DE10116875A1 - Verfahren zur Herstellung eines integrierten ferroelektrischen Speichers - Google Patents

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines integrierten ferroelektrischen Speichers nach dem Stack-Zellen-Prinzip, wobei Transistoren auf einem Wafer gebildet, anschließend ein erstes Zwischenoxid (2) abgeschieden und auf diesem ersten Zwischenoxid die ferroelektrischen Kondensatormodule (1) hergestellt werden, die mit ihrer unteren Elektrode (4) durch einen darunterliegenden elektrisch leitenden Plug (8) mit einer entsprechenden Transistorelektrode eines Auswahltransistors verbunden sind, wobei die ferroelektrischen Kondensatormodule (1) ganzflächig hergestellt und hernach in einem Schritt strukturiert werden, und dass danach über den strukturierten ferroelektrischen Kondensatoren (1) eine Wasserstoffdiffusionsbarriere (10) abgeschieden wird.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines integrierten ferroelektrischen Speichers nach dem Stack-Zel­ len-Prinzip, wobei Transistoren auf einem Wafer gebildet, anschließend ein erstes Zwischenoxid abgeschieden und auf diesem ersten Zwischenoxid die ferroelektrischen Kondensa­ tormodule hergestellt werden, die mit ihrer unteren Elektro­ de durch einen darunterliegenden elektrisch leitenden Plug mit einer entsprechenden Transistorelektrode eines Auswahl­ transistors verbunden sind.

Sowohl beim Stackprinzip als auch beim Offsetzellenprinzip sind zur Herstellung von ferroelektrischen Speicherzellen Prozessschritte notwendig, um die untere und obere Kondensa­ torelektrode zu strukturieren. Die Strukturierung der auch in der Mikroelektronik neuen Elektrodenmaterialien, wie zum Beispiel Platin für hochintegrierte Speicherbausteine er­ folgt mit Plasmaprozessen vorwiegend unter Verwendung einer Fotoresistmaske. Der Materialabtrag in den nicht maskierten Gebieten auf der Scheibe erfolgt durch Sputterabtrag unter Beschuss mit Chlor- und Argonionen. Um feinste Strukturen maßhaltig realisieren zu können, ist es erforderlich, die Struktur der Lackmaske ohne Änderungen der kritischer. Abmes­ sungen (CD = Critical Dimension) auf die zu strukturierende Platinschicht zu übertragen. Der Sputterangriff der Ionen führt jedoch vor allem mit reaktiven Gasen zu einer Facet­ tierung, das heißt Abschrägung der Lackmaske und damit zu einer entsprechenden Facettierung beim Strukturübertrag ins Platin. Diese Facettierung beschränkt die bei der Platin­ strukturierung kleinsten erzielbaren Strukturgrößen. Aus der Literatur ist bekannt, dass reine Chlorplasmen die stärkste Facettierung verursachen.

Mit zunehmendem Argonanteil im Chlor-Argon-Gasgemisch steigt dagegen der Flankenwinkel, d. h. die Flankensteilheit der er­ haltenen Platinstrukturen an. Die Verwendung von reinem Edelgas als Prozessgas führt beim Plasmaätzen zu praktisch keiner Facettierung der Lackmaske. Als Konsequenz bilden die erhaltene Ätzkante und die Redepositionen (Fences) den best­ möglichen Winkel (< 80°) und man findet nur eine minimale Aufweitung. Strukturiert man Sauerstoffbarriere, untere Elektrode, Ferroelektrikum und obere Elektrode in einem Schritt (One Step Etch), so bilden sich hohe Fences.

Um eine Oxidation des aus Polysilizium oder Wolfram beste­ henden Plugs zu verhindern, wird zwischen dem Plug und der unteren Kondensatorelektrode eine Sauerstoffbarriere gebil­ det. Bisherige Versuche haben gezeigt, dass bei stufenweiser Strukturierung des Kondensatormoduls, das heißt einer Struk­ turierung von unterer Elektrode, Sauerstoffbarriere, Ferroe­ lektrikum und oberer Elektrode des Kondensators in verschie­ denen Schritten, die Sauerstoffbarriere von der Seite her bei einem Sauerstoffanneal (Temperung in Sauerstoffatmosphä­ re) aufoxidiert wird und damit die elektrische Verbindung der unteren Kondensatorelektrode mit dem Plug zerstört wird. Weitere Versuche haben gezeigt, dass eine entsprechende planare, unstrukturierte Sauerstoffbarriere im oben erwähn­ ten Temperungsvorgang in Sauerstoffatmosphäre widersteht. Wie sich weiter gezeigt hat, ist der Überlapp der unteren Kondensatorelektrode über die darunterliegende Sauerstoff­ barriere von großer Bedeutung. Je größer dieser Überlapp ist, desto geringer wird die Sauerstoffbarriere von cer Sei­ te her oxidiert und desto mehr Kondensatoren funktionieren. Aus der Literatur, Technical Digest IEDM, 609 (1997), Tech­ nical Digest IEDM, 801 (1999) und Technical Digest IEDM, 617 (1997) ist es bekannt, den ganzen Kondensator in nur einem Ätzschritt herzustellen. Alle Abscheidungen und Temperungen, die zur Herstellung des ferroelektrischen Kondensators benötigt werden, werden auf ganzflächigen Schichten ausgeführt, wobei sich in diesem Fall ein maximaler Überlapp zwischen unterer Kondensatorelektrode und Sauerstoffbarriere ein­ stellt.

Aus von den Erfindern durchgeführten Experimenten und aus der Literatur ist bekannt, dass Prozesse, in denen Wasser­ stoff frei wird oder verwendet wird, zu einer Degradation des Ferroelektrikums führen, so zum Beispiel bei Abscheidun­ gen von CVD- und PECVD-Oxiden, Wolfram-CVD oder Formiergas- Temperung. Um eine derartige Degradation des Ferroelektri­ kums zu vermeiden, werden Wasserstoffdiffusionsbarrieren (engl.: EBL = Encapsulation Barrier Layer) eingesetzt.

Nur wenige Hersteller strukturieren die Sauerstoffbarriere, die untere Kondensatorelektrode, das Ferroelektrikum und die obere Kondensatorelektrode in einem Schritt (OSSI = One Step Etch Stack Integration). Nach dieser einschrittigen Struktu­ rierung wird üblicherweise die obere Kondensatorelektrode mit einer Wolfram/Aluminium-Metallisierung angeschlossen.

Alle zur Zeit kommerziell erwerblichen Produkte mit ferroe­ lektrischen Schichten sind nach dem Offset-Zellen-Prinzip aufgebaut und haben eine Integrationsdichte von nur wenigen Kilobyte bis hin zu einem Megabyte. Die Integration von nach dem Stackprinzip aufgebauten ferroelektrischen Speicherzel­ len, die zum Beispiel mit dem OSSI-Prinzip in einer Argonat­ mosphäre hergestellt und mit einer schützenden Wasserstoff­ barriere versehen sind, ist noch nicht bekannt.

Es ist deshalb Aufgabe der Erfindung, ein gattungsgemäßes Herstellungsverfahren für integrierte ferroelektrische Halb­ leiterspeicher anzugeben, das die Vorteile einer einschrit­ tigen Strukturierung der Kondensatormodule (OSSI-Strukturie­ rung) mit einer prozesstechnisch günstigen und hinsichtlich ihrer Wasserstoffdiffusionsbarriereeigenschaften sicheren Integration einer derartigen EBL-Schicht verbindet.

Diese Aufgabe wird anspruchsgemäß gelöst.

Dadurch, dass erfindungsgemäß die Kondensatormodule mit ih­ rer unteren und oberen Elektrode und dem dazwischenliegenden Ferroelektrikum ganzflächig hergestellt und hernach in einem Schritt strukturiert werden und danach über den strukturier­ ten ferroelektrischen Kondensatoren ganzflächig eine Wasser­ stoffdiffusionsbarriere abgeschieden wird, wird eine pro­ zesstechnisch einfache und hinsichtlich ihrer Wasserstoff­ diffusionsbarriereeigenschaften sichere Wasserstoffdiffusi­ onsbarriereschicht in den Herstellungsprozess integriert. Die oben genannte Integrationsmöglichkeit der EBL über einem ferroelektrischen Kondensatormodul läßt sich bei verschiede­ nen Prozessvarianten der Kondensatorstrukturierung anwenden, so zum Beispiel bei OSSI-Strukturierung mit Argon oder bei Hot-OSSI-Methode, das heißt eine Hard-Maskenätzung mit hei­ ßer Kathode, bei der keine Fences entstehen.

Falls eine Sauerstoffbarriere zwischen der unteren Kondensa­ torelektrode und dem Plug aufgebracht wird, kann die ein­ schrittige Strukturierung der ferroelektrischen Kondensator­ module bewirken, dass die untere Kondensatorelektrode die Sauerstoffbarriere gleichmäßig überlappt.

Die erfindungsgemäße Wasserstoffdiffusionsbarriere (EBL) be­ steht aus mindestens einer Schicht, die zum Beispiel aus nichtleitendem Material besteht. Die Wasserstoffdiffusions­ barriere kann jedoch auch aus mehreren Schichten bestehen. Wenn für die Wasserstoffdiffusionsbarriere ein leitendes Ma­ terial gewählt wird, muss, wenn sie direkt über dem struktu­ rierten Kondensatormodul abgeschieden wird unter der leiten­ den Schicht der Wasserstoffdiffusionsbarriere eine dielek­ trische Schicht abgeschieden werden, um einen Kurzschluss zwischen der oberen und der unteren Kondensatorelektrode zu verhindern.

Das hier beschriebene Verfahren zeigt zwei Ausführungsbei­ spiele auf. Im ersten Ausführungsbeispiel wird nach der Strukturierung des Kondensatormoduls direkt über dem Konden­ sator eine nicht leitfähige Wasserstoffdiffusionsbarriere abgeschieden und darauf ein zum Beispiel aus Siliziumoxid bestehendes Zwischenoxid aufgebracht (zweite Zwischenoxid­ schicht). Dieses Schichtsystem wird dann mit Stopp auf Pla­ tin (das Material der oberen Kondensatorelektrode) herunter­ poliert, so dass die obere Kondensatorelektrode freiliegt.

Es besteht auch die Möglichkeit, nur bis zur Wasserstoffdif­ fusionsbarriere herunter zu polieren und anschließend mit Hilfe einer Lithoebene und einer Ätzstrukturierung den An­ schluss zur oberen Kondensatorelektrode zu öffnen. Nun kann eine aus Platin bestehende Common Plate abgeschieden werden und anschließend ein Post-Anneal (PoA) zur Konditionierung der Wasserstoffdiffusionsbarriere durchgeführt werden. Der Post-Anneal kann aber auch vor Abscheidung der Common Plate durchgeführt werde. Dadurch wird die Verwendung anderer Ma­ terialien für die Common Plate ermöglicht, die einem Sauer­ stoffanneal bei 500 bis 800°C nicht standhalten und dabei gleichzeitig für den Sauerstoff durchlässig sind. Beispiele für geeignete Materialien für die Common Plate sind dann A1, Cu, Ti, TiON, TaSiN, und andere Materialien. Vorteilhaft ist die Verwendung von Ti, TiON, TaSiN, da diese selbst Barrie­ reeigenschaften gegenüber Wasserstoff aufweisen.

Wenn somit für die Common Plate ein als Wasserstoffdiffusi­ onsbarriere wirkendes Material gewählt wird, kann bei einem zweiten Ausführungsbeispiel auf die Abscheidung einer Was­ serstoffdiffusionsbarriere direkt über dem Kondensatormodul verzichtet und statt dessen dort nur die Common Plate als Wasserstoffdiffusionsbarriere dienen. Dabei sollte jedoch die Common Plate möglichst großflächig sein, um bestmögliche Abschirmung gegenüber Wasserstoff zu gewährleisten.

Weiterhin kann, wenn die Common Plate selbst nicht an einem als Wasserstoffdiffusionsbarriere bestehenden Material be­ steht oder kleinflächig ist, auf der Common Plate eine Was­ serstoffdiffusionsbarriereschicht aufgebracht werden. Dafür können sowohl leitfähige als auch nicht leitfähige Materia­ lien zum Einsatz kommen.

Im Falle, dass über der Common Plate eine nicht leitfähige Wasserstoffdiffusionsbarriereschicht gebildet wird, muss letztere mit durchgeätzt werden, wenn das Via zwischen Com­ mon Plate und der nachfolgenden Metallisierungsebene geätzt wird. Im Falle einer leitfähigen Wasserstoffdiffusionsbar­ riereschicht ist dies nicht erforderlich, jedoch eine Unter­ brechung dieser Wasserstoffdiffusionsbarriereschicht außer­ halb des Zellenfeldes, um Kurzschlüsse in der Peripherie zu vermeiden.

Das erfindungsgemäße Verfahren wird in zwei prinzipiellen Ausführungsbeispielen Bezug nehmend auf die beiliegende Zeichnung näher erläutert.

Fig. 1 zeigt in einer schematischen Schnittdarstellung ein erstes Ausführungsbeispiel einer OSSI-Struk­ turierung eines ferroelektrischen Kondensators mit einer direkt darüber abgeschiedenen dielek­ trischen Wasserstoffdiffusionsbarriereschicht und

Fig. 2 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel eines er­ findungsgemäßen Herstellungsverfahrens, bei dem eine Wasserstoffdiffusionsbarriereschicht über einer Common Plate gebildet wird, welche zur Kon­ taktierung der oberen Kondensatorelektrode mit einer (nicht gezeigten) Metallisierungsebene auf­ gebracht wurde.

Erstes Ausführungsbeispiel

Gemäß Fig. 1 wird nach der nach dem OSSI-Prinzip erfolgten einschrittigen Strukturierung eines ferroelektrischen Kon­ densatormoduls 1 direkt über dem Kondensator 1 eine nicht­ leitfähige Wasserstoffdiffusionsbarriere 10 abgeschieden. Diese Wasserstoffdiffusionsbarriere (oder EBL) kann aus ei­ ner Schicht oder mehreren Schichten bestehen. Über der Was­ serstoffdiffusionsbarriere 10 wird dann ein zum Beispiel aus Siliziumoxid bestehendes (zweites) Zwischenoxid (ZOx) 3 auf­ gebracht. Dieses Schichtsystem wird dann mit Stopp auf Pla­ tin herunterpoliert, so dass die obere aus Platin bestehende Elektrode des Kondensatormoduls 1 freiliegt. Es ist zu er­ wähnen, dass das ferroelektrische Kondensatormodul 1 aus der oberen Kondensatorelektrode 6, dem Ferroelektrikum 5 und der unteren Kondensatorelektrode 4 besteht. Zwischen einem dar­ unter liegenden Polysiliziumplug 8, der zur elektrischen Verbindung der unteren Kondensatorelektrode 4 mit einer (nicht gezeigten) Elektrode eines Auswahltransistors durch eine erste Zwischenoxidschicht 2 aus SiOx führt, und der un­ teren Kondensatorelektrode 4 liegt eine Sauerstoffdiffusi­ onsbarriere 7. Vom Auswahltransistor ist eine Gateelektrode G dargestellt. Bei der OSSI-Ätzung gelingt es nicht, einen Überlapp der unteren Kondensatorelektrode 4 über der Sauer­ stoffdiffusionsbarriere 7 bei jedem Kondensator zu erzeugen. Jedoch ist dadurch, daß die O₂-Temperung stattfindet, bevor die Kondensatoren mit OSSI-Ätzung strukturiert werden, der Overlap noch maximal, nämlich so groß wie der Wafer.

Alternativ zum Herunterpolieren des aus dem zweiten Zwi­ schenoxid 3 und der Wasserstoffdiffusionsbarriere 10 beste­ henden Schichtsystems mit Stopp auf der aus Edelmetall, z. B. Platin bestehenden oberen Kondensatorelektrode 6 (siehe die Pfeile P), besteht alternativ auch die Möglichkeit, nur bis auf die Wasserstoffdiffusionsbarriere herunterzupolieren und anschließend mit Hilfe einer Lithoebene und einer Ätzung den Anschluss zur oberen Kondensatorelektrode 6 zu öffnen. Es muss erwähnt werden, dass das Edelmetall Platin nur bei­ spielhaft für ein Edelmetall/Metalloxid angeführt ist. Es gibt alternative Methoden, bei denen die Elektroden z. B. aus IrOx bestehen.

Nun kann eine z. B. aus Platin bestehende (nicht gezeigte) Common Plate abgeschieden werden und anschließend ein Post- Anneal (PoA) zur Konditionierung der Wasserstoffdiffusions­ barriere 10 durchgeführt werden.

Allerdings kann der Post-Anneal (PoA) auch vor der Abschei­ dung der Common Plate durchgeführt werden. Dadurch lassen sich für die Common Plate andere Materialien verwendan, die keinem Sauerstoffanneal bei 500 bis 800°C standhalten und dabei gleichzeitig für diesen durchlässig sind. Beispiele für derartige Materialien sind A1, Cu, Ti, TiON, TaSiN, wo­ bei von Vorteil die Verwendung von Ti, TiON, TaSiN ist, da diese selbst Barriereeigenschaften gegenüber Wasserstoff aufweisen.

In Fig. 2 ist in einer ähnlichen Schnittdarstellung wie in Fig. 1 ein zweites prinzipielles Ausführungsbeispiel eines mit dem erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren gebildeten ferroelektrischen Kondensators veranschaulicht. Wieder ist eine ferroelektrische Speicherzelle nach dem Stackprinzip hergestellt worden, wobei (nicht gezeigte) auf einem Wafer gebildete Transistoren von einer SiOx Schicht 2 bedeckt sind. Eine über einer (nicht gezeigten) Transistorelektrode liegende untere Kondensatorelektrode 4 eines nach dem OSSI- Prinzip in einem Schritt strukturierten ferroelektrischen Kondensatormoduls 1 steht über eine elektrisch leitende Sauerstoffbarriere durch einen leitenden Polysiliziumplug 8 mit der genannten Transistorelektrode in Verbindung.

Bei dem in Fig. 2 gezeigten Ausführungsbeispiel ist auf die Abscheidung einer Wasserstoffdiffusionsbarriere direkt über dem Kondensatormodul 1 verzichtet worden. Statt dessen ist eine Wasserstoffdiffusionsbarriere EBL 10 auf der Common Plate 11 aufgebracht. Dabei können für die Wasserstoffdiffu­ sionsbarriere 10 sowohl leitfähige als auch nicht leitfähige Materialien verwendet werden. Im Falle einer nicht leitfähi­ gen Wasserstoffdiffusionsbarriereschicht 10 muss diese zu­ sammen mit einer dieselbe bedeckenden (dritten) Zwi­ schenoxidschicht 12 durchgeätzt werden, wenn das Via 13 zur Herstellung einer leitenden Verbindung zwischen der Common Plate 11 und einer (nicht gezeigten) Metallisierungsebene hergestellt wird. Im Falle einer leitfähigen Wasserstoffdif­ fusionsbarriereschicht 10 ist diese Ätzung nicht erforder­ lich, jedoch muss die Wasserstoffdiffusionsbarriereschicht 10 dann außerhalb des Zellenfeldes unterbrochen werden, um Kurzschlüsse in der Peripherie zu vermeiden.

Wenn bei einer ähnlich wie in Fig. 2 aufgebauten Variante, bei der die Common Plate selbst eine Wasserstoffdiffusions­ barriere bildet, auf die Abscheidung einer zusätzlichen Was­ serstoffdiffusionsbarriere 10 verzichtet wird, sollte die Common Plate 11 möglichst großflächig sein, um bestmögliche Abschirmung gegenüber Wasserstoff zu gewährleisten.

Bezugszeichenliste

1

ferroelektrisches Kondensatormodul

2

erste Zwischenoxidschicht

3

zweite Zwischenoxidschicht

4

untere Kondensatorelektrode

5

Ferroelektrikum

6

obere Kondensatorelektrode

7

Sauerstoffbarriere

8

Polyplug

10

Wasserstoffdiffusionsbarriereschicht

11

Common Plate

12

dritte Zwischenoxidschicht

13

Via
P Polierschritt
G Gateelektrode

Claims (12)

1. Verfahren zur Herstellung eines integrierten ferroelek­ trischen Speichers nach dem Stack-Zellen-Prinzip, wobei Transistoren auf einem Wafer gebildet, anschließend ein er­ stes Zwischenoxid (2) abgeschieden und auf diesem ersten Zwischenoxid die ferroelektrischen Kondensatormodule (1) hergestellt werden, die mit ihrer unteren Elektrode (4) durch einen darunterliegenden elektrisch leitenden Plug (8) mit einer entsprechenden Transistorelektrode eines Auswahl­ transistors verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass die ferroelektrischen Kondensatormodule (1) ganzflächig hergestellt und hernach in einem Schritt strukturiert wer­ den, und dass danach über den strukturierten ferroelektri­ schen Kondensatoren (1) eine Wasserstoffdiffusionsbarriere (10) abgeschieden wird.

2. Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass weiterhin eine zwischen der unteren Kondensatorelektro­ de (4) und dem Plug (8) liegende Sauerstoffbarriere (7) bei der Strukturierung der ferroelektrischen Kondensatoren ge­ bildet wird.

3. Herstellungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Wasserstoffdiffusionsbarriere (10) aus mindestens einer Schicht eines nichtleitenden Materials gebildet wird.

4. Herstellungsverfahren nach einem der vorangehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet,
dass die Wasserstoffdiffusionsbarriere (10) vor der Abschei­ dung einer die oberen Kondensatorelektroden (6) verbindenden elektrisch leitenden Common Plate (11) so gebildet wird,
dass die Wasserstoffdiffusionsbarriere (10) unmittelbar die obere Elektrode (6) und die Seitenflächen der strukturierten Kondensatormodule und das erste Zwischenoxid (2) bedeckt und dass eine zweite Zwischenoxidschicht (3) über der Wasser­ stoffdiffusionsbarriere (10) abgeschieden wird.

5. Herstellungsverfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Zwischenoxidschicht (3) und die Wasserstoff­ diffusionsbarriere (10) anschließend bis zur oberen konden­ satorelektrode (6) herunterpoliert werden, um die obere Kon­ densatorelektrode (6) freizulegen.

6. Herstellungsverfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Zwischenoxidschicht (3) bis zur Wasserstoff­ diffusionsbarriere (10) herunterpoliert wird und die Wasser­ stoffdiffusionsbarriere mit einer Lithoebene und anschlie­ ßender Ätzung über der oberen Kondensatorelektrode (6) ge­ öffnet wird.

7. Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass anschließend die die obere Kondensatorelektrode (6) kontaktierende Common Plate über der oberen Kondensatorelek­ trode und dem zweiten Zwischenoxid (3) abgeschieden wird.

8. Herstellungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine die ferroelektrischen Kondensatormodule (1) bedec­ kende zweite Zwischenoxidschicht (3) aufgebracht und an­ schließend bis zur oberen Kondensatorelektrode (6) herunter­ poliert wird und dass darüber eine die freigelegte obere Kondensatorelektrode (6) überdeckende und elektrisch kontak­ tierende Common Plate (11) gebildet wird.

9. Herstellungsverfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Common Plate (11) allseitig über die seitliche Be­ grenzung der oberen Kondensatorelektrode (6) hinaussteht und selbst eine Wasserstoffdiffusionsbarriere bildet, indem sie aus einem als Barriere gegen Wasserstoffdiffusion wirkenden leitenden Material besteht.

10. Herstellungsverfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Common Plate (11) aus Ti oder TiON oder TaSiON be­ steht.

11. Herstellungsverfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Wasserstoffdiffusionsbarriere (10) ganzflächig über der Common Plate (11) und der zweiten Zwischenoxid gebildet wird.

12. Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass ganzflächig über der Wasserstoffdiffusionsbarriere (10) eine dritte Zwischenoxidschicht (12) abgeschieden und eine Öffnung (13) durch die dritte Zwischenoxidschicht (12) und die Wasserstoffdiffusionsbarriere (10) zur Herstellung einer elektrischen Kontaktierung der Common Plate (11) mit einer über der dritten Zwischenoxidschicht zu bildenden Metalli­ sierung gebildet wird.