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CN1871721B - 用于制造薄膜的方法 - Google Patents

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CN1871721B CN2004800314728A CN200480031472A CN1871721B CN 1871721 B CN1871721 B CN 1871721B CN 2004800314728 A CN2004800314728 A CN 2004800314728A CN 200480031472 A CN200480031472 A CN 200480031472A CN 1871721 B CN1871721 B CN 1871721B
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Abstract

本发明涉及一种具有至少一个电子器件的薄膜(66)以及一种用于制造该薄膜的方法。将一个由可辐射交联的粘合剂构成的粘合剂层施加到一个底薄膜(61)上。粘合剂层被以图案形结构形式施加到底薄膜上和/或被图案形地辐射，使得粘合剂层图案形结构地硬化。将一个包括一个支承薄膜和一个电功能层的转移薄膜(41)施加到粘合剂层上。将支承薄膜(41)从包括底薄膜、粘合剂层和电功能层的薄膜体上剥去，其中，在图案形结构的第一区域内将电功能层保留在底薄膜(61)上，而在图案形结构的第二区域内将电功能层保留在支承薄膜上并且与支承薄膜一起从底薄膜(61)上剥去。

Description

用于制造薄膜的方法
技术领域
本发明涉及一种具有至少一个电子器件的薄膜以及用于制造这样一种薄膜的方法。
背景技术
为了制造按有机半导体技术的电子器件(Bauelement)，例如有机的场效应晶体管(OFET)或者由有机聚合物构成的其他电子器件，构造至少导电的电极层是必要的。构造这些器件的其他层不一定是必需的，但是可以改善这些按有机半导体技术的器件的工作能力。为了能够制造有效率的按有机半导体技术的电子器件，在此有必要的是，以高清晰度和套准精度进行各层的构造。
WO 02/25750描述了用平版印刷工艺制造电极或印刷电路板。在此将一个由掺杂的聚苯胺(PANI)或聚二氧乙基噻吩(PEDOT)构成的导电的有机层通过涂刮、喷洒、旋转涂布或者丝网印刷面状地施加到一个基底例如一个薄膜上。一个薄的光阻层施加于其上并且有结构地曝光。在显影时，暴露的聚苯胺层通过显影剂的作用被反质子化(deprotinieren)并且从而不导电。通过溶解剂溶解保留的光阻。在该步骤之前或之后，有机层的不导电的母体(Matrix)用一种非碱性的溶解剂溶解出来。
WO 02/25750描述如下，为了进行构造，将一种起反质子化作用的化合物印刷到一个面状的功能聚合物层上。该化合物优选是一种碱。通过紧接着的冲洗有选择地去除不导电的区域。
WO 02/47183对于构造有机场效应晶体管的各层建议如下，将功能聚合物涂敷到一个成型层的凹陷内。该成型层包括另一种具有绝缘特性的有机材料，将一个凸模压入其内。然后将功能聚合物涂刮入所述凹陷内。因此通过这种方法可以实现极其精细的结构，其横向尺寸在2至5μm的范围内。另外，涂刮方法不针对材料，也就是说，适用于构造有机场效应晶体管的所有层。对于涂刮的粘度范围不同程度地大于对于印刷的粘度范围，因此功能聚合物在其稠度方面几乎能保持。另外可以实现直至1μm范围内的厚层。
DE 100 33 112描述一种用于制造按有机半导体技术的电子器件的方法，其中，功能聚合物借助于移印印刷工艺(Tampon-Druckverfahren)施加到一个基底或一个已经存在的层上。
发明内容
现在本发明的目的是，改进按有机半导体技术的有效率的器件的制造和/或提出按有机半导体技术的改进的器件的结构。
这个目的通过一种用于制造具有至少一个尤其按有机半导体技术的电子器件的薄膜的方法解决，其中，将一个由可辐射交联的粘合剂构成的粘合剂层施加到一个底薄膜上，将粘合剂层在此以图案形结构形式施加到底薄膜上和/或呈图案形地对其进行辐射(例如通过紫外线)，使得粘合剂层呈图案形结构地硬化，将一个具有一个支承薄膜和一个电功能层的转移薄膜通过电功能层朝粘合剂层方向的取向施加到粘合剂层上并且将支承薄膜从包括底薄膜、粘合剂层和电功能层的薄膜体上剥去，因此在一个第一图案形结构的区域内电功能层作为电子器件的部分保留在粘合剂层和底薄膜上，而在一个第二图案形结构的区域内电功能层保留在支承薄膜上并且与支承薄膜一起从底薄膜上剥去；其中在施加转移薄膜之后呈图案形地辐射由可辐射交联的粘合剂构成的粘合剂层，因此粘合剂层在一个图案形结构的区域内硬化；将支承薄膜从包括底薄膜、粘合剂层和电功能层的薄膜体上剥去，使得电功能层在粘合剂层已硬化的图案形结构的第一区域内保留在底薄膜上，而在粘合剂层未硬化的第二区域内与支承薄膜一起剥去。所述目的另外被一种具有至少一个尤其按有机半导体技术的电子器件的薄膜解决，所述薄膜具有一个由可辐射交联的粘合剂构成的粘合剂层，使得粘合剂层在一个图案形结构的区域内硬化；将转移薄膜施加到图案形结构地硬化的粘合剂层上；将支承薄膜从包括底薄膜、粘合剂层和电功能层的薄膜体上剥去，使得电功能层在粘合剂层未硬化的图案形结构的第一区域内保留在底薄膜上，而在粘合剂层已经硬化的图案形结构的第二区域内与支承薄膜一起剥去。
所述目的另外被一种用于制造具有至少一个尤其按有机半导体技术的电子器件的薄膜的方法解决，其中，将可辐射交联的洗漆(Waschlack)以图案形结构形式施加到一个底薄膜上，辐射(例如用紫外线)图案形结构的洗漆，使得洗漆层硬化，将一个电功能层施加到洗漆层上并且在一个冲洗过程中将图案形结构的洗漆层与位于其上的电功能层区域一起除去，使得电功能层在基体上的未施加洗漆层的图案形结构的区域内保留。
本发明还提出一种按本发明的方法制成的具有至少一个电子器件的薄膜，其特征在于：该薄膜具有一个由可辐射交联的粘合剂构成的粘合剂层，该粘合剂层设置在电子器件的一个图案形结构的电功能层与所述薄膜的一个底薄膜之间并且将图案形结构的电功能层与底薄膜连接。
通过本发明，按有机半导体技术的器件的电功能层可以套准精确地并且具有高清晰度地构成。因此例如可能的是，实现在有机场效应晶体管的源极和漏极之间的小于25μm的距离。本发明另外的优点在于，该方法很廉价并且适合于大工业应用。虽然通过采用平版印刷工艺可以实现高清晰度。但是另一面，平版印刷工艺要求执行大量工艺步骤以及采用高价值的昂贵的辅助材料：基底必须被涂层、掩模、曝光、显影、侵蚀和剥离。另外在使用本发明方法时可以改善产生的按有机半导体技术的电子器件的质量：本发明的方法涉及一种干法，通过该干法尽量避免半导电层的污染。按有机半导体技术的电子器件的半导电层对于污染是极其敏感的，因为污染物例如通过质子化的(protonierend)作用在微量浓度时就已经可以改变半导电层的电特性。因此例如在平版印刷工艺中几乎不能避免有机的半导电层因必要的显影、侵蚀和剥离过程而受污染。另外已经显示，在直接印刷导电的聚合物时，尤其从充足的可再现性的角度看仅有用很高的花费才能实现电功能层的必要的高清晰的构造。这首先在于供使用的印刷材料的粘度，所述粘度阻止了以充足厚度和可再现性的采用可供大工业使用的印刷技术进行印刷。另外通过本发明避免半导电层在制造过程期间的热载荷。
因此通过本发明提出一种对于具有按有机半导体技术的电子器件的薄膜来说廉价的、可用于大工业的制造方法，它满足高质量的要求。
按本发明一种优选的实施例，将粘合剂层借助于印刷方法呈图案形结构地印刷到底薄膜上，将转移薄膜施加到粘合剂层上，将粘合剂层通过用射线辐射硬化并且然后将支承薄膜从由底薄膜、粘合剂层和电功能层构成的薄膜体上剥去。因此电功能层在用可辐射交联的粘合剂印刷的区域内保留。在此有利的是，由于印刷物质的不同特性以及不同的可得到的层厚度，可以实现比在直接印刷导电的聚合物时更高的清晰度。另外可能的是，可以采用与凹版印刷、胶版印刷及苯胺印刷一样廉价并可用于大工业的印刷技术。
按本发明的另一优选的实施例，可紫外线交联的粘合剂全面地施加到底薄膜上并且然后用紫外线呈图案形地曝光，因此粘合剂层在一个图案形结构的区域内硬化。然后我们将转移薄膜施加到粘合剂层上。紧接着将支承薄膜从由底薄膜、粘合剂层和电功能层构成的薄膜体上剥去。在此电功能层在粘合剂层未硬化并且还有一定粘性的图案形结构的区域内保留在底薄膜上。在其余区域内，也就是在粘合剂层已经硬化的区域内，电功能层保留在支承薄膜上并且与支承薄膜一起剥去。通过这种过程可以以很高的清晰度在底薄膜上产生有结构的电功能层。另外在此得到价格优势，因为例如不必使用高价值的凹版印刷网线辊。
为了保证在上述方法中充分曝光粘合剂层，有利的是，由一种半透明的材料例如很薄的金属层构成电功能层并且使用透过辐射的支承薄膜。因此可以从转移薄膜的那一侧透过转移薄膜辐射粘合剂层。另外也可能的是，底薄膜构成为对辐射透明的并且从底薄膜的那一侧透过底薄膜曝光粘合剂层。
按照本发明另一优选的实施例，在施加转移薄膜之后才呈图案形地曝光粘合剂层，使得粘合剂层在一个图案形结构的区域内硬化。接着将支承薄膜从由底薄膜和电功能层构成的薄膜体上剥去。在粘合剂层呈图案形结构地硬化的区域内，电功能层被粘合剂层固定并且保留在基体上。在粘合剂层未硬化的其余区域内电功能层保留在转移薄膜上并且与转移薄膜一起剥去。在此有必要使用一种可辐射交联的粘合剂，它在未硬化的状态下相对于电功能层的粘附力小于在电功能层与支承薄膜之间的粘附力。
这种顺序的优点在于，电功能层可以以很高的清晰度产生在底薄膜上并且关于电功能层和基体的辐射透明性没有限制性条件。
本方法在大工业的辊到辊过程(Rolle-zu-Rolle-Prozess)的范围内的使用通过使用鼓形曝光器或掩模曝光器成为可能，它用于以紫外线呈图案形地辐射粘合剂层，所述掩模曝光器具有一个环绕的掩模带。
对于本发明的方法特别有意义的是，使用一个合适的转移薄膜，它允许电功能层从支承薄膜上快速精确地脱离。在此业已证明特别合理的是，在支承薄膜与电功能层之间设有一个脱离层。
电功能层可以是一个导电层。电功能层在如下一些区域的过渡处的特别精确的分离通过使用如下的电功能层实现，所述区域在一侧保留在底薄膜上而在另一侧保留在支承薄膜上，所述电功能层包含导电的颗粒优选超微颗粒，例如金属颗粒、碳黑颗粒或石墨颗粒。在此已经显示，特别是由导电的超微颗粒和粘结剂构成的功能层尤其在微小的粘结剂份额时允许精确的分离。另外已经显示有利的是，电功能层在施加到底薄膜上时进行压缩，因此通过挤压超微颗粒提高导电性。
分离的高精度也可以通过使用薄金属层或由金属合金构成的薄层作为电功能层。另外合理的是，使用由导电的聚合物构成的电功能层或无机的导电层例如ITO。
根据按有机半导体技术的电子器件的结构，通过将不导电的或者导电的粘合材料用于粘合剂层，在构成电子器件时节约工艺步骤。在此有利的是，电功能层在电子器件内部带来微结构电极层的功能，或者带来微结构半导体层的功能，所述电极层构成电子器件的一个或多个电极，所述半导体层构成电子器件的一个或多个半导电的部件。
附图说明
下面借助于多个实施例参照附图示例解释本发明。
图1按     本发明第一实施例的工艺流程的功能原理图。
图2按     本发明另一实施例的工艺流程的功能原理图。
图3按     本发明另一实施例的工艺流程的功能原理图。
图4a至4d  用于按图1的工艺流程的薄膜体的剖视图。
图5a至5e  用于描述本发明另一实施例的薄膜体的剖视图。
具体实施方式
图1画出一个辊到辊制造过程(Rolle-zu-Rolle-Fertigungs-Prozess)的局部视图，借助于该过程制造出一个具有至少一个按有机半导体技术的电子器件的薄膜。
按有机半导体技术的电子器件在此理解为包括至少一个由有机半导体材料构成的层的电子器件。有机半导体材料、有机的导电材料和有机的绝缘材料在此由具有相应电特性的有机的、有机金属的和/或无机的物质形成。作为功能聚合物在此是指这样一些有机的、有机金属的和/或无机的材料，它们可以应用在按有机半导体技术的器件的结构中。概念“功能聚合物”因此也包括非聚合物的组分。包括一个有机半导体层或一些作为功能部件的半导体层区域的器件例如是晶体管、场效应晶体管(FET)、三端双向可控硅开关(Triac)、二极管等。在此例如聚噻吩(Polythiophen)可以用作为有机半导体材料。
图1现在显示一个印刷站1、一个曝光站20、一个转向辊31和三个辊32、33和34。一个底薄膜51输送给印刷站1。由印刷站10处理过的底薄膜51作为薄膜52经由转向辊31输送给辊对32和33，后者将一个从转移薄膜滚筒40上退绕的转移薄膜41施加到薄膜52上。因此得到薄膜53。由曝光站20处理过的薄膜53作为薄膜54输送给辊34，在那里从薄膜54上剥去支承薄膜42并且保留一个薄膜55作为剩余薄膜。
底薄膜51在最简单的情况下可以是一个支承薄膜。一种这样的支承薄膜优选由一个厚度为6μm至200μm的塑料薄膜例如厚度为19μm至38μm的聚酯薄膜构成。但是通常底薄膜51除了这种支承薄膜之外还具有其他的在前道工艺过程中施加的层。这种层例如是漆层、绝缘层和电功能层。因此可能的是，底薄膜51已经包括一个或多个功能聚合物层，例如由有机导电聚合物如聚苯胺(Polyanilin)和聚吡咯(Polypyrrol)构成的层、例如由聚噻吩构成的半导电的层和例如由聚乙烯酚(Polyvinylphenol)构成的绝缘层。在此也可能的是，这些层已经以结构形式存在于底薄膜51内。
印刷站1具有一个带有可紫外线交联的粘合剂11的墨池(Farbwanne)。借助于多个传输辊12和13将粘合剂11施加到印刷滚筒14上。印刷滚筒14现在给在印刷滚筒14与相配印刷辊15之间运动穿过的底薄膜51呈图案形结构地印刷上一个由可紫外线交联的粘合剂11构成的粘合剂层。
印刷站1优选是一个胶版印刷站或苯胺印刷站。但是也可能的是，印刷站1是一个凹版印刷站。
粘合剂层57优选厚度为0.5μm至10μm。
可以优选下列粘合剂用作为可紫外线交联的粘合剂11：AKZONOBEL IKS公司的Foilbond UVH 0002和Zeller+Gmelin GmbH公司的UVAFLEX UV Adhesive。
粘合剂优选以涂敷单位重量1g/m2至5g/m2施加到底薄膜51上。
通过印刷得到图4b中所示的薄膜52，其中在底薄膜51上施加一个图案形结构的粘合剂层57。
根据应用的粘合剂11的类型在此也可能的是，薄膜52通过一个干燥通道，粘合剂层57在该干燥通道内例如在100至200℃的温度下干燥。
图4a显示转移薄膜41的结构。转移薄膜41具有一个支承薄膜45、一个脱离层46和一个电功能层47。
支承薄膜45涉及厚度为4至75μm的塑料薄膜。支承薄膜45优选涉及一种由聚酯、聚乙烯、丙烯酸酯(Acrylat)或泡沫复合材料构成的薄膜。支承薄膜45的厚度优选为12μm。
脱离层46优选由一种蜡构成。如果支承薄膜45和电功能层47的材料选择成使在电功能层47与支承薄膜45之间的粘附力不阻碍电功能层47的可靠快速脱离，那么也可以放弃脱离层46。
脱离层46例如可以按如下配方制成：
脱离层46(分离层)
甲苯                份额99.5
酯蜡(油滴点90℃)    份额0.5
优选脱离层46以0.01至0.2μm的厚度施加到支承薄膜45上。
根据在待制造的电子器件内部的电功能层应该带来的功能，电功能层47由导电的或半导电的材料组成。对于电功能层47要构成一个导电的功能层的情况，存在电功能层47的结构的如下可能性：
首先可能的是，电功能层47由一个薄的金属层构成，由支承薄膜45和脱离层46组成的薄膜体例如通过蒸镀(Bedampfung)被涂覆该金属层。这种薄金属层的厚度优选在5nm至50nm的范围内，以便保证借助于本发明方法对电功能层足够高清晰的可构造性。金属层在此例如可以由铝、银、铜、金、铬、镍或这些金属的合金构成。
如果施加一个导电的超微颗粒层作为电功能层47，那么可以获得特别良好的结果。电功能层47具有例如50nm至1μm的厚度并且由导电的超微颗粒和粘结剂组成，其中，粘结剂的份额保持很小，以便保证精确地分离所述层47。电功能层47的厚度在此也主要通过由在电子器件范围内的电功能层47所要求的电特性例如电阻率确定。在此也可能的是，层47的导电性在将转移薄膜41施加到薄膜52上以后才达到期望的数值。通过在施加时作用到电功能层47上的压力，使电功能层47压缩，因此在导电的超微颗粒之间的距离减小并且明显提高层47的导电性。
另外也可能的是，使用一个由其他导电材料例如ITO材料(ITO＝氧化铟锡)、或者由其他透明的导电氧化物例如掺杂铝的氧化锌、或者由导电的聚合物例如聚苯胺和聚吡咯构成的层作为电功能层47。
另外也可能的是，电功能层47由一种半导电的材料构成。为此一种有机半导体材料以液态溶解形式或者作为悬浮液施加到脱离层46上并且然后固定。这种电功能层47的厚度在此主要通过该层在待制造的电子器件内部的电功能确定。
导电的超微颗粒优选以不强烈薄化的弥散形式施加到脱离层46上。
图4c显示薄膜53，也就是在将转移薄膜41施加到被用图案形结构的粘合剂层57印刷的底薄膜51上之后得到的薄膜体。图4c显示底薄膜51、粘合剂层57、电功能层47、脱离层46和支承薄膜45。将转移薄膜41借助于压辊和相配压辊32和33施加到薄膜52上的挤压压力可以选择成不因此明显影响粘合剂层47的图案形结构。
按图1的曝光站20具有一个紫外线灯21以及一个反射器22，它将由紫外线灯21辐射出的紫外线集束到薄膜53上。紫外线灯21的功率在此选择成使粘合剂层57在通过曝光站22时被辐射以充足的能量，该能量保证粘合剂层57可靠硬化。如图1所示，薄膜53在此被从支承薄膜45的那一侧进行辐射。这是可能的，如果使用一个透明的或半透明的层例如一个如上设计结构的薄金属层作为电功能层57的话。另外为此有必要的是，支承薄膜45以及脱离层46由一种对紫外线透明的材料构成。如果由于电功能层47的特殊的组成而不能使该电功能层构成对紫外线透明的或半透明的，那么可能的是，薄膜53被从底薄膜51的那一侧用紫外线辐射。然后在这种情况下，底薄膜51要构成对紫外线透明的。
通过图案形结构的粘合剂层57的硬化，功能层47在设有粘合剂层57的位置上与底薄膜51粘合。如果随后将支承薄膜45从薄膜53的其余薄膜体上剥去，那么电功能层47在印刷了粘合剂层57的区域内粘附在底薄膜51上并且在这些位置上从转移薄膜41上脱离。在其余位置上，电功能层47与脱离层46之间的粘附占优，因此在此电功能层47保留在转移薄膜41上。
图4d现在显示薄膜55，也就是在剥去支承薄膜45之后得到的薄膜体。图4d显示底薄膜51、粘合剂层57和电功能层47。如图4d所示，薄膜55现在具有一个图案形结构的电功能层47，它按图案形结构的粘合剂层57设置在底薄膜55上。
现在借助于图2解释本发明的另一实施例。
图2显示印刷站10、一个曝光站81、一个曝光站23、转向辊31、压辊和相配压辊32和33、分离辊34和转移薄膜滚筒40。
印刷站10如按图1的印刷站1地构成，差别在于，印刷滚筒14被一个印刷滚筒16代替，后者将粘合剂11全面地印刷到输送来的底薄膜61上。在此也可能的是，粘合剂层不是通过印刷方法，而是通过其他涂层方法例如涂刷、浇注或喷洒施加到底薄膜61上。另外在此也可能的是，同样呈图案形地将粘合剂层印刷到底薄膜61上并且从而在此描述的方法与按图1的方法进行组合。
底薄膜61和印刷到底薄膜上的由可紫外线交联的粘合剂构成的粘合剂层与按图4b的底薄膜51和粘合剂层57相同地构成，差别在于，粘合剂层57在此优选全面地印刷到底薄膜61上。在将粘合剂层施加到底薄膜61上之后得到的薄膜体62经由转向辊31输送给曝光站81。
在此优选使用一种预聚物的(prepolymer)可紫外线交联的粘合剂。
曝光站81涉及一种掩模曝光器，它借助于一个与薄膜52的运动速度同步的掩模带允许辊到辊的曝光。掩模曝光器81因此具有多个转向辊84、一个掩模带83和一个紫外线灯82。掩模带83具有对紫外线透明的并且不透明或反射的区域。掩模带因此构成一个紫外线连续掩模，它相对于紫外线灯82遮盖薄膜62并且允许用紫外线连续地呈图案形地辐射薄膜62。如上所解释的，掩模带83的速度与薄膜62的速度同步，其中，在薄膜62上的附加的光学标记允许配合精确的曝光。紫外线灯82的功率在此选择成使对于硬化粘合剂层充足的紫外线能量在薄膜62通过掩模曝光器81时输送给薄膜62。
优选的是，薄膜被掩模曝光器81用准直的紫外线辐射。
取代一个用掩模带工作的掩模曝光器也可能的是，使用一个鼓形曝光器，它具有一个鼓形的掩模，薄膜62在其上方导引。
通过用紫外线图案形地辐射，粘合剂层呈图案形结构地硬化，使得一个具有已硬化的和未硬化的粘合剂层区域的薄膜63输送给辊对32和33。现在转移薄膜41通过辊对32和33施加到薄膜63上。在此转移薄膜41如按图4a的转移薄膜49一样地构成。因此得到一个薄膜64，它包括底薄膜61、一个局部硬化的粘合剂层、电功能层47、脱离层46和支承薄膜45。在粘合剂层未硬化的区域内，粘合剂层还是粘性的，因此在此在粘合剂层与位于其上方的电功能层47之间的粘附力起作用。在粘合剂层已经硬化的其余区域内，不是这种情况。在将支承薄膜45从剩余薄膜体上剥去时，因此电功能层47在粘合剂层未硬化的区域内粘附在基体51上并且因此与支承薄膜48脱离。在其余区域内，脱离层46与电功能层47之间的粘附力起作用，在这些区域内电功能层47不被脱离并且保留在支承薄膜45上。因此在剥去支承薄膜45之后得到一个具有一个局部的图案形的电功能层47的薄膜65，该电功能层通过一个全面的粘合剂层与底薄膜61连接。现在在另一与按图1曝光站20同样地构成的曝光站23中完全硬化粘合剂层的尚未硬化的区域，以便保证电功能层47与底薄膜61之间的可靠连接。但是也可以放弃曝光站23。
现在借助于图3解释本发明的另一实施例。
图3显示印刷站10、曝光站81、转向辊31、压辊和相配压辊32和33、分离辊34和转移薄膜滚筒40。
底薄膜61输送给印刷站10，该底薄膜如按图2那样地涂布一个粘合剂层，因此得到按图2的薄膜62。现在通过辊对32和33将转移薄膜41施加到薄膜62上。转移薄膜41在此按图4a构成。因此得到一个薄膜67，它包括底薄膜61、一个全面的未硬化的粘合剂层、电功能层47、脱离层46和支承薄膜45。
薄膜46现在借助于又如按图2的掩模曝光器81一样地构成的掩模曝光器81曝光。在借助于掩模曝光器81曝光之后因此得到一个薄膜68，它包括底薄膜61、一个图案形结构地硬化的粘合剂层、电功能层47、脱离层46和支承薄膜45。
与按图2的实施例相反，在此使用一个可紫外线交联的粘合剂，其相对于电功能层47或相对于底薄膜61的粘附力小于在电功能层47与支承薄膜45之间的粘附力。当然也可能的是，使用与图1或图2相同的粘合剂并且通过选择支承薄膜45、底薄膜51或脱离层46的材料引起粘附力的相应分布。
如果因此将支承薄膜45从薄膜68的剩余薄膜体上剥去，那么在粘合剂层已硬化并且从而电功能层47与底薄膜61粘合的区域内，电功能层保留在底薄膜61上。在其余区域内，阻止电功能层47从支承薄膜45上脱离的粘附力大于在电功能层47与底薄膜61之间的粘附力，因此电功能层47在这些区域内不从支承薄膜45上脱离。
因此得到一个薄膜69，它具有一个图案形结构的电功能层47，后者通过一个相应图案形结构的硬化的粘合剂层与底薄膜61连接。
现在借助于图5a至5e示例解释可以怎样借助于按图1、图2或图3的方法制造一个按有机半导体技术的场效应晶体管。
图5a显示一个包括一个支承薄膜91和一个施加于其上的漆层92的底薄膜90。
支承薄膜91涉及一种塑料薄膜，优选一种厚度为19μm至38μm的聚酯薄膜。漆层92涉及一种由电绝缘材料构成的漆层，它还起保护漆层的作用。该漆层优选以0.5至5μm的层厚度施加到支承薄膜91上或者施加到一个位于支承薄膜91于该漆层92之间的脱离层上。
现在如图5b所示借助于按图1、图2或图3的方法将一个电功能层94施加到底薄膜90上。因此得到图5b所示的薄膜体，它包括支承薄膜91、漆层92、一个粘合剂层93和一个电功能层94。电功能层94在此由一种导电材料构成并且在电子器件内部产生一个漏极和一个源极的功能。在此根据所采用的方法的情况可能的是，如图5b所示，粘合剂层93是以与电功能层94相同方式的图案形结构的，或者该粘合剂层全面地处在以硬化形式的粘合剂层92上。
紧接着将一个半导电的层施加到按图5b的薄膜体上，因此得到在图5c中显示的薄膜体，它包括支承薄膜91、漆层92、粘合剂层93、电功能层94和半导电的层95。在此使用聚噻吩作为用于半导电层95的材料，它以液态溶解的形式或者作为悬浮液施加到按图5b的薄膜体上并且然后固定。半导电层95呈图案形结构地涂敷也是可能的。
按图5c的薄膜体现在构成一个底薄膜，借助于按图1、图2或图3的方法将一个电功能层97施加到该底薄膜上。图5c显示由此得到的薄膜体，它包括支承薄膜91、漆层92、粘合剂层93、电功能层94、半导电层95、粘合剂层96和电功能层97。
电功能层97在此同样由一种导电材料构成并且在电子器件内起门电极的作用。粘合剂层96如位于其上方的电功能层97图案形结构地成型。但是在采用按图2或图3的方法时也可能的是，粘合剂层96全面地施加在半导电层95上。
现在在另一工艺步骤中，将另一由电绝缘材料构成的漆层施加到在图5d中所示的薄膜体上，所述漆层另外也承担用于半导电层95的保护漆层的功能。如图5e所示，因此得到一个薄膜99，它包括支承薄膜91、漆层92和98、半导电层95、粘合剂层93和96以及电功能层94和97。

Claims (34)

1.一种用于制造具有至少一个电子器件的薄膜(55、66、69、99)的方法，其中，将一个由可辐射交联的粘合剂构成的粘合剂层(57、93、96)施加到一个底薄膜(51、61、90)上，将由可辐射交联的粘合剂构成的粘合剂层(57、93、96)以图案形结构形式施加到底薄膜(51)上和/或呈图案形地对其进行辐射，使得粘合剂层呈图案形结构地硬化；将一个具有一个支承薄膜(45)和一个电功能层(47、94、97)的转移薄膜(41)通过电功能层(47、94、97)朝粘合剂层(57、93、96)方向的取向施加到粘合剂层(57、93、96)上；并且将支承薄膜(45)从包括底薄膜(51)、粘合剂层(57、93、96)和电功能层(47、94、97)的薄膜体(54、64、68)上剥去，其中在第一图案形结构的区域内电功能层(47、94、97)作为电子器件的部分保留在粘合剂层(57、93、96)和底薄膜(51、61、90)上，而在第二图案形结构的区域内电功能层(47、94、97)保留在支承薄膜(45)上并且与支承薄膜一起从底薄膜(51、61、90)上剥去，
其中在施加转移薄膜(41)之后呈图案形地辐射由可辐射交联的粘合剂构成的粘合剂层，因此粘合剂层在一个图案形结构的区域内硬化；将支承薄膜从包括底薄膜(51)、粘合剂层和电功能层的薄膜体(68)上剥去，使得电功能层在粘合剂层已硬化的图案形结构的第一区域内保留在底薄膜(51)上，而在粘合剂层未硬化的第二区域内与支承薄膜(45)一起剥去。
2.一种用于制造具有至少一个电子器件的薄膜(55、66、69、99)的方法，其中，将一个由可辐射交联的粘合剂构成的粘合剂层(57、93、96)施加到一个底薄膜(51、61、90)上，将由可辐射交联的粘合剂构成的粘合剂层(57、93、96)以图案形结构形式施加到底薄膜(51)上和/或呈图案形地对其进行辐射，使得粘合剂层呈图案形结构地硬化；将一个具有一个支承薄膜(45)和一个电功能层(47、94、97)的转移薄膜(41)通过电功能层(47、94、97)朝粘合剂层(57、93、96)方向的取向施加到粘合剂层(57、93、96)上；并且将支承薄膜(45)从包括底薄膜(51)、粘合剂层(57、93、96)和电功能层(47、94、97)的薄膜体(54、64、68)上剥去，其中在第一图案形结构的区域内电功能层(47、94、97)作为电子器件的部分保留在粘合剂层(57、93、96)和底薄膜(51、61、90)上，而在第二图案形结构的区域内电功能层(47、94、97)保留在支承薄膜(45)上并且与支承薄膜一起从底薄膜(51、61、90)上剥去，
其中在施加转移薄膜(41)之前呈图案形地辐射由可辐射交联的粘合剂构成的粘合剂层，使得粘合剂层在一个图案形结构的区域内硬化；将转移薄膜(41)施加到图案形结构地硬化的粘合剂层上；将支承薄膜(45)从包括底薄膜(61)、粘合剂层和电功能层(47)的薄膜体(64)上剥去，使得电功能层(47)在粘合剂层未硬化的图案形结构的第一区域内保留在底薄膜(61)上，而在粘合剂层已经硬化的图案形结构的第二区域内与支承薄膜(45)一起剥去。
3.按权利要求1或2的方法，其特征在于：将由可辐射交联的粘合剂构成的粘合剂层(57)借助于印刷方法呈图案形结构地施加到底薄膜(51)上。
4.按权利要求3的方法，其特征在于：粘合剂层借助于凹版印刷被印刷到底薄膜(51)上。
5.按权利要求3的方法，其特征在于：粘合剂层(57)借助于胶版印刷或苯胺印刷印刷到底薄膜(51)上。
6.按权利要求3的方法，其特征在于：电功能层(47)由半透明的材料构成，并且支承薄膜(45)是对辐射透明的，并且从转移薄膜(41)的那一侧透过转移薄膜(41)曝光粘合剂层(57)。
7.按权利要求3的方法，其特征在于：底薄膜是对辐射透明的并且从底薄膜的那一侧透过底薄膜曝光粘合剂层。
8.按权利要求1或2的方法，其特征在于：使用一种可辐射交联的粘合剂，它在未硬化的状态下相对于电功能层的粘附力小于在电功能层与支承薄膜之间的粘附力。
9.按权利要求2的方法，其特征在于：紧接着在一个第二曝光步骤中辐射粘合剂层，以硬化粘合剂层的尚未硬化的区域。
10.按权利要求1或2的方法，其特征在于：为了曝光，使用一个掩模曝光器。
11.按权利要求1或2的方法，其特征在于：使用一个具有一个在支承薄膜(45)与电功能层(47)之间的脱离层(46)的转移薄膜(41)。
12.按权利要求1或2的方法，其特征在于：电功能层(47、94、97)是一个导电层。
13.按权利要求12的方法，其特征在于：电功能层包含导电的超微颗粒。
14.按权利要求13的方法，其特征在于：电功能层包括导电的超微颗粒和粘结剂。
15.按权利要求13的方法，其特征在于：电功能层在被施加到底薄膜上时进行压缩，因此提高所述功能层的导电性。
16.按权利要求12的方法，其特征在于：电功能层包含导电的聚合物。
17.按权利要求12的方法，其特征在于：电功能层包含无机的物质。
18.按权利要求12的方法，其特征在于：电功能层是一个金属层或者一个金属合金层。
19.按权利要求1或2的方法，其特征在于：电功能层是一个半导电的层。
20.按权利要求1或2的方法，其特征在于：粘合剂层包括一种不导电的粘合剂。
21.按权利要求1或2的方法，其特征在于：粘合剂层包括一种导电的粘合剂。
22.按权利要求1或2的方法，其特征在于：所述至少一个电子器件是按有机半导体技术的电子器件。
23.按权利要求10的方法，其特征在于：所述掩模曝光器是鼓形曝光器或具有掩模带(83)的掩模曝光器(81)。
24.按权利要求13的方法，其特征在于：所述导电的超微颗粒是金属颗粒、碳黑颗粒或石墨颗粒。
25.按权利要求17的方法，其特征在于：所述无机的物质是ITO材料。
26.按权利要求19的方法，其特征在于：所述半导电的层具有半导电的聚合物。
27.按权利要求1至26之一的方法制成的具有至少一个电子器件的薄膜(55、66、69、99)，其特征在于：该薄膜(55、66、69、99)具有一个由可辐射交联的粘合剂构成的粘合剂层(57、93、96)，该粘合剂层(57、93、96)设置在电子器件的一个图案形结构的电功能层(47、94、97)与所述薄膜的一个底薄膜(51、90)之间并且将图案形结构的电功能层(47、94、97)与底薄膜(51、90)连接。
28.按权利要求27的薄膜，其特征在于：所述至少一个电子器件是按有机半导体技术的电子器件。
29.按权利要求27或28的薄膜，其特征在于：粘合剂层(57)由一种可辐射交联的粘合剂按与图案形结构的电功能层(47)相同方式呈图案形地构造。
30.按权利要求27或28的薄膜，其特征在于：电功能层(94、97)是一个微结构的电极层，它构成电子器件的一个或多个电极。
31.按权利要求27或28的薄膜，其特征在于：电功能层是一个微结构的半导体层，它构成电子器件的一个或多个半导电的部件。
32.按权利要求27或28的薄膜(99)，其特征在于：电子器件是一个有机的场效应晶体管。
33.一种用于制造具有至少一个电子器件的薄膜的方法，其特征在于：将可辐射交联的洗漆层以图案形结构形式施加到一个底薄膜上；辐射图案形结构的洗漆层，使得洗漆层硬化；将一个电功能层施加到洗漆层上；并且在冲洗过程中将图案形结构的洗漆层与位于其上的电功能层区域一起除去，使得电功能层在基体上的未施加洗漆层的图案形结构的区域内保留。
34.按权利要求33的方法，其特征在于：洗漆是一种具有酸根的可紫外线交联的洗漆并且洗漆在冲洗过程种借助于碱液溶解。
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