DE1043394B

DE1043394B - Shift memory device with a chain of transistors controlled by interrogation pulses

Info

Publication number: DE1043394B
Application number: DEN14377A
Authority: DE
Inventors: Theodorus Joannes Tulp
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1956-11-27
Filing date: 1957-11-23
Publication date: 1958-11-13
Also published as: BE562668A; NL106421C; NL212520A; US3001089A; GB838247A; CH357432A; FR1200763A

Description

DEUTSCHESGERMAN

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schiebespeichervorrichtung mit einer Kette von Transistoren, die bei etwaiger Anwesenheit eines als Speichermerkmal fungierenden freien Ladungsinhaltes in ihren Basiszonen unter Steuerung durch als Kollektorspeisespannung und als Schiebeimpulse wirksame Befragungsimpulse den freien Ladungsinhalt in der Basiszone eines folgenden Transistors der Kette bestimmen. Eine derartige Einrichtung ist bereits vorgeschlagen worden. Sie kann beispielsweise zum Weiterschieben einer in Binärkodeform gegebenen Information dienen, wie dies bei Rechenmaschinen bzw. Wählerfernsprechsystemen Verwendung findet.The invention relates to a sliding storage device with a chain of transistors that act as a memory feature in the event of a presence free charge content in their base zones under control by as collector supply voltage and interrogation pulses effective as pushing pulses the free charge content in the base zone of a subsequent one Determine the transistor in the chain. Such a device has already been proposed. It can be used, for example, to advance information given in binary code form, such as this is used in calculating machines or voter telephone systems.

Bei den vorgeschlagenen Einrichtungen war stets ein Basistrennungsgleichrichter erforderlich, um die Basis während des Auftretens der erwähnten Befragungsimpulse auf schwebendem Potential zu halten. Die Erfindung gibt eine Schaltungsanordnung an, bei der diese Trennungsgleichrichter eingespart werden können. Sie ist dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor eines vorhergehenden Transistors der Kette über einen in beiden Richtungen leitenden Widerstand mit der Basis eines folgenden Transistors verbunden ist, wobei dieser Widerstand zusammen mit einem im Kollektorspeisekreis des ersten Transistors geschalteten Widerstand hinreichend groß ist, um während des Intervalls zwischen zwei dem zweiten Transistor zugeführten Befragungsimpulsen das Abfließen eines etwaigen freien Ladungsinhaltes des zweiten Transistors zu verhindern. The proposed facilities always required a base isolation rectifier to power the base to hold on floating potential during the occurrence of the questioning impulses mentioned. the The invention specifies a circuit arrangement in which this isolation rectifier can be saved. It is characterized in that the collector of a preceding transistor in the chain has a in both directions conductive resistor is connected to the base of a following transistor, where this resistor together with a resistor connected in the collector feed circuit of the first transistor is sufficiently large to be fed to the second transistor during the interval between two Questioning impulses to prevent the discharge of any free charge content of the second transistor.

Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß, wenn ein folgender Transistor von dem Kollektor eines vorhergehenden Transistors aus gesteuert wird, die zur Verwendung kommenden Widerstände so groß bemessen werden können, daß auch bei Weglassen des erwähnten Trenraangsgleichriahters (wobei somit der Kollektor des vorhergehenden Transistors über einen in beiden Richtungen leitenden Widerstand mit der Basis des folgenden Transistors verbunden ist) das Basispotential nach wie vor als schwebend betrachtet werden kann.The invention is based on the knowledge that when a subsequent transistor from the collector of a preceding Transistor is controlled from, the resistors used are so large can be that even if the mentioned Trenraangsgleichrihters (whereby the Collector of the previous transistor via a resistor that is conductive in both directions with the Base of the following transistor is connected) the base potential is still considered to be floating can be.

Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert, in derThe invention is explained in more detail with reference to the drawing, in which

Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel undFig. 1 shows an embodiment and

Fig. 2 Spannungs- bzw. Stromzeitdiagramme zur Erläuterung des Ausführungsbeispiels nach Fig. 1 darstellt.FIG. 2 voltage and current time diagrams for explaining the exemplary embodiment according to FIG. 1 represents.

In Fig. 1 bezeichnen die Bezugsziffern 1, 2, 3, 4, 5, 6 eine Anzahl Transistoren-, die bei etwaiger Anwesenheit eines freien Ladungsinhaltes in ihren Basiszonen durch als Kollektorspeisespannung wirksame Befragungsimpulse A, B Ströme durch die entsprechenden Kollektorwiderstände 7, 8, 9, 10, 11, 12 verursachen. Löschimpulse aus den Quellen Ä bzw. B' leiten überIn Fig. 1, the reference numerals 1, 2, 3, 4, 5, 6 denote a number of transistors, which, if a free charge content is present in their base zones, by means of interrogation pulses A, B acting as collector supply voltage, currents through the corresponding collector resistors 7, 8, 9, 10, 11, 12 cause. Erase pulses from the sources Ä and B ' lead over

Durch. BefragungsimpulseBy. Survey impulses

gesteuerte Schiebespeichervorrichtungcontrolled sliding storage device

mit einer Kette von Transistorenwith a chain of transistors

Anmelder:Applicant:

N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)NV Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Netherlands)

Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7Representative: Dr. rer. nat. P. Roßbach, patent attorney,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7th

Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 27. November 1956Claimed priority:
Netherlands 27 November 1956

Theodorus Joannes TuIp, Eindhoven (Niederlande),
ist als Erfinder genannt wordenTheodorus Joannes TuIp, Eindhoven (Netherlands),
has been named as the inventor

Trennungsgleichrichter 13, 14, 15, 16, 17 und 18 den etwaigen restlichen freien Ladungsinhalt der Basiszonen ab. Die Kollektoren der Transistoren sind über in beiden Richtungen leitende Widerstände 19, 20, 21, 22, 23 mit den Basiselektroden der nachfolgenden Transistoren verbunden.Isolation rectifiers 13, 14, 15, 16, 17 and 18 the possible remaining free charge content of the base zones away. The collectors of the transistors are connected to resistors 19, 20, 21, 22, 23 connected to the base electrodes of the following transistors.

Die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung ist folgende:The circuit arrangement works as follows:

Angenommen wird, daß anfangs kein einziger Transistor einen freien Ladungsinhalt besitze. Trifft jetzt der Befragungsimpuls A (s. Fig. 2) ein, so fließen über die Widerstände 19, 21, 23 durch die Basiselektroden der mit geradzahligen Bezugsziffern bezeichneten Transistoren 2, 4, 6 Ströme, die in ihre Basiszonen einen freien Ladungsinhalt injizieren. Trifft darauf der Befragungsimpuls B (s. Fig. 2) ein, so werden diese Transistoren 2, 4, 6 so stark leitend, daß, auch infolge der vorgeschalteten Widerstände 20, 22 und der eigenen Basis-Emitter-Schwellenspannung, ein vernachlässigbarer Strom für die Basiselektroden der mit ungeradzahligen Bezugsziffern bezeichneten Transistoren 3, 5 übrigbleibt.It is assumed that initially not a single transistor has a free charge content. If the interrogation pulse A (see Fig. 2) now arrives, currents flow through the resistors 19, 21, 23 through the base electrodes of the transistors 2, 4, 6, which are denoted by even reference numbers, and these currents inject a free charge content into their base zones. If the questioning pulse B (see Fig. 2) arrives, these transistors 2, 4, 6 are so strongly conductive that, also due to the upstream resistors 20, 22 and their own base-emitter threshold voltage, a negligible current for the base electrodes of the transistors 3, 5 denoted by odd reference numerals remain.

Gibt man jetzt dem Transistor 1 einen freien Ladungsinhalt, beispielsweise durch auffallendes Licht oder durch kurzzeitige Stromzufuhr nach seiner Basis, so fließt im Augenblick, in dem der Befragungsimpuls A eintrifft, ein Strom I₁ durch diesen Transistor, wodurch somit ein vernachlässigbarer Strom die BasisIf the transistor 1 is now given a free charge, for example by incident light or by briefly supplying current to its base, a current I _{1 flows} through this transistor at the moment when the interrogation pulse A arrives, whereby a negligible current flows through the base

809' 678/146809 '678/146

des Transistors 2 durchfließt und dieser Transistor 2 in dem Augenblick, in dem der Befragungsimpuls B eintrifft, nicht leitet. Da ein etwaiger freier Ladungsinhalt unmittelbar nach Ablauf eines Befrägungsimpulses durch die LöschimpulseA' bzw. B' beseitigt' wird, durchfließt nachher kein Strom den Transistor 1, so daß jeweils ein freier Ladungsinhalt im Transistor 2 erzeugt wird und ein entsprechender Kollektorstrom diesen Transistor durchfließt. Der Kollektorstrom des Transistors 2 als Funktion der Zeit ist mithin in Fig. 2 durch I₂ dargestellt. Weil dieser Transistor während des ersten Befragungsimpulses B nicht leitend war, wird in diesem Augenblick dem Transistor 3 über den Widerstand 20 Basisstrom zugeführt, so daß dieser letztere Transistor beim nächstfolgenden Befragungsimpuls A den Strom I₃ hindurchläßt usw.of transistor 2 flows through and this transistor 2 does not conduct at the moment in which the interrogation pulse B arrives. Since any free charge content is' eliminated 'by the erasing pulses A' or B immediately after the end of a transfer pulse, no current subsequently flows through transistor 1, so that a free charge content is generated in transistor 2 and a corresponding collector current flows through this transistor. The collector current of transistor 2 as a function of time is therefore represented in FIG. 2 by I ₂ . Because this transistor was not conductive during the first questioning pulse B , base current is fed to transistor 3 via resistor 20 at this moment, so that this latter transistor lets current I ₃ through with the next questioning pulse A , and so on.

Während der Befragungsimpulse A werden somit der Reihe nach die Transistoren 1, 3, 5 leitend, d. h. daß der im Transistor 1 als Information injizierte freie Ladungsinhalt bei jedem folgenden Befragungsimpuls A nach dem nächsten ungeradzahlig bezeichneten Transistor weiterrückt. Auf ähnliche Weise rückt die Abwesenheit eines freien Ladungsinhaltes in den geradzahlig bezeichneten Transistoren bei jedem Befragungsimpuls B um eine Stelle weiter.During the interrogation pulses A , the transistors 1, 3, 5 become conductive in sequence, ie the free charge content injected as information in the transistor 1 advances with each subsequent interrogation pulse A after the next odd-numbered transistor. Similarly, the absence of free charge content in the even-numbered transistors advances one place with each interrogation pulse B.

Eine Bedingung für rationelle Wirkung ist die, daß während des Intervalls zwischen zwei Befragungsimpulsen der etwaige injizierte freie Ladungsinhalt nicht abgeflossen sein darf. Zu diesem Zweck müssen die benutzten Widerstände, insbesondere die Summe des Kollektor- und des Basiswiderstandes, hinreichend groß sein. In der Praxis wurden beispielsweise bei einer Wiederholungsfrequenz der Befragungsimpulse von 100 kHz mit Widerständen von 600 Ω gute Ergebnisse erzielt. Solche hohen Widerstände sind jedoch unbedenklich zulässig, wie dies im vorstehenden erörtert ist.One condition for a rational effect is that any injected free charge content must not have flowed off during the interval between two questioning pulses. For this purpose, the resistors used, in particular the sum of the collector and base resistance, must be sufficiently large. In practice, for example, good results were achieved with a repetition frequency of the questioning impulses of 100 kHz with resistors of 600 Ω. However, such high resistances are unobjectionable, as discussed above.

Claims

PATENT CLAIM:

Sliding memory device with a chain of transistors, which in the event of a free charge content functioning as a storage feature in their base zones under control by polling impulses effective as collector supply voltage and as sighting impulses Determine the free charge content in the base zone of a subsequent transistor in the chain, thereby characterized in that the collector of a preceding transistor in the chain has one in both Directions conductive resistor is connected to the base of a following transistor, this resistor together with one connected in the collector feed circuit of the first transistor Resistance is sufficiently great to during the interval between two the second Survey pulses fed to the transistor indicate the discharge of any free charge content of the second transistor to prevent.

1 sheet of drawings