[go: up one dir, main page]

TWI440971B - 防塵薄膜組件框架 - Google Patents

防塵薄膜組件框架 Download PDF

Info

Publication number
TWI440971B
TWI440971B TW101104113A TW101104113A TWI440971B TW I440971 B TWI440971 B TW I440971B TW 101104113 A TW101104113 A TW 101104113A TW 101104113 A TW101104113 A TW 101104113A TW I440971 B TWI440971 B TW I440971B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pellicle
jig
frame
pellicle frame
film
Prior art date
Application number
TW101104113A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201248313A (en
Inventor
濱田裕一
Original Assignee
信越化學工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 信越化學工業股份有限公司 filed Critical 信越化學工業股份有限公司
Publication of TW201248313A publication Critical patent/TW201248313A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI440971B publication Critical patent/TWI440971B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • H10P76/2041

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

防塵薄膜組件框架
本發明關於大型積體電路(LSI)、超LSI等的半導體裝置或者液晶面板的製造時作為光刻用遮罩的防塵物使用的光刻用防塵薄膜組件的防塵薄膜組件(pellicle)框架。
LSI、超LSI等的半導體製造或者液晶面板等的製造中,對半導體晶片或者液晶用原板進行光照射以進行圖案製作,在該場合,如使用曝光原版有灰塵附著,該灰塵就會對光進行吸收,使光彎曲,轉印的圖案變形,邊緣模糊,而且基底會變得黑髒,從而就會發生尺寸、品質、外觀等受損的問題。另外,本發明中,所謂“曝光原版”,是指光刻用遮罩以及標線片(reticle)的總稱。
這些的操作,通常在無塵室中進行,但是,即使在該無塵室內要保持曝光原版經常清潔也是困難的,所以採用了在曝光原版的表面貼附作為防塵物使用的曝光用的光易於通過的防塵薄膜組件的方法。
在該場合,灰塵不在曝光原版的表面上直接附著,而是在防塵薄膜上附著,光刻時使焦點與曝光原版的圖案上相合,防塵薄膜上的灰塵就與轉印無關了。
防塵薄膜組件的基本的構成,是防塵薄膜組件框架以及在其上繃緊設置的防塵薄膜構成的。防塵薄膜,由使曝光用光(g線,i線,KrF準分子雷射,ArF準分子雷射,F2雷射等)良好透過的硝化纖維素,乙酸纖維素,氟類聚 合物等構成的。防塵薄膜組件框架,為由施以黑色鋁氧化膜處理等的A7075,A6061,A5052等的鋁合金、不銹鋼、聚乙烯等構成的。
對防塵薄膜組件進行製造的場合,防塵薄膜組件框架的上部塗布防塵薄膜的良溶媒,使防塵薄膜風乾黏接(專利文獻1參照),或用丙烯酸樹脂、環氧樹脂以及氟樹脂等的黏接劑黏接(專利文獻2參照)。進一步,防塵薄膜組件框架的下部安裝曝光原版,設置聚丁烯樹脂、聚乙酸乙烯基酯樹脂、丙烯酸樹脂或者矽酮樹脂等構成的黏著層,以及黏著層的保護為目的標線片黏著劑保護用襯層。
製造的防塵薄膜組件,以包圍曝光原版的表面上形成的圖案領域的形式設置。防塵薄膜組件,是為了防止在曝光原版上有灰塵附著而設置的,將圖案領域和防塵薄膜組件外部隔離,由此,防塵薄膜組件外部的塵埃就不會在圖案面上附著。
近年,LSI的設計規則正向四分之一微米以下的細微化前進,由此,曝光光線的短波長化也正在進行。即,從至今為主流的由水銀燈得到的g線(436nm),i線(365nm),正在向KrF準分子雷射(248nm),ArF準分子雷射(193nm),F2雷射(157nm)等變換。曝光光線的短波長化的前進,由於曝光解像度變高,至今為止不成問題程度的微小的微粒等的汙染邊成為了問題。
但是,防塵薄膜組件的製造、搬運或者向曝光原版的安裝以及拆卸時,為了對防塵薄膜組件框架進行保持‧固 定,通常,防塵薄膜組件框架中設置有防塵薄膜組件處理用的夾具孔(以下,僅稱“夾具孔”)。在該夾具孔中,插入防塵薄膜組件製造用夾具等的處理夾具的夾具針,藉由按壓,防塵薄膜組件框架被把持。
以往,在各步驟間,在處理夾具有更替必要的場合,防塵薄膜組件框架被在載置臺上暫時設置以後,有必要將處理夾具卸去,而安裝在別的處理夾具上的必要。
但是,該方法中,雖然是暫時,但是在防塵薄膜組件框架的夾具孔以外的部分會與其他物質接觸,該部分就會有被微粒等汙染的可能性。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1:特開昭58-219023號公報
專利文獻2:美國專利第4861402號說明書
本發明為了解決上述的問題點,提供了一種防塵薄膜組件框架,在防塵薄膜組件的製造、搬運等的時候,在處理夾具進行替換的場合,可以防止微粒的發生,並降低防塵薄膜組件的汙染。
發明的內容
本發明者經由努力檢討的結果,為了解決上述課題,重要的是使防塵薄膜組件框架的夾具孔以外的部分不與其他物質接觸,而且,在先前的防塵薄膜組件框架,在相對的1對的邊分別設置有2個夾具孔,因此當以1個處理夾 具進行把持的話,將不會存在有其他的夾具孔,經由著眼於上述狀況,因而完成了本發明。
亦即是,本發明的防塵薄膜組件框架,在相對的1對的邊分別設置4個以上的防塵薄膜組件處理用的夾具孔
而且,於本發明中,優選在相對的2對的邊分別設置2個以上的防塵薄膜組件處理用的夾具孔。
在使用本發明的防塵薄膜組件框架的場合,可以用多個處理夾具同時進行把持,在防塵薄膜組件的製造步驟中,防塵薄膜組件框架的夾具孔以外不與其他的物質接觸,可以將防塵薄膜組件製造時的汙染降低到極限。
以下,參照附圖,對本發明進行詳細說明。
圖1為表示本發明的防塵薄膜組件框架被用2個的處理夾具把持的狀態的平面圖,圖2為側面圖。圖1、2表示的防塵薄膜組件框架中,防塵薄膜組件處理用的夾具孔,在相對的2對的邊分別設置2個。即,防塵薄膜組件框架1的1對的長邊中,分別設置夾具孔2個,1對的短邊中,分別設置夾具孔2個。本發明的防塵薄膜組件框架,為了可以用多個處理夾具同時進行把持,在相對的1對邊上分別設置4個以上的夾具孔,或者,在相對的2對的邊上分別設置2個以上的夾具孔。圖1、2表示的場合,在長邊設置的夾具孔中,前步驟用的處理夾具2的夾具針4插入,在短邊設置的夾具孔中,後步驟用的處理夾具3的夾具針 5挿入,由2個處理夾具2、3將防塵薄膜組件框架1把持。另外,夾具孔設置在防塵薄膜組件框架上的與夾具針對應的位置。
以往的防塵薄膜組件框架中,是在防塵薄膜組件框架的相對的1對的邊上分別設置2個夾具孔,在本發明中,與此之外,更進一步在相對的1對的邊上分別設置2個以上的夾具孔(由此,框架全體中,合計8個以上)。其設置場所,不管是長邊還是短邊,只要是不干擾到其他對的夾具孔就無妨,但是考慮到空間以及操作容易等,在未設置有其他對夾具孔的邊進行設置為優選。相對的1對的邊分別設置的夾具孔的數目,即使比2個多,只要與處理夾具的夾具針的數目對應,就可以。
如上述,本發明的防塵薄膜組件框架,為了可以被多個處理夾具同時把持,相對的1對的邊分別設置4個以上,或者,相對的2對的邊上分別設置2個以上的夾具孔,由此在步驟間替換處理夾具時,夾具孔以外的部分不和其他物質接觸,就可以進行操作。其結果,在防塵薄膜組件框架固定、搬運等的場合,防塵薄膜組件的汙染的可能性幾乎為零。
在本發明的防塵薄膜組件框架設置的夾具孔的構造,與以往的那樣,優選截面可以為圓形,深部為圓錐構造。透過維持以往的構造,至今所掌握的訣竅就可以應用,來進行製造裝置以及處理夾具的開發。
〔實施例〕
以下藉由實施例來進行本發明的詳細說明。
〔實施例1〕
作為防塵薄膜組件框架,框架外尺寸為150mm×122mm×5.8mm,框架的厚度為2mm,用JIS A7075的鋁合金製造並施以黑色鋁氧化膜的防塵薄膜組件框架。分別在框架長邊的外周面與框架長邊中心間距為104mm的兩側、離膜黏接劑塗布端面1.75mm的位置,設置孔徑1.6mmφ、深度1.2mm的夾具孔。並且分別在框架短邊的外周面與框架短邊中心間距為94mm的兩側、離膜黏接劑塗布端面1.75mm的位置,設置孔徑1.6mmφ、深度1.2mm的夾具孔。
首先,使用框架長邊的104mm間距的夾具孔,在前步驟用的防塵薄膜組件製造用夾具2上安裝防塵薄膜組件框架1。內面塗布黏著劑後,為了將上述防塵薄膜組件製造用夾具2替換,用夾具替換裝置(未圖示)使用短邊的夾具孔,將該防塵薄膜組件框架1用後步驟用的防塵薄膜組件製造用夾具3來把持。
另外,如圖1以及2表示的那樣,夾具針4、5從在防塵薄膜組件處理用夾具2、3上分別設置的塊6、7延伸出那樣地被設置。
然後,將上述前步驟用的防塵薄膜組件製造用夾具2的夾具針4從長邊的夾具孔卸去,夾具2被取掉,用後步驟用的防塵薄膜組件製造用夾具3再次將長邊的夾具孔把持(未圖示),將上述防塵薄膜組件框架移動設置在後步驟 用的製造用夾具,進行後步驟。
然後,按照以往的防塵薄膜組件製造步驟,將遮罩黏接劑在與防塵薄膜組件膜黏接面相反側的框架面進行塗布,靜置60分後,用高頻感應加熱裝置在150℃加熱乾燥。膜黏接劑塗布乾燥後,將防塵薄膜貼合,防塵薄膜組件完成。
對完成的防塵薄膜組件的框架進行確認,沒有微粒的附著被觀察到。對防塵薄膜進行微粒的檢測,確認沒有檢測到微粒造成的實質汙染。
另外,將完成的防塵薄膜組件收納於容器中,在10cm的高度落下,再次對防塵薄膜進行檢測,對膜上異物的増加進行觀測。
對20個的防塵薄膜組件進行落下實驗,沒有發現防塵薄膜上有微粒増加。
〔實施例2〕
準備與實施例1同樣的防塵薄膜組件框架。然後,與實施例1同樣將防塵薄膜組件框架安裝在前步驟用的防塵薄膜組件製造用夾具上,內面進行黏著劑塗布後,為了對上述防塵薄膜組件製造用夾具進行替換,用後步驟用的防塵薄膜組件製造用夾具使用框架短邊的夾具孔進行把持。
對同時用2個防塵薄膜組件製造用夾具把持進行確認後,將前步驟用的防塵薄膜組件製造用夾具的夾具針從夾具孔卸去,將前步驟用的防塵薄膜組件製造用夾具取掉,將防塵薄膜組件框架移動、設置到後步驟用的製造用夾具 上。其後,與實施例1同樣進行防塵薄膜組件的製造。
完成的防塵薄膜組件的框架與實施例1同樣進行確認,微粒的附著沒有觀察到。對防塵薄膜,也進行了微粒的檢測,確認沒有檢測到微粒的實質存在。
另外,與實施例1同樣,將完成的防塵薄膜組件在容器中收納,從10cm的高度落下,再次進行防塵薄膜的檢測,對膜上異物的増加進行了調查。
對20個的防塵薄膜組件進行了落下實驗,膜上微粒都沒有増加。
〔實施例3〕
與實施例1同樣,準備防塵薄膜組件框架。然後,分別在框架長邊的外周面,以與框架長邊中心間距為104mm和間距為124mm的兩側、離膜黏接劑塗布端面1.75mm的位置,設置孔徑1.6mmφ、深度1.2mm的夾具孔。其後,除了在夾具交換裝置中使用防塵薄膜組件框架的前步驟用的防塵薄膜組件製造用夾具把持104mm間距的夾具孔,並進一步使用在後步驟用的防塵薄膜組件製造用夾具把持124mm間距的夾具孔之外,與實施例1同樣進行防塵薄膜組件的製造。
完成的防塵薄膜組件的框架與實施例1同樣進行確認,微粒的附著沒有觀察到。對於防塵薄膜也進行微粒的檢測,確認到沒有實質性地檢測到微粒。
另外,與實施例1同樣,將完成的防塵薄膜組件收納與容器中,從10cm的高度落下,再次對防塵薄膜進行檢 測,對防塵薄膜上的異物的増加進行調查。
將20個的防塵薄膜組件進行落下實驗,沒有發現膜上微粒増加。
但是,實施例3中使用的防塵薄膜組件框架的夾具孔,由於僅在長邊設置,移動時,防塵薄膜組件製造用夾具的夾具針的設置位置有制約,所以與實施例1的場合比較,在夾具交換裝置的設計的方面,自由度有減少。
〔比較例1〕
與實施例1同樣,進行防塵薄膜組件框架的準備。然後,分別在與框架長邊中心間距為104mm的兩側、離膜黏接劑塗布端面1.75mm的位置,設置孔徑1.6mmφ,深度1.2mm的夾具孔。
其後,將前步驟用的防塵薄膜組件製造用夾具安裝在夾具替換裝置上後,用防塵薄膜組件框架下端面的接受部件來支撐防塵薄膜組件框架,從夾具孔將針拿掉。此時,防塵薄膜組件框架下端面的接受部件,是在夾具孔的正下方部分上,以寬1mm橫斷防塵薄膜組件框架的方向進行設置。然後,前步驟用的防塵薄膜組件製造用夾具被除去後,將後步驟用的防塵薄膜組件製造用夾具進行安裝,將夾具針安裝在夾具孔上,將防塵薄膜組件框架移動設置在後步驟用的製造用夾具上。然後,與實施例1同樣,製造防塵薄膜組件。
將完成的防塵薄膜組件框架與實施例1同樣進行確認,20個產品中的7個的防塵薄膜組件框架的與部件接觸 的部分,具有微粒的附著。對防塵薄膜的檢測也進行了實施,確認沒有微粒被檢測到。
另外,與實施例1同樣,將完成的防塵薄膜組件在容器中收納,從10cm的高度落下,再次對防塵薄膜進行了檢測,對防塵薄膜上的異物的増加進行了檢查。
20個的防塵薄膜組件被進行了落下實驗,有2個的防塵薄膜組件的防塵薄膜上各有微粒1個被檢測到。
〔評價〕
從實施例1~3以及比較例1的結果,在防塵薄膜組件製造步驟中,僅使用夾具孔的部分進行把持的本發明的防塵薄膜組件框架,沒有微粒的附著,與防塵薄膜組件框架的夾具孔以外的部分相接觸而進行操作者,在防塵薄膜組件框架接觸的部分,以一定的幾率確率看到微粒的附著。
另外,也確認到,附著的上述微粒,在容器收納後進行強衝擊,有時,微粒有移動到防塵薄膜的可能性。本發明的防塵薄膜組件框架,對於防止在處理夾具交換時的微粒的發生有非常良好的效果。
1‧‧‧防塵薄膜組件框架
2‧‧‧前步驟用的處理夾具
3‧‧‧後步驟用的處理夾具
4‧‧‧前步驟用的處理夾具的夾具針
5‧‧‧後步驟用的處理夾具的夾具針
6‧‧‧前步驟用的處理夾具的塊
7‧‧‧後步驟用的處理夾具的塊
圖1為表示本發明的防塵薄膜組件框架被用2個處理夾具把持的狀態的平面圖。
圖2為圖1所表示的狀態的側面圖。
1‧‧‧防塵薄膜組件框架
2‧‧‧前步驟用的處理夾具
3‧‧‧後步驟用的處理夾具
4‧‧‧前步驟用的處理夾具的夾具針
5‧‧‧後步驟用的處理夾具的夾具針
6‧‧‧前步驟用的處理夾具的塊
7‧‧‧後步驟用的處理夾具的塊

Claims (4)

  1. 一種防塵薄膜組件框架,其為長方形的防塵薄膜組件框架,其特徵在於,防塵薄膜組件處理用的夾具孔共計8個以上被穿設在前述防塵薄膜組件框架的外周壁上,前述夾具孔在相對的2對邊上分別設置2個以上,或者僅在相對的1對邊上分別設置4個以上,其中前述夾具孔使夾具針可從前述夾具孔自由插拔。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜組件框架,其中前述夾具孔在相對的2對邊上分別設置2個以上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜組件框架,其中所述夾具孔僅在相對的1對邊上分別設置4個以上。
  4. 一種防塵薄膜組件,包括如申請專利範圍第2項或第3項所述的防塵薄膜組件框架。
TW101104113A 2011-02-08 2012-02-08 防塵薄膜組件框架 TWI440971B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011024733 2011-02-08
JP2012003755A JP5649134B2 (ja) 2011-02-08 2012-01-12 ペリクルフレーム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201248313A TW201248313A (en) 2012-12-01
TWI440971B true TWI440971B (zh) 2014-06-11

Family

ID=46600490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101104113A TWI440971B (zh) 2011-02-08 2012-02-08 防塵薄膜組件框架

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8960928B2 (zh)
JP (1) JP5649134B2 (zh)
KR (1) KR101838758B1 (zh)
TW (1) TWI440971B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6025178B2 (ja) * 2013-11-11 2016-11-16 信越化学工業株式会社 ペリクルの貼り付け方法及びこの方法に用いる貼り付け装置
KR101918687B1 (ko) 2014-01-28 2018-11-14 삼성전자주식회사 펠리클

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58219023A (ja) 1982-06-15 1983-12-20 Daicel Chem Ind Ltd 樹脂薄膜の製造方法
US4861402A (en) 1984-10-16 1989-08-29 Du Pont Tau Laboratories, Inc. Method of making a cellulose acetate butyrate pellicle
JP2003043670A (ja) * 2001-07-30 2003-02-13 Asahi Glass Co Ltd ペリクル
US7205074B2 (en) * 2002-12-31 2007-04-17 Intel Corporation Venting of pellicle cavity for a mask
US7316869B2 (en) 2003-08-26 2008-01-08 Intel Corporation Mounting a pellicle to a frame
TWI270504B (en) * 2004-12-15 2007-01-11 Gudeng Prec Ind Co Ltd Photo-mask protection film frame
JP4391435B2 (ja) * 2005-03-22 2009-12-24 信越化学工業株式会社 ペリクル収納容器
JP2006301525A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクルフレーム
CN101689018B (zh) * 2007-07-06 2013-03-20 旭化成电子材料株式会社 大型表膜构件的框体及该框体的把持方法
JP5134436B2 (ja) * 2008-05-27 2013-01-30 信越化学工業株式会社 リソグラフィ用ペリクル

Also Published As

Publication number Publication date
US8960928B2 (en) 2015-02-24
KR20120090803A (ko) 2012-08-17
TW201248313A (en) 2012-12-01
JP2012181503A (ja) 2012-09-20
KR101838758B1 (ko) 2018-03-14
JP5649134B2 (ja) 2015-01-07
US20120200921A1 (en) 2012-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7556378B2 (ja) ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法及び半導体の製造方法
US20080264441A1 (en) Method for removing residuals from photomask
TWI336100B (en) Method and apparatus for solving mask precipitated defect issue
KR20130024878A (ko) 포토 마스크 유닛 및 그 제조 방법
JP6954498B1 (ja) ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版及び露光方法、並びに半導体装置又は液晶表示板の製造方法
KR20110065364A (ko) 리소그래피용 펠리클 및 그 제조 방법
TW201214024A (en) Method of manufacturing a substrate for a recycled photomask, method of manufacturing a blank for a recycled photomask, recycled photomask and method of manufacturing the same, and pattern transfer method
US8968971B2 (en) Pellicles with reduced particulates
US8394557B2 (en) Lithographic pellicle
TWI440971B (zh) 防塵薄膜組件框架
JP6632057B2 (ja) ペリクル
JP2001092113A (ja) 半導体リソグラフィ用ペリクル
CN103901716B (zh) 光刻技术用防尘薄膜组件
WO2021149602A1 (ja) ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクルの検査方法、ペリクル付露光原版及び露光方法、並びに半導体又は液晶表示板の製造方法
JP2011107519A (ja) リソグラフィ用ペリクル
EP4553576A1 (en) Pellicle frame, pellicle and exposure original plate with pellicle, method for producing pellicle frame, light exposure method, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing liquid crystal display plate
HK1195136A (zh) 光刻技术用防尘薄膜组件