DE10109327A1

DE10109327A1 - Halbleiterchip und Herstellungsverfahren für ein Gehäuse

Info

Publication number: DE10109327A1
Application number: DE10109327A
Authority: DE
Inventors: Hans Mensch; Thomas Spoettl
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2001-02-27
Filing date: 2001-02-27
Publication date: 2002-09-12
Also published as: EP1364399A1; JP2004521497A; WO2002069386A1; US20040159961A1; IL157598A0; US6876090B2

Abstract

Es wird eine selektive Umhüllung hergestellt, die die Anschlusskontaktflächen (3, 4) und Bonddrähte (5) mit einer Vergussmasse (8) bedeckt und aktive Bereiche, insbesondere eine Auflagefläche (6) für einen Finger bei einem Fingerabdrucksensor frei lässt, indem die Chipoberfläche selektiv durch unterschiedliche Rauhigkeit oder Beschichtung angepasst wird und/oder durch eine Bestrahlung der Vergussmasse deren Viskosität verändert wird.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Halbleiterchip, der dafür vorgesehen ist, nach einer Montage auf einem Chipträger partiell mit einer als Gehäuse bezeichneten Umhüllung der An schlusskontaktflächen und/oder der Bonddrähte versehen zu werden, wobei bestimmte aktive Bereiche der Oberseite frei bleiben, sowie ein Herstellungsverfahren für ein solches Ge häuse.

Die aktiven Schaltungen von Halbleiterchips werden üblicher weise über die als Bondpads bezeichneten Anschlusskontaktflä chen mit einem Chipträger verbunden, auf dem der Halbleiter chip montiert wird. Gängige Anschlussverfahren sind z. B. Drahtkontaktierung (wire bonding), bei dem die Anschlusskon taktflächen des Halbleiterchips und die Anschlusskontaktflä chen des Chipträgers paarweise durch aufgelötete Drähte mit einander verbunden werden, und Flip-Chip-Bonding, bei dem die oberseitigen Kontakte des Halbleiterchips direkt auf zugeord neten Kontaktflächen des Chipträgers angebracht werden.

Diese Verbindungen sind normalerweise elektrisch ausreichend gut, aber mechanisch nicht ausreichend stabil. Aus diesem Grund wird üblicherweise ein mechanischer Schutz des Halblei terchips, insbesondere für die elektrischen Anschlüsse, vor gesehen. Daher wird der Halbleiterchip zumeist durch Ein spritzen in eine Vergussmasse oder Abdecken mit einer Umhüll masse in ein so genanntes Gehäuse eingeschlossen. Dabei wer den alle Verbindungen zwischen dem Chip und dem Chipträger und mindestens der gesamte aktive Bereich des Chips umhüllt.

Falls bestimmte aktive Bereiche des Halbleiterchips aus Grün den der Funktionsweise nicht umhüllt werden dürfen, z. B. die Auflagefläche für einen Finger bei einem Fingerabdrucksensor, kann das Gehäuse auf die übrigen Bereiche der Oberseite des Halbleiterchips begrenzt werden. Da sich die Bondpads in der Regel nahe bei den aktiven Bereichen auf den Chips befinden und die Bondpads in jedem Fall umhüllt werden müssen, ist ein Einschluss des Chips in ein Gehäuse erforderlich, bei dem na he benachbarte Bereiche der Oberseite des Chips teils frei gelassen und teils von dem Gehäuse umhüllt werden.

Das kann dadurch geschehen, dass auf dem mit dem Chip verse henen Chipträger eine Barriere zwischen denjenigen Anteilen der Oberseite des Chips, die abgedeckt werden sollen, und den übrigen Anteilen der Oberseite des Chips, die frei bleiben sollen, angebracht wird. Diese Barriere verhindert beim Auf bringen der Vergussmasse oder Umhüllmasse auf die Bondpads und Drahtverbindungen, dass die Vergussmasse oder Umhüllmasse in diejenigen aktiven Chipbereiche verfließt, die frei blei ben sollen. Die Barriere kann anschließend entfernt werden. Das zusätzliche Anbringen einer derartigen Barriere erfordert aber Mehraufwand und somit Mehrkosten; in besonderen Fällen kann eine selektive Umhüllung des Halbleiterchips damit nur schwer oder gar nicht realisiert werden.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine verbesserte Möglichkeit für eine selektive Umhüllung eines Halbleiter chips anzugeben.

Diese Aufgabe wird mit dem Halbleiterchip mit den Merkmalen des Anspruches 1 bzw. mit dem Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für einen Halbleiterchip mit den Merkmalen des An spruches 8 gelöst. Ausgestaltungen ergeben sich aus den ab hängigen Ansprüchen.

Erfindungsgemäß wird die selektive Umhüllung durch einen in besonderer Weise ausgebildeten Halbleiterchip mit einer se lektiv angepassten Oberfläche erreicht oder durch ein Verfah ren zum Aufbringen der Vergussmasse oder Umhüllmasse, bei dem ein Verfließen der Vergussmasse oder Umhüllmasse auf die frei zu lassenden Anteile der Chipoberfläche verhindert wird.

Ein erfindungsgemäßer Halbleiterchip besitzt einen ersten An teil der Oberseite, der dafür vorgesehen ist, von einer Ver gussmasse oder Umhüllmasse eines Gehäuses bedeckt zu werden, und einen zweiten Anteil der Oberseite, der dafür vorgesehen ist, von der Vergussmasse oder Umhüllmasse frei zu bleiben. Die Oberfläche des Halbleiterchips in dem ersten Anteil und in dem zweiten Anteil der Oberseite sind so voneinander un terschieden, dass ein Aufbringen der Vergussmasse oder Um hüllmasse ausschließlich auf den ersten Anteil begünstigt wird. Die Anteile können durch eine flächige selektive Anpas sung der jeweiligen Oberflächen an die unterschiedlichen An forderungen voneinander unterschieden sein oder durch eine strukturelle Begrenzung mittels einer auf der Oberfläche des Halbleiterchips ausgebildeten Barriere.

Eine selektive Anpassung der Chipoberfläche kann dadurch be wirkt sein, dass durch unterschiedliche Materialien und/oder Strukturen an der Chipoberfläche in dem von der Vergussmasse oder Umhüllmasse zu bedeckenden Anteil und dem frei zu las senden Anteil der Oberseite des Halbleiterchips unterschied lich gute Benetzbarkeit oder unterschiedliche Haftungseigen schaften der verwendeten Vergussmasse oder Umhüllmasse er reicht werden. Damit kann ein Verfließen der Vergussmasse oder Umhüllmasse auf einen Teil der Oberfläche des Halblei terchips begrenzt werden. Die andere genannte Möglichkeit ei ner Unterscheidung der Anteile der Chipoberfläche durch eine strukturelle Begrenzung besteht in der Abgrenzung des mit dem Gehäuse abzudeckenden Bereichs der Oberseite des Chips mit tels einer direkt auf der Chipoberfläche strukturierten Bar riere, die insbesondere als Damm oder Graben ausgebildet ist.

Zusätzlich oder anstelle der selektiven Anpassung oder struk turellen Begrenzung der Anteile der Oberfläche des Halblei terchips kann bei der Herstellung des Gehäuses nach dem er findungsgemäßen Verfahren mittels einer bereichsweisen und/oder zeitweisen Bestrahlung zumindest bereichsweise und/oder zumindest kurzzeitig die Viskosität (Zähigkeit) der Vergussmasse oder Umhüllmasse erhöht werden und/oder die Ad häsion (Haftung) der Vergussmasse oder Umhüllmasse vermindert werden, um die Ausbreitung der Vergussmasse oder Umhüllmasse zu steuern und so das Verfließen der Vergussmasse oder Um hüllmasse auf den frei zu lassenden Anteil der Oberseite des Halbleiterchips zu verhindern.

Es ist auch möglich, eine Vergussmasse oder Umhüllmasse zu verwenden, die ein Mehrkomponentensystem enthält, in dem durch bereichsweise und/oder zeitweise Bestrahlung eine che mische Reaktion ausgelöst und/oder unterhalten werden kann, mit der die Viskosität der Vergussmasse oder Umhüllmasse er höht wird und/oder die Adhäsion (Haftung) der Vergussmasse oder Umhüllmasse auf der Oberfläche des Halbleiterchips ver mindert wird, um die Ausbreitung der Vergussmasse oder Um hüllmasse zu steuern und so das Verfließen der Vergussmasse oder Umhüllmasse auf den frei zu lassenden Anteil der Ober seite des Halbleiterchips zu verhindern.

Statt dessen oder zusätzlich hierzu kann auf dem Anteil der Oberseite des Halbleiterchips, der frei zu lassen ist, ein Material auf die Oberfläche des Halbleiterchips aufgebracht werden, das eine chemische Reaktion mit der Vergussmasse oder Umhüllmasse eingeht oder eine chemische Reaktion der Verguss masse oder Umhüllmasse mit einem weiteren aufgebrachten Mate rial auslöst oder begünstigt. Durch eine solche chemische Re aktion kann ein Verfließen der Vergussmasse oder Umhüllmasse auf dem betreffenden Anteil der Oberseite des Halbleiterchips ,gestoppt oder zumindest erschwert werden oder ein Anhaften der Vergussmasse oder Umhüllmasse auf der Oberfläche des Halbleiterchips auf diesem Anteil der Oberseite des Halblei terchips verhindert werden. Auch hierdurch kann somit die Ausbreitung der Vergussmasse oder Umhüllmasse gesteuert und so das Verfließen der Vergussmasse oder Umhüllmasse auf den frei zu lassenden Anteil der Oberseite des Halbleiterchips verhindert werden.

Es folgt eine genauere Beschreibung von Ausführungsbeispielen des erfindungsgemäßen Halbleiterchips und des Herstellungs verfahrens für ein selektiv umhüllendes Gehäuse anhand der beigefügten Figur.

In der Figur ist im Schema ein Halbleiterchip 1 mit einer in tegrierten Schaltung eingezeichnet, der auf einem Träger 2 montiert ist. Der Halbleiterchip besitzt Anschlusskontaktflä chen 3 (Bondpads), die mit Anschlusskontaktflächen 4 auf dem Träger 2 über Bonddrähte 5 elektrisch leitend verbunden sind. Die Anschlusskontaktflächen und Bonddrähte sollen mechanisch geschützt werden, was hier mit einer geeigneten Abdeckung aus einer Vergussmasse oder Umhüllmasse geschieht.

Auf dem Halbleiterchip 1 befindet sich jedoch ein aktiver Be reich, der nicht abgedeckt werden darf, weil er für eine Funktion des Halbleiterchips von außen zugänglich sein muss. Das ist in dem in der Figur dargestellten Beispiel eine Auf lagefläche 6 für einen Finger, die von einem Damm 7 umrandet ist. Diese Auflagefläche 6 ist Teil eines Fingerabdrucksen sors, für den ein Teil der in dem Halbleiterchip integrierten Schaltung vorgesehen ist. Eine Abdeckung der Bonddrähte 5 durch eine Vergussmasse oder Umhüllmasse 8 darf daher diese Auflagefläche 6 nicht abdecken.

In der Figur ist andeutungsweise gezeigt, dass die Verguss masse oder Umhüllmasse 8 zwar die Anschlusskontaktflächen 3, 4 und die Bonddrähte 5 in einem geschützten Bereich 12 der Oberseite des Halbleiterchips 1 abdeckt und somit schützt, dass aber nicht der gesamte Halbleiterchip 1 von der Verguss masse oder Umhüllmasse 8 abgedeckt ist. Auf den Oberseiten des Halbleiterchips 1 und des Trägers 2 befinden sich daher Ränder 9, 10, 11 der aufgebrachten Vergussmasse oder Umhüll masse 8, längs deren die Grenze zwischen dem bedeckten Anteil der Oberseiten des Halbleiterchips und des Trägers und dem frei gelassenen Anteil der Oberseiten des Halbleiterchips und des Trägers verläuft. Ein auf der Oberseite des Halbleiter chips vorhandener Bereich, der in diesem Beispiel die Aufla gefläche 6 für einen Finger umfasst, ist daher frei gelassen.

Der auf der Oberseite des Halbleiterchips 1 verlaufende Rand 10 der Vergussmasse oder Umhüllmasse 8 ist daher so zwischen den Anschlusskontaktflächen 3 des Halbleiterchips und der Auflagefläche 6 angeordnet, dass die Anschlusskontaktflächen 3 einschließlich der Bonddrähte 5 in dem geschützten Bereich 12 ganz abgedeckt sind, während die Auflagefläche 6 vollstän dig frei gelassen ist. Der genaue Verlauf des auf der Ober seite des Trägers 2 vorhandenen Randes 9 der Vergussmasse oder Umhüllmasse 8 und des auf den Seiten oder Kanten des Halbleiterchips 1 vorhandenen Randes 11 der Vergussmasse oder Umhüllmasse 8 ist bei diesem Ausführungsbeispiel unerheblich.

Im Gegensatz zu dem in der Figur dargestellten Beispiel ist es erfindungsgemäß möglich, den auf der Oberseite des Halb leiterchips 1 verlaufenden Rand 10 der Vergussmasse oder Um hüllmasse 8 geradlinig auszubilden. Der Rand 10 kann insbe sondere längs der Grenze der frei zu lassenden Auflagefläche 6 verlaufen, also hier speziell längs des Dammes 7, der bei der Herstellung des Gehäuses als strukturelle Begrenzung ver wendet werden kann, die ein Verfließen der Vergussmasse oder Umhüllmasse auf die Auflagefläche 6 verhindert. Die Figur soll nur prinzipiell zeigen, dass die Oberseite des Halblei terchips 1 aufgeteilt ist in einen Anteil, der von der Ver gussmasse oder Umhüllmasse bedeckt ist, und einen Anteil, der von der Vergussmasse oder Umhüllmasse frei gelassen ist.

Die Eingrenzung der Vergussmasse oder Umhüllmasse zur selek tiven Umhüllung wird erfindungsgemäß durch eine selektive An passung der Oberfläche des Halbleiterchips, durch eine auf der Oberfläche vorgesehene strukturelle Begrenzung der unter schiedenen Anteile und/oder durch das erfindungsgemäße Her stellungsverfahren erreicht.

Bei einer selektiven Anpassung der Oberfläche des Halbleiter chips kann in dem von der Vergussmasse oder Umhüllmasse frei zu lassenden Anteil die Oberfläche erfindungsgemäß so be schaffen sein, dass ein Benetzen, Verfließen oder Anhaften der Vergussmasse oder Umhüllmasse dort verhindert oder zumin dest erschwert ist. Das wird insbesondere durch eine lokal begrenzte Beschichtung der Oberfläche des Halbleiterchips mit einem geeigneten Material oder durch eine flächige Struktu rierung, wie zum Beispiel eine Aufrauhung, der Oberfläche des Halbleiterchips in dem betreffenden Anteil der Oberseite des Halbleiterchips erreicht. Beim Aufbringen der Vergussmasse oder Umhüllmasse wird als Folge der selektiven Anpassung von selbst nur der zu bedeckende Anteil der Oberseite des Halb leiterchips abgedeckt, in dem die Oberfläche des Halbleiter chips ein Benetzen, Verfließen oder Anhaften der Vergussmasse oder Umhüllmasse begünstigt oder zumindest nicht erschwert.

Eine strukturelle Begrenzung der zu bedeckenden bzw. frei zu lassenden Anteile der Oberseite des Halbleiterchips durch ei ne auf die Oberfläche des Halbleiterchips aufgebrachte Bar riere ist beispielsweise ein Damm oder Graben. Der in der Fi gur eingezeichnete Damm 7, der in dem dargestellten Beispiel die frei zu lassende Auflagefläche 6 rings umgibt, kann er findungsgemäß dafür vorgesehen werden, das Verfließen der Vergussmasse oder Umhüllmasse zu stoppen. Der auf der Ober seite des Halbleiterchips vorhandene Rand 10 der Vergussmasse oder Umhüllmasse verläuft dann längs dieses Dammes. Statt ei nes Dammes kann ein Graben vorhanden sein, der insbesondere im Fall eines ohnehin nur mäßigen Verfließens der Verguss masse oder Umhüllmasse genügt, um einen präzise definierten Rand als Eingrenzung der Vergussmasse oder Umhüllmasse längs einer vorgesehenen Grenze des frei zu lassenden Anteils der Oberseite des Halbleiterchips zu erzeugen. Das kann zum Bei spiel der Fall sein, wenn nur eine geringe Menge der Verguss masse oder Umhüllmasse aufgetragen oder eingespritzt wird und/oder wenn die Oberfläche des Halbleiterchips erfindungs gemäß selektiv angepasst ist.

In dem Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Halbleiter chips gemäß der Figur wird durch die unterschiedliche Be schaffenheit der Oberfläche des Halbleiterchips in den unter schiedenen Anteilen erreicht, dass die Vergussmasse oder Um hüllmasse nur den einen Anteil bedeckt. Auch bei einem Aus führungsbeispiel, bei dem ein Damm oder Graben auf der Ober fläche als strukturelle Begrenzung zum Eingrenzen der Ver gussmasse oder Umhüllmasse vorgesehen ist, kann in dem frei zu lassenden Anteil der Oberseite des Halbleiterchips als zu sätzliches Mittel die Oberfläche mit einer Beschichtung aus einem Material versehen sein, das ein Benetzen oder Anhaften der Vergussmasse oder Umhüllmasse erschwert. Statt dessen oder zusätzlich kann die Oberfläche in diesem Bereich der Oberseite des Halbleiterchips aufgerauht oder in geeigneter Weise uneben gemacht sein.

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses mit selektiver Umhüllung umfasst in einer bevorzugten Ausge staltung den Verfahrensschritt, dass die Oberfläche des Halb leiterchips in dem frei zu lassenden Anteil so präpariert wird, dass beim Aufbringen der Vergussmasse oder Umhüllmasse leicht verhindert werden kann, dass dieser Anteil der Ober seite bedeckt wird. Das selektive Präparieren der betreffen den Bereiche der Oberfläche des Halbleiterchips geschieht auf eine oder mehrere der oben beschriebenen Weisen, indem ein geeignetes Material als Beschichtung und/oder eine geeignete flächige Struktur selektiv auf die Oberfläche aufgebracht wird oder indem statt dessen oder zusätzlich eine Barriere zur Begrenzung des mit der Vergussmasse oder Umhüllmasse zu bedeckenden Anteils auf der Oberfläche hergestellt wird.

Eine weitere Möglichkeit für das Herstellungsverfahren be steht darin, die Verlaufseigenschaften der Vergussmasse oder Umhüllmasse während des Aufbringens durch zeitweise und/oder bereichsweise Bestrahlung zu verändern. Mit der Bestrahlung kann insbesondere die Viskosität der Vergussmasse oder Um hüllmasse durch eine physikalische Einwirkung vergrößert werden und/oder die Adhäsion der Vergussmasse oder Umhüllmasse auf der Oberfläche des Halbleiterchips vermindert werden. Da mit kann das Verfließen oder Anhaften der Vergussmasse oder Umhüllmasse gezielt so gesteuert werden, dass sich die Ver gussmasse oder Umhüllmasse nur auf dem abzudeckenden Anteil der Oberseite des Halbleiterchips ausbreitet.

Statt dessen oder zusätzlich dazu kann durch eine Bestrahlung eine chemische Reaktion in der Vergussmasse oder Umhüllmasse eingeleitet und/oder deren Ablaufen, zum Beispiel durch ein Verschieben des Reaktionsgleichgewichtes oder eine Katalysa torwirkung, begünstigt werden. Damit ist es möglich, die Ver gussmasse oder Umhüllmasse während des Aufbringens so zu ver ändern, dass sie den frei zu lassenden Anteil der Oberseite des Halbleiterchips nicht bedeckt.

Die Vergussmasse oder Umhüllmasse wird bei der Ausführung des Verfahrens vorzugsweise von einer Seite der Anordnung des Halbleiterchips auf dem Träger so aufgebracht, dass zunächst die zu bedeckenden Anteile der Oberseite des Halbleiterchips und gegebenenfalls des Trägers abgedeckt werden. Dabei wird mittels einer rechtzeitigen Bestrahlung der Vergussmasse oder Umhüllmasse deren Eigenschaft so geändert, dass keine darüber hinausgehende Abdeckung der Oberseite des Halbleiterchips stattfindet.

Durch die Bestrahlung kann in Abhängigkeit von einem jeweili gen Ausführungsbeispiel eine vorübergehende Erhöhung der Vis kosität oder ein kurzzeitiges Anhärten der Vergussmasse oder Umhüllmasse bewirkt werden; die Eigenschaft der Vergussmasse oder Umhüllmasse kann dadurch aber auch dauerhaft verändert werden, insbesondere bei Verwendung eines in der Vergussmasse oder Umhüllmasse enthaltenen Mehrkomponentensystems, in dem eine chemische Reaktion ausgelöst wird. Eine Komponente für eine chemische Reaktion, insbesondere z. B. ein dafür vorge sehener Katalysator, kann auf den betreffenden Anteil der Chipoberfläche aufgebracht werden, bevor die Vergussmasse oder Umhüllmasse aufgebracht wird.

Das erfindungsgemäße Verfahren unterscheidet sich im Aufwand nur unerheblich von bisherigen Herstellungsverfahren von Chipgehäusen. Der Halbleiterchip kann in der üblichen Weise auf einem Chipträger aufgebracht werden, woraufhin die elek trischen Anschlüsse nach üblichen Verfahren (z. B. Drahtkon taktierung) hergestellt werden. Es kann zusätzlich eine Schutzkappe über dem Chip aufgebracht werden, die die nicht zu umhüllenden aktiven Bereiche des Chips frei lässt. Dann erfolgt die erfindungsgemäße selektive Umhüllung der zu schützenden Bereiche. Dabei erleichtert eine selektive Anpas sung der Oberfläche des Halbleiterchips die Herstellung der selektiven Umhüllung wesentlich. Der besondere Vorteil der Erfindung liegt darin, dass keine konstruktiven Maßnahmen er forderlich sind, mit denen der Halbleiterchip nach der Monta ge auf dem Chipträger bearbeitet wird.

Claims

1. Halbleiterchip, mit
einer Oberseite mit einer Oberfläche,
einem ersten Anteil der Oberseite, der dafür vorgesehen ist, von einer Vergussmasse oder Umhüllmasse (8) eines Gehäuses bedeckt zu werden, und
einem zweiten Anteil der Oberseite, der dafür vorgesehen ist, von der Vergussmasse oder Umhüllmasse frei zu bleiben,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Oberfläche in dem ersten Anteil der Oberseite und die Oberfläche in dem zweiten Anteil der Oberseite so voneinander unterschieden sind, dass ein Aufbringen der Vergussmasse oder Umhüllmasse ausschließlich auf den ersten Anteil begünstigt wird.

2. Halbleiterchip nach Anspruch 1, bei dem die Oberfläche des Halbleiterchips in dem zweiten Anteil der Oberseite eine Beschaffenheit aufweist, die im Vergleich zu einer Beschaffenheit der Oberfläche des Halbleiterchips in dem ersten Anteil der Oberseite ein Benetzen, Verfließen oder Anhaften der Vergussmasse oder Umhüllmasse erschwert.

3. Halbleiterchip nach Anspruch 2, bei dem die Oberfläche des Halbleiterchips in dem zweiten Anteil der Oberseite ihre Beschaffenheit auf Grund eines dort aufge brachten Materiales oder einer dort vorhandenen flächigen Struktur besitzt.

4. Halbleiterchip nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die Oberflächen der Anteile der Oberseite des Halbleiterchips durch eine auf der Oberfläche des Halbleiterchips ausgebilde te Barriere unterschieden sind.

5. Halbleiterchip nach Anspruch 4, bei dem die Barriere ein Damm (7) oder ein Graben ist.

6. Halbleiterchip nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem der erste Anteil der Oberseite des Halbleiterchips Anschluss kontaktflächen (3) und/oder Bonddrähte (5) umfasst und der zweite Anteil der Oberseite des Halbleiterchips mindes tens ein aktives Bauelement umfasst.

7. Halbleiterchip nach Anspruch 6, bei dem der zweite Anteil der Oberseite des Halbleiterchips eine Auf lagefläche (6) für einen Finger umfasst.

8. Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für einen Halb leiterchip, bei dem
eine Vergussmasse oder Umhüllmasse (8) auf eine Oberseite des Halbleiterchips aufgebracht wird und dabei
ein erster Anteil der Oberseite von der Vergussmasse oder Um hüllmasse bedeckt wird und
ein zweiter Anteil der Oberseite von der Vergussmasse oder Umhüllmasse frei bleibt,
dadurch gekennzeichnet, dass
vor dem Aufbringen der Vergussmasse oder Umhüllmasse die Oberfläche in dem ersten Anteil der Oberseite und die Ober fläche in dem zweiten Anteil der Oberseite so voneinander un terschieden werden, dass das Aufbringen der Vergussmasse oder Umhüllmasse ausschließlich auf den ersten Anteil begünstigt wird, und
diese Unterscheidung beim Aufbringen der Vergussmasse oder Umhüllmasse ausgenutzt wird, um zu verhindern, dass die Ver gussmasse oder Umhüllmasse den zweiten Anteil der Oberseite bedeckt.

9. Verfahren nach Anspruch 8, bei dem vor dem Aufbringen der Vergussmasse oder Umhüllmasse die Oberfläche des Halbleiterchips in dem zweiten Anteil der Oberseite des Halbleiterchips durch Beschichten mit einem Ma terial und/oder eine flächige Strukturierung mit einer Be schaffenheit versehen wird, die ein Benetzen, Verfließen oder Anhaften der Vergussmasse oder Umhüllmasse erschwert.

10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, bei dem vor dem Aufbringen der Vergussmasse oder Umhüllmasse die Oberflächen der Anteile der Oberseite des Halbleiterchips durch Ausbilden einer Barriere auf der Oberfläche des Halb leiterchips unterschieden werden und diese Barriere so ausgebildet wird, dass sie ein Verfließen der Vergussmasse oder Umhüllmasse stoppt oder zumindest er schwert.

11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die Barriere als Damm (7) ausgebildet wird.

12. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die Barriere als Graben ausgebildet wird.

13. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 12, bei dem der zweite Anteil der Oberseite des Halbleiterchips vor dem Aufbringen der Vergussmasse oder Umhüllmasse mit einem Mate rial bedeckt wird, das eine chemische Reaktion mit der Ver gussmasse oder Umhüllmasse eingeht oder eine chemische Reak tion eines weiteren aufgebrachten Materials mit der Verguss masse oder Umhüllmasse auslöst und/oder begünstigt, derart, dass mit dieser chemischen Reaktion ein Verfließen der Ver gussmasse oder Umhüllmasse auf diesem Anteil der Oberseite gestoppt wird oder ein Anhaften der Vergussmasse oder Umhüll masse auf diesem Anteil der Oberseite erschwert wird.

14. Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für einen Halb leiterchip, bei dem
eine Vergussmasse oder Umhüllmasse (8) auf eine Oberseite des Halbleiterchips aufgebracht wird und dabei
ein erster Anteil der Oberseite von der Vergussmasse oder Um hüllmasse bedeckt wird und
ein zweiter Anteil der Oberseite von der Vergussmasse oder Umhüllmasse frei bleibt,
dadurch gekennzeichnet, dass
beim Aufbringen der Vergussmasse oder Umhüllmasse verhindert wird, dass die Vergussmasse oder Umhüllmasse den zweiten An teil der Oberseite bedeckt, indem mittels einer zeitweisen und/oder bereichsweisen Bestrahlung die Viskosität der Ver gussmasse oder Umhüllmasse erhöht wird und/oder die Adhäsion der Vergussmasse oder Umhüllmasse auf der Oberfläche des Halbleiterchips vermindert wird.