JP7325295B2 - シンチレータパネル、放射線検出器、シンチレータパネルの製造方法、及び、放射線検出器の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、シンチレータパネル、放射線検出器、シンチレータパネルの製造方法、及び、放射線検出器の製造方法に関する。

特許文献１には、シンチレータパネルが記載されている。このシンチレータパネルは、支持体上に放射線を光に変換する蛍光体層を設けたシンチレータパネルである。また、このシンチレータパネルは、当該支持体の当該蛍光体層を有する面の反対側の面に厚さが１～５００ｎｍの範囲内にある金属薄膜層を有している。当該支持体は、ロール状シンチレータパネル用支持体を所定のサイズに断裁したものである。さらに、当該蛍光体層の光放出面及び側面及び当該支持体の側面が耐湿性保護膜で覆われている。

特許第５６６８６９１号公報

上述したシンチレータパネルでは、金属薄膜層及び耐湿性保護膜によって、耐湿性の向上を図っている。このように、上記技術分野にあっては、耐湿性の向上が望まれている。一方で、上述したシンチレータパネルでは、金属薄膜層の支持体と反対側の面が外部に露出している。このため、上述したシンチレータパネルでは、ハンドリング性の確保が困難である。

本発明は、ハンドリング性を確保しつつ耐湿性を向上可能なシンチレータパネル、放射線検出器、シンチレータパネルの製造方法、及び、放射線検出器の製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係るシンチレータパネルは、第１表面及び第１表面の反対側の第２表面を有する第１可撓性支持体と、第１表面に形成され、複数の柱状結晶を含むシンチレータ層と、第２表面上に設けられた第２可撓性支持体と、第２表面と第２可撓性支持体との間に介在されるように第２可撓性支持体に設けられた無機層と、第２表面と無機層とを互いに接着する第１接着層と、を備える。

このシンチレータパネルでは、第１可撓性支持体の第１表面上にシンチレータ層が形成される。一方、第１可撓性支持体の第２表面上には、第１接着層を介して無機層が設けられる。このため、このシンチレータパネルでは、無機層によって、第２表面側からの第１可撓性支持体を介したシンチレータ層への水分侵入が抑制される。一方、無機層が露出していると、ハンドリングの際の接触によって無機層が劣化するおそれがある。これに対して、このシンチレータパネルでは、無機層における第１可撓性支持体の第２表面と反対側には、第２可撓性支持体が配置される。よって、ハンドリングの際に、無機層が接触から保護され、無機層の劣化が抑制される。このように、このシンチレータパネルでは、ハンドリング性を確保しつつ耐湿性が向上される。なお、シンチレータ層における第１可撓性支持体の第１表面と反対側については、通常、センサパネル等が設けられる側であることから、耐湿性を向上させる必要性は相対的に低い。

本発明に係るシンチレータパネルは、第１可撓性支持体、シンチレータ層、第２可撓性支持体、及び、無機層を覆うように設けられた保護層を備えてもよい。この場合、全体の耐湿性及びハンドリング性がさらに向上される。

本発明に係るシンチレータパネルは、無機層と第２可撓性支持体とを互いに接着する第２接着層を備えてもよい。このように、無機層は、第２可撓性支持体に対して接着層によって接着されていてもよい。この場合、例えば第２可撓性支持体に対して蒸着により無機層を形成する場合と比較して、無機層と第２可撓性支持体との接合が強固となる。

本発明に係るシンチレータパネルにおいては、第１表面に交差する第１方向における第１可撓性支持体及び第２可撓性支持体の厚さは、５０μｍ以上２５０μｍ以下であり、第１方向における無機層の厚さは、１０μｍ以上１００μｍ以下であって、第１方向における第１可撓性支持体及び第２可撓性支持体の厚さよりも薄くてもよい。このように、無機層の厚さを、第１可撓性支持体及び第２可撓性支持体よりも薄い範囲において、比較的厚く構成することにより、放射線の透過性を確保しつつ耐湿性をより向上可能である。

本発明に係るシンチレータパネルにおいては、第１方向における第１可撓性支持体の厚さと第２可撓性支持体の厚さとの差は、０以上９０μｍ以下であってもよい。この場合、第１可撓性支持体と第２可撓性支持体の厚さの差が小さいので、全体の反りが抑制される。

本発明に係るシンチレータパネルにおいては、無機層の材料は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｆｅ、又は、ＳＵＳを含んでもよい。また、本発明に係るシンチレータパネルにおいては、第１可撓性支持体及び第２可撓性支持体の材料は、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＩ、ＰＰ、ＰＥ、又は、ＰＭＭＡを含んでもよい。

本発明に係る放射線検出器は、上記のシンチレータパネルと、光電変換素子を含むセンサパネルと、を備え、シンチレータパネルは、第２表面に対して第１表面がセンサパネル側となるように、センサパネルに設けられている。この放射線検出器は、上記のシンチレータパネルを備える。よって、この放射線検出器によれば、ハンドリング性を確保しつつ耐湿性が向上される。

本発明に係るシンチレータパネルの製造方法は、第１可撓性支持体の第１表面に、蒸着法によって複数の柱状結晶を含むシンチレータ層を形成する工程と、無機層が設けられた第２可撓性支持体を用意する工程と、第１可撓性支持体の第１表面と反対側の第２表面と第２可撓性支持体との間に無機層が介在するように、無機層を第１接着層により第１可撓性支持体に接着する工程と、を備える。

この製造方法では、第１可撓性支持体の第１表面上にシンチレータ層が形成される。一方、第１可撓性支持体の第２表面上には、接着層を介して無機層が設けられる。このため、このシンチレータパネルでは、無機層によって、第２表面側からの第１可撓性支持体を介したシンチレータ層への水分侵入が抑制される。一方、無機層が露出していると、ハンドリングの際の接触によって無機層が劣化するおそれがある。これに対して、この方法では、無機層における第１可撓性支持体の第２表面と反対側には、第２可撓性支持体が配置される。よって、ハンドリングの際に、無機層が接触から保護され、無機層の劣化が抑制される。このように、この製造方法では、ハンドリング性を確保しつつ耐湿性を向上可能なシンチレータパネルが製造される。なお、シンチレータ層における第１可撓性支持体の第１表面と反対側については、通常、センサパネル等が設けられる側であることから、耐湿性を向上させる必要性は相対的に低い。

本発明に係る放射線検出器の製造方法は、上記のシンチレータパネルを用意する工程と、光電変換素子を含むセンサパネルを用意する工程と、第２表面に対して第１表面がセンサパネル側となるように、シンチレータパネルをセンサパネルに設ける工程と、を備える。この製造方法では、上記のシンチレータパネルを用いる。したがって、ハンドリング性を確保しつつ耐湿性を向上可能な放射線検出器が製造される。

本発明によれば、ハンドリング性を確保しつつ耐湿性を向上可能なシンチレータパネル、放射線検出器、シンチレータパネルの製造方法、及び、放射線検出器の製造方法を提供できる。

本実施形態に係る放射線検出器を示す模式的な断面図である。 図１に示された放射線検出器の製造方法の一工程を示す模式的な断面図である。 図１に示された放射線検出器の製造方法の一工程を示す模式的な断面図である。 耐湿性に係る効果を説明するための図である。 耐湿性に係る効果を説明するための図である。

以下、一実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図の説明において、同一の要素又は相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する場合がある。

本実施形態に係るシンチレータパネル（及び放射線検出器）は、Ｘ線等の放射線を可視光等のシンチレーション光に変換（及び検出）するものである。また、本実施形態に係るシンチレータパネル、及び放射線検出器（放射線イメージャー）は、例えば、マンモグラフィー装置、胸部検査装置、ＣＴ装置、歯科口内撮影装置、及び、放射線カメラ等の医療用Ｘ線画像診断装置や、非破壊検査装置に用いられ得る。

図１は、本実施形態に係る放射線検出器を示す模式的な断面図である。図１に示されるように、放射線検出器１は、シンチレータパネル１０とセンサパネル２０とを備える。シンチレータパネル１０は、第１可撓性支持体１１、シンチレータ層１２、第２可撓性支持体１３、無機層１４、第１接着層１５、第２接着層１６、保護層１８、及び、保護層１９を備えている。

第１可撓性支持体１１は、ここでは平板状に形成されており、第１表面１１ａと、第１表面１１ａの反対側の第２表面１１ｂと、を有する。第１表面１１ａと第２表面１１ｂとは、互に平行である。第１可撓性支持体１１は、可撓性を有する。可撓性を有するとは、弾性変形可能であることを意味する。第１可撓性支持体１１の材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、又は、アクリル（ＰＭＭＡ）を含む。一例として、第１可撓性支持体１１の材料は、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＩ、ＰＰ、ＰＥ、又は、ＰＭＭＡである。ここでは、第１可撓性支持体１１の材料はＰＥＴである。なお、第１可撓性支持体１１は、シンチレータ層１２との密着性を高めるために、シンチレータ層１２の形成面に熱可塑性樹脂（例えば、アクリル系）からなるアンカーコート層を有していてもよい。特に、シンチレータ層１２が複数の柱状結晶より構成される場合、アンカーコート層によって柱状結晶の根元の結晶性が良好となる。

シンチレータ層１２は、第１表面１１ａに形成されている。シンチレータ層１２は、第２表面１１ｂ側からの放射線の入射に応じてシンチレーション光を発生させる。シンチレータ層１２は、複数の柱状結晶を含む。一例として、シンチレータ層１２は、複数の柱状結晶からなる。シンチレータ層１２は、各柱状結晶がライトガイド効果を有することで高解像度のイメージングに適している。

シンチレータ層１２の材料は、例えば、ＣｓＩ：ＴｌやＣｓＩ：ＮａといったＣｓＩ（ヨウ化セシウム）を主成分とする材料、ＮａＩ：ＴｌといったＮａＩ（ヨウ化ナトリウム）を主成分とする材料、ＳｒＩ_３（ヨウ化ストロンチウム）、ＬｕＩ_３（ヨウ化ルテチウム）、ＢａＦ２（フッ化バリウム）、及び、ＧＯＳ等が挙げられる。ここでは、シンチレータ層１２の材料は、ＣｓＩを主成分とする材料である。このようなシンチレータ層１２は、例えば、蒸着法によって形成され得る。シンチレータ層１２の厚さは、例えば、１０μｍ以上３０００μｍ以下であり、具体例としては６００μｍである。

第２可撓性支持体１３は、例えば平板状に形成されている。第２可撓性支持体１３は、可撓性を有する。第２可撓性支持体１３の材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、又は、アクリル（ＰＭＭＡ）を含む。一例として、第２可撓性支持体１３の材料は、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＩ、ＰＰ、ＰＥ、又は、ＰＭＭＡである。ここでは、第２可撓性支持体１３の材料はＰＥＴである。また、第１可撓性支持体１１の材料と第２可撓性支持体１３の材料とは、例えば同一である。

無機層１４は、第１可撓性支持体１１の第２表面１１ｂと第２可撓性支持体１３との間に介在されている。無機層１４は、第２可撓性支持体１３に設けられている。無機層１４が設けられた第２可撓性支持体１３は、第１接着層１５によって第１可撓性支持体１１の第２表面１１ｂに接着されている。すなわち、第１接着層１５は、第２表面１１ｂと無機層１４とを互いに接着している。

無機層１４と第２可撓性支持体１３との間には、第２接着層１６が介在されており、無機層１４は、この第２接着層１６によって第２可撓性支持体１３に接着されている。すなわち、第２接着層１６は、無機層１４と第２可撓性支持体１３とを互いに接着する。このように、シンチレータ層１２、第１可撓性支持体１１、無機層１４、及び、第２可撓性支持体１３は、この順に積層されて積層体１７を形成しており、第１接着層１５及び第２接着層１６によって一体化されている。

無機層１４は、無機材料からなる。一例として、無機層１４の材料は金属である。より具体的には、無機層１４の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、鉄（Ｆｅ）、又は、ＳＵＳを含む。一例として、無機層１４の材料はＡｌである。

第１表面１１ａ（及び第２表面１１ｂ）に交差する第１方向における第１可撓性支持体１１の厚さＴ１１は、例えば５０μｍ以上２５０μｍ以下である。同様に、第１方向における第２可撓性支持体１３の厚さＴ１３は、例えば５０μｍ以上２５０μｍ以下である。第１可撓性支持体１１の厚さＴ１１と第２可撓性支持体１３の厚さＴ１３との差は、例えば０以上９０μｍ以下である。一例として、第１可撓性支持体１１の厚さＴ１１と第２可撓性支持体１３の厚さＴ１３とは同一である（厚さの差が０である）。第１方向における無機層１４の厚さＴ１４は、例えば、１０μｍ以上１００μｍ以下であって、第１可撓性支持体１１の厚さＴ１１及び第２可撓性支持体１３の厚さＴ１３よりも薄い。無機層１４の厚さＴ１４は、一例として３０μｍである。

保護層１８は、シンチレータ層１２における第１可撓性支持体１１と反対側の面に設けられている。保護層１９は、積層体１７（すなわち、第１可撓性支持体１１、シンチレータ層１２、及び無機層１４）と保護層１８とを覆うように設けられている。これにより、シンチレータ層１２における第１可撓性支持体１１と反対側の面上には、複数層（ここでは２層）の保護層１８，１９が配置されることとなる。保護層１８，１９の材料は、例えば、樹脂等の有機材料であって、一例としてパリレン（ポリパラキシレン）である。

センサパネル２０は、光電変換素子を含む。センサパネル２０は、シンチレータパネル１０で生じたシンチレーション光を検出し、シンチレーション光に応じた信号を出力する。センサパネル２０は、搭載面２１を有する。搭載面２１には、保護層２２が形成されている。保護層２２の材料は、例えば、酸化膜、窒化膜、フッ素系樹脂、芳香族樹脂等である。なお、保護層２２は形成されていなくてもよい。

シンチレータパネル１０は、保護層２２を介して搭載面２１に搭載される。より具体的には、シンチレータパネル１０は、第１可撓性支持体１１の第１表面１１ａ及びシンチレータ層１２が搭載面２１に対向するように搭載面２１に搭載される。シンチレータパネル１０と搭載面２１（保護層２２）との間には、第３接着層２３が介在されており、この第３接着層２３によってシンチレータパネル１０とセンサパネル２０とが互いに接着されている。なお、第１接着層１５、第２接着層１６、及び、第３接着層２３は、接着性・粘着性を有する任意の材料から構成され得るものであり、例えばテープ状の接着材（両面テープ）である。

引き続いて、本実施形態に係る放射線検出器の製造方法について説明する。図２及び図３は、図１に示された放射線検出器１の製造方法の一工程を示す模式的な断面図である。図２及び図３に示されるように、この製造方法では、まず、シンチレータパネル１０を用意する第１工程と、センサパネル２０を用意する第２工程と、を実施する。第１工程と第２工程との順序は任意である。第１工程は、本実施形態に係るシンチレータパネルの製造方法である。

第１工程では、まず、図２の（ａ），（ｂ）に示されるように、第１構造体Ｐ１を用意する第３工程と第２構造体Ｐ２を用意する第４工程とを実施する。第３工程と第４工程との順序を任意である。第３工程では、第２可撓性支持体１３の一表面に対して、第２接着層１６により無機層１４を接着することにより、第１構造体Ｐ１を構成する。すなわち、第３工程は、無機層１４が設けられた第２可撓性支持体１３を用意する工程である。第４工程では、第１可撓性支持体１１の第１表面１１ａに、例えば蒸着法によってシンチレータ層１２を形成することにより、第２構造体Ｐ２を構成する。

続いて、第１工程では、図２の（ｃ）に示されるように、第１構造体Ｐ１と第２構造体Ｐ２とを互いに積層することによって積層体１７を構成する第５工程を実施する。第５工程では、第１可撓性支持体１１の第２表面１１ｂと第２可撓性支持体１３との間に無機層１４が介在するように、第１構造体Ｐ１を第１接着層１５により第２構造体Ｐ２に接着する。ここでは、無機層１４が第２表面１１ｂに接着される。

続いて、第１工程では、図３の（ａ）に示されるように、積層体１７に対して保護層１８，１９を設けることにより、シンチレータパネル１０を構成する第６工程を実施する。第６工程では、まず、シンチレータ層１２における第１可撓性支持体１１と反対側の面（積層体１７の一表面）に対して、保護層１８を形成する。第６工程では、その後に、積層体１７及び保護層１８の全体を覆うように保護層１９を形成する。これにより、シンチレータパネル１０が製造される。

一方、第２工程では、図３の（ｂ）に示されるように、センサパネル２０を用意する。センサパネル２０の搭載面２１には、保護層２２を介して第３接着層２３が設けられている。

そして、この製造方法では、第１工程及び第２工程の後に、シンチレータパネル１０をセンサパネル２０に設ける第７工程が実施される。第７工程では、第１可撓性支持体１１の第２表面１１ｂに対して第１表面１１ａがセンサパネル２０側となるように、シンチレータパネル１０をセンサパネル２０に設ける。より具体的には、シンチレータ層１２の第１可撓性支持体１１と反対側の面が搭載面２１に対向する状態において、当該面を第３接着層２３によって（保護層１８，１９，２２を介して）搭載面２１に接着する。これにより、図１に示される放射線検出器が製造される。

図４及び図５は、耐湿性に係る効果を説明するための図である。図４の（ａ）は、実施形態に係るシンチレータパネル１０Ａの模式的な断面図を示し、図４の（ｂ）は、比較例に係るシンチレータパネル１０Ｂの模式的な断面図を示す。シンチレータパネル１０Ａは、保護層１８，１９を備えていない点以外、シンチレータパネル１０と同様である。シンチレータパネル１０Ｂは、無機層１４及び第２可撓性支持体１３を備えていない点において、シンチレータパネル１０Ａと相違する。シンチレータパネル１０Ａ，１０Ｂのいずれも、試験用のガラス基板２０Ａの搭載面２１Ａに搭載されている。

図５に示されるように、シンチレータパネル１０Ａでは、時間経過に応じて、比較例に係るシンチレータパネル１０Ｂと同様に、側面からの水分侵入によるシンチレータ層１２の潮解により解像度が低下するものの、シンチレータパネル１０Ｂと比較して解像度の低下が抑制されている。これは、無機層１４によってガラス基板２０Ａと反対側からの水分侵入が抑制されているためと考えられる。

以上説明したように、シンチレータパネル１０では、第１可撓性支持体１１の第１表面１１ａ上にシンチレータ層１２が形成される。一方、第１可撓性支持体１１の第２表面１１ｂ上には、第１接着層１５を介して無機層１４が設けられる。このため、このシンチレータパネル１０では、無機層１４によって、第２表面１１ｂ側からの第１可撓性支持体１１を介したシンチレータ層１２への水分侵入が抑制される。一方、無機層１４が露出していると、ハンドリングの際の接触によって無機層１４が劣化するおそれがある。

これに対して、シンチレータパネル１０では、無機層１４における第１可撓性支持体１１の第２表面１１ｂと反対側には、第２可撓性支持体１３が配置される。よって、ハンドリングの際に、無機層１４が接触から保護され、無機層１４の劣化が抑制される。このように、シンチレータパネル１０では、ハンドリング性を確保しつつ耐湿性が向上される。なお、シンチレータ層１２における第１可撓性支持体１１の第１表面１１ａと反対側については、通常、センサパネル２０等が設けられる側であることから、耐湿性を向上させる必要性は相対的に低い。

また、シンチレータパネル１０は、第１可撓性支持体１１、シンチレータ層１２、第２可撓性支持体１３、及び、無機層１４を含む積層体１７覆うように設けられた保護層１９を備えている。このため、全体の耐湿性及びハンドリング性がさらに向上される。

また、シンチレータパネル１０は、無機層１４と第２可撓性支持体１３とを互いに接着する第２接着層１６を備えている。このため、例えば第２可撓性支持体１３に対して蒸着により無機層１４を形成する場合と比較して、無機層１４と第２可撓性支持体１３との接合が強固となる。

また、シンチレータパネル１０においては、第１表面１１ａに交差する第１方向における第１可撓性支持体１１及び第２可撓性支持体１３の厚さＴ１１，Ｔ１３は、５０μｍ以上２５０μｍ以下である。また、第１方向における無機層１４の厚さＴ１４は、１０μｍ以上１００μｍ以下であって、第１方向における第１可撓性支持体１１及び第２可撓性支持体１３の厚さＴ１１，Ｔ１３よりも薄くい。このように、無機層１４の厚さＴ１４を、第１可撓性支持体１１及び第２可撓性支持体１３よりも薄い範囲において、比較的厚く構成することにより、放射線の透過性を確保しつつ耐湿性をより向上可能である。また、例えば、無機層１４の厚さＴ１４が数百ｎｍ程度であると、無機層１４にピンホールが発生して耐湿性が損なわれやすい。

また、シンチレータパネル１０においては、第１方向における第１可撓性支持体１１の厚さＴ１１と第２可撓性支持体１３の厚さＴ１３との差は、０以上９０μｍ以下である。このため、第１可撓性支持体１１と第２可撓性支持体１３との厚さの差が小さいので、全体の反りが抑制される。

また、放射線検出器１は、シンチレータパネル１０を備える。よって、放射線検出器１によれば、ハンドリング性を確保しつつ耐湿性が向上される。

また、本実施形態に係るシンチレータパネルの製造方法では、第１可撓性支持体１１の第１表面１１ａ上にシンチレータ層１２が形成される。一方、第１可撓性支持体１１の第２表面１１ｂ上には、第１接着層１５を介して無機層１４が設けられる。このため、この製造方法により得られるシンチレータパネル１０では、無機層１４によって、第２表面１１ｂ側からの第１可撓性支持体１１を介したシンチレータ層１２への水分侵入が抑制される。一方、無機層１４が露出していると、ハンドリングの際の接触によって無機層１４が劣化するおそれがある。

これに対して、この製造方法では、無機層１４における第１可撓性支持体１１の第２表面１１ｂと反対側には、第２可撓性支持体１３が配置される。よって、ハンドリングの際に、無機層１４が接触から保護され、無機層１４の劣化が抑制される。このように、この製造方法では、ハンドリング性を確保しつつ耐湿性を向上可能なシンチレータパネル１０が製造される。なお、シンチレータ層１２における第１可撓性支持体１１の第１表面１１ａと反対側については、通常、センサパネル２０等が設けられる側であることから、耐湿性を向上させる必要性は相対的に低い。

さらに、本実施形態に係る放射線検出器の製造方法は、シンチレータパネル１０を用いる。したがって、ハンドリング性を確保しつつ耐湿性を向上可能な放射線検出器１が製造される。

以上の実施形態は、本発明の一形態を説明したものである。したがって、本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の変形がされ得る。

１…放射線検出器、１０…シンチレータパネル、１１…第１可撓性支持体、１１ａ…第１表面、１１ｂ…第２表面、１２…シンチレータ層、１３…第２可撓性支持体、１４…無機層、１５…第１接着層、１６…第２接着層、１８，１９…保護層、２０…センサパネル、２１…搭載面。

Claims (11)

1. 第１表面及び前記第１表面の反対側の第２表面を有する第１可撓性支持体と、
   前記第１表面に形成され、複数の柱状結晶を含むシンチレータ層と、
   前記第２表面上に設けられた第２可撓性支持体と、
   前記第２表面と前記第２可撓性支持体との間に介在されるように前記第２可撓性支持体に設けられた無機層と、
   前記第２表面と前記無機層とを互いに接着する第１接着層と、
   前記無機層と前記第２可撓性支持体とを互いに接着する第２接着層と、
   を備え、
   前記無機層の材料は金属である、
   シンチレータパネル。
2. 第１表面及び前記第１表面の反対側の第２表面を有する第１可撓性支持体と、
   前記第１表面に形成され、複数の柱状結晶を含むシンチレータ層と、
   前記第２表面上に設けられた第２可撓性支持体と、
   前記第２表面と前記第２可撓性支持体との間に介在されるように前記第２可撓性支持体に設けられた無機層と、
   前記第２表面と前記無機層とを互いに接着する第１接着層と、
   を備え、
   前記無機層の材料は金属であり、
   前記第１表面に交差する第１方向における前記第１可撓性支持体及び前記第２可撓性支持体の厚さは、５０μｍ以上２５０μｍ以下であり、
   前記第１方向における前記無機層の厚さは、１０μｍ以上１００μｍ以下であって、前記第１方向における前記第１可撓性支持体及び前記第２可撓性支持体の厚さよりも薄い、
   シンチレータパネル。
3. 前記第１可撓性支持体、前記シンチレータ層、前記第２可撓性支持体、及び、前記無機層を覆うように設けられた保護層を備える、
   請求項１又は２に記載のシンチレータパネル。
4. 前記第１表面に交差する第１方向における前記第１可撓性支持体及び前記第２可撓性支持体の厚さは、５０μｍ以上２５０μｍ以下であり、
   前記第１方向における前記無機層の厚さは、１０μｍ以上１００μｍ以下であって、前記第１方向における前記第１可撓性支持体及び前記第２可撓性支持体の厚さよりも薄い、
   請求項１に記載のシンチレータパネル。
5. 前記第１方向における前記第１可撓性支持体の厚さと前記第２可撓性支持体の厚さとの差は、０以上９０μｍ以下である、
   請求項２又は４に記載のシンチレータパネル。
6. 前記無機層の材料は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｆｅ、又は、ＳＵＳを含む、
   請求項１～５のいずれか一項に記載のシンチレータパネル。
7. 前記第１可撓性支持体及び前記第２可撓性支持体の材料は、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＩ、ＰＰ、ＰＥ、又は、ＰＭＭＡを含む、
   請求項１～６のいずれか一項に記載のシンチレータパネル。
8. 請求項１～７のいずれか一項に記載のシンチレータパネルと、
   光電変換素子を含むセンサパネルと、
   を備え、
   前記シンチレータパネルは、前記第２表面に対して前記第１表面が前記センサパネル側となるように、前記センサパネルに設けられている、
   放射線検出器。
9. 第１可撓性支持体の第１表面に、蒸着法によって複数の柱状結晶を含むシンチレータ層を形成する工程と、
   無機層と前記無機層を接着する第２接着層とが設けられた第２可撓性支持体を用意する工程と、
   前記第１可撓性支持体の前記第１表面と反対側の第２表面と前記第２可撓性支持体との間に前記無機層が介在するように、前記無機層を第１接着層により前記第１可撓性支持体に接着する工程と、
   を備え、
   前記無機層の材料は、金属である、
   シンチレータパネルの製造方法。
10. 第１可撓性支持体の第１表面に、蒸着法によって複数の柱状結晶を含むシンチレータ層を形成する工程と、
    無機層が設けられた第２可撓性支持体を用意する工程と、
    前記第１可撓性支持体の前記第１表面と反対側の第２表面と前記第２可撓性支持体との間に前記無機層が介在するように、前記無機層を第１接着層により前記第１可撓性支持体に接着する工程と、
    を備え、
    前記無機層の材料は、金属であり、
    前記第１表面に交差する第１方向における前記第１可撓性支持体及び前記第２可撓性支持体の厚さは、５０μｍ以上２５０μｍ以下であり、
    前記第１方向における前記無機層の厚さは、１０μｍ以上１００μｍ以下であって、前記第１方向における前記第１可撓性支持体及び前記第２可撓性支持体の厚さよりも薄い、
    シンチレータパネルの製造方法。
11. 請求項１～７のいずれか一項に記載されたシンチレータパネルを用意する工程と、
    光電変換素子を含むセンサパネルを用意する工程と、
    前記第２表面に対して前記第１表面が前記センサパネル側となるように、前記シンチレータパネルを前記センサパネルに設ける工程と、
    を備える放射線検出器の製造方法。

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