DE10040143A1 - Bauteilplatte, Halbleiterkomponente und Verfahren zum Herstellen derselben - Google Patents

Abstract

Es wird eine Bauteilplatte angegeben, die durch Verbinden dielektrischer Substrate hergestellt wird und die gewünschte Eigenschaften aufweist. DOLLAR A Eine Muster (11a, 11b) tragende Leiterplatte (11) mit einem Resonator wird durch einen Klebefolienzuschnitt (13) mit einer gedruckten Leiterplatte (12), die Muster (12a, 12b) trägt, die im Wesentlichen mit den erstgenannten Mustern identisch sind, so verbunden, dass die Muster einander zugewandt sind. Wenn ein Masseleiter auf der Außenseite jeder der gedruckten Leiterplatten angebracht wird, ist ein Bandpassfilter mit Dreiplattenstruktur fertiggestellt. Die einen zur Deckung gebrachten Muster (11a, 12a) werden miteinander verbunden, um für die Signalausgabe zu sorgen, während andere zur Deckung gebrachte Muster (11b, 12b) miteinander verbunden werden, um für die Signalausgabe zu sorgen. Dadurch kann die Frequenzantwort unabhängig von der Dicke des Klebefolienzuschnitts auf einem gewünschten Niveau erhalten werden.

Description

Die Erfindung betrifft eine Bauteilplatte, ein Halbleiter­ komponente und Verfahren zum Herstellen derselben.

Um innerhalb der sich stark entwickelnden Kommunikations­ technik Daten mit noch höherer Geschwindigkeit über Funk­ übertragungsstrecken oder Kabelleitungen zu übertragen, wird eine Anzahl von Schaltungsblöcken in entsprechenden Geräten wie solchen zur Mobilkommunikation, zu ISDN-Anwendungen oder in Computern installiert.

Wenn eine Anordnung mit einem derartigen Schaltungsblock versehen ist, ist es erwünscht, den Einfluss von Störsigna­ len zu minimieren, während die Übertragung von Daten mit ho­ her Geschwindigkeit erfolgt. Hinsichtlich tragbarer Kommuni­ kationsgeräte ist es auch wesentlich, die Größe von Kompo­ nenten zu senken, die Komponenten zu integrieren und für Mehrfachfunktionen der Komponenten zu sorgen. Um z. B. einen Funktionsblock in einer Hochfrequenzschaltung zu realisie­ ren, werden im Allgemeinen Schaltkreise mit verteilten Kons­ tanten verwendet, um Filter, Hochfrequenz-Anpassschaltungen oder Kopplerschaltungen zu minimieren und zu integrieren, da ein VCO (voltage controlled oscillator = spannungsgesteuer­ ter Oszillator) oder ein Filter nur schwer unter Verwendung von Halbleiterbauteilen realisierbar ist, wenn die Wellen­ längen kurz werden.

Es ist bekannt, die Entwicklung eines fortschrittlichen Bandpassfilters hoher Genauigkeit auf einem Substrat unter Verwendung eines koplanaren Wellenleiters oder eines Mikro­ streifens zu realisieren, wobei es sich um eine planare Übertragungsleitung mit einem Kopplungspfad von 1/4 λ han­ delt (λ ist die Wellenlänge). Jedoch wird eine derartige herkömmliche Schaltungsanordnung auf der Oberfläche eines Substrats entwickelt, wodurch sie möglicherweise Wechselwir­ kungen mit anderen externen Schaltungen zeigt. Die Anordnung kann auch elektromagnetische Wellen von Kanten emittieren, so dass es zu einer Fehlfunktion benachbarter Bauteile kommt. Demgemäß ist es erforderlich, den Effekt elektromag­ netischer Wellen dadurch zu minimieren, dass die gesamte An­ ordnung abgeschirmt oder durch ein Material geschützt wird, das elektromagnetische Wellen absorbiert. Dies verkompli­ ziert die Anordnung sehr und erhöht die Gesamtabmessungen, was auch zu einer Kostensteigerung führt. Darüber hinaus wird die Schaltungsanordnung normalerweise in einer Ebene entwickelt, weswegen die Größe zunimmt, wenn sich die Fre­ quenz in einem relativ niedrigen Bereich befindet.

Eine Schaltungsanordnung wie ein Bandpassfilter wird so mo­ difiziert, dass eine Kombination aus einer Stufenimpedanz- Resonanzstruktur und einer Streifenleitungsstruktur vor­ liegt, wobei die Signalleitungen zwischen zwei Masseleitern eingebettet sind, um den Effekt elektromagnetischer Wellen zu minimieren, wodurch die Seitenabmessungen zum Minimieren des Resonators verkleinert werden können.

Fig. 1 veranschaulicht ein derartiges Bandpassfilter mit Stufenimpedanz-Resonanzstruktur, bei der zwei dielektrische Substrate 202 zwischen externen Masseleitern 201 angebracht sind, während ein Resonator 203 mit einem Paar leitender Signalschichten mit voneinander verschiedenen Impedanzen zwischen den zwei dielektrischen Substraten 202 eingebettet ist. Die Frequenzantwort des Bandpassfilters der Fig. 1 ist grafisch in Fig. 2 dargestellt, wobei f0 die Mittenfrequenz ist und WT die Übertragungsbandbreite ist.

Die Frequenzantwort einer Bauteilplatte mit dem in Fig. 1 dargestellten Bandpassfilter nimmt ab, wenn bei der Dicke der dielektrischen Substrate oder der Genauigkeit bei der Herstellung von Leitungsmustern, die die Funktion eines Schaltungsbauteils bestimmen, Dickenvariationen auftreten. Fig. 3 zeigt die Beziehung zwischen einer Änderung der Dicke des dielektrischen Substrats und einer Änderung der Mitten­ frequenz. Wenn sich z. B. die Dicke des dielektrischen Sub­ strats um 5% ändert, kann sich die Mittenfrequenz im Wesent­ lichen um 1 bis 2% ändern. Bei einer Mittenfrequenz eines Bandpassfilters von 5 GHz ändert sich die Frequenz um bis zu maximal 100 MHz, was kaum hinnehmbar ist. Um unerwünschte Schwankungen der Frequenzantwort zu beseitigen, ist es er­ forderlich, die Substrate und die Muster mit beträchtlicher Genauigkeit herzustellen, weswegen das Bandpassfilter teuer ist.

Um die Kosten fortschrittlicher Vorrichtungen spezieller Kommunikationsgeräte unter Verwendung von Mikrowellen oder Millimeterwellen zu senken, werden die Substrate aus organi­ schen Materialien wie glasfaserverstärktem Epoxidharz oder glasfaserverstärktem BT(Bismaleid-Triazin)-Harz statt aus herkömmlichen keramischen Materialien hergestellt. Derartige organische Substrate sind jedoch anders und schwieriger her­ zustellen als herkömmliche Keramiksubstrate. Insbesondere entstehen bei einer Schichtanordnung eines Bandpassfilters, bei der mehrere organische Substrate übereinander angeordnet werden, Schwierigkeiten beim Einstellen der Dicke einer Kle­ berschicht, die ein Teil des dielektrischen Films ist, und die Filtereigenschaften bleiben nur schwer auf einem ge­ wünschten Niveau.

Die Fig. 4A und 4B zeigen jeweils eine Anordnung mit dielek­ trischen Substraten aus organischem Material. Fig. 4A ist eine perspektivische Explosionsansicht und Fig. 4B ist eine schematische Schnittansicht entlang der mit PA bezeichneten Linie in Fig. 4A. Gemäß Fig. 4A verwendet die Anordnung ei­ nes Bandpassfilters zwei organische Substrate 210 und 215. Das organische Substrat 210 ist eine doppelseitige Leiter­ platte, deren Verbindungsseite (die dem anderen dielektri­ schen Substrat 215 gegenüberliegt) Leitermuster 210a und 210b eines auf ihr vorhandenen Resonanzkreises trägt. Auf der anderen Seite des organischen Substrats 210 ist eine Ab­ schirmungsbeschichtung 210c vorhanden. Das andere organische Substrat 215 ist eine einseitige Leiterplatte, deren leiten­ de Seite mit einer Abschirmungsbeschichtung 215c bedeckt ist.

Da die Seite der doppelseitigen Leiterplatte 210 mit dem Leitermuster 210a der anderen Seite der einseitigen Leiter­ platte 215, auf der die Abschirmungsbeschichtung 215c nicht vorhanden ist, zugewandt wird, wird zwischen die doppelsei­ tige Leiterplatte 210 und die einseitige Leiterplatte 215 ein Kleberfolienzuschnitt 218 zum Verbinden eingebettet.

Nach dem Pressen und Erwärmen der Anordnung ist eine Stufen­ impedanz-Resonanzanordnung eines Bandpassfilters fertigge­ stellt.

Die Dicke der doppelseitigen Leiterplatte 210 oder der ein­ seitigen Leiterplatte 215 kann leicht mit hoher Genauigkeit kontrolliert werden. Jedoch kann die Dicke des Kleberfolien­ zuschnitts 218, die eine dielektrische Kleberschicht zum Verbinden der Substrate darstellt, abhängig von den Her­ stellbedingungen und der Strukturierungsrate der gedruckten Leiterplatte deutlich variieren, und sie kann kaum auf einen gewünschten Wert eingestellt werden.

Wenn die Dicke des Kleberfolienzuschnitts 218 variiert, wird kaum ein gewünschter Grad an Filterungseigenschaften er­ zielt. Wenn die Ausbeute für das Bandpassfilter sinkt, ist es selbst dann, wenn die Substratmaterialien billig sind, nur mit hohen Kosten herstellbar.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, eine Bauteilplat­ te, eine Halbleiterkomponente und Verfahren zum Herstellen derselben zu schaffen, wobei mindestens zwei miteinander verbundene dielektrische Substrate vorliegen und gewünschte Eigenschaften einen gewünschten Wert aufweisen.

Diese Aufgabe ist hinsichtlich der Bauteilplatte durch die Lehre des Anspruchs 1, hinsichtlich des zugehörigen Her­ stellverfahrens durch die Lehre des Anspruchs 5, hinsicht­ lich der Halbleiterkomponente durch die Lehre des Anspruchs 7 und hinsichtlich des zugehörigen Herstellverfahrens durch die Lehre des Anspruchs 11 gelöst.

Wenn ein Bandpassfilter als Schaltungsbauteil auf einer Sei­ te einer doppelseitig mit Kupfer laminierten Platte, die ein erstes dielektrisches Substrat ist, das auf seinen beiden Seiten zwei Leiterschichten trägt, entwickelt wird, enthält das erste leitende Muster ein Resonatormuster. Auch ist auf einer Seite einer zweiten doppelseitig mit Kupfer laminier­ ten Platte oder einem zweiten dielektrischen Substrat ein Resonatormuster, das im Wesentlichen dieselbe Form wie das Resonatormuster auf der ersten doppelseitig mit Kupfer lami­ nierten Platte aufweist, so vorhanden, dass die zwei Muster übereinander liegen. Die erste und die zweite doppelseitig mit Kupfer laminierte Platte werden durch die dielektrische Kleberschicht so miteinander verbunden, dass ihre Resonator­ muster einander zugewandt sind. Alternativ können mehrere im Wesentlichen gleich geformte Resonatormuster, einschließlich derer auf der ersten und zweiten doppelseitig mit Kupfer laminierten Platte übereinander vorhanden sein, wobei zwei beliebige benachbarte Muster durch eine dielektrische Iso­ lierschicht getrennt sind. Außerdem kann das Resonatormuster der ersten doppelseitig mit Kupfer laminierten Platte durch vorstehende Elektroden mit dem Resonatormuster auf der zwei­ ten doppelseitig mit Kupfer laminierten Platte verbunden sein. Das Resonatormuster der ersten oder zweiten doppelsei­ tig mit Kupfer laminierten Platte kann mit einem Halbleiter­ bauteil wie einer MMIC (monolithische Mikrowellen-IC) ver­ bunden sein. Das Halbleiterbauteil kann auf die Außenseite der Anordnung der ersten und zweiten doppelseitig mit Kupfer laminierten Platte montiert sein, die über Durchgangslöcher, die eine Verbindung zwischen den Resonatormustern herstel­ len, miteinander verbunden sind. Alternativ werden, nachdem das Resonatormuster der ersten oder zweiten doppelseitig mit Kupfer laminierten Platte mittels Konakthöckern mit einem Halbleiterbauteil wie einem MMIC verbunden wurde, die erste und die zweite doppelseitig mit Kupfer laminierte Platte so miteinander verbunden, dass das Halbleiterbauteil zwischen ihnen eingebettet ist.

Die Erfindung wird nachfolgend an Hand von durch Figuren veranschaulichten Ausführungsbeispielen näher erläutert.

Fig. 1 ist eine Ansicht, die ein bekanntes Bandpassfilter zeigt;

Fig. 2 ist ein Diagramm, das die Frequenzantwort des Band­ passfilters der Fig. 1 zeigt;

Fig. 3 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen einer Änderung der Dicke einer dielektrischen Schicht und einer Änderung der Mittenfrequenz zeigt;

Fig. 4A und 4B sind eine perspektivische bzw. eine Schnitt­ ansicht eines herkömmlichen Bandpassfilters unter Verwendung organischer Substrate;

Fig. 5A und 5B sind eine perspektivische bzw. eine Schnitt­ ansicht eines Bandpassfilters gemäß einem Ausführungsbei­ spiel der Erfindung;

Fig. 6A bis 6D sind Schnittansichten zum Veranschaulichen eines Verfahrens zum Herstellen des Bandpassfilters der Fig. 5A und 5B gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;

Fig. 7A bis 7G sind Schnittansichten zum Veranschaulichen eines alternativen Verfahrens zum Herstellen eines Bandpass­ filters, bei dem die Muster in Schichten vorhanden sind;

Fig. 8A bis 8F sowie 9A bis 9G sind Ansichten zum Veran­ schaulichen eines jeweiligen Verfahrens zum Herstellen einer Halbleiterkomponente;

Fig. 10A bis 10D, 11A bis 11C und 12A bis 12G sind Schnitt­ ansichten zum Veranschaulichen dreier Verfahren zum Herstel­ len einer Halbleiterkomponente, bei der ein Halbleiterbau­ teil eingebettet ist;

Fig. 13 ist eine Ansicht eines Tiefpassfilters gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung und

Fig. 14 ist eine Ansicht eines Hochpassfilters gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Nun wird ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung unter Bezugnahme auf die Fig. 5A und 5B sowie 6A bis 6D erläutert. Dabei zeigen die Fig. 5A und 5B die Grundstruktur der Erfin­ dung mit zwei dielektrischen Substraten 11 und 12, die eine Bauteilplatte bilden, d. h. ein Bandpassfilter mit Stufenim­ pedanz-Resonanz(SIR)struktur. Die zwei dielektrischen Sub­ strate 11 und 12 können durch einen dielektrischen Träger realisiert sein, der auf jeder Seite ein leitendes Muster trägt (nachfolgend als doppelseitige Bauteilplatte bezeich­ net). Zum Beispiel weist eine doppelseitige Bauteilplatte als doppelseitig mit Kupfer strukturierte Platte ein Paar leitende Muster 11a und 11b oder 12a und 12b auf, die einen Resonator bilden (nachfolgend einfach als Muster bezeichnet) und auf einer Seite vorhanden sind. Wenn die Muster 11a und 11b auf der doppelseitigen Leiterplatte 11 über den Mustern 12a und 12b der doppelseitigen Leiterplatte 12 positioniert werden, erfolgt dies so, dass die Muster 11a und 12a einan­ der zugewandt werden und auch die Muster 11b und 12b einan­ der zugewandt werden, wie es aus Fig. 5A erkennbar ist. Dann wird zwischen die zwei doppelseitigen Leiterplatten 11 und 12, deren Muster 11a und 12a bzw. 11b und 12b einander zugewandt sind, einen Kleberfolienzuschnitt 13 für einen Verbindungsvorgang eingebettet. Wenn die zwei doppelseitigen Leiterplatten 11 und 12 anschließend gepresst und erwärmt werden, werden sie miteinander verbunden. Dann sind auch die einander zugewandten Muster 11a und 12a bzw. 11a und 12b miteinander verbunden. Die anderen Seiten der doppelseitigen Leiterplatten 11 und 12, auf denen keine Muster vorhanden sind, sind mit Abschirmungsbeschichtungen 11c und 12c be­ deckt. Im Ergebnis ist eine als Bandpassfilter mit SIR- Struktur wirkende Bauteilplatte mit einem gewünschten Grad an Filterungseigenschaften unabhängig von der Dicke des Kle­ berfolienzuschnitts 13 fertiggestellt. Fig. 5B ist eine zu­ gehörige Schnittansicht entlang der gestrichelten Linie PB in Fig. 5A.

Gemäß dem durch die Fig. 6A bis 6D veranschaulichten Verfah­ ren zum Herstellen der Bauteilplatte mit der Anordnung gemäß den Fig. 5A und 5B werden zwei doppelseitige Leiterplatten 21 und 22, die als dielektrische Substrate bereitgestellt werden aus z. B. Glasfasersubstraten ausgewählt, die mit Folgendem imprägniert sind: einem Expoxidharz (entsprechend dem Typ FR-4 der National Electrical Manufacturers Associa­ tion, USA), einem speziellen Expoxidharz mit einem höheren Wert der Glasübergangstemperatur Tg, wie dem Typ FR-5, und anderen Harzen mit niedriger Dielektrizitätskonstante (ε < 4) und dielektrischem Verlustfaktor (δ < 0,01), einschließ­ lich BT(Bismaleid-Triazin)-Harzen, PPE (Polyphenylenether), Teflon und Polyimid, wodurch die Hochfrequenzantwort verbes­ sert ist. Es können auch andere Substrate verwendet werden, solange die folgenden Verbindungsverfahren verwendet werden. Für das Material der Substrate besteht keine Beschränkung auf Glasfasern, sondern es können beliebige andere organ­ ische Polymere wie Polyimid, Acrylat oder Polyolefin in gleicher Weise verwendet werden. Ferner können Keramiksub­ strate wie solche aus Aluminiumoxid, Mullit oder Glaskeramik oder auch Verbundsubstrate aus organischen und keramischen Materialien verwendet werden.

Um Muster 21a, 21b, 22a und 22b auf den doppelseitigen Lei­ terplatten 21 und 22 auszuarbeiten, werden unerwünschte Be­ reiche einer Kupferfolie durch Ätzen entfernt. Die auf ein gewünschtes Muster geformte Kupferfolie ist vorzugsweise so dünn wie möglich, um die Strukturierungsgenauigkeit zu er­ höhen. Auch fließt wegen des Skineffekts ein Strom entlang der Oberfläche der Kupferfolie, da die Frequenz des durch ein Filter zurückzuweisenden Signalbands hoch ist. Demgemäß kann das Filter selbst dann, wenn die Kupferfolie dünn ist, einen gewünschten Grad der Filtereigenschaften aufrechter­ halten. Wie es in Fig. 6A dargestellt ist, kann die Dicke der Kupferfolie, die üblicherweise 18 µm beträgt, nur 12 µm, vorzugsweise 9 µm und bevorzugter 5 µm betragen. Anderer­ seits dient die Kupferfolie auf der anderen Seite, auf der keine Muster vorhanden sind oder keine genaue Strukturierung erforderlich ist, als Abschirmungsbeschichtung, und ihre Di­ cke ist vorzugsweise größer als die der strukturierten Kup­ ferfolie.

Die Muster 21a, 21b, 22a, 22b werden so hergestellt, wie es in Fig. 6B dargestellt ist, und dann sind die gedruckten Leiterplatte 21 und 22 auf einer Seite mit diesen Mustern aus der Kupferfolie bedeckt, die jeweilige mit hoher Genau­ igkeit ausgebildete Signalpfade bilden. Die Strukturierung erfolgt in genauer Weise dergestalt, dass die Muster 21a und 22a und andererseits die Muster 22a und 22b genau über­ einander positionierbar sind. Dies erfolgt nach dem Auftra­ gen eines Kleberfilms oder einer Laminatschicht 23 (die als Kleberfolienzuschnitt wirkt), auf die strukturierte Seite einer der doppelseitigen Leiterplatten, z. B. die Leiter­ platte 21, wie es in Fig. 6C dargestellt ist.

Dann werden die zwei doppelseitigen gedruckten Leiterplatten 21 und 22 so positioniert, dass die Muster 21a und 21b den Mustern 22a bzw. 22b zugewandt sind, sie werden aufeinander­ gelegt, wie es in Fig. 6D dargestellt ist, und sie werden gegeneinander gepresst, wodurch das Muster 21a mit dem Mus­ ter 22a verbunden wird und das Muster 21b mit dem Muster 22b verbunden wird. Dann werden die doppelseitigen gedruckten Leiterplatten 21 und 22 mit zwei Abschirmungsbeschichtungen 21c bzw. 22c bedeckt. Im Ergebnis ist eine als Bandpassfil­ ter dienende Bauteilplatte fertiggestellt, wie sie in den Fig. 5A und 5B dargestellt ist.

Obwohl die zwei doppelseitigen gedruckten Leiterplatten 21 und 22 beim ersten Verfahren durch den Kleberfilm 23 mitein­ ander verbunden werden, können sie auch durch einen Kleb­ stoff miteinander verbunden werden. Der Klebstoff kann z. B. aus Epoxidharzen, Polyimidharzen, Acrylharzen und Kautschuk­ harzen ausgewählt werden.

Der Klebstoff kann durch ein Druckverfahren, ein Schleierbe­ schichtungsverfahren, bei dem ein dünner Schleier des Kle­ bers hergestellt wird und das Substrat unter dem Schleier vorbeigeführt wird, ein Schleuderbeschichtungsverfahren, bei dem der Kleber auf das sich drehende Substrat aufgetropft wird und er durch den Effekt der Zentrifugalkraft ausgebrei­ tet wird, oder ein Meniskusbeschichtungsverfahren aufgetra­ gen werden, bei dem ein Strom des Klebers durch den Effekt der Oberflächenspannung in solchem Ausmaß, dass kein Abtrop­ fen am Rand erfolgt, ausgebreitet wird. Die zwei durch ein derartiges Verfahren mit dem Klebstoff beschichteten Sub­ strate werden dann zum thermischen Aushärten gegeneinander gepresst und erwärmt. Im Ergebnis ist eine als Bandpassfil­ ter dienende Bauteilplatte fertiggestellt, wie sie in den Fig. 5A und 5B dargestellt ist.

Beim ersten Verfahren werden die zwei doppelseitigen Leiter­ platten 21 und 22 miteinander verbunden, um ein Bandpassfil­ ter mit SIR-Struktur zu bilden. Das Filter kann auch aus ei­ ner mehrschichtigen Struktur mit Signalpfaden in Form von Übertragungs-Streifenleitern bestehen.

Die Fig. 7A bis 7G veranschaulichen ein alternatives Verfah­ ren, bei dem Muster in Schichten aufgebaut werden. Wie es in Fig. 7B dargestellt ist, werden Resonatormuster 31a und 31b auf dieselbe Weise wie beim ersten Verfahren aus der dünnen Kupferschicht einer doppelseitigen Leiterplatte 31, wie sie in Fig. 7A dargestellt ist, geformt. Dann wird, wie es in Fig. 7C dargestellt ist, ein dielektrisches Isoliermaterial 32 wie Epoxidharz durch ein Druckverfahren oder ein Schlei­ erbeschichtungsverfahren aufgetragen.

Das dielektrische Isoliermaterial 32 wird durch Erwärmen in einem Aufschmelzofen ausgehärtet, durch z. B. Oberflächenpo­ lieren eingeebnet und auf seiner eingeebneten Fläche durch z. B. nicht-elektrolytisches Plattieren mit einer Kupferfo­ lienschicht 33 überzogen, wie es in Fig. 7B dargestellt ist. Die Kupferfolienschicht 33 wird mit einem Resist 34 bedeckt, der dann so belichtet wird, dass er mit den Mustern 31a und 31b identische Muster aufweist. Der Rest des Resists 34 wird durch Ätzen entfernt. Im Ergebnis sind auf dem dielektri­ schen Isoliermaterial 32 Muster 33a und 33b ausgebildet, die mit den unteren Mustern 31a und 31b übereinstimmen, wie es in Fig. 7E dargestellt ist.

Auf ähnliche Weise werden zwei Schichten von Mustern 35a, 35b und 37a, 37b auf dar dünnen Kupferschicht einer anderen doppelseitigen Leiterplatte 35 auf dieselbe Weise herge­ stellt, wie sie durch die Fig. 7A bis 7E veranschaulicht ist. Wenn die zwei doppelseitigen Leitermuster 31 und 35 übereinander platziert wird, überlappen die Muster 31a, 33a, 35a und 37a einander, während auf die Muster 31b, 33b, 35b und 37b einander überlappen.

Auf dieselbe Weise wie beim ersten Verfahren wird ein Kle­ berfilm oder eine Laminatschicht 38 (die als Klebenfolienzu­ schnitt) dient, auf die strukturierte Seite einer der zwei doppelseitigen gedruckten Leiterplatten, z. B. der Platte 31, aufgetragen, wie es in Fig. 7F dargestellt ist. Wenn die zwei doppelseitigen gedruckten Leiterplatten 31 und 35 durch die Laminatschicht 38 miteinander verbunden werden, werden die Muster 31a, 33a, 35a und 37a miteinander verbunden, wäh­ rend die Muster 31b, 33b, 35b und 37b miteinander verbunden werden. Im Ergebnis ist eine als Bandpassfilter wirkende Bauteilplatte mit Mehrschichtstruktur fertiggestellt, wie sie in Fig. 7G dargestellt ist.

Da die Muster in der Mehrschichtstruktur ausgebildet sind, ist die Oberfläche der Signalpfade erhöht und der Skineffekt kann demgemäß im Hochfrequenzbereich von Signalen verbessert werden, was es ermöglicht, ein Bandpassfilter mit minimalen Signalverlusten zu realisieren.

Obwohl die dielektrischen Isoliermaterialien 32 und 36 beim alternativen Verfahren aus Epoxidharz bestehen, können sie aus einem anderen organischen Material wie Polyimid, Acrylat oder BCB (Benzo-Cyclo-Buten) bestehen. Alternativ wird ein nicht-organischer dielektrischer Träger aus Siliciumdioxid (SiO₂) oder Siliciumnitrid (SiN) durch einen Dünnfilmprozess wie ein Niedertemperatur-CVD-Verfahren hergestellt, durch Polieren mit Schleifmitteln, Säuren oder einer alkalischen Lösung oder ein Rückätzverfahren, bei dem Oberflächenun­ ebenheiten beseitigt werden, mittels eines CMP (chemisch­ mechanisches Polieren)-Verfahren an der Oberfläche geglät­ tet, und die geglättete Fläche wird durch ein Abhebeverfah­ ren mit gewünschten Mustern versehen. Genauer gesagt, wird, nachdem mit Ausnahme der Muster ein Resist auf die geglätte­ te Oberfläche aufgetragen wurde, eine Metallschicht von Cu oder Ni/Au oder Ti/Pt/Au aufgebracht. Dann wird die Metall­ schicht mit Ausnahme der Muster durch den Resist entfernt. Im Ergebnis liegen Muster der Metallschicht vor.

Das durch das obige Verfahren hergestellte Bandpassfilter wird gemeinsam mit einem zugehörigen Halbleiterbauteil wie einem diskreten Hochfrequenzbauteil oder einer MMIC (mono­ lithische Mikrowellen-IC) verbunden. Wenn das Bandpassfilter mit einem Halbleiterbauteil verbunden wird, werden sie wün­ schenswerterweise gemeinsam auf einer Bauteilplatte mon­ tiert, um Verbindungsleitungen zu minimieren, um dadurch Signalverluste über lange Verbindungsleitungen zu vermeiden oder Wechselwirkungen mit benachbarten Schaltkreisen zu ver­ hindern.

Nun wird unter Bezugnahme auf die Fig. 8A bis 8F ein Verfah­ ren zum Herstellen einer Halbleiterkomponente beschrieben, bei dem ein Halbleiterbauteil wie ein MMIC-Flip-Chip (Chip mit Anschlüssen auf der Rückseite) auf einer Bauteilplatte montiert ist. Wie es in Fig. 8A dargestellt ist, werden Mus­ ter 41a und 41b für ein Bandpassfilter sowie vorstehende Elektroden (Kontakthöcker) 42 aus Gold oder Kupfer zur Ein­ gabe und Ausgabe von Signalen auf einer doppelseitigen ge­ druckten Leiterplatte 41 angebracht. Die Kontakthöcker 42 können durch eine Plattierungs- oder Kugelbondtechnik herge­ stellt werden.

In ähnlicher Weise werden Muster 43a und 43b für ein Band­ passfilter auf dieselbe Weise wie auf der doppelseitigen ge­ druckten Leiterplatte 41 auf einer anderen doppelseitigen gedruckten Leiterplatte 43 angebracht, wie es in Fig. 8B dargestellt ist. Auch werden im Signalausgabebereich der Muster Durchgangslöcher 44 zur Ausgabe von Signalen ange­ bracht, Für die Durchgangslöcher 44 besteht jedoch keine Be­ schränkung auf den Signalausgabebereich der Muster, sondern sie können entsprechend den Kontakthöckern 51 auf einer MMIC 50 (siehe Fig. 8D) vorhanden sein, um andere Signale an die MMIC 50 zu liefern oder Ausgangssignale von MMIC 50 an eine Verarbeitungsschaltung zu übertragen.

Wenn die Muster und die Durchgangslöcher hergestellt sind, wird eine Beschichtung eines Klebers 45 auf eine der zwei doppelseitigen Leiterplatten aufgebracht, z. B. auf die Platte 41 bei diesem Ausführungsbeispiel, wie es in Fig. 8C dargestellt ist. Die mit dem Kleber 45 beschichtete doppel­ seitige Leiterplatte 41 wird dann so auf die andere doppel­ seitige Leiterplatte 43 aufgelegt, dass ihre Muster 41a und 41b den Mustern auf der anderen Platte 43 zugewandt sind.

Dann werden die zwei doppelseitigen gedruckten Leiterplatten 41 und 43 erwärmt, während sie gegeneinander gepresst wer­ den, wie es in Fig. 8B dargestellt ist, um das Muster 41a auf der doppelseitigen gedruckten Leiterplatte 41 durch die Kontakthöcker 42 mit dem Muster 43a auf der doppelseitigen gedruckten Leiterplatte 43 zu verbinden. Gleichzeitig wird das Muster 41b auf der zweiseitigen gedruckten Leiterplatte 41 durch die Kontakthöcker 42 mit dem Muster 43b auf der zweiseitigen gedruckten Leiterplatte 43 verbunden. Wenn die zwei doppelseitigen gedruckten Leiterplatten 41 und 43 mit­ einander verbunden sind, ist eine als Bandpassfilter dienen­ de Bauteilplatte 49 fertiggestellt.

Dann werden, wie es in Fig. 8E dargestellt ist, die an der MMIC 50 für Flip-Chip-Montage vorhandenen Kontakthöcker 51 auf Kontaktflecken 44p positioniert, die mit den Durchgangs­ löchern 44 in der doppelseitigen Leiterplatte 43 verbunden sind. Die Kontakthöcker 51 an der MMIC 50 werden durch einen Heißpresskopf 60 gegen die Verbindungskontaktflecke 44p an der doppelseitigen gedruckten Leiterplatte 43 gepresst und erwärmt und mit diesen verbunden. Demgemäß ist die MMIC 50 erfolgreich durch minimale Leitungslängen mit den das Band­ passfilter bildenden Mustern verbunden, wie es in Fig. 8F dargestellt ist.

Durch das obige Verfahren des Verbindens der MMIC 50 mit mi­ nimalen Leitungslängen mit den das Bandpassfiltern bildenden Mustern, werden die Verbindungslöcher 44 angebracht, bevor die zwei doppelseitigen gedruckten Leiterplatte miteinander verbunden werden. Alternativ können die zwei Platten zu­ nächst miteinander verbunden werden und dann mit Durchgangs­ löchern versehen werden, die an der Innenwand mit Metall plattiert werden, um einen gewünschten Pfad der Leitfähig­ keit zu erzielen, oder die mit einer elektrisch leitfähigen Paste gefüllt werden, um dadurch dafür zu sorgen, dass die Durchgangslöcher eine Verbindung zwischen Mustern in Schich­ ten bilden.

Nun wird ein anderes Verfahren zum Herstellen der Halblei­ terkomponente unter Bezugnahme auf die Fig. 9A bis 9G erläu­ tert. Wie es in Fig. 9A dargestellt ist, werden ein Band­ passfilter bildende Muster 71a und 71b auf einer Seite einer doppelseitigen gedruckten Leiterplatte 71 angebracht, wäh­ rend erhabene Bereiche 72 auf der anderen Seite so ange­ bracht werden, dass sie zu entsprechenden Durchgangslöchern passen. Auf ähnliche Weise werden, wie es in Fig. 9B darge­ stellt ist, ein Bandpassfilter bildende Muster 73a und 73b auf einer Seite einer anderen doppelseitigen gedruckten Lei­ terplatte 73, die der doppelseitigen gedruckten Leiterplat­ te 71 ähnlich ist, angebracht, während auf der anderen Seite erhabene Bereich 74 so angebracht werden, dass sie zu ent­ sprechenden Durchgangslöchern passen. Außerdem werden erha­ bene Bereich 75 angebracht, auf denen eine MMIC 50 montiert wird.

Auf die strukturierte Seite einer der zwei doppelseitigen gedruckten Leiterplatten 71 und 73, beim Ausführungsbeispiel auf die Platte 71, wird eine Beschichtung eines Klebers 76 aufgetragen, wie es in Fig. 9C dargestellt ist. Dann werden die zwei doppelseitigen gedruckten Leiterplatten 71 und 73 so übereinander positioniert, dass die Muster auf der dop­ pelseitigen gedruckten Leiterplatte 73 den Mustern auf der doppelseitigen gedruckten Leiterplatte 71, die mit dem Kle­ ber 76 beschichtet ist, gegenüberstehen. Dann werden die zwei doppelseitigen gedruckten Leiterplatten 71 und 73 er­ wärmt, während sie zum gegenseitigen Verbinden erwärmt wer­ den, wie es in Fig. 9D dargestellt ist. Dann werden Durch­ gangslöcher 77 durch Bohren oder Laserstrahlbearbeiten an den den erhabenen Bereichen entsprechenden Stellen ange­ bracht, wie es in Fig. 9E dargestellt ist. Dann werden die Durchgangslöcher 77 an ihrer Innenwand mit Metall plattiert, um Metallfilme 78 zum Verbinden der erhabenen Bereiche mit den Mustern auszubilden, wie es in Fig. 9F dargestellt ist. Auch kann eine Verbindung für Abschirmungsbeschichtungen auf den doppelseitigen gedruckten Leiterplatten 71 und 73 erfol­ gen. Die Durchgangslöcher 77 können, statt dass sie mit Me­ tall plattiert werden, mit einer nicht dargestellten elek­ trisch leitenden Paste aufgefüllt werden, die für eine Ver­ bindung zwischen den erhabenen Bereichen und den Mustern sorgt. Wenn die zwei doppelseitigen gedruckten Leiterplatten 71 und 73 miteinander verbunden sind, ist ein Bandpassfilter fertiggestellt.

Dann wird die MMIC 50 auf den erhabenen Bereichen 75 positi­ oniert, die auf der Abschirmungsseite der doppelseitigen ge­ druckten Leiterplatte 73 vorhanden sind, wie es in Fig. 9G dargestellt ist. Die Kontakthöcker 51 der MMIC 50 werden durch Heißpressen mit einem Heißpresskopf mit den erhabenen Bereichen 75 auf der doppelseitigen gedruckten Leiterplatte 73 verbunden. Im Ergebnis ist eine Halbleiterkomponente 70, bei der das Bandpassfilter durch minimale Leitungslängen mit der MMIC 50 verbunden ist, und die derjenigen ähnlich ist, die durch die Fig. 8A bis 8F veranschaulicht ist, fertigge­ stellt.

Die MMIC kann dadurch mit der doppelseitigen gedruckten Lei­ terplatte verbunden werden, dass Lötkontaktflecken an der MMIC angebracht werden, Tropfen von Lötmittel auf die Ver­ bindungskontaktflecken der doppelseitigen gedruckten Leiter­ platte aufgebracht werden und das Lötmittel zwischen der MMIC und der doppelseitigen gedruckten Leiterplatte erwärmt wird. Alternativ kann die MMIC durch eine Drahtbondtechnik oder auf andere geeignete Weise mit der doppelseitigen ge­ druckten Leiterplatte verbunden werden.

Gemäß dem obigen Verfahren wird eine Halbleiterkomponente hergestellt, bei der ein Halbleiterbauteil auf der Abschir­ mungsseite einer der zwei doppelseitigen gedruckten Leiter­ platten, die miteinander zu verbinden sind, montiert wird. Das Halbleiterbauteil kann zwischen den zwei doppelseitigen Leiterplatten eingebettet werden, um Signalverluste zu mini­ mieren und Wechselwirkungen mit Peripherieschaltungen zu verhindern.

Durch die Fig. 10A bis 10D ist ein weiteres Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterkomponente mit einem Halbleiter­ bauteil veranschaulicht, das zwischen zwei miteinander ver­ bundenen doppelseitigen gedruckten Leiterplatten eingebettet ist. Das Halbleiterbauteil, wie eine MMIC 55 zum Verarbeiten eines hochfrequenten Signals, wird auf einem Gallium/Arsen- Substrat montiert. Die Dicke der auf dem Gallium/Arsen-Sub­ strat montierten MMIC kann dadurch auf 20 bis 30 µm gesenkt werden, dass die Rückseite einer CMP-Technik, einer Kombina­ tion aus mechanischem Polieren und Nassätzen, unterzogen wird. Dann werden auf den Verbindungskontaktflecken der ge­ schwächten MMIC 55 Kontakthöcker 56 ausgebildet.

Die geschwächte MMIC 55 mit den Kontakthöckern wird mit ih­ rer Frontseite nach oben an einen vorgegebenen Ort auf der doppelseitigen gedruckten Leiterplatte 81 positioniert, wie es in Fig. 10A dargestellt ist. Falls erwünscht, werden Thermo-Durchgangslöcher 82 an diesem Ort angebracht, um in der MMIC 55 erzeugte Wärme zu verteilen oder um Masseebenen zu bilden. Auch werden Bandpassfilter bildende Muster 81a und 81b auf derjenigen Seite der doppelseitigen gedruckten Leiterplatte 81 ausgebildet, auf der die MMIC 55 vorhanden ist, und dann werden auf den Mustern 81a und 81b Kontakthö­ cker 83 hergestellt.

In ähnlicher Weise werden, wie es in Fig. 10B dargestellt ist, ein Bandpassfilter bildende Muster 84a und 84b sowie Verbindungskontaktflecken 85 zur Verbindung mit den Kontakt­ höckern 56 der MMIC 55 auf einer Seite einer anderen doppel­ seitigen gedruckten Leiterplatte 84, die der doppelseitigen gedruckten Leiterplatte 81 entspricht, angebracht.

Auf die Seite der doppelseitigen gedruckten Leiterplatte 81, auf der die MMIC 55 montiert ist, wird eine Beschichtung eines Wafers 86 aufgebracht, wie es in Fig. 10C dargestellt ist. Dann werden die zwei doppelseitigen gedruckten Leiter­ platten 81 und 84 so aufeinander positioniert, dass die Mus­ ter 84a und 84b mit den Verbindungskontaktflecken 85 der doppelseitigen gedruckten Leiterplatte 84 den Mustern 81a und 81b der doppelseitigen gedruckten Leiterplatte 81 gegen­ überstehen.

Dann werden die zwei doppelseitigen gedruckten Leiterplatten 81 und 84 erwärmt, während sie gegeneinander gepresst wer­ den, wodurch die Muster 81a und 81b mit den Mustern 84a und 84b verbunden werden und die Kontakthöcker 56 der MMIC 55 mit den Verbindungskontaktflecken 85 der doppelseitigen ge­ druckten Leiterplatte 84 verbunden werden. Im Ergebnis ist eine Halbleiterkomponente 80 mit installierter MMIC 55 fer­ tiggestellt, wie es in Fig. 10D dargestellt ist.

Gemäß dem in den Fig. 10A bis 10D dargestellten Verfahren werden, nachdem die MMIC 55 auf der doppelseitigen gedruck­ ten Leiterplatte 81 positioniert wurde, die zwei doppelsei­ tigen gedruckten Leiterplatten 81 und 84 miteinander verbun­ den und die Kontakthöcker 56 der MMIC 55 werden mit den Kon­ taktflecken 85 der doppelseitigen gedruckten Leiterplatte 84 verbunden. Alternativ werden als Erstes die Kontakthöcker 56 der MMIC 55 mit den Verbindungskontaktflecken 85 der doppel­ seitigen gedruckten Leiterplatte 84 verbunden, und dann werden die zwei doppelseitigen gedruckten Leiterplatten 81 und 84 miteinander verbunden. Im letzteren Fall wird die ge­ schwächte und mit den Kontakthöckern 56 versehene MMIC 55 am speziellen Ort mit ihrer Frontseite nach unten auf den Ver­ bindungskontaktflecken 85 der doppelseitigen gedruckten Lei­ terplatte 84 so positioniert, dass die Kontakthöcker 56 der MMIC 55 genau über den Verbindungskontaktflecken 85 liegen, wie es in Fig. 11A dargestellt ist. Dann werden die Kontakt­ höcker 56 durch Heißpressen mit den Verbindungskontaktfle­ cken 85 verbunden.

Darauf folgt ein Vorgang, bei dem die doppelseitige gedruck­ te Leiterplatte 84 mit der montierten MMIC 55 auf der mit einem Kleber 86 beschichteten doppelseitigen gedruckten Lei­ terplatte 81 so positioniert wird, dass ihre Muster einander zugewandt sind, wie es in Fig. 11B dargestellt ist.

Die zwei doppelseitigen gedruckten Leiterplatten 81 und 84 werden erwärmt, während sie gegeneinander gepresst werden. Im Ergebnis wird eine Halbleiterkomponente 80 mit instal­ lierter MMIC 55 fertiggestellt, wie sie in Fig. 11C darge­ stellt ist. Für die MMIC 55 besteht keine Beschränkung auf ein Gallium-Arsen-Substrat, sondern sie kann mit gleichem Erfolg von einem Siliciumsubstrat oder einem Germaniumsub­ strat getragen werden.

Wenn das Halbleiterbauteil ein Transistor mit hoher Elektro­ nenbeweglichkeit (HEMT) oder ein Bipolartransistor mit Hete­ roübergang (HBT) ist, der durch epitaktisches Wachstum eines Verbindungshalbleiters erhalten wird, kann eine Isolierung dadurch erfolgen, dass Opferschichten durch Säuren aufgelöst werden. Dann wird das Bauteil auf eine doppelseitige ge­ druckte Leiterplatte übertragen und zwischen zwei aufeinan­ der gelegten doppelseitigen gedruckten Leiterplatten einge­ bettet.

Die Fig. 12A bis 12G veranschaulichen ein weiteres Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterkomponente mit in ihr instal­ liertern Halbleiterbauteil. Gemäß diesem Verfahren wird das Halbleiterbauteil von einem Halbleiterchip abgetrennt, auf eine doppelseitige gedruckte Leiterplatte übertragen und zwischen Substraten eingebettet.

Wie es in Fig. 12A dargestellt ist, wird eine als Opfer­ schicht dienende AlAs-Schicht 92 auf einem Verbundsubstrat oder einem GaAs-Substrat 91 abgeschieden, und dann wird auf der AlAs-Schicht 92 ein Bauteil 93 einschließlich Schal­ tungsmustern, Zuleitungen und Kontakthöckern aufgebaut. Auch wird auf dem Bauteil 93 eine Wachsschicht 95 angebracht, um die Oberfläche zu schützen und die Übertragung zu erleich­ tern.

Dann wird auf einen Primärübertragungssubstrat 96 ein sich ergebender Halbleiterchip 90 so positioniert, dass seine Wachsschicht 95 dem Substrat 96 zugewandt ist, wie es in Fig. 12B dargestellt ist. Wenn der auf dem Primärübertra­ gungssubstrat 96 positionierte Halbleiterchip 90 auf die hohe Temperatur von 60 bis 100°C erwärmt wird, um die Wachs­ schicht 95 wegzuschmelzen und wenn er dann abgekühlt wird, wird er mit dem Primärübertragungssubstrat 96 verbunden.

Dann wird die AlAs-Schicht 92 unter Verwendung einer Säure­ lösung wie verdünnter HF(Fluorwasserstoff)-Säure, BHF(gepuf­ ferter Fluorwasserstoff)-Säure oder HCl entfernt. Im Ergeb­ nis ist das Bauteil 93 vom GaAs-Substrat 91 getrennt, das dann weggenommen wird. Demgemäß verbleibt das Bauteil 93 auf dem Primärübertragungssubstrat 96.

Darauf erfolgt ein Verbinden des vom GaAs-Substrat 91 abge­ trennten Bauteils 93 durch einen thermoplastischen Kleber 97 mit einem Sekundärübertragungssubstrat 98, wie es in Fig. 12C dargestellt ist. Die Komponente wird erwärmt, um die Wachsschicht 95 wegzuschmelzen. Im Ergebnis ist das Bauteil 93 erfolgreich vom Primärübertragungssubstrat 96 getrennt, wie es in Fig. 12D dargestellt ist. Dann wird die Komponente gespült oder gereinigt, so dass die Kontaktflecken 94 des Bauteils 93 in günstiger Weise mit den Verbindungskontakt­ flecken 102 auf einer doppelseitigen gedruckten Leiterplatte 101 verbunden werden können, die später detaillierter erläu­ tert wird.

Das mit dem Sekundärübertragungssubstrat 98 verbundene Bau­ teil 93 wird so auf der doppelseitigen gedruckten Leiter­ platte 101 positioniert, dass seine Frontseite nach unten zeigt, wie es in Fig. 12E dargestellt ist, wodurch seine Kontakthöcker 94 den Verbindungskontaktflecken 102 auf der doppelseitigen gedruckten Leiterplatte 101 zugewandt werden. Dann werden die Kontakthöcker 94 durch Heißpressen mit den Verbindungskontaktflecken 102 verbunden.

Wenn ein Erwärmen erfolgt, um den Kleber 97 thermisch zu verformen, mit dem das Bauteil 93 mit dem Sekundärübertra­ gungssubstrat 98 verbunden ist, wird das Bauteil 93 von die­ sem getrennt, wie es in Fig. 12F dargestellt ist.

Die das Bauteil 93 tragende doppelseitige gedruckte Leiter­ platte 101 wird dann auf derjenigen Seite einer anderen dop­ pelseitigen gedruckten Leiterplatte 104 positioniert, auf die eine Beschichtung eines Klebers 97 aufgetragen wurde, wobei die Positionierung so erfolgt, dass ihre Muster einan­ der zugewandt sind. Wenn die zwei doppelseitigen gedruckten Leiterplatten 101 und 104 unter Erwärmung gegeneinander ge­ presst werden, werden sie miteinander verbunden. Demgemäß wird eine Halbleiterkomponente 105 mit einem in ihr instal­ lierten Bauteil 93 fertiggestellt, wie sie in Fig. 12G dar­ gestellt ist.

Wenn das zu übertragende Bauteil auf einem Siliciumsubstrat aufgebaut wird, kann die Opferschicht eine solche aus porö­ sem Polysilicium oder aus amorphem Kohlenstoff sein. Auch kann die Opferschicht eine solche aus AlInAs sein, wenn das Bauteil auf einem InP-Substrat aufgebaut wird.

Während die Ausführungsbeispiele in Form eines Bandpassfil­ ters mit SiR-Struktur beschrieben wurden, besteht für das Schaltungsbauteil keine Beschränkung auf ein Bandpassfilter, sondern es kann z. B. ein Tiefpassfilter, ein Hochpassfilter oder ein Verbinder sein. Ein Beispiel eines Tiefpassfilters ist in Fig. 13 dargestellt. Dabei verfügt ein Paar doppel­ seitiger gedruckter Leiterplatten 111 und 115 auf einer Sei­ te über zwei Muster 111a bzw. 115a, die das Tiefpassfilter bilden und auf der anderen Seite verfügten sie über zwei Ab­ schirmungsbeschichtungen 112 bzw. 116. Diese zwei doppelsei­ tigen gedruckten Leiterplatten 111 und 115 werden so über­ einander positioniert, dass das Muster 111a dem Muster 115a zugewandt ist, und sie werden durch einen Kleber miteinander verbunden, um so das Muster 111a mit dem Muster 115a zu ver­ binden. Im Ergebnis kann die Tiefpassfilter einen gewünsch­ ten Wert der Filterungseigenschaften aufweisen, ohne durch den Kleber beeinflusst zu sein.

Im Fall eines Hochpassfilters werden drei doppelseitige ge­ druckte Leiterplatten 121, 124 und 127 verwendet, wie es in Fig. 14 dargestellt ist. Insbesondere tragen die zwei dop­ pelseitigen gedruckten Leiterplatten 121 und 124 auf einer Seite ein jeweiliges Muster 121a bzw. 124a, die das Hoch­ passfilter bilden. Auch sind das Hochpassfilter bildende Muster 124b und 127b auf der anderen Seite der doppelseiti­ gen gedruckten Leiterplatte 124 bzw. einer Seite der doppel­ seitigen gedruckten Leiterplatte 127 vorhanden. Die anderen Seiten der zwei doppelseitigen gedruckten Leiterplatten 121 und 127 sind jeweils mit einer Abschirmungsbeschichtung 122 bzw. 128 bedeckt. Die zwei doppelseitigen gedruckten Leiter­ platten 121 und 124 werden so aufeinander positioniert, dass das Muster 121a dem Muster 124a gegenübersteht, und sie wer­ den durch einen Kleber miteinander verbunden. In ähnlicher Weise werden die zwei doppelseitigen gedruckten Leiterplat­ ten 124 und 127 so übereinander positioniert, dass das Mus­ ter 124a dem Muster 127a gegenübersteht, und sie werden durch einen Kleber miteinander verbunden. Im Ergebnis sind die Muster 121a und 124a miteinander verbunden, während auch die Muster 124b und 127b miteinander verbunden sind. Demge­ mäß kann das Hochpassfilter einen gewünschten Wert der Fil­ tereigenschaften aufweisen, ohne durch den Kleber beein­ flusst zu sein.

Für das Schaltungsbauteil besteht keine Beschränkung auf ein Filter, das als Schaltkreis mit verteilten Konstanten ausge­ bildet ist, sondern es kann z. B. auch eine Schaltung mit konzentrierten Konstanten sein, wie ein Kondensator. Im letzteren Fall kann für das Bauteil ein gewünschter Kapazi­ tätswert unabhängig vom Effekt eines Verbindungsmaterials eingestellt werden.

Gemäß der Erfindung wird eine Bauteilplatte wie folgt herge­ stellt: Verbinden eines ersten dielektrischen Substrats mit einem darauf vorhandenen ersten Leitermuster mit einem zwei­ ten dielektrischen Substrat mit einem darauf vorhandenen zweiten Leitermuster durch eine dielektrische Kleberschicht in solcher Weise, dass die zwei Leitermuster einander zuge­ wandt sind; Ausbilden des ersten Leitermusters mit der Form eines Schaltkreisbauteils zum Ausführen einer gewünschten Funktion, während das zweite Leitermuster mit einer Form ausgebildet wird, die im Wesentlichen mit derjenigen des ersten Leitermusters identisch ist, so dass die zwei Muster einander überlappen können; und Anbringen eines Massehalb­ leiters an der Außenseite des ersten und zweiten dielektri­ schen Substrats. Demgemäß kann, wenn ein Schaltkreisbauteil wie ein Bandpassfilter durch eine Kombination des ersten und zweiten Leitermusters und der Masseleiter realisiert wird, für dasselbe eine Frequenzantwort erzielt werden, die sich auf einem gewünschten Niveau befindet, ohne dass eine Beein­ flussung durch den Dielektrizitätsfaktor oder die Dicke der dielektrischen Kleberschicht bestehen.

Auch kann, wenn die Leitermuster in Schichten erstellt wer­ den, die Oberfläche der Signalleitungen erhöht werden, wo­ durch der Skineffekt im Hochfrequenzbereich verbessert wird und die Signalverluste minimiert werden. Die Dicke des Halb­ leitermusters ist geringer als die des Masseleiters, was für hohe Genauigkeit beim Herstellen der Leitermuster sorgt. Da­ rüber hinaus wird das mit dem ersten oder zweiten Leitermus­ ster verbundene Halbleiterbauteil auf oder zwischen den Sub­ straten der Bauteilplatte montiert, um mit minimalen Längen mit demselben verbunden zu sein, wodurch Signalverluste ver­ mieden werden können, die von langen Verbindungsleitungen herrühren, und Wechselwirkungen mit anderen Schaltkreisen minimiert werden können.

Claims (15)

1. Bauteilplatte, gekennzeichnet durch:

• - Verbindung eines ersten dielektrischen Substrats (21) mit einem darauf vorhandenen ersten Leitermuster (21a, 21b) mit einem zweiten dielektrischen Substrat (22) mit einem darauf vorhandenen zweiten Leitermuster (22a, 22b) durch eine di­ elektrische Kleberschicht (23) in solcher Weise, dass die zwei Leitermuster einander zugewandt sind;
• - Ausbildung des ersten Leitermusters mit der Form eines Schaltkreisbauteils zum Ausführen einer gewünschten Funkti­ on, während das zweite Leitermuster mit einer Form ausgebil­ det ist, die im Wesentlichen mit derjenigen des ersten Lei­ termusters identisch ist, so dass die zwei Muster einander überlappen können;
• - und Anbringung eines Masschalbleiters (21c, 22c) an der Außenseite des ersten und zweiten dielektrischen Substrats.

2. Bauteilplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das erste und/oder zweite dielektrische Substrat min­ destens eine Schicht mit jeweils einem im Wesentlichen gleich geformtem Leitermuster (33a) aufweist, das über einer dielektrischen Isolierschicht (32) auf dem Leitermuster (31a) des Substrats vorhanden ist.

3. Bauteilplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sowohl das erste als auch das zweite dielektrische Sub­ strat eine doppelseitige gedruckte Leiterplatte ist, auf de­ ren einer Seite, die nicht das Leitungsmuster trägt, eine leitende Schicht als Masseleiter (21c, 22c) vorhanden ist.

4. Bauteilplatte nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke des Leitermusters (21a, 21b) dünner als die­ jenige der Leiterschicht ist, die als Masseleiter (21c, 22c) dient.

5. Verfahren zum Herstellen einer Bauteilplatte, gekenn­ zeichnet durch die folgenden Schritte:

• - Herstellen eines ersten Leitermusters, das die Funktion des Schaltungsbauteils bestimmt, auf einer Seite eines ers­ ten dielektrischen Substrats mit zwei leitenden Schichten auf seinen beiden Seiten;
• - Herstellen eines zweiten Leitermuster, dessen Form im we­ sentlichen identisch mit der Form des ersten Leitermusters ist, wenn die zwei Muster aufeinander positioniert werden, auf einer Seite eines zweiten dielektrischen Substrats, das auf seinen beiden Seiten zwei leitende Muster trägt; und
• - Verbinden des ersten und des zweiten dielektrischen Sub­ strats durch eine dielektrische Kleberschicht in solcher Weise miteinander, dass das erste und das zweite Leitermus­ ter einander überlappen.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das erste und das zweite dielektrische Substrat miteinander verbunden werden, nachdem mindestens eine Schicht mit einem im Wesentlichen gleichgeformten Leitermuster über einer di­ elektrischen Isolierschicht auf dem Leitermuster des ersten und/oder zweiten dielektrischen Substrats angebracht wurde.

7. Halbleiterkomponente, gekennzeichnet durch:

• - Verbindung eines ersten dielektrischen Substrats (21) mit einem darauf vorhandenen ersten Leitermuster (21a, 21b) mit einem zweiten dielektrischen Substrat (22) mit einem darauf vorhandenen zweiten Leitermuster (22a, 22b) durch eine di­ elektrische Kleberschicht (23) in solcher Weise, dass die zwei Leitermuster einander zugewandt sind;
• - Ausbildung des ersten Leitermusters mit der Form eines Schaltkreisbauteils zum Ausführen einer gewünschten Funkti­ on, während das zweite Leitermuster mit einer Form ausgebil­ det ist, die im Wesentlichen mit derjenigen des ersten Lei­ termusters identisch ist, so dass die zwei Muster einander überlappen können;
• - Verbindung des ersten und des zweiten Leitermuster durch Verbindungselemente miteinander; und
• - Anbringung eines Halbleiterbauteils (50), das mit dem ers­ ten und/oder zweiten Leitermuster verbunden ist.

8. Halbleiterkomponente nach Anspruch 7, dadurch gekenn­ zeichnet, dass das erste und/oder zweite dielektrische Sub­ strat mindestens eine Schicht mit jeweils einem im Wesentli­ chen gleich geformtem Leitermuster (33a) aufweist, das über einer dielektrischen Isolierschicht (32) auf dem Leitermus­ ter (31a) des Substrats vorhanden ist.

9. Halbleiterkomponente nach Anspruch 7, dadurch gekenn­ zeichnet, dass das Halbleiterbauteil (55) zwischen dem ers­ ten und dem zweiten dielektrischen Substrat, die miteinander verbunden sind, eingebettet ist.

10. Halbleiterkomponente nach Anspruch 7, dadurch gekenn­ zeichnet, dass das Halbleiterbauteil auf der anderen Seite als der Leitermusterseite des ersten oder zweiten dielektri­ schen Substrats montiert ist, während das erste oder zweite dielektrische Substrat über eine Verbindungseinrichtung (44p, 75) Verbinden des Halbleiterbauteils mit dem ersten oder zweiten Leitermuster aufweist.

11. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterkomponente, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:

• - Herstellen eines ersten Leitermusters, das die Funktion des Schaltungsbauteils bestimmt, auf einer Seite eines ers­ ten dielektrischen Substrats mit zwei leitenden Schichten auf seinen beiden Seiten;
• - Herstellen eines zweiten Leitermuster, dessen Form im we­ sentlichen identisch mit der Form des ersten Leitermusters ist, wenn die zwei Muster aufeinander positioniert werden, auf einer Seite eines zweiten dielektrischen Substrats, das auf seinen beiden Seiten zwei leitende Muster trägt; und
• - Verbinden des ersten und des zweiten dielektrischen Sub­ strats durch eine dielektrische Kleberschicht in solcher Weise miteinander, dass das erste und das zweite Leitermus­ ter einander überlappen, um so das erste Leitermuster und das zweite Leitermuster miteinander zu verbinden und das Halbleiterbauteil mit dem ersten und/oder zweiten Leitermus­ ter zu verbinden.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass das erste und das zweite dielektrische Substrat mitein­ ander verbunden werden, nachdem mindestens eine Schicht mit einem im Wesentlichen gleichgeformten Leitermuster über ei­ ner dielektrischen Isolierschicht auf dem Leitermuster des ersten und/oder zweiten dielektrischen Substrats angebracht wurde.

13. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass das erste oder zweite dielektrische Substrat eine Ver­ bindungseinrichtung zum Verbinden seines Leitermusters mit dem Halbleiterbauteil aufweist und das Halbleiterbauteil auf der anderen Seite als der Leitermusterseite des ersten oder zweiten dielektrischen Substrats montiert wird, nachdem das erste und das zweite dielektrische Substrat miteinander ver­ bunden wurden, und dann durch die Verbindungseinrichtung mit dem ersten oder zweiten Leitermuster verbunden wird.

14. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass das erste und zweite dielektrische Substrat miteinander verbunden werden, nachdem die Dicke des Halbleiterbauteils verringert wurde und es dann mit dem ersten oder zweiten Leitermuster verbunden wurde.

15. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass, nachdem die Dicke des Halbleiterbauteils verringert wurde und es dann mit dem ersten oder zweiten dielektrischen Substrat verbunden wurde, das erste und zweite dielektrische Substrat miteinander verbunden werden, um das Halbleiterbau­ teil mit dem Leitermuster des anderen dielektrischen Sub­ strats zu verbinden.