DE1094021B - Vorrichtung zum Ablesen der Information aus einem magnetischen Speicherelement - Google Patents
Vorrichtung zum Ablesen der Information aus einem magnetischen SpeicherelementInfo
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Description
DEUTSCHES
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Ablesen der Information aus einem magnetischen
Speicherelement aus magnetischem Material mit rechteckiger Hystereseschleife.
Solche Speicherelemente können bekanntlich zwei 5 unterschiedliche magnetische Remanenzzustände aufweisen,
die beispielsweise als Zustand 1 und Zustand 0 unterschieden werden können. Bekannte Vorrichtungen
zum Ablesen der Information sind so ausgeführt, daß ein Ableseimpuls einem mit dem Element
gekoppelten Primärabieseleiter zugeführt wird, während das Element weiter über einen Sekundärableseleiter
mit einem Ableseverstärker derart verbunden ist, daß dem Ableseverstärker ein Reaktionsimpuls aus
dem Speicherelement zugeführt wird, wenn dies den Zustand 1 aufweist, und kein Reaktionsimpuls zugeführt
wird, wenn es den Zustand 0 aufweist. Der Primärabieseleiter kann ebenso wie der Sekundärableseleiter
für eine Anzahl Speicherelemente gemeinsam sein.
Bei anderen bekannten Vorrichtungen dieser Art sind die Speicherelemente je mit zwei Primärableseleitern
gekoppelt, derart, daß ein den Zustand 1 aufweisendes Element nur dann in den Zustand 0 übergehen
kann, wenn zu gleicher Zeit ein Impuls den beiden mit diesem Element gekoppelten Ableseleitern
zugeführt wird und das Element dabei einen Reaktionsimpuls an den Sekundärableseleiter, der für eine Anzahl
Speicherelemente gemeinsam ist, abgeben kann.
Bei den bekannten Vorrichtungen tritt der Nachteil auf, daß infolge der nicht idealen Gestalt der
Hysteresekurve des Materials am Sekundärableseleiter Störimpulse auftreten können, die schwer von
den Impulsen unterscheidbar sind, die sich ergeben, wenn ein Speicherelement in den entgegengesetzten
Remanenzzustand übergeht, weil die Amplitude der Störimpulse von der gleichen Größenordnung wie diejenige
der nützlichen Reaktionsimpulse, sein kann.
Die Erfindung verringert diesen Nachteil.
Bei der Vorrichtung nach der Erfindung ist der Ableseverstärker normalerweise gesperrt, und es wird
einem mit einer Anzahl Primärleiter gekoppelten magnetischen Hilfskern ein Impuls entnommen, um
den Ableseverstärker erst eine vorherbestimmte Zeit nach Beginn des Ableseimpulses empfindlich zu
machen.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung näher erläutert, in der
Fig. 1 schematisch ein Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt, während
Fig. 2 und 3 Diagramme sind. ;
Fig. 1 zeigt eine Matrixspeichervorrichtung mit einer Anzahl Speicherkernen KIl, K12, K13, K21
usw. aus magnetischem Material mit rechteckiger Vorrichtung zum Ablesen
der Information aus einem magnetischen
Sp eicher element
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dr. rer. mat. P. Roßbach, Batentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 8. Mai 1958
Niederlande vom 8. Mai 1958
Franz Jozef Scbramel, Hilversum (Niederlande),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
Hystereseschleife, wie sie z. B. in Fig. 2 dargestellt ist. Die Kerne können zwei verschiedene Zustände
magnetischer Remanenz P und N aufweisen, die der Aufzeichnung der Ziffern 1 und 0 entsprechen. Die
Kerne der gleichen waagerechten Reihe sind mit Primärableseleitern Pl, P 2 und P 3 gekoppelt und
bilden zusammen eine Gruppe, in der eine Kodekombination, die manchmal als »Wort« bezeichnet
wird, aufgezeichnet werden kann. Die Kerne einer gleichen senkrechten Spalte sind über Sekundärableseleiter
51, S2 und S3 mit Ableseverstärkern Vl, V2
und V 3 verbunden, wobei der mit dem Ableseleiter S 3 verbundene Ableseverstärker in der Figur mehr im
Detail dargestellt ist. Die Kerne können dadurch in einen bestimmten Aufzeichnungszustand versetzt werden,
daß in nicht näher angegebener und an sich bekannter Weise zu gleicher Zeit ein Impuls geeigneter
Größe den mit diesen Kernen gekoppelten waagerechten und senkrechten Leitern zugeführt wird.
Wenn beispielsweise in die Kerne K11, K12 und K13
die Information 1, 0 bzw. 1 eingeschrieben werden soll, wird ein Impuls den Leitern Pl, Sl und 6~3 zugeführt.
Die Kerne KIl und K13 weisen dann den
Remanenzzustand P und der Kern K12 den Zustand
N auf.
. Um, die Information nachher aus dieser Gruppe von Kernen ablesen zu können, wird ein starker Impuls PL
dem Leiter P1 zugeführt, wodurch die Magnetisierung der Kerne #11 und KlZ den Zweig P- Q-R-S-N der
Hysteresekurve durchläuft und ein Reaktionsimpuls
009 650/228
L0&4&21
den Sekundära&eseleitem51 und S3 Zugeführt wird. '„
Der Kern 12 durchläuft dabei den Zweig N-S-N der
Hysteresekurve, wobei im Idealfall dem' Ableseleiter S2 somit kein Reaktionsimpuls zugeführt werden
dürfte. In "der Praxis ist dies jedoch nicht der" EaIi, und es tritt ein Stötimpuis auf f dessen Ampli— ·
tude von der gleichen Größenordnung wie diejenige des den Leitern Sl and S3 zugeführten Impulses sein
kann. Dies läßt sich wie ■ folgt erklären. Am Zweig N-S-N der Hysteresekurve treten nijr umkehrbare
Änderungen der Induktion Bauf, so da!ß dieser Zweig
mit hoher Geschwindigkeit durchlaufen wird. Obgleich der Absolutwert der Änderung der Induktion B dabei
verhältnismäßig gering ist, ist die Änderung der Induktion in der ZeiteinReTrwährend'kiif zer" ZeTt ver-i^
hältnismäßig groß, und es wird ein kurzer Impuls mit verhältnismäßig großer Amplitude dem betreffenden
Ableseleiter zugeführt, wie dies in Fig.. 3 dargestellt ist. Beim Ablesen der Information aus Kernen, die
den Zustand 1 aufweisen, tritt eine ähnliche ErscheinöHg
-attf,·-Der Zweig-P-Q der Hysteresekurve
wird dabei gleichfalls mit verhältnismäßig hoher Geschwindigkeit durchlaufen, weil sich hier nur umkehrbare
Magnetisierungsänderungeh' ergeben, wobei ein verhältnismäßig starker Impuls abgegeben wird. Am
Zweig Q-R-S sind dicMagnetisierungsänderungen dagegen
im wesentlichen nicht umkehrbar, und die dabei auftretenden Umklappvorgänge der magnetischen
Bezirke erfordern ein gewisses Maß von Übererregung, wodurch dieser Zweig verhältnismäßig langsam durchlaufen
wird. Der Impuls, der dabei an den Ableseleitern abgegeben wird, hat eine Gestalt, wie sie etwa
durch die Kurve P in Fig. 3 dargestellt ist.
Wie aus der Fig. 3, Kurve N, hervorgeht, ist die Amplitude des Störimpulsesvön der gleichen Großen-Ordnung
wie diejenige des nützlichen Reaktionsimpulses, so daß es schwierig ist, durch Amplitudenvergleich
einen Unterschied, zwischen den beiden .Auf-. zeichnungszuständen P und N festzustellen. Um diesen
Nachteil zu beheben, ist die Schaltungsanordnung derart ausgebildet, daß die Ableseverstärker normaler- ..,
weise gesperrt sind und zu einem Zeitpunkt wieder empfindlich gemacht werden, in dem die Störimpulse
praktisch verschwunden sind, d. h. eine gewisse Zeit nach Beginn des Ableseimpulses PL, der den Primärableseleitern
Pl, P2 oder P 3 zugeführt wird. Der Ableseleiter S3 ist über den Transformator M mit der
Basis eines Transistors Tl des Ableseverstärkers V3
gekoppelt. Der Transistor Tl verstärkt die Impulse, die sich am Ableseleiter ^"3 ergeben, und führt sie mit
positiver Polarität der Basis des Transistors T2 zu. Der Emitter des Transistors T2 ist über den Widerstand
W mit einer Quelle einer derartigen Spannung V verbunden, daß der Transistor normalerweise gesperrt
ist und auch unter der Einwirkung der Impulse am Leiter S3 nicht leitend wird. Die Basis des Transistors
TH, der für die verschiedenen Ableseverstärker gemeinsam ist, ist mit dem Hilfskern KH gekoppelt,
der mit den verschiedenen Primärableseleitern Pl1P 2
und P 3 gekoppelt ist. Dieser Hilfskern wird durch nicht näher ausgeführte Mittel vor dem Ablesen der
Information in den Zustand P versetzt. Wenn jetzt einem dieser Leiter ein Ableseimpuls zugeführt wird,
wird der Basis des Transistors TH ein derartiger ^Impuls zugeführt, daß dieser Transistor leitend wird.
Der Kollektor des Transistors TH ist mit den Emitter der Transistoren Γ2 der Ableseverstärker verbunden,
derart, daß beim Leitendwerden des Transistors TH die Spannung der Emitter der Transistoren Γ2 auf
-einen -derartigen Wert ansteigt, daß diese Transistoren unter der Einwirkung der Impulse an den
Leitern Sl, S2 und 6*3 leitend werden können und an
die Ausgangsklemmen U einen verstärkten Impuls abgeben können. Der Transistor TH wird mit einiger
Verzögerung leitend. Diese Verzögerung ergibt sich einerseits dadurch, daß beim Leitendwerden dieses
Transistors der Emitter-Basis-Kreis einen Kurzjächlußkreis
in bezug auf den Hilfskern KH bildet, wodurch* der Magnetisierungsänderung in diesem
Kern durch den Kurzschlußstrom im Emitter-Basis-Kreis des Transistors TH entgegengewirkt wird, so
daß sie nur verhältnismäßig langsam erfolgt. Andererseits befinden sich in nichtleitendem Zustand des
Transistors TH nur wenige Ladungsträger in der
Basis dieses Transistors und müssen diese beim Leitendwerden des Transistors aus dem Emitter zugeführt
werden, bevor ein Kollektorstrom auftreten kann. Die erfolgende Verzögerung genügt, um zu bewirken,
daß die Transistoren T 2 erst in einem Augenblick leitend werden können, in dem die Störimpulse
verschwunden sind.
Wenn die Information einer bestimmten Zeile gelöscht werden soll, ohne daß die Ableseverstärker
darauf ansprechen dürfen, wird der Hilfskern KH in den Zustand 0 versetzt oder in diesem Zustand gehalten,
so daß beim Zuführen eines Löschimpulses an einen der Primärabieseleiter der Kern KH keinen Ausgangsimpuls
liefern kann und die Ableseverstärker somit gesperrt bleiben.
Claims (2)
1. Vorrichtung, zum Ablesen der Information aus
einem magnetischen Speicherelement aus magnetischem Material mit rechteckiger Hystereseschleife,
bei-der zum Ablesen der Information ein Ableseimpuls einem mit diesem Element gekoppelten
Primärableseleiter zugeführt wird, welches Element weiter über einen Sekundärableseleiter
mit einem Ableseverstärker verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Ableseverstärker
normalerweise gesperrt ist und unter der Steuerung eines Impulses empfindlich gemacht wird, der
einem magnetischen Hilfskern entnommen wird, der mit einer Anzahl Primärableseleitern gekoppelt
ist, um den Ableseverstärker erst eine vorherbestimmte Zeit nach Beginn des Ableseimpulses
empfindlich zu machen.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der gemeinsame Hilfskern mit
dem Emitter-Basis-Kreis eines normalerweise gesperrten Transistors gekoppelt ist, dessen Kollektor
einem Verstärkertransistor des Ableseverstärkers eine derartige Vorspannung liefert, daß dieser
zweite Transistor unter der Einwirkung eines über den Sekundärableseleiter zugeführten Impulses
nur dann leitend wird, wenn der erste Transistor leitend ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
©009 650/228 11.60
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| NL227634 | 1958-05-08 |
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| GB (1) | GB916687A (de) |
| NL (1) | NL227634A (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1231758B (de) * | 1960-12-06 | 1967-01-05 | Sperry Rand Corp | Phasenmoduliertes Lesesystem |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1185658B (de) * | 1960-05-23 | 1965-01-21 | Hans Piloty Dr Ing | Anordnung zur Abnahme und Verstaerkung des Leseimpulses bei Magnetkernspeichern |
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1959
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- 1959-05-05 GB GB1536859A patent/GB916687A/en not_active Expired
- 1959-05-06 FR FR794109A patent/FR1223812A/fr not_active Expired
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1231758B (de) * | 1960-12-06 | 1967-01-05 | Sperry Rand Corp | Phasenmoduliertes Lesesystem |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR1223812A (fr) | 1960-06-20 |
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| GB916687A (en) | 1963-01-23 |
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