CN1796127A - 具有传感器的流体喷射装置及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种具有传感器的流体喷射装置及其制造方法。流体喷射装置包括一基底。一结构层，设置在该基底上，且在与基底之间形成一流体腔。至少一气泡产生装置，设置于该结构层上该流体腔的对应侧。至少一线状电阻传感器，连接上述流体腔。一保护层，覆盖该气泡产生装置与该线状电阻传感器。以及一喷孔，邻近该气泡产生器且穿透该保护层与该结构层，且与该流体腔连通。

Description

具有传感器的流体喷射装置及其制作方法

技术领域

本发明涉及一种流体喷射装置及其制造方法，特别涉及一种具有传感器(sensor)的流体喷射装置及其制造方法，通过传感器，使得在制造过程中实时监控流体腔的形成。

背景技术

微流体喷射装置近来已广泛地运用于信息产业，例如喷墨打印机或类似设备中。随着微系统工程(micro system engineering)的逐步开发，此种流体喷射装置逐渐应用与其它众多领域，例如燃料喷射系统(fuel injectionsystem)、细胞筛选(cell sorting)、药物释放系统(drug delivery system)、喷印光刻技术(print lithography)及微喷射推进系统(micro jet propulsion system)等。在前述各应用领域中，较为成功的一种设计使用热驱动气泡(thermaldriven bubble)方式以喷射微液滴。由于其设计简单且成本低廉，因此在使用上也最为普遍。

图1显示一种现有技术中的美国专利第6,102,530号的独石化的流体喷射装置1，其以一硅基底10作为本体，且在硅基底l0上形成一结构层12，而在硅基底10和结构层12之间形成一流体腔14，用以容纳流体26；而在结构层12上设有一第一加热器20、以及一第二加热器22，第一加热器20用以在流体腔14内产生一第一气泡30，第二加热器22用以在流体腔14内产生一第二气泡32，以将流体腔14内的流体26射出。

由于独石化的流体喷射装置1具有虚拟气阀(virtual valve)的设计，并拥有高排列密度、低交互干扰、低热量损失的特性，且无须另外利用组装方式接合喷孔片，因此可以降低生产成本。

然而，在现有技术的独石化的流体喷射装置1中，结构层12主要由低应力的氮化硅所组成。在制造过程中，其厚度对于流体喷射装置的寿命有直接的影响。此外，对流体喷射装置的设计者而言，流体喷射装置所表现的流体喷射效果，与使用寿命皆为其所关注的重点。因此，形成流体腔时的蚀刻过程能否精确受到控制将关键地影响流体腔尺寸的精确，也对流体喷射性质的表现有很大的影响。

此外，针对热气泡驱动流体喷射的装置，若流体腔内的流体填充不足，除影响所喷出微流体液滴尺寸的均匀性的外，也可能造成加热器的「空烧效应」而导致加热器过早损坏。

传统上，对于蚀刻过程的控制，现有技术多利用控片(control wafer)监控蚀刻结果，作为蚀刻进度的比较基准。此种方法必须在蚀刻过程中的各项参数，例如：蚀刻液浓度、温度...等皆处于精确的控制下，方可进行有效的比较。除所需手续繁复外，还需增加成本付出(例如控片花费)，且无法实时测知其结果。另一方面，对流体填充的检测方式，则多利用流体喷射装置内加热器电阻值的变化作为依据，但此方法在检测过程中会对加热器造成直接地影响，所以准确性也受到怀疑。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种具有传感器的流体喷射装置，通过传感器元件，使得在制造过程中实时监控流体腔的形成，且精确控制流体腔尺寸。

本发明的另一目的在于提供一种具有传感器的流体喷射装置，通过传感器元件，使得可以对液体填充于喷孔中的高度实时监控，以提高喷射液滴的精确性。

本发明的再一目的在于提供一种流体喷射装置的制造方法，通过传感器元件，使得可以在制造过程中实时监控流体腔的形成，且精确控制流体腔尺寸。

根据上述目的，本发明提供一种具有传感器的流体喷射装置，包括：一基底；一结构层，设置在基底上，且与基底之间形成一流体腔；至少一气泡产生装置，设置于结构层上流体腔的对应侧；至少一线状电阻传感器，与流体腔连接；一保护层，覆盖气泡产生装置与线状电阻传感器；以及一喷孔，邻近气泡产生器且穿透保护层与结构层，且与流体腔连通。

根据上述目的，本发明还提供一种具有传感器的流体喷射装置，包括：一基底；一结构层，设置在基底上，且与基底之间形成一流体腔；至少一气泡产生装置，设置于结构层上流体腔的对应侧；一保护层，覆盖气泡产生装置；以及一喷孔，邻近气泡产生器且穿透保护层与结构层，且与流体腔连通；以及一薄壳电容传感器，设于结构层上、镶嵌于保护层中且环绕喷孔。

根据上述目的，本发明又提供一种流体喷射装置的制作方法，包括下列步骤：提供一基底；形成一图案化牺牲层于基底上；形成一电阻器于牺牲层上，具有一第一端与一第二端；形成一图案化结构层于基底上，且覆盖图案化牺牲层与电阻器，露出电阻器的第一端与一第二端；以及形成一流体通道于基板的底部，以露出牺牲层；以及移除牺牲层以形成一流体腔。

附图说明

以下配合附图以及优选实施例，以更详细地说明本发明。

图1是显示一种现有技术的独石化的流体喷射装置的剖面示意图；

图2A和图2B是显示根据本发明第一实施例的具有传感器的流体喷射装置的制作过程的剖面示意图；

图2C是显示本发明第一实施例的具有传感器的流体喷射装置于填充墨水后的剖面示意图；

图3A和图3B是显示根据本发明第二实施例的具有传感器的流体喷射装置的制作过程的剖面示意图；

图3C是显示本发明第二实施例的具有传感器的流体喷射装置于填充墨水后的剖面示意图；

图4A是显示根据本发明实施例的传感器电路为一填充流体(长度L)，与线状电阻器串联的等效电路图；

图4B是显示本发明第二实施例的传感器电路被设计成惠斯登电桥(Wheatstone bridge)的电路图；

图5是显示本发明第三实施例的具有传感器的流体喷射装置的上视图；

图6A和图6B是显示根据本发明第三实施例的具有传感器的流体喷射装置沿图5中箭头I-I’方向的制作过程剖面示意图；

图6C是显示本发明第三实施例的具有传感器的流体喷射装置于填充墨水后的剖面示意图；

图7A是显示本发明第三实施例的薄壳电容传感器的结构示意图；

图7B是显示本发明第三实施例的薄壳电容传感器的电极为多层结构，由加热器的电阻材料、金属层、与接触窗等相同的材料所构成；以及

图8是显示本发明第三实施例的包含C₁、C₂电容与运算器的感测电路图。

附图标记说明

现有技术部分(图1)

1～独石化的流体喷射装置；10～硅基底；12～结构层；14～流体腔；20～第一加热器；22～第二加热器；26～流体通道；30～第一气泡；32～第二气泡。

本发明部分(图2A～图8)

100、200、500～流体喷射装置；101、201、501～基底；110、210～牺牲层；120、120a、120b、205、205a、205b、220～线状电阻；130、230～结构层；135、235～开口；140、240～电表；145、245～保护层；150、250～流体通道；160、260～流体腔；170、270～气泡产生装置；171、271～第一加热器；172、272～第二加热器；180、280～喷孔；L～填充流体长度；R₁、R₂、R₃、R₄～电阻；510～并联电阻传感器；512～牺牲层；514～结构层；516～保护层；520～流体通道；530～流体腔；540～喷孔；550～薄壳电容传感器；551-555～薄壳电容传感器电极的多层导体结构；560a、560b与560c～电阻；562、564～导线；C₁、C₂～电容。

具体实施方式

本发明提供一种具有传感器的流体喷射装置及流体喷射装置的制造方法。亦即提供一附有传感器的流体喷射装置，此传感器通过预设的线路布局，可在流体喷射装置蚀刻过程的前后，与流体填充与否的状态下，表现出不同的输出电子信号(例如电流或电阻)，而控制系统可借此判断其蚀刻是否完成，或者是否达到适当的流体驱动条件。本发明除通过单一传感器元件达到多重功用，同时可监控流体腔的形成及检测流体腔内液体位置。并且，通过传感器，可避免直接测量加热器电阻值的变化，在检测过程中，不会直接地影响加热器原结构。

第一实施例

本发明的第一实施例提供一具有单一线状电阻器的流体喷射装置及其制造方法。图2A和图2B是显示根据本发明第一实施例的具有传感器的流体喷射装置的制作过程的剖面示意图。图2C是显示本发明第一实施例的具有传感器的流体喷射装置于填充墨水后的剖面示意图。

请参阅图2A，提供一基底101，例如单晶硅基底，且在基底101上形成一图案化牺牲层110。牺牲层110由化学气相沉积(CVD)法所沉积的硼硅酸磷玻璃(BPSG)、硅酸磷玻璃(PSG)或其它氧化硅材质。形成一线状电阻器120于基底101上，顺应地披覆于牺牲层110上。线状电阻器120的材质包括掺杂的多晶硅层或其它导电材料。接着，顺应地形成一图案化结构层130于基底101上，且覆盖图案化牺牲层110。结构层130可由化学气相沉积法(CVD)所形成的一低应力氮化硅层构成，其应力介于100～200百万帕(MPa)。结构层130包括两开口135，露出线状电阻器120的两端。施加一电压差于线状电阻120的两端，并利用一电表140，例如电流计，直接测量线状电阻器120的电阻值或通过该线路的电流。

接着，形成一气泡产生装置170于结构层130上。气泡产生装置170优选为由一电阻层所构成的加热器，其中电阻层是由物理气相沉积法(PVD)，例如蒸镀、溅镀法或反应性溅镀法，形成的如HfB₂、TaAl、TaN或其它电阻材料。接着，在结构层130上形成一保护层145，覆盖气泡产生装置170。保护层145的材质可为化学气相沉积法所形成的氧化硅。

在本实施例中，气泡产生装置170包括一第一加热器171、以及一第二加热器172，第二加热器172与第一加热器171分别位于喷孔位置的相对侧。

请参阅图2B，以湿蚀刻法蚀刻基底101的背面形成一流体通道150，且露出牺牲层110。然后，再以蚀刻法移除牺牲层110以形成一流体腔160并扩大之，成为扩大的流体腔160。根据本发明的实施例，于形成流体腔160的过程中，施加一电压差于线状电阻120的两端，并利用一电表140，例如电流计，测量该线状电阻120的电阻值或通过该线路的电流。当所测量到的电流值为线状电阻器120所贡献时，则继续进行蚀刻。当所测量到的电流值为蚀刻溶液所贡献时，或所测量得到的电流值为零时，则停止蚀刻步骤，继续进行后续的制作过程步骤。

在图2A中，线状电阻120的材质由多晶硅(Poly-Silicon)或类似的导电材料所构成。线状电阻器120位于牺牲层110与结构层130之间。若此电路通过一电流I，则可得到在传感器两端的电压信号为V。当牺牲层移除后，再以KOH溶液对蚀刻硅基底101进行扩大流体腔160蚀刻时，由图2B可看出线状电阻器120会随硅材质一并被移除，而形成一断路电路120a与120b，此时两端电流信号接近于0。如此即可利用电路输出信号的变化掌握蚀刻进度。

图2C是显示本发明第一实施例的具有传感器的流体喷射装置100于填充墨水后的剖面示意图。本实施例的流体喷射装置100包括一基底101、一结构层130、一流体腔160、以及一流道150，其中，结构层130设置在基底101上，流体腔160形成于结构层130与基底101之间，以及通道150与流体腔160连接。至少一气泡产生装置170设置于结构层130上，与流体腔160对应。一保护层145形成于该结构层130上且覆盖气泡产生装置170。一喷孔180邻近该气泡产生装置130且穿透保护层145与结构层130与流体腔160连通。

当前述的蚀刻步骤完成后，结构已形成一完整的流体喷射装置100。此时经由歧管、流道150而流入流体腔160与喷孔180内的流体(请参见图2C)也同时与原电路120a、120b接触。此时可将传感器电路视为一填充流体(长度L)，与线状电阻器140A、140b串联的电阻系统。假设流体的等效电阻(equivalent resistor)为Rliq，此时传感器两端的电压V_f为：V_f＝I(R₁+R_liq+R₂)。式中R₁与R₂分别为电路120a与120b的电阻值。

在实际应用中，本发明中的传感器设计不限于上述的电阻电路，也可为电容电路，或电阻-电容混合电路。而所设置的部位，也可针对流体喷射装置中不同的区域，作单一或多组感测监控元件。然而，对于传感器应用的设计，需注意的是流体的导电度范围。此外，进行蚀刻监控时，若能将传感器输出信号，配合适当信号处理系统，更可直接控制蚀刻装置的运行。对完成后的装置言，传感器还可将所测量的流体位置反馈给驱动系统，以避免发生“空烧效应”而导致流体喷射装置损毁。

第二实施例

本发明的第二实施例提供一具有两线状电阻器并联的流体喷射装置及其制造方法。图3A-图3B显示根据本发明第二实施例的具有传感器的流体喷射装置的制作过程的剖面示意图。图3C是显示本发明第二实施例的具有传感器的流体喷射装置于填充墨水后的剖面示意图。

本发明第二实施例的流体喷射装置200是依据第一实施例的流体喷射装置100设计的，相同的处于此省略叙述。不同的处在于第二实施例所设计的传感器200为一多重电阻并联设计架构。于图3A的流体喷射装置200中，共包括两组线状电阻传感器：第一组线状电阻器205设置于基底201与牺牲层210之间，而第二组线状电阻器220设置于牺牲层210与结构层230之间，保护层245披覆于最上层。两组传感器设计为并联，亦可设计为独立线路。当电流I通过时可得到电压V₀，由第一组线状电阻器205与第二组线状电阻器220所贡献。当流体喷射结构的基底201(单晶硅晶片)，被KOH蚀刻液移除时(如图3B所示)，线状电阻传感器205的线路也随之被部分移除，留下线状电阻器205a及205b，从而形成断路电路。此时电流I将只通过第二组线状电阻器220的线路，所测量得到的电压也变为V₁。当牺牲层移除后，再次以KOH进行蚀刻时，第二组线状电阻器220也将随之被移除而形成断路(如图3C所示)，而整体电路的电压输出即变为0。同理，当流体填充入蚀刻完成的区域时，传感器的输出电压也会随流体填入的位置而再次变化。此时可将传感器电路视为一填充流体(长度L)，与线状电阻器205a、205b串联的电阻系统。假设流体的等效电阻(equivalent resistor)为R_liq，此时传感器两端的电压V_f为：V_f＝I(R₁+R_liq+R₂)。式中R₁与R₂分别为电路205a与205b的电阻值。图4A是显示根据本发明实施例的传感器电路为一填充流体L，与线状电阻器140A、140b串联的等效电路图。假设流体的等效电阻(equivalent resistor)为R_liq，此时传感器两端的电压V_f为：V_f＝I(R₁+R_liq+R₂)。此外也可将传感器电路设计成惠斯登电桥(Wheatstonebridge)的配置，如图4B所示。在图4B中V_a与V_b的电压压差可表示为：V_b-V_a＝V_i(R₁R₄-R₂R₃)/((R₁+R₂)(R₃+R₄))。若使R_i＝R₂，则前式可改写为：V_b-V_a＝0.5V_i(R₄-R₃)/(R₃+R₄)。若将R₃设计成准备测量的流体等效电阻的相近数值时，当传感器的电路形成断路时(R4趋近无限大)，可得到V_a与V_b的压差约为二分的一输入电压；又当流体填充于电路间时(R₃＝R₄)，V_a与V_b的压差约为0。如此可利用输入电压与输出电压的变化，直接得到对蚀刻过程的进度的控制与流体填充后的位置测量。举例来说，在常温下，墨水的等效电阻约为相同几何尺寸、60℃温度、重量浓度33％的氢氧化钾(KOH)溶液的等效电阻的万至十万倍以上。因此可通过不同电路的匹配设计，制定出适当的相对应的惠斯登电桥，以用于进行蚀刻进度或墨水填充的监控。

第三实施例

本发明第三实施例所设计的传感器为一多重电阻并联且同时包括电容设计的结构。图5是本发明第三实施例的具有传感器的流体喷射装置500的上视图。第一组传感器550为一薄壳电容传感器550，其方向与未来喷孔540的方向平行。而第二组传感器510则与第一及第二实施例类似，但线状电阻器所设置的位置不同于先前实施例所述，而改在牺牲层512的边缘(如图6A所示)。

图6A和图6B显示根据本发明第三实施例的具有传感器的流体喷射装置500沿图5中箭头I-I’方向的剖面示意图。图6C是显示本发明第三实施例的具有传感器的流体喷射装置500于填充墨水后的剖面示意图。

本发明第三实施例的流体喷射装置500是依据第二实施例的流体喷射装置200的设计，相同之处在此省略叙述。不同之处在于第三实施例所设计的传感器包括薄壳电容传感器550与并联电阻传感器510的混合电路。薄壳电容传感器550的结构如图7A所示，其电极由多层导体结构(551～555)所构成，包括加热器的电阻材料(TaAl、TiN、TiW或Pt等)、金属层(Al-Si-Cu及Al-Cu)、与接触窗(TiW或TiN)。因此，在制造方法上可与传统的半导体工艺兼容。薄壳电容传感器550埋设于保护层516中，其中心位置是流体喷射装置500的喷孔540。并联电阻传感器510由电阻器560a、560b与560c并联并由导线562及564连接其端点构成，电阻器560a设置于牺牲层512与结构层514间的角落，且部分披覆于牺牲层上方，电阻器560b与560c设置于牺牲层512、结构层514与基底501间的角落。

根据本发明实施例，可通过测量传感器550电路的电容变化(介电常数改变)，用于监测喷孔制作过程与流体填充的位置控制，如图7A所示。如先前实施例所述，并联电阻传感器510可用于监测流体腔的蚀刻状态与流体腔内流体的填充状态(请参见图6C)。

图8为一包括C₁、C₂电容与运算放大器的感测电路，再配合非重迭电路(non-overlapping circuit)(图中未标示)后可得

$V_o=\frac{C_1}{C_2}\×V_{\mathrm{in}}.$

其中C₁即为一半径r，高度L的薄壳电容器(如图7A所示)，此电容器利用原加热器的电阻材料(TaAl、TiN、TiW或Pt等)、金属层(Al-Si-Cu及Al-Cu)、与接触窗(TiW或TiN)等材料构成(如图7B所示)。假设空气与流体所占高度分别为a与L-a，则薄壳电容器的电容可表示为式1：

$C_1=\frac{{\mathrm{\ϵ}}_0{\mathrm{\ϵ}}_f\mathrm{\πa}(L-a)}{2[{\mathrm{\ϵ}}_{0}a+{\mathrm{\ϵ}}_f(L-a)]}$ (式1)

式1中ε₀与ε_f分别表示空气与流体的介电常数。通过输出/输入电压比和已知C₂的设计值，可以计算得出C₁。而流体与空气的介电常数ε_f与ε₀，与薄壳电容550的高度L皆为已知，故可经由C₁解出空气高度a，与流体高度L-a。此数据可反馈至流体喷射系统进行判读，并根据该流体于该喷孔内的高度调整驱动加热体的时间，或做为是否执行加热等后续动作，如此即可避免加热器「空烧效应」，从而有效保障流体喷射装置的寿命。

根据本发明所公开的方式，每一微流体喷射装置可配合传感器的设计，对日后进行的单段、多段制作过程，与流体填充状况进行监控。此项结果除可提高流体喷射装置的尺寸制作精度外，更可用以提供系统，做为驱动流体喷射的检验条件，达到避免「空烧效应」的目的，进而延长使用寿命的目的。而此两项目的可利用同一传感器的设计线路，还可达到减少制作成本的效果。

本发明的特征与效果在于形成一具有传感器的流体喷射装置。此传感器通过输出电子信号的变化，除可作为喷射头制作过程中蚀刻工艺的进度监测外，亦可用于整体结构完成后的流体位置测量。前者可控制蚀刻工艺的进度，代替事后的光学或其它破坏性检测；而后者所提供的流体位置，可作为流体喷射时的参考依据。本发明装置可有效地应用于文字或影像的数据打印处理、燃料喷射系统及生医科技的药剂注射等相关或类似系统。

虽然本发明已以优选实施例公开如上，然而，其并非用以限定本发明，本领域中的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的前提下，当然可作更动与润饰，因此本发明的保护范围应当以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (21)

1.一种具有传感器的流体喷射装置，包括：

一基底；

一结构层，设置在所述基底上，且与所述基底之间形成一流体腔；

至少一个气泡产生装置，设置于所述结构层上所述流体腔的对应侧；

至少一个线状电阻传感器，与所述流体腔连接；

一保护层，覆盖所述气泡产生装置与所述线状电阻传感器；以及

一喷孔，邻近所述气泡产生器且穿透所述保护层与所述结构层，且与所述流体腔连通。

2.如权利要求1所述的具有传感器的流体喷射装置，其中所述气泡产生装置包括：

一第一加热器，以位于所述流体腔外的方式设置于所述保护层的表面上，用以在所述流体腔内产生一第一气泡；以及

一第二加热器，以位于所述流体腔外的方式设置于所述保护层的表面上，且与所述第一加热器分别位于所述喷孔的相对侧，用以在所述流体腔内产生一第二气泡以将所述流体腔内的流体射出。

3.如权利要求1所述的具有传感器的流体喷射装置，其中所述结构层是一低应力氮化硅。

4.如权利要求1所述的具有传感器的流体喷射装置，其中所述线状电阻传感器包括多个并联电阻组。

5.如权利要求1所述的具有传感器的流体喷射装置，其中于所述流体腔形成时，其中所述线状电阻传感器实时监控所述流体腔的形成，以避免所述结构层被蚀刻过度。

6.如权利要求1所述的具有传感器的流体喷射装置，其中当所述流体腔填充一流体时，所述线状电阻传感器与所述流体成一串联电阻组。

7.一种具有传感器的流体喷射装置，包括：

一基底；

一结构层，设置在所述基底上，且与所述基底之间形成一流体腔；至少一气泡产生装置，设置于所述结构层上所述流体腔的对应侧；

一保护层，覆盖所述气泡产生装置；以及

一喷孔，邻近所述气泡产生器且穿透所述保护层与所述结构层，且与所述流体腔连通；以及

一薄壳电容传感器，设于所述结构层上、镶嵌于所述保护层中且环绕所述喷孔。

8.如权利要求7所述的具有传感器的流体喷射装置，其中所述薄壳电容传感器具有一对圆弧形电极。

9.如权利要求8所述的具有传感器的流体喷射装置，其中所述圆弧形电极为一多层导体电极。

10.如权利要求9所述的具有传感器的流体喷射装置，其中所述多层导体电极的材质包括TaAl、TiN、TiW、Pt、Al-Si-Cu合金或Al-Cu合金。

11.如权利要求7所述的具有传感器的流体喷射装置，其中当所述流体腔填充一流体时，所述流体借毛细作用填充至所述喷孔中，所述薄壳电容传感器测量所述流体于所述喷孔内的高度，并根据所述流体于所述喷孔内的高度调整驱动加热体的时间。

12.如权利要求7所述的具有传感器的流体喷射装置，其中还包括至少一线状电阻传感器，与所述流体腔连接。

13.一种流体喷射装置的制作方法，包括下列步骤：

提供一基底；

形成一图案化牺牲层于所述基底上；

形成一线状电阻传感器于所述牺牲层上，具有一第一端与一第二端；

形成一图案化结构层于所述基底上，且覆盖所述图案化牺牲层与所述线状电阻传感器，露出所述线状电阻传感器的所述第一端与所述第二端；

形成一流体通道于所述基板的底部，以露出所述牺牲层；以及

移除所述牺牲层以形成一流体腔。

14.如权利要求13所述的流体喷射装置的制作方法，其中所述线状电阻传感器的材质包括多晶硅或导体材质。

15.如权利要求13所述的流体喷射装置的制作方法，其中移除所述牺牲层的步骤是以一蚀刻溶液蚀刻所述牺牲层。

16.如权利要求15所述的流体喷射装置的制作方法，其中移除所述牺牲层的步骤包括，施加一电压差于所述线状电阻传感器的所述第一端与所述第二端，以测量其间的一电流值。

17.如权利要求16所述的流体喷射装置的制作方法，其中当所测量到的电流值完全为所述线状电阻传感器所贡献时，则继续蚀刻步骤形成所述流体腔。

18.如权利要求16所述的流体喷射装置的制作方法，其中当所测量到的电流值为所述线状电阻传感器与所述蚀刻溶液所贡献时，则停止蚀刻步骤完成所述流体腔。

19.如权利要求13所述的流体喷射装置的制作方法，其中所述线状电阻传感器包括多个并联电阻组。

20.如权利要求19所述的流体喷射装置的制作方法，其中所述多个并联电阻组包括位于所述牺牲层与所述结构层的界面处的一第一电阻器，和位于所述结构层与所述基底的界面处的一第二电阻器。

21.如权利要求20所述的流体喷射装置的制作方法，其中移除所述牺牲层的步骤包括，施加一电压差于所述并联电阻组的一第一端与一第二端，以测量其间的一电流值，其中当所测量到的电流值为所述第一及第二电阻器所贡献时，则继续蚀刻所述牺牲层，其中当所测量到的电流值为所述第二电阻器所贡献时，则停止蚀刻所述牺牲层。

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