CN111128678A - 一种去除掩模保护膜上颗粒的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种去除掩模保护膜上颗粒的方法,包括以下步骤:S1、找到掩模保护膜上的颗粒位置;S2、将异丙醇或无水乙醇滴加到颗粒位置处;S3、异丙醇或无水乙醇水滴在颗粒处来回滚动,吸附并包裹在保护膜表面的颗粒与保护膜分离;S4、用无尘布将异丙醇或无水乙醇水滴吸干。本发明提供的去除掩模保护膜上颗粒的方法,采用异丙醇或无水乙醇水滴的滚动把吸附性很强的灰尘颗粒去除,代替氮气枪吹扫,避免由于氮气压力过大而损伤保护膜的透光率,步骤简单、方便实用,减少由于颗粒去除不掉带来的拆膜、清洗、检测、安装保护膜等生产工序,缩短生产周期,节约生产成本。
Description
技术领域
本发明属于掩模制造技术领域,涉及一种去除掩模保护膜上颗粒的方法。
背景技术
掩模保护膜是粘贴在铝合金框架上的一层透明薄膜,防止灰尘掉落在掩模图形的一侧,正是因为这个薄膜的保护,灰尘颗粒只能掉落在保护膜上面。通常,保护膜由透明薄膜、铝合金支架、黏胶组成,其原理是,在掩模图形的一面安装一层透光率98%以上的薄膜,膜的框架高度3.8-6.0mm。若保护膜上掉落了小颗粒,根据物理学中成像原理,在曝光时,这些附着在保护膜上的颗粒会在晶圆表面形成一个模糊的像,对局部的光强产生一定的干扰,当这些颗粒大到一定程度时,会在晶圆上留下阴影,从而影响到晶圆良率。传统去除保护膜上的颗粒大多数采用氮气枪吹扫,氮气吹扫只能去除吸附性不强的颗粒,而且容易把大颗粒吹爆裂,形成一滩细小的颗粒,氮气压力较大时还容易将模保护膜吹破。
发明内容
本发明的目的在于提供一种去除掩模保护膜上颗粒的方法,解决现有技术中存在的技术问题,达到去除颗粒效果好,降低因保护膜表面上残留颗粒而拆膜的概率,降低生产成本。
为了实现上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种去除掩模保护膜上颗粒的方法,包括以下步骤:提供一个掩模版,所述掩模版上放置保护膜支架,保护膜支架上设置掩模保护膜,在光亮环境下找到掩模保护膜上的颗粒位置,将异丙醇溶液滴加到颗粒位置处,异丙醇液滴在颗粒位置处轻轻来回滚动,利用异丙醇或无水乙醇的溶解及渗透性使吸附在保护膜表面的颗粒与掩模保护膜分离,最后用无尘布将吸附颗粒的异丙醇水滴吸干,并用氮气枪吹扫掩模保护膜表面,将残留在表面的少许溶液挥发走,吸干过程中将异丙醇水滴引流到掩模版边缘围绕的边框上,无尘布与掩模保护膜不接触,避免对保护膜造成二次污染。
进一步的,打开YAMADA强光灯,朝向掩模保护膜进行照射,寻找掩模保护膜上颗粒的存在位置,YAMADA强光灯的亮度为15-24W,普通强光灯无法看清保护膜上的细小颗粒。
进一步的,用洁净的滴管吸取少量纯度为90-99%的异丙醇滴加到保护膜颗粒位置处,使用滴管前需用纯度为90-99%异丙醇溶液清洗干净,所需的异丙醇溶液纯度必须达到90-99%,避免对保护膜造成二次污染。
进一步的,使用洁净度为10000级的无尘布吸干异丙醇水滴,氮气压力调至170-245kPa,氮气枪枪头与掩模保护膜1所在平面的夹角为30-60°。
进一步的,所述异丙醇溶液可替换成无水乙醇。
进一步的,所述掩模版包括由下至上依次设置的基层、抗腐蚀层、金属层和光阻层,金属层设置于光阻层的凹槽内且二者表面齐平,金属层和光阻层之间设置厚度为30-60nm的氧化层,基层远离抗腐蚀层的一面设置缓冲层,缓冲层的厚度为10-25nm。
进一步的,所述基层为石英玻璃、苏打玻璃或硼硅玻璃,抗腐蚀层的厚度为20-40nm,提高掩模版的抗腐蚀性能,抗腐蚀层的材料选用二氧化硅,金属层采用铬,金属层的厚度为90-100nm,本发明可选择性在光阻层上刻蚀图案,光可从光阻层上的缺口处透过。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:
1、利用异丙醇或无水乙醇水滴的滚动可以把吸附性很强的灰尘颗粒去除,降低由于保护膜上颗粒去除不掉而增加拆膜、清洗、检测、安装保护膜等生产工序的风险,步骤简单、方便实用,缩短生产周期,节约生产成本;
2、用异丙醇或无水乙醇水滴滚动法代替氮气枪吹扫,避免由于氮气压力过大而损伤保护膜的透光率。
3、本发明的掩模版包括由下至上依次设置的基层、抗腐蚀层、金属层和光阻层,金属层设置于光阻层的凹槽内且二者表面齐平,金属层和光阻层之间设置厚度为30-60nm的氧化层,基层远离抗腐蚀层的一面设置缓冲层,抗腐蚀,结构简单,良品率高。
附图说明
图1为本发明的安装好保护膜的掩模版的侧视图;
图2为本发明在强光灯下找到保护膜上颗粒位置的侧视图;
图3为本发明的在保护膜上颗粒位置处滴加异丙醇或无水乙醇水滴的侧视图;
图4为本发明保护膜上水滴滚动的侧视图;
图5为本发明用无尘布吸干水滴的侧视图;
图6为本发明的保护膜上颗粒去除前的实物图;
图7为本发明的保护膜上颗粒去除后的实物图;
图8为本发明的掩模版的结构示意图;
其中,1-掩模保护膜;2-颗粒;3-保护膜支架;4-掩模版;5-强光灯;6-滴管;7-水滴;8-无尘布;9-基层;10-抗腐蚀层;11-金属层;12-光阻层。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
如图1-8所示,一种去除掩模保护膜上颗粒的方法,包括以下步骤:
提供一个掩模版4,掩模版4上放置保护膜支架3,保护膜支架3上设置掩模保护膜1;
步骤S1、使用YAMADA强光灯,并将亮度调到15-20W,在光亮环境下找到掩模保护膜1上的颗粒位置,如图1-2和6所示;
步骤S2、用洁净的滴管6吸取少量纯度为90-99%的异丙醇溶液,滴加到颗粒2位置处,轻微来回晃动掩膜版4,异丙醇液滴在颗粒2位置处来回滚动,利用异丙醇或无水乙醇的溶解及渗透性使吸附并包裹在掩模保护膜1表面的颗粒2与掩模保护膜1分离,与异丙醇液滴一起带走,如图3-4所示;
步骤S3、最后用无尘布8将吸附颗粒2的异丙醇水滴7吸干,所述异丙醇水滴7为异丙醇与掩模保护膜上的颗粒2的混合,吸干过程中将带有颗粒2的异丙醇水滴7引流到掩模版4边缘围绕的边框上,无尘布与掩模保护膜1不接触,避免二次污染掩模保护膜1,如图5和图7所示,掩模保护膜1上干净、光亮,无任何颗粒2或其他状杂质存在,可根据实际需求使用氮气枪吹扫掩模保护膜1表面,氮气压力调至172-245kPa,氮气枪枪头与掩模保护膜1所在平面的夹角为30-60°,残留在表面的少许溶液挥发。
本发明还可使用无水乙醇替换异丙醇溶液,无水乙醇的纯度为99.5%,易挥发,无需使用氮气枪吹扫掩模保护膜1表面,避免压力过大吹破薄度较小的掩模保护膜1。
如图8所示,掩模版4包括由下至上依次设置的基层9、抗腐蚀层10、金属层11和光阻层12,金属层11设置于光阻层12的凹槽内且二者表面齐平,金属层11和光阻层12之间设置厚度为30-60nm的氧化层,基层9远离抗腐蚀层10的一面设置缓冲层,缓冲层的厚度为10-25nm,基层9为石英玻璃、苏打玻璃或硼硅玻璃,抗腐蚀层10的厚度为20-40nm,提高掩模版的抗腐蚀性能,抗腐蚀层10的材料选用二氧化硅,金属层11采用铬,金属层11的厚度为90-100nm,光阻层12采用光阻材料制成,本发明可选择性在光阻层12上刻蚀图案,光可从光阻层12上的缺口处透过。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关技术参数等技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种去除掩模保护膜上颗粒的方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一个掩模版,所述掩模版上放置保护膜支架,保护膜支架上设置掩模保护膜,在光亮环境下找到掩模保护膜上的颗粒位置,将异丙醇溶液滴加到颗粒位置处,异丙醇液滴在颗粒位置处来回滚动,使吸附在保护膜表面的颗粒与掩模保护膜分离,最后用无尘布将吸附颗粒的异丙醇水滴吸干,吸干过程中将异丙醇水滴引流到掩模版边缘围绕的边框上,无尘布与掩模保护膜不接触。
2.根据权利要求1所述的一种去除掩模保护膜上颗粒的方法,其特征在于,打开YAMADA强光灯,朝向掩模保护膜进行照射,寻找掩模保护膜上颗粒的存在位置,YAMADA强光灯的亮度为15-24W。
3.根据权利要求1所述的一种去除掩模保护膜上颗粒的方法,其特征在于,使用滴管对准颗粒位置滴加异丙醇溶液,异丙醇溶液的纯度为90-99%,滴管使用前需用异丙醇溶液清洗干净。
4.根据权利要求1所述的一种去除掩模保护膜上颗粒的方法,其特征在于,使用洁净度为10000级的无尘布吸干异丙醇水滴,并用氮气枪吹扫掩模保护膜表面,氮气压力调至170-245kPa,氮气枪枪头与掩模保护膜所在平面的夹角为30-60°。
5.根据权利要求1-4任一所述的一种去除掩模保护膜上颗粒的方法,其特征在于,所述异丙醇溶液可替换为无水乙醇。
6.根据权利要求1所述的一种去除掩模保护膜上颗粒的方法,其特征在于,所述掩模版包括由下至上依次设置的基层、抗腐蚀层、金属层和光阻层,所述金属层设置于光阻层的凹槽内且二者表面齐平,金属层和光阻层之间设置氧化层。
7.根据权利要求6所述的一种去除掩模保护膜上颗粒的方法,其特征在于,所述基层为石英玻璃、苏打玻璃或硼硅玻璃,抗腐蚀层选用二氧化硅,抗腐蚀层的厚度为20-40nm,金属层采用铬,金属层的厚度为90-100nm。
8.根据权利要求6所述的一种去除掩模保护膜上颗粒的方法,其特征在于,所述光阻层采用光阻材料制成,基层远离抗腐蚀层的一面设置缓冲层,缓冲层的厚度为10-25nm。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114433570A (zh) * | 2022-04-06 | 2022-05-06 | 深圳市龙图光电有限公司 | 半导体芯片用掩模版膜下异物清理方法及设备 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6350842A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク洗浄方法 |
| JPH0774137A (ja) * | 1993-07-05 | 1995-03-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板表面のパーティクル除去方法及びその装置 |
| US20040087158A1 (en) * | 2002-10-29 | 2004-05-06 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| CN102426412A (zh) * | 2011-07-12 | 2012-04-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种掩模板表面微尘去除的方法 |
| CN202794840U (zh) * | 2012-10-11 | 2013-03-13 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 用于光掩膜版的防尘保护装置 |
| CN104588370A (zh) * | 2014-11-26 | 2015-05-06 | 上海华力微电子有限公司 | 光罩覆膜污染颗粒的清洗方法 |
| CN205816330U (zh) * | 2016-06-30 | 2016-12-21 | 上海微电子装备有限公司 | 一种掩模清洁装置 |
| CN106324983A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-01-11 | 无锡中微掩模电子有限公司 | 一种新型的掩模清洗方法 |
| US20180330971A1 (en) * | 2017-05-09 | 2018-11-15 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method |
| CN109622503A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-16 | 天津津航技术物理研究所 | 一种激光陀螺腔体光学加工后的无损清洗方法 |
-
2019
- 2019-12-17 CN CN201911300671.9A patent/CN111128678A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6350842A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク洗浄方法 |
| JPH0774137A (ja) * | 1993-07-05 | 1995-03-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板表面のパーティクル除去方法及びその装置 |
| US20040087158A1 (en) * | 2002-10-29 | 2004-05-06 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| CN102426412A (zh) * | 2011-07-12 | 2012-04-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种掩模板表面微尘去除的方法 |
| CN202794840U (zh) * | 2012-10-11 | 2013-03-13 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 用于光掩膜版的防尘保护装置 |
| CN104588370A (zh) * | 2014-11-26 | 2015-05-06 | 上海华力微电子有限公司 | 光罩覆膜污染颗粒的清洗方法 |
| CN205816330U (zh) * | 2016-06-30 | 2016-12-21 | 上海微电子装备有限公司 | 一种掩模清洁装置 |
| CN106324983A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-01-11 | 无锡中微掩模电子有限公司 | 一种新型的掩模清洗方法 |
| US20180330971A1 (en) * | 2017-05-09 | 2018-11-15 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method |
| CN109622503A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-16 | 天津津航技术物理研究所 | 一种激光陀螺腔体光学加工后的无损清洗方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114433570A (zh) * | 2022-04-06 | 2022-05-06 | 深圳市龙图光电有限公司 | 半导体芯片用掩模版膜下异物清理方法及设备 |
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