CN201154988Y - 硅片单面漂浮腐蚀装置 - Google Patents
硅片单面漂浮腐蚀装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN201154988Y CN201154988Y CNU2007200093567U CN200720009356U CN201154988Y CN 201154988 Y CN201154988 Y CN 201154988Y CN U2007200093567 U CNU2007200093567 U CN U2007200093567U CN 200720009356 U CN200720009356 U CN 200720009356U CN 201154988 Y CN201154988 Y CN 201154988Y
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- floating body
- floating
- notch
- vacuum
- hook
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 title abstract description 15
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
硅片单面漂浮腐蚀装置，涉及一种用于硅片单面大面积均匀腐蚀的装置。提供一种结构简单、使用方便，不用涂敷或生长保护膜就可实现硅片单面大面积均匀腐蚀的硅片单面漂浮腐蚀装置。设有漂浮体、真空吸附件和密封垫圈，漂浮体为中空桶形体，漂浮体底部设有开口，漂浮体顶部设有槽口；真空吸附件设有真空吸盘和带有弹力的拉杆，拉杆顶部设一挂钩，真空吸盘的底部面积小于漂浮体底部开口面积，真空吸附件嵌设与漂浮体内，挂钩固定在漂浮体顶部的槽口上，密封垫圈位于漂浮体底部。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种用于硅片单面大面积均匀腐蚀的装置。
背景技术
硅片单面腐蚀是研制各种微型传感器、微执行器和微机械结构，特别涉及SOI硅片背体硅腐蚀的关键工艺之一。目前的硅片单面腐蚀一般是通过在需要保护的硅片背面生长上一层如氧化硅膜、氮化硅膜和金属膜等作为保护膜，腐蚀完后使用化学试剂把保护膜去掉；或者是直接在硅片上涂覆一层光刻胶或黑胶作为保护，腐蚀完后使用溶剂把保护胶溶解去掉等。这些方法都存在以下几个问题：(1)涂敷或生长保护膜，即增加了工艺流程，也增加了工艺成本。(2)涂敷或生长保护膜，需要用到昂贵的微机电加工设备。(3)涂敷或生长的保护膜的抗腐蚀性能有限，特别是对400多微米厚以上的硅腐蚀时，由于长达10多个小时的腐蚀，因此需要生长很厚或者多层保护膜来做保护，即增加了工艺流程，也增加了工艺成本。(4)去掉保护膜时，化学试剂或溶剂对背面结构层有时会造成损伤，影响到芯片质量。(5)去掉保护膜时，由于需要使用到化学试剂或溶剂，即增加了工艺成本，也会造成环境污染。
发明内容
本实用新型的目的旨在提供一种结构简单、使用方便，不用涂敷或生长保护膜就可实现硅片单面大面积均匀腐蚀的硅片单面漂浮腐蚀装置。
本实用新型设有漂浮体、真空吸附件和密封垫圈，漂浮体为中空桶形体，漂浮体底部设有开口，漂浮体顶部设有槽口；真空吸附件设有真空吸盘和带有弹力的拉杆，拉杆顶部设一挂钩，真空吸盘的底部面积小于漂浮体底部开口面积，真空吸附件嵌设与漂浮体内，挂钩固定在漂浮体顶部的槽口上，密封垫圈位于漂浮体底部。
漂浮体顶部所设的槽口最好为椭圆形槽口。密封垫圈的大小和形状与漂浮体底部相同。
使用时，真空吸盘穿过漂浮体底部的开口把硅片和密封垫圈牢牢吸在漂浮体底部，真空吸盘上部的挂钩固定在漂浮体顶部的槽口上，整个装置在腐蚀过程中飘浮在腐蚀液表面。由于腐蚀过程中密封垫圈把硅片的一面与腐蚀液完全隔离，只有需要腐蚀的一面与腐蚀液充分接触，同时反应过程中恒温腐蚀液的搅动使反应产生的气体从硅片边缘及时排掉，因而可实现硅片单面大面积均匀腐蚀。本实用新型具有结构简单、易于加工和使用方便等优点。由于使用过程中，硅片的保护面不用涂敷或生长保护膜，因此即不用用到昂贵的加工设备，同时也减少了后续去除保护膜的工序，既省时，又降低成本，同时又环保。
附图说明
图1为本实用新型实施例的结构示意图。
图2为本实用新型实施例的漂浮体对称剖面图。
图3为本实用新型实施例的密封垫圈对称剖面图。
图4为本实用新型实施例的真空吸附件对称剖面图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步说明。
如图1～4所示，硅片单面漂浮腐蚀装置包括漂浮体1、真空吸附件2和密封垫圈3，漂浮体1为一中空几何体(参见图2)，底部设有一开口11，顶部设有一槽口12；参见图4，真空吸附件包括真空吸盘21和带有弹力的拉杆22，拉杆22顶部设一挂钩23，真空吸盘21的底部面积小于漂浮体底部开口面积。密封垫圈3的形状同漂浮体底部(参见图3)。真空吸盘21穿过漂浮体底部的开口11把硅片5需要保护的一面和密封垫圈3牢牢吸在漂浮体底部，利用带有弹力的拉杆22顶部的挂钩23固定在漂浮体顶部的槽口12上，然后把整个装置放入恒温带有磁力搅拌机的腐蚀槽4内，整个装置在腐蚀过程中飘浮在腐蚀液表面。
Claims (2)
1.硅片单面漂浮腐蚀装置，其特征在于设有漂浮体、真空吸附件和密封垫圈，漂浮体为中空桶形体，漂浮体底部设有开口，漂浮体顶部设有槽口；真空吸附件设有真空吸盘和带有弹力的拉杆，拉杆顶部设一挂钩，真空吸盘的底部面积小于漂浮体底部开口面积，真空吸附件嵌设与漂浮体内，挂钩固定在漂浮体顶部的槽口上，密封垫圈位于漂浮体底部。
2.如权利要求1所述的硅片单面漂浮腐蚀装置，其特征在于漂浮体顶部所设的槽口为椭圆形槽口。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNU2007200093567U CN201154988Y (zh) | 2007-12-29 | 2007-12-29 | 硅片单面漂浮腐蚀装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNU2007200093567U CN201154988Y (zh) | 2007-12-29 | 2007-12-29 | 硅片单面漂浮腐蚀装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN201154988Y true CN201154988Y (zh) | 2008-11-26 |
Family
ID=40102774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNU2007200093567U Expired - Fee Related CN201154988Y (zh) | 2007-12-29 | 2007-12-29 | 硅片单面漂浮腐蚀装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN201154988Y (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101864569A (zh) * | 2010-05-31 | 2010-10-20 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种制作太阳能电池片的刻蚀装置以及方法 |
| CN102212824A (zh) * | 2010-04-09 | 2011-10-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种单侧硅片湿法腐蚀设备 |
| CN110683008A (zh) * | 2019-10-28 | 2020-01-14 | 江苏立锦塑胶有限公司 | 一种水上漂浮伞 |
-
2007
- 2007-12-29 CN CNU2007200093567U patent/CN201154988Y/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102212824A (zh) * | 2010-04-09 | 2011-10-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种单侧硅片湿法腐蚀设备 |
| CN101864569A (zh) * | 2010-05-31 | 2010-10-20 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种制作太阳能电池片的刻蚀装置以及方法 |
| CN110683008A (zh) * | 2019-10-28 | 2020-01-14 | 江苏立锦塑胶有限公司 | 一种水上漂浮伞 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110265327A (zh) | 一种基于马兰戈尼效应的晶圆后处理系统和方法 | |
| CN102637584B (zh) | 一种图形化石墨烯的转移制备方法 | |
| CN103506339B (zh) | 晶圆背面清洗装置及清洗方法 | |
| CN110379734A (zh) | 一种晶圆后处理系统和方法 | |
| CN102856232A (zh) | 用于改进基板可重用性的边缘排除剥离方法 | |
| CN101645484A (zh) | 软支撑桥式硅微压电超声换能器芯片及其制备方法 | |
| CN103332685B (zh) | 一种石墨烯的转移装置及转移方法 | |
| CN201154988Y (zh) | 硅片单面漂浮腐蚀装置 | |
| CN111341704B (zh) | 一种硅片背封层的边缘去除装置及边缘去除方法 | |
| CN107316829B (zh) | 基于tmah的气相刻蚀方法及气相刻蚀装置 | |
| US20230166965A1 (en) | Method of liquid-mediated pattern transfer and device structure formed by liquid-mediated pattern transfer | |
| CN103303858B (zh) | 采用koh溶液的硅基mems器件湿法释放方法 | |
| EP1122767A1 (en) | Wafer polishing method and cleaning method, and protection film | |
| CN102011125A (zh) | 一种用于mems结构制备的金属湿法刻蚀装置及刻蚀工艺 | |
| CN114394589A (zh) | 一种在含氧化层硅衬底上转移应变石墨烯的方法 | |
| CN102115024B (zh) | 一种通过刻蚀硅牺牲层释放mems结构的系统及方法 | |
| CN109244031B (zh) | 单面区域腐蚀的夹具和腐蚀方法 | |
| CN107963667B (zh) | 一种无支撑MoS2纳米带的获取方法 | |
| US20240087917A1 (en) | Space filling device for wet bench | |
| CN104975293B (zh) | 硅衬底及其制备方法 | |
| CN118039550A (zh) | 晶圆夹具、晶圆湿法腐蚀设备以及晶圆湿法腐蚀工艺 | |
| CN219144158U (zh) | 晶圆夹具以及晶圆湿法腐蚀设备 | |
| CN111320164A (zh) | 一种悬空石墨烯结构的制备方法及由其得到的悬空石墨烯结构和应用 | |
| CN117451753A (zh) | 一种悬空石墨烯拾取二维材料的方法及其应用 | |
| CN115527884B (zh) | 一种晶圆片的清洗装置及方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20081126 Termination date: 20111229 |