitung
- 14
- Datenausleseeinrichtung
- 15
- Monitor/Display
- 17
- Die
- 20
- Hellfeld-Bildfeld
- 21
- Dunkelfeld-Bildfeld
- 30
- Farbkanal
der Bilderfassungseinrichtung/Kamera 4
- 32
- Oberfläche des
Wafers 6
- 33
- Struktur
- 34
- Notch
- 35
- Auftreffpunkt
- 37
- Auflicht-Beleuchtungslichtstrahl
- 50
- Strahlteiler
- α
- Einfallswinkel