CN1272639C - 闪烁体面板 - Google Patents
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Abstract
一种闪烁体面板，其特征在于具备：基板；由上述基板支撑的闪烁体；以及覆盖上述闪烁体和上述基板的除形成有上述闪烁体的部分之外的大致整个表面的有机膜。
Description
本申请是浜松光子学株式会社于1999年6月18日递交的申请号为99808601.0、发明名称为“有机膜蒸镀方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及在医疗用的X射线摄影等中使用的闪烁体面板。
背景技术
在医疗、工业用的X射线摄影中，虽然一直都在使用X射线感光胶片，但是，从便利性或摄影结果的保存性方面考虑，使用放射线探测器件的放射线图象系统已普及开来。在这样的放射线图象系统中，作为电信号，借助于放射线探测器件取得由2维的放射线得到的图象数据，并用处理装置对该信号进行处理后显示在监视器上。
以往，作为代表性的放射线探测器件，人们熟知已在特开平5-196742号公报、特开昭63-215987号公报中公开的放射线探测器件。该放射线探测器件在摄象器件或FOP上边形成闪烁体，用闪烁体使从闪烁体一侧入射进来的放射线变换成光后进行探测。
在这里，由作为典型的闪烁体材料的CsI是吸湿性材料，吸收空气中的水分而潮解，使闪烁体的特性，特别是使析象清晰度劣化的事态可知，在上述的放射线探测器件中，采用在闪烁体层的上部形成水分不透过性的防湿屏障的办法，保护闪烁体不受湿气影响。
然而，作为用来使闪烁体免受湿气影响的防湿屏障，虽然可以使用聚对二甲苯膜，但是该聚对二甲苯膜要用CVD法(化学气相淀积法)进行蒸镀。在这里，在用CVD法蒸镀聚对二甲苯膜的情况下，在把已形成了闪烁体的基板放置到平板状的蒸镀台或网状的蒸镀台上的状态下，把蒸镀台放入到蒸镀装置的蒸镀室内，进行聚对二甲苯膜的蒸镀。
但是，如果用上述的方法进行聚对二甲苯膜的蒸镀，由于不仅基板上，蒸镀台上也将形成聚对二甲苯膜，故难于把基板从蒸镀台上拿起来，此外，也不能在已形成了闪烁体的基板的整个面上形成聚对二甲苯膜。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够克服现有技术中所存在的问题的闪烁体面板。
本发明的闪烁体面板，具备：基板；由上述基板支撑的闪烁体；以及覆盖上述闪烁体和上述基板的除形成有上述闪烁体的部分之外的大致整个表面的有机膜。
倘采用本发明，用配置在蒸镀台上边的样品支持体与蒸镀台离开一个间隔地支持基板，故可以向被样品支持体支持着的基板的背面一侧蒸镀有机膜，可以用CVD法向已形成了闪烁体的基板的闪烁体和基板的整个面上蒸镀有机膜。此外，在蒸镀上有机膜之后，可以从蒸镀台上容易地把基板拿起来。
倘采用本发明的闪烁体面板，可以在已形成了闪烁体的基板的闪烁体和基板的整个面上蒸镀有机膜，此外，在蒸镀上有机膜之后，还可以容易地从转台上把基板拿起来。
如上所述，本发明的闪烁体面板适合于在医疗、工业用的X射线摄影中使用。
附图说明
图1是本发明的实施例的聚对二甲苯蒸镀装置的构成图。
图2是本发明的实施例的聚对二甲苯蒸镀装置的蒸镀室的概略图。
图3示出了本发明的实施例的聚对二甲苯蒸镀装置的在转台上边的支持状态。
图4A示出了本发明的实施例的闪烁体面板的制造工序。
图4B示出了本发明的实施例的闪烁体面板的制造工序。
图5A示出了本发明的实施例的闪烁体面板的制造工序。
图5B示出了本发明的实施例的闪烁体面板的制造工序。
图6是本发明的实施例的样品支持体的变形例。
具体实施方式
以下，参看附图，说明本发明的实施例的聚对二甲苯膜(有机膜)的蒸镀方法。图1是在聚对二甲苯膜的蒸镀方法中使用的聚对二甲苯蒸镀装置的构成图。
该聚对二甲苯蒸镀装置的构成为具备：插入作为聚对二甲苯原料的双对二甲苯并使之气化的气化室1；加热升温气化后的双对二甲苯使之原子团化的热分解室2；使原子团化状态的双对二甲苯蒸镀到已形成了闪烁体的基板上的蒸镀室3；具有进行防臭、冷却的冷却室4和真空泵的排气系统5。其中，蒸镀室3，如图2所示，在热分解室2内具有导入已原子团化的聚对二甲苯的导入口3a和排出多余的聚对二甲苯的排出口3b，同时，还具有支持进行聚对二甲苯膜的蒸镀的样品的转台(蒸镀台)3c。
在该聚对二甲苯蒸镀装置中，首先，用样品支持针20把已形成了闪烁体12的圆板状或矩形板状的基板支持到蒸镀室3的转台3c上边。即，如图2和图3所示，用配置成大体上为正三角形的3根样品支持针20支持基板10的底面，并配置到转台3c上边。该3根样品支持针20构成样品支持体。在这里，样品支持针20，一端具有很尖的样品支持部20a，同时在另一端具有挨靠到转台3c的上表面上的圆板状的设置部分20b。另外，已形成了闪烁体12的基板10，如图4A所示，在圆板状或矩形平板状的Al制的基板10(厚0.5mm)的一面上，用蒸镀法生长掺入了Tl的CsI的厚度为250微米的柱状结晶，形成闪烁体12。
其次，把已配置上形成了该闪烁体12的基板10的转台3c导入蒸镀室3内，在气化室1内加热到175℃使之气化，从导入口3a把在热分解室2内加热升温到690℃原子团化后的双对二甲苯导入蒸镀室3内，用10微米厚度向闪烁体2和基板10的整个面上蒸镀第1聚对二甲苯膜14(参看图4B)。即，已形成了闪烁体12的基板10，由于在转台3c上边仅仅用样品支持针20的样品支持部分20a的顶端部分进行支持，故不仅闪烁体12的表面和基板10的表面，连基板10的背面也可以蒸镀上第1聚对二甲苯膜14。
另外，在这种情况下，蒸镀室3内维持13Pa的真空度。此外，转台3c以4rpm的速度旋转，以便能均一地蒸镀第1聚对二甲苯膜14。此外，多余的聚对二甲苯从排出口3b排出，导入到具有进行防臭、冷却的冷却室4和真空泵的排气系统5内。
其次，从蒸镀室3内取出已蒸镀上第1聚对二甲苯膜14的基板10，用溅射法以300nm的厚度，在闪烁体12一侧的第1聚对二甲苯膜14的表面上成膜SiO2膜16(参看图5A)。SiO2膜16由于目的在于提高闪烁体12的耐湿性，故要在覆盖闪烁体12的范围内形成。
再有，在SiO2膜16的表面和基板10一侧的未形成SiO2膜16的第1聚对二甲苯膜14的表面上，再次用CVD法以10微米的厚度蒸镀第2聚对二甲苯膜18(参看图5B)。在这种情况下，也与蒸镀第1聚对二甲苯膜14时同样，在蒸镀室3的转台3c上边用3根样品支持针20支持基板10。即，与蒸镀第1聚对二甲苯膜14时同样，用配置成大体上为正三角形的3根样品支持针20支持基板10的底面，并配置到转台3c上边(参看图2和图3)。在这种情况下，要把基板10支持为使得蒸镀第1聚对二甲苯膜14时用样品支持针20支持基板10的位置，和蒸镀第2聚对二甲苯膜18时用样品支持针20支持基板10的位置错开。
接着，把转台3c导入蒸镀室3内，在气化室1内加热到175℃使之气化，从导入口3a把在热分解室2内加热升温到690℃原子团化后的双对二甲苯导入蒸镀室3内，用10微米的厚度向闪烁体2和基板10的整个面上蒸镀第2聚对二甲苯膜18。采用使该工序结束的办法，结束闪烁体面板30的制造。该闪烁体面板30，把未画出来的摄象器件(CCD)粘贴到闪烁体12一侧的同时，还可以采用从基板10一侧入射X射线的办法，作为放射线探测器使用。
倘采用本实施例的聚对二甲苯膜的蒸镀方法，由于已形成了闪烁体12的基板10，在转台3c上边，仅仅用样品支持针20的样品支持部分20a的顶端部分进行支持，由于基板10的底面与样品支持部分20a的顶端部分之间的接触面积小，故在基板10的背面也可以均一地蒸镀聚对二甲苯膜。此外，在蒸镀上第1聚对二甲苯膜14和第2聚对二甲苯膜18之后，可以从转台3c上边容易地把基板10拿起来。
由于使蒸镀第1聚对二甲苯膜14时用样品支持针20支持基板10的位置，和蒸镀第2聚对二甲苯膜18时用样品支持针20支持基板10的位置错了开来，故可以防止第1聚对二甲苯膜14和第2聚对二甲苯膜18的剥落，此外，还可以提高闪烁体12的耐湿性。
另外，在上述的实施例中，虽然用3根样品支持针20支持已形成了闪烁体12的基板10，但是，也可以作成为用4根以上的样品支持针进行支持。
此外，在上述的实施例中，虽然样品支持针20一端具有很尖的样品支持部分20a，同时在另一端具有圆板状的设置部分20b，但样品支持针20的形状，只要是与基板10的底面之间的接触面积小而且能够在转台3c上边稳定地支持基板10的样品支持针，其形状可以适当变更。例如，如图6所示，也可以用网状体(样品支持体)40支持基板10。在这种情况下，由于也是用网状体40的至少3点的凸部40a支持基板10，故也可以减小基板10的底面与网状体40之间的接触面积，在基板10的背面也可以均一地蒸镀聚对二甲苯膜。
此外，在上述的实施例中，作为透明无机膜，虽然使用的是SiO2膜16，但并不限于此，也可以使用以SiO2、Al2O3、TiO2、In2O3、SnO2、MgO、MgF2、LiF、CaF2、AgCl、SiNO和SiN等为材料的无机膜。
此外，在上述的实施例申，作为闪烁体12虽然使用的是CsI(Tl)，但并不限于此，也可以使用CsI(Na)、NaI(Tl)、LiI(Eu)、KI(Tl)等。
此外，在上述的实施例中，作为基板10虽然使用的是Al制的基板，但从只要是X射线透过率良好的基板即可可知，也可以使用无定形炭制的基板和C(石墨)制的基板等以炭为主成分的基板、Be制的基板、SiC制的基板等。此外，也可以使用玻璃制的基板、FOP(Fiber opticalplate，纤维光学板)。
此外，在上述的实施例中的聚对二甲苯中，除去聚对二甲苯之外，还含有聚单氯代对二甲苯、聚二氯代对二甲苯、聚四氯代对二甲苯、聚氟代对二甲苯、聚二甲基对二甲苯、聚二乙基对二甲苯等。
Claims (3)
1.一种闪烁体面板，其特征在于，具备：
基板；
由上述基板支撑的闪烁体；以及
覆盖上述闪烁体和上述基板的除形成有上述闪烁体的部分之外的整个表面的聚对二甲苯膜。
2.如权利要求1所述的闪烁体面板，其特征在于，所述聚对二甲苯膜为两层。
3.如权利要求1或2所述的闪烁体面板，其特征在于，
所述聚对二甲苯膜由聚对二甲苯、聚单氯代对二甲苯、聚二氯代对二甲苯、聚四氯代对二甲苯、聚氟代对二甲苯、聚二甲基对二甲苯、聚二乙基对二甲苯中的至少一种构成。
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| EP1607768A4 (en) * | 2003-03-07 | 2015-08-26 | Hamamatsu Photonics Kk | SCINTILLING PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING RADIATION IMAGE SENSOR |
| US20040262535A1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-12-30 | Paul Leblans | Binderless storage phosphor screen comprising a support including an amorphous (a-C) carbon layer |
| JP4594188B2 (ja) | 2004-08-10 | 2010-12-08 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線検出システム |
| EP1646053A2 (en) | 2004-10-07 | 2006-04-12 | Agfa-Gevaert | Binderless storage phosphor screen. |
| FR2888045B1 (fr) * | 2005-07-01 | 2007-10-19 | Thales Sa | Capteur d'image a resolution spatiale amelioree et procede de realisation du capteur |
| US8660631B2 (en) * | 2005-09-08 | 2014-02-25 | Bruker Biospin Corporation | Torsional support apparatus and method for craniocaudal rotation of animals |
| US20100220836A1 (en) | 2005-09-08 | 2010-09-02 | Feke Gilbert D | Apparatus and method for multi-modal imaging |
| US20090281383A1 (en) * | 2005-09-08 | 2009-11-12 | Rao Papineni | Apparatus and method for external fluorescence imaging of internal regions of interest in a small animal using an endoscope for internal illumination |
| US8203132B2 (en) * | 2005-09-08 | 2012-06-19 | Carestream Health, Inc. | Apparatus and method for imaging ionizing radiation |
| US20070096045A1 (en) * | 2005-11-01 | 2007-05-03 | Fujifilm Corporation | Solid state radiation detector |
| US7732788B2 (en) * | 2007-10-23 | 2010-06-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image converting panel, scintillator panel and radiation image sensor |
| EA013284B1 (ru) | 2007-06-15 | 2010-04-30 | Хамамацу Фотоникс К.К. | Панель преобразования радиационного изображения и датчик радиационного изображения |
| US7465932B1 (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image conversion panel, scintillator panel, and radiation image sensor |
| US7468514B1 (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image conversion panel, scintillator panel, and radiation image sensor |
| US20080311484A1 (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Hamamatsu Photonicfs K.K. | Radiation image conversion panel, scintillator panel, and radiation image sensor |
| EP2300225A1 (en) * | 2008-07-08 | 2011-03-30 | DSM IP Assets B.V. | A laminate and composite layer comprising a substrate and a coating, and a process and apparatus for preparation thereof |
| JP2010032297A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Toshiba Corp | シンチレータパネルの製造方法 |
| US8111808B1 (en) | 2008-08-15 | 2012-02-07 | Lockheed Martin Corporation | X-ray explosive imager |
| US8674309B2 (en) | 2010-01-28 | 2014-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Scintillator crystal body, method for manufacturing the same, and radiation detector |
| JP5883556B2 (ja) * | 2010-06-04 | 2016-03-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線イメージセンサ |
| DE102010041525B4 (de) * | 2010-09-28 | 2013-03-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Feuchtestabiler Szintillator und Verfahren zur Herstellung eines feuchtestabilen Szintillators |
| JP2012154696A (ja) | 2011-01-24 | 2012-08-16 | Canon Inc | シンチレータパネル、放射線検出装置およびそれらの製造方法 |
| EP3488941A1 (en) | 2011-03-24 | 2019-05-29 | Cornell University | Aromatic-cationic peptides and uses of same |
| AU2012326496B2 (en) | 2011-10-17 | 2017-08-24 | Cornell University | Aromatic-cationic peptides and uses of same |
| US9213006B2 (en) | 2011-12-02 | 2015-12-15 | Lockheed Martin Corporation | Modulated X-ray harmonic detection |
| JP2013246078A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出装置 |
| JP5922518B2 (ja) * | 2012-07-20 | 2016-05-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | シンチレータパネル及び放射線検出器 |
| US10429521B1 (en) | 2014-01-24 | 2019-10-01 | United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration | Low power charged particle counter |
| CN109121430A (zh) * | 2015-03-20 | 2019-01-01 | 万睿视影像有限公司 | 闪烁体 |
| CN106596642A (zh) * | 2016-12-06 | 2017-04-26 | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 | 基于疏水修饰的凝血检测传感器、其制备方法及应用 |
| WO2018173893A1 (ja) * | 2017-03-22 | 2018-09-27 | 富士フイルム株式会社 | 放射線検出器及び放射線画像撮影装置 |
| JP7325295B2 (ja) * | 2019-10-24 | 2023-08-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | シンチレータパネル、放射線検出器、シンチレータパネルの製造方法、及び、放射線検出器の製造方法 |
Family Cites Families (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2259435B1 (zh) * | 1974-01-29 | 1978-06-16 | Thomson Csf | |
| US4269896A (en) * | 1979-08-31 | 1981-05-26 | Hughes Aircraft Company | Surface passivated alkali halide infrared windows |
| JPS57147643A (en) | 1981-03-09 | 1982-09-11 | Canon Inc | Electrophotographic receptor |
| FR2530367A1 (fr) | 1982-07-13 | 1984-01-20 | Thomson Csf | Ecran scintillateur convertisseur de rayonnement et procede de fabrication d'un tel ecran |
| JPS59122988A (ja) | 1982-12-29 | 1984-07-16 | Shimadzu Corp | 放射線計測素子 |
| JPS61124574A (ja) | 1984-11-20 | 1986-06-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 化学蒸着法 |
| JPS61176900A (ja) | 1985-02-01 | 1986-08-08 | コニカ株式会社 | 放射線画像変換パネル |
| JPS6215500A (ja) | 1985-07-15 | 1987-01-23 | コニカ株式会社 | 放射線画像変換パネル |
| FR2586508B1 (fr) | 1985-08-23 | 1988-08-26 | Thomson Csf | Scintillateur d'ecran d'entree de tube intensificateur d'images radiologiques et procede de fabrication d'un tel scintillateur |
| JP2577360B2 (ja) | 1986-07-16 | 1997-01-29 | 株式会社東芝 | コリメータ、及びコリメータ製造方法 |
| JPH077114B2 (ja) * | 1987-03-04 | 1995-01-30 | コニカ株式会社 | 加熱乾燥手段を有するｘ線写真増感用蛍光体パネル |
| JPS63215987A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 高解像シンチレ−シヨンフアイバ−プレ−ト |
| JPS63251987A (ja) * | 1987-04-07 | 1988-10-19 | Yamashita Denshi Sekkei:Kk | 伝送系検査方式 |
| FR2625838B1 (fr) * | 1988-01-13 | 1996-01-26 | Thomson Csf | Scintillateur d'ecran d'entree de tube intensificateur d'images radiologiques et procede de fabrication d'un tel scintillateur |
| JPH01267500A (ja) | 1988-04-18 | 1989-10-25 | Konica Corp | 放射線画像変換パネル |
| US5168540A (en) * | 1990-09-12 | 1992-12-01 | Advanced Technology Materials Inc. | Scintillating articles and method of making the same |
| US5153438A (en) | 1990-10-01 | 1992-10-06 | General Electric Company | Method of forming an x-ray imaging array and the array |
| US5187369A (en) * | 1990-10-01 | 1993-02-16 | General Electric Company | High sensitivity, high resolution, solid state x-ray imaging device with barrier layer |
| US5179284A (en) * | 1991-08-21 | 1993-01-12 | General Electric Company | Solid state radiation imager having a reflective and protective coating |
| JPH0560871A (ja) | 1991-09-04 | 1993-03-12 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出素子 |
| US5148029A (en) * | 1991-09-23 | 1992-09-15 | Siemens Gammasonics, Inc. | Improved seal scintillation camera module and method of making it |
| JPH05333353A (ja) | 1992-05-29 | 1993-12-17 | Sony Corp | 液晶パネル |
| US5463225A (en) * | 1992-06-01 | 1995-10-31 | General Electric Company | Solid state radiation imager with high integrity barrier layer and method of fabricating |
| FR2701531B1 (fr) | 1993-02-12 | 1995-04-28 | Alliedsignal Europ Services | Electrovalve pneumatique proportionnelle. |
| US5410791A (en) | 1993-07-01 | 1995-05-02 | General Electric Company | Fabrication chuck |
| EP0633124B1 (en) | 1993-07-01 | 1999-02-10 | General Electric Company | Conformal deposition of thin membranes on irregularly shaped surfaces |
| US5645646A (en) * | 1994-02-25 | 1997-07-08 | Applied Materials, Inc. | Susceptor for deposition apparatus |
| US5517031A (en) * | 1994-06-21 | 1996-05-14 | General Electric Company | Solid state imager with opaque layer |
| JPH0848595A (ja) * | 1994-08-04 | 1996-02-20 | Toshiba Mach Co Ltd | 枚葉式気相成長装置 |
| JP3206375B2 (ja) * | 1995-06-20 | 2001-09-10 | 信越半導体株式会社 | 単結晶薄膜の製造方法 |
| JPH0913172A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-14 | Ulvac Japan Ltd | 真空装置用昇降機構 |
| US5641358A (en) * | 1995-10-10 | 1997-06-24 | Stewart; Jeffrey | Modular parylene deposition apparatus having vapor deposition chamber extension |
| KR100514546B1 (ko) * | 1997-02-14 | 2005-12-02 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 방사선검출소자및그제조방법 |
| CN1133881C (zh) * | 1997-02-14 | 2004-01-07 | 浜松光子学株式会社 | 放射线检测元件及其制造方法 |
| FR2774175B1 (fr) * | 1998-01-27 | 2000-04-07 | Thomson Csf | Capteur electronique matriciel photosensible |
| CN1152265C (zh) * | 1998-06-18 | 2004-06-02 | 浜松光子学株式会社 | 闪烁体面板、放射线图象传感器及其制造方法 |
| CN1140815C (zh) * | 1998-06-18 | 2004-03-03 | 浜松光子学株式会社 | 闪烁器仪表盘、放射线图象传感器及其制造方法 |
| WO1999066351A1 (en) * | 1998-06-18 | 1999-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of organic film deposition |
| KR100687365B1 (ko) * | 1999-04-16 | 2007-02-27 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 신틸레이터 패널 및 방사선 이미지 센서 |
| JP4789372B2 (ja) * | 2001-08-27 | 2011-10-12 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、システム及びそれらに備えられるシンチレータパネル |
| JP3867635B2 (ja) * | 2002-07-29 | 2007-01-10 | 豊田合成株式会社 | シンチレータ |
| US7501155B2 (en) * | 2003-03-20 | 2009-03-10 | Agfa Healthcare | Manufacturing method of phosphor or scintillator sheets and panels suitable for use in a scanning apparatus |
| US7164134B2 (en) * | 2003-08-01 | 2007-01-16 | General Electric Company | High performance CT reflector for a scintillator array and method for making same |
| EP1779140B1 (en) * | 2004-08-10 | 2018-06-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus, scintillator panel, their manufacturing method and radiation detecting system |
-
1999
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