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CN110565058A - 一种bga产品的磁控溅射方法 - Google Patents

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CN110565058A CN201910809187.2A CN201910809187A CN110565058A CN 110565058 A CN110565058 A CN 110565058A CN 201910809187 A CN201910809187 A CN 201910809187A CN 110565058 A CN110565058 A CN 110565058A
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Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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Abstract

本发明涉及一种BGA产品的磁控溅射方法，所述方法包括以下步骤：步骤一、取一BGA产品，在BGA产品的基板的锡球外围靠近边缘位置开设有一圈凹槽；步骤二、取一溅镀治具，在溅镀治具表面设计一圈连续的支撑坝，支撑坝的位置和大小与基板的凹槽相配合；步骤三、将BGA产品放置于溅镀治具上进行溅镀，产品底面凹槽搁置于溅镀治具的支撑坝上，在锡球区域形成一个内部密闭空间，同时锡球不与溅镀治具接触。本发明通过对BGA基板和溅镀治具的结构设计，可以实现溅镀过程中产品锡球不被溅镀，工艺简单，不需使用胶带耗材，作业性强，节约成本。

Description

一种BGA产品的磁控溅射方法
技术领域
本发明涉及一种BGA产品的磁控溅射方法，属于半导体封装技术领域。
背景技术
传统的BGA溅镀基本工艺方法如下：使用挖孔的双面胶带保护BGA底部进行溅镀，参见图1。其步骤如下：将双面胶带开孔3，将带孔的双面胶带2先贴合到溅镀载具1上，再将BGA产品4放置到双面胶带2上，BGA产品4的底部边缘区域与双面胶带2贴合、BGA产品4的锡球下沉到开孔3中，之后用压合机下压产品，使BGA产品4底部边缘与双面胶紧密贴合，防止产品底部溢镀，然后再进行溅镀作业，溅镀后用带有顶针的顶离机使BGA产品与双面胶带分离，并放置在收料盘中。
上述传统BGA溅镀工艺的缺点：
1、一些BGA产品锡球距离产品边缘过小，没有空间和双面胶紧密贴合，采用上述传统BGA溅镀工艺，产品和双面胶之间的缝隙会导致产品溢镀；
2、上述传统BGA溅镀方法使用的双面胶需要开孔，这就需要对胶带进行精确加工。由于本身双面胶带本身的材料和结构特性，高精度加工成本也将增加；
3、锡球在嵌入双面胶带开孔时，一旦和胶带孔壁接触，因为粘胶的问题，可能会影响产品焊锡性能；
4、上述传统BGA溅镀方法在溅镀后取件过程中，顶针在锡球面施加向上的压力，同时产品表面使用吸嘴吸取，锡球有断裂的风险，可能会影响产品的性能；
5、BGA产品和双面胶分离时，BGA产品侧面与双面胶带表面之间连续的镀层经拉扯断裂，会产生金属毛刺，可能会造成锡球间短路，影响产品性能。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种BGA产品的磁控溅射方法，它通过对BGA产品的基板和溅镀治具的结构设计，可以实现溅镀过程中保护产品锡球，工艺简单，不需使用胶带耗材，作业性强，节约成本。
本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种BGA产品的磁控溅射方法，所述方法包括以下步骤：
步骤一、取一BGA产品，在BGA产品的基板的锡球外围靠近边缘位置开设有一圈凹槽；
步骤二、取一溅镀治具，在溅镀治具表面设计一圈连续的支撑坝，支撑坝的位置和大小与基板的凹槽相配合；
步骤三、将BGA产品放置于溅镀治具上进行溅镀，基板凹槽搁置于溅镀治具的支撑坝上，在锡球区域形成一个内部密闭空间，并且锡球不与溅镀治具上表面直接接触。
优选的，步骤一中凹槽的深度H范围为10～50μm。
优选的，步骤一中凹槽的两侧内壁都为倾斜面，其中外侧内壁角度a范围10～60°，内侧内壁角度b范围20～45°。
优选的，步骤二中支撑坝上端一面为倾斜面，其角度c范围为20～45°，支撑坝上端另一面为垂直面。
优选的，基板凹槽的内侧内壁接触支撑坝的倾斜面，凹槽的外侧内壁不接触支撑坝的垂直面。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
1、基板凹槽和支撑坝的配合设计保证锡球区域被密封起来，溅射原子不会扩散到锡球区域，保护了锡球区域不被溢镀，有效避免溢镀造成的锡球间短路、导致电性能失效的情况；
2、由于产品只是单纯和溅镀治具接触，溅镀过程中不需要使用双面胶，生产成本低，无污染废弃物产生；而且产品不用和胶带接触，没有残胶等缺陷；
3、溅镀路径越长，溅射原子扩散越困难，路径周围的镀层厚度越低，因此产品凹槽内形成超薄的镀层非常薄。在产品完成溅镀后，与溅镀治具分离时，不会产生镀层断裂的毛刺；另外取件过程不需克服胶带粘力，只需接触产品表封面就能取离产品，锡球不会因为受到外力作用而被损坏。
附图说明
图1为传统的BGA溅镀方法的示意图。
图2为本发明一种BGA产品的磁控溅射方法的原理示意图。
图3为图2中产品背面凹槽与支撑坝的配合关系示意图。
图4为图2中产品背面凹槽与支撑坝的配合关系示意图。
其中：
载具 1
双面胶带 2
开孔 3
BGA产品 4
通孔 5
溅镀治具 6
基板 7
锡球 8
凹槽 9
支撑坝 10。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。
参见图2、图3，本发明涉及的一种BGA产品的磁控溅射方法，它包括以下步骤：
步骤一、取一BGA产品4，在BGA产品4的基板7底面的锡球8外围开设有一圈凹槽9，凹槽9在基板制备过程中通过激光成型，凹槽9延伸到基板7内部，凹槽9的深度H范围为10～50μm，但凹槽9的设计不破坏基板7内部线路；凹槽9设计成楔型，凹槽9具有外侧内壁和内侧内壁，两侧内壁具有一定角度，其中外侧内壁角度a范围为10～60°，内侧内壁角度b范围为20～45°；
步骤二、取一溅镀治具6，在溅镀治具6表面上具有一圈连续的支撑坝10，支撑坝10上端成楔型结构，支撑坝10上端靠近锡球8的面为倾斜面，其角度c范围为20～45°，与BGA产品4的基板凹槽9内侧内壁角度b相匹配，支撑坝10上端远离锡球8的面为垂直面；
步骤三、将BGA产品4放置于溅镀治具6上进行溅镀，凹槽9与支撑坝10位置大小相匹配，凹槽9搁置于溅镀治具6的支撑坝10上，凹槽9的内侧内壁接触支撑坝10的倾斜面，凹槽9的外侧内壁与支撑坝10的垂直面具有一定的空隙，因此在锡球8区域形成一个内部密闭空间，锡球8不与溅镀治具6的上表面直接接触。
上述实施例外，本发明还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种BGA产品的磁控溅射方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：
步骤一、取一BGA产品，在BGA产品的基板的锡球外围靠近边缘位置开设有一圈凹槽，所述凹槽具有内侧内壁和外侧内壁；
步骤二、取一溅镀治具，在溅镀治具表面设计一圈连续的支撑坝，支撑坝的位置和大小与基板的凹槽相配合；
步骤三、将BGA产品放置于溅镀治具上进行溅镀，基板凹槽搁置于溅镀治具的支撑坝上，在锡球区域形成一个内部密闭空间，并且锡球不与溅镀治具上表面直接接触。
2.根据权利要求1所述的一种BGA产品的磁控溅射方法，其特征在于：步骤一中凹槽的深度H范围为10～50μm。
3.根据权利要求1所述的一种BGA产品的磁控溅射方法，其特征在于：步骤一中凹槽的内侧内壁和外侧内壁均为倾斜面，其中外侧内壁角度a范围10～60°，内侧内壁角度b范围20～45°。
4.根据权利要求1所述的一种BGA产品的磁控溅射方法，其特征在于：步骤二中支撑坝上端一面为倾斜面，其角度c范围为20～45°，支撑坝上端另一面为垂直面。
5.根据权利要求4所述的一种BGA产品的磁控溅射方法，其特征在于：基板凹槽的内侧内壁接触支撑坝的倾斜面，凹槽的外侧内壁不接触支撑坝的垂直面。
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