CN203203859U - 四氟乙烯硅片腐蚀装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种四氟乙烯硅片腐蚀装置，它包括：2个腐蚀槽和1个样片篮组成，腐蚀槽为长方体结构，底面和四个侧面密封，上面敞开，样片篮也为长方体结构，样片篮的样品放置位置设计成隔断结构，每个隔断空间可以让一对样片竖直的放入，样片篮内的隔断板为实板，底面和四个侧面均为成孔板，孔密度10000个/m2，其中一个侧面设计成提手，其提手高度为另一个侧面高度的两倍；所述的样片篮内的隔断板为四氟乙烯材质实板，样片篮的底面和四个侧面均为四氟乙烯材质孔板。样片篮的高度低于腐蚀槽的高度。本实用新型经实际使用验证，其具有低损耗，使用寿命长，可操作性强等优点。
Description
一、技术领域
本实用新型涉及一种四氟乙烯硅片腐蚀装置，是一种用于化学腐蚀待检测少数载流子寿命，O、C杂质和三五族杂质的单、多晶样片的器具。
二、背景技术
太阳能直拉单晶、铸造多晶、电子直拉单晶和区熔单晶要进行少数载流子寿命，O、C杂质和三五族杂质检测。必要从单、多晶成品上取一厚度1-2mm，大小不超过3*3cm的样片。检测以上项目的样片必须要求表面平整，无杂质污染。达到要求必须要经过化学腐蚀，洗去表面氧化层和附带金属杂质。目前就硅片的形状看，并没有专用的腐蚀器具。
腐蚀器具要求材质要和腐蚀用酸不发生反应。目前有的水晶槽符合不与硝酸和氢氟酸反应的特点。但其缺点是造价高且材质精脆，容易碎裂，使用寿命短。腐蚀后的样片要求要尽量短时间暴露在空气中以免造成氧化。但由于样片形状的特殊性现在并没有专门将腐蚀好的样品取出的器具，这样就加大了取出样品的难度。所以根据样品的特点，设计一套样品腐蚀的专用器具是很必要的。
三、实用新型的内容
本实用新型的目的是提供一种四氟乙烯硅棒、硅片腐蚀装置，其成本低，材质硬度大，使用寿命长，可操作性强。
本实用新型的目的是这样来实现的：一种四氟乙烯硅片腐蚀装置，它包括：2个腐蚀槽和1个样片篮组成，腐蚀槽为长方体结构，底面和四个侧面密封，上面敞开，样片篮也为长方体结构，样片篮的样品放置位置设计成隔断结构，每个隔断空间可以让一对样片竖直的放入，样片篮内的隔断板为实板，底面和面和四个侧面均为成孔板，孔密度10000个/m2，其中一个侧面设计成提手，其提手高度为另一个侧面高度的两倍；所述的样片篮内的隔断板为四氟乙烯材质实板，样片篮的底面和四个侧面均为四氟乙烯材质孔板。样片篮的高度低于腐蚀槽的高度。
本实用新型经实际使用验证，其具有低损耗，使用寿命长，可操作性强等优点。
四、附图说明
附图1为本实用新型腐蚀槽的结构示意图。
附图2为本实用新型样片篮的结构示意图。
其中：1----腐蚀槽、2----样片篮、3----孔板、4----实板。
五、具体实施方式
下面结合附图及实施例来对本实用新型作进一步详细描述：
参照附图，本实用新型四氟乙烯硅片腐蚀装置，它包括：二个腐蚀槽1和一个样片篮2组成，二个腐蚀槽1，一个用来化学腐蚀，另一个用来腐蚀之后的高纯水清洗。腐蚀槽1为长方体结构，底面和四个侧面密封，上面敞开，样片篮2也为长方体结构，其用于将腐蚀好的样片从化学腐蚀腐蚀槽中取出再放入高纯水清洗腐蚀槽中，再将高纯水清洗完成后的硅片取出，样片篮2的样品放置位置设计成多个隔断结构，每个隔断空间可以让一对样片竖直的放入，样片篮2内的隔断板为实板4，底面和四个侧面均为成孔板3，孔密度10000个/M2，其中一个侧面设计成提手，其提手高度为另一个侧面高度的两倍。所述的样片篮2内的隔断板为四氟乙烯材质实板4，样片篮2的底面和四个侧面均为四氟乙烯材质孔板3。所述的四氟乙烯硅片腐蚀装置，样片篮2的高度低于腐蚀槽的高度。
进行腐蚀操作的时候要在化学腐蚀腐蚀槽中加入混合酸，高纯水清洗腐蚀槽中加入高纯水。将待腐蚀样片放入样片篮2中，再抓住提手将其整个放入加入混合酸的腐蚀槽1中进行腐蚀操作。腐蚀完成后再抓住提手将其整个提出混合酸再放入高纯水清洗腐蚀槽中进行清洗。整个过程的液体都通过样片篮的孔板3结构漏入或者漏出。
Claims (3)
1.一种四氟乙烯硅片腐蚀装置，它包括：二个腐蚀槽(1)和一个样片篮(2)组成，其特征在于：腐蚀槽(1)为长方体结构，底面和四个侧面密封，上面敞开，样片篮(2)也为长方体结构，样片篮(2)的样品放置位置设为多个隔断结构，每个隔断空间可以让一对样片竖直的放入，样片篮(2)内的隔断板为实板，底面和四个侧面均为成孔板，孔密度10000个/m2，其中一个侧面设计成提手，其提手高度为另一个侧面高度的两倍。
2.如权利要求1所述的四氟乙烯硅片腐蚀装置，其特征在于：样片篮(2)内的隔断板为四氟乙烯材质实板，样片篮(2)的底面和四个侧面均为四氟乙烯材质孔板。
3.如权利要求1所述的四氟乙烯硅片腐蚀装置，其特征在于：样片篮(2)的高度低于腐蚀槽的高度。
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| CN110793986A (zh) * | 2019-10-14 | 2020-02-14 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | InSb晶片损伤层深度的测试方法 |
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