DE10016861A1 - Piezoelektrischer Resonator, Piezoelektrische Komponente und Leiterfilter - Google Patents
Piezoelektrischer Resonator, Piezoelektrische Komponente und LeiterfilterInfo
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Abstract
Es wird ein piezoelektrischer Resonator geschaffen, bei dem die Kapazität an den Anschlüssen erhöht werden kann, ohne die Dicke und die piezoelektrischen, als piezoelektrische Plättchen verwendeten Materialien zu verändern. Mehrere piezoelektrische Plättchen, die in der Richtung der Hochachse polarisiert sind, und mehrere Elektrodenschichten werden alternierend aufgebracht, um einen monolithischen Körper zu bilden. Die Elektrodenschichten sind so angeordnet, daß sie in jeder Schicht in entgegengesetzte Richtungen abgelenkt werden. Externe Elektroden werden an Knotenpunkten ausgebildet, die in den zentralen Teilen beider Endflächen des monolithischen Körpers liegen, wobei ein erstes Paar Elektrodenschichten über eine erste externe Elektrode elektrisch verbunden wird, während das andere Paar der Elektrodenschichten durch die andere externe Elektrode elektrisch verbunden wird.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf piezoelektrische Resonatoren und insbesondere auf
einen eine Schwingung längs einer Resonatorachse ("extensional vibration") nut
zenden piezoelektrischen Resonator; sie bezieht sich des weiteren auf piezoelektri
sche Komponenten und Leiterfilter und insbesondere auf eine piezoelektrische
Komponente und einen Leiterfilter zur Oberflächenmontage. Darüber hinaus be
zieht sich die Erfindung auf Leiterfilter, und insbesondere bezieht sie sich auf einen
Leiterfilter, bei dem ein piezoelektrischer, eine Schwingung längs einer Resonato
rachse nutzender Resonator zum Einsatz kommt.
Der Aufbau eines konventionellen piezoelektrischen Resonators 1, der Schwingun
gen längs einer Resonatorachse ausführt, wird in Fig. 1 gezeigt. In dem piezoelek
trischen Resonator 1 wird ein piezoelektrisches Plättchen 2 poliert, so daß es eine
Dicke "T" aufweist, und Elektrodenschichten 3a und 3b werden auf den Hauptflä
chen des piezoelektrischen Plättchens 2 in der Weise aufgebracht, daß das piezo
elektrische Plättchen 2 in der Richtung seiner Dicke durch Polarisierungsbehand
lung polarisiert wird. Wenn "T" die Dicke des piezoelektrischen Resonators 1 und
"L1" und "L2" jeweils die Kantenlängen desselben sind, ergibt sich die Kapazität an
den Anschlüssen (Kapazität zwischen Elektroden) "Cf' durch die folgende Glei
chung (1),
CF = (εo . εs . L1 . L2)/T (1),
CF = (εo . εs . L1 . L2)/T (1),
worin: εo die Dielektrizitätskonstante unter Vakuum und εs die spezifische Di
elektrizitätskonstante des piezoelektrischen Plättchens sind.
Die Resonanzfrequenz "fr" der Schwingung längs einer Resonatorachse des piezo
elektrischen Resonators 1 ergibt sich durch die folgende Gleichung (2) unter der
Voraussetzung, daß L1 ≅ L2,
fr = V/L1 (2),
hierin ist: V = die Verbreitungsgeschwindigkeit der Wellenbewegung im piezoelek
trischen Plättchen 2 ≅ 2000 m/sek. Demzufolge werden, wenn die geforderte Reso
nanzfrequenz "fr" ermittelt wird, die Längen der Kanten "L1" = "L2" des piezoelektri
schen Resonators 1 entsprechend der Gleichung (2) bestimmt.
Um demzufolge die Kapazität an den Anschlüssen "Cf" des piezoelektrischen Re
sonators 1 bei einer bestimmten Resonanzfrequenz "fr" zu steigern, muß ein piezo
elektrisches Material mit einer großen spezifischen Dielektrizitätskonstante "εs'
ausgewählt werden, oder die Dicke "T" des piezoelektrischen Plättchens 2 entspre
chend der obigen Gleichung (1) muß gemindert werden.
Wenn jedoch die spezifische Dielektrizitätskonstante "εs" des für das piezoelektri
sche Plättchen 2 verwendeten piezoelektrischen Materials erhöht wird, werden an
dere piezoelektrische Konstanten, wie z. B. die piezoelektrische Güte "Qm" und eine
elektromechanische Konstante "k" ebenso verändert, so daß lediglich die Kapazität
an den Anschlüssen "Cf" nicht ohne Änderung anderer piezoelektrischer Konstan
ten gesteigert werden kann. Wenn andererseits die Dicke "T" des piezoelektrischen
Plättchens 2 übermäßig reduziert wird, besteht die Gefahr, daß der piezoelektrische
Resonator 1 bei einem externen Stoß, wie z. B. einem Fall, bricht, so daß das Ver
fahren über die Reduzierung der Dicke des piezoelektrischen Plättchens 2 Begren
zungen unterliegt. Wenn L1 ≅ L2 ≅ 4,5 mm (fr = 450 kHz) ist, liegt die Dicke "T" an
der Festigkeitsgrenze empirisch bei ca. 300 µm.
Piezoelektrische Komponenten, die für oberflächenmontierte Leiterfilter verwendet
werden, werden in der nicht geprüften japanischen Patentoffenlegungsschrift Nr. 8-
18382 und in der nicht geprüften japanischen Patentoffenlegungsschrift Nr. 7-
176977 offengelegt. Bei diesen piezoelektrischen Komponenten wird eine Kombi
nation mehrerer piezoelektrischer Resonatoren und metallischer Anschlüsse, die
fluchtend in einer Linie alternierend in der vertikalen Richtung angeordnet sind, in
einem Gehäuse untergebracht, und externe Anschlüsse werden ausgebildet, indem
Anschlußteile der Metallanschlüsse in einer aus dem Gehäuse herausführenden
Richtung gebogen werden.
Jedoch haben diese piezoelektrischen Komponenten eine große Gehäusehöhe, so
daß die piezoelektrische Komponente weit über die Oberfläche eines Substrats
hervorsteht, wenn sie auf dem Substrat montiert wird, woraus sich Schwierigkeiten
beim Einsatz als Schaltkreissubstrat für ein Bauteil mit niedriger Höhe ergeben, und
es wird verhindert, daß ein Bauteil so geändert wird, daß es eine geringe Höhe
aufweist.
Bei diesen piezoelektrischen Komponenten nimmt die erforderliche Zahl von Me
tallanschlüssen zu. Wenn beispielsweise eine Komponente vier piezoelektrische
Resonatoren aufweist, sind vier bis fünf Metallanschlüsse erforderlich. Damit stei
gen die Materialkosten, während die Lohnkosten ebenfalls zunehmen, dies führt
dann in der Addition zu erhöhten Kosten der piezoelektrischen Komponente.
Das Schaltschema eines üblichen Vier-Element(zwei-Stufen)-Leiterfilters 201 wird
in Fig. 14 gezeigt. Der Leiterfilter 201 weist zwei in Reihe geschaltete Resonatoren
204S und 205S auf, die zwischen einem Eingangsanschluß 202 und einem Aus
gangsanschluß 203 in Reihe geschaltet sind, und zwei parallel geschalteten Reso
natoren 206P und 207P, die jeweils zwischen jeder Ausgangsseite der entspre
chenden Resonatoren 204S und 205S und der Masse geschaltet sind. Bei dem
Leiterfilter als aktive Komponente wird die Kombination von zwei in Reihe geschal
teten Resonatoren und zwei parallel geschalteten Resonatoren, die vertikal über
ein Anschlußplättchen in Sandwichform zusammengefügt werden, in einem Ge
häuse von einer Endflächenöffnung des Gehäuses aus untergebracht (z. B. die ja
panische nicht geprüfte Gebrauchsmuster-Offenlegungsschrift Nr. 4-76724).
Die garantierte Dämpfung "ATTo" eines solchen Leiterfilters ergibt sich, wenn die
Kapazität an den Anschlüssen der in Reihe geschalteten Resonatoren 204S und
205S "Cfso" beträgt und die Kapazität an den Anschlüssen der parallel geschalteten
Resonatoren 206P und 207P "Cfpo" beträgt, aus der folgenden Gleichung (3):
"ATTo" = 2 × 20Log (Cfso/Cfpo) (3).
Bei sämtlichen konventionellen in Reihe geschalteten Resonatoren 204S und 205S
und bei den parallel geschalteten Resonatoren 206P und 207P, die Schwingungen
längs einer Resonatorachse ausführen, werden, wie in Fig. 15 gezeigt, auf beiden
Oberflächen eines piezoelektrischen Plättchens 208, das so bearbeitet ist, daß es
eine quadratische Form hat, Elektroden 209 ausgebildet. Wenn "Ls" die Kantenlän
ge der in Reihe geschalteten Resonatoren 204S und 205S, "Ts" die Dicke dersel
ben, "εs" die spezifische Dielektrizitätskonstante derselben und "εs" die Dielektrizi
tätskonstante unter Vakuum ist, dann ergibt sich die Kapazität "Cfso" an den An
schlüssen der in Reihe geschalteten Resonatoren 204S und 205S durch die fol
gende Gleichung (4):
Cfso = (εo . εs . Ls 2)/T5 (4).
Analog gilt, daß, wenn "Lp" die Kantenlänge der parallel geschalteten Resonatoren
206p und 207p, "Tp" die Dicke derselben, "εp" die spezifische Dielektrizitätskon
stante derselben und "εo" die Dielektrizitätskonstante unter Vakuum ist, sich die
Kapazität "Cfpo" an den Anschlüssen der parallel geschalteten Resonatoren 206p
und 207p durch die folgende Gleichung (5) ergibt:
Cfpo = (εo . εp . Lp 2)/Tp (5).
Cfpo = (εo . εp . Lp 2)/Tp (5).
Wenn demzufolge die Werte der Gleichungen (4) und (5) in die obige Gleichung (3)
eingesetzt werden, ergibt sich die folgende Gleichung (6) zum Erhalt der garantier
ten Dämpfung "ATTo:
"ATTo" = 2 × 20Log [(ε8 . Ls 2 . Tp)/(εp . Lp 2 . Ts)] (6).
Darüber hinaus werden die Resonanzfrequenz der in Reihe geschalteten Resona
toren 204S und 205S und die Resonanzfrequenz der parallel geschalteten Reso
natoren 206p und 207p jeweils beide durch ihre jeweiligen Größen (Kantenlängen
Ls und Lp) bestimmt. Wenn ein Leiterfilter mit der erforderlichen Frequenz ausgebil
det wird, dann sind die Größen der in Reihe geschalteten Resonatoren 204S und
205S und der parallel geschalteten Resonatoren 206p und 207p die gleichen (Ls =
Lp), so daß sich die garantierte Dämpfung ""ATTo" (< 0) aus der folgenden Glei
chung (7) ergibt:
"ATTo" = 2 × 20Log [(εs . Tp)/(εp . Ts)] (7).
Um demzufolge die garantierte Dämpfung "ATTo" (den absoluten Wert) zu erhöhen,
ist es notwendig, daß die spezifische Dielektrizitätskonstante "εo" der in Reihe ge
schalteten Resonatoren 204S und 205S reduziert wird, während die spezifische
Dielektrizitätskonstante "εp" der parallel geschalteten Resonatoren 206p und 207p
erhöht wird. Es ist des weiteren notwendig, daß die Dicke "Ts" der in Reihe ge
schalteten Resonatoren 204S und 205S erhöht wird, während die Dicke "Tp" der
parallel geschalteten Resonatoren 206p und 207p reduziert wird.
Wenn jedoch sonstige piezoelektrische Merkmale, wie z. B. eine piezoelektrische
Güte "Qm", eine elektromechanische Konstante "k" und Temperaturmerkmale in
Betracht gezogen werden, ist es vorzuziehen, daß für die in Reihe geschalteten
Resonatoren 204S und 205S und die parallel geschalteten Resonatoren 206p und
207p das gleiche piezoelektrische Material verwendet wird. Es ist schwierig, piezo
elektrische Materialien für die in Reihe geschalteten Resonatoren 204S und 205S
und die parallel geschalteten Resonatoren 206p und 207p einzeln lediglich bezüg
lich der spezifischen Dielektrizitätskonstanten "εs" und "εp" auszuwählen.
Ferner wird mit abnehmender Dicke "Tp" der parallel geschalteten Resonatoren
206p und 207p deren Dicke so reduziert, daß das Element selbst dazu neigt, Brü
che (Risse) zu entwickeln, während zunehmende Dicke "Ts" der in Reihe geschal
teten Resonatoren 204S und 205S dazu führt, daß der Leiterfilter selbst an Gewicht
und Größe zunimmt.
Aufgrund der oben erwähnten Einschränkungen bei der Konstruktion bringt der
konventionelle Leiterfilter ein Problem insofern mit sich, als die garantierte Dämp
fung "ATTo" nicht frei festgesetzt werden kann.
Um die oben erwähnten technischen Probleme zu lösen, liegt der Erfindung die
Aufgabe zugrunde, einen piezoelektrischen Resonator zu liefern, der an den An
schlüssen eine große Kapazität aufweist, ohne die Dicke zu reduzieren und ohne
die piezoelektrischen Materialien der piezoelektrischen Plättchen zu ändern.
Um die oben erwähnten technischen Probleme zu lösen, liegt der Erfindung auch
die Aufgabe zugrunde, eine piezoelektrische Komponente mit mehreren piezoelek
trischen Elementen oder einem Leiterfilter zu schaffen, die mehrere in Reihe ge
schaltete Resonatoren und parallel geschaltete Resonatoren aufweist, wobei es
sich jeweils um Vorrichtungen mit niedriger Höhe handelt, die für die Montage an
der Oberfläche geeignet sind.
Um die oben erwähnten technischen Probleme zu lösen, liegt der Erfindung noch
die weitere Aufgabe zugrunde, einen Leiterfilter zu schaffen, der einen hohen Wert
an garantierter Dämpfung aufweist, und insbesondere einen Leiterfilter, der es er
möglicht, die garantierte Dämpfung zu erhöhen, während in Reihe geschaltete Re
sonatoren und parallel geschaltete Resonatoren so ausgebildet werden, daß sie die
gleiche Dicke haben, wobei sie aus dem gleichen piezoelektrischen Material gefer
tigt werden.
Entsprechend einem ersten Merkmal der Erfindung weist ein piezoelektrischer Re
sonator, der Schwingungen längs einer Resonatorachse ausführt, auf: eine Mehr
zahl von piezoelektrischen Plättchen und eine Mehrzahl von Elektrodenschichten,
wobei die Mehrzahl von piezoelektrischen Plättchen und die Mehrzahl von Elektro
denschichten alternierend aufgebracht werden, um integriert zu werden, und wobei
einige der Elektrodenschichten elektrisch miteinander verbunden sind, während der
Rest der Elektrodenschichten ebenfalls elektrisch miteinander verbunden ist.
Bei diesen Merkmalen des piezoelektrischen Resonators weist ein längs seiner
Achse schwingendes Resonataorelement ein piezoelektrisches Plättchen und
Elektrodenschichten auf, die auf beiden Oberflächen des piezoelektrischen Plätt
chens gebildet werden, und der piezoelektrische Resonator wird dadurch gebildet,
daß eine Mehrzahl dieser Elemente aufgebracht wird, womit es ermöglicht wird,
daß die Kapazität an den Anschlüssen gesteigert wird, ohne die Größe des piezo
elektrischen Plättchens und die piezoelektrischen Materialien zu verändern.
Aufgrund dieser Merkmale sind die piezoelektrischen Plättchen auch dann bruch
fest, wenn die Kapazität an den Anschlüssen durch Reduzieren der Dicke des pie
zoelektrischen Plättchens erhöht wird, weil der piezoelektrische Resonator eine
Struktur aufweist, bei der mehrere piezoelektrische Plättchen einzeln aufgesetzt
werden. Demzufolge kann die Kapazität an den Anschlüssen des piezoelektrischen
Resonators stärker erhöht werden, ohne die Festigkeit des piezoelektrischen Re
sonators durch Reduzieren der Dicke jedes einzelnen piezoelektrischen Plättchens
zu mindern.
Vorzugsweise weist ein piezoelektrischer Resonator des weiteren eine Mehrzahl
von Endflächenelektroden auf, die an Knotenpunkten auf externen peripheren
Oberflächen des monolithischen Körpers der Mehrzahl von piezoelektrischen Plätt
chen und der Mehrzahl von Elektrodenschichten angeordnet sind, wobei einige der
Mehrzahl von Elektrodenschichten miteinander über einige der Mehrzahl von End
flächenelektroden elektrisch verbunden sind, während der Rest der Mehrzahl von
Elektrodenschichten untereinander durch einige andere der Mehrzahl von Endflä
chenelektroden elektrisch verbunden werden kann.
Aufgrund dieser Merkmale des piezoelektrischen Resonators kann die Schwingung
längs einer Resonatorachse des piezoelektrischen Resonators aufgrund der End
flächenelektrode kaum eingeschränkt werden, da eine Endflächenelektrode an ei
nem Knotenpunkt auf der externen Oberflächen des monolithischen Körpers aus
gebildet wird.
Nach einem zweiten Merkmal der Erfindung weist eine piezoelektrische Kompo
nente eine Mehrzahl von piezoelektrischen Plättchen und ein Gehäuse auf, wobei
die Mehrzahl von piezoelektrischen Plättchen auf einer Ebene im Gehäuse ange
ordnet sind.
Dank dieser Merkmale der piezoelektrischen Komponente (einschließlich eines
Leiterfilters) werden mehrere plättchenförmige piezoelektrische Elemente in einer
Ebene im Gehäuse angeordnet, womit also eine piezoelektrische Komponente mit
niedriger Höhe erreicht wird. Bei der Montage auf einer Leiterplatte usw. ist dem
zufolge die Montagehöhe nicht vergrößert, was auch dazu beiträgt, Geräte mit nied
riger Höhe zu schaffen. Die Struktur eines Metallanschlusses kann auch dadurch
vereinfacht werden, daß die piezoelektrischen Elemente auf einer Ebene in der
Weise angeordnet werden, daß die Anzahl der erforderlichen Metallanschlüsse
ebenfalls reduziert werden kann.
Bei der piezoelektrischen Komponente kann die Mehrzahl von piezoelektrischen
Plättchen im wesentlichen die gleiche Dicke aufweisen.
Dank dieser Merkmale der piezoelektrischen Komponente und aufgrund der Tatsa
che, daß jedes beliebige der mehreren piezoelektrischen Elemente im wesentlichen
die gleiche Dicke aufweist, können in dem Gehäuse, in dem die piezoelektrischen
Elemente angeordnet sind, nur schwerlich überflüssige Leerräume entstehen, wo
mit ein wirksamer Beitrag zu einer piezoelektrischen Komponente mit niedriger Hö
he geleistet wird. Da die Dicke jedes piezoelektrischen Elements im wesentlichen
die gleiche ist, wird auch die Bearbeitbarkeit während ihrer Montage an Anschlüsse
verbessert.
Nach einem dritten Merkmal der Erfindung weist ein Leiterfilter auf in Reihe ge
schaltete plättchenförmige Resonatoren, parallel geschaltete plättchenförmige Re
sonatoren mit einer Struktur, bei der Elektroden in Richtung der Hochachse aufge
bracht werden, und ein Gehäuse, in dem die in Reihe geschalteten plättchenförmi
gen Resonatoren und die parallel geschalteten plättchenförmigen Resonatoren im
Gehäuse auf einer Ebene angeordnet sind.
Dank dieser Merkmale des Leiterfilters und weil die in Reihe geschalteten plätt
chenförmigen Resonatoren und die parallel geschalteten plättchenförmigen Reso
natoren im Gehäuse auf einer Ebene angeordnet sind, kann ein Leiterfilter mit nied
riger Höhe erhalten werden. Bei einer Montage auf einer Leiterplatte usw. wird also
die Montagehöhe nicht vergrößert, was auch dazu beiträgt, Geräte mit niedriger
Höhe zu schaffen. Die Struktur eines Metallanschlusses kann auch dadurch ver
einfacht werden, daß die Leiterfilter auf einer Ebene angeordnet werden, so daß die
Zahl der erforderlichen Metallanschlüsse ebenfalls reduziert werden kann.
Da außerdem die parallel geschalteten Resonatoren eine in der Richtung der
Hochachse aufgebrachte Struktur von Elektroden aufweisen, kann die Kapazität an
den Anschlüssen der parallel geschalteten Resonatoren erhöht werden, ohne die
piezoelektrischen Materialien zu ändern oder die Dicke der parallel geschalteten
Resonatoren zu mindern, was zu einer Erhöhung der garantierten Dämpfung des
Leiterfilters führt.
Nach einem vierten Merkmal der Erfindung weist ein Leiterfilter in Reihe geschal
tete Resonatoren und parallel geschaltete Resonatoren mit einer Struktur auf, bei
der Elektroden in der Richtung der Hochachse aufgebracht werden, indem piezo
elektrischen Plättchen zwischen den Elektroden eingesetzt werden.
Aufgrund dieser Merkmale des Leiterfilters und da die parallel geschalteten Reso
natoren eine Struktur aufweisen, bei der Elektroden in der Richtung der Hochachse
aufgebracht werden, indem piezoelektrische Plättchen zwischen den Elektroden
eingesetzt werden, kann die Distanz zwischen Elektroden reduziert werden, ohne
die Dicke des parallel geschalteten Resonators zu verringern, was zu einer Erhö
hung der Kapazität an den Anschlüssen der parallel geschalteten Resonatoren
führt. Entsprechend kann die garantierte Dämpfung des Leiterfilters erhöht werden.
Insbesondere wird durch Herstellen der in Reihe geschalteten Resonatoren und der
parallel geschalteten Resonatoren aus dem gleichen Material die Kapazität an den
Anschlüssen der parallel geschalteten Resonatoren stärker erhöht werden als die
der in Reihe geschalteten Resonatoren, und die garantierte Dämpfung des Leiter
filters kann erhöht werden.
Vorzugsweise weist der Leiterfilter des weiteren eine externe Elektrode auf, die an
einem Knotenpunkt der Schwingung der parallel geschalteten Resonatoren ange
ordnet ist, wobei die Elektroden miteinander durch die externe Elektrode verbunden
werden.
Dank dieser Merkmale des Leiterfilters werden die Elektroden miteinander über die
externe Elektrode verbunden, die an einem Knotenpunkt der Schwingung der par
allel geschalteten Resonatoren ausgebildet wird, so daß die Kapazität an den An
schlüssen der parallel geschalteten Resonatoren durch Parallelschaltung jeder
elektrostatischen Kapazität über Elektroden über die externen Elektroden stärker
gesteigert werden kann. Darüber hinaus ist es schwierig, die piezoelektrische
Schwingung der parallel geschalteten Resonatoren einzuschränken, da die externe
Elektrode an einem Knotenpunkt der Schwingung ausgebildet wird.
Im Leiterfilter kann die Dicke der in Reihe geschalteten Resonatoren im wesentli
chen die gleiche sein, wie die Dicke der parallel geschalteten Resonatoren.
Dank dieser Merkmale des Leiterfilters ist die Dicke der in Reihe geschalteten Re
sonatoren und der parallel geschalteten Resonatoren die gleiche und demzufolge
wird die Kapazität an den Anschlüssen der parallel geschalteten Resonatoren stär
ker erhöht als die der in Reihe geschalteten Resonatoren, so daß die garantierte
Dämpfung des Leiterfilters erhöht werden kann. Wenn die Dicke der in Reihe ge
schalteten Resonatoren und der parallel geschalteten Resonatoren im wesentlichen
die gleiche ist, ist es nicht notwendig, daß wie beim herkömmlichen Leiterfilter die
Dicke der parallel geschalteten Resonatoren reduziert wird, um die garantierte
Dämpfung zu erhöhen, was möglicherweise zu einem Bruch führt, oder aber die
Dicke der in Reihe geschalteten Resonatoren erhöht wird, was zu einem schweren
oder größerbauenden Leiterfilter führt. Die im wesentlichen gleiche Dicke der in
Reihe geschalteten Resonatoren und der parallel geschalteten Resonatoren er
leichtert auch die Montage des Leiterfilters.
Weitere erfindungswesentliche Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen aus der
nachstehenden Beschreibung hervor, in der mit Bezug auf die Zeichnungen Aus
führungsbeispiele erläutert werden. In den Zeichnungen zeigen
Fig. 1A und 1B eine Draufsicht und eine Seitenansicht eines konventionellen,
Schwingungen längs einer Resonatorachse ausführenden piezoelektri
schen Resonators;
Fig. 2 eine perspektivische Ansicht eines piezoelektrischen Resonators entspre
chend einer Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 3A, 3B und 3C eine Draufsicht, eine Seitenansicht und eine Vorderansicht des
in Fig. 2 gezeigten piezoelektrischen Resonators;
Fig. 4 eine perspektivische Ansicht eines piezoelektrischen Resonators mit einer
anderen Struktur;
Fig. 5A und 5B perspektivische Ansichten mit der Darstellung eines piezoelektri
schen Resonators nach einer anderen Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 6 eine perspektivische Ansicht eines piezoelektrischen Resonators mit einer
anderen Struktur;
Fig. 7 eine perspektivische Ansicht eines Leiterfilters nach einer Ausführungsform
der Erfindung, wobei die Vorrichtung durch Abtrennen einer Basis von ei
nem Gehäuse gezeigt wird;
Fig. 8 eine Gesamtansicht des in Fig. 7 gezeigten Filters ohne die Basis;
Fig. 9 eine perspektivische Ansicht des in Fig. 8 gezeigten Leiterfilters und eines
Zustandes, in dem eine der Anschlußelektroden im Gehäuse untergebracht
ist;
Fig. 10 eine perspektivische Ansicht der in Reihe geschalteten Resonatoren, die im
obigen Leiterfilter verwendet werden;
Fig. 11 eine perspektivische Ansicht der im obigen Leiterfilter verwendeten parallel
geschalteten Resonatoren;
Fig. 12A, 12B und 12C eine Draufsicht, eine Seitenansicht und eine Vorderansicht
der in Fig. 11 gezeigten parallel geschalteten Resonatoren;
Fig. 13 ein Schaltkreisdiagramm des obigen Leiterfilters;
Fig. 14 ein Schaltkreisdiagramm mit einem Zweistufenleiterfilter;
Fig. 15 eine perspektivische Ansicht der in einem konventionellen Leiterfilter ver
wendeten in Reihe geschalteten Resonatoren und parallel geschalteten
Resonatoren;
Fig. 16 eine Frontansicht eines Leiterfilters entsprechend einer Ausführungsform
der Erfindung mit der Darstellung der inneren Struktur desselben;
Fig. 17 eine Gesamtansicht des in Fig. 16 gezeigten Leiterfilters mit der Darstel
lung der Struktur desselben ohne ein Gehäuse;
Fig. 18 Ansichten des Gehäuses und eines Deckels, wie sie in dem in Fig. 16 ge
zeigten Leiterfilter verwendet werden;
Fig. 19 eine perspektivische Ansicht der in dem in Fig. 16 gezeigten Leiterfilter
verwendeten in Reihe geschalteten Resonatoren;
Fig. 20 eine perspektivische Ansicht der in dem in Fig. 16 gezeigten Leiterfilter
verwendeten parallel geschalteten Resonatoren; und
Fig. 21A, 21B und 21C eine Draufsicht, eine Seitenansicht und eine Vorderansicht
der in Fig. 20 gezeigten parallel geschalteten Resonatoren.
Fig. 2 ist eine perspektivische Ansicht eines Schwingungen längs einer Resonato
rachse ausführenden piezoelektrischen Resonators 11 nach einer Ausführungsform
der Erfindung, während die Fig. 3A, 3B und 3C eine Draufsicht, eine Seitenan
sicht und eine Frontansicht desselben sind. Bei dem piezoelektrischen Resonator
11 wird ein monolithischer Körper durch alternierendes Aufbringen einer ungeraden
Anzahl von piezoelektrischen Plättchen 12 aus piezoelektrischer Keramik und einer
geraden Zahl von Elektrodenschichten 13a, 13b, 13c und 13d gebildet. Jedes pie
zoelektrische Plättchen 12 hat die gleiche Kantenlänge "L1" und "L2" und die glei
che Dicke "t", und darauf wird eine Polarisierungsverarbeitung in Richtung der
Hochachse in der Weise durchgeführt, daß eine piezoelektrische Schwingung längs
einer Resonatorachse erregt wird. Obwohl die Polarisierungsrichtung jedes piezo
elektrischen Plättchens 12, wie durch die Pfeile in Fig. 3B gezeigt wird, alternierend
entgegengesetzt verläuft, kann sie jeweils auch in der gleichen Richtung verlaufen.
Zwischen aufgebrachten Elektrodenschichten bilden zwei externe Elektroden
schichten Oberflächenelektroden 13a und 13d, während Elektrodenschichten, die
sandwichartig zwischen piezoelektrischen Plättchen 12 angebracht werden, In
nenelektroden 13b und 13c bilden. Die Oberflächenelektroden 13a und 13d und die
Innenelektroden 13b und 13c sind so angeordnet, daß sie in jeder Schicht in entge
gengesetzte Richtungen abgelenkt werden. Das bedeutet, daß die Oberflächene
lektrode 13a und die Innenelektrode 13c, die in einer Schicht Abstand voneinander
angeordnet werden, eine erste Endfläche des monolithischen Körpers erreichen,
während sie von der anderen Endfläche desselben getrennt sind. Die andere Ober
flächenelektrode 13c und die Innenelektrode 13b, die eine Schicht voneinander ge
trennt angeordnet sind, erreichen die andere Endfläche des monolithischen Kör
pers, während sie von der ersten Endfläche desselben getrennt sind.
An Knotenpunkten (Schwingungknotenpunkten), die an den zentralen Teilen beider
Endflächen des monolithischen Körpers positioniert sind, werden Endflächenelek
troden 14a und 14b geformt. Eine Oberflächenelektrode 13a und die Innenelektro
de 13c werden miteinander durch eine Endflächenelektrode 14a elektrisch verbun
den, während die andere Oberflächenelektrode 13d und die Innenelektrode 13b
miteinander über die jeweils andere Endflächenelektrode 14b elektrisch verbunden
werden. Die in den piezoelektrischen Plättchen 12 generierte Schwingung längs
einer Resonatorachse kann während der Erregung des piezoelektrischen Resona
tors 11 durch Anordnung von Endflächenelektroden 14a und 14b an den Knoten
punkten des monolithischen Körpers in der dargestellten Form kaum eingeschränkt
werden.
Wenn die Anzahl von aufgebrachten Plättchen der piezoelektrischen Plättchen 12
"n" ist, da der wie oben beschrieben aufgebrachte piezoelektrische Resonator der
Kombination von "n" parallel zusammengeschalteten Plättchen des in Fig. 1 ge
zeigten piezoelektrischen Resonators mit einem Plättchen entspricht, ergibt sich die
Kapazität an den Anschlüssen "Cf" des piezoelektrischen Resonators 11 durch die
folgende Gleichung (8):
Cf = n(εo . εs . W1 . W2)/t (8),
Cf = n(εo . εs . W1 . W2)/t (8),
hierin ist "t" die Dicke der piezoelektrischen Plättchen 12; W1 (≦ L1), W2 (≦ L2) die
Längen der Kantenbereiche, wo sich die Elektrodenschichten gegenseitig überlap
pen; εo die Dielektrizitätskonstante unter Vakuum und εs die spezifische Dielektrizi
tätskonstante der piezoelektrischen Plättchen 12.
Wenn nun der in Fig. 1 gezeigte piezoelektrische Resonator mit einem Plättchen 1
und der in Fig. 2 gezeigte aufgebrachte piezoelektrische Resonator 2 betrachtet
werden, wird angenommen, daß die externen Größen (L1 und L2) und die piezo
elektrischen Materialien (d. h. also die spezifischen Dielektrizitätskonstanten "εs")
beider piezoelektrischen Resonatoren 1 und 11 die gleichen sind. Weiter wird an
genommen, daß Elektrodenschichten in der Weise im wesentlichen auf der ge
samten Fläche der piezoelektrischen Plättchen 12 aufgebracht werden, daß L2 ≅
W2 und L1 = W1. Da die Dicke sowohl der piezoelektrischen Resonatoren 1 als
auch 11 die gleiche ist, ergibt sich die Beziehung "T = nt" zwischen der Dicke "T"
des piezoelektrischen Resonators 1 und der Dicke "t" des piezoelektrischen Plätt
chens 12. Wenn demzufolge die Gleichung (1) mit der Gleichung (8) verglichen
wird, ist es klar, daß bei dem piezoelektrischen Resonator 11, der "n" aufgebrachte
piezoelektrische Plättchen 12 aufweist, im Vergleich zu der des piezoelektrischen
Resonators mit einem Plättchen 1 die n2-fache Kapazität "Cf" an den Anschlüssen
erhalten werden kann. Beispielsweise kann bei dem piezoelektrischen Resonator
11, der drei aufgebrachte piezoelektrische Plättchen 12 aufweist, im Vergleich zu
der des piezoelektrischen Resonators mit einem Plättchen 1 mit der gleichen Größe
die neunfache Kapazität "Cf" an den Anschlüssen erhalten werden. Entsprechend
kann in dem piezoelektrischen Resonator 11 nach der Erfindung eine hohe Kapa
zität "Cf" an den Anschlüssen erhalten werden, ohne die Resonanzfrequenz und
andere piezoelektrische Merkmale des piezoelektrischen Resonators 11 zu ändern.
Darüber hinaus können, selbst wenn die Dicke des piezoelektrischen Plättchens 12
1/n-mal größer sein soll, die piezoelektrischen Plättchen 12 kaum brechen, da eine
gleichmäßige Aufbringung erfolgt.
Zusätzlich können die Oberflächenelektroden 13a und 13b auf der gesamten Flä
che der Hauptebenen der piezoelektrischen Plättchen 12 wie bei einem in Fig. 4
gezeigten piezoelektrischen Resonator 15 ausgeformt werden. In diesem Fall ist
es, wie in Fig. 4 gezeigt, erforderlich, daß die auf der Endfläche des monolithischen
Körpers ausgeformte Endflächenelektrode 14a von einer Oberfläche des monolithi
schen Körpers entfernt wird, so daß sie nicht die Oberflächenelektrode 13d in der
Endfläche berührt, während die Endflächenelektrode 14b von der anderen Oberflä
che des monolithischen Körpers zurückgezogen wird, so daß sie die Oberflä
chenelektrode in der Endfläche nicht berührt.
Bei dem ersten Ausführungsbeispiel wird der monolithische Körper aus der ungera
den Zahl von piezoelektrischen Plättchen und der geraden Zahl von Elektroden
schichten gebildet; jedoch kann der monolithische Körper auch durch die gerade
Zahl von piezoelektrischen Plättchen und die ungerade Zahl von Elektroden
schichten gebildet werden. Ein in Fig. 5 gezeigter piezoelektrischer Resonator 16
ist eine Ausführungsform des letzteren Falles, bei dem Oberflächenelektroden 17a
und 17c miteinander über eine erste auf einer ersten Endfläche eines monolithi
schen Körpers ausgeformten Endflächenelektrode 18a verbunden werden. Bei die
ser Ausführungsform wird die erste Endflächenelektrode 18a auf der gesamten
Fläche der ersten Endfläche ausgebildet, während die andere Endflächenelektrode
18b lediglich in dem Abschnitt des Knotenpunktes ausgebildet wird; jedoch können
beide Endflächenelektroden 18a bzw. 18b auf der gesamten Fläche der Endflächen
ausgebildet werden, oder sie können lediglich an den Knotenpunktabschnitten aus
gebildet werden.
Bei dem in Fig. 6 gezeigten piezoelektrischen Resonator 19 kann die Breite "W1"
der Oberflächenelektroden 17a und 17c so reduziert werden, daß sie kleiner ist als
die Breite "L1" der piezoelektrischen Plättchen 12, so daß sie Teilelektroden sind.
Dies kann bei der ungeraden Zahl von piezoelektrischen Plättchen 12 oder bei der
geraden Zahl derselben gleichermaßen der Fall sein. In jedem Fall ergibt sich die
Kapazität "Cf" an den Anschlüssen des piezoelektrischen Resonators 19 durch die
Gleichung (8). Wenn die Breite "W1" der Oberflächenelektroden 17a und 17c so
gemindert wird, daß sie kleiner ist als die Breite "L1" der piezoelektrischen Plätt
chen 12, wie diese oben beschrieben wurde, kann der Wert der Kapazität "Cf" an
den Anschlüssen durch die Breite "W1" der Oberflächenelektroden 17a und 17c
beliebig eingestellt werden.
Fig. 7 zeigt perspektivische Ansichten eines Leiterfilters nach einer Ausführungs
form der Erfindung, wobei die Vorrichtung unter Abtrennung der Basis 119 von ei
nem Gehäuse 118 zur Unterbringung der in Reihe geschalteten Resonatoren 114S
und 115S und der parallel geschalteten Resonatoren 116P und 117P als piezo
elektrische Elemente getrennt gezeigt wird. Fig. 8 zeigt perspektivische Ansichten
mit der Darstellung der in Reihe geschalteten Resonatoren 114S und 115S und der
parallel geschalteten Resonatoren 116P und 117P im Gehäuse 118 und Anschluß
verbindungsplatten 120 und 121 in getrennten Zuständen. Sowohl in Fig. 7 wie
auch in Fig. 8 ist das Gehäuse 118 mit der Bodenfläche nach oben gezeigt. Wie
sich aus der Zeichnung ergibt, werden bei diesem Leiterfilter die beiden in Reihe
geschalteten Resonatoren 114S und 115S und die beiden parallel geschalteten
Resonatoren 116P und 117P im Gehäuse 118 untergebracht, und die Resonatoren
114S, 115S, 116P und 117P werden dazwischen mit den Anschlußverbindungs
platten 120 und 121 elektrisch verbunden.
Zunächst werden die Struktur der darin verwendeten in Reihe geschalteten Reso
natoren 114S und 115S und die der parallel geschalteten Resonatoren 116P und
117P beschrieben. Wie in Fig. 10 gezeigt, weisen die in Reihe geschalteten Reso
natoren 114S und 115S ein rechteckiges piezoelektrisches aus piezoelektrischem
Keramikmaterial ausgebildetes Plättchen 122 und Elektrodenschichten, die auf bei
den Hauptebenen des piezoelektrischen Plättchens 122 ausgebildet werden, auf,
wobei eine Polarisierungsbehandlung in Richtung der Hochachse in der Weise
ausgeführt wird, daß eine piezoelektrische Schwingung längs einer Resonatorach
se erregt wird.
Die parallel geschalteten Resonatoren 116P und 117P weisen die in Fig. 11 und
den Fig. 12A, 12B und 12C gezeigte Struktur auf. Bei den parallel geschalteten
Resonatoren 116P und 117P wird dadurch ein monolithischer Körper geformt, daß
alternierend eine ungerade Zahl von aus piezoelektrischem Keramikmaterial gefer
tigten, rechteckigen piezoelektrischen Plättchen und eine gerade Zahl von Elektro
denschichten 125a, 125b, 125c und 125d aufgebracht wird. In jedem der piezo
elektrischen Plättchen 124 wird eine Polarisierungsbearbeitung in Richtung der
Hochachse in der Weise vorgenommen, daß eine piezoelektrische Schwingung
längs einer Resonatorachse erregt wird. Obwohl die Polarisierungsrichtung jedes
piezoelektrischen Plättchens 124, wie dies durch Pfeile in Fig. 12 dargestellt wird,
alternierend entgegengesetzt verläuft, kann sie jeweils auch in der gleichen Rich
tung verlaufen. Bei den aufgebrachten Elektrodenschichten bilden zwei externe
Elektrodenschichten Oberflächenelektroden 125a und 125d, während Elektroden
schichten, die zwischen den piezoelektrischen Plättchen 124 in Sandwichform an
geordnet sind, die internen Elektroden 125b und 125c bilden. Die Oberflächen
elektroden 125a und 125d und die Innenelektroden 125b und 125c sind so ange
ordnet, daß sie bei jeder Schicht in entgegengesetzten Richtungen umgelenkt wer
den. Das heißt, die Oberflächenelektrode 125a und die Innenelektrode 125c, die in
einem Schichtabstand voneinander angeordnet sind, erreichen eine erste Endflä
che des monolithischen Körpers, während sie von der anderen Fläche desselben
getrennt sind. Die andere Oberflächenelektrode 125d und die Innenelektrode 125b,
die im Abstand einer Schicht voneinander angeordnet sind, erreichen die andere
Endfläche des monolithischen Körpers, während sie von der ersten Endfläche des
selben getrennt sind.
An Knotenpunkten (Schwingungsknotenpunkte), die an den zentralen Teilen beider
Endflächen des monolithischen Körpers positioniert sind, werden Endflächenelek
troden 126a und 126b geformt. Eine erste Oberflächenelektrode 125a und die In
nenelektrode 125c werden miteinander durch eine erste Endflächenelektrode 126a
elektrisch verbunden, während die andere Oberflächenelektrode 125d und die In
nenelektrode 125b miteinander über die jeweils andere Endflächenelektrode 126b
elektrisch verbunden werden. Die in den piezoelektrischen Plättchen 124 generierte
Schwingung längs einer Resonatorachse kann während der Erregung der parallel
geschalteten Resonatoren 116P durch Anordnung von Endflächenelektroden 126a
und 126b an den Knotenpunkten des monolithischen Körpers in der dargestellten
Form kaum eingeschränkt werden. Zusätzlich können die parallel geschalteten Re
sonatoren 116P und 117P sowohl einheitlich gesinterte Körper als auch aufge
brachte piezoelektrische Plättchen 124 sein.
Wenn die parallel geschalteten Resonatoren 116P und 117P einer solchen mono
lithischen Struktur verwendet werden, kann die Kapazität an den Anschlüssen der
parallel geschalteten Resonatoren 116P und 117P ohne Verwendung anderer Ma
terialien als derjenigen der in Reihe geschalteten Resonatoren 114S und 115S
bzw. ohne unterschiedliche Größen im Vergleich zu den in Reihe geschalteten Re
sonatoren 114S und 115S gesteigert werden. Demzufolge kann das Verhältnis der
Kapazität an den Anschlüssen der parallel geschalteten Resonatoren 116P und
117P zur Kapazität an den Anschlüssen der in Reihe geschalteten Resonatoren
114S und 115S gesteigert werden, so daß die garantierte Dämpfung des Leiterfil
ters erhöht werden kann. Selbst wenn die Dicke jedes piezoelektrischen Plättchens
124 reduziert wird, ändert sich die Gesamtdicke der parallel geschalteten Resona
toren 116P und 117P nicht, so daß die Dicke der parallel geschalteten Resonatoren
116P und 117P nicht Gefahr läuft, reduziert zu werden. Wenn beispielsweise die
parallel geschalteten Resonatoren 116P und 117P der monolithischen Struktur un
ter Verwendung von "n" Plättchen des piezoelektrischen Plättchens 124 mit einer
Dicke "1/n" ausgeformt werden, wird die Kapazität an den Anschlüssen derselben
n2-fach gesteigert, und die garantierte Dämpfung des Leiterfilters wird ebenso um
den Faktor n2 gesteigert.
Wie in Fig. 8 gezeigt, wird an der Unterseite des Gehäuses 118 ein ausgesparter
Teil 131 zur Aufnahme der beiden in Reihe geschalteten Resonatoren 114S und
115S und der beiden parallel geschalteten Resonatoren 116P und 117P so ausge
bildet, daß sie auf einer Ebene angeordnet werden. Der ausgesparte Teil 131 wird
von einem Rahmenteil 130 umschlossen. An der Innenwandfläche des ausgespar
ten Teils 131 (Innenfläche des Rahmenteils 130) werden hervorstehende Teile 132
zur Positionierung jedes einzelnen Resonators 114S, 115S, 116P und 117P über
stehend ausgeformt, während an der Deckenfläche des ausgesparten Teils 131
hervorstehende Teile 133 zur Positionierung jedes einzelnen der Resonatoren
114S, 115S, 116P und 117P überstehend ausgeformt werden. Die hervorstehen
den Teile 133 haben auch die Funktion der Positionierung der Anschlußverbin
dungsplatten 120 und 121.
Eine erste plane Anschlußverbindungsplatte 121, die eine Form ähnliche eines L
und ungefähr die dreifache Fläche eines Resonators hat, weist drei konvexe Teile
136, 137 und 138 auf, die auf der oberen Fläche ausgebildet sind, sowie Öffnungen
134 und 135 für das Durchführen der zwischen den konvexen Teilen 136, 137 und
138 geformten hervorstehenden Teile 133. Die andere Anschlußverbindungsplatte
120, die ungefähr die zweifache Fläche des Resonators hat, weist plane Teile 139
und 141 auf, die jeweils eine unterschiedliche Höhe aufweisen und auf beiden Sei
ten angeordnet sind, sowie ein geneigtes Teil 140 zur Verbindung der planen Teile
139 und 141 miteinander. An der Bodenfläche des ersten planen Teils 139 der An
schlußverbindungsplatte 120 und auf der oberen Fläche des anderen planen Teils
werden jeweils konvexe Teile 142 und 144 ausgeformt, während eine Öffnung 143
für das Durchführen des hervorstehenden Teils 133 im geneigten Teil 140 ausge
formt wird.
Demzufolge wird, wie in Fig. 9 gezeigt, bei der Montage die plane Anschlußverbin
dungsplatte 121 in der Weise in dem ausgesparten Teil 131 des Gehäuses 118
untergebracht, daß die hervorstehenden Teile 133 durch die Öffnungen 134 und
135 geführt werden. Im Anschluß daran werden die beiden in Reihe geschalteten
Resonatoren 114S und 115S und der parallel geschaltete Resonator 117P auf die
Anschlußverbindungsplatte 121 aufgebracht. Zu diesem Zeitpunkt werden die bei
den in Reihe geschalteten Resonatoren 114S und 115S sowie der parallel ge
schaltete Resonator 117P durch die an der inneren Peripherie des Rahmenteil 130
angeordneten konvexen Teile 132 und die hervorstehenden Teile 133 positioniert.
Dann wird der hervorstehende Teil 133 durch die Öffnung 134 geführt, und der pla
ne Teil 139 wird an den in Reihe geschalteten Resonator 114S in der Weise ange
schlossen, daß die Anschlußverbindungsplatte 120 im Gehäuse 118 untergebracht
wird. Dann wird, wie in Fig. 7 gezeigt, der Rest des parallel geschalteten Resona
tors 116P an den anderen planen Teil 141 angeschlossen. Dieser parallel ge
schaltete Resonator 116P wird auch durch die an der inneren Peripherie des Rah
menteils 130 angeordneten konvexen Teile 132 und die hervorstehenden Teile 133
positioniert.
Zusätzlich berühren die konvexen Teile 132 und die hervorstehenden Teile 133 zur
Positionierung der in Reihe geschalteten Resonatoren 114S und 115S sowie der
parallel geschalteten Resonatoren 116P und 117P jeden der Resonatoren 114S,
115S, 116P und 117P an jedem zentralen Kantenteil der äußeren peripheren Flä
che, die ein Knotenpunkt von Resonatorschwingungen ist, so daß die Schwingung
längs einer Resonatorachse jedes der Resonatoren 114S, 115S, 116P und 117P
kaum eingeschränkt werden kann.
Die Basis 119 weist ein aus einem Glasepoxyharzsubstrat oder einem Aluminium
oxyd ausgeformtes Substrat 145 und an deren oberen und unteren Flächen usw.
des Substrats 145 ausgeformte Elektrodenteile auf. Wie in Fig. 7 gezeigt, werden
auf der oberen Fläche des Substrats 145 ein Eingangselektrodenteil 146, ein Aus
gangselektrodenteil 148 und ein Erdungselektrodenteil 150 durch Verbrennen von
Kupferfolie oder leitender Paste oder ähnlichem ausgeformt. Am Eingangs
elektrodenteil 146 und am Erdungselektrodenteil 150 werden konvexe Teile 147,
149 und 151 an entsprechenden Stellen zu denen, die jedem Resonatormittelpunkt
gegenüberliegen, dadurch hergestellt, daß leitende Paste oder leitender Klebstoff
durch Drucken oder Dispenser usw. hinzugefügt wird. Da eine Höhenunregelmä
ßigkeit der konvexen Teile 147, 149 und 151 zu elektrischen Kontaktfehlern führen
kann, werden sie poliert, um sie auf die gleiche Höhe zu bringen. An der Bodenflä
che der Basis 119 werden analog zur oberen Fläche ein Eingangselektrodenteil, ein
Ausgangselektrodenteil und ein (nicht gezeigter) Erdungselektrodenteil ausgeformt.
Die Eingangselektrodenteile, die Ausgangselektrodenteile und die Erdungselektro
denteile an den oberen und unteren Flächen werden jeweils elektrisch über Seiten
flächenelektroden 152 verbunden, die durch Verwendung von durchgängigen Boh
rungen hergestellt werden.
Nachdem Adhäsivmaterial auf die untere Fläche des Rahmenteils 130 des die in
Reihe geschalteten Resonatoren 114S und 115S, die parallel geschalteten Reso
natoren 116P und 117P sowie die Anschlußverbindungsplatten 120 und 121 auf
nehmenden Gehäuses 118 aufgebracht wurde, wird die Basis 119 auf das Gehäu
se 118 in einem Zustand der oberen Fläche der Basis 119 in einer nach unten ge
richteten Richtung angeschlossen. Jeder der Resonatoren 114S, 115S, 116P und
117P wird zwischen das Gehäuse 118, die Anschlußverbindungsplatten 120 und
121 und die Basis 119 durch Druck von der oberen Seite der Basis 119 elastisch in
Sandwichform angeordnet; dann wird in diesem Zustand Hitze angelegt, um das
Adhäsivmaterial auszuhärten. Jeder Resonator 114S, 115S, 116P und 117P wird
zwischen der Basis 119 und dem Gehäuse 118 dadurch abgeschirmt, daß die unte
re Fläche des Rahmenteils 130 mittels des Adhäsivmaterials mit der Basis 119 ver
bunden wird.
Wenn die Basis 119 mit dem Gehäuse 118 in der beschriebenen Weise zwischen
konvexen Teilen der Basis 119 verbunden wird, drückt der konvexe, am Eingangs
elektrodenteil 146 ausgeformte Teil elastisch gegen die Hauptfläche des in Reihe
geschalteten Resonators 115S; der Ausgangselektrodenteil 148 drückt elastisch
gegen den planen Teil 139 der Anschlußverbindungsplatte 120; und die konvexen
Teile 149 und 151 des Erdungselektrodenteils 150 berühren die Hauptflächen bei
der parallel geschalteter Resonatoren 116P und 117P. Der eingangsseitige in Rei
he geschaltete Resonator 115S wird von dem konvexen Teil 147 des Ein
gangselektrodenteils 146 und dem konvexen Teil 137 der Anschlußverbindungs
platte 121 an den zentralen Teilen der Hauptebenen der Resonatoren eingeklemmt;
der ausgangsseitige in Reihe geschaltete Resonator 114S wird von dem konvexen
Teil 142 der Anschlußverbindungsplatte 120 und dem konvexen Teil 136 der An
schlußverbindungsplatte 121 an den zentralen Teilen der Hauptebenen der Reso
natoren eingeklemmt; und die parallel geschalteten Resonatoren 116P und 117P
werden jeweils durch die konvexen Teile 149 und 151 des Erdungselektrodenteils
150 und die konvexen Teile 144 und 138 der entsprechenden Anschlußverbin
dungsplatten 120 und 121 an den zentralen Teil geklemmt.
Demzufolge werden die in Reihe geschalteten Resonatoren 114S und 115S und
die parallel geschalteten Resonatoren 116P und 117P in einer leiterartigen Verbin
dung zusammengeschlossen, um einen Leiterfilter 111 zu erhalten. Das bedeutet,
daß, wie in Fig. 13 gezeigt, zwei in Reihe geschaltete Resonatoren 114S und 115S
miteinander in Reihe zwischen einem Eingangsanschluß 112 (Eingangselektro
denteil) und einem Ausgangsanschluß 113 (Ausgangselektrodenteil) verbunden
werden, während zwei parallel geschaltete Resonatoren 116P und 117P jeweils
zwischen jeder der Eingangsseiten der entsprechenden in Reihe geschalteten Re
sonatoren 114S und 115S und der Erde eingefügt werden. Insoweit wurde der Lei
terfilter zur Verwendung als ein zweiter IF-Filter eines Kommunikationsgeräts, bei
spielsweise lediglich der bis zu 450 kHz verwendete, konventionell hergestellt; nach
der Erfindung jedoch kann ein Hochfrequenzfilter zur Verwendung bis zu 900 kHz,
also zweimal dem üblichen Wert (beispielsweise 600 bis 1.000 kHz), erhalten wer
den.
Wenn der in dieser Weise hergestellte Leiterfilter für eine Komponente verwendet
wird, wird er in einer Lage an der Basis 119 in der Abwärtsrichtung und dem Ge
häuse 118 in Aufwärtsrichtung verwendet, und die Bodenfläche der Basis 119 wird
auf einer Leiterplatte montiert usw.
Da dieser Leiterfilter eine Struktur aufweist, bei der die Resonatoren 114S, 115S,
116P und 117P auf einer Ebene angeordnet sind, kann ein Umbau in ein niedrig
bauendes Teil (beispielsweise nicht mehr als 2 mm Höhe des Produkts) durchge
führt werden. Darüber hinaus haben die konventionellen Leiterfilter usw. eine
Struktur dahingehend, daß der sich öffnende Teil des Gehäuses durch ein Schutz
harz abgeschirmt wird, so daß der vom Schutzharz gefüllte Raum ein großes Vo
lumen einnimmt, was zu einem Leiterfilter mit großen Abmessungen führt. Der oben
erwähnte Leiterfilter hat jedoch eine Struktur dahingehend, daß die Basis 119 mit
dem Gehäuse 118 verbunden ist, so daß darüber hinaus eine Änderung in ein nied
rigbauendes Bauteil erreicht wird. Wenn der in dieser Weise in einen niedrigbauen
den Bauteil umgebaute Leiterfilter auf einer Leiterplatte usw. montiert wird, kann die
Montagehöhe reduziert werden, was auch zur Veränderung in nicht hochbauende
Geräte beiträgt.
Der Filter kann montiert werden, indem lediglich die in Reihe geschalteten Reso
natoren 114S und 115S und die parallel geschalteten Resonatoren 116P und 117P
in das Gehäuse 118 eingesetzt werden, ohne daß sie wie bei den üblichen gesta
pelt werden, so daß sich auch eine Eignung für automatische Montage ergibt.
Bei einem Leiterfilter mit vier Elementen ist es bei einem konventionellen Filter er
forderlich, vier bis fünf Anschlußverbindungsplatten zu haben, während der Leiter
filter nach der Erfindung mit zur zwei Anschlußverbindungsplatten auskommt, in
dem jeder der Resonatoren 114S, 115S, 116P und 117P auf ein und derselben
Ebene angeordnet wird. Bei dem Leiterfilter nach der Erfindung wird auch die Form
der Anschlußverbindungsplatten vereinfacht, womit die Kosten des Leiterfilters re
duziert werden, und er kann damit auch müheloser montiert werden.
Darüber hinaus werden bei einem konventionellen Leiterfilter externe Elektroden
gebildet, indem Anschlußteile von Metallanschlüssen gebogen werden, so daß
leicht Ausfälle durch Biegen des Metallanschlusses entstehen können bzw. die
Gefahr besteht, daß während der Montage Lötfehler auftreten. Bei dem Leiterfilter
nach der Erfindung werden jedoch die Elektrodenteile an der Bodenfläche der Ba
sis mit leitenden Schichten gebildet, und die Ebenmäßigkeit der Bodenfläche
(Montagefläche) des Leiterfilters wird entsprechend verbessert, so daß bei der
Montage an der Oberfläche kaum Lötfehler entstehen können.
Darüber hinaus wurde die Ausführungsform im Zusammenhang mit dem Leiterfilter
beschrieben; jedoch ist die Erfindung nicht auf den Leiterfilter begrenzt und kann
auf verschiedene piezoelektrische Komponenten zur Oberflächenmontage außer
dem Leiterfilter verwendet werden.
Fig. 16 ist eine Frontansicht mit der internen Struktur eines Leiterfilters 211 nach
einer weiteren Ausführungsform der Erfindung in einem Zustand, bei dem ein Dec
kel 213 von einem Gehäuse 212 abgenommen wurde. Fig. 17 zeigt perspektivische
Ansichten mit der Darstellung von Strukturen von in Reihe geschalteten Resonato
ren 214S und 215S, parallel geschalteten Resonatoren 216P und 217P und vier
Anschlüssen 218, 219, 220 und 221, die im Inneren untergebracht sind. Fig. 18
zeigt perspektivische Ansichten mit der Darstellung des Gehäuses 212 und des
Deckels 213 desselben. Wie sich aus diesen Zeichnungen ergibt, werden bei dem
Leiterfilter 211 die beiden in Reihe geschalteten Resonatoren 214S und 215S und
die beiden parallel geschalteten Resonatoren 216P und 217P in dem Gehäuse 212
untergebracht, und die Resonatoren 214S, 215S, 216P und 217P werden mit den
Anschlüsse 218 bis 221 elektrisch verbunden, so daß eine zweistufige Leiter in ei
nem Schaltkreis ähnlich zu dem in Fig. 14 gezeigten gebildet wird.
Zunächst werden die Strukturen der in Reihe geschalteten Resonatoren 214S und
215S und der parallel geschalteten Resonatoren 216P und 217P, die darin einge
setzt werden, beschrieben. Wie in Fig. 19 gezeigt, sind die in Reihe geschalteten
Resonatoren 214S und 215S Resonatoren vom Anreicherungstyp mit einem recht
eckigen piezoelektrischen Plättchen 222, das aus piezoelektrischem Keramikmate
rial besteht, und Elektrodenschichten 223, die an zentralen Teilen beider Haup
tebenen des piezoelektrischen Plättchens 222 ausgebildet werden, wobei daran
eine Polarisationsbehandlung in der Richtung der Hochachse vorgenommen wird,
so daß eine piezoelektrische Schwingung längs einer Resonatorachse erregt wird.
Dementsprechend ergibt sich bei den in Reihe geschalteten Resonatoren die Ka
pazität "Cfs" über deren Anschlüsse durch die folgende Gleichung (9):
Cfs = (εo . εs . Ws 2)/T (9),
hierin ist "T" die Dicke des piezoelektrischen Plättchens 222, "Ws" die Kantenlänge
der Elektrodenschichten 223 (wobei die Kantenlänge des in Reihe geschalteten
Resonators "Ls" ist, "Ws ≦ Ls), "εo" ist die Dielektrizitätskonstante unter Vakuum, und
"εs" ist die spezifische Dielektrizitätskonstante des piezoelektrischen Plättchens
222.
Die parallel geschalteten Resonatoren 216P und 217P haben eine Struktur wie in
Fig. 20 und den Fig. 21A, 21B und 21C gezeigt. Bei den parallel geschalteten Re
sonatoren 216P und 217P wird ein monolithischer Körper dadurch geformt, daß
alternierend eine ungerade Zahl von rechteckigen piezoelektrischen Plättchen 224,
die aus piezoelektrischem Keramikmaterial bestehen, und eine gerade Zahl von
Elektrodenschichten 225a, 225b, 225c und 225d aufgebracht wird. In jedem der
piezoelektrischen Plättchen 224 wird eine Polarisierungsbearbeitung in Richtung
der Hochachse in der Weise vorgenommen, daß eine piezoelektrische Schwingung
längs einer Resonatorachse erregt wird. Obwohl die Polarisierungsrichtung jedes
piezoelektrischen Plättchens 224, wie dies durch Pfeile in Fig. 21B dargestellt wird,
alternierend entgegengesetzt verläuft, kann sie auch jeweils in der gleichen Rich
tung verlaufen. Bei den aufgebrachten Elektrodenschichten bilden zwei externe
Elektrodenschichten Oberflächenelektroden 225a und 225d, während Elektroden
schichten, die zwischen den piezoelektrischen Plättchen 224 in Sandwichform an
geordnet sind, interne Elektroden 225b und 225c bilden. Die Oberflächenelektroden
225a und 225d und die Innenelektroden 225b und 225c sind so angeordnet, daß
sie bei jeder Schicht in entgegengesetzte Richtungen abgelenkt werden. Das heißt,
die Oberflächenelektrode 225a und die Innenelektrode 225c, die in einem Schich
tabstand voneinander angeordnet sind, erreichen eine erste Endfläche des mono
lithischen Körpers, während sie von der anderen Fläche desselben getrennt sind.
Die andere Oberflächenelektrode 225d und die Innenelektrode 225b, die im Ab
stand einer Schicht voneinander angeordnet sind, erreichen die andere Endfläche
des monolithischen Körpers, während sie von der ersten Endfläche desselben ge
trennt sind. Darüber hinaus können die parallel geschalteten Resonatoren 216P
und 217P einheitlich gesinterte Körper sein.
An Knotenpunkten (Schwingungsknotenpunkten), die an den zentralen Teilen bei
der Endflächen des monolithischen Körpers positioniert sind, werden Endflächene
lektroden 226a und 226b ausgeformt. Eine Oberflächenelektrode 225a und die In
nenelektrode 225c werden miteinander durch eine erste Endflächenelektrode 226a
elektrisch verbunden, während die andere Oberflächenelektrode 225d und die In
nenelektrode 225b miteinander durch die jeweils andere Endflächenelektrode 226b
elektrisch verbunden werden. Die in dem piezoelektrischen Plättchen 224 erzeugte
Schwingung längs einer Resonatorachse kann während der Erregung der parallel
geschalteten Resonatoren 216P und 217P durch Anordnung von Endflächenelek
troden 226a und 226b an den Knotenpunkten des monolithischen Körpers in der
dargestellten Form kaum eingeschränkt werden.
Die Kapazität "Cfp" an den Anschlüssen der parallel geschalteten Resonatoren
216p und 217p der beschriebenen monolithischen Struktur ergibt sich, wenn die
Anzahl der abgesetzten Plättchen des piezoelektrischen Plättchens 224 "n" ist, aus
der folgenden Gleichung (10):
Cfp = n(εo . εp . Wp1 . Wp2)/t (10),
hierin ist "t" die Dicke des piezoelektrischen Plättchens 224, Wp1 und Wp2 sind die
Längen der Kantenbereiche, wo Elektrodenschichten 225a und 225b sich gegen
seitig überlappen (wenn die Kantenlänge des parallel geschalteten Resonators "Lp"
ist, dann Wp1 ≦ Lp, Wp2 ≦ Lp), εo ist die Dielektrizitätskonstante unter Vakuum und
sp die spezifische Dielektrizitätskonstante des piezoelektrischen Plättchens 224.
Wenn nun die in Reihe geschalteten Resonatoren 202s und 205s, die wie in Fig. 15
gezeigt ausgebildet werden, und die in Reihe geschalteten Resonatoren 214S und
215s, wie in Fig. 19 gezeigt, betrachtet werden, wird angenommen, daß die exter
nen Größen (beispielsweise Ls ≅ 2,2 mm) und die piezoelektrischen Materialien
(d. h. also die spezifischen Dielektrizitätskonstanten "εs") der in Reihe geschalteten
Resonatoren 204s, 205s, 214s und 214s die gleichen sind. Es wird auch ange
nommen, daß die Dicke "T" der in Reihe geschalteten Resonatoren 204s, 205s,
214s und 215s die gleiche ist. Demzufolge ergibt sich das Verhältnis der Kapazität
an den Anschlüssen "Cfs" der in Reihe geschalteten Resonatoren 214s und 215s
nach der Erfindung zur Kapazität an den Anschlüssen "Cfso" der konventionellen in
Reihe geschalteten Resonatoren 204S und 205S durch die folgende Gleichung
(11):
CFs/Cfso = (Ws/Ls)2 (11).
CFs/Cfso = (Ws/Ls)2 (11).
Dementsprechend kann bei den in Reihe geschalteten Resonatoren 214s und
215s, die wie oben ausgebildet werden, die kleine Kapazität "Cfs" an den Anschlüs
sen erhalten werden, ohne die Größe "Ls", die Dicke "T" und das piezoelektrische
Material des piezoelektrischen Plättchens 224 zu ändern.
Wenn also die parallel geschalteten Resonatoren 206p und 207p, die wie in Fig. 5
gezeigt ausgebildet werden, und die parallel geschalteten Resonatoren 216p und
217p, wie in Fig. 20 gezeigt, betrachtet werden, wird angenommen, daß die exter
nen Größen (beispielsweise Lp ≅ 2,3 mm) und die piezoelektrischen Materialien
(d. h. also die spezifischen Dielektrizitätskonstanten "εp") der in Reihe geschalteten
Resonatoren 206p, 207p, 216p und 217p die gleichen sind. Weiter wird angenom
men, daß die Elektrodenschichten 225a bis 225d im wesentlichen auf der gesam
ten Fläche der piezoelektrischen Plättchen 224 ausgebildet werden, so daß Wp2 ≅
Lp und Wp1 = Lp. Wenn die Dicke "T" (beispielsweise 0,5 mm) der parallel geschal
teten Resonatoren 206p, 207p, 216p und 217p die gleiche ist, ergibt sich die Be
ziehung "T = nt" zwischen der Dicke "T" der parallel geschalteten Resonatoren
216p und 217p und der Dicke "t" des piezoelektrischen Plättchens 224 (beispiels
weise wenn n = 3, t ≅ 0,17 mm). Demzufolge ergibt sich bei einem Vergleich der
Gleichung (5) mit der Gleichung (10), daß das Verhältnis der Kapazität "Cfp" an den
Anschlüssen der parallel geschalteten Resonatoren 116p und 117p mit "n" aufge
setzten piezoelektrischen Plättchen 224 zur Kapazität "Cfpo" an den Anschlüssen
der parallel geschalteten Resonatoren 206p und 207p der Einzelplättchenstruktur
aus der folgenden Gleichung (12):
Cfp/Cfpo = n2 (12).
Beispielsweise kann bei den parallel geschalteten Resonatoren 116p und 117p mit
drei aufgesetzten Plättchen des piezoelektrischen Plättchens 224 im Vergleich zu
den parallel geschalteten Einzelplättchenresonatoren 106p und 107p gleicher Grö
ße die neunfache Kapazität "Cf" an den Anschlüssen erreicht werden. Demzufolge
kann entsprechend bei den parallel geschalteten Resonatoren 116p und 117p eine
große Kapazität "Cfp" an den Anschlüssen erhalten werden, ohne die Größe (Lp),
die Dicke "T" und das piezoelektrische Material der parallel geschalteten Resonato
ren 116p und 117p zu ändern. Darüber hinaus ist das piezoelektrische Plättchen
224 auch dann bruchfest, wenn die Dicke des piezoelektrischen Plättchens 224 nur
1/n ist, denn es wird gleichmäßig aufgebracht.
Demzufolge kann bei dem Zweistufenleiterfilter 211, der aus den in Reihe geschal
teten Resonatoren 114s und 115s und den parallel geschalteten Resonatoren 116p
und 117p besteht, die garantierte Dämpfung "ATT" im Vergleich zu einem Leiterfil
ter, der aus konventionellen in Reihe geschalteten Resonatoren 204s und 205s und
parallel geschalteten Resonatoren 206p und 207p besteht, erhöht werden. Das
Verhältnis der garantierten Dämpfung "ATT" des Leiterfilters 211 zur garantierten
Dämpfung ""ATTo" des konventionellen Leiterfilters ergibt sich aus der folgenden
Gleichung (13):
ATT/ATTo = [Ws/(n . Ls)]2 (13).
Demzufolge kann die garantierte Dämpfung "ATT", welche größer ist als die garan
tierte Dämpfung "ATTo" des konventionellen Leiterfilters dadurch erreicht werden,
daß die Elektrodenfläche "Ws × Ws" der in Reihe geschalteten Resonatoren 214s
und 215s im Vergleich zur piezoelektrischen Substratfläche "Ls × Ls" gemindert und
die Zahl von Schichten "n" der parallel geschalteten Resonatoren 216p und 217p
erhöht wird.
Nunmehr wird unter Bezugnahme auf die Fig. 16 bis 18 die Struktur des Leiter
filters beschrieben, der wie oben beschrieben ausgebildet wird und zwei in Reihe
geschaltete Resonatoren 214s und 215s und zwei parallel geschaltete Resonatoren
216p und 217p aufweist, wobei sämtliche Resonatoren ungefähr die gleiche Größe
(Ls ≅ Lp), die Dicke (T) aufweisen und kompakt im Gehäuse 212 untergebracht
werden. Bei dem Leiterfilter 211 werden zwei in Reihe geschaltete Resonatoren
214s und 215s und zwei parallel geschaltete Resonatoren 216p und 217p durch
vier Anschlüsse miteinander verbunden, d. h. einem Eingangsanschluß 218, einem
Ausgangsanschluß 219, einem inneren Elektrodenanschluß 220 und einem Er
dungsanschluß 221. Der Ausgangsanschluß 219 weist ein Elektrodenplättchen 231
auf, das der Summe der Breiten des in Reihe geschalteten Resonators 215s und
des parallel geschalteten Resonators 217p und eines Endstückes 232, das sich
ausgehend von dem Elektrodenplättchen 231 erstreckt, entspricht. An der oberen
Fläche des Elektrodenplättchens 231 wird auf beiden Seiten ein Paar konvexer
Teile 233 und 234 ausgebildet. Der Erdungsanschluß 221 umfaßt ein Elektroden
plättchen 235, das der Elastizität halber in Hälften gefaltet wird, und ein Endstück
236, das sich ausgehend von dem Elektrodenplättchen 235 erstreckt. Sowohl an
der oberen wie auch an der unteren Fläche des Elektrodenplättchens 235 werden
jeweils konvexe Teile 237 und 238 ausgeformt. Der Eingangsanschluß 218 weist
ein Elektrodenplättchen 240 auf, das einen an der Bodenfläche derselben ausge
formten konvexen Teil 239 und ein Endstück 241 aufweist, das sich davon ausge
hend erstreckt. Der interne Elektrodenanschluß 220 entspricht ebenfalls der Sum
me der Breiten der in Reihe geschalteten Resonatoren 214s und 215s und der par
allel geschalteten Resonatoren 216p und 217p und weist auf der linken Seite einen
elastischen planen Teil 242 und auf der rechten Seite einen einzelnen planen Teil
243 auf, wobei die beiden Teile verschiedene Höhen haben, welche ungefähr der
Elementdicke entsprechen, sowie ein geneigtes Teil 244, das den elastischen pla
nen Teil 242 mit dem einzelnen planen Teil 243 verbindet. An der Bodenfläche des
einzelnen planen Teils 243 wird rechts ein konvexer Teil 245 ausgeformt. Der ela
stische plane Teil 242 auf der linken Seite wird in Hälften mit konvexen Teilen 246
und 247 gefaltet, welche jeweils an den oberen und unteren Flächen desselben
gebildet werden.
Damit werden, wie in den Fig. 16 und 17 gezeigt, der in Reihe geschaltete Re
sonator 215s und der parallel geschaltete Resonator 217p auf beiden Seiten der
oberen Fläche des Ausgangsanschlusses 219 untergebracht; der Erdungsanschluß
221 wird zu dem parallel geschalteten Resonator 217p auf der rechten Seite ge
führt, und darüber hinaus wird der parallel geschaltete Resonator 216p an den Er
dungsanschluß 221 angeschlossen. Bei dem in Reihe geschalteten Resonator
215s auf der linken Seite und dem parallel geschalteten Resonator 216p im rechten
oberen Bereich werden jeweils der elastische plane Teil 242 des inneren Elektro
denanschlusses 220 und der einzelne plane Teil 243 angeschlossen. An den ela
stischen planen Teil 242 des inneren Elektrodenanschlusses 220 wird der in Reihe
geschaltete Resonator 214s angeschlossen, während der Eingangsanschluß an
den in Reihe geschalteten Resonator 214s angeschlossen wird.
Die in Reihe geschalteten Resonatoren 214s und 215s sowie die parallel geschal
teten Resonatoren 216p und 217p, die in dieser Weise mit den Anschlüssen 218
bis 221 verbunden sind, werden in dem Gehäuse 212 untergebracht, das an einem
Ende desselben eine Öffnung aufweist, indem sie von der Öffnung 251 desselben
aus eingeschoben werden. Das heißt, der in Reihe geschaltete Resonator 215s
wird elastisch an zentralen Teilen beider Hauptebenen desselben durch den kon
vexen Teil 239 des Eingangsanschlusses 218 und den konvexen Teil 246 des ela
stischen planen Teils 242 geklemmt; der in Reihe geschaltete Resonator 215s wird
elastisch durch den konvexen Teil 247 des elastischen planen Teils 242 und den
konvexen Teil 233 des Ausgangsanschlusses 219 geklemmt; des weiteren wird der
parallel geschaltete Resonator 216P elastisch an den zentralen Teilen beider
Hauptebenen desselben durch die konvexen Teile 246 des einzelnen planen Teils
243 und den konvexen Teil 237 des Erdungsanschlusses 221 geklemmt und der
parallel geschaltete Resonator 217p wird elastisch durch den konvexen Teil 238
des Erdungsanschlusses 221 und den konvexen Teil 234 des Ausgangsanschlus
ses 219 geklemmt. Demzufolge kann ein ähnlicher Schaltkreis wie der der Kombi
nation der beiden in Reihe geschalteten Resonatoren 214s und 215s und der bei
den parallel geschalteten Resonatoren 216p und 217p erhalten werden, um einen
Zweistufenleiterfilter 11 zu schaffen.
Auf der Innenfläche des Deckels 213 zum Verschließen der Öffnung des Gehäuses
212 ist eine Trennwand 252 zur Unterteilung des Gehäuses 212 in die Seite der in
Reihe geschalteten Resonatoren 214s und 215s und die Seite der parallel ge
schalteten Resonatoren 216p und 217p angeordnet, wobei die Trennwand 252 ei
nen Schlitz 253 aufweist, um den geneigten Teil 244 des inneren Elektrodenan
schlusses 220 durchzuführen. Der Deckel 213 weist Öffnungen 254, 255 und 256
für die jeweilige Durchführung des Endstücks 241 des Eingangsanschlusses 218,
des Endstücks 232 des Ausgangsanschlusses 219 und des Endstücks 236 des
Erdungsanschlusses 221 auf. Nachdem die in Reihe geschalteten Resonatoren
214s und 215s, die parallel geschalteten Resonatoren 216p und 217p und die An
schlüsse 218 bis 221 im Gehäuse 212 untergebracht wurden, wird der Deckel 213
in die Öffnung 251 des Gehäuses 212 eingepaßt und entsprechend beispielsweise
durch adhäsives Dichtungsmaterial versiegelt. In dieser Weise kann ein Leiterfilter
211 mit einer kompakten Struktur ohne überflüssige Leerräume erhalten werden.
Bei dem Leiterfilter 211 mit der oben erwähnten Struktur ist die Dicke der in Reihe
geschalteten Resonatoren 214s und 215s und der parallel geschalteten Resonato
ren 216p und 217p innerhalb der Grenzen des Verformungsbereiches der An
schlüsse 218 bis 221 in der Richtung der Hochachse im wesentlichen die gleiche,
und demzufolge werden Einschränkungen für die Anordnung der in Reihe ge
schalteten Resonatoren 214s und 215s und der parallel geschalteten Resonatoren
216p und 217p gemindert, so daß es ausreicht, lediglich die elektrischen Schalt
kreisverbindungen in Betracht zu ziehen. Da des weiteren die Kapazität "Cfp" an
den Anschlüssen der parallel geschalteten Resonatoren 216p und 217p groß kon
struiert werden kann, ist es möglich, die Dicke der in Reihe geschalteten Resonato
ren 214s und 215s zu reduzieren, um somit die Gesamtgröße des Leiterfilters 211
zu verringern, was zu einer Miniaturisierung desselben führt. Die Kapazität "Cfp" an
den Anschlüssen der parallel geschalteten Resonatoren 216p und 217p wird er
höht, so daß die Impedanz des Leiterfilters 211 erhöht werden kann.
Wenn spezifisch ein Leiterfilter konstruiert wird, der eine Frequenz von 450 kHz hat,
dann ist es bei einem konventionellen Leiterfilter so, daß die Dicke der Elemente
als Parameter herangezogen wird, um die gewünschte garantierte Dämpfung "ATT"
zu erhalten, wobei die Dicke der parallel geschalteten Resonatoren so festgelegt
wird, daß sie ca. 280 µm beträgt, was die Belastungsgrenze bezüglich der Rißbil
dung ist; die Dicke der in Reihe geschalteten Resonatoren muß ungefähr 1.200 µm
betragen, um das gewünschte Kapazitätsverhältnis zu erzielen; und das Dicken
verhältnis zwischen den in Reihe geschalteten Resonatoren und den parallel ge
schalteten Resonatoren muß so konstruiert werden, daß es 1.200/280 ≅ 4,3 be
trägt. Im Gegensatz dazu ist es bei dem Leiterfilter 211 nach der Erfindung so, daß
beliebige in Reihe geschaltete Resonatoren 214s und 215s und beliebige parallel
geschaltete Resonatoren 216p und 217p ungefähr die gleiche Dicke von ca. 500
µm aufweisen. Demzufolge beträgt bei einem Leiterfilter mit vier Elementen und
zwei Stufen in der konventionellen Ausführung die Gesamtdicke 2.960 µm; bei der
Ausführung nach der Erfindung kann er jedoch so konstruiert werden, daß die Ge
samtdicke ca. 2.000 µm ausmacht, was ungefähr 2/3 gegenüber dem erstgenann
ten entspricht.
Darüber hinaus ist, obwohl die Dicke beliebiger in Reihe geschalteter Resonatoren
214s und 215s und beliebiger parallel geschalteter Resonatoren 216p und 217p so
festgelegt wird, daß sie bei der oben erwähnten Konstruktion ca. 500 µm ausmacht,
gleichwohl klar, daß eine geringere Dicke als die genannte kein Problem darstellt.
Es ist ausreichend, lediglich zu berücksichtigen, daß die Dicke nicht geringer sein
darf als die Festigkeitsgrenze gegen Rißbildung durch Aufprall (ca. 280 µm).
Entsprechend dem ersten Merkmal der Erfindung kann die Kapazität an den An
schlüssen ohne Veränderung der Größe der piezoelektrischen Plättchen und der
piezoelektrischen Materialien erhöht werden, weil der piezoelektrische Resonator
eine Struktur aufweist, in der mehrere Elemente, welche längs einer Resonatorach
se schwingen, angeordnet sind. Er weist des weiteren einen Aufbau auf, bei dem
mehrere piezoelektrische Plättchen einzeln abgesetzt werden, so daß die Kapazität
an den Anschlüssen dadurch erhöht werden kann, daß die Dicke des piezoelektri
schen Plättchens gemindert wird, ohne damit die Festigkeit des piezoelektrischen
Resonators zu mindern. Demzufolge kann bei dem piezoelektrischen Resonator
nach der Erfindung eine hohe Kapazität an den Anschlüssen erhalten werden, ohne
die Größe des piezoelektrischen Resonators zu erhöhen oder die piezoelektrischen
Merkmale zu verändern.
Da bei dem piezoelektrischen Resonator eine Endflächenelektrode an einem Kno
tenpunkt auf der Außenfläche des monolithischen Körpers ausgebildet werden
kann, kann die Schwingung längs einer Resonatorachse der piezoelektrischen
Plättchen kaum aufgrund der Endflächenelektrode zur Verbindung der Elektroden
schichten miteinander eingeschränkt werden.
Nach dem zweiten Merkmal der Erfindung werden in einer piezoelektrischen Kom
ponente mehrere piezoelektrische Elemente in einem Gehäuse auf einer Ebene
angeordnet, wodurch eine niedrigbauende piezoelektrische Komponente erhalten
wird. Wenn sie demzufolge auf einer Leiterplatte usw. montiert wird, wird die Mon
tagehöhe nicht erhöht, was auch zu niedrigbauenden Geräten beiträgt. Die Struktur
eines Metallanschlusses kann auch dadurch vereinfacht werden, daß die piezo
elektrischen Elemente auf einer Ebene angeordnet werden, so daß die Anzahl der
erforderlichen Metallanschlüsse ebenfalls reduziert werden kann.
Da bei der piezoelektrischen Komponente mehrere beliebige piezoelektrische Ele
mente im wesentlichen die gleiche Dicke aufweisen, können in einem Gehäuse, in
dem die piezoelektrischen Elemente angeordnet sind, nur schwer Leerräume ent
stehen, was in effizienter Weise zu niedrigbauenden piezoelektrischen Komponen
ten beiträgt. Da die Dicke jedes piezoelektrischen Elementes im wesentlichen die
gleiche sein kann, wird auch die Bearbeitbarkeit bei der Montage mit Anschlüsse
verbessert.
Nach dem dritten Merkmal der Erfindung kann bei einem Leiterfilter aufgrund der
Tatsache, daß in Reihen geschaltete Resonatoren und parallel geschaltete Reso
natoren auf einer Ebene in einem Gehäuse angeordnet sind, ein niedrigbauender
Leiterfilter erhalten werden. Wenn demzufolge eine Montage auf einer Leiterplatte
usw. erfolgt, wird dadurch die Montagehöhe nicht erhöht, was auch zu niedrigbau
enden Geräten beiträgt. Die Struktur eines Metallanschlusses kann auch dadurch
vereinfacht werden, daß die Leiterfilter auf einer Ebene angeordnet werden, so daß
die Anzahl der erforderlichen Metallanschlüsse ebenfalls reduziert werden kann.
Da des weiteren die parallel geschalteten Resonatoren eine aufgebrachte Struktur
von Elektroden in der Richtung der Hochachse aufweisen, kann die Kapazität an
den Anschlüssen der parallel geschalteten Resonatoren gesteigert werden, ohne
piezoelektrische Materialien zu ändern oder die Dicke der parallel geschalteten Re
sonatoren zu mindern, was zu einer Steigerung der garantierten Dämpfung des
Leiterfilters führt.
Nach dem vierten Merkmal der Erfindung kann die Distanz zwischen Elektroden
reduziert werden, ohne die Dicke der parallel geschalteten Resonatoren zu min
dern, was zu einer erhöhten Kapazität an den Anschlüssen der parallel geschalte
ten Resonatoren führt, da bei einem Leiterfilter parallel geschaltete Resonatoren
eine Struktur aufweisen, bei der die Elektroden in der Richtung der Hochachse
durch Einlegen von piezoelektrischen Plättchen zwischen den Elektroden aufge
bracht werden.
Demzufolge kann entsprechend dem vierten Merkmal der Erfindung die garantierte
Dämpfung des Leiterfilters gesteigert werden. Bei der Ausformung der in Reihe ge
schalteten Resonatoren und der parallel geschalteten Resonatoren aus dem glei
chen Material ist es insbesondere möglich, die Kapazität an den Anschlüssen der
parallel geschalteten Resonatoren größer zu wählen als die der in Reihe geschal
teten Resonatoren, und die garantierte Dämpfung des Leiterfilters kann erhöht wer
den.
Bei dem Leiterfilter können die Elektroden durch eine externe Elektrode verbunden
werden, die an einem Schwingungsknotenpunkt der parallel geschalteten Resona
toren ausgeformt wird, so daß die Kapazität an den Anschlüssen der parallel ge
schalteten Resonatoren dadurch stärker erhöht werden kann, daß jede elektrostati
sche Kapazität mittels der externen Elektroden über Elektroden verbunden wird. Da
darüber hinaus die externe Elektrode an einem Schwingungsknotenpunkt ausgebil
det werden kann, besteht kaum die Möglichkeit, daß die piezoelektrische Schwin
gung der parallel geschalteten Resonatoren eingeschränkt werden kann.
Vorzugsweise wird bei dem Leiterfilter die Kapazität an den Anschlüssen der par
allel geschalteten Resonatoren stärker erhöht als die der in Reihe geschalteten Re
sonatoren, während die Dicke der in Reihe geschalteten Resonatoren und der par
allel geschalteten Resonatoren die gleiche bleibt, so daß die garantierte Dämpfung
des Leiterfilters erhöht werden kann. Wenn die Dicke der in Reihe geschalteten
Resonatoren und der parallel geschalteten Resonatoren im wesentlichen die glei
che ist, ist es nicht wie beim konventionellen Leiterfilter erforderlich, die Dicke der
parallel geschalteten Resonatoren zu reduzieren, um die garantierte Dämpfung zu
steigern, was möglicherweise zu einem Riß führt, oder aber die Dicke der in Reihe
geschalteten Resonatoren wird erhöht, was zu einem schweren oder größerbauen
den Leiterfilter führt. Im wesentlichen vereinfacht die gleiche Dicke der in Reihe ge
schalteten Resonatoren und der parallel geschalteten Resonatoren des weiteren
auch die Montage des Leiterfilters.
Claims (9)
1. Piezoelektrischer Resonator, der Schwingungen längs einer Resonatorach
se ausführt, welcher aufweist
eine Mehrzahl von piezoelektrischen Plättchen und eine Mehrzahl von
Elektrodenschichten,
dadurch gekennzeichnet, daß die genannte Mehrzahl von piezoelektrischen
Plättchen und die genannte Mehrzahl von Elektrodenschichten alternierend
aufgebracht werden, um integriert zu werden, und dadurch, daß einige der
genannten mehreren Elektrodenschichten elektrisch miteinander verbun
den sind, während der Rest der genannten Mehrzahl von Elektroden
schichten ebenfalls elektrisch miteinander verbunden ist.
2. Piezoelektrischer Resonator nach Anspruch 1, welcher des weiteren eine
Mehrzahl von Endflächenelektroden aufweist, die an Knotenpunkten auf
externen peripheren Flächen des monolithischen Körpers der genannten
Mehrzahl von piezoelektrischen Plättchen und der genannten Mehrzahl von
Elektrodenschichten aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß einige
der genannten mehreren Elektrodenschichten durch einige der genannten
mehreren Endflächenelektroden elektrisch miteinander verbunden sind,
während der Rest der genannten Mehrzahl von Elektrodenschichten durch
einige andere der genannten mehreren Endflächenelektroden miteinander
elektrisch verbunden ist.
3. Piezoelektrische Komponente, die aufweist:
eine Mehrzahl von piezoelektrischen Plättchen und
ein Gehäuse,
dadurch gekennzeichnet, daß die genannte Mehrzahl von piezoelektrischen
Plättchen in dem genannten Gehäuse auf einer Ebene angeordnet ist.
4. Piezoelektrische Komponente nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die genannte Mehrzahl von piezoelektrischen Plättchen im wesentli
chen die gleiche Dicke hat.
5. Leiterfilter, der aufweist:
in Reihe geschaltete plättchenförmige Resonatoren,
parallel geschaltete plättchenförmige Resonatoren mit einer Struktur, bei
der Elektroden in Richtung der Hochachse aufgebracht werden, und ein
Gehäuse, dadurch gekennzeichnet, daß die genannten in Reihe geschal
teten plättchenförmigen Resonatoren und die genannten parallel geschal
teten plättchenförmigen Resonatoren in dem genannten Gehäuse auf einer
Ebene angeordnet sind.
6. Leiterfilter, dadurch gekennzeichnet, daß er aufweist:
in Reihe geschaltete plättchenförmige Resonatoren und
parallel geschaltete plättchenförmige Resonatoren mit einer Struktur, bei
der Elektroden in Richtung der Hochachse dadurch aufgebracht werden,
daß zwischen den Elektroden piezoelektrische Plättchen eingelegt werden.
7. Leiterfilter nach Anspruch 5 und 6, der des weiteren eine externe Elektrode
aufweist, welche an einem Schwingungsknotenpunkt der genannten paral
lel geschalteten Resonatoren angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß
die Elektroden durch die genannte externe Elektrode miteinander verbun
den werden.
8. Leiterfilter nach Anspruch 6 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke
der genannten in Reihe geschalteten Resonatoren im wesentlichen die
gleiche ist wie die Dicke der genannten parallel geschalteten Resonatoren.
9. Leiterfilter nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der
genannten in Reihe geschalteten Resonatoren im wesentlichen die gleiche
ist wie die Dicke der genannten parallel geschalteten Resonatoren.
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| DE10016861A1 true DE10016861A1 (de) | 2001-04-19 |
Family
ID=27309848
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE10016861A Withdrawn DE10016861A1 (de) | 1999-04-09 | 2000-04-05 | Piezoelektrischer Resonator, Piezoelektrische Komponente und Leiterfilter |
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| US (1) | US6420945B1 (de) |
| KR (1) | KR20000071594A (de) |
| CN (1) | CN1171381C (de) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2790177B2 (ja) * | 1987-07-06 | 1998-08-27 | 株式会社村田製作所 | 電歪共振素子 |
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-
2000
- 2000-03-28 US US09/537,590 patent/US6420945B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-04-05 DE DE10016861A patent/DE10016861A1/de not_active Withdrawn
- 2000-04-06 FI FI20000809A patent/FI20000809L/fi not_active Application Discontinuation
- 2000-04-07 KR KR1020000018148A patent/KR20000071594A/ko not_active Ceased
- 2000-04-10 CN CNB001064916A patent/CN1171381C/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI20000809A0 (fi) | 2000-04-06 |
| CN1171381C (zh) | 2004-10-13 |
| CN1270448A (zh) | 2000-10-18 |
| FI20000809A7 (fi) | 2000-10-09 |
| FI20000809L (fi) | 2000-10-09 |
| US6420945B1 (en) | 2002-07-16 |
| KR20000071594A (ko) | 2000-11-25 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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