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DE1084755B - Temperaturunabhaengiger astabiler Transistor-Multivibrator - Google Patents

Temperaturunabhaengiger astabiler Transistor-Multivibrator

Info

Publication number
DE1084755B
DE1084755B DEV16701A DEV0016701A DE1084755B DE 1084755 B DE1084755 B DE 1084755B DE V16701 A DEV16701 A DE V16701A DE V0016701 A DEV0016701 A DE V0016701A DE 1084755 B DE1084755 B DE 1084755B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
astable multivibrator
transistor
semiconductor
temperature
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEV16701A
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl-Phys Egon Brueckner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to DEV16701A priority Critical patent/DE1084755B/de
Publication of DE1084755B publication Critical patent/DE1084755B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/282Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator astable
    • H03K3/2823Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator astable using two active transistor of the same conductivity type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Description

DEUTSCHES
Astabile Multivibratoren mit Transistoren zur Erzeugung von Rechteckspannungen zeichnen sich durch einen relativ einfachen Aufbau aus und werden in der Elektronik vielfach — z. B. als Zeitmarkengeber, Generatoren für einfache elektronische Musikinstrumente und ähnliche Zwecke — angewendet. Eine Ausführung eines astabilen, mit zwei über Kondensatoren von der Basis des einen zum Kollektor des anderen und umgekehrt kreuzweise gekoppelten Flächentransistoren ist in Fig. 1 dargestellt. Die Transistoren 7 und 8 sind abwechselnd geöffnet. Der Kollektorstrom fließt über die Widerstände 2 bzw. 3 durch den jeweils geöffneten Transistor aus der Speisebatterie 9. Die Basiswiderstände 1 und 4 bestimmen zusammen mit den Koppelkondensatoren 5 und 6 die Frequenz der entstehenden Schwingung. Im folgenden sei der symmetrische astabile Multivibrator betrachtet, bei dem die Widerstände 1 und 4 sowie die Kondensatoren 5 und 6 unter sich gleich groß sind. Die Betrachtungen gelten jedoch in entsprechender Abwandlung genauso für den unsymmetrischen Multivibrator mit unterschiedlichen Werten der Widerstände 1 und 4 bzw. der Kondensatoren 5 und 6. Bezeichnet man die Widerstände 1 und 4 mit R, die Kondensatoren 5 und 6 mit C und setzt man, wie üblich, voraus, daß der jeweils geöffnete Transistor bis in die Sättigung durchgesteuert ist, so erregt sich eine Schwingung, die näherungsweise die Frequenz f = 1J2RC In 2 besitzt. Eine genauere Analyse der Schaltung setzt die Restspannungen und Restströme der Transistoren mit in Rechnung und ergibt die für Frequenzen, die unterhalb der Grenzfrequenz in Emitterschaltung liegen, sehr gut mit der Praxis übereinstimmende Gleichung
f = V2 RC In 2U1-(U2+U^ + I0(R-R0)
In dieser Gleichung ist U1 die Speisespannung der Spannungsquelle 9, U2 die Restspannung des geöffneten Transistors zwischen Kollektor und Emitter, U3 die Spannung zwischen Basis und Emitter des geöffneten Transistors, U4 diejenige Spannung zwischen Basis und Emitter des vom gesperrten in den geöffneten Zustand übergehenden Transistors, bei welcher die Schleifenverstärkung 1 erreicht wird und der Multivibrator in die jeweils andere Lage umkippt. J0 ist der bei der Temperatur T0 gemessene Kollektorreststrom des gesperrten Transistors zwischen Kollektor und Basis bei geöffnetem Emitter. R0 ist der Widerstand 2 bzw· 3 im Kollektorkreis, und A ist eine Konstante, die für alle Halbleiterbauelemente nahezu den gleichen Wert besitzt. T ist die jeweilige Temperatur. Die Spannungen U2, U3 und U1 ändern sich nur relativ wenig mit der Temperatur, während der Reststrom exponentiell mit der Temperatur ansteigt und z. B. bei einer Temperaturerhöhung von 6O0C etwa um den Faktor 100 wächst. Dies hat zur Folge, Temp eraturunabhängiger
astabiler Transistor-Multivibrator
Anmelder:
Dr. phil. habil. Oskar Vierling,
Ebermannstadt, Pretzfelder Str. 23
Dipl.-Phys. Egon Brückner, Ebermannstadt,
ist als Erfinder genannt worden
daß die Frequenzstabilität des astabilen Multivibrators in Abhängigkeit von der Temperatur nicht so gut ist, wie es für viele Anwendungen erforderlich wäre.
Es sind Transistorschaltungen von Verstärkern und ähnlichen Anordnungen bekannt, bei welchen der Temperaturgang der Transistoren durch zweckmäßig in die Schaltung eingefügte Halbleiterelemente — z. B. Flächendioden oder -transistoren — kompensiert wird. Hierbei handelt es sich um eine Kompensation des Temperaturganges der Spannung an der Emitter-Basis-Strecke der benutzten Transistoren. Derartige Kompensationen sind zur Stabilisierung des Arbeitspunktes von Transistoren in Verstärkern, Mischstufen und Sinusoszillatoren, die dauernd im aktiven Kennliniengebiet betrieben werden, wichtig und bei Spannungssteuerung der Basiselektrode (z. B. Transformatorkopplung) leicht zu verwirklichen. Beim astabilen Multivibrator erfolgt aber die Steuerung strommäßig, und außerdem wird die Schaltung im temperaturgefährdeten Bereich nicht im aktiven, sondern im gesperrten Zustand des betreffenden Transistors betrieben, wo eine Kompensation der Basis-Emitter-Spannung sinnlos ist.
Es ist ferner bekanntgeworden, diejenigen Änderungen der Basis-Emitter-Spannung eines Transistors, die vom Spannungsabfall des Kollektorreststrom.es am Basis-Bahnwiderstand herrühren, durch eine in entsprechender Richtung gepolte Halbleiterdiode zu vermeiden und dadurch den Arbeitspunkt zu stabilisieren. Hierbei müssen Basiswiderstand, Emitterwiderstand, Emitterstrom, Sperrspannung und Stromverstärkungsfaktor in einem ganz bestimmten Verhältnis zueinander stehen, so daß Änderungen der Betriebsspannung oder des Stromverstärkungsfaktors die Kompensation unwirksam machen können. Ferner betrifft auch diese Kompensationsmethode den Transistorbetrieb im aktiven Bereich der Kennlinien und läßt sich nicht auf den gesperrten Transistor beim astabilen Multivibrator übertragen.
009 549/292
i 084
Nach der Erfindung wird der Einfluß des Reststromes auf die Frequenzstabilität des astabilen Multivibrators mit Transistoren durch eine einfache Erweiterung der Schaltung theoretisch vollkommen und in der Praxis weitgehend ausgeschaltet. Das Prinzip der erfmdungs- S gemäßen Schaltungserweiterung wird an Hand der Fig. 2 erläutert. An die Basis des Transistors 7 ist ein weiterer Transistor 10 mit dem Kollektor angeschlossen und die Basis dieses Transistors mit einer zusätzlichen Spannungsquelle 12 verbunden. Der Emitter des Transistors 10 ist xo nicht angeschlossen. Bei entsprechender Polung der Spannungsquelle 12 fließt nun der Kollektorreststrom des Transistors 10 in den Kondensator 5 und ersetzt dort bei jeder Temperatur die aus dem Kondensator während der Sperrphase des Transistors 7 infolge des Kollektorreststromes dieses Transistors abfließende Ladungsmenge. Um eine möglichst gute Kompensation zu erreichen, müssen die Transistoren 7 und 10 nur bei einer beliebigen Temperatur T0 den gleichen Reststrom J0 aufweisen. Das gleiche muß bei den Transistoren 8 und 11 der Fall sein. Da in der Praxis die Werte der Konstanten A für verschiedene Halbleiterbauelemente nicht exakt übereinstimmen, kann man keine vollkommene Kompensation erreichen, doch läßt sich der Temperaturfehler der Frequenz nach der Erfindung bei relativ leichten Aussuchbedingungen leicht um einen Faktor 10 bis 30 erniedrigen. Derartige Verbesserungen sind meistens vollkommen ausreichend, da dann bei einem günstig bemessenen astabilen Multivibrator mit Transistoren der vom Reststrom verbleibende Einfluß auf die Frequenz schon kleiner ist als der vom Temperaturgang der besten erhältlichen Bauelemente R und C herrührende Anteil.
Die Spannungsquelle 12 für die in Sperrichtung gepolten Halbleiterstrecken läßt sich leicht durch den Spannungsabfall am wechselstrommäßig überbrückten Emitterwiderstand des astabilen Multivibrators bilden. Dies ist in Fig. 3 dargestellt, wo 13 der Emitterwiderstand ist und 14 ein Kondensator, dessen Scheinwiderstand für die Multivibratorfrequenz klein gegen den Widerstand 13 ist. Damit die Transistoren 10 und 11 während des gesamten Schwingungsverlaufes in Sperrichtung gepolt sind, muß der Widerstand 13 so groß sein, daß an ihm mehr als die Hälfte der Spannung der Spannungsquelle 9 abfällt.
Eine weitere Vereinfachung läßt sich dadurch erreichen, daß man die Transistoren 10 und 11 durch Dioden 15 und 16 ersetzt, wie dies in Fig. 4 dargestellt ist. Da die Sperrströme von Halbleiterdioden den gleichen Temperaturkoeffizienten wie die Restströme von Transistoren aufweisen, lassen sich damit die ähnlichen Verbesserungen auf besonders billige Weise erreichen.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Astabiler Multivibrator mit zwei über Kondensatoren von der Basis des einen zum Kollektor des anderen und umgekehrt kreuzweise gekoppelten Flächentransistoren, dadurch gekennzeichnet, daß die während der Sperrphase aus dem jeweils zeitbestimmenden Kondensator durch den Transistorreststrom abfließende Ladungsmenge diesem Kondensator über eine an ihn angeschlossene, in Sperrichtung gepolte Halbleiterstrecke durch deren Sperrstrom nahezu vollständig ersetzt wird.
2. Astabiler Multivibrator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die in Sperrichtung gepolte Halbleiterstrecke aus der Kollektor-Basis-Strecke eines Transistors besteht.
3. Astabiler Multivibrator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die in Sperrichtung gepolte Halbleiterstrecke aus einer Halbleiterdiode besteht.
4. Astabiler Multivibrator nach den Ansprüchen 1 und 2 oder 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrspannungen für die in Sperrichtung gepolten Halbleiterstrecken aus dem Spannungsabfall am wechselstrommäßig überbrückten Emitterwiderstand des astabilen Multivibrators gebildet werden.
In Betracht gezogene Druckschriften:
»Archiv d. elektr. Übertragung«, September 1956, S. 361 bis 375, insbesondere S. 375.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
® 009 549/292 6.60
DEV16701A 1959-06-12 1959-06-12 Temperaturunabhaengiger astabiler Transistor-Multivibrator Pending DE1084755B (de)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1160495B (de) * 1961-02-28 1964-01-02 Bendix Corp Temperaturkompensierter Transistor-Multivibrator
DE1261547B (de) * 1963-02-11 1968-02-22 Fuba Werk Elektronischer Baute Astabile oder monostabile Multivibratorschaltung
DE1297659B (de) * 1967-09-26 1969-06-19 Siemens Ag Temperaturkompensierter astabiler Multivibrator mit steuerbarer Eigenfrequenz

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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None *

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1160495B (de) * 1961-02-28 1964-01-02 Bendix Corp Temperaturkompensierter Transistor-Multivibrator
DE1261547B (de) * 1963-02-11 1968-02-22 Fuba Werk Elektronischer Baute Astabile oder monostabile Multivibratorschaltung
DE1297659B (de) * 1967-09-26 1969-06-19 Siemens Ag Temperaturkompensierter astabiler Multivibrator mit steuerbarer Eigenfrequenz

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