[go: up one dir, main page]

DE1017795B - Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen

Info

Publication number
DE1017795B
DE1017795B DES39318A DES0039318A DE1017795B DE 1017795 B DE1017795 B DE 1017795B DE S39318 A DES39318 A DE S39318A DE S0039318 A DES0039318 A DE S0039318A DE 1017795 B DE1017795 B DE 1017795B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
melt
silicon
substances
reaction
rod
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES39318A
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl-Phys Reiner Emeis
Dr Phil Heinrich Kniepkamp
Dr Theodor Rummel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES39318A priority Critical patent/DE1017795B/de
Publication of DE1017795B publication Critical patent/DE1017795B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/087—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
    • B01J19/088—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/064—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with boron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/072—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B25/00—Phosphorus; Compounds thereof
    • C01B25/06—Hydrogen phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B35/00—Boron; Compounds thereof
    • C01B35/02—Boron; Borides
    • C01B35/04—Metal borides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B41/00—Obtaining germanium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B5/00—General methods of reducing to metals
    • C22B5/02—Dry methods smelting of sulfides or formation of mattes
    • C22B5/16—Dry methods smelting of sulfides or formation of mattes with volatilisation or condensation of the metal being produced
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/007—Preparing arsenides or antimonides, especially of the III-VI-compound type, e.g. aluminium or gallium arsenide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/003—Coating on a liquid substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C30B11/08—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
    • C30B11/12—Vaporous components, e.g. vapour-liquid-solid-growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32018—Glow discharge
    • H10P95/00—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/901—Levitation, reduced gravity, microgravity, space
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/917—Magnetic

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

reinster kristalliner Substanzen,
vorzugsweise Halbleitersubstanzen
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2
Dr. Theodor Rummel, München,
Dr. phil. Heinrich Kniepkamp, Karlsruhe,
und Dipl.-Phys. Reiner Emeis, Pretzfeld (OFr.),
sind als Erfinder genannt worden
Die Halbleitertechnik hat bekanntlich eine Reihe von Verfahren ausgearbeitet, um reinste Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen, zu gewinnen, welche zur Verwendung in Halbleiteranordnungen, beispielsweise Richtleitern, Transistoren Phototransistören, Fieldistoren, elektrisch und/oder magnetisch beeinflußbaren Widerständen, Varistoren, Thermistoren usw., geeignet sind. Hierbei wurden im allgemeinen die zu gewinnenden Stoffe, beispielsweise Germanium, Silizium oder Verbindungen von EIementen der III. und V. oder II. und VI. oder auch I. und VII. Gruppe des Periodischen Systems oder Mehrfachverbindungen zwischen diesen oder auch Komponenten dieser Substanzen, bzw. als Donatoren, Akzeptoren, Haftstellen, Kombinationszentren usw. geeignete Elemente oder Verbindungen zunächst auf chemische Weise hergestellt, anschließend in einem Schmelzverfahren, vorzugsweise dem sogenannten Zonenschmelzverfahren, gereinigt und schließlich durch Ziehen aus der Schmelze zu einem kristallinen, vorzugsweise einkristallischen Körper verarbeitet.
Die Erfindung betrifft ein neuartiges Herstellungs-
verfahren, bei dem die drei geschilderten Stufen der η
chemischen Gewinnung, der Schmelzreinigung und
der Herstellung des Kristalls durch Ziehen aus der 25 Stoff abgeschieden wird. Auf diese Weise ergibt sich Schmelze miteinander zu einem einheitlichen Arbeits- nach Beendigung des Verfahrens von vornherein ein gang verbunden werden. Die Erfindung geht von der kompakter, d.h. kristalliner, im allgemeinen sogar an sich bekannten Tatsache aus, daß sich gewisse grobkristalliner Schmelzung des gewonnenen Stoffes. Stoffe, so auch Halbleiterstoffe, wie z. B. Silizium, Dabei wird die jeweils noch schmelzflüssige Phase durch thermische Zersetzung in der Gasphase aus ge- 30 von einem in fester Phase befindlichen Stück deseigneten gasförmigen Komponenten gewinnen lassen. selben Materials, vorzugsweise in kristallischer, be-Das hierbei entstehende Element, beispielsweise SiIi- sonders einkristalliner Form, getragen. Der feste Teil zium, wurde auf einem geeigneten Träger nieder- kann dem schmelzflüssigen Teil als Unterlage dienen; geschlagen, auf dem es sich in Pulverform oder in bei benetzenden Schmelzflüssigkeiten kann jedoch Form kleinster Kristallite sammelte und von dem es 35 auch die Schmelze als Tropfen an einem Kristallstab zur Weiterbearbeitung, beispielsweise durch Schmel- hängen. Um das Abtropfen zu verhindern, können zen, wieder entfernt wurde. Es ist auch bereits vor- unter Umständen Mittel vorgesehen sein, welche der geschlagen worden, ein derartiges Verfahren, bei- Schwerkraft entgegenwirken. Dies kann beispielsspielsweise unter Zugrundelegung von Siliziumhexa- weise durch pneumatische Mittel, beispielsweise durch chlorid oderSiliziumchlorofonn als Ausgangsmaterial 40 einen Gasstrom eines Schutzgases, besonders eines zur Gewinnung von reinstem Silizium für Halbleiter- inerten Schutzgases geschehen, der von unten gegen zwecke zu verwenden. Es ist auch bereits vorgeschla- den Tropfen geblasen wird, oder es kann ein elektro-
gen worden, für diese Zwecke besonders reine Ausgangsverbindungen, beispielsweise Siliziumhalogenide, insbesondere Siliziumchloride, zu verwenden.
Das Verfahren nach der Erfindung zur Gewinnung reinster Stoffe, vorzugsweise Halbleiterstoffe, wie sie insbesondere zur Verwendung in Halbleiteranordnungen, wie z. B. Richtleitern, Transistoren u. dgl., gemagnetisches Feld vorgesehen sein, auf dem der Schmelztropfen schwebend ruht. Der feste Stab, welcher sich durch neu hinzukommendes Abscheidungsmaterial ständig verlängert, wird dann entweder nach unten (im ersten Falle) oder nach oben (im zweiten Falle) aus dem Reaktionsraum kontinuierlich herausgezogen. Eine besonders gute Halte-
eignet sind, durch thermische Zersetzung aus der 50 rung des Schmelzmaterials geschieht durch zwei Gasphase besteht darin, daß der gewonnene Stoff unmittelbar bei und/oder nach der Gewinnung aus der
Gasphase auf dem gleichen, mindestens an seiner
Oberfläche in schmelzflüssiger Phase befindlichen
Stäbe, zwischen denen die Schmelzzone gehaltert wird. Zweckmäßiger weise sind die beiden Stäbe koaxial zueinander angeordnet und senkrecht im Raum orientiert. Sie können unter Umständen aber
709 756/362
auch schräg oder waagerecht angeordnet sein. Eine Drehung des Stabes bzw. der Stäbe, welche als Träger der Schmelzzone dienen, verbessert die Symmetrie des Schmelzlings und die Güte seiner kristallographischen Eigenschaften.
An sich kann die Reaktion getrennt von der Stelle durchgeführt werden, an der sich die zur Aufnahme des sich abscheidenden Stoffes dienende Schmelzflüssigkeit befindet, und es kann der sich abscheidende Stoff durch
einen Gasstrom, vorzugsweise ein inertes Gas, beispielsweise ein Edelgas, zum Schmelzkörper hintransportiert werden. Statt dessen oder gleichzeitig können auch elektrische Mittel vorgesehen sein, beispielsweise ein sogenannter elektrischer Wind, durch den der abgeschiedene Stoff an die Flüssigkeitsoberfiäche gelenkt wird. Der Reaktionsraum, in dem die thermische Zersetzung stattfindet, kann in diesem Falle durch besondere Mittel geheizt werden, während rung annähernd konstante Verhältnisse geschaffen werden. Im zweiten Falle kann man die Siliziumhalogen-Erzeugungsapparatur unmittelbar an die Reaktionseinrichtung schließen oder über eine oder mehrere längere Leitungen mit ihr verbinden.
Der Druck der Reaktionsgase ist von Fall zu Fall nach den Abmessungen der Reaktionsanordnung zu bestimmen. Durch Erhöhung des Druckes läßt sich ein schnellerer Verlauf der Reaktion bewirken. Es ist
einen Temperaturgradienten und/oder 10 jedoch unter Umständen zweckmäßig, die Reaktion
nicht allzu schnell durchzuführen, damit die Abscheidung möglichst langsam und gleichmäßig vor sich geht und ungestörte gleichmäßige Kristalle, vorzugsweise Einkristalle, entstehen.
Durch Anwendung mechanischer Schwingungen an der Phasengrenze zwischen Metallgasraum und Schmelze kann eine stetige und gleichmäßige Nachfuhr des sich durch die Reaktion abscheidenden Siliziums bewirkt werden und auch hierdurch die Ge-
die Schmelze durch andere Mittel auf einer gewünsch- 20 schwindigkeit des Prozesses erhöht werden.
ten Temperatur, beispielsweise der Schmelztemperatur des in Frage stehenden Halbleiters, gehalten wird; gegebenenfalls ist es zweckmäßig, die Schmelzzone mindestens auf der Oberfläche auf einer anderen Der elektrische Wind zum Hinleiten des abgeschiedenen Stoffes zur Flüssigkeitsoberfläche wird vorzugsweise mittels hochspannungsgeladener Spitzen oder Schneiden erzeugt, welche gegenüber dem ge
Temperatur, insbesondere einer Unterkühlungstempe- 25 erdeten Schmelzkörper angeordnet sind.
ratur zu halten.
Gemäß einer besonderen Ausbildung des Erfindungsgedankens wird die Reaktion der thermischen Zersetzung unmittelbar an der Oberfläche der schmelz-In der Zeichnung sind einige Ausführungsformen der Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung beispielsweise dargestellt.
In Fig. 1 ist der untere Teil eines Reaktionsraumes
flüssigen Phase des abzuscheidenden Körpers durch- 30 dargestellt, der aus einem Quarzrohr 1 besteht, in geführt. Hierbei reicht die gasförmige Phase des ab- dem unten ein Röhrchen 2 eingeschmolzen ist, das zum geschiedenen Körpers bis unmittelbar an die schmelzfiüssige Phase heran. Als Wärmequelle zur Durch
führung der thermischen Zersetzung dient zweck-Eintritt der Reaktionsgase Siliziumchloroform und Wasserstoff dient. 3 bedeutet einen Stab aus hochgereinigtem Silizium, dessen untere Kuppe 4 schmelz-
mäßigerweise mindestens teilweise und zusätzlich die 35 verflüssigt ist. Die Heizung der Kuppe 4 wird mittels Schmelze selbst. Die Schmelze ihrerseits wird im einer Induktionsspule 5 durchgeführt, nachdem die Falle eines Halbleiters zweckmäßigerweise durch Kuppe zunächst durch Bestrahlung vorerwärmt wor-Hochfrequenzheizung mittels einer geeignet gestalte- den war. An der flüssigen Siliziumkuppe 4 tritt eine ten, dimensionierten und angeordneten Hochfrequenz- thermische Zersetzung bzw. Reduktion des Siliziumspulenanordnung herbeigeführt. Die Erhitzung kann 40 chloroforms unter Abscheidung elementar reinsten aber auch durch Strahlung oder andere Mittel, bei- Siliziums ein. Ähnlich liegen die Verhältnisse bei der spielsweise durch atomare Rekombinationsenergie Verwendung von SiCl4 und H als Reaktionspartner, od. dgl., oder durch Elektronen- oder Ionenbombarde- Die Reaktion beginnt bereits bei etwa 900° C, so daß ment durchgeführt werden. Unter Umständen ist es sich zunächst das Silizium in fester Phase abscheidet, bei Hochfrequenzheizung notwendig, den halbleiten- 45 Es wird jedoch sofort von der schmelzflüssigen SiIiden Körper zunächst durch andere Mittel, beispiels- ziummenge 4 aufgenommen und bewirkt dadurch eine
ständige Vergrößerung des an dem Stab 3 hängenden Siliziumtropfens. Gleichzeitig wird der Stab 3 in Richtung des Pfeiles 6 mit einer solchen Geschwindigkeit stetig nach oben gezogen, daß sich der obere Teil der Flüssigkeitskuppe 4 beim Heraustreten aus dem Induktionsfeld der Spule 3 abkühlt und erstarrt, und zwar sind die Ziehgeschwindigkeit und die Reaktionsgeschwindigkeit derart aufeinander abge^ stimmt, daß sich gerade stets so viel von der Flüssigkeitskuppe 4 an dem festen Stab 3 ankristallisiert, wie sich neue Flüssigkeit durch das Abscheiden des Siliziums aus Siliziumchloroform ergibt.
Die Anordnung nach Fig. 1 kann in mannigfacher
Siliziumchlorid, erst in der Nähe der Reaktionszone 60 Weise abgeändert sein. So können beispielsweise noch aus Siliziumpulver und Chlor herzustellen und zu besondere Kühlmittel vorgesehen sein, die die obere
Zone der Flüssigkeitskuppe 4 schneller zum Erstarren bringen. Der Gaseintritt 2 kann unter Umständen an
weise eines der eben aufgeführten Mittel, vorzuheizen, bis er die notwendige Leitfähigkeit angenommen hat, welche eine Hochfrequenzheizung zuläßt.
Als Reaktionsgas eignen sich beispielsweise bei der Gewinnung von Silizium neben Si Cl4 besonders auch die höheren Siliziumhalogenide bzw. Siliziumchloride, wie Siliziumhexachlorid oder Siliziumoctochlorid; als besonders zweckmäßig haben sich die nicht voll halogenisierten Siliziumwasserstoffe, wie z. B. Siliziumchloroform, und entsprechend höhere Homologe erwiesen. Gegebenenfalls wird noch ein Reduktionsmittel, vorzugsweise Wasserstoff, zugesetzt. Dabei ist es möglich, die Siliziumverbindung, beispielsweise
Siliziumtetra- oder Siliziumhexachlorid zu verwandeln. Im allgemeinen wird es jedoch zweckmäßiger sein, die miteinander reagierenden Substanzen zueiner anderen Stelle angeordnet sein. Es können auch
nächst in der Gasphase fertig herzustellen und ge- 65 mehrere Eintrittsöffnungen für die verschieden be-
meinsam in den Reaktionsraum einzuleiten.
Die Verarmung des Gasraums an Silizium kann man im ersten Falle z. B. durch Zuführungen festen Siliziums in den Gasraum bei geeigneter Temperatur teiligten Reaktionskomponenten vorgesehen sein. Die ganze Anordnung kann auch um 180° gedreht sein, derart, daß die Flüssigkeitskuppe oben auf dem festen Siliziumstab angeordnet ist und dieser nach unten
ausgleichen, so daß durch fortlaufende Halogenisie- 7<> stetig herausgezogen wird.
In Fig. 2 ist eine andere Ausführungsform der Einrichtung nach der Erfindung dargestellt, bei der eine Schmelzzone 7 zwischen zwei festen Stabenden 8 und 9 aus reinstem Silizium erschmolzen \vird. Hier sind zwei Gaseintrittsöffnungen 10 und 11 vorgesehen, die durch die Seitenwandung des Quarzrohres 1 hindurchgeführt werden. Gemäß dem Ausführungsbeispiel ist vorgesehen, daß beide Stabenden in entgegengesetzter Richtung auseinandergezogen werden, d. h. in Richtung der Pfeile 12 und 13. Außerdem werden die beiden Stäbe in Richtung der Pfeile 14 und 15 einer gleichmäßigen Rotation unterworfen. Unter Umständen können die beiden Stabteile, statt sie auseinanderzuziehen — oder zusätzlich — als Ganzes axial stückweise oder stetig verschoben werden; auf diese Weise läßt sich ein dünner Stab beliebig verdicken.
Auch diese Anordnung ist mannigfacher Abweichungen fähig. Beispielsweise genügt es unter Umständen nur einen, etwa den oberen oder den unteren Stab herauszuziehen. Unter Umständen braucht nur der eine der beiden Stäbe gedreht zu werden, oder sie werden in gleicher Richtung, aber mit verschiedener Geschwindigkeit oder auch gleicher Geschwindigkeit gedreht. Unter Umständen können auch zusätzliche Mittel vorgesehen sein, welche eine Drehung der Schmelzzone 7 für sich bewirken. Zweckmäßig werden hierzu elektrische Mittel, etwa ein elektrisches Drehfeld, verwendet. Durch zusätzliche Vibration der beiden Spulen gegeneinander oder durch sonstige Rührmaßnahmen kann eine gute Durchrührung der einzelnen Zonenteile der Schmelzzone 7 bewirkt werden, was eine gleichmäßige Ankristallisation an dem festen Stab bzw. an den beiden Stabenden bewirkt.
Gemäß einer weiteren Ausbildung des Erfindungsgedankens ist vorgesehen, die Schmelzzone — gegebenenfalls in gewissen Zeiten, z. B. intermittierend — mit Donatoren, Akzeptoren, Haftstellen, Rekombinationszentren oder sonstigen Störstellensubstanzen zu dotieren. Dies geschieht in der sonst beim Herstellen von p-n-Übergängen durch Ziehen von Einkristallen aus der Schmelze üblichen oder vorgeschlanen Weise durch Zusatz fester, flüssiger oder gasförmiger Dotierungsmittel. Bei den geschilderten Ausführungsbeispielen empfiehlt es sich besonders, einen Zusatz von Dotierungsmitteln in gasförmiger Phase zu arbeiten. Die Dotierungsmittel können entweder dem Reaktionsgasgemisch bzw. den einzelnen Komponenten zugefügt werden, oder es können besondere Zuführungen vorgesehen sein, durch die die verschiedenen Dotierungsmittel in den Reaktionsraum eingeleitet werden.
Nach dem Verfahren nach der Erfindung können auch Legierungshalbleiter, beispielsweise Verbindungen von Elementen der III. und V. oder II. und VI. Gruppe des Periodischen Systems, hergestellt werden. Hierbei werden beispielsweise die einzelnen Komponenten in gasförmiger Phase in den Reaktionsraum gebracht und in einer Schmelzzone gemeinsam zusammengeschmolzen. Es können aber auch in diesem Falle die einzelnen Komponenten durch thermische Zersetzung gewonnen und gleichzeitig gemeinsam in der schmelzflüssigen Zone zur Ankristallisation an einen festen Stab gebracht werden.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel besteht darin, daß die starren Teile, an denen sich die Dämpfe niederschlagen bzw. von denen die schmelzflüssige Phase des abzuscheidenden Stoffes getragen wird, nicht von vornherein aus dem abzuscheidenden Stoff bestehen, sondern beispielsweise zunächst Halterungsorgane aus reiner Kohle, Graphit, Quarz, Wolfram od. dgl. sind, auf die ein geschmolzener Tropfen des auszuscheidenden Materials aufgebracht wird, gegebenenfalls unter Einfügung eines nicht völlig geschmolzenen, sondern nur angeschmolzenen Impfkristalls, welcher eine bestimmte Kristallisationsrichtuug von vornherein festlegt. Durch diese Halterungsorgane können zunächst Verunreinigungen in die angrenzende Schmelzzone gelangen. Es wird infolgedessen das erste Stück des gewonnenen Materials noch nicht den hinreichenden Reinheitsgrad besitzen. Mit größerer Entfernung von dem ersten Anfang des Kristallisationsstückes wird jedoch der Reinheitsgrad immer größer, der Anfang ist für die spätere Aufarbeitung des gewonnenen Stückes nicht mitzuverwenden.
Nach Fertigstellung eines größeren Halbleiterstückes nach dem Verfahren gemäß der Erfindung kann unter Umständen eine Schmelzzone durch den ganzen Stab noch ein oder mehrere Male nach dem an sich bekannten Zonenschmelzverfahren hindurchgezogen werden, wodurch eine zusätzliche Nachreinigung des erhaltenen Stückes eintritt und/oder eine Vergröberung der Kristallstruktur bewirkt wird. Auf diese Weise kann schließlich systematisch ein Einkristall erhalten werden, auch wenn unter Umständen kein Impfkristall verwendet worden war. Unter Umständen können zusätzlich bereits vorgeschlagene Mittel vorgesehen sein, welche das Auftreten von Reaktionen der an der Reaktion beteiligten Gase oder Dämpfe mit den Rohrwandungen des Reaktionsgefäßes verhüten oder welche noch Reste von Ytrunreinigungsspuren aus den sich abscheidenden Schmelztropfen entfernen. Hierzu sind Zusätze von Wasserdampf oder Kohlenstoff bzw. Kohlenoxyd oder Kohlendioxyd in gewissem, verhältnismäßig niedrigem Dampfdruck vorgesehen. Es ist demgemäß unter Umständen zweckmäßig, während der Reaktion eine geringe Strömung eines schwach oxydierenden Gases bzw. Gas- oder Dampfgemisches durch den Reaktionsraum zu leiten. Zweckmäßigerweise sind die Gefäß wandungen ■—■ beispielsweise durch Wasser oder pneumatisch — zu kühlen.
Unter Umständen kann auch — insbesondere bei der Anordnung gemäß Fig. 2 — vor und/oder während des Verfahrens ein elektrischer Strom durch die Halterungsstäbe und die schmelzflüssige Kristallisationszone hindurchgeschickt werden. Hierdurch lassen sich — bei geeigneter Polung — das Kristallwachstum und/oder die Verteilung der Dotierungsmittel im Kristall beeinflussen. Gegebenenfalls kann hierdurch auch eine Vorerwärmung des zu gewinnenden Materials bewirkt werden, das durch das Induktionsfeld nur noch einer zusätzlichen Erwärmung unterzogen wird.

Claims (26)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Gewinnung extrem reiner Stoffe, vorzugsweise Halbleiter, z. B. Silizium, Germanium oder Verbindungen von Elementen der III. und V. oder II. und VI. Gruppe des Periodischen Systems oder von Komponenten solcher Stoffe aus der Gasphase, vorzugsweise durch chemische Reaktion, beispielsweise thermische Zersetzung, dadurch gekennzeichnet, daß
der zu gewinnende Stoff an einer sich mindestens an der Oberfläche in flüssiger Phase befindlichen Stelle eines Körpers abgeschieden wird, der aus demselben Stoff besteht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die als Abscheidungsunterlage dienende Teilmenge des gleichen Stoffes — vorzugsweise nach demselben Verfahren — vorgereinigt ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schmelze von der festen Teilmenge desselben Stoffes getragen, wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schmelze — gegebenenfalls zusätzlich — pneumatisch und/oder durch elektromagnetische Feldeinwirkung getragen wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Schmelze die Oberfläche eines Einkristalls geeigneter Orientierung benetzt.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Schmelze tropfenförmig auf dem Ende eines Kristallstabes ruht oder an dem Ende eines solchen hängt und daß der Stab, der sich durch das neu hinzukommende Abscheidungsmaterial ständig verlängert, aus dem Reaktionsraum kontinuierlich herausgezogen wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Schmelze als Schmelzzone zwischen zwei Stäben aus gleichem Material gehaltert wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Stäbe, welche zweckmäßig koaxial zueinander angeordnet sind, ständig auseinandergezogen werden.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß ein Stab oder beide Stäbe während des Verfahrens gedreht werden.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die zweckmäßig senkrecht und koaxial angeordneten Stäbe axial verschoben werden, so daß eine allmähliche Verdickung eines vorher dünneren Stabes längs seiner ganzen Oberfläche entsteht.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die chemische Umsetzung und/oder thermische Zersetzung getrennt von der Stelle durchgeführt wird, an der die Aufnahme der sich abscheidenden Stoffe in die Schmelzflüssigkeit stattfindet.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die sich abscheidenden Teilchen durch ein Temperatur- und/oder Druckgefälle und/oder einen Gasstrom gegebenenfalls mittels eines inerten Gases, vorzugsweise Edelgases, zum Schmelzkörper hintransportiert werden.
13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß die abgeschiedenen Stoffe durch elektrischen Wind an die Schmelzoberfläche gelenkt werden.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die thermische Zersetzung ganz oder teilweise unmittelbar an der Oberfläche der schmelzflüssigen Phase des abzuscheidenden Körpers erfolgt.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß als Wärmequelle für die thermische Zersetzung die Schmelze selbst dient.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Schmelzflüssigkeit durch Hochfrequenzheizung und/oder Bestrahlung und/oder atomare Rekombinationsenergie oder Elektronen- oder Ionenbombardement geheizt wird.
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß der Hochfrequenzheizung eine Vorheizung, beispielsweise durch Strahlung, vorangeht.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionsgase aus Halbleiterhalogeniden, beispielsweise vor allem des Siliziums aus Siliziumhalogeniden, auch höheren, mit einem oder ohne ein Reduktionsmittel, vorzugsweise Wasserstoff, bestehen.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß dieReaktionsgase getrennt oder gemischt den schmelzflüssigen Teil der Oberfläche gegebenenfalls vorbeiströmend umgeben.
20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionsgase einzeln oder als Gemische gegen die Schmelzoberfläche gerichtet, z. B. geblasen werden.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß nach Fertigstellung eines längs gestreckten Stabes dieser als Ganzes nach dem an sich bekannten Zonensehmelzverfahren noch mehrmals behandelt und dadurch gröber kristallisiert bzw. in einen Einkristall verwandelt wird.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens stellenweise Dotierungsmittel in Form von Donatoren, Akzeptoren, Haftstellen, Rekombinationszentren od. dgl. in gasförmiger, fester und/oder flüssiger Phase in die jeweilige Schmelzzone eingebracht werden.
23. Verfahren nach Anspruch 1 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß die jeweilige Schmelzzone durch mechanische und/oder elektrische Mittel durchrührt wird.
24. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 23, dadurch gekennzeichnet, daß die Abscheidung auf der Flüssigkeitsoberfläche im Vakuum oder in einer schwach oxydierenden Atmosphäre, beispielsweise aus Wasserdampf, Kohlenstoff und/oder Kohlendioxyd oder Kohlenoxyd, vor sich geht.
25. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß die schwach oxydierenden Gase den Reaktions- bzw. den Niederschlagsraum durchströmen.
26. Halbleiteranordnung, beispielsweise Richtleiter, Transistor, Fieldistor, Phototransistor, magnetisch und/oder elektrisch beeinflußbarer Widerstand od. dgl., dadurch gekennzeichnet, daß er nach dem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 25 hergestellt ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
709 75Ö362 10.57
DES39318A 1954-05-25 1954-05-25 Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen Pending DE1017795B (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES39318A DE1017795B (de) 1954-05-25 1954-05-25 Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES39318A DE1017795B (de) 1954-05-25 1954-05-25 Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
DES39578A DE976899C (de) 1954-06-13 1954-06-13 Gasentladungsanlage zur Herstellung eines Stabes aus hochreinem Silicium
DES40843A DE1042539B (de) 1954-06-13 1954-09-15 Verfahren zum Herstellen ultrareiner Halbleiterkristalle
DES58066A DE1151782B (de) 1954-06-13 1958-04-30 Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstaebe

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1017795B true DE1017795B (de) 1957-10-17

Family

ID=27212571

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES39318A Pending DE1017795B (de) 1954-05-25 1954-05-25 Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
DES39578A Expired DE976899C (de) 1954-05-25 1954-06-13 Gasentladungsanlage zur Herstellung eines Stabes aus hochreinem Silicium
DES40843A Pending DE1042539B (de) 1954-05-25 1954-09-15 Verfahren zum Herstellen ultrareiner Halbleiterkristalle
DES44220A Pending DE1023889B (de) 1954-06-13 1955-06-06 Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
DES58066A Pending DE1151782B (de) 1954-05-25 1958-04-30 Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstaebe

Family Applications After (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES39578A Expired DE976899C (de) 1954-05-25 1954-06-13 Gasentladungsanlage zur Herstellung eines Stabes aus hochreinem Silicium
DES40843A Pending DE1042539B (de) 1954-05-25 1954-09-15 Verfahren zum Herstellen ultrareiner Halbleiterkristalle
DES44220A Pending DE1023889B (de) 1954-06-13 1955-06-06 Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
DES58066A Pending DE1151782B (de) 1954-05-25 1958-04-30 Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstaebe

Country Status (6)

Country Link
US (2) US2992984A (de)
CH (3) CH355220A (de)
DE (5) DE1017795B (de)
FR (3) FR1131422A (de)
GB (3) GB795191A (de)
NL (1) NL105537C (de)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1141255B (de) * 1958-03-05 1962-12-20 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstaebe
US3098741A (en) * 1958-04-03 1963-07-23 Wacker Chemie Gmbh Process for effecting crucibleless melting of materials and production of shaped bodies therefrom
DE1153540B (de) * 1958-09-20 1963-08-29 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Stabes aus Halbleitermaterial
DE1181669B (de) * 1958-06-03 1964-11-19 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zum Herstellen von festen Verbindungen oder Legierungen
DE1190918B (de) * 1960-06-24 1965-04-15 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur gezielten Dotierung von stabfoermigen Koerpern waehrend des Zonenschmelzens
DE1198321B (de) * 1958-01-06 1965-08-12 Int Standard Electric Corp Verfahren zur Herstellung von Halbleitermaterial grosser Reinheit
DE1211593B (de) * 1960-04-27 1966-03-03 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur tiegelfreien Herstellung hochreiner, elektrisch halbleitender, kristalliner Verbindungen
DE1211592B (de) 1959-04-20 1966-03-03 Westinghouse Electric Corp Verfahren zur Herstellung eng toleriert dotierter Siliciumstaebe
DE1240816B (de) * 1959-10-13 1967-05-24 Philips Nv Verfahren zum Herstellen von Einkristallen und zum Reinigen und/oder Dotieren eines festen Stoffes, insbesondere eines Halbleitermaterials
DE1245332B (de) * 1961-09-14 1967-07-27 Gen Electric Vorrichtung zur kontinuierlichen Herstellung von Einkristallen durch Abscheidung aus der Dampfphase
DE1258397B (de) * 1962-11-15 1968-01-11 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung durch einkristallines Aufwachsen halbleitender Schichten mittels Transportreaktion
DE1263714B (de) * 1963-09-19 1968-03-21 Ass Elect Ind Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen einer Schicht aus Halbleitermaterial
DE1544305B1 (de) * 1965-12-08 1970-07-23 Sanyo Electric Co Verfahren zum Aufwachsen mindestens einer dotiertenHalbleiterkristallschicht
DE1615195B1 (de) * 1966-04-05 1970-12-17 Commissariat Energie Atomique Anwendung eines Induktionsofens auf das Schmelzen von hochschmelzenden keramischen Stoffen und Verfahren zum Schmelzen und Wiedererstarren solcher Stoffe
DE1564776B1 (de) * 1965-12-11 1971-05-19 Sanyo Electric Co , Ltd , Mongu chi, Osaka (Japan) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1061527B (de) * 1953-02-14 1959-07-16 Siemens Ag Verfahren zum zonenweisen Umschmelzen von Staeben und anderen langgestreckten Werkstuecken
DE1017795B (de) * 1954-05-25 1957-10-17 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
GB878765A (en) * 1956-11-05 1961-10-04 Plessey Co Ltd Improvements in and relating to processes for the manufacture of semiconductor materials
DE1109154B (de) * 1957-03-12 1961-06-22 Licentia Gmbh Verfahren zur Gewinnung von borbromid- bzw. borjodidfreiem Siliciumbromid bzw. -jodid
BE567204A (de) * 1957-04-30
DE1114170B (de) * 1957-07-03 1961-09-28 Int Standard Electric Corp Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von extrem reinem Halbleitermaterial
US3006734A (en) * 1957-11-14 1961-10-31 Plessey Co Ltd Process for preparing pure silicon
DE1081869B (de) * 1957-12-03 1960-05-19 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Silicium-Einkristallen
NL235008A (de) * 1958-01-11
US3116175A (en) * 1958-01-27 1963-12-31 Marvalaud Inc Method for forming bicrystalline specimens
US3036892A (en) * 1958-03-05 1962-05-29 Siemens Ag Production of hyper-pure monocrystal-line rods in continuous operation
DE1180346B (de) * 1958-03-14 1964-10-29 Gustav Weissenberg Dr H C Dr H Verfahren zum Herstellen hochreiner Kristalle, insbesondere aus Halbleiterstoffen
DE1154796B (de) * 1958-12-16 1963-09-26 Western Electric Co Verfahren zum Reinigen von Silicium- oder Germaniumverbindungen
CH354427A (fr) * 1959-06-05 1961-05-31 Ind De Pierres Scient Hrand Dj Procédé de fabrication d'un corps de révolution, notamment d'un disque en pierre synthétique et installation pour la mise en oeuvre de ce procédé
NL256017A (de) * 1959-09-23 1900-01-01
DE1128412B (de) * 1959-12-17 1962-04-26 Metallgesellschaft Ag Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium durch thermische Zersetzung von gasfoermigen Siliciumverbindungen
NL262949A (de) * 1960-04-02 1900-01-01
NL265528A (de) * 1960-06-02
DE1216842B (de) * 1960-09-30 1966-05-18 Karl Ernst Hoffmann Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium und Germanium
DE1227424B (de) * 1961-03-01 1966-10-27 Philips Nv Verfahren und Vorrichtung zum Zonenschmelzen eines aus einer Metallverbindung bestehenden stabfoermigen Koerpers
US3267529A (en) * 1961-10-04 1966-08-23 Heraeus Gmbh W C Apparatus for melting metals under high vacuum
US3239368A (en) * 1962-04-26 1966-03-08 Nra Inc Method of preparing thin films on substrates by an electrical discharge
US3303115A (en) * 1962-05-31 1967-02-07 Corning Glass Works Methods for forming materials of high purity by fusion
US3245761A (en) * 1962-10-11 1966-04-12 Norton Co Apparatus for making magnesium oxide crystals
DE1444530B2 (de) * 1962-12-12 1970-10-01 Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von stabförmigem, einkristallinen Halbleitermaterial
DE1243641B (de) * 1962-12-12 1967-07-06 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstaeben durch Ziehen aus der Schmelze
US3259468A (en) * 1963-05-02 1966-07-05 Monsanto Co Slim crystalline rod pullers with centering means
DE1244733B (de) * 1963-11-05 1967-07-20 Siemens Ag Vorrichtung zum Aufwachsen einkristalliner Halbleitermaterialschichten auf einkristallinen Grundkoerpern
DE1248014B (de) * 1963-12-05 1967-08-24 Siemens Ag Verfahren zum Abscheiden von Halbleitermaterial unter Anwendung einer elektrischen Glimmentladung
BE676042A (de) * 1965-02-10 1966-06-16
US3293002A (en) * 1965-10-19 1966-12-20 Siemens Ag Process for producing tape-shaped semiconductor bodies
GB1227331A (de) * 1967-04-14 1971-04-07
US3494742A (en) * 1968-12-23 1970-02-10 Western Electric Co Apparatus for float zone melting fusible material
US4068025A (en) * 1971-03-22 1978-01-10 Brown, Boveri & Company Limited Method of applying a protective coating to a body
CH540995A (de) * 1971-03-22 1973-08-31 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zum Aufbringen einer Schutzschicht auf einen Körper
US4087313A (en) * 1975-11-28 1978-05-02 Joseph Beril Milstein Process and apparatus for preparation of single crystals and textured polycrystals
DE2636348A1 (de) * 1976-08-12 1978-02-16 Wacker Chemitronic Verfahren zur herstellung von reinem, elementarem halbleitermaterial
US4102764A (en) * 1976-12-29 1978-07-25 Westinghouse Electric Corp. High purity silicon production by arc heater reduction of silicon intermediates
US4102767A (en) * 1977-04-14 1978-07-25 Westinghouse Electric Corp. Arc heater method for the production of single crystal silicon
US4102766A (en) * 1977-04-14 1978-07-25 Westinghouse Electric Corp. Process for doping high purity silicon in an arc heater
FR2403646A1 (fr) 1977-09-16 1979-04-13 Anvar Procede de realisation d'un depot de compose semi-conducteur d'elements iii et v
JPS60246208A (ja) * 1984-05-21 1985-12-05 Toshiba Tungaloy Co Ltd 窒化ホウ素の製造方法
JPS63222011A (ja) * 1987-03-11 1988-09-14 Mitsubishi Metal Corp 多結晶シリコンの製造方法
EP3539924A1 (de) * 2018-03-14 2019-09-18 ETH Zurich Neuartige vinylphosphine und daraus erhältliche photoinitiatoren
CN111574909B (zh) * 2020-04-23 2021-11-02 华北电力大学（保定） 一种抗击穿型环氧树脂-氮化硼复合材料的制备方法
CN112827319B (zh) * 2020-12-23 2023-03-03 四川天采科技有限责任公司 一种含低浓度硅烷与碳二以上轻烃类的氯基SiC-CVD外延尾气全温程变压吸附提氢与循环再利用方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2468175A (en) * 1949-04-26 Apparatus for electrochemical
US2631356A (en) * 1953-03-17 Method of making p-n junctions
US2768074A (en) * 1949-09-24 1956-10-23 Nat Res Corp Method of producing metals by decomposition of halides
DE863997C (de) * 1951-03-02 1953-01-22 Degussa Abscheidung von Elementen mit metallaehnlichem Charakter aus ihren Verbindungen
NL89230C (de) * 1952-12-17 1900-01-01
NL233004A (de) * 1954-05-18 1900-01-01
DE1017795B (de) * 1954-05-25 1957-10-17 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
US2892739A (en) * 1954-10-01 1959-06-30 Honeywell Regulator Co Crystal growing procedure

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1198321B (de) * 1958-01-06 1965-08-12 Int Standard Electric Corp Verfahren zur Herstellung von Halbleitermaterial grosser Reinheit
DE1141255B (de) * 1958-03-05 1962-12-20 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstaebe
US3098741A (en) * 1958-04-03 1963-07-23 Wacker Chemie Gmbh Process for effecting crucibleless melting of materials and production of shaped bodies therefrom
DE1181669B (de) * 1958-06-03 1964-11-19 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zum Herstellen von festen Verbindungen oder Legierungen
DE1153540B (de) * 1958-09-20 1963-08-29 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Stabes aus Halbleitermaterial
DE1211592B (de) 1959-04-20 1966-03-03 Westinghouse Electric Corp Verfahren zur Herstellung eng toleriert dotierter Siliciumstaebe
DE1240816B (de) * 1959-10-13 1967-05-24 Philips Nv Verfahren zum Herstellen von Einkristallen und zum Reinigen und/oder Dotieren eines festen Stoffes, insbesondere eines Halbleitermaterials
DE1211593B (de) * 1960-04-27 1966-03-03 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur tiegelfreien Herstellung hochreiner, elektrisch halbleitender, kristalliner Verbindungen
DE1190918B (de) * 1960-06-24 1965-04-15 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur gezielten Dotierung von stabfoermigen Koerpern waehrend des Zonenschmelzens
DE1245332B (de) * 1961-09-14 1967-07-27 Gen Electric Vorrichtung zur kontinuierlichen Herstellung von Einkristallen durch Abscheidung aus der Dampfphase
DE1258397B (de) * 1962-11-15 1968-01-11 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung durch einkristallines Aufwachsen halbleitender Schichten mittels Transportreaktion
DE1263714B (de) * 1963-09-19 1968-03-21 Ass Elect Ind Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen einer Schicht aus Halbleitermaterial
DE1544305B1 (de) * 1965-12-08 1970-07-23 Sanyo Electric Co Verfahren zum Aufwachsen mindestens einer dotiertenHalbleiterkristallschicht
DE1564776B1 (de) * 1965-12-11 1971-05-19 Sanyo Electric Co , Ltd , Mongu chi, Osaka (Japan) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1615195B1 (de) * 1966-04-05 1970-12-17 Commissariat Energie Atomique Anwendung eines Induktionsofens auf das Schmelzen von hochschmelzenden keramischen Stoffen und Verfahren zum Schmelzen und Wiedererstarren solcher Stoffe

Also Published As

Publication number Publication date
CH376584A (de) 1964-04-15
US2992984A (en) 1961-07-18
GB795191A (en) 1958-05-21
GB812818A (en) 1959-04-29
FR1125277A (fr) 1956-10-29
FR1131422A (fr) 1957-02-21
DE1042539B (de) 1958-11-06
GB890230A (en) 1962-02-28
US2999737A (en) 1961-09-12
FR1220648A (fr) 1960-05-25
NL105537C (de) 1963-08-15
CH362061A (de) 1962-05-31
DE1023889B (de) 1958-02-06
CH355220A (de) 1961-06-30
DE1151782B (de) 1963-07-25
DE976899C (de) 1964-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1017795B (de) Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
DE1102117B (de) Verfahren zum Herstellen von reinstem Silicium
DE1176103B (de) Verfahren zur Herstellung von reinem Silicium in Stabform
DE1048638B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinkristallen, insbesondere von Silizium durch thermische Zersetzung oder Reduktion
DE3525177A1 (de) Verfahren und vorrichtung fuer das erschmelzen und fuer das aufdampfen von hochreinem silizium
DE3523090A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum aufbringen von schutzbeschichtungen auf quarztiegel
DE2722784A1 (de) Verfahren zum reinigen von feststoffen
DE102017125723A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Wachsen eines Einkristalls
CH343535A (de) Verfahren zum Herstellen stabförmiger Halbleiterkristalle
DE1278413B (de) Verfahren zum Ziehen duenner stabfoermiger Halbleiterkristalle aus einer Halbleiterschmelze
DE1097964B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Silicium oder Germanium hoher Reinheit
DE1170913B (de) Verfahren zur Herstellung von kristallinem Silicium in Stabform
DE977418C (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Stabes aus hochreinem Silicium
DE1113682B (de) Verfahren zum Ziehen von Einkristallen, insbesondere aus Halbleitermaterial aus einer an einem Rohr haengenden Schmelze
DE1023023B (de) Verfahren zum Reinigen von Silicium
DE1066564B (de) Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium für Halbleiteranordnungen
DE1090771B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit duennen Einkristallschichten auf einem metallisch leitenden Traeger
DE1145284B (de) Verfahren zur Herstellung von Rohren aus hochreinen Stoffen
AT206477B (de) Verfahren zur Herstellung von reinem Silizium
DE1238449B (de) Verfahren zum Herstellen von einkristallinem Silicium
DE1253235B (de) Verfahren zum Herstellen stabfoermiger Halbleiterkristalle
AT250441B (de) Verfahren zum Herstellen von kristallinem vorzugsweise einkristallinem Silizium
DE1153000B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von kompaktem Silicium
AT226649B (de) Verfahren zum Herstellen von einkristallinem Silizium
CH498654A (de) Verfahren zum Herstellen fadenförmiger Einkristalle und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens