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CN1858911B - Tft阵列面板、包含它的液晶显示器及tft阵列面板制造方法 - Google Patents

Tft阵列面板、包含它的液晶显示器及tft阵列面板制造方法 Download PDF

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CN1858911B CN2006100794529A CN200610079452A CN1858911B CN 1858911 B CN1858911 B CN 1858911B CN 2006100794529 A CN2006100794529 A CN 2006100794529A CN 200610079452 A CN200610079452 A CN 200610079452A CN 1858911 B CN1858911 B CN 1858911B
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Abstract

公开了一种有效地使光泄漏电流最小化的薄膜晶体管(TFT)阵列面板以及包括它的液晶显示器。该面板包括晶体管结构，晶体管结构具有：栅电极，形成在绝缘基板之上；半导体层，形成在栅电极之上并与之绝缘；光阻挡层，形成在栅电极的周围并且与一部分栅电极重叠；数据线，与栅极线相交，以形成源电极，源电极与一部分半导体层重叠；漏电极，与源电极相对，并且与一部分半导体层重叠，该面板还包括象素电极，象素电极形成在晶体管结构之上并与之绝缘，且与漏电极电连接。

Description

TFT阵列面板、包含它的液晶显示器及TFT阵列面板制造方法
本申请要求2005年5月2日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2005-0036798的优先权，在此通过参考一并包含其公开。
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板和一种包括它的液晶显示器、以及一种TFT阵列面板的制造方法。更具体地，本发明涉及一种可以避免在沟道区出现光泄漏电流(light leakage current)的TFT阵列面板、一种包括它的液晶显示器以及TFT阵列面板的制造方法。
背景技术
液晶显示器包括包含滤色镜的滤色镜面板以及包含薄膜晶体管(TFT)阵列的TFT阵列面板。滤色镜面板和TFT阵列面板彼此相对，并通过其间插入的密封线组装在一起。在滤色镜面板和TFT阵列面板之间所限定的气隙处形成液晶层。即，液晶显示器包括包含电极的两个面板(滤色镜面板和TFT阵列面板)以及插入在两个面板之间的液晶层。当向电极施加电压时，液晶显示器通过液晶层的液晶分子的重排，调节从中透射的光的量，产生图像。因为液晶显示器是非发射性设备，可以将背光单元放置在TFT阵列面板之后作为光源。通过控制液晶的取向，调节从背光发出的光的透射率。
TFT阵列面板的每一个象素都包括开关器件。开关器件是三端器件，包括与栅极线相连的控制端、与数据线相连的输入端以及与象素电极相连的输出端。
在使用这种开关器件的液晶显示器中，当光入射到开关器件的沟道区时，可能出现光泄漏电流，从而减小了对比度，或者产生诸如图像闪烁之类的较差显示质量。光泄漏电流可以是由外部光引起的，或者是由从液晶显示器的背光发出的光引起的。
发明内容
本发明提供一种能够避免光泄漏电流的薄膜晶体管(TFT)阵列面板的实施例。
本发明还提供一种包括这种TFT阵列面板的液晶显示器的实施例。
本发明还提供一种这种TFT阵列面板的制造方法的实施例。
根据本发明，提供一种TFT阵列面板，包括：晶体管结构，具有栅极线和与栅极线相交的数据线，该结构包括：栅电极，在绝缘基板之上由栅极线形成；半导体层，形成在栅电极之上并与之绝缘；光阻挡层，形成在栅电极的周围并且与至少一部分栅电极重叠；源电极，由数据线形成，并与至少一部分半导体层重叠；漏电极，与源电极关于栅电极相对，并且与至少一部分半导体层重叠；并且所述TFT阵列面板包括形成在晶体管结构之上并与之绝缘的、与漏电极电连接的象素电极。
根据本发明的另一个方面，提供一种液晶显示器，包括TFT阵列面板以及滤色镜面板，TFT阵列面板包括：形成在绝缘基板之上的栅电极；半导体层，形成在栅电极之上，并与之绝缘，且与之完全重叠；光阻挡层，形成在与半导体层相同的层上，并且沿栅电极的边缘与至少一部分栅电极重叠；源电极，与至少一部分半导体层重叠；漏电极，与源电极关于栅电极相对，并且与至少一部分半导体层重叠，其中，由栅电极、半导体层、光阻挡层、源电极和漏电极形成晶体管结构；以及象素电极，形成在晶体管结构之上并与之绝缘，并与漏电极电连接，并且滤色镜面板包括：滤色镜和公共电极，滤色镜面板与绝缘基板上的TFT阵列面板相对并面对TFT阵列面板。
根据本发明的其他方面，提供一种制造TFT阵列面板的方法，包括：在绝缘基板上形成栅极线，栅极线包括栅电极；在栅电极上形成与之绝缘的半导体层；在栅电极周围形成光阻挡层并与至少一部分栅电极重叠；形成与栅极线相交的数据线，其中数据线包括源电极，源电极与至少一部分半导体层重叠；形成漏电极，漏电极与源电极关于栅电极相对，其中，漏电极与至少一部分半导体层重叠；其中，由栅电极、半导体层、光阻挡层、源电极和漏电极形成晶体管结构，并且在晶体管结构上形成与之绝缘的象素电极，象素电极与漏电极电连接。
附图说明
结合附图，通过详细描述本发明的示例性实施例，本发明的以上及其他特征和优点将显而易见，附图中：
图1A是根据本发明实施例的薄膜晶体管(TFT)阵列面板的电路图；
图1B是图1A的TFT阵列面板沿线Ib-Ib′的截面图；
图1C是图1A的TFT阵列面板沿线Ic-Ic′的截面图，并且其上放置了滤色镜面板，示出了根据本发明实施例的液晶显示器；
图2是根据本发明另一个实施例的TFT阵列面板的电路图；
图3是根据本发明另一个实施例的TFT阵列面板的电路图；
图4是根据本发明另一个实施例的TFT阵列面板的电路图；以及
图5是根据本发明另一个实施例的TFT阵列面板的电路图。
具体实施方式
在整个说明书中，相同的参考数字表示相同的单元。
现在参考图1A至1C，来描述根据本发明实施例的液晶显示器(LCD)的薄膜晶体管(TFT)阵列面板。图1A是根据本发明实施例的薄膜晶体管(TFT)阵列面板的电路图，图1B是沿图1A的线Ib-Ib′的截面图，以及图1C是沿图1A的线Ic-Ic′的截面图，示出了在TFT阵列面板上放置了滤色镜面板的液晶显示器。首先，参考图1A和1B，来描述根据本发明实施例的液晶显示器的TFT阵列面板。然后，参考图1C，来描述包括TFT阵列面板的液晶显示器。
参考图1A和1B，在绝缘基板10上形成栅极线22、24和26。此处，栅极线22、24和26可以由导电金属制成，导电金属包括而不局限于：铝(Al)基金属，包括铝和铝合金；银(Ag)基金属，包括银和银合金；铜(Cu)基金属，包铜和铜合金；钼(Mo)基金属，包括钼和钼合金；并且导电金属还包括而不局限于铬(Cr)、钛(Ti)或钽(Ta)。栅极线22、24和26可以具有由具有不同物理属性的两个导电层(未示出)形成的多层结构。两个导电层之一可以由例如铝基金属、银基金属或铜基金属的低电阻率金属制成，以减少栅极线22、24和26的信号延迟或压降。另一个导电层可以由具有与ITO(氧化铟锡)和IZO(氧化铟锌)的极好接触特性的材料制成，例如钼基金属、铬、钛或钽。例如，栅极线22、24和26可以具有复合结构，例如包括铬的下层和铝的上层，或者铝的下层和钼的上层。然而，本发明不局限于上述示例。即，栅极线22、24和26可以由任意适当的导电材料制成。
栅极线22、24和26包括：栅极线22，沿行方向延伸；栅极线端子24，与栅极线22的末端相连，从外部接收栅极信号，并且将接收的栅极信号发送到栅极线22；以及栅电极26，与栅极线22相连。主要沿行方向延伸的栅极线22向象素发送栅极信号。栅极线端子24可以具有适于与外部电路相连的较大面积。利用由氮化硅(SiNx)或类似绝缘材料制成的栅极绝缘层30来覆盖栅极线22、24和26。在栅电极26的栅极绝缘层30之上形成由例如氢化非晶硅或多晶硅之类的半导体制成的岛状半导体层40。半导体层40可以与栅电极26完全重叠，以避免来自位于TFT阵列面板背面的背光的光直接入射到半导体层40。可以多样地改变半导体层40的形状。
还在栅极绝缘层30上形成光阻挡层，位于与半导体层40相同的层上。在自背光发出的光以预定入射角入射到栅电极26周围之后，该光从滤色镜面板(未示出)的公共电极(未示出)反射，随后入射到半导体层40中。光阻挡层用于避免光入射到半导体层40中。因此，光阻挡层可以沿栅电极26的边缘与至少一部分栅电极26重叠。当光阻挡层沿栅电极26的边缘与栅电极26重叠时，可以有效的避免以预定入射角穿过栅电极26外围的光入射到半导体层40中。最好是光阻挡层和栅电极26之间的重叠区域足够小，以使寄生电容最小化。这样，沿栅电极26的边缘对准光阻挡层，以使寄生电容最小化。然而，当考虑工艺余量时，光阻挡层和栅电极26之间的重叠宽度可以是大约3μm或更少。光阻挡层可以由能够有效地吸收光的材料制成。例如，光阻挡层可以由实质上与半导体层40相同的材料制成。
在本实施例中，光阻挡层可以由彼此绝缘的多个光阻挡子层组成。此处，光阻挡子层包括分别围位于栅电极26的上、左、右和下侧的第一光阻挡层91、第二光阻挡层92、第三光阻挡层93以及第四光阻挡层94。光阻挡子层91、92、93和94为岛状，并且彼此绝缘。所示出的该实施例由四个光阻挡子层91、92、93和94来避免出现光泄漏电流，然而本发明不局限于此。只要可以有效地避免光泄漏电流，可以使用光阻挡子层91、92、93和94中的一个或多个。然而，当光阻挡子层91、92、93和94导电时，可以将他们设置为避免源电极65和漏电极66之间的短路。即，光阻挡子层91、92、93和94可以与源电极65或漏电极66重叠。最好是第一和第四光阻挡子层91和94不与源电极65和漏电极66重叠，以便有效地将数据信号发送到象素。光阻挡子层91、92、93和94的形状不局限于上述示例，并且可以多样地改变。
在半导体层40上成对地形成欧姆接触层55和56，并且它们可以由掺杂了高浓度n型杂质的硅化物或n+氢化非晶硅制成。在欧姆接触层55和56以及栅极绝缘层30之上形成数据线62、65、66和68。数据线62、65、66和68包括：数据线62，沿列方向延伸，并与栅极线22相交，以定义象素；源电极65，与数据线62相连，并且在欧姆接触层55上延伸；数据线端子68，与数据线62的末端相连，并且从外部接收图像信号；以及漏电极66，与源电极65分离，并且形成在欧姆接触层56上，以与源电极65关于栅电极26相对。作为数据线62的末端的数据线端子68可以充分宽，以与外部电路相连。数据线62、65、66和68可以由难熔金属制成，例如但不局限于铬、钼基金属、钽、钛。数据线62、65、66和68可以具有由难熔金属的下层(未示出)和形成在下层上的低电阻率材料的上层(未示出)组成的多层结构。例如，数据线62、65、66和68可以具有由铬的下层和铝的上层组成的双层结构，或者上述的铝的下层和钼的上层组成的双层结构，或者由钼层、铝层和钼层组成的三层结构。源电极65与至少一部分半导体层40重叠。漏电极66与源电极65关于栅电极26相对，并且与至少一部分半导体层40重叠。欧姆接触层55和56插入在下面的半导体层40与上面的源极和漏电极65和66之间，以减少接触电阻。光阻挡子层91、92、93和94可以与源电极65或漏电极66重叠。然而，最好是光阻挡子层91、92、93和94与源电极65或漏电极66之间的重叠区域足够小，以有效地传输施加到数据线62、65、66和68的数据信号，并且减少寄生电容。即，第一光阻挡层91和第四光阻挡层94可以不与源电极65和漏电极66重叠，而第二光阻挡层92和第三光阻挡层93分别与漏电极66和源电极65重叠。尽管不希望每一个光阻挡层与源电极65和漏电极66同时重叠，但是每一个光阻挡层可以与源电极65或漏电极66的预定部分重叠。
在数据线62、65、66和68以及其中半导体层40的暴露部分上形成钝化层70。钝化层70可以是：由氮化硅(SiNx)或氧化硅制成的无机层；通过等离子体增强CVD(PECVD)沉积的低介电化学气相沉积层(CVD)，例如a-Si:C:O或a-Si:O:F层；或者具有极好平坦化特性和感光性的丙烯酸有机绝缘层。通过PECVD沉积的例如a-Si:C:O或a-Si:O:F层之类的低介电CVD层典型地具有非常低的介电常数，即大约4或更小，并且最好在大约2至大约4之间。因此，即使在低介电CVD层为薄层时，也可以使寄生电容最小化。此外，低介电CVD层可以展示出与另一层和阶梯覆盖的极好的附着性。此外，因为低介电CVD层是无机CVD层，与有机绝缘层相比，其易于展示出极好的抗热性。此外，低介电CVD层的沉积速率和蚀刻速率可以是氮化硅层的大约4至大约10倍，因此，显著地减少了加工时间。例如，钝化层70可以具有由无机的下层和有机的上层组成的双层结构，以在保持有机层的希望特性的同时保护半导体层40的暴露部分。在钝化层70中形成接触孔76和78，以分别暴露漏电极66和数据线端子68。钝化层70和栅极绝缘层30一起形成具有接触孔74，以暴露栅极线端子24。此时，可以形成接触孔74和78，从而暴露栅极电端子24和数据线端子68。可以将孔74和78设置为各种形状，例如方形或圆形。可以扩大接触孔74和78的宽度，以与外部电路相连。按照经由接触孔76与漏电极66电连接、并且位于象素区域的方式，在钝化层70上形成象素电极82。此外，在钝化层70上形成辅助栅极线端子86和辅助数据线端子88，以分别经由接触孔74和78与栅极线端子24和数据线端子68相连。此处，象素电极82以及辅助栅极和数据线端子86和88例如可以由ITO或IZO之类的透光导体或例如铝之类的反射导体制成。
如图1A和1B所示，象素电极82通过与栅极线22重叠，可以形成保持电容。当保持电容不够时，可以在与栅极线22、24和26相同的层上形成用于保持电容的附加线。象素电极82也可以与数据线62重叠，以使象素的孔径比最大化。即使在象素电极82与数据线62重叠以使象素的孔径比最大化时，由于钝化层70的低介电常数，可以充分地减少形成在象素店家82和数据线62之间的寄生电容。为了提高侧面的可视性，象素电极82可以包括沿相对于栅极线22倾斜的方向形成的多个切口或突出。
下面，参考图1A和1B，来描述根据本发明实施例的制造液晶显示器的TFT阵列面板的方法。首先，在基板10上沉积用于栅极线的多层金属膜(未示出)，并且形成图样，以形成沿着行方向延伸的栅极线22、24和26，包括栅极线22、栅电极26以及栅极线端子24。然后，依次在基板10上沉积栅极绝缘层30、用于半导体层的非晶硅层(未示出)以及掺杂的非晶硅层。示例性的层30可以由氮化硅制成。非晶硅层和掺杂的非晶硅层经过光刻，从而在栅电极26的栅极绝缘层30上形成岛状的半导体层40，在栅电极26的周围形成光阻挡子层91、92、93和94以与至少一部分栅电极26重叠，并且在半导体层40上形成掺杂的非晶硅层图样(未示出)。在产生的结构上沉积数据金属层(未示出)，并且使用掩模，通过光刻形成图样，以形成数据线62、65、66和68，使得数据线62与栅极线22相交；源电极65与数据线62相连，并且在栅电极26上延伸；数据线端子68与数据线62的末端相连；以及漏电极66与源电极65分离，并且关于栅电极26与源电极65相对。然后，蚀刻由数据线62、65、66和68暴露的非晶硅层图样部分，以形成欧姆接触层图样55和56，欧姆接触层图样55和56关于栅电极26彼此分离。此时，暴露出欧姆接触层图样55和56之间的半导体层40。为了使半导体层40的暴露表面稳定，可以执行氧等离子体处理。通过氮化硅层、a-Si:C:O层或a-Si:O:F层的CVD生长，形成钝化层70。还可以通过氧化绝缘层涂层来形成钝化层70。然后，通过光刻，在栅极绝缘层30和钝化层70上形成图样，以形成接触孔74、76和78，暴露出栅极线端子24、漏电极66和数据线端子68。例如可以将接触孔74、76和78形成为方形或圆形。然后，沉积ITO或IZO层，其后进行光刻步骤，以形成经由接触孔76与漏电极66相连的象素电极82、以及分别经由接触孔74和78与栅极线端子24和数据线端子68相连的辅助栅极线端子86和辅助数据线端子88。可以在ITO或IZ0层的沉积之前，执行氮气预加热，以避免在栅极线端子24、漏电极66和数据线端子68的暴露表面上分别通过接触孔74、76和78形成金属氧化层。
下面，参考图1C，来描述用于在根据本发明实施例的液晶显示器中避免光泄漏电流的操作。参考图1C，与TFT阵列面板相对地放置滤色镜面板。滤色镜面板包括由透明玻璃等制成的绝缘基板110、形成在绝缘基板10上以避免光泄漏的黑色基质120、红-绿-蓝(RGB)滤色镜130以及由例如ITO或IZO之类的透光导电材料制成的公共电极140。此处，黑色基质120可以由与栅极线(参见图1A的22)、数据线(参见图1A的62)以及象素电极82相对应的黑色基质部分组成。可以将黑色基质120形成为各种形状，以避免在象素电极82处或周围可能发生的光泄漏。为了提高侧面可视性，公共电极140可以包括沿相对于栅极线倾斜的方向形成的多个切口或突出。
图1C所示的根据本发明实施例的液晶显示器包括滤色镜面板、与滤色镜面板相对的TFT阵列面板以及插入在之间的液晶层200。当在TFT阵列面板的象素电极82和滤色镜面板的公共电极140两端施加电压时，液晶显示器通过重排液晶层200的液晶分子，调节从中透过的光的量，来显示图像。通常，液晶显示器的光泄漏电流由从背光发出的光(参见图1C的A1和A2)和从外部入射的光(参见图1C的B1)产生。图1A至1C所示的根据本发明实施例的液晶显示器使用栅电极26和光阻挡子层91、92、93和94，使光泄漏电流最小化。即，半导体层40与栅电极26完全重叠，以避免从背光发出的光束A2直接入射到半导体层40。关于此，最好栅电极26的宽度Wg远大于半导体层40的宽度Wa。在没有光阻挡子层91、92、93和94的情况下，在从背光发出以预定入射角入射到栅电极26周围之后，光束A1从滤色镜面板的公共电极140反射，并随后入射到半导体层40。然而，根据本发明，沿栅电极26的边缘与栅电极26重叠的光阻挡子层91、92、93和94可以通过吸收光束A1，使光泄漏电流最小化。关于这点，为了有效地避免光束A1入射到栅电极26的外围，光阻挡子层91、92、93和94可以与至少一部分栅电极26重叠。例如，光阻挡子层91、92、93和94的每一个和栅电极26之间的重叠宽度Wo可以是大约3μm或更少。
在没有光阻挡子层91、92、93和94的情况下，以预定入射角入射到黑色基质120的外围上的外部光束B1可以依次从栅电极26和公共电极140反射，然后入射到半导体层40上。然而，通过将光阻挡子层91、92、93和94设置为沿着栅电极26的边缘与栅电极26重叠，在光束B1从栅电极26反射之前，通过吸收光束B1，可以使光泄漏电流最小化。
关于这点，随着光阻挡子层91、92、93和94的宽度Wb增加，可以使光泄漏电流最小化。然而，为了避免减小象素的孔径比，最好形成光阻挡子层91、92、93和94的宽度为大约10μm或更少。更优地，光阻挡子层91、92、93和94可以具有在大约4μm至大约8μm之间的宽度。
下面，参考图2至5，来描述根据本发明实施例的TFT阵列面板。为了便于演示，与图1A至1C所示实施例中相同的组成单元由相同的参考数字表示，并因此省略其详细描述。图2是根据本发明另一个实施例的TFT阵列面板的电路图。图2所示的TFT阵列面板可以具有实质上与图1A至1C所示的实施例相同的结构，但也可以具有如以下所示的可选结构。参考图2，光阻挡层9124沿栅电极26的上、左和下侧延伸，而光阻挡层93位于栅电极26的右侧。图3是根据本发明另一个实施例的TFT阵列面板的电路图。图3所示的TFT阵列面板可以具有实质上与图1A至1C所示的实施例相同的结构，但也可以具有如以下所示的可选结构。参考图3，光阻挡层9134沿栅电极26的上、右和下侧延伸，而光阻挡层92位于栅电极26的左侧。图4是根据本发明另一个实施例的TFT阵列面板的电路图。图4所示的TFT阵列面板可以具有实质上与图1A至1C所示的实施例相同的结构，但也可以具有如以下所示的可选结构。参考图4，光阻挡层912沿栅电极26的上和左侧延伸，而光阻挡层934沿栅电极26的下和右侧延伸。图5是根据本发明另一个实施例的TFT阵列面板的电路图。图5所示的TFT阵列面板可以具有实质上与图1A至1C所示的实施例相同的结构，但也可以具有如以下所示的可选结构。参考图5，光阻挡层913沿栅电极26的上和右侧延伸，而光阻挡层924沿栅电极26的下和左侧延伸。即，上述光阻挡子层91、92、93、94、9134、912、934、913和924可以与至少一部分栅电极26重叠，并且可以形成为各种形状，只要在源电极和漏电极之间不会发生短路。
如上所述，在根据本发明的TFT阵列面板、包括它的液晶显示器和TFT阵列面板的制造方法中，可以有效地使光泄漏电流最小化，从而提高显示特性，例如增加对比度，或减少图像闪烁。
尽管已经结合本发明的示例性实施例描述了本发明，但是对于本领域的技术人员显而易见的是，在不脱离本发明的范围和精神的前提下，可以进行各种修改和改变。因此，应该理解，以上实施例不作为限定，而是各个方面的演示。

Claims (30)

1.一种薄膜晶体管TFT阵列面板，包括：
晶体管结构，具有栅极线和与栅极线相交的数据线，该晶体管结构包括：
栅电极，在绝缘基板之上由栅极线形成，
栅极绝缘层，形成在栅电极和绝缘基板之上，
半导体层，直接在栅极绝缘层上形成并与栅电极重叠，
光阻挡层，形成在栅电极的周围并且与至少一部分栅电极重叠，该光阻挡层直接在栅极绝缘层上形成，
源电极，由数据线形成，并与至少一部分半导体层重叠，以及
漏电极，与源电极关于栅电极相对，并且与至少一部分半导体层重叠，以及
象素电极，形成在晶体管结构之上并与之绝缘，且与漏电极电连接。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列面板，其中，光阻挡层位于与半导体层相同的层上。
3.根据权利要求2所述的TFT阵列面板，其中，光阻挡层包括与半导体层相同的材料。
4.根据权利要求1所述的TFT阵列面板，其中，光阻挡层包括光吸收材料。
5.根据权利要求4所述的TFT阵列面板，其中，光阻挡层包括非晶硅。
6.根据权利要求1所述的TFT阵列面板，其中，光阻挡层既不与源电极也不与漏电极重叠。
7.根据权利要求1所述的TFT阵列面板，其中，光阻挡层与源电极和漏电极之一重叠。
8.根据权利要求1所述的TFT阵列面板，其中，半导体层与栅电极完全重叠。
9.根据权利要求1所述的TFT阵列面板，其中，光阻挡层包括多个光阻挡子层，其中每一个光阻挡子层与其他光阻挡子层分离。
10.根据权利要求1所述的TFT阵列面板，其中，栅电极和光阻挡层之间的重叠宽度是3μm或更少。
11.根据权利要求1所述的TFT阵列面板，其中，光阻挡层具有10μm或更小的宽度。
12.一种液晶显示器LCD，包括：
薄膜晶体管TFT阵列面板，包括晶体管结构和象素电极，晶体管结构具有：栅电极，形成在绝缘基板之上；栅极绝缘层，形成在栅电极和绝缘基板之上；半导体层，直接在栅极绝缘层上形成并与栅电极重叠，半导体层与栅电极完全重叠；光阻挡层，形成在与半导体层相同的层上，并且沿栅电极的边缘与至少一部分栅电极重叠，其中该光阻挡层直接在栅极绝缘层上形成；源电极，与至少一部分半导体层重叠；漏电极，与源电极关于栅电极相对，并且与至少一部分半导体层重叠，并且象素电极形成在晶体管结构之上并与之绝缘，并与漏电极电连接；以及
滤色镜面板，包括滤色镜和公共电极，滤色镜面板与TFT阵列面板相对并面对TFT阵列面板。
13.根据权利要求12所述的LCD，其中，光阻挡层包括与半导体层相同的材料。
14.根据权利要求12所述的LCD，其中，光阻挡层包括光吸收材料。
15.根据权利要求14所述的LCD，其中，光阻挡层包括非晶硅。
16.根据权利要求12所述的LCD，其中，光阻挡层既不与源电极也不与漏电极重叠。
17.根据权利要求12所述的LCD，其中，光阻挡层与源电极和漏电极之一重叠。
18.根据权利要求12所述的LCD，其中，光阻挡层包括多个光阻挡子层，其中每一个光阻挡子层与其他光阻挡子层分离。
19.根据权利要求12所述的LCD，其中，栅电极和光阻挡层之间的重叠宽度是3μm或更少。
20.根据权利要求12所述的LCD，其中，光阻挡层具有10μm或更小的宽度。
21.一种制造薄膜晶体管TFT阵列面板的方法，包括：
在绝缘基板上形成栅极线，其中栅极线包括栅电极；
在栅电极和绝缘基板上形成栅极绝缘层；
直接在栅极绝缘层上形成半导体层，半导体层与栅电极重叠；
在栅电极周围直接在栅极绝缘层上形成光阻挡层，其中光阻挡层与至少一部分栅电极重叠；
形成与栅极线相交的数据线，其中数据线包括源电极，源电极与至少一部分半导体层重叠；
形成漏电极，漏电极与源电极关于栅电极相对，其中漏电极与至少一部分半导体层重叠，其中，由栅电极、半导体层、光阻挡层、源电极和漏电极形成晶体管结构；以及
在晶体管结构上形成与之绝缘的象素电极，其中，象素电极与漏电极电连接。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，光阻挡层包括与半导体层相同的材料。
23.根据权利要求21所述的方法，其中，光阻挡层包括光吸收材料。
24.根据权利要求23所述的方法，其中，光阻挡层包括非晶硅。
25.根据权利要求21所述的方法，其中，光阻挡层既不与源电极也不与漏电极重叠。
26.根据权利要求21所述的方法，其中，光阻挡层与源电极和漏电极之一重叠。
27.根据权利要求21所述的方法，其中，半导体层与栅电极完全重叠。
28.根据权利要求21所述的方法，其中，光阻挡层包括多个光阻挡子层，其中每一个光阻挡子层与其他光阻挡子层分离。
29.根据权利要求21所述的方法，其中，栅电极和光阻挡层之间的重叠宽度是3μm或更少。
30.根据权利要求21所述的方法，其中，光阻挡层具有10μm或更小的宽度。
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