CN119908026A - 半导体制造用导电柱模块前体、半导体制造用导电柱模块、半导体或半导体前体及其制造方法 - Google Patents

Abstract

在现有技术中，无法获得一种不使用光刻技术的半导体制造用导电柱模块，该半导体制造用导电柱模块可以用于倒装芯片封装的基板的二次布线，或用于在后芯片(RDL优先)封装中形成再配置层(RDL)。本发明提供一种半导体制造用导电柱模块前体、半导体或半导体前体及其制造方法，所述半导体制造用导电柱模块前体具备由片状的树脂固化物担载有导电柱部件的结构，且具有对基板的足够的密合性、应力缓和性和耐久性。

Description

半导体制造用导电柱模块前体、半导体制造用导电柱模块、半 导体或半导体前体及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种半导体制造用导电柱模块前体、半导体制造用导电柱模块、半导体或半导体前体及其制造方法。

背景技术

在半导体制造中，使用焊料凸点来连接芯片和基板的倒装芯片封装技术已经使用了大约30年。近年来，半导体装置等的小型化不断发展，其基板结构的微细化也日益显著，但焊料凸点的使用受到间距的限制。因此，在100μm以下的微细化中，使用铜柱布线，能够以高I/O(输入输出)密度实现更微细的间距。

在专利文献1中，公开了一种使用倒装芯片封装技术和抗蚀剂技术来制作铜柱布线的方法。

但是，专利文献1中记载的方法需要光致抗蚀剂层的形成和剥离的光刻技术，且存在因制造时间变长、工序数增加，而导致成本变高的问题。

因此，需要通过比现有技术更简便的制造方法来缩短制造工序和时间、以及降低半导体制造的成本。

另外，对于导电性柱模块中使用的树脂需要与金属的密合性良好、且能够进行喷砂处理的覆膜。此外，在倒装芯片封装中，要求回流后的耐久性，在作为其他半导体的制造方法的扇出封装中，要求对RDL(再配置层)形成工序的适用性等对与用途相应的下一工序的适应性。因此，要求导电柱模块中使用的树脂具有对各种基板的密合性、应力缓和性、耐久性。

另一方面，固化性有机硅组合物能够经固化而形成具有优异的耐热性、耐寒性、电绝缘性、耐候性、防水性以及透明性的固化物，因此被用于广泛的产业领域。特别是，与其他有机材料相比，固化性有机硅组合物的固化物通常不易变色，另外，物理上的物性的经时降低小，因此也适合作为半导体装置的密封剂。

本申请人在专利文献2和专利文献3中，提出了成型用的热熔性的固化性粒状有机硅组合物和反应性有机硅组合物。这些有机硅组合物中加入了大量的无机填料来实现它们的性状，且其熔融粘度较高。

在将伴随着近年来的半导体装置的小型化而微细化的基板密封的情况下，在密封时需要低粘度。另外，随着近年来半导体装置的大面积化，作为密封剂，倾向优选膜状或片状的密封剂，在导电柱模块中使用的树脂组合物中也同样。上述熔融粘度比较高的、成型用的热熔性的固化性粒状有机硅组合物和反应性有机硅组合物不适合作为导电柱模块中使用的片状的树脂组合物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-17300号公报

专利文献2：国际公开第2016/136243号

专利文献3：国际公开第2019/078140号

发明内容

发明所要解决的问题

因此，在现有技术中，无法获得一种不使用光刻技术的半导体制造用导电柱模块，该半导体制造用导电柱模块可用于倒装芯片封装的基板的二次布线，或用于在后芯片(RDLfirst)封装中形成再配置层(RDL)。

本发明是为了解决上述问题而完成的，目的在于提供一种半导体制造用导电柱模块前体、半导体制造用导电柱模块、半导体或半导体前体及其制造方法，所述半导体制造用导电柱模块前体具有对基板的足够的密合性、应力缓和性以及耐久性。

用于解决问题的方案

本发明人等对上述问题进行了深入研究，结果实现了本发明。即，本发明的目的通过一种半导体制造用导电柱模块前体来实现，所述半导体制造用导电柱模块前体具备由片状的树脂固化物担载有导电柱部件的结构。

优选地，在本发明的半导体制造用导电柱模块前体中，片状的树脂固化物为有机硅固化物，导电柱部件为短径长50～500μm、长径长50～500μm的导电柱。

优选地，在本发明的半导体制造用导电柱模块前体中，片状的树脂固化物是通过硅氢化反应固化而得到的有机硅固化物，导电柱部件为直径50～500μm、高度50～2000μm的圆柱状铜柱。

本发明还涉及一种半导体制造用导电柱模块，其具备如下结构：由片状的树脂固化物担载导电柱部件、且该导电柱部件从片状的树脂固化物的两面露出。

本发明还涉及一种半导体或半导体前体，其具有如下结构：本发明的半导体制造用导电柱模块的至少一部分的导电柱部件被焊接在基板上，且从片状的树脂固化物的相反侧的面露出的导电柱直接或经由导电层(再配置层)粘接在半导体芯片上。

优选地，本发明的半导体或半导体前体具备如下结构：基板、半导体芯片以及导电柱部件之间的间隙由模制底部填充材料填充。

本发明还涉及一种半导体或半导体前体的制造方法，该制造方法包括将从本发明的半导体制造用导电柱模块前体露出的导电柱部件粘接在半导体芯片或基板上的工序。

本发明还涉及一种本发明的半导体制造用导电柱模块前体的制造方法，该制造方法包括以下工序(I)～(IV)：

工序(I)：将导电柱部件配置在模制部件上的工序；

工序(II)：将至少一种固化性树脂组合物和任意剥离性衬垫配置在导电柱部件上的工序；

工序(III)：通过选自加热和高能量射线照射中的一种以上的固化机构，使固化性树脂组合物固化成片状的工序；以及，

工序(IV)：在移除任意所述剥离性衬垫后，将半导体制造用导电柱模块前体与模制部件分离的工序。

优选地，本发明的半导体制造用导电柱模块前体的制造方法的特征在于，工序(II)中使用的固化性树脂组合物是具备加热熔融性的固化性树脂组合物的片材，并且是如下工序：将该固化性树脂组合物的片材配置在导电柱部件上之后，使该固化性树脂组合物的片材加热熔融，从而将导电柱的至少一部分担载在固化性树脂组合物的片材内部。

优选地，本发明的半导体制造用导电柱模块前体的制造方法的特征在于，工序(II)中使用的固化性树脂组合物是具备加热熔融性的硅氢化反应固化性有机硅片材，并且是如下工序：将该硅氢化反应固化性有机硅片材配置在导电柱部件上之后，使该硅氢化反应固化性有机硅片材加热熔融，从而将导电柱部件的至少一部分担载在固化性树脂组合物的片材内部，并且，

工序(III)是通过选自加热和高能量射线照射中的一种以上的固化机构，使硅氢化反应固化性有机硅片材固化成片材状的工序。

优选地，本发明的半导体制造用导电柱模块前体的制造方法在上述工序(IV)之后，还具有如下工序：将任意露出的导电柱部件粘接在半导体用芯片或基板上之后，通过将该片状的树脂固化物的至少一个面削掉，使导电柱露出在片状树脂固化物的两面。

本发明还涉及一种本发明的半导体制造用导电柱模块前体的制造方法，该制造方法包括以下工序(I')～(V')：

工序(I')：将导电柱部件配置在第一模制部件上的工序；

工序(II')：在上述导电柱部件上配置第二模制部件的工序；

工序(III')：用固化性树脂组合物来填充导电柱部件、第一模制部件以及第二模制部件之间的间隙的工序；

工序(IV')：通过选自加热和高能量射线照射中的一种以上的固化机构，使上述固化性树脂组合物固化成片状的工序；以及，

工序(V')：从半导体制造用导电柱模块前体分离上述第一模制部件和第二模制部件的工序。

本发明还涉及一种半导体或半导体前体的制造方法，该制造方法包括以下工序(L1)～(L5)：

工序(L1)：使本发明的半导体制造用导电柱模块前体密合在载体部件上的工序；

工序(L2)：使该半导体制造用导电柱模块前体的从片状的树脂固化物露出的单面的导电柱部件粘接在半导体用芯片上的工序；

工序(L3)：从该半导体制造用导电柱模块前体移除载体部件之后，将片状的树脂固化物的至少一个面削掉，从而使导电柱露出在片状树脂固化物的表面上的工序；

工序(L4)：将在工序(L3)中露出的导电柱部件焊接在基板上的工序；以及，

工序(L5)：用模制底部填充材料来填充基板、半导体芯片以及导电柱部件之间的间隙的工序。

本发明还涉及一种半导体或半导体前体的制造方法，该制造方法包括以下工序(L1')～(L5')：

工序(L1')：使本发明的半导体制造用导电柱模块前体密合在载体部件上的工序；

工序(L2')：将该半导体制造用导电柱模块前体的从片状的树脂固化物露出的单面的导电柱部件通过焊接粘接在基板上的工序；

工序(L3')：从该半导体制造用导电柱模块前体移除载体部件之后，将片状的树脂固化物的至少一个面削掉，从而使导电柱露出在片状树脂固化物的表面上的工序；

工序(L4')：将在工序(L3')中露出的导电柱直接或经由导电层(再配置层)粘接在半导体芯片上的工序；以及，

工序(L5')：用模制底部填充材料来填充基板、半导体芯片以及导电柱的间隙的工序。

发明的效果

本发明的半导体制造用导电柱模块前体或半导体制造用导电柱模块具有如下特征：可以用于倒装芯片封装的基板的二次布线，或用于在后芯片(RDL-first)封装中形成再配置层(RDL)，且对基板的密合性、应力缓和性以及耐久性优异。另外，可以提供一种使用该导电柱模块的半导体或半导体前体。

根据本发明的半导体制造用导电柱模块前体的制造方法、或者半导体或半导体前体的制造方法，可以提供一种不使用光刻技术、缩短了工序数和时间的制造方法。

附图说明

图1是本发明的半导体制造用导电柱模块前体的一实施方式。

图2是本发明的半导体制造用导电柱模块的一实施方式。

图3是本发明的半导体或半导体前体的一实施方式。

图4是本发明的半导体或半导体前体的一实施方式。

图5是本发明的半导体制造用导电柱模块前体的制造方法的一实施方式。

图6是通过本发明的半导体制造用导电柱模块前体的制造方法而制造的导电柱模块前体的一实施方式。

图7是本发明的半导体制造用导电柱模块前体的制造方法的一实施方式。

图8是利用倒装芯片封装制造本发明的半导体或半导体前体的方法的一实施方式。

图9是利用使用RDL(再配置层)的后芯片封装制造本发明的半导体或半导体前体的方法的一实施方式。

图10是表示实施例中使用的固化性有机硅片材的制造装置的整体构成(包含片材化的部分整体)的图。

图11是表示将实施例中得到的结构体放入设定为250℃的烘箱中30秒后确认结构体的翘曲或导电柱的移动的结果的图。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式进行详细说明。本发明不限于以下的实施方式，可以在其主旨的范围内进行各种变形来实施。

在本发明中，大气压是指在实验室或工厂等对本发明的固化性有机硅组合物进行操作的环境中的大气压，并不限于特定压力，通常是指相对于1个大气压(1013.25hPa)在-100hPa至+100hPa的范围内的气压，特别是指1个大气压(1013.25hPa)。

在本说明书中，室温是指对本发明的半导体制造用导电柱模块前体进行处理的人员所在的环境的温度。室温通常是指0～40℃，特别是指15～30℃，尤其是指18～25℃。

[半导体制造用导电柱模块前体]

以下，首先对本发明的半导体制造用导电柱模块前体进行详细说明。本发明的半导体制造用导电柱模块前体，其特征在于，具备如下结构：由片状的树脂固化物担载有导电柱部件。

在图1中，示出本发明的半导体制造用导电柱模块前体(A)的一实施方式。本发明的半导体制造用导电柱模块前体具备如下结构：在片状的树脂固化物(1')上担载有多个导电柱部件(2)。被担载的结构是指导电柱部件(2)从片状的树脂固化物(1')的至少一个面露出的结构。

片状的树脂固化物可以是固化性有机硅组合物的固化物。

一种固化性有机硅组合物，其特征可在于，含有：

(A)在200℃下暴露一小时的质量减少率为2.0质量％以下、以20:80～90:10的质量比包含下述成分(A1)和成分(A2)的有机聚硅氧烷树脂100质量份；

(A1)分子内具有包含碳碳双键的固化反应性官能团，并且，含有全部硅氧烷单元的20摩尔％以上的SiO_4/2所示的硅氧烷单元，其单独不具有热熔性的、在25℃下为固体的有机聚硅氧烷树脂；

(A2)分子内不具有包含碳碳双键的固化反应性官能团，并且，含有全部硅氧烷单元的20摩尔％以上的SiO_4/2所示的硅氧烷单元，其单独不具有热熔性的、在25℃下为固体的有机聚硅氧烷树脂；

(B)分子内具有至少两个包含碳碳双键的固化反应性官能团，在25℃下为液态或具有可塑性的直链状或支链状的有机聚硅氧烷10～100质量份；

(C)分子内具有至少两个硅键合氢原子的有机氢聚硅氧烷：组合物整体中所包含的每一个与硅原子键合的烯基中、与硅原子键合的氢原子的数量为0.5～20.0个的量；且作为组合物整体具有热熔性。

在本发明中，只要没有特别格外的记载，“具有热熔性”是指，组合物的软化点在50～200℃之间，组合物在100℃下具有1～500Pa·s的熔融粘度，具有能够流动的性质。因此，在本说明书中，具有热熔性的固化性有机硅组合物也记为固化性热熔有机硅组合物。

即，固化性热熔有机硅组合物是通过硅氢化反应可热固化的有机硅组合物，该组合物的主要成分为成分(A)和成分(B)，还含有：作为交联剂的有机氢聚硅氧烷(成分(C))，其中，成分(A)由如下(A1)和(A2)以(A1):(A2)＝20:80～90:10、35:65～90:10、50:50～90:10的质量比组合而成：(A1)在200℃下暴露一小时的质量减少率为2.0质量％以下，分子内具有包含碳碳双键的固化反应性官能团，且含有全部硅氧烷单元的20摩尔％以上的由SiO_4/2所示的硅氧烷单元(以下，称为“Q单元”)，其单独不具有热熔性的、在25℃下为固体的有机聚硅氧烷树脂；(A2)在200℃下暴露一小时的质量减少率为2.0质量％以下，分子内不具有包含碳碳双键的固化反应性官能团，并且，含有全部硅氧烷单元的20摩尔％以上的Q单元，其单独不具有热熔性的、在25℃下为固体的有机聚硅氧烷树脂；以及在25℃下为液态或具有可塑性的含有碳碳双键的直链状或支链状的有机聚硅氧烷(成分(B))。另外，在固化性热熔有机硅组合物中也可以通过任意选择使用硅氢化反应延迟剂、即所谓的固化延迟剂，但在该情况下，优选使用沸点为200℃以上，特别是沸点在1个大气压下(1013.25hPa)为200℃以上的固化延迟剂。进一步地，固化性热熔有机硅组合物也可以在本发明能够维持目标特性的范围内，添加本领域中公知的其他添加剂。

[固化性有机硅组合物的热熔性和构成]

固化性有机硅组合物的特征在于，作为组合物整体具有热熔性，且能够在加热条件下流动。特别是，固化性有机硅组合物优选其软化点为50℃以上，在150℃下具有熔融粘度(优选地，以由后述高化式流量测试仪测定的值计低于200Pa·s的熔融粘度)。需要说明的是，在本发明中，只要作为组合物整体具有热熔性即可，构成该组合物的单独成分(特别是(A)成分)不具有热熔性。

[成分(A)]

为了尽可能降低固化本组合物而成的固化产物的表面发粘(表面粘度)，以及抑制高温下固化物的弹性模量的变化，需要是成分(A)在200℃下暴露一小时的质量减少率为2.0质量％以下。

固化性有机硅组合物包含质量比为20:80～90:10、35:65～90:10、50:50～90:10的如下组合物作为成分(A)：具有包含碳碳双键的固化反应性官能团、含有全部硅氧烷单元的20摩尔％以上的Q单元、其单独不表现出热熔性、在25℃下为固体的有机聚硅氧烷树脂；以及，不具有包含碳碳双键的固化反应性官能团、含有全部硅氧烷单元的20摩尔％以上的Q单元、其单独不表现出热熔性、在25℃下为固体的有机聚硅氧烷树脂。该有机聚硅氧烷树脂还可以包含由R₃SiO_1/2、R₂SiO_2/2、RSiO_3/2(R各自独立地表示一价有机基团，特别是碳原子数1～10的一价烃基)所示的硅氧烷单元、或由R²O_1/2(R²为具有氢原子或1～10个碳原子的烷基)所示的羟基或烷氧基，但优选地，在全部硅氧烷单元的20摩尔％以上、优选为40摩尔％以上、特别为40～90摩尔％的范围内包含Q单元。Q单元的含量小于20摩尔％时，即使有机聚硅氧烷树脂包含大量的其他支链硅氧烷单元(例如RSiO_3/2)，有时也无法实现本发明的技术效果。

这样的(A)有机聚硅氧烷树脂为以20:80～90:10、35:65～90:10、50:50～90:10(成分(A1):成分(A2))质量比包含以下成分的有机聚硅氧烷树脂混合物：

(A1)分子内具有包含碳碳双键的固化反应性官能团，且含有全部硅氧烷单元的20摩尔％以上的Q单元、其单独不具有热熔性、在25℃下为固体的有机聚硅氧烷树脂；以及

(A2)分子内不具有包含碳碳双键的固化反应性官能团，且含有全部硅氧烷单元的20摩尔％以上的Q单元.其单独不具有热熔性、在25℃下为固体的有机聚硅氧烷树脂。在此，固化反应性是指，能与成分(C)的有机氢硅氧烷进行硅氢化反应，由此组合物整体能进行固化，是指在烯基、丙烯酰氧基等分子内含有碳碳双键的固化反应性官能团。

上述(A)成分单独不表现出热熔性，但能够通过与后述的(B)成分在规定的量比范围内并用，可以使组合物整体具有热熔性。

[具有固化反应性官能团的有机聚硅氧烷树脂(A1)]

上述成分(A1)为本组合物的主剂之一，是含有20摩尔％以上的Q单元，单独不具有热熔性，另外，分子内具有包含碳碳双键的固化反应性官能团的有机聚硅氧烷树脂。

成分(A1)需要在分子内具有包含碳碳双键的固化反应性基团。这样的固化反应性基团为硅氢化反应性的官能团，可通过与成分(C)的氢化硅烷化交联反应而形成固化物。这样的固化反应性基团可以特别为烯基，例如，可以列举出乙烯基、己烯基等碳原子数2～10的烯基。

成分(A 1)为其单独不具有热熔性、在无溶剂的状态下为固体状的有机聚硅氧烷树脂。在此，不具有热熔性是指，作为成分(A1)的有机聚硅氧烷树脂其单独在200℃以下不表现加热熔融行为，具体而言，是指在200℃以下不具有软化点和熔融粘度。为了使成分(A1)显示这样的物性，有机聚硅氧烷树脂中的官能团是选自碳原子数1～10的一价烃基，特别是甲基等碳原子数1～10的烷基中的官能团，实质上不含苯基等芳基，例如芳基占全部硅键合有机基团的比例为5摩尔％以下，也可为2摩尔％以下，优选完全不含芳基。在成分(A1)大量包含苯基等芳基作为有机基团的情况下，该成分有时单独表现出热熔性，且有时会降低来自Q单元的增强固化产物的效果。

优选地，成分(A1)的有机聚硅氧烷树脂的与硅原子键合的官能团为选自甲基和乙烯基等烯基的基团，全部与硅原子键合的有机基团的70摩尔～99摩尔％可以为甲基，其他与硅原子键合的有机基团可以为乙烯基等烯基。在所涉及的范围内，成分(A1)其单独不为热熔性，作为由固化性有机硅组合物得到的固化物的高温下的耐着色性等特别优异的成分是有用的。需要说明的是，该成分(A1)的有机聚硅氧烷树脂也可以包含少量的羟基或烷氧基。

成分(A1)为在无溶剂状态下是固体状的有机聚硅氧烷树脂，优选地，成分(A1)为：

(A1-1)下述平均单元式所示的有机聚硅氧烷树脂：

(R¹ ₃SiO_1/2)_a(R¹ ₂SiO_2/2)_b(R¹SiO_3/2)_c(SiO_4/2)_d(R²O_1/2)_e

(式中，各R¹独立地为具有1～10个碳原子的一价烃基，其中，一分子中的全部R¹的1～12摩尔％为烯基；各R²为氢原子或具有1～10个碳原子的烷基；a、b、c、d以及e为满足以下的数：0.10≤a≤0.60、0≤b≤0.70、0≤c≤0.80、0.20≤d≤0.65、0≤e≤0.05，其中，0.20≤c+d，并且a+b+c+d＝1)

所示的、其单独不具有热熔性、在25℃下为固体的有机聚硅氧烷树脂。

在上述平均单元式中，各R¹独立地为具有1～10个碳原子数的一价烃基，例如，甲基等烷基；乙烯基等烯基；苯基等芳基。进一步地，一分子中的全部R¹的1～12摩尔％为烯基，一分子中的全部R¹的2～10摩尔％为烯基，特别优选为乙烯基。在烯基的含量小于上述范围的下限时，有时所得到的固化物的机械强度(硬度等)变得不充分。另一方面，如果烯基的含量为上述范围的上限以下，则包含本成分的组合物能够作为组合物整体实现良好的热熔性能。

上述式中，R²为氢原子或具有1～10个碳原子的烷基。作为R²的烷基，可以举例示出甲基。包含该R²的基团R²O_1/2相当于成分(A)的有机聚硅氧烷树脂所具有的羟基或烷氧基。

上述式中，a为表示通式：R¹ ₃SiO_1/2的硅氧烷单元的比例的数。a满足0.1≤a≤0.60、0.15≤a≤0.55。如果a为上述范围的下限以上，则包含本成分的组合物能够作为组合物整体实现良好的热熔性能。另一方面，如果a为上述范围的上限以下，则使固化性有机硅组合物固化而得到的固化物的机械强度(硬度、伸长率等)不变得过低。

上述式中，b为表示通式：R¹ ₂SiO_2/2的硅氧烷单元的比例的数。b满足0≤b≤0.70、0≤b≤0.60。如果b为上述范围的上限以下，则包含本成分的组合物能够作为组合物整体实现良好的热熔性能，且能够得到在室温下发粘少的组合物。

上述式中，c为表示通式：R³SiO_3/2的硅氧烷单元的比例的数。c满足0≤c≤0.80、0≤c≤0.75。如果c为上述范围的上限以下，则包含本成分的组合物能够作为组合物整体实现良好的热熔性能，且能够得到在室温下发粘少、低粘性或无粘性的组合物。在本发明中，c可以为0，且优选。

上述式中，d是表示Q单元的比例的数，可以为0.20≤d≤0.65、0.25≤d≤0.65。如果d在上述数值范围内，则包含本成分的组合物能够作为组合物整体实现良好的热熔性能，能够使组合物固化而得到的固化物较硬，且具有在实用上充分的柔软性。

上述式中，e为表示通式：R²O_1/2的单元的比例的数，该单元是指在有机聚硅氧烷树脂中可能包含的、与硅原子键合的羟基或烷氧基。e满足0≤e≤0.05，优选满足0≤e≤0.03。如果e在范围的上限以下，则能够得到作为组合物整体实现良好的热熔性能的材料。需要说明的是，上述式中，作为各硅氧烷单元的总和的a、b、c以及d的合计等于1。

成分(A1)是具有上述特征的有机聚硅氧烷树脂，但由于在室温下为固体，因此为了与后述的成分(B)进行物理混合，可在选自由甲苯、二甲苯以及均三甲苯等芳香族烃；四氢呋喃和二丙醚等醚类；六甲基二硅氧烷、八甲基三硅氧烷以及十甲基四硅氧烷等有机硅类；乙酸乙酯、乙酸丁酯以及乙酸丙二醇单甲醚等酯类；丙酮、甲基乙基酮以及甲基异丁基酮等酮类等所组成的组中的溶剂或溶剂混合物中溶解的状态下使用。在此使用的溶剂能够在后述工序中高效地去除。

[成分(A2)]

成分(A2)为本组合物的主剂之一，为其单独不具有热熔性、不含有固化反应性官能团、在25℃下为固体的有机聚硅氧烷树脂，为用于通过与上述的成分(A1)和成分(B)在规定的量的范围内并用，实现作为固化性有机硅组合物整体的热熔性以及使固化性有机硅组合物固化而得到的固化物的优异的应力缓和性的成分。

成分(A2)为其单独不具有热熔性、在无溶剂的状态下为固体状的有机聚硅氧烷树脂。在不具有热熔融性时的成分(A2)的表现、与优选不包含苯基等芳基方面与成分(A1)相同。

成分(A2)具有如下特征：与成分(A1)相同，在25℃下为固体，为含有全部硅氧烷单元的20摩尔％以上的Q单元的有机聚硅氧烷树脂，但分子内不具有至少包含一个碳碳双键的固化反应性官能团。即，成分(A2)的特征在于，不包含乙烯基等烯基作为有机聚硅氧烷树脂中的官能团。作为成分(A2)的有机聚硅氧烷树脂所具有的基团可以列举出碳原子数1～10的一价烃基、特别是甲基等的碳原子数1～10的烷基，该有机聚硅氧烷树脂实质上不包含苯基等芳基，例如，占全部与硅键合的有机基团中的芳基的比例为5摩尔％以下、可以为2摩尔％以下，优选完全不包含芳基。

优选地，成分(A2)中的与硅原子键合的官能团为甲基等碳原子数1～10的烷基，与全部硅原子键合的有机基团的70摩尔～100摩尔％可以是甲基。在所涉及的范围内，成分(A2)可以为其单独不表现热熔性，且能够为由SiO_4/2所示的包含硅氧烷单元的固化物的增强效果特别优异的成分。需要说明的是，该成分(A2)的有机聚硅氧烷树脂也可以包含少量的羟基或烷氧基。

成分(A2)在分子内不具有包含碳碳双键的固化反应性官能团，因此其本身即使与成分(C)的有机氢聚硅氧烷组合也不形成固化物，但具有改善作为固化性有机硅组合物整体的热熔性、或对使固化性有机硅组合物固化而得到的固化物的增强效果。另外，根据需要，通过与具有固化反应性官能团的成分(A1)并用，能够调节所得到的固化性有机硅组合物的加热熔融特性以及组合物的固化后的物性等。

成分(A2)为在无溶剂状态下在25℃为固体状的有机聚硅氧烷树脂，其特征在于，分子内含有作为支链硅氧烷单元的全部硅氧烷单元的20摩尔％以上的Q单元。优选的是，成分(A2)的有机聚硅氧烷中，Q单元为全部硅氧烷单元的40摩尔％以上、50摩尔％以上，特别在50～65摩尔％的范围。

优选的是，成分(A2)为下述平均单元式：

(R³ ₃SiO_1/2)_f(R³ ₂SiO_2/2)_g(R³SiO_3/2)_h(SiO_4/2)_i(R²O_1/2)j

(式中，各R³独立地为具有1～10个碳原子，且不包含碳碳双键的一价烃基；R²为氢原子或具有1～10个碳原子的烷基；f、g、h、i以及j为满足以下的数：0.35≤f≤0.55、0≤g≤0.20、0≤h≤0.20、0.45≤i≤0.65、0≤j≤0.05且f+g+h+i＝1)

所示的、其单独不具有热熔性的有机聚硅氧烷树脂。

上述平均单元式中，各R³独立地为具有1～10个的碳原子，且不包含碳碳双键的一价烃基，例如，选自由甲基等烷基、苯基等芳基、苄基等芳烷基所组成的组中的基团。在此，一分子中的全部R³的70摩尔％以上为甲基等碳原子数1～10的烷基，特别为甲基，但从工业生产以及发明的技术效果的观点考虑，特别优选。另一方面，R³优选实质上不包含苯基等芳基。在大量包含苯基等芳基的情况下，成分(A2)本身变得具有热熔性，除了有时无法实现本发明的技术效果以外，还有时使固化性有机硅组合物固化而得到的固化物的高温下的耐着色性恶化。

在上述式中，R²如上所述，但R²为烷基时，可以举例示出甲基。

在上述式中，f为表示通式：R³ ₃SiO_1/2的硅氧烷单元的比例的数。f满足0.35≤f≤0.55、0.40≤f≤0.50。如果f为上述范围的下限以上，则包含本成分的固化性有机硅组合物能够作为组合物整体实现良好的热熔性能。另一方面，如果f为上述范围的上限以下，则所得到的固化物的机械强度(硬度等)不会变得过低。

上述式中，g为表示通式：R³ ₂SiO_2/2的硅氧烷单元的比例的数。g满足0≤g≤0.20、0≤g≤0.10。如果g为范围的上限以下，则包含本成分的固化性有机硅组合物能够作为组合物整体实现良好的热熔性能，且能够得到在室温下发粘少的组合物。在本发明中，g可以为0。

上述式中，h为表示通式：R³SiO_3/2的硅氧烷单元的比例的数。h满足0≤h≤0.20、0≤h≤0.10。如果h为范围的上限以下，则包含本成分的固化性有机硅组合物能够作为组合物整体实现良好的热熔性能，且能够得到在室温下发粘少的组合物。在本发明中，h可以为0。

在上述式中，i是表示Q单元的比例的数，可以为0.45≤i≤0.65、0.50≤i≤0.65。i在该数值范围内，包含本成分的固化性有机硅组合物能够作为组合物整体实现良好的热熔性能，使固化性有机硅组合物固化而得到的固化物的机械强度优异，且能够作为组合物整体实现无发粘、操作作业性良好的组合物。

上述式中，j为表示通式：R²O_1/2的单元的比例的数，该单元是指在有机聚硅氧烷树脂中可能包含的与硅原子键合的羟基或烷氧基。j满足0≤j≤0.05、0≤j≤0.03。如果j为上述范围的上限以下，则能够作为固化性有机硅组合物整体实现良好的热熔性能。需要说明的是，上述式中，作为各硅氧烷单元的总和的f、g、h以及i的合计等于1。

成分(A2)是具有上述特征的有机聚硅氧烷树脂，关于操作性与上述的成分(A1)同样。即，成分(A2)在室温(例如25℃)下为固体，因此与成分(A1)同样，为了与成分(B)混合，可以在溶解于上述的溶剂或溶剂混合物的状态下使用，然后去除溶剂，制备固化性有机硅组合物。

[成分(A)中的挥发性的低分子量成分的去除]

关于成分(A1)、成分(A2)，在各自的生产工序中，生成挥发性的低分子量成分。挥发性低分子量成分具体而言为M₄Q的结构体，将由M单元(R³ ₃SiO_1/2)和Q单元(SiO_4/2)构成的有机聚硅氧烷树脂聚合时，以副产物的形式出现。本结构体具有显著降低由固化性有机硅组合物得到的固化物的硬度的效果。成分(A1)和成分(A2)的有机聚硅氧烷树脂在与它们相溶性高的有机溶剂的存在下通过原料单体的聚合反应来制造，通过减压干燥等去掉该有机溶剂，由此可得到固体状的有机聚硅氧烷树脂，但M₄Q的结构体与有机聚硅氧烷树脂的相溶性高，难以在去掉有机溶剂这样的干燥条件下去除。已知M₄Q结构体可以通过将包含其的有机聚硅氧烷树脂短时间暴露于200℃以上的温度下而将其去除，但在将包含M₄Q结构体的固化性有机硅组合物与半导体等基材一体成型后，如果以暴露于高温来去除M₄Q结构体，则可能会引起由固化性有机硅组合物产生的固化物的体积减少和显著的硬度上升，成型物的尺寸发生变化，产生翘曲等。进一步地，本M₄Q结构体还兼具对得到的固化物赋予粘合性的效果，因此本质上具有提高固化物的表面粘性的效果。在固化物的使用用途为保护基板的密封剂、特别是以单面保护为目的的密封剂时，有时需要尽可能地降低表面粘性，M₄Q结构体的存在成为问题。另外，当本M₄Q结构体在组合物或固化物中大量残留时，有时在以双面粘接为目的的粘接层或密封层中也会引起显著的硬度上升，弹性模量大幅变化。因此，为了将固化性有机硅组合物应用于与半导体等基材层叠的用途，优选在与基材层叠而使固化性有机硅组合物固化的成型工序之前，尽可能在制备固化性有机硅组合物前的原料的时间点从有机聚硅氧烷树脂中去除M₄Q结构体。

作为从有机聚硅氧烷树脂去除M₄Q结构体的方法，可列举出：在有机聚硅氧烷树脂的制造工序中，在得到粒子状的有机聚硅氧烷树脂后，将其用烘箱等干燥来去除M₄Q结构体的方法；用后述的双螺杆混炼机与上述的有机溶剂一起去除的方法等。

更具体而言，成分(A1)、成分(A2)是在有机溶剂的存在下制造的，制造工序中M₄Q结构体等的挥发成分以副产物的形式出现。在200℃左右的高温下对得到的作为粗原料的有机聚硅氧烷树脂进行短时间处理可以去除挥发成分，因此，通过温度设定为200℃以上的双螺杆混炼机等，能够从成分(A1)、成分(A2)中同时去除有机溶剂和M₄Q结构体等挥发成分。从高效地生产固化性热熔有机硅组合物的观点考虑，优选进行如下工序：向溶解于有机溶剂的成分(A2)或成分(A1)与成分(A2)的混合物中添加后述的成分(B)，在液体的状态下进行混合，将该混合而成的物质进料至设定为200℃以上的双螺杆挤出机，与有机溶剂一并去除M₄Q结构体等挥发成分。可以通过该方法得到热熔性的成分(A)与成分(B)的混合物，可以将该混合物用于在后述的工序中与构成固化性有机硅组合物的其余成分的混炼。

[成分(A)中的成分(A1)与成分(A2)的质量比]

为了作为本组合物整体具有热熔性，成分(A2)、或成分(A1)与成分(A2)的混合物需要以后述的规定比率与成分(B)混合，但成分(A1)与成分(A2)的比率可以为20:80～90:10的范围，也可以为35:65～90:10的范围、50:50～90:10。成分(A2)由于其本身不具有固化反应性官能团，因此不具有固化性，但在本组合物中通过将成分(A2)与成分(A1)组合使用，能够在某种程度上调节使本固化性组合物固化而得到的固化物的储能模量、损耗模量以及根据它们之比计算出的tanδ，由此能够实现固化物的优选的弹性模量、柔软性以及应力缓和性。另外，即使在没有成分(A1)的情况下，将成分(A2)与成分(B)组合，也能够制备所期望的特性的固化性热熔有机硅组合物。

[成分(B)]

成分(B)为本固化性有机硅组合物的主剂之一，为在25℃下为液状的或为具有可塑性的直链状或支链状的有机聚硅氧烷，且分子内具有至少两个包含碳碳双键的固化反应性官能团。这样的固化反应性的链状有机聚硅氧烷通过与上述的成分(A)的固体状有机聚硅氧烷树脂混合，能够作为组合物整体体现热熔特性。

成分(B)需要在分子内具有包含碳碳双键的固化反应性官能团。这样的固化反应性官能团具有硅氢化反应性，通过与其他成分的交联反应而形成固化物。这样的固化反应性官能团可以举例列出与成分(A1)所具有的官能团相同的烯基，特别是乙烯基或己烯基。

成分(B)为在25℃(室温)下为液状的或具有可塑性的直链状或支链状的有机聚硅氧烷，通过与在室温下为固体状的成分(A)混合，能够作为组合物整体体现热熔特性。成分(B)的有机聚硅氧烷的化学结构可以为直链状、或者也可以为具有少数支链的硅氧烷单元(例如，由通式：R⁴SiO_3/2所示的T单元(R⁴独立地为具有1～10个碳原子的一价烃基)或由SiO_4/2所示的Q单元)的支链状的有机聚硅氧烷，但优选的是，

(B1)由下述结构式：

R⁴ ₃SiO(SiR⁴ ₂O_2/2)_kSiR⁴ ₃

(式中，各R⁴独立地为具有1～10个碳原子的一价烃基，其中，一分子中的R⁴的至少两个为烯基，k为20～5,000的数)

所示的直链状二有机聚硅氧烷。优选的是，优选分子链两末端各具有一个烯基，特别是具有乙烯基的直链状二有机硅氧烷。

在上述式中，各R⁴独立地为具有1～10个碳原子数的一价烃基，例如，选自由甲基等烷基、乙烯基等烯基、苯基等芳基、苄基等芳烷基所组成的组中的基团。进一步地，可以举例列出一分子中的至少两个R⁴为烯基，特别是乙烯基。另外，各R⁴可以为选自由甲基等碳原子数1～10的烷基、以及乙烯基和己烯基等烯基所组成的组中的官能团，全部的R⁴中，一分子中至少两个为烯基，其余R⁴可以为甲基。需要说明的是，从发明的技术效果的观点考虑，R⁴优选实质上不包含苯基等芳基。在大量包含苯基等芳基的情况下，有时由固化性有机硅组合物得到的固化物的高温下的耐着色性恶化。特别优选地，分子链两末端分别具有一个乙烯基等烯基，其余R⁴可以是甲基。

上述式中，k为20～5,000、30～3,000、45～800的数。如果k为上述范围的下限以上，则能够得到室温下发粘少的固化性有机硅组合物。另一方面，如果k为上述范围的上限以下，则能够作为固化性有机硅组合物整体实现良好的热熔性能。

在此，为了作为组合物整体表现出热熔性，相对于作为有机聚硅氧烷树脂的成分(A)100质量份，作为直链状或支链状的有机聚硅氧烷的成分(B)为10～100质量份的范围，也可以为10～70质量份的范围、15～50质量份的范围。如果成分(B)的含量在上述范围内，则所得到的固化性有机硅组合物能够表现出良好的热熔性，且增大使固化性有机硅组合物固化而得到的固化物的机械强度，且能够降低所得到的固化性有机硅组合物的室温下的发粘，由此组合物的操作作业性得到改善。

[成分(C)]

成分(C)为能够在硅氢化反应用催化剂的存在下与上述的成分(A)和成分(B)所包含的碳碳双键交联的、在一分子中具有至少两个与硅原子键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷，为使组合物固化的成分。

作为交联剂的有机氢聚硅氧烷的结构没有特别限定，可以为直链状、支链状、环状或树脂状。即，(C)成分可以为具有如下单元的有机氢聚硅氧烷：由HR₂SiO_1/2所示的有机氢硅氧烷单元(M^H单元，R独立地为一价有机基团)、由HRSiO_2/2所示的有机氢硅氧烷单元(D^H单元，R独立地为一价有机基团)。

另一方面，在将本固化性有机硅组合物用于成型工序的情况下，本组合物中的包含碳碳双键的固化反应性官能团的含量少，因此从固化速度、其成型性以及固化性的观点考虑，有机氢聚硅氧烷可以为如下有机氢聚硅氧烷树脂：包含作为由RSiO_3/2所示的单有机硅氧烷单元(T单元，R为一价有机基团或硅原子键合氢原子)或由SiO_4/2所示的硅氧烷单元(Q单元)的支链单元，且分子内具有至少两个由HR₂SiO_1/2所示的二有机氢硅氧烷单元(M^H单元，R独立地为一价有机基团)，分子末端具有M^H单元。

特别优选的有机氢聚硅氧烷为

由下述平均组成式(1)：

(R⁵ ₃SiO_1/2)_a(R⁶ ₂SiO_2/2)_b(R⁶SiO_3/2)_c(SiO_4/2)_d(R²O_1/2)e(1)

(式中，R⁵分别独立地为氢原子或碳原子数1～12的不含脂肪族不饱和键的未取代或被取代的一价烃基，R⁶分别独立地为碳原子数1～12的不含脂肪族不饱和键的未取代或被取代的一价烃基，全部R⁵中至少两个为氢原子，a、b、c以及d为满足0.01≤a≤0.6、0≤b、0≤c≤0.9、0≤d≤0.9、以及a+b+c+d＝1且c+d≥0.2的条件的数。)

所示的有机氢聚硅氧烷。需要说明的是，该有机氢聚硅氧烷也可以任意地具有如下特征：在大气压下在100℃下暴露1小时后相对于暴露前的质量减少率为10质量％以下。

上述式中，各R⁵为分别相同或不同的不具有脂肪族不饱和碳键的碳原子数1～12的一价烃基或氢原子，其中，一分子中至少两个、优选至少三个R⁵为氢原子。作为除氢原子以外的R⁵的一价烃基为选自例如由甲基等烷基、苯基等芳基、苄基等芳烷基所组成的组中的基团。从工业上的观点考虑，R⁵所示的一价烃基可以独立地为甲基或者苯基。

式中，R⁶为不具有脂肪族不饱和碳键的碳原子数1～12的一价烃基，可举例示出与上述R⁵的一价烃基同样的基团。R⁶可以是选自甲基和苯基中的基团。

式中，a、b、c以及d为满足以下的条件的数：0.01≤a≤0.6、0≤b、0≤c≤0.9、0≤d≤0.9以及a+b+c+d＝1且c+d≥0.2。作为具体的示例，可列举出：M^HMT树脂、M^HT树脂、M^HMTQ树脂、M^HMQ树脂、M^HDQ树脂以及M^HQ树脂等。上述树脂的记载中，M、D、T、Q分别表示M单元、D单元、T单元以及Q单元，M^H表示具有氢原子的M单元。

上述式(1)中，R²为具有氢原子或1～10个碳原子的烷基。作为R²的烷基，可举例示出甲基等。包含该R²的基团R²O_1/2相当于成分(C)的有机氢聚硅氧烷所具有的羟基或烷氧基。

上述式中，e为表示通式：R²O_1/2的单元的比例的数，该单元是指在有机聚硅氧烷树脂中可能包含的与硅原子键合的羟基或烷氧基。e满足0≤e≤0.05、0≤e≤0.03。需要说明的是，如上所述，上述式(1)中，作为各硅氧烷单元的总和的a、b、c以及d的合计等于1。

成分(C)可以举例示出由下述平均组成式(2)所示的有机氢聚硅氧烷。

(HR⁷ ₂SiO_1/2)_f(R⁷ ₂SiO_2/2)_g(SiO_4/2)_h(2)

式(2)中，R⁷各自独立地为碳原子数1～12的不包含脂肪族不饱和键的未取代或被取代的一价烃基，f、g以及h为满足以下条件的数：0.01≤f≤0.6、0≤g≤0.9、0.2≤h≤0.9、以及f+g+h＝1。

该一价烃基的具体例子与作为在上述平均组成式(1)中R⁵所示的一价烃基的具体例子所示的一价烃基相同。R⁷可以各自独立地为选自甲基和苯基中的基团。

另外，成分(C)可以举例示出由下述平均式(3)所示的有机氢聚硅氧烷。

(HR⁸ ₂SiO_1/2)_i(R⁸ ₂SiO_2/2)_j(R⁹SiO_3/2)_k(3)

式(3)中，R⁸和R⁹各自独立地为碳原子数1～12的不包含脂肪族不饱和键的未取代的或被取代的一价烃基，全部R⁹中的10摩尔％以上为芳基，且i、j以及k为满足以下条件的数：0.01≤i≤0.6、0≤j≤0.9、0.2≤k≤0.9以及i+j+k＝1。

该一价烃基的具体例子与作为在上述平均组成式(1)中R⁵所示的一价烃基的具体例子所示的一价烃基相同。以全部R⁹中的10摩尔％以上为苯基作为条件，R⁹可以各自独立地为选自甲基和苯基中的基团。

上述由平均组成式(2)所示的有机氢聚硅氧烷以及由平均组成式(3)所示的有机氢聚硅氧烷可以各自单独使用，也可以并用。

固化性有机硅组合物中的成分(C)的有机氢聚硅氧烷的含量为足够使固化性有机硅组合物固化的量，为相对于成分(A)和成分(B)中的包含碳碳双键的固化反应性官能团(例如，乙烯基等烯基)，成分(C)的有机氢聚硅氧烷中的硅原子键合氢原子的量为相对于固化性有机硅组合物整体所包含的与硅原子键合的烯基，每一个烯基的硅原子键合氢原子的数(以下称为“SiH/Vi比”)为0.5～20.0个的量，特别优选为1.0～10个范围的量。

[挥发性成分的去除]

另一方面，这些有机氢聚硅氧烷无论为任意结构，均优选为在大气压下、特别是在1个大气压(1013.25hPa)下在100℃左右不易挥发的成分。这是因为，在后述的固化性热熔有机硅片材或膜的生产工序中，为了得到不含有空隙等的片材或膜，需要在减压下在50～150℃的温度范围内对固化性有机硅组合物的各成分、进而对由此得到的组合物进行熔融混炼，通过使用各成分，能够制造不包含空隙等的片材或膜。各成分在减压下规定的温度下暴露非常短的时间，但如果在该混炼条件下有效成分大量挥发，则会产生无法得到按照设计的特性的组合物的问题。特别是，作为交联剂的有机氢聚硅氧烷的添加量相对于固化性有机硅组合物的全部质量少，因此由于这些成分的挥发而组合物的特性(固化特性、固化物的物性等)会与预期值发生大幅变化。因此，成分(C)需要使用不易挥发的成分，具体而言，在大气压下在100℃下暴露1小时后相对于暴露前的质量减少率可以为10质量％以下，根据用途优选。

进一步地，固化性有机硅组合物可包含成分(D)和/或(E)填料或颜料，所述成分(D)是促进包含碳碳双键的固化反应性基团与成分(C)的硅氢化反应的催化剂。

[成分(D)]

成分(D)为促进包含碳碳双键的固化反应性基团与成分(C)的硅氢化反应的催化剂，可举例示出铂系催化剂、铑系催化剂、钯系催化剂、镍系催化剂、铱系催化剂、钌系催化剂以及铁系催化剂，优选为铂系催化剂。作为该铂系催化剂，可举例示出：铂微粉末、铂黑、铂担载二氧化硅微粉末、铂担载活性炭、氯铂酸、氯铂酸的醇溶液、铂的烯烃络合物、铂的烯基硅氧烷络合物等铂系化合物，特别优选铂的烯基硅氧烷络合物。作为该烯基硅氧烷，可举例示出：1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷、由乙基、苯基等取代了这些烯基硅氧烷的甲基的一部分的烯基硅氧烷、由烯丙基、己烯基等取代了这些烯基硅氧烷的乙烯基的烯基硅氧烷。特别是，从该铂-烯基硅氧烷络合物的稳定性良好的观点考虑，优选1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷。此外，从能够使该铂-烯基硅氧烷络合物的稳定性提高的观点考虑，优选在该络合物中添加：1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,3-二烯丙基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,3-二乙烯基-1,3-二甲基-1,3-二苯基二硅氧烷、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四苯基二硅氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷等烯基硅氧烷、二甲基硅氧烷低聚物等有机硅氧烷低聚物，特别优选添加烯基硅氧烷。此外，从改善操作作业性和组合物的适用期的观点考虑，这些硅氢化反应催化剂也可以是作为在有机硅树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂等热塑性树脂中分散或胶囊化的催化剂的、含硅氢化反应催化剂的热塑性树脂微粒，特别是包含含铂的硅氢化反应催化剂的热塑性树脂微粒。需要说明的是，作为促进硅氢化反应的催化剂，可以使用铁、钌、铁/钴等非铂系金属催化剂。

从固化性有机硅组合物生产时的稳定性、操作作业性以及组合物的使用寿命的改善观点来看，成分(D)的至少一部分可以为含有(D1)含铂硅氢化反应催化剂的热塑性树脂微粒，铂系硅氢化反应催化剂可以是溶解或分散在热塑性树脂中的微粒，或是在热塑性树脂的壳中含有铂系催化剂作为核的结构的微胶囊微粒中的任一种。作为铂系催化剂，可举例示出与上述同样的铂的烯基硅氧烷络合物等。另外，热塑性树脂只要至少在固化性有机硅组合物的生产过程和储存过程中实质上不透过铂系催化剂且实质上不溶解于固化性有机硅组合物的主成分的有机聚硅氧烷中，就没有特别限定，但该热塑性树脂的软化点或玻璃化转变点优选为80℃以上，更优选为120℃以上。具体而言，能够优选使用有机硅树脂、聚硅烷树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、甲基纤维素聚碳酸酯树脂。该软化点是树脂由于自重或自身的表面张力而开始流动的温度，可以通过一边以一定速度升温一边利用显微镜观察粉碎粒子的方法来测定。另外，该玻璃化转变点可以通过DSC(Differential ScanningCalorimeter：差示扫描热量计)进行测定。在本发明中，优选软化点和玻璃化转变点中的任一个为120℃以上。这是因为，如果热塑性树脂的软化点或玻璃化转变点低于120℃，则在后述均匀混合固化性有机硅组合物的工序中，铂成分有可能开始溶出。另外，该含有铂系催化剂的热塑性微粒的平均粒径没有限定，但优选为0.1～500μm的范围内，更优选为0.3～100μm的范围内。这是因为，难以制备平均粒径小于上述范围的下限的含有铂系催化剂的热塑性树脂微粒，另一方面，如果超过上述范围的上限，则在固化性有机硅组合物中的分散性降低。

制备这样的含铂硅氢化反应催化剂的热塑性树脂微粒的方法没有限定，可举例示出以往公知的界面聚合法或原位(in-situ)聚合法等化学方法、凝聚法或液中干燥法等物理/机械方法。特别是，从较容易得到窄粒径分布的微胶囊微粒的观点考虑，优选液中干燥法和使用喷雾干燥器等的气相干燥法。通过这些方法得到的微粒可以直接使用，但为了得到储存稳定性优异的组合物，期望将该微粒通过适当的洗净溶剂洗净而去除附着在其表面的铂系催化剂。在此，适当的清洗溶剂是指，具有不溶解热塑性树脂，但溶解铂系催化剂的性质的清洗溶剂。作为这样的清洗溶剂，例如，可列举出：甲醇、乙醇等醇类；六甲基二硅氧烷等低分子量有机聚硅氧烷类等。硅氢化反应用催化剂相对于热塑性树脂的比率根据粒状物的制造方法而大幅变化，因此无法特别限定，但优选铂系催化剂相对于热塑性树脂的含量为0.01质量％以上。这是因为，当铂系催化剂的含量低于0.01质量％时，如果未大量含有在固化性有机硅组合物中所占的含有铂系催化剂的热塑性树脂微粒，则固化物的物性因固化性有机硅组合物而受到损害。

作为成分(D)的硅氢化反应用催化剂的添加量为催化剂量，优选相对于组合物(固体成分)整体为金属原子以质量单位计在0.01～500ppm的范围内的量、为0.01～100ppm的范围内的量或0.01～50ppm的范围内的量。

成分(D)的一部分或全部，可以是不照射高能量射线则不显示活性，但通过高能量射线的照射而在组合物中显示活性的硅氢化反应用催化剂，所谓的高能量射线活性化催化剂或光活性化催化剂。通过使用这种成分(D)，作为组合物整体，能够实现如下特性：以高能量射线的照射为触发，即使在低温下也能固化，保存稳定性优异，并且，反应的控制容易，因此操作作业性优异。

高能量射线可列举出紫外线、伽马射线、X射线、α射线、电子束等。特别是可列举出：紫外线、X射线以及由市售的电子束照射装置照射的电子束，其中，从催化剂活性化的效率方面考虑，优选紫外线，从工业上利用的观点考虑，优选波长280～380nm的范围的紫外线。另外，照射量根据高能量射线活性型催化剂的种类而不同，但在紫外线的情况下，波长365nm下的累积照射量优选在100mJ/cm²～100J/cm²的范围内。

作为成分(D)的具体例子，可列举出：(甲基环戊二烯基)三甲基铂(IV)、(环戊二烯基)三甲基铂(IV)、(1,2,3,4,5-五甲基环戊二烯基)三甲基铂(IV)、(环戊二烯基)二甲基乙基铂(IV)、(环戊二烯基)二甲基乙酰基铂(IV)、(三甲基甲硅烷基环戊二烯基)三甲基铂(IV)、(甲氧基羰基环戊二烯基)三甲基铂(IV)、(二甲基苯基甲硅烷基环戊二烯基)三甲基环戊二烯基铂(IV)、三甲基(乙酰丙酮)铂(IV)、三甲基(3,5-庚二酸酯)铂(IV)、三甲基(甲基乙酰乙酸酯)铂(IV)、双(2,4-戊二酮酸)铂(II)、双(2,4-己二酮酸)铂(II)、双(2,4-庚二酮酸)铂(II)、双(3,5-庚二酮酸)铂(II)、双(1-苯基-1,3-丁二酮酸)铂(II)、双(1,3-二苯基-1,3-丙二酮酸)铂(II)、双(六氟乙酰丙酮)铂(II)，其中，从通用性和获取的容易度的方面考虑，优选(甲基环戊二烯基)三甲基铂(IV)和双(2,4-戊二酮酸)铂(II)。

作为成分(D)的高能量射线活性化催化剂的使用量为有效量，没有特别限制，只要是促进组合物的固化的量就没有特别限定。具体而言，相对于组合物(固体成分)整体，该催化剂中的金属原子以质量单位计为0.01～1,000ppm，优选的是成分(D)中的铂金属原子成为0.1～500ppm的范围内的量。

(E)成分是填料或颜料，优选包含白色或有色填料，特别是白色或有色的无机填料，作为其一部分，可以包含荧光体等波长转换成分，也可以包含具有导电性、导热性等其他功能的微粒。

作为成分(E)的填料或者颜料的功能虽然没有特别的限制，但可以使得到的固化产物变白或着色，此外，还可期待提高其机械强度或硬度，可以赋予如波长转换等光学功能、导热性或导电性等其他功能。作为这些的成分(E)，可举例示出白色颜料、黑色颜料、荧光体、金属粉或其他的功能性填料，特别优选为提供白色或着色的固化产物的成分。需要说明的是，作为成分(E)的填料或者颜料的形状没有特别的限制，可以是球状、纺锤状、扁平状、针状、不规则形状等。

白色颜料是能够对固化物赋予白色度、提高光反射性的成分。作为该白色颜料，可举例示出：氧化钛、氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化镁等金属氧化物；玻璃球、玻璃珠等空心填料；以及硫酸钡、硫酸锌、钛酸钡、氮化铝、氮化硼、氧化锑。从光反射率和隐蔽性高的观点考虑，可优选举例示出氧化钛。另外，从UV领域的光反射率高的观点考虑，可优选举例示出氧化铝、氧化锌、钛酸钡。该白色颜料的平均粒径或形状没有限制，但可举例示出优选平均粒径在0.05～10.0μm的范围内或在0.1～5.0μm的范围内。另外，也可以利用硅烷偶联剂、二氧化硅、氧化铝等对该白色颜料进行表面处理。

黑色颜料是能够赋予固化物黑色度、赋予固化物遮光性的成分，但不言而喻，也可以同时具有如炭黑或石墨烯为代表的导电性等其他功能。更具体而言，该黑色颜料可举例示出：炭黑、石墨、活性炭、石墨烯等碳系黑色颜料；包含氧化铁、磁铁矿、铬铁氧化物、铬铁镍氧化物、铬酸铜、铬铁矿、锰铁氧体、镍锰铁氧化物、<选自铁、钴、铜中的一种以上的金属>的复合金属氧化物等无机黑色颜料；苯胺黑、花青黑、苝黑等有机黑色颜料。

荧光体为在将固化物用于波长转换材料的情况下，为了转换来自光源(光半导体元件)的发光波长而调配的成分。作为该荧光体，没有特别限制，可举例示出广泛用于发光二极管(LED)的、由氧化物系荧光体、氧氮化物系荧光体、氮化物系荧光体、硫化物系荧光体、氧硫化物系荧光体等组成的黄色、红色、绿色以及蓝色发光荧光体。

本组合物可以包含上述以外的无机填料，例如，列举出为了改善固化物的机械强度的以二氧化硅等为代表的增强性填料、导热性填料、导电性填料等。进一步地，以在本组合物中稳定地调配为目的等，成分(E)可以通过选自硅烷、硅氮烷等低分子量有机硅化合物、有机硅聚合物或低聚物、其他公知的表面处理剂中的一种以上进行表面处理。表面处理剂的使用量没有特别限制，但相对于成分(E)整体的质量，通常为0.1～2.0质量％的范围。进一步地，成分(E)可以通过事先与其他成分(A)～(D)混合，以母料化的状态进行调配。

相对于(A)～(D)成分的总和(100质量份)，成分(E)的含量可以在0.1～100质量份的范围内、0.5～90质量份的范围内、0.5～80质量份的范围内、或者1.0～50质量份的范围内。如果为上述范围以下的添加量，则会发生着色效果不充分的问题，如果为上述范围以上，则会发生得到的热熔性组合物的熔融粘度过高的问题，同时在通过后述的方法进行生产时，有时出现难以将整体均匀混炼、制造装置易磨损、所得组合物容易褪色或无法达到目标色调。

从进一步提高实际使用和保存稳定性的观点考虑，除了上述成分(A)～(E)，固化性有机硅组合物还可以含有固化延迟剂(F)。

固化延迟剂的结构没有特别限定，但其沸点优选在大气压下为200℃以上。这是因为，在后述的固化性有机硅组合物片材的生产工序中，在减压下熔融混炼原料时，如果将沸点低的化合物作为固化延迟剂使用，则在组合物的生产工序中，固化延迟剂的一部分或者全部会挥发，有可能得不到针对固化性有机硅组合物作为目标的固化延迟效果。

固化延迟剂的种类没有特别限定，例如可举例示出：2-甲基-3-丁炔-2-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇、1-乙炔基-1-环己醇等炔醇；3-甲基-3-戊烯-1-炔、3,5-二甲基-3-己烯-1-炔等烯炔化合物；四甲基四乙烯基环四硅氧烷、四甲基四己烯基环四硅氧烷等含烯基的低分子量硅氧烷；甲基-三(1,1-二甲基丙炔基氧基)硅烷、乙烯基-三(1,1-二甲基丙炔基氧基)硅烷等炔基氧基硅烷。在这些中，特别优选使用大气压下沸点在200℃以上的化合物(例如，乙烯基-三(1,1-二甲基丙炔基氧基)硅烷等)。固化性有机硅组合物中的固化延迟剂的含量没有特别限定，但相对于组合物，以质量单位计，可以为1～10000ppm的范围内。

[增粘剂]

另外，在组合物中，只要不损害本发明的目的，还可以含有公知的增粘剂作为其他任选成分。增粘剂只要是改善使本组合物固化而成的固化产物对基材的粘接性的成分，则没有特别限制，但作为一例，可以优选利用本案申请人在国际专利申请(PCT/JP2020/12027)中优选例示的成分：3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷等硅烷化合物、有机硅氧烷低聚物、烷基硅酸盐、日本特公昭52-8854号公报或日本特开平10-195085号公报所公开的含氨基的有机烷氧基硅烷与含环氧基的有机烷氧基硅烷的反应混合物、一分子中具有硅原子键合烷氧基或硅原子键合烯基的环碳氮硅氧烷衍生物、具有含烷氧基硅烷基的有机基团的硅杂环丙烷衍生物、1,6-双(三甲氧基甲硅烷基)己烷等的二硅烷烃化合物等，也可以组合使用选自它们中的两种以上的成分。该增粘剂的含量没有限定，但可举例示出相对于本组合物的合计100质量份，在0.01～10质量份的范围内使用。

[其他添加剂]

除了上述成分，还可以将本领域已知的材料作为可以用于有机硅组合物的添加剂添加到固化性热熔有机硅组合物中。例如，在本组合物中，作为其他任选成分，也可以含有氧化铁(铁红)、氧化铈、二甲基硅烷醇铈、脂肪酸铈盐、氢氧化铈、锆化合物等耐热剂；以及染料、白色以外的颜料、阻燃性赋予剂等。

[树脂固化物]

本发明的树脂固化物可以通过利用选自加热和高能量射线照射中的一种以上的固化方法将上述固化性有机硅组合物固化而得到。

加热温度优选在50℃～180℃、优选80℃～160℃的范围内。加热时间为30分钟至5小时，更优选为30分钟至2小时。

高能量射线可列举出紫外线、伽马射线、X射线、α射线、电子束等。特别是可列举出：紫外线、X射线以及由市售的电子束照射装置照射的电子束，其中，从催化剂活性化的效率方面考虑，优选紫外线，从工业上利用的观点考虑，优选波长280～380nm的范围的紫外线。另外，照射量根据高能量射线活性型催化剂的种类而不同，但在紫外线的情况下，波长365nm下的累积照射量优选在100mJ/cm²～100J/cm²的范围内。

[片材]

本发明的片状树脂固化物可以通过将上述固化性有机硅组合物成型为片状并固化而形成。例如，平均厚度为10～1000μm的由固化性有机硅组合物组成的片材具有热熔性，且在高温下具有加热固化性，因此操作作业性和熔融特性优异，特别是用于压缩成型等是有利的。在该情况下，包含成分(F)在内，可以将含有全部成分(A)～(F)的组合物成型为片状。

这样的片状的固化性有机硅组合物可以在将对全部成分使用单螺杆或双螺杆的连续混炼机而制成均匀的混合物后，将该混合物通过双辊等成型为规定的厚度的片材或膜。另外，也可以先得到后述的粒状的固化性热熔有机硅组合物，然后在需要时添加成分(F)之后，将其用混炼机混炼均匀后再通过双辊等成型机制造调整为所需厚度的片材或者膜。

上述片状的固化性有机硅组合物可以将有机聚硅氧烷树脂微粒作为原料来制造(方法A)，也可以使在室温下为固体状的有机聚硅氧烷树脂和任意的链状的二有机聚硅氧烷分散于有机溶剂中，将去除有机溶剂后的热熔性的固体成分作为原料来制造(hot bulk法)(方法B)。

具体而言，前者(方法A)为包括以下工序的制造方法：

工序1：将有机聚硅氧烷树脂微粒、固化剂以及根据情况而任意选择的功能性填料混合的工序；

工序2：将工序1中得到的混合物在120℃以下的温度下一边加热熔融一边混炼的工序；

工序3：将工序2中得到的加热熔融并混炼后的混合物层叠于各自具备至少一个剥离面的两片膜之间而形成层叠体的工序；以及，

工序4：将工序3中得到的层叠体中的混合物在辊间进行拉伸，成型具有特定的膜厚的固化性热熔有机硅片材的工序。

另一方面，后者(方法B)为包括以下工序的制造方法：

工序1：在150℃以上的温度下，从有机溶剂中分散或溶解有室温下为固体状的有机聚硅氧烷树脂以及任意的链状的二有机聚硅氧烷的溶液中去除有机溶剂，得到热熔性的固体成分的工序；

工序2：在工序1中得到的热熔性的固体成分中加入所有的固化剂后，将其混合物在120℃以下的温度下一边加热熔融一边混炼的工序；

工序3：将工序2中得到的加热熔融后的混合物层叠于各自具备至少一个剥离面的两片膜之间而形成层叠体的工序；以及，

工序4：将工序3中得到的层叠体中的混合物在辊间进行拉伸，成型具有特定的膜厚的固化性热熔有机硅片材的工序。

另外，工序3和工序4可以是连续且一体化的工序，例如，在工序2中得到的加热熔融后的混合物可以在辊之间的正下方喷出或者涂布到具备至少一个剥离面的膜间进行层叠，与此同时，可以通过辊之间的间隙调整，拉伸成型至特定的膜厚。这样，具有实质上合并有工序3和工序4的工序的制造方法也包含在上述的制造方法的范围内。

即，工序3和工序4也可以连续而一体地进行如下工序：向两片剥离膜之间喷出或涂布在工序2中得到的混合物，而在两片剥离膜之间、例如两片长尺寸的剥离膜之间夹持上述的混合物的工序；以及使由此得到的两片剥离膜和夹装于它们之间的由上述的混合物组成的层叠体持续通过辊间，将剥离膜之间的混合物拉伸成型，调节为规定的膜厚，得到目标的层叠体的工序。这样的一体地进行工序3和工序4的方法也包含于上述的制造方法中。

另外，在上述的方法A或方法B中的工序3中，将加热熔融后的混合物层叠于膜间的工序没有特别限制，可以为(i)将来自工序2的加热熔融后的混合物喷出或涂布于具备剥离面的第一剥离膜上后，使第二剥离膜接触该混合物的与第一剥离膜相接的面相反一侧的面，在第一剥离膜与第二剥离膜之间夹装加热熔融后的混合物，即夹持的工序；或者(ii)将来自工序2的加热熔融后的混合物喷出或涂布于具备剥离面的第一剥离膜和第二剥离膜之间，由此在两剥离膜之间夹装加热熔融后的混合物的工序。(ii)可举例示出如下方法：通过适当的方法、例如通过两个辊等使第一和第二剥离膜接近，将来自工序2的混合物喷出或涂布于两片剥离膜接近的部位，将混合物同时或大致同时地夹持于两片剥离膜之间的间隙的方法。上述工序3和4可以是连续的工序。

需要说明的是，关于这些制造方法，本申请人等在日本特愿2019-167832、日本特愿2019-167833以及这些优先权主张申请(含国际专利申请)中提出了固化性有机硅片材的制造方法以及用于其的制造装置等的工艺整体，在本发明中，也可以在固化性热熔有机硅组合物的片材化或膜化时，应用该方法和制造装置。

固化性有机硅组合物倾向在高温/高压下(即、例如在上述的层叠体的制造工序中)温度上升并且粘度急剧降低，作为用于处理固化性有机硅组合物的有用的熔融粘度值，可以使用与实际使用固化性有机硅组合物时的条件相同的高温/高压下测定的值。因此，对于固化性有机硅组合物的熔融粘度，与利用流变仪等旋转粘度计进行测定相比，可以使用高化式流量测试仪(岛津制作所(株)制造)在高压下测定。具体而言，固化性有机硅组合物使用高化式流量测试仪测定的100℃的熔融粘度可以为1～500Pa·s的范围、1～300Pa·s的范围。这是因为，当熔融粘度在上述范围内时，固化性有机硅组合物在热熔融时表现出良好的填隙性能。

[导电柱部件]

导电柱部件是具有导电性的柱，优选金、银、铜、镍等金属柱，更优选铜柱。导电柱部件优选为短径长50～500μm、长径长50～500μm的导电柱，更优选为短径长100～400μm、长径长100～400μm。另外，导电柱部件优选为直径50～500μm、高度50～2000μm的圆柱状，更优选为直径100～400μm、高度100～1000μm的圆柱状。

在一实施方式中，半导体制造用导电柱模块前体优选片状的树脂固化物为有机硅固化物，导电柱部件为短径长50～500μm、长径长50～500μm的导电柱。

在一实施方式中，半导体制造用导电柱模块前体优选片状的树脂固化物是通过硅氢化反应固化而得到的有机硅固化物，导电柱部件为直径50～500μm、高度50～2000μm的圆柱状铜柱。

[半导体制造用导电柱模块]

本发明的半导体制造用导电柱模块的特征在于，具备如下结构：由片状的树脂固化物担载有导电柱部件、且该导电柱部件从片状的树脂固化物的两面露出。

在图2中，示出本发明的半导体制造用导电柱模块的一实施方式。本发明的半导体制造用导电柱模块具备如下结构：在片状的树脂固化物(1')上担载有多个导电柱部件(2)，导电柱部件从片状的树脂固化物的两面露出。

[半导体或半导体前体]

本发明的半导体或半导体前体的特征在于具有如下结构：本发明的半导体制造用导电柱模块的至少一部分导电柱部件被焊接在基板上，且从片状的树脂固化物的相反侧的面露出的导电柱直接或经由导电层(再配置层)粘接在半导体芯片上。

在图3中，示出本发明的半导体或半导体前体的一实施方式。本发明的半导体或半导体前体具备如下结构：本发明的半导体制造用导电柱模块(A)的至少一部分导电柱部件(2)被焊接在基板(3)上，且从片状的树脂固化物(1')的相反侧的面露出的导电柱(2)直接或经由导电层(再配置层)(5)粘接在半导体芯片(4)上。

具体而言，基板可以应用刚性基板、挠性基板、刚性挠性基板、金属基底基板等本技术领域中通常使用的基板。另外，再配置层可以应用本技术领域中通常使用的材料，也可以是在聚酰亚胺、聚苯并噁唑、苯并环丁烯等绝缘层中配置铜线而成的材料。

半导体芯片和再配置层可以使用本领域中通常使用的材料。

在一实施方式中，本发明的半导体或半导体前体优选具备如下结构：基板、半导体芯片和导电柱部件之间的间隙由模制底部填充材料填充。

在图4中，示出本发明的半导体或半导体前体的一实施方式。本发明的半导体或半导体前体具备如下结构：基板(3)、半导体芯片(4)和导电柱部件(A)之间的间隙由模制底部填充材料(6)填充。

模制底部填充材料可以使用本领域中通常使用的材料，可以举出有机硅树脂、环氧树脂等。

[半导体或半导体前体的制造方法]

本发明的半导体或半导体前体的制造方法的特征在于，包括将从本发明的半导体制造用导电柱模块前体露出的导电柱部件粘接在半导体芯片或基板上的工序。

[半导体制造用导电柱模块前体的制造方法]

本发明的半导体制造用导电柱模块前体的制造方法的特征在于，包括以下工序(I)～(IV)：

工序(I)：将导电柱部件配置在模制部件上的工序；

工序(II)：将至少一种固化性树脂组合物和任意剥离性衬垫配置在导电柱部件上的工序；

工序(III)：通过选自加热和高能量射线照射中的一种以上的固化机构，使固化性树脂组合物固化成片状的工序；以及，

工序(IV)：在移除任意所述剥离性衬垫后，将半导体制造用导电柱模块前体与模制部件分离的工序。

在图5中，示出本发明的半导体制造用导电柱模块前体的制造方法的一实施方式。首先，将导电柱部件(2)配置在模制部件(7)上(工序(I))，接着，将固化性树脂组合物(1)和任意剥离性衬垫(8)配置在导电柱部件(2)上(工序(II))，进而，在50～150℃范围的加温下，一边施加0.01～2.00MPa范围的压力，一边进行层压，之后或同时，通过选自加热和高能量射线照射中的一种以上的固化机构，使固化性树脂组合物(1)固化成片状(1')(工序(III))，移除剥离性衬垫后，将半导体制造用导电柱模块前体从模制部件(7)分离的工序(工序(IV))。图5所示的照片是从上方拍摄本发明的半导体制造用导电柱模块前体的照片。

在工序(II)或(III)中，可以在上述固化性树脂组合物的表面层叠剥离性衬里，也可以使固化性树脂组合物的表面均匀化。最后，从半导体制造用柱模块前体的表面移除剥离性衬垫。

任选地，在任一工序中，也可以将半导体制造用柱模块前体切割成小片。

固化性树脂组合物可以是上述固化性有机硅组合物。

在一实施方式中，优选其特征在于，工序(II)中使用的固化性树脂组合物是具备加热熔融性的固化性树脂组合物的片材，并且是如下工序：将该固化性树脂组合物的片材配置在导电柱部件上之后，使该固化性树脂组合物的片材加热熔融，从而将导电柱的至少一部分担载在固化性树脂组合物的片材内部。

固化性树脂组合物的片材可以由上述固化性有机硅组合物的层叠体形成。

[层叠体]

固化性有机硅组合物的层叠体也可以是具有在具备剥离层的两片膜状基材间夹装有由上述的固化性有机硅组合物组成的片状材料。具备该剥离层的膜状基材(通常称为剥离膜)可以在使用由固化性有机硅组合物组成的片状材料时，从片状材料剥离。以下也将该层叠体称为剥离性层叠体。

上述的剥离性层叠体的制造方法没有特别限制，作为一个示例，可列举出包括以下工序的方法：

工序1：将上述的固化性有机硅组合物的构成成分混合的工序；

工序2：将工序1中得到的混合物一边进行加热熔融一边进行混炼的工序；

工序3：将工序2中得到的加热熔融后的混合物以上述的混合物与剥离面相接的方式层叠于具备至少一个剥离面的两片剥离膜间而形成层叠体的工序；以及，

工序4：对工序3中得到的层叠体在辊间加压，对夹装于两片剥离膜之间的上述混合物进行压延，形成具有特定的膜厚的固化性有机硅组合物片材的工序。

进一步地，也可以根据任意选择，在工序4中使用具有冷却或温度调节功能的辊。另外，也可以在工序4后，添加将包含所得到的固化性有机硅组合物片材的层叠体裁断的工序。

需要说明的是，该剥离膜的厚度没有特别限制，因此，通常除了包含称为膜的也包含称为片材的。但是，在本说明书中，无论其厚度如何，均称为剥离膜。

上述工序1的混合工序的温度没有特别限制，可以根据需要进行加热使各成分充分混合，加热温度例如可以为50℃以上。

通过从剥离性层叠体剥离剥离膜，可以得到由固化性热熔有机硅组合物组成的片材。片材的厚度可以为10～1000μm，片材可以是平坦的。平坦是指所得到的片材或膜的厚度为±100μm以下的范围内，优选为±50μm以下的范围内，进一步优选为±30μm以下的范围内。

构成剥离性层叠体的剥离膜的基材材料的种类没有特别限制，例如可以适当使用聚酯膜、聚烯烃膜、聚碳酸酯膜或丙烯酸膜等。片状基材可以为非多孔性。剥离膜是通过对由这样的材料组成的膜的单面或双面进行赋予剥离性的处理而形成的具有剥离层的膜，这样的处理为本领域公知的。

在剥离膜表面赋予的具有剥离性的层称为剥离层，但剥离层是用于使由固化性有机硅组合物组成的片材或膜能够容易地从膜状基材剥离的结构，也可以称为剥离性衬垫、隔离件、脱模层或者剥离涂层。优选地，剥离层可以形成为有机硅系剥离剂、氟系剥离剂、醇酸系剥离剂或氟有机硅系剥离剂等的具有剥离涂层能力的剥离层。或者，也可以在膜状基材表面上物理形成微细的凹凸使其与固化性有机硅组合物的密合力降低，或者，也可以是难以与由本发明的固化性热熔有机硅组合物或其固化物组成的层附着的材料组成的基材。特别是在本发明的层叠体中，优选使用使氟有机硅系剥离剂固化而成的剥离层作为剥离层。

上述层叠体例如可以如下方式使用：将构成层叠体的两片剥离膜的一片剥离后，将未与剥离膜相接的由固化性有机硅组合物组成的未固化的片材应用于被粘物，然后将该未固化状态的片状或者膜状部件从另一片膜状基材、即剥离膜上剥离。

固化性有机硅组合物在室温下可以片状或膜状的形态处理，在25℃下为非流动性的固体。在此，非流动性是指，在无外力的状态下不变形和/或不流动，优选的是，固化有机硅组合物在成型为粒料或锭剂等的情况下，在25℃且无外力的状态下不变形和/或不流动。这样的非流动性例如可以通过如下来进行评估：将成型的本组合物放置于25℃的加热板上，即使对组合物在无外力的状态或施加一定的载重，实质上组合物不变形和/或不流动。当在25℃下非流动性时，该温度下的组合物的形状保持性良好，且其表面粘合性低，因此组合物即使在未固化状态也能够容易地处理。

另外，固化性有机硅组合物的软化点优选为100℃以下。这样的软化点是指，在加热板上，以100克重的载荷对高度22mm的组合物从上开始持续按压10秒钟，去除了载荷后，测定组合物的变形量时高度方向的变形量为1mm以上的温度。

在一实施方式中，本发明的半导体制造用导电柱模块前体的制造方法的特征在于，工序(II)中使用的固化性树脂组合物是具备加热熔融性的硅氢化反应固化性有机硅片材，并且是如下工序：将该硅氢化反应固化性有机硅片材配置在导电柱部件上之后，使该硅氢化反应固化性有机硅片材加热熔融，从而将导电柱部件的至少一部分担载在固化性树脂组合物片材内部，并且，

工序(III)是通过选自加热和高能量射线照射中的一种以上的固化机构，使硅氢化反应固化性有机硅片材固化成片材状的工序。

硅氢化反应固化性有机硅片材的加热熔融温度优选为50℃～150℃、或者50～120℃的范围。

用于硅氢化反应固化性有机硅片材的固化的加热温度和时间以及高能量射线的种类和照射量如上所述。优选在照射高能量射线后进行加热。

在一实施方式中，本发明的半导体制造用导电柱模块前体的制造方法优选在上述的工序(IV)之后，还具有如下工序：将任意露出的导电柱部件粘接在半导体用芯片或基板上之后，通过削去该片状的树脂固化物的至少一个面，使导电柱露出在片状树脂固化物的两面。

在图6中，示出通过本发明的半导体制造用导电柱模块前体的制造方法制造的导电柱模块前体的一实施方式。具备如下结构：在片状的树脂固化物(1')上担载有多个导电柱部件(2)，且导电柱部件从片状的树脂固化物的两面露出。

另外，作为另一实施方式，本发明的半导体制造用导电柱模块前体的制造方法的特征在于，包括以下工序(I')～(V')：

工序(I')：将导电柱部件配置在第一模制部件上的工序；

工序(II')：在上述导电柱部件上配置第二模制部件的工序；

工序(III')：用固化性树脂组合物来填充导电柱部件、第一模制部件以及第二模制部件之间的间隙的工序；

工序(IV')：通过选自加热和高能量射线照射中的一种以上的固化机构，使上述固化性树脂组合物固化成片状的工序；以及，

工序(V')：从半导体制造用导电柱模块前体分离上述第一模制部件和第二模制部件的工序。

在图7中，示出本发明的半导体制造用导电柱模块前体的制造方法的一实施方式。包括：首先，在第一模制部件(7)上配置导电柱部件(2)(工序(I'))，接着，在导电柱部件(2)上配置第二模制部件(7)(工序(II'))，进一步地，用固化性树脂组合物(1)来填充导电柱部件(2)、第一模制部件(7)以及第二模制部件(7)的间隙(工序(III'))，另外，通过选自加热和高能量射线照射中的一种以上的固化机构，使固化性树脂组合物(1)固化成片状(1')(工序(IV'))，最后，从半导体制造用导电柱模块前体(A)分离第一和第二模制部件(7)的工序(工序(V'))。

固化性树脂组合物或其片材除了保存稳定性之外，还具有在高温下流动性优异且低粘度的热熔性，因此可以通过在最终固化前加热组合物或片材，使其柔软化或流动化，例如，即使在被粘物的被粘面存在微细的凹凸或间隙，也可以无间隙地填充该凹凸或间隙而形成与被粘物的粘接面。

[半导体或半导体前体的制造方法]

本发明的半导体或半导体前体的制造方法的特征在于，包括以下工序(L1)～(L5)：

工序(L1)：使本发明的半导体制造用导电柱模块前体密合在载体部件上的工序；

工序(L2)：使该半导体制造用导电柱模块前体的从片状的树脂固化物露出的单面的导电柱部件粘接在半导体用芯片上的工序；

工序(L3)：从该半导体制造用导电柱模块前体移除载体部件之后，将片状的树脂固化物的至少一个面削掉，从而使导电柱露出在片状树脂固化物的表面上的工序；

工序(L4)：将在工序(L3)中露出的导电柱部件焊接在基板上的工序；以及，

工序(L5)：用模制底部填充材料来填充基板、半导体芯片以及导电柱部件之间的间隙的工序。

在图8中，示出通过倒装芯片封装制造本发明的半导体或半导体前体的方法的一实施方式。包括：首先，使本发明的半导体制造用导电柱模块前体(A)密合在载体部件(9)上(工序(L1))，接着，优选通过热压接使半导体制造用导电柱模块前体(A)的从片状的树脂固化物(1')露出的单面的导电柱部件(2)与半导体用芯片(4)粘接(工序(L2))，进一步地，在从半导体制造用导电柱模块前体(A)移除载体部件(9)之后，将片状的树脂固化物(1')的至少一个面削掉，从而使导电柱部件(2)露出在片状的树脂固化物(1')的表面上(工序(L3))，此外，将在工序(L3)中露出的导电柱部件(2)焊接在基板(3)上(工序(L4))，最后，用模制底部填充材料(6)来填充基板(3)、半导体芯片(4)以及导电柱部件(2)之间的间隙的工序(工序(L5))。

另外，作为另一实施方式，本发明的半导体或半导体前体的制造方法的特征在于，包括以下工序(L1')～(L5')：

工序(L1')：使本发明的半导体制造用导电柱模块前体密合在载体部件上的工序；

工序(L2')：将该半导体制造用导电柱模块前体的从片状的树脂固化物露出的单面的导电柱部件通过焊接粘接在基板上的工序；

工序(L3')：从该半导体制造用导电柱模块前体移除载体部件之后，将片状的树脂固化物的至少一个面削掉，从而使导电柱露出在片状树脂固化物的表面上的工序；

工序(L4')：将在工序(L3')中露出的导电柱直接或经由导电层(再配置层)粘接在半导体芯片上的工序；以及，

工序(L5')：用模制底部填充材料来填充基板、半导体芯片以及导电柱的间隙的工序。

在图9中，示出通过使用RDL(再配置层)的后芯片封装来制造本发明的半导体或半导体前体的方法的一实施方式。包括：首先，使本发明的半导体制造用导电柱模块前体(A)密合在载体部件(9)上(工序(L1'))，接着，通过使用了焊接的回流，使半导体制造用导电柱模块前体(A)的从片状的树脂固化物(1')露出的单面的导电柱部件(2)粘接在基板(3)上(工序(L2'))，进一步地，在从半导体制造用导电柱模块前体(A)移除载体部件(9)之后，将片状的树脂固化物(1')的至少一个面削掉，从而使导电柱(2)露出在片状树脂固化物(1')的表面上(工序(L3'))，此外，在工序(L3')中露出的导电柱(2)上粘接导电层(再配置层)(5)，进而在其上粘接半导体芯片(4)(工序(L4'))，最后，用模制底部填充材料(6)来填充基板(3)、半导体芯片(4)以及导电柱(2)之间的间隙的工序(工序(L5'))。

以下，列举出实施例对本发明进行说明，但本发明并不限定于这些实施例。

实施例

以下，通过实施例详细说明本发明的半导体制造用导电柱模块前体的制造方法和其特性。需要说明的是，在以下的记载中，平均单元式中的Me、Vi、Ph分别表示甲基、乙烯基、苯基。另外，对于各实施例的半导体制造用导电柱模块前体，通过以下的方法测定其粘接特性和前体的信赖特性。将结果示于表1。

[膜样品的粘接特性]

将200μm厚的有机硅膜、160μm厚的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜、150μm厚的聚酰亚胺膜分别切成1cm×1cm，用两片铜板夹持，形成由铜、样品膜、铜这三层组成的层叠结构。对于PET膜和聚酰亚胺膜，分别用设定为100℃和120℃的温度的热压机以30MPa的压力进行挤压，由此制成一体化物。关于有机硅膜，在层压之后，以照射量为10J/cm²的方式照射波长365nm的紫外线后使其在120℃下固化一小时。通过拉伸试验对得到的粘接试验体进行粘接试验，测定粘接力。另外，为了确认粘接特性的可靠性，将得到的粘接试验体在85℃、湿度85％的腔室中进行336小时的老化和进行500个循环后，再次测定粘接力。

[半导体制造用导电柱模块前体的热稳定性]

利用芯片移载装置在各样品膜上设置由铜组成的导电柱。有机硅膜在室温下实施移载工序，而PET和聚酰亚胺膜分别在100℃、特别是120℃下一边加热载物台一边实施本工序。仅对于由有机硅膜和导电柱组成的结构体，在本工序之后，以照射量为10J/cm²的方式照射波长365nm的紫外线，然后在120℃下暴露一小时，从而使有机硅膜固化。将得到的结构体放入设定为250℃的烘箱中30秒后，经目视确认结构体的翘曲和导电柱的移动。

[软化点]

将固化性的样品膜组合物(仅适用于有机硅膜)成型为 的圆柱状的粒料。将该粒料放置于设定为25℃～100℃的加热板上，以100克重的载荷从上方持续按压10秒，去除载荷后，测定出该粒料的变形量。将高度方向的变形量成为1mm以上的温度设为软化点。

[固化特性]

依照JIS K 6300-2：2001“未硫化橡胶-物理特性-第二部：由振动式硫化试验机进行的硫化特性的求法”中规定的方法，使用CURELASTOMETER(注册商标)(AlphaTechnologies公司制的PREMIERMDR)，将固化性的样品膜组合物(仅适用于有机硅膜)在成型温度(160℃)下硫化600秒钟，测定出固化特性。需要说明的是，就测定而言，计量约5g固化性热熔有机硅组合物的块，利用厚度为50μm的PET膜夹持后，载于下侧模具，将上侧模具关闭的时间点作为测定开始。需要说明的是，使用橡胶用R型模具，将振幅角度设为0.53°，将振动频率设为100次/分钟，将扭矩范围设为最大的230kgf·cm来测定。作为测定结果，以秒的单位读取出超过扭矩值1dNm之前所需的时间(ts-1)。

[有机硅膜的生产]

以下，通过参考例1所示的方法制备了有机聚硅氧烷树脂与直链状有机聚硅氧烷的具有热熔性的混合物。

[参考例1：热熔性的混合物1]

将在25℃下为白色固体状、由平均单元式：

(Me₂ViSiO_1/2)_0.05(Me₃SiO_1/2)_0.39(SiO_4/2)_0.56(HO_1/2)_0.02

所示的有机聚硅氧烷树脂(乙烯基的含量＝1.9质量％)2.40kg；

在25℃下为白色固体状、由平均单元式：

(Me₃SiO_1/2)_0.44(SiO_4/2)_0.56(HO_1/2)_0.02

所示的有机聚硅氧烷树脂(乙烯基的含量＝0质量％)4.46kg；以及，由式：

ViMe₂SiO(Me₂SiO)₈₀₀SiViMe₂

所示的分子链两末端二甲基乙烯基硅氧烷基封端二甲基聚硅氧烷(乙烯基的含量＝0.09质量％)2.69kg；

在桶罐内使用三合一电动机溶解于4.00kg的二甲苯。将所得到的溶液进料至将最高到达温度设定为230℃的双螺杆挤出机，在真空度-0.08MPa的条件下去除二甲苯以及低分子量的有机聚硅氧烷成分，从而得到热熔性的混合物1。将混合物1放入圆筒形桶罐，保持该状态进行冷却而使其固体化。

[制造例1]

将参考例1中得到的热熔性的混合物1通过圆筒形桶罐用的热熔机(Nordson公司制的VersaPail melter)在170℃下，从图10所示的管线11以9.55kg/hr的量进料至双螺杆挤出机。

接着，将由式：

(PhSiO_3/2)_0.4(HMe₂SiO_1/2)_0.6所示的有机氢聚硅氧烷(在大气压下100℃的烘箱中进行了1小时熟化时的挥发成分量，即质量减少率为3.4质量％)0.30kg/hr.相对于本组合物整体成为300ppm的量的甲基三-1,1-二甲基-2-丙炔氧基硅烷(沸点＝245℃(1012.35hPa))

组成的混合物从图10所示的管线13-a进料。投入部的设定温度为150℃。

接着，将

ViMe₂SiO(Me₂SiO)₈₀₀SiViMe₂

所示的分子链两末端二甲基乙烯基硅氧烷基封端二甲基聚硅氧烷(乙烯基的含量＝0.09质量％)0.15kg/hr、以及

(甲基环戊二烯基)三甲基铂(IV)(相对于本组合物整体，作为铂金属以质量单位计为6.0ppm的量)组成的混合物从图10的管线13-b进料(投入部的设定温度为80℃)，在挤出机内的真空度为-0.08MPa下进行脱气熔融混炼。

将双螺杆挤出机的出口温度设为80℃，混合物为半固体状的软化物的形态，一边以1.0m/分钟的速度输送宽330mm、125μm厚的剥离膜(株式会社TAKARAIN CORPORATION公司制，FL2-01)，一边以成为供给量5kg/hr的方式将混合物供给至剥离膜上，将混合物以混合物与剥离膜的剥离面相接的方式夹装于两片剥离膜间而制成层叠体。接着，对该层叠体在温度控制为90℃的辊间加压而在剥离膜之间拉伸上述的混合物，由此形成厚度300μm的固化性热熔有机硅组合物膜夹装于两片剥离膜间而成的层叠体，接着通过空冷将层叠体整体冷却。图10表示出该制造装置的构成。将剥离膜从所得到的层叠体剥下，从而能得到无泡、平坦且均质的无粘性的透明的固化性热熔有机硅组合物膜，其软化温度为85℃。以照射量成为10J/cm²的方式对所得到的固化性热熔有机硅组合物膜照射波长365nm的紫外线后，通过上述的方法对100℃下的固化性进行了测定，其结果是，其ts-1为59秒。

实施例1

使用在制造例1中得到的热熔有机硅组合物膜(以下称为“有机硅膜”)来评估上述的粘接特性和导电柱模块前体的热稳定性。将其结果示于表1。将得到的结构体放入设定为250℃的烘箱中30秒后，经目视确认结构体的翘曲和导电柱的移动，将其结果示于图11。

实施例2

使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜来评估上述的粘接特性和导电柱模块前体的热稳定性。将其结果示于表1。将得到的结构体放入设定为250℃的烘箱中30秒后，经目视确认结构体的翘曲和导电柱的移动，将其结果示于图11。

实施例3

使用聚酰亚胺(PI)膜来评估上述的粘接特性和导电柱模块前体的热稳定性。将其结果示于表1。将得到的结构体放入设定为250℃的烘箱中30秒后，经目视确认结构体的翘曲和导电柱的移动，将其结果示于图11。

[表1]

由表1的结果可知，有机硅膜即使进行湿度老化或冷热循环，也不会丧失对铜的粘接特性，但PET或聚酰亚胺在耐久试验后对铜的粘接力降低。另外，从表1和图11的结果可知，使用有机硅膜、PET膜、聚酰亚胺膜中的任一种都可以制造半导体制造用导电柱模块前体，但在短时间暴露于与回流工序中施加的温度相同程度的温度(250℃)时，在PET膜中，柱发生移动，在膜中观察到翘曲，在聚酰亚胺膜中，柱没有移动，但在膜中观察到翘曲。从以上结果可知，有机硅膜最适合制作半导体制造用导电柱模块前体。

产业上的可利用性

本发明的半导体制造用导电柱模块前体可以在半导体制造中用于倒装芯片封装的基板的二次布线，或用于在后芯片(RDL first)封装中形成再配置层(RDL)。

符号说明

A：半导体制造用导电柱模块前体

1：固化性树脂组合物

1'：树脂固化物

2：导电柱部件

3：基板

4：半导体芯片

5：导电层(再配置层)

6：模制底部填充

7：模制部件

8：剥离性衬垫

9：载体部件

11：热熔机

12：挤出机

13-a：粉体给料机

13-b：泵

13-c：泵

14-a：剥离片

14-b：剥离片

15-a：拉伸辊(还可以进一步地具备任意的温度调节功能)

15-b：拉伸辊(还可以进一步地具备任意的温度调节功能)

16：膜厚计

17-a：冷却辊

17-b：冷却辊

18：切片机

19：异物检查机

Claims (14)

1.一种半导体制造用导电柱模块前体，其具备由片状的树脂固化物担载有导电柱部件的结构。

2.根据权利要求1所述的半导体制造用导电柱模块前体，其中，片状的树脂固化物为有机硅固化物，导电柱部件为短径长50～500μm、长径长50～500μm的导电柱。

3.根据权利要求1所述的半导体制造用导电柱模块前体，其中，片状的树脂固化物是通过硅氢化反应固化而得到的有机硅固化物，导电柱部件为直径50～500μm、高度50～2000μm的圆柱状铜柱。

4.一种半导体制造用导电柱模块，其具备如下结构：由片状的树脂固化物担载有导电柱部件、且所述导电柱部件从片状的树脂固化物的两面露出。

5.一种半导体或半导体前体，其具有如下结构：权利要求4所述的半导体制造用导电柱模块的至少一部分导电柱部件被焊接在基板上，且从片状的树脂固化物的相反侧的面露出的导电柱直接或经由导电层(再配置层)粘接在半导体芯片上。

6.根据权利要求5所述的半导体或半导体前体，其进一步具备如下结构：基板、半导体芯片以及导电柱部件之间的间隙由模制底部填充材料填充。

7.一种半导体或半导体前体的制造方法，其包括如下工序：将从权利要求1所述的半导体制造用导电柱模块前体露出的导电柱部件粘接在半导体芯片或基板上。

8.根据权利要求1所述的半导体制造用导电柱模块前体的制造方法，其包括以下工序(I)～(IV)：

工序(I)：将导电柱部件配置在模制部件上的工序；

工序(II)：将至少一种固化性树脂组合物和任意剥离性衬垫配置在所述导电柱部件上的工序；

工序(III)：通过选自加热和高能量射线照射中的一种以上的固化机构，使所述固化性树脂组合物固化成片状的工序；以及，

工序(IV)：在移除任意所述剥离性衬垫后，将半导体制造用导电柱模块前体与所述模制部件分离的工序。

9.一种制造方法，其是权利要求8所述的半导体制造用导电柱模块前体的制造方法，其特征在于，

工序(II)中使用的固化性树脂组合物是具备加热熔融性的固化性树脂组合物的片材，并且是如下工序：将所述固化性树脂组合物的片材配置在导电柱部件上之后，使所述固化性树脂组合物的片材加热熔融，从而将导电柱的至少一部分担载在固化性树脂组合物的片材内部。

10.一种制造方法，其是权利要求8所述的半导体制造用导电柱模块前体的制造方法，其特征在于，

所述工序(II)中使用的固化性树脂组合物是具备加热熔融性的硅氢化反应固化性有机硅片材，并且是如下工序：将所述硅氢化反应固化性有机硅片材配置在导电柱部件上之后，使所述硅氢化反应固化性有机硅片材加热熔融，从而将导电柱部件的至少一部分担载在固化性树脂组合物的片材内部，并且，

所述的工序(III)是通过选自加热和高能量射线照射中的一种以上的固化机构，使硅氢化反应固化性有机硅片材固化成片材状的工序。

11.根据权利要求8所述的半导体制造用导电柱模块前体的制造方法，其在所述工序(IV)之后，还具有如下工序：将任意露出的导电柱部件粘接在半导体用芯片或基板上之后，通过将所述片状的树脂固化物的至少一个面削掉，使导电柱露出在片状树脂固化物的两面。

12.根据权利要求1所述的半导体制造用导电柱模块前体的制造方法，其包括以下工序(I')～(V')：

工序(I')：将导电柱部件配置在第一模制部件上的工序；

工序(II')：在所述导电柱部件上配置第二模制部件的工序；

工序(III')：用固化性树脂组合物来填充导电柱部件、第一模制部件以及第二模制部件之间的间隙的工序；

工序(IV')：通过选自加热和高能量射线照射中的一种以上的固化机构，使所述固化性树脂组合物固化成片状的工序；以及

工序(V')：从半导体制造用导电柱模块前体分离所述第一模制部件和第二模制部件的工序。

13.一种半导体或半导体前体的制造方法，其包括以下工序(L1)～(L5)：

工序(L1)：使权利要求1所述的半导体制造用导电柱模块前体密合在载体部件上的工序；

工序(L2)：使所述半导体制造用导电柱模块前体的从片状的树脂固化物露出的单面的导电柱部件粘接在半导体用芯片上的工序；

工序(L3)：从所述半导体制造用导电柱模块前体移除载体部件之后，将片状的树脂固化物的至少一个面削掉，从而使导电柱露出在片状树脂固化物的表面上的工序；

工序(L4)：将在工序(L3)中露出的导电柱部件焊接在基板上的工序；以及，

工序(L5)：用模制底部填充材料来填充基板、半导体芯片以及导电柱部件之间的间隙的工序。

14.一种半导体或半导体前体的制造方法，其包括以下工序(L1')～(L5')：

工序(L1')：使权利要求1所述的半导体制造用导电柱模块前体密合在载体部件上的工序；

工序(L2')：将所述半导体制造用导电柱模块前体的从片状的树脂固化物露出的单面的导电柱部件通过焊接粘接在基板上的工序；

工序(L3')：从所述半导体制造用导电柱模块前体移除载体部件之后，将片状的树脂固化物的至少一个面削掉，从而使导电柱露出在片状树脂固化物的表面上的工序；

工序(L4')：将在工序(L3')中露出的导电柱直接或经由导电层(再配置层)粘接在半导体芯片上的工序；以及，

工序(L5')：用模制底部填充材料来填充基板、半导体芯片以及导电柱的间隙的工序。