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DE1087639B - Multi-stage, low-noise transistor amplifier with operating point stabilization - Google Patents

Multi-stage, low-noise transistor amplifier with operating point stabilization

Info

Publication number
DE1087639B
DE1087639B DEN15922A DEN0015922A DE1087639B DE 1087639 B DE1087639 B DE 1087639B DE N15922 A DEN15922 A DE N15922A DE N0015922 A DEN0015922 A DE N0015922A DE 1087639 B DE1087639 B DE 1087639B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
stage
operating point
emitter
collector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN15922A
Other languages
German (de)
Inventor
Teunis Poorter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority to DEN15922A priority Critical patent/DE1087639B/en
Priority to GB4041759A priority patent/GB918860A/en
Priority to FR811694A priority patent/FR1241645A/en
Publication of DE1087639B publication Critical patent/DE1087639B/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
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    • H03F1/302Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
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    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/34Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

Mehrstufiger rauscharmer Transistorverstärker mit Arbeitspunktstabilisierung Die Erfindung bezieht sich auf einen mehrstufigen, insbesondere einen zwei- oder dreistufigen, rauscharmen Transistorverstärker in Emitterschaltung mit hochohmigem Basiswiderstand der ersten Stufe und mit Maßnahmen zur Arbeitspunktstabilisierung.Multi-stage, low-noise transistor amplifier with operating point stabilization The invention relates to a multi-stage, in particular a two- or three-stage, low-noise transistor amplifier in common emitter circuit with high impedance Base resistance of the first stage and with measures to stabilize the operating point.

Zur Stabilisierung des Arbeitspunktes eines Transistors in einer Verstärkerkaskade hat man schon vorgeschlagen, einen vorangeschalteten Transistor mit stabilisiertem Arbeitspunkt gleichstrommäßig in den Emitterkreis des zu stabilisierenden Transistors aufzunehmen, so daß der große Emitter-Kollektor-Innenwiderstand des vorgeschalteten Transistors stabilisierend auf den Arbeitspunkt des nachgeschalteten Transistors wirkt. Die Erfindung bezieht sich darauf, dieses Prinzip abzuwandeln, um günstigere Verhältnisse bezüglich Signalgegenkopplung und Schaltungsaufwand zu erhalten.To stabilize the operating point of a transistor in an amplifier cascade it has already been proposed to use an upstream transistor with a stabilized Operating point in terms of direct current in the emitter circuit of the transistor to be stabilized take up, so that the large emitter-collector internal resistance of the upstream Transistor stabilizing on the operating point of the downstream transistor works. The invention relates to modifying this principle to more favorable To maintain conditions with regard to signal negative feedback and circuit complexity.

Bei einem Verstärker der eingangs erwähnten Art wird dies erreicht, indem gemäß der Erfindung der Kollektorgleichstrom des zweiten Transistors, dessen Arbeitspunkt für sich durch Gleichstromgegenkopplung, z. B. mittels eines Emitterwiderstandes und eines Basisspannungsteilers stabilisiert ist, über die Emitter-Kollektor-Strecke des ersten Transistors geführt ist.In the case of an amplifier of the type mentioned at the beginning, this is achieved by according to the invention the collector direct current of the second transistor, its Working point for itself by direct current negative feedback, z. B. by means of an emitter resistor and a base voltage divider is stabilized via the emitter-collector path of the first transistor is performed.

Die Erfindung wird nachstehend an Hand zweier in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert.The invention is illustrated below with reference to two in the drawing Embodiments explained in more detail.

Die Fig. 1 veranschaulicht die Kaskadenschaltung zweier Transistoren 1 und 2, in deren Eingangskreis eine hochohmige Signalquelle 3 eingeschaltet ist; das Ausgangssignal wird der Klemme 4 entnommen. Der Transistor 1 ist auf einen sehr niedrigen Vorstrom eingestellt, z. B. 300 #tA, indem ein hochohmiger Basiswiderstand 5 (z. B. 50 bis 500 kOhm) zur Anwendung kommt. Bekanntlich weist nämlich die äquivalente Rauschstromquelle am Eingang des Verstärkers mit dem Vorstrom einen Minimalwert auf, d. h. daß das Signalrauschverhältnis bei diesem niedrigen Wert des Vorstromes ein Maximum aufweist. Bei einem Wert des Widerstandes 5 gleich 50 kOhm zeigt es sich, daß der äquivalente Rauschstrom etwa 1011/o höher ist, als wenn der Widerstand unendlich gewählt werden könnte.Fig. 1 illustrates the cascade connection of two transistors 1 and 2, in the input circuit of which a high-resistance signal source 3 is switched on; the output signal is taken from terminal 4. The transistor 1 is on a very low bias current set, e.g. B. 300 #tA by adding a high-resistance base resistor 5 (e.g. 50 to 500 kOhm) is used. It is well known that the equivalent Noise current source at the input of the amplifier with the bias current has a minimum value on, d. H. that the signal-to-noise ratio at this low value of the bias current has a maximum. If the value of the resistor 5 is equal to 50 kOhm, it shows that the equivalent noise current is about 1011 / o higher than when the resistance could be chosen infinitely.

Bei diesem großen Wert des Widerstandes 5 würde jedoch der Arbeitspunkt des Transistors 1 erheblich mit der Temperatur schwanken. Zwar könnte man in seinen Emitterkreis einen Stabilisierungswiderstand aufnehmen und die Basis mit dem vom Emitter angewendeten Ende dieses Widerstandes über einen kleinen Widerstand verbinden; aber die Einschaltung dieses kleinen Basiswiderstandes würde andererseits ein erhebliches Anwachsen des äquivalenten Rauschstromes bewirken.At this large value of the resistor 5, however, the operating point would of transistor 1 vary considerably with temperature. You could in his Emitter circuit take up a stabilization resistor and the base with the from Emitter connected end of this resistor through a small resistor; but the inclusion of this small base resistance would on the other hand be a considerable one Cause an increase in the equivalent noise current.

Nach der Erfindung wird der Arbeitspunkt des Transistors 1 dadurch stabilisiert, daß der Kollektorgleichstrom des Transistors 2, dessen Arbeitspunkt mittels eines Emitterwiderstandes 6 und eines Basisspannungsteilers 7, 8 auf übliche Weise stabilisiert ist, durch die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 1 geführt wird. Die im Transistor 1 auftretenden Emitter-Gleichstromschwankungen sind dann praktisch ebenso groß wie die Gleichstromschwankungen im Transistor 2, die aber durch die Wirkung des Widerstandes 6 und des Potentiometers 7, 8 innerhalb zulässiger Grenzen bleiben. Infolge des durch die Gleichstromgegenkopplung erhöhten Innenwiderstandes des Transistors 2 sind dann die entsprechenden Kollektorstromschwankungen im Transistor 1 nur wenig höher.According to the invention, the operating point of the transistor 1 is thereby stabilized that the collector direct current of the transistor 2, its operating point by means of an emitter resistor 6 and a base voltage divider 7, 8 on the usual Way is stabilized, passed through the emitter-collector path of the transistor 1 will. The emitter direct current fluctuations occurring in transistor 1 are then practically as large as the DC fluctuations in transistor 2, but that by the action of the resistor 6 and the potentiometer 7, 8 within permissible The limits remain. As a result of the increased internal resistance due to the direct current negative feedback of transistor 2 are then the corresponding collector current fluctuations in the transistor 1 only slightly higher.

Die Emitter der Transistoren 1 und 2 werden vorzugsweise über Entkopplungskondensatoren 9 bzw. 10 an die Speisequelle gelegt. Zur Erzielung einer Gegenkopplung kann zwischen Emitter des Transistors 1 und Kondensator 9 noch ein Widerstand 11 eingeschaltet werden, der gleichzeitig die Eingangsimpedanz der Schaltung erhöht.The emitters of the transistors 1 and 2 are preferably via decoupling capacitors 9 or 10 placed on the supply source. To achieve negative feedback, between Emitter of transistor 1 and capacitor 9, a resistor 11 is turned on which at the same time increases the input impedance of the circuit.

' Bei Anwendung einer hochohmigen Signalquelle 3 kann auch die in Fig. 2 veranschaulichte an sich bekannte Gegenkopplung mit gutem Erfolg angewendet werden. In dieser Figur ist dem Transistor 2 ein weiterer Transistor 15 nachgeschaltet, und der Basiswiderstand 5 des Transistors 1 ist an den Kollektor dieses Transistors 15 gelegt, so daß eine Gegenkopplung erfolgt. Der Transistor 15 kann z. B. in Kollektorschaltung betrieben sein, so daß an der mit seinem Emitter verbundenen Augangsklemme eine niederohrnige Spannung, z. B. zum Anschluß eines Kabels, erhalten wird.'' When using a high-impedance signal source 3, the in Fig. 2 illustrates negative feedback known per se used with good success will. In this figure, the transistor 2 is followed by a further transistor 15, and the base resistance 5 of transistor 1 is connected to the collector of this transistor 15 placed so that a negative feedback takes place. The transistor 15 can, for. B. in collector circuit be operated so that at the output terminal connected to its emitter a low-eared Voltage, e.g. B. for connecting a cable is obtained.

Claims (3)

PATENTANSPRÜCHE: 1. Zweistufiger rauscharmer Transistorverstärker in Emitterschaltung mit hochohmigem Basiswiderstand der ersten Stufe und mit Maßnahmen zu deren Arbeitspunktstabilisierung, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektorgleichstrom des zweiten Transistors (2), dessen Arbeitspunkt für sich durch Gleichstromgegenkopplung, z. B. mittels eines Emitterwiderstandes (6) und eines Basisspannungsteilers (7, 8), stabilisiert ist, über die Emitter-Kollektor-Strecke des ersten Transistors (1) geführt ist (Fig. 1). PATENT CLAIMS: 1. Two-stage low-noise transistor amplifier in emitter circuit with high-impedance base resistance of the first stage and with measures to stabilize the operating point, characterized in that the collector direct current of the second transistor (2), whose operating point is by direct current negative feedback, z. B. by means of an emitter resistor (6) and a base voltage divider (7, 8), is stabilized via the emitter-collector path of the first transistor (1) (Fig. 1). 2. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitterkreis des ersten Transistors und der Kollektorkreis des nachgeschalteten Transistors eine gemeinsame Signalimpedanz (11) enthalten. 2. Amplifier according to claim 1, characterized in that that the emitter circuit of the first transistor and the collector circuit of the downstream Transistor contain a common signal impedance (11). 3. Erweiterung des Verstärkers nach Anspruch 1 zu einem dreistufigen Verstärker, dadurch gekennzeichnet, daß der Basiswiderstand (5) des ersten Transistors unmittelbar an den Kollektor des dritten Transistors (15) geführt ist (Fig. 2). In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1033 261; »Radio und Fernsehen«, 1956, Nr. 16, S. 502; »Nachrichtentechnik«, 1957, H.7, S. 309; »Radio and TV News«, 1957, Mai-Heft, S. 56.3. Extension of the amplifier according to claim 1 to a three-stage amplifier, characterized in that the base resistance (5) of the first transistor is led directly to the collector of the third transistor (15) (Fig. 2). Documents considered: German Auslegeschrift No. 1033 261; "Radio und Fernsehen", 1956, No. 16, p. 502; "Communication technology", 1957, volume 7, p. 309; "Radio and TV News", 1957, May issue, p. 56.
DEN15922A 1958-12-02 1958-12-02 Multi-stage, low-noise transistor amplifier with operating point stabilization Pending DE1087639B (en)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
DEN15922A DE1087639B (en) 1958-12-02 1958-12-02 Multi-stage, low-noise transistor amplifier with operating point stabilization
GB4041759A GB918860A (en) 1958-12-02 1959-11-27 Improvements in or relating to transistor amplifiers
FR811694A FR1241645A (en) 1958-12-02 1959-11-30 Amplifying cascade with low background noise, equipped with transistrons

Applications Claiming Priority (1)

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DEN15922A DE1087639B (en) 1958-12-02 1958-12-02 Multi-stage, low-noise transistor amplifier with operating point stabilization

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GB (1) GB918860A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0601478A1 (en) * 1992-12-04 1994-06-15 Alcatel SEL Aktiengesellschaft Cascaded transistor amplifier

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1033261B (en) * 1954-02-10 1958-07-03 Internat Stadard Electric Corp Multi-stage transistor amplifier for alternating currents with stabilization of the transistor operating points

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DE1033261B (en) * 1954-02-10 1958-07-03 Internat Stadard Electric Corp Multi-stage transistor amplifier for alternating currents with stabilization of the transistor operating points

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EP0601478A1 (en) * 1992-12-04 1994-06-15 Alcatel SEL Aktiengesellschaft Cascaded transistor amplifier

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FR1241645A (en) 1960-09-16
GB918860A (en) 1963-02-20

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