[go: up one dir, main page]

DE10159695A1 - Einen hohen Lichtstrom emittierende Diode mit einer Licht emittierenden Diode vom Flip-Chip-Typ mit einem transparenten Substrat - Google Patents

Einen hohen Lichtstrom emittierende Diode mit einer Licht emittierenden Diode vom Flip-Chip-Typ mit einem transparenten Substrat

Info

Publication number
DE10159695A1
DE10159695A1 DE10159695A DE10159695A DE10159695A1 DE 10159695 A1 DE10159695 A1 DE 10159695A1 DE 10159695 A DE10159695 A DE 10159695A DE 10159695 A DE10159695 A DE 10159695A DE 10159695 A1 DE10159695 A1 DE 10159695A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
emitting diode
light
chip
light emitting
base substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10159695A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10159695B4 (de
Inventor
Tzer-Perng Chen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epistar Corp
Original Assignee
United Epitaxy Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=28046575&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE10159695(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority to US09/964,719 priority Critical patent/US20030057421A1/en
Application filed by United Epitaxy Co Ltd filed Critical United Epitaxy Co Ltd
Priority to DE10159695A priority patent/DE10159695B4/de
Priority to JP2001397231A priority patent/JP2003197972A/ja
Priority to GB0131089A priority patent/GB2383681B/en
Publication of DE10159695A1 publication Critical patent/DE10159695A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10159695B4 publication Critical patent/DE10159695B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Revoked legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/858—Means for heat extraction or cooling
    • H10H20/8585—Means for heat extraction or cooling being an interconnection
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H10W72/884—

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Eine einen hohen Lichtstrom emittierende Diode umfasst ein Basissubstrat, einen Licht emittierenden Diodenchip vom Flip-Chip-Typ mit einem transparenten Substrat sowie ein Decksubstrat. Das Decksubstrat besitzt eine Mittelausnehmung mit einer abgeschrägten reflektierenden Seitenwand. Der Licht emittierende Diodenchip befindet sich innerhalb der Mittelausnehmung. Das Basissubstrat ist unterteilt durch einen mittleren isolierenden Bereich in zwei Teile, die an die beiden Elektroden des Licht emittierenden Diodenchips angeschlossen sind. Ein hohes thermisch und elektrisch leitendes Material kommt zum Einsatz zur Bildung des Basissubstrates, um einen hohen Strom zu leiten und Wärme hochwirksam abzuleiten. Ein transparentes Harz oder ein Epoxyharz wird eingesetzt, um die Mittelausnehmung abzudecken und den Diodenchip abzudichten. Licht mit einer hohen Intensität kann emittiert werden, da das Licht übertragen wird, reflektiert durch eine reflektierende Elektrode des Diodenchips oder abgelenkt durch die reflektierende Seitenwand, um durch die Mittelöffnung des Decksubstrates auszutreten.

Description

    GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf eine Licht emittierende Diode und im besonderen auf eine einen hohen Lichtstrom emittierende Diode mit einer Licht emittierenden Diode vom Flip-Chip-Typ.
    • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Da eine Licht emittierende Diode den Vorteil einer geringen Größe, einer langen Lebensdauer sowie eines geringen Energieverbrauches besitzt, kommt sie in starkem Maße zum Einsatz als Signalindikatoren bei einer Audio- Ausrüstung, der Hintergrundbeleuchtungsquelle eines Handtelefons, den Beleuchtungselementen einer Nachrichtentafel und z. B. bei der dritten Bremsleuchte eines Kraftfahrzeuges. In jüngerer Zeit sind neue Materialien wie AlGaInP und Al-GaInN erfolgreich eingesetzt worden bei der Herstellung Licht emittierender Dioden, die Licht mit hoher Intensität emittieren. Dementsprechend wurde es möglich, herkömmliche Glühlampen zu ersetzen durch Licht emittierende Dioden in vielen Anwendungsbereichen. Licht emittierende Dioden findet man gegenwärtig z. B. bei Verkehrsampeln, Bremslichtern oder Blinklichtern eines Fahrzeuges und ähnlichem. Mit dem Anstieg der Lichtintensität einer Licht emittierenden Diode ist es sehr wahrscheinlich, dass die Licht emittierenden Dioden Lichtquellen ersetzen, wie etwa fluoreszierende Lichter oder Energiesparlampen.
  • Eine Licht emittierende Diode wird normalerweise mit einem elektrischen Strom von 20 mA betrieben bei 2 bis 3,5 Volt. Dementsprechend verbraucht jede Licht emittierende Diode etwa 40 bis 70 mW an Leistung. Mit dem Verbrauch von 40 bis 70 mW kann eine höchst wirtschaftliche Licht emittierende Diode, die gegenwärtig in der Industrie verfügbar ist, lediglich 1 bis 5 Lumen an Lichtintensität erzeugen. Für Beleuchtungszwecke ist es jedoch im allgemeinen erforderlich, tausende von Lumen an Lichtintensität verfügbar zu haben. Dementsprechend sind mehrere hundert Licht emittierende Dioden erforderlich, um dieses Erfordernis zu erfüllen. Damit ist dies nicht praktikabel hinsichtlich der Kosten, der Größe bzw. des Volumens.
  • Eine Näherung, das Problem der niedrigen Leuchtdichte zu überwinden, liegt bei einer Licht emittierenden Diode darin, den Betriebsstrom der Licht emittierenden Diode zu erhöhen. Wenn beispielsweise der Betriebsstrom bis auf 100 mA erhöht werden könnte, würde sich die Leuchtdichte der Licht emittierenden Diode um einen Faktor von 5 erhöhen. Dementsprechend würde sich die Anzahl der Licht emittierenden Dioden um den gleichen Faktor verringern.
  • Ein herkömmlicher Aufbau einer Licht emittierenden Diode, wie er in den Fig. 5(a) und 5(b) wiedergegeben ist, kann jedoch die Lichtabgabe nicht mit ansteigendem Strom proportional erhöhen, wenn die Licht emittierende Diode bei einem hohen Strom betrieben wird. Im allgemeinen wird das Basissubstrat einer herkömmlichen Licht emittierenden Diode, wie sie in Fig. 5(b) wiedergegeben ist, durch eine PC-Platte gebildet oder ein tonerdekeramisches Material, welches die Wärme nicht wirksam abzuleiten vermag. Infolge der schlechten Wärmeabgabe bei einer herkömmlichen Licht emittierenden Diode reduziert ein höherer Strom signifikant die Lebensdauer einer Licht emittierenden Diode. Entsprechend der Darstellung in Fig. 5(a) bestehen die Leiterrahmen aus metallischen Materialien, wie etwa Kovar oder Kupfer. Der Rahmen ist jedoch zu dünn, um die erzeugte Wärme wirkungsvoll abzuleiten.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Lichtabgabeleistung einer herkömmlichen Licht emittierenden Diode zu erhöhen. Im besonderen soll gemäß der vorliegenden Erfindung ein neuer Aufbau bereitgestellt werden, um den Betriebsstrom einer Licht emittierenden Diode zu erhöhen. Dementsprechend umfasst die Licht emittierende Diode eine Licht emittierende Diode vom Flip-Chip-Typ mit einem transparenten Substrat zur Emission von Licht. Ein Basissubstrat ist unterteilt durch einen isolierenden Bereich in zwei Teile, die an die positiven und negativen Elektroden des Licht emittierenden Diodenchips angeschlossen sind. Das Basissubstrat, welches in hohem Maße sowohl elektrisch als auch thermisch leitend ist, kommt zum Einsatz, um einen hohen Strom zu leiten, wie auch die Wärme abzuleiten, die von dem Licht emittierenden Diodenchip erzeugt wird, und zwar in einer wirksamen Weise.
  • Weiterhin soll gemäß der Erfindung ein Aufbau einer Licht emittierenden Diode bereitgestellt werden, welcher Licht reduziert, welches von dem Licht emittierenden Diodenaufbau absorbiert wird, so dass die Lichtabgabe erhöht werden kann. Gemäß der vorliegenden Erfindung ist ein Decksubstrat vorgesehen mit einer Öffnung im mittleren Bereich. Die Licht emittierende Diode vom Flip- Chip-Typ befindet sich in dem mittleren Bereich. Das Decksubstrat umfasst ein weisses und in starkem Maße reflektierendes Material, oder die Seitenwandung der Öffnung ist überzogen mit einem weissen und stark reflektierenden Material. Ein transparentes Harz oder Epoxyharz füllt die Öffnung aus, um eine konvexe Linse zu bilden, die den Licht emittierenden Diodenchip abdeckt und abdichtet.
  • Weitere Vorteile, Einzelheiten und erfindungswesentliche Merkmale ergeben sich aus dem Studium der nachfolgenden detaillierten Beschreibung, unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen.
    • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Fig. 1 ist eine Querschnittsansicht einer bevorzugten Ausführungsform der einen hohen Lichtstrom emittierenden Diode mit einem Licht emittierenden Diodenchip vom Flip-Chip-Typ gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Fig. 2 ist eine Querschnittsansicht des Licht emittierenden Diodenchips vom Flip-Chip-Typ mit einer aktiven InGaN-Schicht.
  • Fig. 3 erläutert, wie das Licht, welches von der aktiven Schicht emittiert wird, übertragen wird, reflektiert oder gerichtet durch die Öffnung des Decksubstrats der Licht emittierenden Diode.
  • Fig. 4 ist eine Querschnittsansicht des Licht emittierenden Diodenchips vom Flip-Chip-Typ mit einer aktiven AlGaInP-Schicht.
  • [0013] Fig. 5(a) und (b) zeigen eine herkömmliche Licht emittierende Diode und eine Querschnittsansicht ihres Licht emittierenden Diodenchips.
    • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Die Fig. 1 zeigt die Querschnittsansicht einer bevorzugten Ausführungsform der Licht emittierenden Diode gemäß der vorliegenden Erfindung. Die Licht emittierende Diode umfasst ein Basissubstrat 11, einen Licht emittierenden Diodenchip 16 vom Flip-Chip-Typ, ein Decksubstrat 17 sowie eine konvexe Linse 18, die durch ein transparentes Harz oder ein Epoxyharz gebildet wird. Das Basissubstrat 11 besitzt einen isolierenden Bereich 19, der das Basissubstrat 11 in zwei nicht miteinander verbundene elektrisch leitende Teile unterteilt.
  • Unterhalb und oberhalb des Basissubstrats 11 befinden sich mehrere Metallschichten 12, 13, 14 und 15. Die Metallschichten 12, 13 sind an die p- und n-Elektroden des Licht emittierenden Diodenchips 16 angeschlossen. Die Metallschichten 14, 15 sind an eine äussere Schaltung angeschlossen. Zusätzlich zur Halterung des Licht emittierenden Diodenchips 16 muss das Basissubstrat 11 ausserdem den elektrischen Strom leiten und wirkungsvoll die Wärme, die durch den Licht emittierenden Diodenchip 16 erzeugt wird, ableiten. Dementsprechend ist es wichtig, dass das Material des Basissubstrats 11 in starkem Maße sowohl elektrisch als auch thermisch leitend ist.
  • Kupfer (Cu) besitzt eine thermische Leitfähigkeit von 398 W(m°K) und eine sehr hohe elektrische Leitfähigkeit. Es ist eines der besten Materialien für das Basissubstrat 11. Aluminium (Al) besitzt eine thermische Leitfähigkeit von 240 W(m°K) und ist ebenfalls ein sehr guter Kandidat für das Basissubstrat 1. Silizium (Si) besitzt eine thermische Leitfähigkeit, die etwa ein Drittel der thermischen Leitfähigkeit von Kupfer ausmacht. Es ist jedoch ebenfalls ein geeignetes Material für das Basissubstrat 11, da es sich leicht bearbeiten lässt.
  • Fig. 2 zeigt den Aufbau des Licht emittierenden Diodenchips vom Flip-Chip-Typ mit einem transparenten Substrat. Bei dem Licht emittierenden Diodenchip, der in Fig. 2 dargestellt ist, handelt es sich um eine InGaN Licht emittierende Diode, welche blaues Licht emittiert. Der Licht emittierende Diodenchip umfasst ein Saphir-Substrat 31, eine GaN Pufferschicht 32, eine GaN Schicht vom n-Typ 33, eine aktive InGaN Schicht 34 sowie eine GaN Schicht vom p-Typ 35. Die aktive InGaN Schicht 34 ist die Licht emittierende Schicht. Bei dieser Ausführungsform kann die aktive Schicht AlGaInN umfassen anstelle von InGaN.
  • Unter der GaN Schicht vom p-Typ 35 befindet sich eine p-Typ- Elektrode 36. Eine n-Typ-Elektrode 37 ist ebenfalls ausgebildet in Kontakt mit der n-Typ GaN Schicht 33. Die n-Typ-Elektrode 37 besitzt einen kleineren Bereich, der lediglich einen Teil der n-Typ GaN Schicht 33 kontaktiert. Die p-Typ-Elektrode besitzt einen größeren Bereich, der in Kontakt mit den meisten der p-Typ GaN Schicht 35 steht. Sie besitzt auch eine hohe Reflektivität, um das Licht, welches von der aktiven Schicht emittiert wird, zu reflektieren. Diese Elektroden vom n-Typ und p-Typ können mit den Metallschichten 12, 13 des Basissubstrats 11 verbunden werden mit Hilfe eines Bindemittels, wie etwa Gold oder eine Legierung, die Gold und Zinn umfasst.
  • Vorzugsweise wird das Decksubstrat 17 durch ein weißes und stark reflektierendes Material gebildet. Die Mitte der Deckschicht 17 besitzt eine Öffnung, die groß genug ist, um hierin den Licht emittierenden Diodenchip 16 vom Flip-Chip-Typ anzuordnen. Die Seitenwand der Öffnung ist schräg ausgebildet, um das Seitenlicht, welches von dem Licht emittierenden Diodenchip emittiert wird, zu reflektieren. Es ist auch möglich, ein absorbierendes Material als Decksubstrat 17 einzusetzen, wenn die Seitenwand der Öffnung überzogen ist mit einem weißen und eine hohe Reflektivität aufweisenden Reflektor, um das Seitenlicht zu reflektieren. Das Decksubstrat 17 ist an das Basissubstrat 11 gebunden durch eine Klebeschicht, entsprechend der Darstellung in Fig. 1. Die Öffnung der Ausnehmung ist mit einem transparenten Harz oder einem Epoxyharz 18 ausgefüllt, um den Licht emittierenden Diodenchip abzudecken und abzudichten. Das transparente Epoxyharz bildet ausserdem eine konvexe Linse, um das von dem Licht emittierenden Chip emittierte Licht zu fokussieren, um somit das emittierte Licht auszurichten.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung kommt ein transparentes Substrat zum Einsatz für den Licht emittierenden Diodenchip vom Flip-Chip-Typ. Das Licht, welches von der Licht emittierenden Diode emittiert wird, kann übertragen werden direkt durch das Substrat, reflektiert von der p-Typ-Elektrode und dann übertragen durch das Substrat oder reflektiert von der p-Typ-Elektrode in Richtung auf die reflektierende Seitenwand der Öffnung und dann übertragen werden durch die Öffnung, entsprechend der Darstellung in Fig. 3. Dies führt dazu, dass die Licht emittierende Diode in starkem Maße die Lichtabsorption reduziert, wobei der Lichtemissionswirkungsgrad signifikant erhöht wird.
  • Da das Basissubstrat, welches für die Licht emittierende Diode zum Einsatz kommt, eine hohe thermische Leitfähigkeit besitzt, kann die Wärme, die durch den Licht emittierenden Chip erzeugt wird, wirkungsvoll abgeleitet werden, um die Lebensdauer des Chips zu erhöhen. Gemäß der vorliegenden Erfindung ist der Abstand zwischen der aktiven Licht emittierenden Schicht und dem Basissubstrat sehr kurz. Die Wärme, die durch einen hohen Strom in der Licht emittierenden Schicht erzeugt wird, kann auf das Basissubstrat mit einem sehr hohen Wirkungsgrad übertragen werden. Dementsprechend kann die Licht emittierende Diode mit einem hohen Strom betrieben werden.
  • Die Fig. 4 zeigt den Aufbau eines weiteren Licht emittierenden Diodenchips vom Flip-Chip-Typ mit einem transparenten Substrat. Bei der Licht emittierenden Diode, die in Fig. 4 dargestellt ist, handelt es sich um eine AlGaInP Licht emittierende Diode. Der Licht emittierende Diodenchip umfasst ein Saphirsubstrat 51, eine p-Typ AlGaInP untere Begrenzungsschicht 52, eine aktive AlGaInP Schicht 53, eine n-Typ AlGaInP obere Begrenzungsschicht 54 sowie eine n-Typ InGaP oder AlGaP ohmsche Kontaktschicht 55. Die aktive AlGaInP Schicht 53 ist die Licht emittierende Schicht.
  • Unter der n-Typ InGaP ohmschen Kontaktschicht 55 befindet sich eine n-Typ-Elektrode 57. Die n-Typ-Elektrode 57 dient ausserdem als ein Reflektor. Eine p-Typ-Elektrode 56 wird ausserdem ausgebildet in Kontakt mit der p-Typ AlGaInP unteren Begrenzungsschicht 52. Die p-Typ-Elektrode 56 besitzt einen kleineren Bereich, der lediglich einen Teil der p-Typ AlGaInP unteren Begrenzungsschicht 52 kontaktiert. Die n-Typ-Elektrode 57 besitzt einen größeren Bereich, die in Kontakt mit dem größten Teil der n-Typ InGaP ohmschen Kontaktschicht 55 steht. Diese n-Typ- und p-Typ-Elektroden können an die Metallschichten 12, 13 des Basissubstrats mit Hilfe eines Bindemittels gebunden werden.
  • Zusammenfassend umfasst die einen hohen Lichtstrom emittierende Diode ein Basissubstrat, einen Licht emittierenden Diodenchip vom Flip-Chip-Typ mit einem transparenten Substrat sowie ein Decksubstrat. Das Decksubstrat besitzt eine Mittelausnehmung mit einer abgeschrägten reflektierenden Seitenwand. Der Licht emittierende Diodenchip befindet sich innerhalb der Mittelausnehmung. Das Basissubstrat ist unterteilt durch einen mittleren isolierenden Bereich in zwei Teile, die an die beiden Elektroden des Licht emittierenden Diodenchips angeschlossen sind. Ein hohes thermisch und elektrisch leitendes Material kommt zum Einsatz zur Bildung des Basissubstrates, um einen hohen Strom zu leiten und Wärme hoch wirksam abzuleiten. Ein transparentes Harz oder ein Epoxyharz wird eingesetzt, um die Mittelausnehmung abzudecken und den Diodenchip abzudichten. Licht mit einer hohen Intensität kann emittiert werden, da das Licht direkt übertragen wird, reflektiert durch eine reflektierende Elektrode des Diodenchips oder abgelenkt durch die reflektierende Seitenwand, um durch die Mittelöffnung des Decksubstrates auszutreten.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung beschrieben wurde unter Bezugnahme auf bevorzugte Ausführungsformen, soll hiermit noch einmal ausdrücklich angegeben werden, dass es sich lediglich um eine Beschreibung beispielhaften Charakters handelt und dass verschiedene Abänderungen und Modifikationen möglich sind, ohne dabei den Rahmen der Erfindung zu verlassen.

Claims (10)

1. Licht emittierende Diode gekennzeichnet durch:
ein elektrisches und thermisch leitendes Basissubstrat (11), wobei das Basissubstrat (11) in zwei elektrisch isolierte Teile unterteilt ist durch einen mittleren isolierenden Bereich (19),
ein Decksubstrat (17), welches mit dem Basissubstrat (11) verbunden ist, wobei das Decksubstrat (17) eine Ausnehmung im mittleren Bereich aufweist, die eine geneigte reflektierte Seitenwand besitzt,
einen Licht emittierenden Diodenchip (16) vom Flip-Chip-Typ, welcher innerhalb der Ausnehmung angeordnet ist und verbunden ist mit dem Basissubstrat (11), wobei der Licht emittierende Diodenchip (16) vom Flip-Chip-Typ ein transparentes Substrat besitzt, sowie
ein transparentes Material (18), welches die Ausnehmung ausfüllt und den Licht emittierenden Diodenchip (16) abdichtet.
2. Licht emittierende Diode gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Decksubstrat (17) durch ein weißes und stark reflektierendes Material gebildet wird.
3. Licht emittierende Diode gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die geneigte reflektierende Seitenwandung überzogen ist mit einem weißen und stark reflektierenden Material.
4. Licht emittierende Diode gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Material, welches die Ausnehmung füllt, eine konvexe Linse (18) bildet.
5. Licht emittierende Diode gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Basissubstrat (11) Silizium ist.
6. Licht emittierende Diode gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Basissubstrat (11) Kupfer ist.
7. Licht emittierende Diode gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Basissubstrat (11) Aluminium ist.
8. Licht emittierende Diode gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Licht emittierende Diodenchip (16) vom Flip-Chip-Typ ein AlGaInP Licht emittierender Diodenchip ist.
9. Licht emittierende Diode gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Licht emittierende Diodenchip (16) vom Flip-Chip-Typ ein AlGaInN Licht emittierender Diodenchip ist.
10. Licht emittierende Diode gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Licht emittierende Diodenchip (16) vom Flip-Chip-Typ ein InGaN Licht emittierender Diodenchip ist.
DE10159695A 2001-09-27 2001-12-05 Einen hohen Lichtstrom emittierende Diode mit einer Licht emittierenden Diode vom Flip-Chip-Typ mit einem transparenten Substrat Revoked DE10159695B4 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/964,719 US20030057421A1 (en) 2001-09-27 2001-09-27 High flux light emitting diode having flip-chip type light emitting diode chip with a transparent substrate
DE10159695A DE10159695B4 (de) 2001-09-27 2001-12-05 Einen hohen Lichtstrom emittierende Diode mit einer Licht emittierenden Diode vom Flip-Chip-Typ mit einem transparenten Substrat
JP2001397231A JP2003197972A (ja) 2001-09-27 2001-12-27 高輝度発光ダイオード
GB0131089A GB2383681B (en) 2001-09-27 2001-12-31 High flux light emitting diode having flip-chip type light emitting diode chip with a transparent substrate

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/964,719 US20030057421A1 (en) 2001-09-27 2001-09-27 High flux light emitting diode having flip-chip type light emitting diode chip with a transparent substrate
DE10159695A DE10159695B4 (de) 2001-09-27 2001-12-05 Einen hohen Lichtstrom emittierende Diode mit einer Licht emittierenden Diode vom Flip-Chip-Typ mit einem transparenten Substrat
JP2001397231A JP2003197972A (ja) 2001-09-27 2001-12-27 高輝度発光ダイオード
GB0131089A GB2383681B (en) 2001-09-27 2001-12-31 High flux light emitting diode having flip-chip type light emitting diode chip with a transparent substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10159695A1 true DE10159695A1 (de) 2003-06-26
DE10159695B4 DE10159695B4 (de) 2006-03-30

Family

ID=28046575

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10159695A Revoked DE10159695B4 (de) 2001-09-27 2001-12-05 Einen hohen Lichtstrom emittierende Diode mit einer Licht emittierenden Diode vom Flip-Chip-Typ mit einem transparenten Substrat

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20030057421A1 (de)
JP (1) JP2003197972A (de)
DE (1) DE10159695B4 (de)
GB (1) GB2383681B (de)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10305021B4 (de) * 2002-09-27 2005-10-06 United Epitaxy Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung oberflächenmontierbarer Hochleistungs-Leuchtdioden
DE102008016534A1 (de) * 2008-03-31 2009-10-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements
US8450751B2 (en) 2007-04-26 2013-05-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor body and method for producing the same
DE102013202551A1 (de) 2013-02-18 2014-08-21 Heraeus Materials Technologies GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit einer Kavität
DE102015112280A1 (de) * 2015-07-28 2017-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement mit einem metallischen Träger und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen
JP2018022930A (ja) * 2010-11-19 2018-02-08 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 発光デバイス及びその製造方法
DE112011101305B4 (de) 2010-04-15 2022-08-25 Paul Voinea Lichtleitsystem, Verfahren zur Herstellung eines Lichtleitsystems und Anwendung eines Lichtleitsystems

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003309292A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオードのメタルコア基板及びその製造方法
DE10237084A1 (de) * 2002-08-05 2004-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Leiterrahmens und Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements
KR20050072152A (ko) 2002-12-02 2005-07-08 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 복수의 광원을 사용한 조사 시스템
US20040173808A1 (en) * 2003-03-07 2004-09-09 Bor-Jen Wu Flip-chip like light emitting device package
US7777235B2 (en) * 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
US7300182B2 (en) * 2003-05-05 2007-11-27 Lamina Lighting, Inc. LED light sources for image projection systems
US7633093B2 (en) * 2003-05-05 2009-12-15 Lighting Science Group Corporation Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product
US7095053B2 (en) * 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
US7528421B2 (en) * 2003-05-05 2009-05-05 Lamina Lighting, Inc. Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation
JP4360858B2 (ja) * 2003-07-29 2009-11-11 シチズン電子株式会社 表面実装型ｌｅｄ及びそれを用いた発光装置
US6876008B2 (en) * 2003-07-31 2005-04-05 Lumileds Lighting U.S., Llc Mount for semiconductor light emitting device
US7304418B2 (en) * 2003-10-24 2007-12-04 Seiko Epson Corporation Light source apparatus with light-emitting chip which generates light and heat
JP4124129B2 (ja) * 2004-01-23 2008-07-23 セイコーエプソン株式会社 光源装置及びプロジェクタ
US20050116235A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Schultz John C. Illumination assembly
US7329887B2 (en) * 2003-12-02 2008-02-12 3M Innovative Properties Company Solid state light device
US7250611B2 (en) * 2003-12-02 2007-07-31 3M Innovative Properties Company LED curing apparatus and method
US20050116635A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Walson James E. Multiple LED source and method for assembling same
US7403680B2 (en) * 2003-12-02 2008-07-22 3M Innovative Properties Company Reflective light coupler
US7456805B2 (en) * 2003-12-18 2008-11-25 3M Innovative Properties Company Display including a solid state light device and method using same
US7339198B2 (en) * 2004-01-16 2008-03-04 Yu-Nung Shen Light-emitting diode chip package body and packaging method thereof
US7964883B2 (en) * 2004-02-26 2011-06-21 Lighting Science Group Corporation Light emitting diode package assembly that emulates the light pattern produced by an incandescent filament bulb
CN100341160C (zh) * 2004-02-27 2007-10-03 沈育浓 发光二极管晶片封装体及其封装方法
US20050225222A1 (en) * 2004-04-09 2005-10-13 Joseph Mazzochette Light emitting diode arrays with improved light extraction
US7462861B2 (en) * 2004-04-28 2008-12-09 Cree, Inc. LED bonding structures and methods of fabricating LED bonding structures
KR100576866B1 (ko) 2004-06-16 2006-05-10 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 그 제조방법
US20060013000A1 (en) * 2004-07-16 2006-01-19 Osram Sylvania Inc. Flat mount for light emitting diode source
US7252408B2 (en) * 2004-07-19 2007-08-07 Lamina Ceramics, Inc. LED array package with internal feedback and control
DE102004039883B3 (de) * 2004-08-17 2006-06-14 Schott Ag Transparentes Element, insbesondere Verbundglaselement, und Verfahren zum Tausch eines Verbrauchers darin
JP2006086176A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd Ｌｅｄ用サブマウント及びその製造方法
CN100353577C (zh) * 2004-12-14 2007-12-05 新灯源科技有限公司 具倒装发光二极管的发光装置制造方法
US20060131601A1 (en) * 2004-12-21 2006-06-22 Ouderkirk Andrew J Illumination assembly and method of making same
US7296916B2 (en) * 2004-12-21 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of making same
US7285802B2 (en) * 2004-12-21 2007-10-23 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of making same
JP2006269778A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Nichia Chem Ind Ltd 光学装置
WO2008054995A2 (en) 2006-10-18 2008-05-08 Nitek, Inc. Vertical deep ultraviolet light emitting diodes
US8680551B1 (en) 2006-10-18 2014-03-25 Nitek, Inc. High power ultraviolet light sources and method of fabricating the same
JP4438842B2 (ja) * 2007-08-31 2010-03-24 セイコーエプソン株式会社 半導体発光素子のための駆動回路およびこれを用いた光源装置、照明装置、モニタ装置、画像表示装置
TWI361502B (en) * 2010-02-03 2012-04-01 Liang Meng Plastic Share Co Ltd A method of packaging led is disclosed
KR101797755B1 (ko) 2010-08-09 2017-12-12 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 발광 소자 패키지용 몸체의 제조 방법
DE102010045403A1 (de) 2010-09-15 2012-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
CN102169950A (zh) * 2011-03-02 2011-08-31 杭州慈源科技有限公司 液体散热的贴片led
CN103380502B (zh) 2011-03-24 2016-10-12 株式会社村田制作所 发光元件用基座基板以及led器件
US8436386B2 (en) 2011-06-03 2013-05-07 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices having side reflectivity and associated methods of manufacture
US20130258298A1 (en) * 2012-04-03 2013-10-03 Waitrony Optoelectronics Limited LED image projection apparatus
TWI447961B (zh) * 2012-04-16 2014-08-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體封裝體
CN103855269A (zh) * 2012-12-04 2014-06-11 东莞市正光光电科技有限公司 表面贴装led
EP3022779B1 (de) * 2013-07-19 2020-03-18 Lumileds Holding B.V. Pc-led mit optischem element und ohne substratträger
CN104425681A (zh) * 2013-09-10 2015-03-18 菱生精密工业股份有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
WO2021208264A1 (zh) * 2020-04-17 2021-10-21 宁波升谱光电股份有限公司 一种紫外led器件

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4387385A (en) * 1979-11-28 1983-06-07 U.S. Philips Corporation Display device comprising light-emissive diodes
DE19945675A1 (de) * 1998-11-05 2000-05-18 Hewlett Packard Co Oberflächenbefestigbares LED-Gehäuse
DE19918370A1 (de) * 1999-04-22 2000-11-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse
US6184544B1 (en) * 1998-01-29 2001-02-06 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with light reflective current diffusion layer

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0416465Y2 (de) * 1986-03-17 1992-04-13
JPH0287584A (ja) * 1988-09-22 1990-03-28 Nec Corp 面発光アレイ装置
JPH09153646A (ja) * 1995-09-27 1997-06-10 Toshiba Corp 光半導体装置およびその製造方法
JPH11220178A (ja) * 1998-01-30 1999-08-10 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
JP4065051B2 (ja) * 1998-04-17 2008-03-19 スタンレー電気株式会社 表面実装ｌｅｄとその製造方法
JP3428440B2 (ja) * 1998-06-19 2003-07-22 松下電器産業株式会社 半導体発光装置及びこれを備えた表示装置構造
JP3217322B2 (ja) * 1999-02-18 2001-10-09 日亜化学工業株式会社 チップ部品型発光素子
JP2000269551A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Rohm Co Ltd チップ型発光装置
JP2001168400A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Rohm Co Ltd ケース付チップ型発光装置およびその製造方法
JP4125848B2 (ja) * 1999-12-17 2008-07-30 ローム株式会社 ケース付チップ型発光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4387385A (en) * 1979-11-28 1983-06-07 U.S. Philips Corporation Display device comprising light-emissive diodes
US6184544B1 (en) * 1998-01-29 2001-02-06 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with light reflective current diffusion layer
DE19945675A1 (de) * 1998-11-05 2000-05-18 Hewlett Packard Co Oberflächenbefestigbares LED-Gehäuse
DE19918370A1 (de) * 1999-04-22 2000-11-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10305021B4 (de) * 2002-09-27 2005-10-06 United Epitaxy Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung oberflächenmontierbarer Hochleistungs-Leuchtdioden
US8450751B2 (en) 2007-04-26 2013-05-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor body and method for producing the same
US8653540B2 (en) 2007-04-26 2014-02-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor body and method for producing the same
DE102008016534A1 (de) * 2008-03-31 2009-10-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements
DE112011101305B4 (de) 2010-04-15 2022-08-25 Paul Voinea Lichtleitsystem, Verfahren zur Herstellung eines Lichtleitsystems und Anwendung eines Lichtleitsystems
JP2018022930A (ja) * 2010-11-19 2018-02-08 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 発光デバイス及びその製造方法
DE102013202551A1 (de) 2013-02-18 2014-08-21 Heraeus Materials Technologies GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit einer Kavität
DE102015112280A1 (de) * 2015-07-28 2017-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement mit einem metallischen Träger und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen
US10665758B2 (en) 2015-07-28 2020-05-26 Osram Oled Gmbh Component having a metal carrier and method for producing components

Also Published As

Publication number Publication date
DE10159695B4 (de) 2006-03-30
US20030057421A1 (en) 2003-03-27
JP2003197972A (ja) 2003-07-11
GB2383681A (en) 2003-07-02
GB2383681B (en) 2006-07-26
GB0131089D0 (en) 2002-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10159695A1 (de) Einen hohen Lichtstrom emittierende Diode mit einer Licht emittierenden Diode vom Flip-Chip-Typ mit einem transparenten Substrat
DE102004052902B4 (de) Aufbau zur Unterbringung eines lichtemittierenden Elements, lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
DE102004036157B4 (de) Elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement und Leuchtmodul
DE69702929T2 (de) Licht-emittierende vorrichtung und anzeigevorrichtung
KR100891810B1 (ko) 백색 발광 소자
US8814406B2 (en) Optoelectronic headlight, method for production of an optoelectronic headlight and a luminescence diode chip
DE102005008775B4 (de) Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungs-Vorrichtung
KR100867970B1 (ko) 발광 장치 및 그것을 이용한 조명 기구 또는 액정표시장치
DE102006000476A1 (de) Lichtemissionsvorrichtung
EP2258000B1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils
DE102005013802A1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
DE102005028176A1 (de) Leuchtdiode
DE102007021042A1 (de) Leuchtdiodenmodul für Lichtquellenreihe
DE112020005745T5 (de) Leuchtvorrichtung, leuchtmodul, verfahren zum herstellen einerleuchtvorrichtung und verfahren zum herstellen eines leuchtmoduls
EP1854153B1 (de) Lichtemittierende diodenanordnung (led-array)
DE102006038099A1 (de) Licht emittierende Vorrichtung
DE202006015980U1 (de) LED-Signalleuchte mit Wärmeableitanordnung
WO2009152908A2 (de) Leuchtchip und leuchtvorrichtung mit einem solchen
US9865571B2 (en) Light emitting diode lighting module
US7053421B2 (en) Light-emitting diode
DE102004004779B4 (de) Leuchtdioden-Beleuchtungsmodul mit optischer Einrichtung zur Strahlformung
DE19963264A1 (de) Trägermaterial für ein elektronisches Hochleistungs-Bauelement und ein damit hergestelltes Bauelement
DE102016115760A1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung, Beleuchtungsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen der lichtemittierenden Vorrichtung
DE102004031685A1 (de) Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement und optoelektronisches Bauelement
DE20304268U1 (de) Substrat für Leuchtdiodenchips

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: ZEITLER, VOLPERT, KANDLBINDER, 80539 MUENCHEN

8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: TER MEER STEINMEISTER & PARTNER GBR PATENTANWAELTE,

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: EPISTAR CORP., HSINCHU, TW

8363 Opposition against the patent
R037 Decision of examining division or of federal patent court revoking patent now final
R107 Publication of grant of european patent cancelled

Effective date: 20121025