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DE1004294B - Verfahren zur Kontaktierung eines Halbleiterkoerpers - Google Patents

Verfahren zur Kontaktierung eines Halbleiterkoerpers

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Publication number
DE1004294B
DE1004294B DES45579A DES0045579A DE1004294B DE 1004294 B DE1004294 B DE 1004294B DE S45579 A DES45579 A DE S45579A DE S0045579 A DES0045579 A DE S0045579A DE 1004294 B DE1004294 B DE 1004294B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
contacting
semiconductor
ion exchange
gold
crystals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES45579A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Gerhard Jung
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to DES41303A priority Critical patent/DE1000533B/de
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES45579A priority patent/DE1004294B/de
Publication of DE1004294B publication Critical patent/DE1004294B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H10P14/46—
    • H10P95/00—

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Description

Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Witteisbacherplatz 4
Dr. Gerhard Jung, München,
ist als Erfinder genannt worden
gen als Zusätzen behandelt wird, daß Fremdschiichten, insbesondere Oxydschichten, durch die Einwirkung der Ätzflüssigkeit entfernt werden und gleichzeitig auf der Halbleiteroberfläche eine Metallkontaktschicht durch Ionenaustausch niedergeschlagen wird, die anschließend galvanisch verstärkt wird, nach Hauptpatentanmeldung S 41303 VIIIc/21g, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst die Kontaktierung aus Gold, Platin oder Rhodium durch Ionenaustausch aufgebracht und anschließend mit einem unedleren Metall, z. B. Silber, Kupfer, Nickel, Cadmium oder Zinn, vorzugsweise Zink, galvanisch verstärkt wird.

Claims (1)

  1. In der Hauptpatentanmeldung S 41303 VIIIc/21g ist ein Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiterkörpern, beispielsweise von Siliziumkristallen, vorzugsweise Einkristallen, beschrieben, welche im wesentlichen darin besteht, daß die metallische Kontaktsehicht durch Ionenaustausch auf die Halbleiteroberfläche aufgebracht und gegebenenfalls nachträglich galvanisch verstärkt wird.
    Die Erfindung bezieht sich auf eine Verbesserung des Verfahrens gemäß dem Hauptpatent durch Auswahl besonderer Stoffe bzw. Stoffkombinationen als Kontaktierungsmaterialien. Gemäß der Erfindung wird zunächst die Kontaktierung aus Gold, Platin oder Rhodium durch Ionenaustausch aufgebracht und anschließend mit einem unedleren Metall, z. B. Silber, Kupfer, Nickel, Cadmium oder Zinn, vorzugsweise Zink, galvanisch verstärkt.
    Ausführungsbeispiel
    Ein Siliziumeinkristall wird durch Ionenaustausch mit Gold kontaktiert, welches aus Goldchlorid ausgeschieden wird, und nachträglich mit Zink galvanisch verstärkt.
    Pati-:xtansi'Iu-cii-
    Verfahren zur Kontaktierung von Halbleiterkörpern, beispielsweise von Siliziumkristallen, vorzugsweise Einkristallen, für Halbleiteranordnungen, beispielsweise Gleichrichter, Detektor, Transistor, Randsperrschicht (Schottky), Unipolartransistor, mit oder ohne Vorspannung betriebene Photozelle, Fieldistor, Heißleiter, Varistor, magnetisch und/oder elektrisch steuerbarer Widerstand u. dgl., bei dem der Halbleiter mit einer solchen Ätzflüssigkeit mit metallischen Verbindun-Verfahren zur Kontaktierung
    eines Halbleiterkörpers
    Zusatz zur Patentanmeldung S 41303 VIII c/21 g
DES45579A 1954-10-22 1955-09-16 Verfahren zur Kontaktierung eines Halbleiterkoerpers Pending DE1004294B (de)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1113523B (de) * 1960-02-18 1961-09-07 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Anschlusses an einer Halbleiter-anordnung
DE1190583B (de) * 1960-03-18 1965-04-08 Western Electric Co Injektionsfreier Ohmscher Kontakt fuer Halbleiterkoerper
DE1639051B1 (de) * 1961-12-01 1971-06-09 Western Electric Co Verfahren zum herstellen eines ohmschen kontakts an einem halbleiterkoerper
DE1690276B1 (de) * 1966-06-30 1972-05-04 Texas Instruments Inc Kathodenzerstaeubungsvrfahren zur herstellung ohmscher kontakte auf einem halbleitersubstrat und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL192972A (de) 1954-12-06
DE1119625B (de) * 1956-08-25 1961-12-14 Sony Kabushiki Kaisha Verfahren zum AEtzen der Oberflaeche eines Halbleiterkoerpers
US2935453A (en) * 1957-04-11 1960-05-03 Sylvania Electric Prod Manufacture of semiconductive translating devices
US3041226A (en) * 1958-04-02 1962-06-26 Hughes Aircraft Co Method of preparing semiconductor crystals
DE1271838B (de) * 1959-01-12 1968-07-04 Siemens Ag Verfahren zur Dotierung von Halbleiterkoerpern
DE1152195B (de) * 1960-03-11 1963-08-01 Intermetall Verfahren zum Kontaktieren von mit Aluminium legierten Halbleiter-anordnungen
US3099576A (en) * 1960-06-24 1963-07-30 Clevite Corp Selective gold plating of semiconductor contacts
DE1228490B (de) * 1960-08-30 1966-11-10 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zum AEtzen und Kontaktieren von Halbleiterkoerpern mit pn-UEbergang
DE1207256B (de) * 1962-02-02 1965-12-16 Corning Glass Works Verfahren zum chemischen Niederschlagen von Kupfer auf eine Oberflaeche eines keramischen Traegers
DE1276213B (de) * 1965-03-15 1968-08-29 Licentia Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters
DE2112812C2 (de) * 1971-03-17 1984-02-09 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Halbleiterbauelement mit gitterförmiger Metallelektrode und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2207012C2 (de) * 1972-02-15 1985-10-31 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur Kontaktierung von Halbleiterbauelementen
DE19641777C2 (de) * 1996-10-10 2001-09-27 Micronas Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Sensors mit einer Metallelektrode in einer MOS-Anordnung
DE19954866A1 (de) 1999-11-15 2001-05-31 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Behandlung einer durch Epitaxie hergestellten Oberfläche eines SiC-Halbleiterkörpers und danach hergestellten Schottkykontakt

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1113523B (de) * 1960-02-18 1961-09-07 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Anschlusses an einer Halbleiter-anordnung
DE1190583B (de) * 1960-03-18 1965-04-08 Western Electric Co Injektionsfreier Ohmscher Kontakt fuer Halbleiterkoerper
DE1639051B1 (de) * 1961-12-01 1971-06-09 Western Electric Co Verfahren zum herstellen eines ohmschen kontakts an einem halbleiterkoerper
DE1690276B1 (de) * 1966-06-30 1972-05-04 Texas Instruments Inc Kathodenzerstaeubungsvrfahren zur herstellung ohmscher kontakte auf einem halbleitersubstrat und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens

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