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DE1094021B - Vorrichtung zum Ablesen der Information aus einem magnetischen Speicherelement - Google Patents

Vorrichtung zum Ablesen der Information aus einem magnetischen Speicherelement

Info

Publication number
DE1094021B
DE1094021B DEN16672A DEN0016672A DE1094021B DE 1094021 B DE1094021 B DE 1094021B DE N16672 A DEN16672 A DE N16672A DE N0016672 A DEN0016672 A DE N0016672A DE 1094021 B DE1094021 B DE 1094021B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
reading
transistor
pulse
amplifier
coupled
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN16672A
Other languages
English (en)
Inventor
Franz Jozef Schramel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1094021B publication Critical patent/DE1094021B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/06Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
    • G11C11/06007Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
    • G11C11/06014Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit
    • G11C11/06021Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit with destructive read-out
    • G11C11/06028Matrixes
    • G11C11/06042"word"-organised, e.g. 2D organisation or linear selection, i.e. full current selection through all the bit-cores of a word during reading

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Digital Magnetic Recording (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

DEUTSCHES
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Ablesen der Information aus einem magnetischen Speicherelement aus magnetischem Material mit rechteckiger Hystereseschleife.
Solche Speicherelemente können bekanntlich zwei 5 unterschiedliche magnetische Remanenzzustände aufweisen, die beispielsweise als Zustand 1 und Zustand 0 unterschieden werden können. Bekannte Vorrichtungen zum Ablesen der Information sind so ausgeführt, daß ein Ableseimpuls einem mit dem Element gekoppelten Primärabieseleiter zugeführt wird, während das Element weiter über einen Sekundärableseleiter mit einem Ableseverstärker derart verbunden ist, daß dem Ableseverstärker ein Reaktionsimpuls aus dem Speicherelement zugeführt wird, wenn dies den Zustand 1 aufweist, und kein Reaktionsimpuls zugeführt wird, wenn es den Zustand 0 aufweist. Der Primärabieseleiter kann ebenso wie der Sekundärableseleiter für eine Anzahl Speicherelemente gemeinsam sein.
Bei anderen bekannten Vorrichtungen dieser Art sind die Speicherelemente je mit zwei Primärableseleitern gekoppelt, derart, daß ein den Zustand 1 aufweisendes Element nur dann in den Zustand 0 übergehen kann, wenn zu gleicher Zeit ein Impuls den beiden mit diesem Element gekoppelten Ableseleitern zugeführt wird und das Element dabei einen Reaktionsimpuls an den Sekundärableseleiter, der für eine Anzahl Speicherelemente gemeinsam ist, abgeben kann.
Bei den bekannten Vorrichtungen tritt der Nachteil auf, daß infolge der nicht idealen Gestalt der Hysteresekurve des Materials am Sekundärableseleiter Störimpulse auftreten können, die schwer von den Impulsen unterscheidbar sind, die sich ergeben, wenn ein Speicherelement in den entgegengesetzten Remanenzzustand übergeht, weil die Amplitude der Störimpulse von der gleichen Größenordnung wie diejenige der nützlichen Reaktionsimpulse, sein kann.
Die Erfindung verringert diesen Nachteil.
Bei der Vorrichtung nach der Erfindung ist der Ableseverstärker normalerweise gesperrt, und es wird einem mit einer Anzahl Primärleiter gekoppelten magnetischen Hilfskern ein Impuls entnommen, um den Ableseverstärker erst eine vorherbestimmte Zeit nach Beginn des Ableseimpulses empfindlich zu machen.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung näher erläutert, in der
Fig. 1 schematisch ein Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt, während
Fig. 2 und 3 Diagramme sind. ;
Fig. 1 zeigt eine Matrixspeichervorrichtung mit einer Anzahl Speicherkernen KIl, K12, K13, K21 usw. aus magnetischem Material mit rechteckiger Vorrichtung zum Ablesen
der Information aus einem magnetischen
Sp eicher element
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dr. rer. mat. P. Roßbach, Batentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 8. Mai 1958
Franz Jozef Scbramel, Hilversum (Niederlande),
ist als Erfinder genannt worden
Hystereseschleife, wie sie z. B. in Fig. 2 dargestellt ist. Die Kerne können zwei verschiedene Zustände magnetischer Remanenz P und N aufweisen, die der Aufzeichnung der Ziffern 1 und 0 entsprechen. Die Kerne der gleichen waagerechten Reihe sind mit Primärableseleitern Pl, P 2 und P 3 gekoppelt und bilden zusammen eine Gruppe, in der eine Kodekombination, die manchmal als »Wort« bezeichnet wird, aufgezeichnet werden kann. Die Kerne einer gleichen senkrechten Spalte sind über Sekundärableseleiter 51, S2 und S3 mit Ableseverstärkern Vl, V2 und V 3 verbunden, wobei der mit dem Ableseleiter S 3 verbundene Ableseverstärker in der Figur mehr im Detail dargestellt ist. Die Kerne können dadurch in einen bestimmten Aufzeichnungszustand versetzt werden, daß in nicht näher angegebener und an sich bekannter Weise zu gleicher Zeit ein Impuls geeigneter Größe den mit diesen Kernen gekoppelten waagerechten und senkrechten Leitern zugeführt wird. Wenn beispielsweise in die Kerne K11, K12 und K13 die Information 1, 0 bzw. 1 eingeschrieben werden soll, wird ein Impuls den Leitern Pl, Sl und 6~3 zugeführt. Die Kerne KIl und K13 weisen dann den Remanenzzustand P und der Kern K12 den Zustand N auf.
. Um, die Information nachher aus dieser Gruppe von Kernen ablesen zu können, wird ein starker Impuls PL dem Leiter P1 zugeführt, wodurch die Magnetisierung der Kerne #11 und KlZ den Zweig P- Q-R-S-N der Hysteresekurve durchläuft und ein Reaktionsimpuls
009 650/228
L0&4&21
den Sekundära&eseleitem51 und S3 Zugeführt wird. '„ Der Kern 12 durchläuft dabei den Zweig N-S-N der Hysteresekurve, wobei im Idealfall dem' Ableseleiter S2 somit kein Reaktionsimpuls zugeführt werden dürfte. In "der Praxis ist dies jedoch nicht der" EaIi, und es tritt ein Stötimpuis auf f dessen Ampli— · tude von der gleichen Größenordnung wie diejenige des den Leitern Sl and S3 zugeführten Impulses sein kann. Dies läßt sich wie ■ folgt erklären. Am Zweig N-S-N der Hysteresekurve treten nijr umkehrbare Änderungen der Induktion Bauf, so da!ß dieser Zweig mit hoher Geschwindigkeit durchlaufen wird. Obgleich der Absolutwert der Änderung der Induktion B dabei verhältnismäßig gering ist, ist die Änderung der Induktion in der ZeiteinReTrwährend'kiif zer" ZeTt ver-i^ hältnismäßig groß, und es wird ein kurzer Impuls mit verhältnismäßig großer Amplitude dem betreffenden Ableseleiter zugeführt, wie dies in Fig.. 3 dargestellt ist. Beim Ablesen der Information aus Kernen, die den Zustand 1 aufweisen, tritt eine ähnliche ErscheinöHg -attf,·-Der Zweig-P-Q der Hysteresekurve wird dabei gleichfalls mit verhältnismäßig hoher Geschwindigkeit durchlaufen, weil sich hier nur umkehrbare Magnetisierungsänderungeh' ergeben, wobei ein verhältnismäßig starker Impuls abgegeben wird. Am Zweig Q-R-S sind dicMagnetisierungsänderungen dagegen im wesentlichen nicht umkehrbar, und die dabei auftretenden Umklappvorgänge der magnetischen Bezirke erfordern ein gewisses Maß von Übererregung, wodurch dieser Zweig verhältnismäßig langsam durchlaufen wird. Der Impuls, der dabei an den Ableseleitern abgegeben wird, hat eine Gestalt, wie sie etwa durch die Kurve P in Fig. 3 dargestellt ist.
Wie aus der Fig. 3, Kurve N, hervorgeht, ist die Amplitude des Störimpulsesvön der gleichen Großen-Ordnung wie diejenige des nützlichen Reaktionsimpulses, so daß es schwierig ist, durch Amplitudenvergleich einen Unterschied, zwischen den beiden .Auf-. zeichnungszuständen P und N festzustellen. Um diesen Nachteil zu beheben, ist die Schaltungsanordnung derart ausgebildet, daß die Ableseverstärker normaler- .., weise gesperrt sind und zu einem Zeitpunkt wieder empfindlich gemacht werden, in dem die Störimpulse praktisch verschwunden sind, d. h. eine gewisse Zeit nach Beginn des Ableseimpulses PL, der den Primärableseleitern Pl, P2 oder P 3 zugeführt wird. Der Ableseleiter S3 ist über den Transformator M mit der Basis eines Transistors Tl des Ableseverstärkers V3 gekoppelt. Der Transistor Tl verstärkt die Impulse, die sich am Ableseleiter ^"3 ergeben, und führt sie mit positiver Polarität der Basis des Transistors T2 zu. Der Emitter des Transistors T2 ist über den Widerstand W mit einer Quelle einer derartigen Spannung V verbunden, daß der Transistor normalerweise gesperrt ist und auch unter der Einwirkung der Impulse am Leiter S3 nicht leitend wird. Die Basis des Transistors TH, der für die verschiedenen Ableseverstärker gemeinsam ist, ist mit dem Hilfskern KH gekoppelt, der mit den verschiedenen Primärableseleitern Pl1P 2 und P 3 gekoppelt ist. Dieser Hilfskern wird durch nicht näher ausgeführte Mittel vor dem Ablesen der Information in den Zustand P versetzt. Wenn jetzt einem dieser Leiter ein Ableseimpuls zugeführt wird, wird der Basis des Transistors TH ein derartiger ^Impuls zugeführt, daß dieser Transistor leitend wird. Der Kollektor des Transistors TH ist mit den Emitter der Transistoren Γ2 der Ableseverstärker verbunden, derart, daß beim Leitendwerden des Transistors TH die Spannung der Emitter der Transistoren Γ2 auf -einen -derartigen Wert ansteigt, daß diese Transistoren unter der Einwirkung der Impulse an den Leitern Sl, S2 und 6*3 leitend werden können und an die Ausgangsklemmen U einen verstärkten Impuls abgeben können. Der Transistor TH wird mit einiger Verzögerung leitend. Diese Verzögerung ergibt sich einerseits dadurch, daß beim Leitendwerden dieses Transistors der Emitter-Basis-Kreis einen Kurzjächlußkreis in bezug auf den Hilfskern KH bildet, wodurch* der Magnetisierungsänderung in diesem Kern durch den Kurzschlußstrom im Emitter-Basis-Kreis des Transistors TH entgegengewirkt wird, so daß sie nur verhältnismäßig langsam erfolgt. Andererseits befinden sich in nichtleitendem Zustand des Transistors TH nur wenige Ladungsträger in der Basis dieses Transistors und müssen diese beim Leitendwerden des Transistors aus dem Emitter zugeführt werden, bevor ein Kollektorstrom auftreten kann. Die erfolgende Verzögerung genügt, um zu bewirken, daß die Transistoren T 2 erst in einem Augenblick leitend werden können, in dem die Störimpulse verschwunden sind.
Wenn die Information einer bestimmten Zeile gelöscht werden soll, ohne daß die Ableseverstärker darauf ansprechen dürfen, wird der Hilfskern KH in den Zustand 0 versetzt oder in diesem Zustand gehalten, so daß beim Zuführen eines Löschimpulses an einen der Primärabieseleiter der Kern KH keinen Ausgangsimpuls liefern kann und die Ableseverstärker somit gesperrt bleiben.

Claims (2)

P ATENT ANSPa ties»*;
1. Vorrichtung, zum Ablesen der Information aus einem magnetischen Speicherelement aus magnetischem Material mit rechteckiger Hystereseschleife, bei-der zum Ablesen der Information ein Ableseimpuls einem mit diesem Element gekoppelten Primärableseleiter zugeführt wird, welches Element weiter über einen Sekundärableseleiter mit einem Ableseverstärker verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Ableseverstärker normalerweise gesperrt ist und unter der Steuerung eines Impulses empfindlich gemacht wird, der einem magnetischen Hilfskern entnommen wird, der mit einer Anzahl Primärableseleitern gekoppelt ist, um den Ableseverstärker erst eine vorherbestimmte Zeit nach Beginn des Ableseimpulses empfindlich zu machen.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der gemeinsame Hilfskern mit dem Emitter-Basis-Kreis eines normalerweise gesperrten Transistors gekoppelt ist, dessen Kollektor einem Verstärkertransistor des Ableseverstärkers eine derartige Vorspannung liefert, daß dieser zweite Transistor unter der Einwirkung eines über den Sekundärableseleiter zugeführten Impulses nur dann leitend wird, wenn der erste Transistor leitend ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
©009 650/228 11.60
DEN16672A 1958-05-08 1959-05-05 Vorrichtung zum Ablesen der Information aus einem magnetischen Speicherelement Pending DE1094021B (de)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1231758B (de) * 1960-12-06 1967-01-05 Sperry Rand Corp Phasenmoduliertes Lesesystem

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1185658B (de) * 1960-05-23 1965-01-21 Hans Piloty Dr Ing Anordnung zur Abnahme und Verstaerkung des Leseimpulses bei Magnetkernspeichern

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