CN201311921Y - 晶圆承载装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种晶圆承载装置，应用于晶圆溅镀或蚀刻制程，其通过一半开放式的连续沟槽导入一制程气体以直接对晶圆加温或冷却，此制程气体经由至少一泄气口进入并均匀分布于半导体制程室内。此晶圆承载装置包括一载盘以及一气管，其中载盘包括一连续沟槽、一供气口、以及至少一泄气口，而气管则连接于供气口。连续沟槽分别连接于供气口与泄气口，连续沟槽又具有一顶面，此顶面面接于载盘上承载的一晶圆。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种晶圆承载装置，特别是有关于一种适用在晶圆溅镀制程室或晶圆蚀刻制程室的晶圆承载装置。
背景技术
一般而言，蚀刻或沉积等晶圆半导体制程进行于半导体制程室中，其中晶圆设置于半导体制程室中的载盘上。如图1所示的现有半导体制程室10，其中包括一真空腔11，一载盘12，一管线13，一承载装置14，以及一气体导入装置15。载盘12设置于真空腔11内且连接于承载装置14，管线13设置于载盘12与承载装置14内，而气体导入装置15则外接于真空腔11。一工作流体(图式未显示)导入管线13用以冷却或加温晶圆，一制程气体(图式未显示)则经由气体导入装置15进入真空腔11以利制程进行。
其中，管线13常须清洁以保持加温或冷却效率，设备维护繁琐。外接的气体导入装置15不但须与真空腔11保持气密连接，制程进行中更需维持相关设备的正常运作，设备操作与维护皆耗时耗力。此外，气体导入装置15通常设计为单一进气口，所以制程气体进入真空腔11后须一段时间才达到平均分布的效果，在分秒必争的高效率制程要求下，如何缩短平均分布所需时间为制程室设计重点。由上可知，提供一具有方便清洁保养、成本经济、与制程气体快速分布真空腔内的晶圆承载装置便成为半导体制程室相关技术的重要课题之一。
发明内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足与缺陷，提出一种晶圆承载装置，特别是应用于晶圆溅镀或蚀刻制程的一种晶圆承载装置，其中通过一半开放式的连续沟槽导入一制程气体以直接对晶圆快速加温或冷却，并通过至少一泄气口使制程气体能快速进入并均匀分布于半导体制程室内。
为达上述目的，本实用新型提供一种晶圆承载装置，包括：一载盘，该载盘包括一连续沟槽，一供气口，以及至少一泄气口，其中该连续沟槽分别连接于该供气口与所述的泄气口；以及一气管，连接于该供气口；其中，当该载盘上承载一晶圆时，该连续沟槽的一顶面为该晶圆所覆盖。
根据本实用新型，提供一种晶圆承载装置，其中包括一载盘以及一气管，其中载盘包括一连续沟槽、一供气口、以及至少一泄气口。连续沟槽分别连接于供气口与泄气口，而气管连接于供气口。连续沟槽又具有一顶面，此顶面面接于载盘上承载的一晶圆。
本实用新型具有以下有益技术效果：本实用新型通过一半开放式的连续沟槽导入一制程气体以直接对晶圆快速加温或冷却，并通过至少一泄气口使制程气体能快速进入并均匀分布于半导体制程室内，可方便清洁保养、降低成本经济。
附图说明
图1为现有半导体制程室的示意图；
图2为根据本实用新型的一较佳实施例，一种晶圆承载装置的剖面示意图；
图3为根据本实用新型的一较佳实施例，一种晶圆承载装置的立体示意图。
图中符号说明
10现有半导体制程室；
11真空腔；
12载盘；
13管线；
14承载装置；
15气体导入装置；
20晶圆承载装置；
21载盘；
211供气口；
212连续沟槽；
2121顶面；
213泄气口；
22气管；
23晶圆；
24半导体制程室；
25连续供气系统。
具体实施方式
以下以具体的实施例，对本实用新型揭示的各形态内容加以详细说明。
参照图2，图2为根据本实用新型所提供的一种晶圆承载装置20的剖面示意图，包括一载盘21以及一气管22，其中载盘21包括一供气口211、一连续沟槽212、以及至少一泄气口213。连续沟槽212分别连接于供气口211与泄气口213，而气管连接于供气口211。连续沟槽212为一半开放式的沟槽，连续沟槽212又具有一顶面2121，此顶面2121面接于载盘21上承载的一晶圆23使连续沟槽212成为一封闭式的沟槽，而气管22、供气口211、连续沟槽212、以及泄气口213依序连接形成一连续供气系统25。其中，晶圆承载装置20设置于一半导体制程室24内，一制程气体(图式未显示)由下而上经由连续供气系统25进入半导体制程室24。
参照图2、3，连续沟槽212为一半开放式与连续多重环状的设计，此连续多重环状的圈数未受限于图3所显示，实施者可依需求增加或减少几何环状的圈数。其中，导入的制程气体为热传导接触于晶圆23，所以制程气体能对晶圆23直接进行加热或冷却。又，泄气口213为等距设置于载盘21的一侧边(图标未显示)，制程气体经由泄气口213可快速进入并均匀分布于半导体制程室24中。其中，制程气体可依制程所需选择氩气、氮气、氧气或其它气体。此外，经由控制连续沟槽212内制程气体的流量与压力值，可防止载盘21上的晶圆23移位，以免影响制程进行。
又，半导体制程室24可为一沉积反应室或一蚀刻反应室，而载盘21可为一不锈钢或一铝合金所制成。其中，不锈钢可选择SUS304不锈钢，铝合金可选择包含表面阳极处理的AL6061-T6铝合金。
虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型，任何本领域技术人员在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，例如晶圆承载装置上增加螺丝固定孔、或增加晶圆顶销等。因此本实用新型的保护范围当以权利要求书所界定者为准。
Claims (10)
1.一种晶圆承载装置，其特征在于，包括：
一载盘，该载盘包括一连续沟槽，一供气口，以及至少一泄气口，其中该连续沟槽分别连接于该供气口与所述的泄气口；以及
一气管，连接于该供气口；
其中，当该载盘上承载一晶圆时，该连续沟槽的一顶面为该晶圆所覆盖。
2.如权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，该气管，该供气口，该连续沟槽，以及所述的泄气口依序连接成一连通结构，形成一连续供气系统。
3.如权利要求2所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述的泄气口等距设置于该载盘的一侧边，以将制程气体分布于一半导体制程室中。
4.如权利要求3所述的晶圆承载装置，其特征在于，该制程气体为氩气，氮气，或氧气。
5.如权利要求4所述的晶圆承载装置，其特征在于，该制程气体热传导接触于该晶圆，以加温或冷却该晶圆。
6.如权利要求3所述的晶圆承载装置，其特征在于，该半导体制程室为一沉积反应室或一蚀刻反应室。
7.如权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，该载盘为一不锈钢载盘或一铝合金载盘。
8.如权利要求7所述的晶圆承载装置，其特征在于，该不锈钢为SUS304不锈钢。
9.如权利要求7所述的晶圆承载装置，其特征在于，该铝合金为包含表面阳极处理的AL6061-T6铝合金。
10.如权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，该连续沟槽具有一连续环状的几何形状。
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