DE1084755B - Temperaturunabhaengiger astabiler Transistor-Multivibrator - Google Patents
Temperaturunabhaengiger astabiler Transistor-MultivibratorInfo
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
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- H03K3/2823—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator astable using two active transistor of the same conductivity type
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Description
DEUTSCHES
Astabile Multivibratoren mit Transistoren zur Erzeugung von Rechteckspannungen zeichnen sich durch
einen relativ einfachen Aufbau aus und werden in der Elektronik vielfach — z. B. als Zeitmarkengeber, Generatoren
für einfache elektronische Musikinstrumente und ähnliche Zwecke — angewendet. Eine Ausführung eines
astabilen, mit zwei über Kondensatoren von der Basis des einen zum Kollektor des anderen und umgekehrt
kreuzweise gekoppelten Flächentransistoren ist in Fig. 1 dargestellt. Die Transistoren 7 und 8 sind abwechselnd
geöffnet. Der Kollektorstrom fließt über die Widerstände 2 bzw. 3 durch den jeweils geöffneten Transistor aus der
Speisebatterie 9. Die Basiswiderstände 1 und 4 bestimmen zusammen mit den Koppelkondensatoren 5 und 6 die
Frequenz der entstehenden Schwingung. Im folgenden sei der symmetrische astabile Multivibrator betrachtet,
bei dem die Widerstände 1 und 4 sowie die Kondensatoren 5 und 6 unter sich gleich groß sind. Die Betrachtungen
gelten jedoch in entsprechender Abwandlung genauso für den unsymmetrischen Multivibrator mit
unterschiedlichen Werten der Widerstände 1 und 4 bzw. der Kondensatoren 5 und 6. Bezeichnet man die Widerstände
1 und 4 mit R, die Kondensatoren 5 und 6 mit C und setzt man, wie üblich, voraus, daß der jeweils geöffnete
Transistor bis in die Sättigung durchgesteuert ist, so erregt sich eine Schwingung, die näherungsweise die
Frequenz f = 1J2RC In 2 besitzt. Eine genauere Analyse
der Schaltung setzt die Restspannungen und Restströme der Transistoren mit in Rechnung und ergibt die für
Frequenzen, die unterhalb der Grenzfrequenz in Emitterschaltung liegen, sehr gut mit der Praxis übereinstimmende
Gleichung
f = V2 RC In 2U1-(U2+U^ + I0(R-R0)
In dieser Gleichung ist U1 die Speisespannung der
Spannungsquelle 9, U2 die Restspannung des geöffneten
Transistors zwischen Kollektor und Emitter, U3 die
Spannung zwischen Basis und Emitter des geöffneten Transistors, U4 diejenige Spannung zwischen Basis und
Emitter des vom gesperrten in den geöffneten Zustand übergehenden Transistors, bei welcher die Schleifenverstärkung
1 erreicht wird und der Multivibrator in die jeweils andere Lage umkippt. J0 ist der bei der Temperatur
T0 gemessene Kollektorreststrom des gesperrten Transistors zwischen Kollektor und Basis bei geöffnetem
Emitter. R0 ist der Widerstand 2 bzw· 3 im Kollektorkreis,
und A ist eine Konstante, die für alle Halbleiterbauelemente nahezu den gleichen Wert besitzt. T ist die
jeweilige Temperatur. Die Spannungen U2, U3 und U1
ändern sich nur relativ wenig mit der Temperatur, während der Reststrom exponentiell mit der Temperatur
ansteigt und z. B. bei einer Temperaturerhöhung von 6O0C etwa um den Faktor 100 wächst. Dies hat zur Folge,
Temp eraturunabhängiger
astabiler Transistor-Multivibrator
astabiler Transistor-Multivibrator
Anmelder:
Dr. phil. habil. Oskar Vierling,
Ebermannstadt, Pretzfelder Str. 23
Ebermannstadt, Pretzfelder Str. 23
Dipl.-Phys. Egon Brückner, Ebermannstadt,
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
daß die Frequenzstabilität des astabilen Multivibrators in Abhängigkeit von der Temperatur nicht so gut ist, wie es
für viele Anwendungen erforderlich wäre.
Es sind Transistorschaltungen von Verstärkern und ähnlichen Anordnungen bekannt, bei welchen der Temperaturgang
der Transistoren durch zweckmäßig in die Schaltung eingefügte Halbleiterelemente — z. B. Flächendioden
oder -transistoren — kompensiert wird. Hierbei handelt es sich um eine Kompensation des Temperaturganges
der Spannung an der Emitter-Basis-Strecke der benutzten Transistoren. Derartige Kompensationen sind
zur Stabilisierung des Arbeitspunktes von Transistoren in Verstärkern, Mischstufen und Sinusoszillatoren, die
dauernd im aktiven Kennliniengebiet betrieben werden, wichtig und bei Spannungssteuerung der Basiselektrode
(z. B. Transformatorkopplung) leicht zu verwirklichen. Beim astabilen Multivibrator erfolgt aber die Steuerung
strommäßig, und außerdem wird die Schaltung im temperaturgefährdeten Bereich nicht im aktiven, sondern im
gesperrten Zustand des betreffenden Transistors betrieben, wo eine Kompensation der Basis-Emitter-Spannung
sinnlos ist.
Es ist ferner bekanntgeworden, diejenigen Änderungen der Basis-Emitter-Spannung eines Transistors, die vom
Spannungsabfall des Kollektorreststrom.es am Basis-Bahnwiderstand herrühren, durch eine in entsprechender
Richtung gepolte Halbleiterdiode zu vermeiden und dadurch den Arbeitspunkt zu stabilisieren. Hierbei müssen
Basiswiderstand, Emitterwiderstand, Emitterstrom, Sperrspannung
und Stromverstärkungsfaktor in einem ganz bestimmten Verhältnis zueinander stehen, so daß Änderungen
der Betriebsspannung oder des Stromverstärkungsfaktors die Kompensation unwirksam machen können. Ferner betrifft
auch diese Kompensationsmethode den Transistorbetrieb im aktiven Bereich der Kennlinien und läßt sich
nicht auf den gesperrten Transistor beim astabilen Multivibrator übertragen.
009 549/292
i 084
Nach der Erfindung wird der Einfluß des Reststromes auf die Frequenzstabilität des astabilen Multivibrators mit
Transistoren durch eine einfache Erweiterung der Schaltung theoretisch vollkommen und in der Praxis
weitgehend ausgeschaltet. Das Prinzip der erfmdungs- S gemäßen Schaltungserweiterung wird an Hand der Fig. 2
erläutert. An die Basis des Transistors 7 ist ein weiterer Transistor 10 mit dem Kollektor angeschlossen und die
Basis dieses Transistors mit einer zusätzlichen Spannungsquelle 12 verbunden. Der Emitter des Transistors 10 ist xo
nicht angeschlossen. Bei entsprechender Polung der Spannungsquelle 12 fließt nun der Kollektorreststrom des
Transistors 10 in den Kondensator 5 und ersetzt dort bei jeder Temperatur die aus dem Kondensator während der
Sperrphase des Transistors 7 infolge des Kollektorreststromes dieses Transistors abfließende Ladungsmenge.
Um eine möglichst gute Kompensation zu erreichen, müssen die Transistoren 7 und 10 nur bei einer beliebigen
Temperatur T0 den gleichen Reststrom J0 aufweisen. Das
gleiche muß bei den Transistoren 8 und 11 der Fall sein. Da in der Praxis die Werte der Konstanten A für verschiedene
Halbleiterbauelemente nicht exakt übereinstimmen, kann man keine vollkommene Kompensation
erreichen, doch läßt sich der Temperaturfehler der Frequenz nach der Erfindung bei relativ leichten Aussuchbedingungen
leicht um einen Faktor 10 bis 30 erniedrigen. Derartige Verbesserungen sind meistens vollkommen ausreichend,
da dann bei einem günstig bemessenen astabilen Multivibrator mit Transistoren der vom Reststrom
verbleibende Einfluß auf die Frequenz schon kleiner ist als der vom Temperaturgang der besten erhältlichen
Bauelemente R und C herrührende Anteil.
Die Spannungsquelle 12 für die in Sperrichtung gepolten Halbleiterstrecken läßt sich leicht durch den
Spannungsabfall am wechselstrommäßig überbrückten Emitterwiderstand des astabilen Multivibrators bilden.
Dies ist in Fig. 3 dargestellt, wo 13 der Emitterwiderstand ist und 14 ein Kondensator, dessen Scheinwiderstand für
die Multivibratorfrequenz klein gegen den Widerstand 13 ist. Damit die Transistoren 10 und 11 während des gesamten
Schwingungsverlaufes in Sperrichtung gepolt sind, muß der Widerstand 13 so groß sein, daß an ihm
mehr als die Hälfte der Spannung der Spannungsquelle 9 abfällt.
Eine weitere Vereinfachung läßt sich dadurch erreichen,
daß man die Transistoren 10 und 11 durch Dioden 15 und 16 ersetzt, wie dies in Fig. 4 dargestellt ist. Da die
Sperrströme von Halbleiterdioden den gleichen Temperaturkoeffizienten wie die Restströme von Transistoren
aufweisen, lassen sich damit die ähnlichen Verbesserungen auf besonders billige Weise erreichen.
Claims (4)
1. Astabiler Multivibrator mit zwei über Kondensatoren von der Basis des einen zum Kollektor des
anderen und umgekehrt kreuzweise gekoppelten Flächentransistoren, dadurch gekennzeichnet, daß
die während der Sperrphase aus dem jeweils zeitbestimmenden Kondensator durch den Transistorreststrom
abfließende Ladungsmenge diesem Kondensator über eine an ihn angeschlossene, in Sperrichtung
gepolte Halbleiterstrecke durch deren Sperrstrom nahezu vollständig ersetzt wird.
2. Astabiler Multivibrator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die in Sperrichtung gepolte
Halbleiterstrecke aus der Kollektor-Basis-Strecke eines Transistors besteht.
3. Astabiler Multivibrator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die in Sperrichtung gepolte
Halbleiterstrecke aus einer Halbleiterdiode besteht.
4. Astabiler Multivibrator nach den Ansprüchen 1 und 2 oder 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
Sperrspannungen für die in Sperrichtung gepolten Halbleiterstrecken aus dem Spannungsabfall am
wechselstrommäßig überbrückten Emitterwiderstand des astabilen Multivibrators gebildet werden.
In Betracht gezogene Druckschriften:
»Archiv d. elektr. Übertragung«, September 1956, S. 361 bis 375, insbesondere S. 375.
»Archiv d. elektr. Übertragung«, September 1956, S. 361 bis 375, insbesondere S. 375.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
® 009 549/292 6.60
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEV16701A DE1084755B (de) | 1959-06-12 | 1959-06-12 | Temperaturunabhaengiger astabiler Transistor-Multivibrator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEV16701A DE1084755B (de) | 1959-06-12 | 1959-06-12 | Temperaturunabhaengiger astabiler Transistor-Multivibrator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1084755B true DE1084755B (de) | 1960-07-07 |
Family
ID=7575847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEV16701A Pending DE1084755B (de) | 1959-06-12 | 1959-06-12 | Temperaturunabhaengiger astabiler Transistor-Multivibrator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1084755B (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1160495B (de) * | 1961-02-28 | 1964-01-02 | Bendix Corp | Temperaturkompensierter Transistor-Multivibrator |
| DE1261547B (de) * | 1963-02-11 | 1968-02-22 | Fuba Werk Elektronischer Baute | Astabile oder monostabile Multivibratorschaltung |
| DE1297659B (de) * | 1967-09-26 | 1969-06-19 | Siemens Ag | Temperaturkompensierter astabiler Multivibrator mit steuerbarer Eigenfrequenz |
-
1959
- 1959-06-12 DE DEV16701A patent/DE1084755B/de active Pending
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| None * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1160495B (de) * | 1961-02-28 | 1964-01-02 | Bendix Corp | Temperaturkompensierter Transistor-Multivibrator |
| DE1261547B (de) * | 1963-02-11 | 1968-02-22 | Fuba Werk Elektronischer Baute | Astabile oder monostabile Multivibratorschaltung |
| DE1297659B (de) * | 1967-09-26 | 1969-06-19 | Siemens Ag | Temperaturkompensierter astabiler Multivibrator mit steuerbarer Eigenfrequenz |
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