[go: up one dir, main page]

CN1305640A - 散热器和用它的半导体激光装置及半导体激光叠层装置 - Google Patents

散热器和用它的半导体激光装置及半导体激光叠层装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1305640A
CN1305640A CN99807437A CN99807437A CN1305640A CN 1305640 A CN1305640 A CN 1305640A CN 99807437 A CN99807437 A CN 99807437A CN 99807437 A CN99807437 A CN 99807437A CN 1305640 A CN1305640 A CN 1305640A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
semiconductor laser
radiator
plate
members
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN99807437A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1167126C (zh
Inventor
宫岛博文
菅博文
内藤寿夫
太田浩一
神崎武司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Publication of CN1305640A publication Critical patent/CN1305640A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1167126C publication Critical patent/CN1167126C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02423—Liquid cooling, e.g. a liquid cools a mount of the laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/20218—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating using a liquid coolant without phase change in electronic enclosures
    • H05K7/20254—Cold plates transferring heat from heat source to coolant
    • H10W40/47—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02375—Positioning of the laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • H01S5/4043—Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
    • H01S5/405—Two-dimensional arrays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

半导体激光叠层式装置1包括3个半导体激光器2a～2c、2个铜板3a和3b、2个引线板4a和4b、供给管5、排出管6、4个绝缘构件7a～7d以及散热片10a～10c。其中,散热片10a～10c每个包括在其上表面形成有供水用槽部22的下部平板构件12、形成有多个导水孔38的中间平板构件14和在其下表面形成排水用槽部30的上部平板构件16,这三块平板构件堆叠在一起并焊接其接触面。

Description

散热器和用它的半导体激光装置 及半导体激光叠层装置
本发明涉及一种用于半导体器件等发热元件散热的散热器，和使用散热器的半导体激光装置及半导体激光叠层装置。
众所周知，作为使用于半导体器件等发热元件散热的散热器，例如象特开平8-139479号公报所公开那样的，具有内部循环冷却水构造的散热器。上述散热器由具备供给加压冷却水的管状供给水路、排出冷却水的排出水路、以及将供向供给水路的冷却水喷到排出水路内的喷出孔而构成。从上述喷出孔以高压喷出的冷却水，使安装在喷出孔正上部的发热元件进行高效率散热。
可是，上述现有技术的散热器中存在着以下所示的问题。就是，上述现有技术的这种散热器因具有管状的供给水路，增大散热器的厚度，就会使其大型化。也可以认为，虽然缩小这种管的直径能使散热器薄型化，但是制造却极其困难。因此，本发明的目的是提供一种制造比较容易，能够薄型化的散热器，和使用该散热器的半导体激光装置及半导体激光叠层装置。
为了解决上述问题，本发明的散热器，其特征是具备：在上表面形成第1槽部的第1平板状构件、在下表面形成第2槽部的第2平板状构件、以及在上述第1平板状构件的上述上表面与上述第2平板状构件的上述下表面之间设置的隔板，在上述隔板上设置有连通由上述第1槽部与上述隔板的下表面形成的第1空间和由上述第2槽部与上述隔板的上表面形成的第2空间的孔，还具有向上述第1空间供给流体的供给口和从上述第2空间排出上述流体的排出口。
通过由设有槽部的第1、第2平板状构件与设有孔的隔板构成的结构，就可能使之薄型化。另外，可用比较简单的形成槽部、形成孔的工序来制造，即，制造变得比较容易。
并且，本发明的半导体激光装置，作为其特征，具备上述散热器和安装在上述散热器的上述第2平板状构件上表面的半导体激光器。
由于使用上述散热器，使散热器薄型化并达到制造容易化，其结果，可使半导体激光装置小型化，也变得比较容易制造。
另外，本发明的半导体激光叠层装置具备第1、第2散热器和第1、第2半导体激光器，上述第1和第2散热器是上述散热器，上述第1激光器由上述第1散热器的上述第2平板状构件的上表面与上述第2散热器的上述第1平板状构件的下表面夹持，上述第2半导体激光器安装在上述第2散热器的上述第2平板状构件的上表面。
由于使用上述散热器，所以达到散热器薄型化并达到制造容易化，其结果，可使半导体激光装置小型化，也容易制造。
附图的简单说明
图1是半导体激光叠层装置的立体图。
图2A～2C是散热器的分解立体图。
图3是从上方看散热器的说明图。
图4是从侧面看散热器的说明图。
图5是中间平板构件的立体图。
图6是中间平板构件的立体图。
图7是中间平板构件的立体图。
图8是中间平板构件的立体图。
图9A～9C是散热器的分解立体图。
图10是从上方看散热器的说明图。
图11是从侧面看散热器的说明图。
图12A是拉起片的平面图。
图12B是沿图12A的Ⅰ-Ⅰ线的剖面图。
图12C是沿图12A的Ⅱ-Ⅱ线的剖面图。
图13A和图13B是下部平板构件的分解立体图。
参照附图说明本发明的半导体激光叠层装置。另外，本发明的半导体激光装置及散热器包含在本实施例的半导体激光叠层装置内。
首先，说明在本实施例的半导体激光叠层装置。图1是本实施例的半导体激光叠层装置的立体图。本实施例的半导体激光叠层装置1，如图1所示，由配备3个半导体激光器2a～2c、2个铜板3a和3b、2个引线板4a和4b、供给管5、排出管6、4个绝缘构件7a～7d以及3个散热片10a～10c而构成。以下，说明有关各构成要素。另外，为说明方便起见，将图1的Z轴正方向叫做上，Z轴负方向叫做下。
半导体激光器2a～2c是排列在规定方向(y轴方向)具有多个激光出射点的半导体激光器。半导体激光器2a由散热器10a的上表面(后述的上部平板构件16的上表面，以下同样)和散热片10b(后述的下部平板构件12的下表面，以下同样)夹持，半导体激光器2b由散热器10b的上表面和散热片10c夹持，半导体激光器2c安装在散热片10c的上表面。在这里，分别将半导体激光器2a～2c配置成为激光出射点的排列方向与散热片10a～10c的上表面平行，并且，各个半导体激光器2a～2c的出射面与各个散热片10a～10c的一个侧面大体上配置在同一平面上。
半导体激光器2a的下表面经由铜板3a与引线板4a电连接，半导体激光器2c的上表面经由铜板3b与引线板4b电连接。在这里，通过在引线板4a与引线板4b之间施加电压，就能从半导体激光器2a～2c输出激光。
供给管5和排出管6分别贯通散热片10a～10c而设。更详细一点说，供给管5与分别形成于散热片10a～10c的供给口44(以后详细叙述)连接，排出管6与分别形成于散热片10a～10c的供给口46(以后详细叙述)连接。因此，可从供给管5对散热片10a～10c供给冷却水等的液体，而且，可从散热片10a～10c向排出管6排出上述冷却水。
在散热片10a的下表面一侧、散热片10a的上表面与散热片10b的下表面之间的间隙、散热片10b的上表面与散热片10c的下表面之间的间隙、以及散热片10c的上表面一侧，分别设置有橡胶制成的绝缘构件7a、7b、7c、7d，以包围供给管5和排出管6。
散热片10a～10c成为如以下所示的构成。另外，由于各个散热片10a～10c都具有同样的构成，所以下表面只对散热片10a做说明。图2A～2C是散热片10a的分解立体图，图3是从上方看散热片10a的说明图，图4是从侧面看散热片10a的说明图。
如图2A～2C所示，散热片10是由依次层叠下部平板构件12(第1平板构件)、中间平板构件14(隔板)和上部平板构件16(第1平板构件)，采用扩散接合法、钎焊或粘接剂进行接合而形成。
下部平板构件12是具有大约400μm厚度的铜制平板，并具有2个贯通口18、20。在下部平板构件12的上表面(与中间平板构件14接触的面)一侧，形成深度约200μm的供给水路用槽部22(第1槽部)。供给水路用槽部22，一方的端部侧面与上述贯通口18连接，另一方的端部侧面向下部平板构件12的宽度方向(图1的y轴方向)扩大。为了使供给水路用槽部22降低流入散热片10a内的冷却水的流动阻力并减少滞留，所以角部22a作成曲面形状。在这里，采用蚀刻法，将供给水路用槽部22形成在下部平板构件12的上表面。
上部平板构件16也是具有大约400μm厚度的铜制平板，并在分别与下部平板构件12的贯通口18、20对应的位置，具有2个贯通口26、28。在上部平板构件16的下表面(与中间平板构件14接触的面)一侧，形成深度约200μm的排出水路用槽部30(第2槽部)。排出水路用槽部30，一方的端部侧面与上述贯通口28连接，另一方的端部侧面向上部平板构件16的宽度方向扩大。在这里，至少排出水路用槽部30的一部分形成为与下部平板构件12上所形成的供给水路用槽部22重叠的部分(图2的斜线部分)。另外，为了使排出水路用槽部30降低流入散热片10a内的冷却水的流动阻力并减少滞留，所以角部22a作成曲面形状。在这里，采用蚀刻法，将排出水路用槽部30形成在上部平板构件16的下表面。
中间平板构件14是大约具有100μm厚度的铜制平板，并在与下部平板构件12的贯通口18、20对应的位置，具有2个贯通口34、36。并且，在形成于下部平板构件12的供给水路用槽部22与形成于上部平板构件16的排出水路用槽部30重叠的部分，形成多个导水孔38。在这里，采用从两边蚀刻中间平板构件14的办法来形成导水孔38。
在这里，特别是上部平板构件16的上表面具有半导体激光器装配区域100用以装配作为要冷却发热元件的半导体激光器2a，并将多个导水孔38设置在与该半导体激光器装配区域100对置的位置。就是，因为半导体激光器2a具有大致正方体形状，所以半导体激光器装配区域100成为长方形，并相对于该长方形的长边方向(图1的y轴方向)排列成一列来形成多个导水孔38。
通过使下部平板构件12的上表面与中间平板构件14的下表面、中间平板构件14的上表面与上部平板构件16的下表面接合，如图3或图4所示，由形成于下部平板构件12的供给水路用槽部22与中间平板构件14的下表面形成供给冷却水的供给水路40(第1空间)，同样，由形成于上部平板构件16的排出水路用槽部30与中间平板构件14的上表面形成排出冷却水的排出水路42(第2空间)。在这里，为了让供向供给水路40的冷却水喷到排出水路42中，所以上述导水孔38具有充分小的剖面面积。
把在下部平板构件12中形成的贯通口18、中间平板构件14中形成的沟通口34和上部平板构件16中形成的贯通口26连接起来，形成用于向供给水路40供给冷却水的供给口44，并把在下部平板构件12中形成的贯通口20、中间平板构件14中形成的沟通口36和上部平板构件16中形成的贯通口28连接起来，形成从排出水路42排出冷却水的排出口46。
接着，说明本实施例的半导体激光叠层装置的作用和效果。半导体激光叠层装置10由下部平板构件12、中间平板构件14和上部平板构件16这样的3块平板构件构成了散热片10a～10c。因此，能够构成散热片10a～10c极其之薄，其结果，可以构成极其小型的半导体激光叠层装置10。
另外，散热片10a～10c采用形成供给水路用槽部22和排出水路用槽部30这样的槽部及形成导水孔38所谓的孔等比较简单的工序就可以制造，所以制造比较容易。其结果，半导体激光叠层装置10的制造也变得比较容易。
另外，本实施例的半导体激光叠层装置10，因为在散热片10a～10c中把导水孔38设置在与半导体激光器装配区域100对置的位置，所以能够有效地冷却要冷却的半导体激光器2a～2c。其结果，就能够从半导体激光器2a～2c输出稳定的激光。
而且，本实施例的半导体激光叠层装置10，因为在散热片10a～10c中具有多个导水孔38。结果，可以大范围均匀地冷却半导体激光器2a～2c。结果，就能输出空间上分布均匀的激光。
进而，本实施例的半导体激光叠层装置10的散热片10a～10c的导水孔38具有充分小的剖面面积，以便将供给供给水路40的冷却水喷入排出水路42。因此，能够突破排出水路42内壁的界面层，增加半导体激光器2a～2c的冷却效率，其结果，可以分别从半导体激光器2a～2c输出更稳定的激光。
进而，本实施例的半导体激光叠层装置10，因为配备有与各个散热片10a～10c的供给口44连接的一个供给管5和与各个散热片10a～10c的排出口46连接的一个排出管6，所以不需要连接供给管5与供给口44的其它连接管或连接排出管6与排出口46的其它连接管等，而达到更进一步的小型化。
本实施例的半导体激光叠层装置10的散热片10a～10c中，虽然对于半导体激光器装配区域100的长边方向排成一列而形成多个导水孔38，但是如图5所示，也可以对于半导体激光器装配区域100的长边方向排成两列而形成之。并且，如图6所示，虽然在半导体激光器装配区域100的短边方向延伸的狭缝状的导水孔38，但是也可以对半导体激光器装配区域100的长边方向排成一列来形成。另外，在半导体激光器装配区域100的长边方向延伸的狭缝状的导水孔38，如图7所示也可以形成一个，如图8所示也可以形成两个并排。
散热片10a也可以是如图9A～9B的分解立体图所示的样子。即，就下部平板构件12和上部平板构件16来说，与用图2A～图2B说过的构件同样，但是在中间平板构件14上形成多个，按U字形切入该中间平板构件14的局部再把该U字形的部分上升在上部平板构件16侧的拉起片37和随该拉起片37的上升而形成孔的导水孔38。即，导水孔38变成把供给供给水路40的冷却水喷出到排出水路42内的孔，同时，拉起片37设置在导水孔38的排出水路42侧缘部，又成为约束冷却水从导水孔38送向排出水路42方向的导向片。在这样的散热片10a中，当大约以2～4gf/cm2的水压将加压的冷却水从供给口44供给供给水路40时，冷却水在供给水路40内流向导水孔38，并通过导水孔38喷出到排出水路42内。随着从导水孔38喷出的冷却水，使半导体激光器装配区域100上安装的半导体激光器2a散热。在这里，在导水孔38的正上部不设半导体激光器2a的情况下，一般，不可能使从导水孔38以高压喷出动冷却水喷啉半导体激光器装配区域100的正下部，散热效率就降低了。因此，通过采取上述构成，如图10和图11所示，虽然半导体激光器2a不是安装在导水孔38正上方的位置，但是借助于拉起片37把从导水孔38喷出的冷却水喷出方向约束半导体激光器装配区域100的方向，可使高压喷出的冷却水喷啉半导体激光器装配区域100的正下部。结果，提高了散热效率。
而且，通过采用切入板状的中间平板构件14的一部分并抬起的办法形成作为导向片的拉起片37，就不用制造别的导向用构件等，而很容易形成导向片。
而且，因为形成板状作为导向片的拉起片37，并在使半导体激光器2a散热后，防止因该拉起片37妨碍从排出水路42的上部向排出口46流动冷却水的情况，可确保由拉起片37带来的排出水路42的流动阻力很小。结果，可进一步提高散热效果。
进而，相对于供给供给水路40的冷却水压力大约为2～4gf/cm2的高压，由于形成拉起片37的厚度大约为100μm的薄片，所以拉起片37的张开程度随供给供给水路40中冷却水水压进行变化，并且导水孔38的实际上的面积也变化。更具体一点说，冷却水的水压若增大，则拉起片37抬高，导水孔38的实际面积增加，另一方面，若冷却水的水压减小，则拉起片37倒下来，导水孔38的实际面积缩小。因此，冷却水的喷出速度大致维持恒定，而与水压变化无关。结果，可使冷却水的喷出速度大致维持恒定，就能使半导体激光器2a均匀散热。
在上述实施例的散热器10中，拉起片37为平坦的板状，但它如图12A～12C所示，也可以是剖面呈v字形状的拉起片37。另外，图12A是拉起片37的平面图，图12B是沿图12A的Ⅰ-Ⅰ线的剖面图，图12C是沿图12A的Ⅱ-Ⅱ线的剖面图。
通过将拉起片37制成V字形状，冷却水会从拉起片37的两侧部分喷出，可使冷却水喷出范围广，同时能使冷却半导体激光器2a的冷却水流向排出口46时的流动阻力变得更小。
而且，在上述实施例的半导体激光叠层装置的散热片10a中，下部平板构件12的供给水路用槽部22是采用蚀刻下部平板构件12的上表面来形成的，但是也可以如图13A和图13B所示，采用重叠粘接具有形成供给水路用槽部22侧面的孔穴12c的第1平板12a和形成供给水路用槽部22底面的第2平板12b而形成。还有，至于上部平板构件16与上述同样，也可以采用重叠粘接2片平板来形成。
本发明可用作作为光源的半导体激光装置、半导体激光叠层装置、以及半导体器件等发热元件的散热使用的散热器。

Claims (10)

1．一种散热器，其特征是包括：
在其上表面形成第1槽部的第1平板状构件，
在其下表面形成第2槽部的第2平板状构件，以及
在上述第1平板状构件的上述上表面与上述第2平板状构件的上述下表面之间设置的隔板；
在上述隔板上设置有连通由上述第1槽部与上述隔板的下表面形成的第1.空间和由上述第2槽部与上述隔板的上表面形成的第2空间的孔，
并且，具有向上述第1空间供给流体的供给口和从上述第2空间排出上述流体的排出口。
2．根据权利要求1所述的散热器，其特征是：
上述第2平板状构件的上表面具有装配要冷却发热元件的发热元件装配区域，以及
上述孔设置在与上述发热元件装配区域对置的位置。
3．根据权利要求1或2所述的散热器，其特征是：
上述孔设置有多个。
4．根据权利要求1～3任一项所述的散热器，其特征是：
上述孔具有充分小的剖面面积，使上述流体喷出到上述第2空间中。
5．根据权利要求1～4任一项所述的散热器，其特征是：
在上述孔的上述第2空间侧的边缘部分设置有约束上述流体从上述孔输出到上述第2空间的方向的导向片。
6．一种半导体激光装置，其特征是包括有根据权利要求1～5任一项所述的散热器和安装在上述散热器的上述第2平板状构件上表面的半导体激光器。
7．根据权利要求6所述的半导体激光装置，其特征是：
上述半导体激光器具有在规定方向排列的多个激光出射点，并且
配置成为上述规定方向与上述第2平板状构件的上表面大致平行。
8．一种半导体激光叠层装置，其特征是包括：
第1、第2散热器和第1、第2半导体激光器，
上述第1和第2散热器是根据权利要求1～5任一项射述散热器，
上述第1激光器是由上述第1散热器的上述第2平板状构件的上表面与上述第2散热器的上述第1平板状构件的下表面夹持，
上述第2半导体激光器安装在上述第2散热器的上述第2平板状构件的上表面。
9．根据权利要求8所述的半导体激光叠层装置，其特征是：
上述第1和第2半导体激光器具有在规定方向排列的多个激光出射点，并配置成为上述规定方向与上述第1和第2平板状构件的上表面大致平行。
10．根据权利要求8或9所述的半导体激光叠层装置，其特征是还包括：
连接上述第1散热器的上述供给口和上述第2散热器的上述供给口双方的供给管，和
上述第1散热器的上述排出口和上述第2散热器的上述排出口双方的排出管。
CNB998074373A 1998-08-18 1999-03-29 散热器和用它的半导体激光装置及半导体激光叠层装置 Expired - Fee Related CN1167126C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23157698 1998-08-18
JP231576/1998 1998-08-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1305640A true CN1305640A (zh) 2001-07-25
CN1167126C CN1167126C (zh) 2004-09-15

Family

ID=16925693

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB998074373A Expired - Fee Related CN1167126C (zh) 1998-08-18 1999-03-29 散热器和用它的半导体激光装置及半导体激光叠层装置

Country Status (10)

Country Link
US (1) US6804275B2 (zh)
EP (1) EP1113496B1 (zh)
JP (1) JP4224217B2 (zh)
KR (1) KR100609939B1 (zh)
CN (1) CN1167126C (zh)
AT (1) ATE330330T1 (zh)
AU (1) AU2959499A (zh)
DE (1) DE69931937T2 (zh)
ES (1) ES2267254T3 (zh)
WO (1) WO2000011717A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100416953C (zh) * 2003-12-16 2008-09-03 浜松光子学株式会社 半导体激光装置及其制造方法
CN101164163B (zh) * 2005-06-20 2010-04-07 浜松光子学株式会社 散热器和具有它的激光器装置以及激光器堆栈装置
CN101640372B (zh) * 2009-08-31 2011-04-20 西安炬光科技有限公司 一种单巴条液体制冷激光器及其制备方法
CN103178439A (zh) * 2013-01-15 2013-06-26 北京工业大学 轻便型大功率半导体激光器集成装置

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3830364B2 (ja) 2001-07-24 2006-10-04 ファナック株式会社 固体レーザ励起用光源装置
JP4132742B2 (ja) * 2001-07-25 2008-08-13 浜松ホトニクス株式会社 発光モジュール及び発光モジュールの組み立て方法
US7278474B2 (en) * 2001-10-09 2007-10-09 Mikros Manufacturing, Inc. Heat exchanger
DE10246990A1 (de) * 2002-10-02 2004-04-22 Atotech Deutschland Gmbh Mikrostrukturkühler und dessen Verwendung
DE602004024042D1 (de) * 2003-02-27 2009-12-24 Laserfront Technologies Inc Wärmeableiter, lasermodul, laser-vorrichtung und laser-verarbeitungsvorrichtung
DE10361899B4 (de) * 2003-12-22 2008-10-30 Jenoptik Laserdiode Gmbh Ausdehnungsangepasstes wärmespreizendes Mehrlagensubstrat
JP4074259B2 (ja) * 2004-03-17 2008-04-09 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ装置
JP2005268445A (ja) * 2004-03-17 2005-09-29 Hamamatsu Photonics Kk 半導体レーザ装置
US7512422B2 (en) 2004-05-28 2009-03-31 Ixys Corporation RF generator with commutation inductor
JP2006086229A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Hamamatsu Photonics Kk 半導体レーザ装置及び半導体レーザスタック装置
ATE393475T1 (de) 2004-11-24 2008-05-15 Danfoss Silicon Power Gmbh Strömungsverteilungsmodul und stapel von strömungsverteilungsmodulen
EP1708322B1 (en) * 2005-03-30 2009-11-18 Tecnisco Limited Semiconductor cooling device and stack of semiconductor cooling devices
US20060285571A1 (en) * 2005-06-20 2006-12-21 Yunlong Sun Diode-pumped, solid-state laser with chip-shaped laser medium and heat sink
US20070029555A1 (en) * 2005-08-04 2007-02-08 Lester Steven D Edge-emitting LED light source
DE102007019576A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Modulträger für ein elektronisches Modul, elektronisches Modul mit einem derartigen Modulträger, Modulanordnung mit einer Mehrzahl von Modulen und Bausatz für eine Modulanordnung
CN102017825B (zh) 2008-05-02 2013-09-04 丹福斯矽电有限责任公司 用于多个功率模块的冷却装置
US20110085304A1 (en) * 2009-10-14 2011-04-14 Irvine Sensors Corporation Thermal management device comprising thermally conductive heat spreader with electrically isolated through-hole vias
US20110232882A1 (en) * 2010-03-29 2011-09-29 Zaffetti Mark A Compact cold plate configuration utilizing ramped closure bars
JP5287922B2 (ja) * 2011-04-19 2013-09-11 株式会社豊田自動織機 冷却装置
JP5969898B2 (ja) * 2012-11-12 2016-08-17 浜松ホトニクス株式会社 ヒートシンク
DE112014001406T5 (de) * 2013-03-15 2015-12-03 Danfoss Silicon Power Gmbh Strömungsverteiler, der anpassbare Strömungsbegrenzungsvorrichtungen umfasst
US11095091B2 (en) * 2016-06-20 2021-08-17 TeraDiode, Inc. Packages for high-power laser devices
DE102019118835A1 (de) * 2019-07-11 2021-01-14 Rogers Germany Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Kühlelements und Kühlelement hergestellt mit einem solchen Verfahren
US11629917B2 (en) * 2019-07-23 2023-04-18 Dana Canada Corporation Three-layer heat exchanger with internal manifold for battery thermal management
US11270925B2 (en) 2020-05-28 2022-03-08 Google Llc Heat distribution device with flow channels

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1597829A (en) * 1978-05-26 1981-09-09 Ferranti Ltd Circuit assemblies
DE3436545A1 (de) * 1984-10-05 1986-04-10 BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie., Baden, Aargau Kuehlkoerper fuer die fluessigkeitskuehlung eines leistungshalbleiterbauelementes
JPS61230346A (ja) * 1985-04-04 1986-10-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子冷却装置
US4791634A (en) * 1987-09-29 1988-12-13 Spectra-Physics, Inc. Capillary heat pipe cooled diode pumped slab laser
US5105429A (en) 1990-07-06 1992-04-14 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Modular package for cooling a laser diode array
US5079619A (en) * 1990-07-13 1992-01-07 Sun Microsystems, Inc. Apparatus for cooling compact arrays of electronic circuitry
US5105430A (en) 1991-04-09 1992-04-14 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Thin planar package for cooling an array of edge-emitting laser diodes
DE4315580A1 (de) * 1993-05-11 1994-11-17 Fraunhofer Ges Forschung Anordnung aus Laserdioden und einem Kühlsystem sowie Verfahren zu deren Herstellung
JP3271475B2 (ja) * 1994-08-01 2002-04-02 株式会社デンソー 電気素子の接合材料および接合方法
JP3512249B2 (ja) * 1994-11-08 2004-03-29 浜松ホトニクス株式会社 ヒートシンク
EP1154476B1 (en) 1994-11-30 2012-10-24 Sumitomo Electric Industries, Limited Substrate for element-mounted device
JP3528375B2 (ja) * 1994-11-30 2004-05-17 住友電気工業株式会社 基板およびこれを用いた放熱基板、半導体装置、素子搭載装置
DE19506093C2 (de) * 1995-02-22 2000-12-07 Dilas Diodenlaser Gmbh Diodenlaserbauelement
JPH09102568A (ja) * 1995-10-05 1997-04-15 Mitsubishi Electric Corp プレート型ヒートシンク
JP3816194B2 (ja) * 1996-11-22 2006-08-30 ファナック株式会社 冷却装置、光源装置、面発光装置、およびその製造方法
US6144683A (en) * 1998-01-07 2000-11-07 Xerox Corporation Red, infrared, and blue stacked laser diode array by wafer fusion

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100416953C (zh) * 2003-12-16 2008-09-03 浜松光子学株式会社 半导体激光装置及其制造方法
US7486710B2 (en) 2003-12-16 2009-02-03 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor laser device and method of manufacturing the same
CN101164163B (zh) * 2005-06-20 2010-04-07 浜松光子学株式会社 散热器和具有它的激光器装置以及激光器堆栈装置
CN101640372B (zh) * 2009-08-31 2011-04-20 西安炬光科技有限公司 一种单巴条液体制冷激光器及其制备方法
CN103178439A (zh) * 2013-01-15 2013-06-26 北京工业大学 轻便型大功率半导体激光器集成装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6804275B2 (en) 2004-10-12
DE69931937D1 (de) 2006-07-27
US20010004312A1 (en) 2001-06-21
EP1113496B1 (en) 2006-06-14
EP1113496A1 (en) 2001-07-04
KR20010071729A (ko) 2001-07-31
AU2959499A (en) 2000-03-14
ATE330330T1 (de) 2006-07-15
DE69931937T2 (de) 2007-02-15
CN1167126C (zh) 2004-09-15
JP4224217B2 (ja) 2009-02-12
KR100609939B1 (ko) 2006-08-04
WO2000011717A1 (fr) 2000-03-02
ES2267254T3 (es) 2007-03-01
EP1113496A4 (en) 2003-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1167126C (zh) 散热器和用它的半导体激光装置及半导体激光叠层装置
US7940526B2 (en) Electrical module
EP1143779B1 (en) Heat sink and semiconductor laser apparatus using the same
EP1253685A1 (en) Cooler, semiconductor laser light source, semiconductor laser light source unit, method for producing semiconductor laser light source unit, and solid laser
JPWO2000011717A1 (ja) ヒートシンク、並びに、これを用いた半導体レーザ装置及び半導体レーザスタック装置
US8205665B2 (en) Heat dissipation device
US20060227827A1 (en) Semiconductor laser device and heat sink used therein
US20020195238A1 (en) Cooling device
CN110880484B (zh) 半导体装置
JP2010532925A (ja) パワーｌｅｄの放熱基板の構造及び該構造によって製造される装置
CN1728365A (zh) 用于半导体集成电路封装的微通道冷却的设备和方法
WO2019009172A1 (ja) 半導体レーザ装置
JPWO2018146933A1 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP3433279B2 (ja) 半導体装置
CN1906820A (zh) 半导体激光装置
CN1592010A (zh) 半导体元件的冷却装置
CN114498284A (zh) 一种半导体激光器阵列封装组件和半导体激光器
CN116741724A (zh) 冷却集成的碳化硅模块及其制备方法、芯片的改造方法
CN1564404A (zh) 硅单片微通道冷却的大功率激光二极管列阵
CN115666079A (zh) 散热结构及功率模块
CN114207967B (zh) 激光二极管的双侧冷却
WO2023002628A1 (ja) 熱交換器および熱交換器を備えた電力変換装置、熱交換機用インナーフィンの製造方法
CN118522709A (zh) 具有分流结构的歧管微通道芯片冷却装置
CN118283918A (zh) 功率电子模组、功率电子模组块及其生产方法
JP2004064015A (ja) 熱電変換装置の製造方法ならびに熱電変換装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20040915

Termination date: 20130329