CN111058006A - 一种bga电磁屏蔽产品的磁控溅射方法 - Google Patents
一种bga电磁屏蔽产品的磁控溅射方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111058006A CN111058006A CN201911266209.1A CN201911266209A CN111058006A CN 111058006 A CN111058006 A CN 111058006A CN 201911266209 A CN201911266209 A CN 201911266209A CN 111058006 A CN111058006 A CN 111058006A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sputtering
- bga
- product
- tape
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
本发明涉及一种BGA电磁屏蔽产品的磁控溅射方法,它包括以下步骤:步骤一、取一溅镀胶带;步骤二、使用加热的冲切模具在溅镀胶带上冲出对应尺寸通孔,并在溅镀胶带表面靠近通孔边缘处通过压合方式形成斜坡;步骤三、将带通孔的溅镀胶带先贴合到溅镀载具上,再将BGA产品放置到溅镀胶带对应通孔位置上,溅镀前用压合机下压BGA产品,使BGA产品的底部边缘最外圈的锡球可以陷入斜坡处的溅镀胶带中,然后进行溅镀作业;步骤四、BGA产品完成溅镀作业后,加热溅镀胶带至175℃以上,使塑性记忆金属膜恢复到记忆形状,BGA产品自发与溅镀胶带分离。本发明通过对BGA溅射胶带结构和材质设计,可以实现溅镀过程中保护锡球不被溅镀,锡球从塑性变形的溅射胶带中弹起,同实现产品自发与溅镀胶带分离。
Description
技术领域
本发明涉及一种BGA电磁屏蔽产品的磁控溅射方法,属于半导体封装技术领域。
背景技术
传统BGA溅射的基本制作工艺如下:
如图1所示,将溅镀胶带1形成通孔5,将溅镀胶带1先贴合到带有开孔3的溅镀载具2上,再将BGA产品4放置到溅镀胶带1对应通孔5位置上,溅镀前需要用压合机下压BGA产品4,使BGA产品4底部边缘的锡球6陷入到溅射胶带1中,保证基板与溅射胶带贴合紧密,防止溅镀过程中产品底部溢镀,然后再进行溅镀作业,溅镀完成后用带有顶针的顶离机从开孔3中伸出使BGA产品4与溅镀胶带1分离,最后将BGA 产品放置在收料盘中。
上述传统BGA溅射工艺存在以下缺点:
1、一些BGA产品锡球过大过多,锡球无法借助压合外力完全陷入溅射胶带中,采用上述传统溅射工艺,产品和双面胶之间缝隙会导致产品溢镀;
2、上述传统BGA溅射方法,锡球在陷入胶带过程中受到很大的应力,导致压敏材质的溅射胶带残留在锡球表面;
3、上述传统BGA溅射方法,锡球借助外力陷入溅射胶带中,由于溅镀胶带弹性形变会随着时间变化而逐渐反弹,使锡球从胶带中弹出,造成产品溢镀;
4、上述传统BGA溅射方法在溅镀后取件过程中,通过顶针在锡球面施加向上的压力,同时产品表面使用吸嘴吸取,将产品从溅镀胶带上取下放入收料盘,取件过程中锡球有损伤的风险,影响产品的外观和性能。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种BGA电磁屏蔽产品的磁控溅射方法,它结合溅镀的基本原理,通过对BGA溅射胶带结构和材质设计,可以实现溅镀过程中保护产品底部锡球不被溅镀,产品自发与溅镀胶带分离。
本发明解决上述问题所采用的技术方案为:一种BGA电磁屏蔽产品的磁控溅射方法,所述方法包括以下步骤:
步骤一、取一溅镀胶带;
所述溅镀胶带具有三层结构,基层为压敏亚克力胶层,中间层为塑性记忆金属层,顶层为压敏亚克力胶层;
步骤二、使用冲切模具在溅镀胶带上冲出对应尺寸通孔,并在溅镀胶带表面靠近通孔边缘处通过加热压合方式形成斜坡;
步骤三、将带通孔的溅镀胶带先贴合到溅镀载具上,再将BGA产品放置到溅镀胶带对应通孔位置上,溅镀前用压合机下压BGA产品,使BGA产品的底部边缘最外圈的锡球可以陷入斜坡处的溅镀胶带中,然后进行溅镀作业;
步骤四、BGA产品完成溅镀作业后,加热溅镀胶带至175℃以上锡熔点以下,使塑性记忆金属膜恢复到平面形状,对BGA产品有向上的反弹力,使BGA产品自发与溅镀胶带分离。
优选的,步骤二中通孔尺寸小于BGA产品的外轮廓尺寸。
优选的,步骤二中斜坡与水平面之间的夹角为30°~60°。
与现有技术相比,本发明的优点在于:
1、使用带有斜坡的溅镀胶带,减少锡球陷入胶带深度,避免压敏胶材残留在锡球表面形成残胶;
2、塑性记忆金属层可以保持溅镀前压合的形变,压合压力撤销后不反弹,锡球不会从胶带里弹起,即不会在BGA产品和溅镀胶带之间产生缝隙,可以避免发生溢镀现象;
3、由于取件采用加热方式,记忆金属膜恢复记忆形状从而将BGA产品弹起,BGA 产品与溅镀胶带分离过程中不需要施加外力,可以保护底部锡球无损伤。
附图说明
图1为现有BGA产品磁控溅射的状态示意图。
图2为本发明一种BGA电磁屏蔽产品的磁控溅射的状态示意图。
图3为通过加热使BGA产品自发与溅镀胶带分离的状态示意图。
其中:
载具 1
溅镀胶带 2
开孔 3
BGA产品 4
通孔 5
锡球 6。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。
本发明涉及的一种BGA电磁屏蔽产品的磁控溅射方法,它包括以下步骤:
步骤一、取一溅镀胶带;
溅镀胶带具有三层结构,基层为压敏亚克力胶层,中间层为塑性记忆金属层,顶层为压敏亚克力胶层;
步骤二、使用冲切模具在溅镀胶带上冲出对应尺寸通孔,并在溅镀胶带表面靠近通孔边缘处通过加热压合方式形成斜坡,在高温和高压条件下,塑性记忆金属膜会形成记忆形变,恢复到常温后形变仍维持当初高温下的记忆形状;
通孔尺寸小于BGA产品的外轮廓尺寸;
斜坡与水平面之间的夹角为30°~60°,斜坡角度和产品锡球排布匹配,保证BGA产品的底部边缘最外圈的锡球可以陷入斜坡处的溅镀胶带的顶层压敏亚克力胶层中;
步骤三、将带通孔的溅镀胶带先贴合到溅镀载具上,再将BGA产品放置到溅镀胶带对应通孔的位置,溅镀前用压合机下压BGA产品,使BGA产品的底部边缘最外圈的锡球陷入斜坡处胶带中,如图2所示,然后再进行溅镀作业;
步骤四、BGA产品完成溅镀作业后,加热溅镀胶带至175℃以上且锡熔点以下,塑性记忆金属层恢复到平面形状,对BGA产品有向上的反弹力,使BGA产品自发与溅镀胶带分离,如图3所示。
上述实施例外,本发明还包括有其他实施方式,凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案,均应落入本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种BGA电磁屏蔽产品的磁控溅射方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:
步骤一、取一溅镀胶带;
所述溅镀胶带具有基层、中间层、顶层三层结构,所述基层为压敏亚克力胶层,所述中间层为塑性记忆金属层,所述顶层为压敏亚克力胶层;
步骤二、使用冲切模具在溅镀胶带上冲出对应尺寸通孔,并在溅镀胶带表面靠近通孔边缘处通过加热压合方式形成斜坡;
步骤三、将带通孔的溅镀胶带先贴合到溅镀载具上,再将BGA产品放置到溅镀胶带对应通孔位置上,溅镀前用压合机下压BGA产品,使BGA产品的底部边缘最外圈的锡球可以陷入斜坡处的溅镀胶带中,然后进行溅镀作业;
步骤四、BGA产品完成溅镀作业后,加热溅镀胶带至175℃以上锡熔点以下,使塑性记忆金属膜恢复到平面形状,对BGA产品有向上的反弹力,使BGA产品自发与溅镀胶带分离。
2.根据权利要求1所述的一种BGA电磁屏蔽产品的磁控溅射方法,其特征在于:步骤二中通孔尺寸小于BGA产品的外轮廓尺寸。
3.根据权利要求1所述的一种BGA电磁屏蔽产品的磁控溅射方法,其特征在于:步骤二中斜坡与水平面之间的夹角为30°~60°。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911266209.1A CN111058006B (zh) | 2019-12-11 | 2019-12-11 | 一种bga电磁屏蔽产品的磁控溅射方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911266209.1A CN111058006B (zh) | 2019-12-11 | 2019-12-11 | 一种bga电磁屏蔽产品的磁控溅射方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111058006A true CN111058006A (zh) | 2020-04-24 |
| CN111058006B CN111058006B (zh) | 2021-07-27 |
Family
ID=70300601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911266209.1A Active CN111058006B (zh) | 2019-12-11 | 2019-12-11 | 一种bga电磁屏蔽产品的磁控溅射方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111058006B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113436978A (zh) * | 2021-05-10 | 2021-09-24 | 江苏长电科技股份有限公司 | 一种bga溅镀工艺方法 |
| CN113921410A (zh) * | 2021-09-27 | 2022-01-11 | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 | Bga封装方法 |
| CN115074808A (zh) * | 2021-03-16 | 2022-09-20 | 江苏长电科技股份有限公司 | 用于放置封装组件的电镀载台及电镀方法 |
Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10189816A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| TW434767B (en) * | 1998-09-05 | 2001-05-16 | Via Tech Inc | Package architecture of ball grid array integrated circuit device |
| JP2002208607A (ja) * | 2001-01-11 | 2002-07-26 | Sony Corp | 半導体装置、その装着用回路基板及びそれらを用いた実装方法 |
| US20030230798A1 (en) * | 2002-06-12 | 2003-12-18 | Jong-Kai Lin | Wafer level MEMS packaging |
| TW200421580A (en) * | 2003-04-11 | 2004-10-16 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Method for reworking semiconductor packages |
| US20050199995A1 (en) * | 2004-03-15 | 2005-09-15 | Kentaro Nomoto | Semiconductor element and wafer level chip size package therefor |
| US20050245061A1 (en) * | 2000-08-07 | 2005-11-03 | Toshiya Satoh | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| CN101009237A (zh) * | 2006-01-26 | 2007-08-01 | 三星电子株式会社 | 具有用于半导体封装的支撑的卡盘及组件 |
| CN101118899A (zh) * | 2006-07-31 | 2008-02-06 | 温泰克工业有限公司 | 将预定元件置于目标平台的装置和方法 |
| US20080150157A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| CN101432095A (zh) * | 2006-04-28 | 2009-05-13 | 株式会社电装 | 泡沫焊锡和电子器件 |
| CN101809740A (zh) * | 2007-11-01 | 2010-08-18 | 松下电器产业株式会社 | 电子部件安装构造体及其制造方法 |
| US20100277880A1 (en) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | Jenq-Gong Duh | Electronic package structure |
| CN104078436A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 智瑞达科技(苏州)有限公司 | 多晶片封装结构 |
| CN206353918U (zh) * | 2016-12-22 | 2017-07-25 | 海能达通信股份有限公司 | 电子装置及其屏蔽盖散热装置 |
| US20180286793A1 (en) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Package structure and method of forming thereof |
-
2019
- 2019-12-11 CN CN201911266209.1A patent/CN111058006B/zh active Active
Patent Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10189816A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| TW434767B (en) * | 1998-09-05 | 2001-05-16 | Via Tech Inc | Package architecture of ball grid array integrated circuit device |
| US20050245061A1 (en) * | 2000-08-07 | 2005-11-03 | Toshiya Satoh | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2002208607A (ja) * | 2001-01-11 | 2002-07-26 | Sony Corp | 半導体装置、その装着用回路基板及びそれらを用いた実装方法 |
| US20030230798A1 (en) * | 2002-06-12 | 2003-12-18 | Jong-Kai Lin | Wafer level MEMS packaging |
| TW200421580A (en) * | 2003-04-11 | 2004-10-16 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Method for reworking semiconductor packages |
| US20050199995A1 (en) * | 2004-03-15 | 2005-09-15 | Kentaro Nomoto | Semiconductor element and wafer level chip size package therefor |
| CN101009237A (zh) * | 2006-01-26 | 2007-08-01 | 三星电子株式会社 | 具有用于半导体封装的支撑的卡盘及组件 |
| CN101432095A (zh) * | 2006-04-28 | 2009-05-13 | 株式会社电装 | 泡沫焊锡和电子器件 |
| CN101118899A (zh) * | 2006-07-31 | 2008-02-06 | 温泰克工业有限公司 | 将预定元件置于目标平台的装置和方法 |
| US20080150157A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| CN101809740A (zh) * | 2007-11-01 | 2010-08-18 | 松下电器产业株式会社 | 电子部件安装构造体及其制造方法 |
| US20100277880A1 (en) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | Jenq-Gong Duh | Electronic package structure |
| CN104078436A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 智瑞达科技(苏州)有限公司 | 多晶片封装结构 |
| CN206353918U (zh) * | 2016-12-22 | 2017-07-25 | 海能达通信股份有限公司 | 电子装置及其屏蔽盖散热装置 |
| US20180286793A1 (en) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Package structure and method of forming thereof |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115074808A (zh) * | 2021-03-16 | 2022-09-20 | 江苏长电科技股份有限公司 | 用于放置封装组件的电镀载台及电镀方法 |
| CN113436978A (zh) * | 2021-05-10 | 2021-09-24 | 江苏长电科技股份有限公司 | 一种bga溅镀工艺方法 |
| CN113436978B (zh) * | 2021-05-10 | 2024-03-12 | 江苏长电科技股份有限公司 | 一种bga溅镀工艺方法 |
| CN113921410A (zh) * | 2021-09-27 | 2022-01-11 | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 | Bga封装方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111058006B (zh) | 2021-07-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9613913B2 (en) | Method of forming electromagnetic interference shielding layer of ball grid array semiconductor package and base tape for the method | |
| CN111058006B (zh) | 一种bga电磁屏蔽产品的磁控溅射方法 | |
| CN105280569B (zh) | 具有残余应力层的半导体封装件及其制造方法 | |
| US20100263204A1 (en) | High temperature composite tape and method for manufacturing the same | |
| CN110047858B (zh) | 一种晶圆级红外探测芯片的封装方法 | |
| US20130102112A1 (en) | Process for Forming Packages | |
| KR101662068B1 (ko) | 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법 | |
| JP2015032646A (ja) | 成形体の製造方法 | |
| KR101689018B1 (ko) | 포켓을 이용한 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법 | |
| US9780041B1 (en) | Method for making EMI shielding layer on a package | |
| CN110565058B (zh) | 一种bga产品的磁控溅射方法 | |
| CN109023277B (zh) | 一种bga封装电子产品的磁控溅射方法 | |
| JPH1070210A (ja) | 半導体基板に凹部を形成する装置および方法 | |
| CN106024759B (zh) | 封装体电磁防护层的制造方法 | |
| CN104576554A (zh) | 一种封装件及其制造方法 | |
| KR101662069B1 (ko) | 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법 | |
| CN213803967U (zh) | 一种磁控溅射镀膜结构及其溅镀载具 | |
| CN111118461A (zh) | 一种lga封装电子产品的磁控溅射方法 | |
| CN113436978B (zh) | 一种bga溅镀工艺方法 | |
| KR101589242B1 (ko) | 전자파 차폐를 위한 반도체패키지의 스퍼터링 방법 | |
| CN107680910A (zh) | 一种去除毛边的方法及装置 | |
| CN109461666B (zh) | 一种芯片封装方法 | |
| JP5795272B2 (ja) | セラミックス素子の製造方法 | |
| CN221149953U (zh) | 半导体装置 | |
| GB2603404A (en) | Alignment carrier for interconnect bridge assembly |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20251231 Address after: 214400 Jiangsu Province Wuxi City Jiangyin City Changshan Road 78 Patentee after: Changdian Technology (Jiangyin) Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 214400 No. 78 Changshan Road, Jiangyin High-tech Zone, Jiangyin City, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee before: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. Country or region before: China |