CN117650203A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示装置，包含阵列基板、多个发光元件及多个遮光单元。多个发光元件设置于阵列基板上并电连接阵列基板，每一发光元件具有第一表面及与第一表面相对的第二表面，第二表面面对阵列基板。多个遮光单元设置于阵列基板上并与多个发光元件交错设置，且暴露每一发光元件的第一表面。每一遮光单元具有顶部及底部，底部面对阵列基板，且底部与阵列基板之间包含空腔。

Description

显示装置及其制造方法

技术领域

本发明是有关于一种显示装置，特别是有关于一种包含遮光单元的显示装置。

背景技术

微型发光二极管(Micro-LED)显示装置具有省电、高效率、高亮度及反应时间快等优点。为了实现巨量转移，目前的转移过程中，会采用蚀刻方式将转移至定位载板的微型发光二极管上的残胶移除。然而，上述做法虽然可以移除残胶，但也容易破坏定位载板与微型发光二极管之间的胶体，导致微型发光二极管偏移，进而造成后续定位载板上的微型发光二极管接合至阵列基板时产生偏移，发生微型发光二极管无法点亮而产生暗点的问题，使整体良率下降。

发明内容

本发明提供一种显示装置，能降低定位载板与微型发光二极管之间的胶体被破坏的机率，进而提升良率。

本发明至少一实施例所提出的显示装置的制造方法，包含提供第一载板、第一胶体及多个发光元件，第一胶体设置于多个发光元件与第一载板之间，并黏合多个发光元件与第一载板。提供第二载板及第二胶体，第二胶体设置于第二载板上。将多个发光元件的至少两个发光元件从第一载板转移至第二载板，每一至少两个发光元件具有第一表面及与第一表面相对的第二表面，每一至少两个发光元件第一表面藉由第二胶体贴附于第二载板上，第二表面上形成有第一胶体残留物。之后，形成遮光层于至少两个发光元件上及第一胶体残留物上，并填满至少两个发光元件之间的间隔。之后，移除第一胶体残留物及部分的遮光层以暴露第二表面。提供阵列基板，在暴露第二表面之后，将至少两个发光元件从第二载板转移至阵列基板，第二表面面对阵列基板。

在本发明至少一实施例中，在形成所述遮光层之前，更包含形成一或多个间隔层于第二载板上。

在本发明至少一实施例中，移除所述第一胶体残留物及部分的所述遮光层的方式为干蚀刻，所述一或多个间隔层的蚀刻率小于所述遮光层的蚀刻率，且所述遮光层的蚀刻率小于或等于所述第一胶体残留物的蚀刻率。

本发明至少一实施例所提出的显示装置，包含阵列基板、多个发光元件及多个遮光单元。多个发光元件设置于阵列基板上并电连接阵列基板，每一发光元件具有第一表面及与第一表面相对的第二表面，第二表面面对阵列基板。多个遮光单元设置于阵列基板上并与多个发光元件交错设置，且暴露每一发光元件的第一表面。每一遮光单元具有顶部及与顶部相对的底部，底部面对阵列基板，且底部与阵列基板之间包含空腔。

在本发明至少一实施例中，所述底部包含曲面。

在本发明另一实施例所提出的显示装置，包含阵列基板、多个发光元件及多个遮光单元。多个发光元件设置于阵列基板上并电连接阵列基板，每一发光元件具有第一表面及与第一表面相对的第二表面，第二表面面对阵列基板。多个遮光单元设置于阵列基板上并与多个发光元件交错设置，且暴露每一发光元件的第一表面。每一遮光单元具有顶部及与顶部相对的底部，底部面对阵列基板，且底部包含曲面。

在本发明至少一实施例中，所述曲面为凸面，凸面凸出于多个发光元件。

在本发明至少一实施例中，所述曲面为凹面，多个发光元件凸出于该凹面。

在本发明至少一实施例中，显示装置更包含一或多个间隔件设置于所述阵列基板上，每一间隔件的厚度大于每一所述遮光单元的厚度，每一所述遮光单元的厚度大于或等于每一所述发光元件的厚度，且每一间隔件具有面对所述阵列基板的底面及与底面相对的顶面，顶面大于底面。

在本发明至少另一实施例中，显示装置更包含一或多个间隔件设置于所述阵列基板上，每一间隔件具有面对所述阵列基板的底面及与底面相对的顶面，底面大于顶面。

在本发明至少另一实施例中，显示装置具有显示区及围绕显示区的周边区，所述间隔件包含设置于周边区中的一或多个第一间隔件及设置于显示区中的一或多个第二间隔件，每一第一间隔件的厚度大于每一第二间隔件的厚度。

附图说明

图1A到图1G是本发明至少一实施例的显示装置在不同制程阶段的局部剖面图。

图2是本发明至少一实施例的显示装置的局部剖面示意图。

图3是本发明至少另一实施例的显示装置的局部剖面示意图。

图4是本发明至少另一实施例的显示装置的局部剖面示意图。

图5A到图5G是本发明至少另一实施例的显示装置在不同制程阶段的局部剖面图。

图6是本发明至少另一实施例的显示装置的局部剖面示意图。

图7是本发明至少另一实施例的显示装置的局部剖面示意图。

其中，附图标记：

1、2、3、4、5:显示装置

100:阵列基板

110:发光元件

110S1:第一表面

110S2:第二表面

110S3:侧表面

120:焊垫

130:接垫

140:焊料

150、550:间隔件

150’:间隔层

150S1、450S1、451S1、550S1:顶面

150S2、450S2、451S2、550S2:底面

160、260、360、460、560:遮光单元

160’、460’:遮光层

160T、260T、360T、460T、560T:顶部

160B、260B、360B、460B、560B:底部

170:空腔

450:第一间隔件

451:第二间隔件

A1:第一胶体

A1R:第一胶体残留物

A2:第二胶体

AA:显示区

C1:第一载板

C2:第二载板

E:蚀刻

L:激光

PA:周边区

T1、T2、T3、T4:厚度

T21:边缘厚度

T22:中央厚度

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

在以下的内文中，为了清楚呈现本发明的技术特征，图式中的元件(例如层、膜、基板以及区域等)的尺寸(例如长度、宽度、厚度与深度)会以不等比例的方式放大，而且有的元件数量会减少。因此，下文实施例的说明与解释不受限于图式中的元件数量以及元件所呈现的尺寸与形状，而应涵盖如实际制程及/或公差所导致的尺寸、形状以及两者的偏差。例如，图式所示的平坦表面可以具有粗糙及/或非线性的特征，而图式所示的锐角可以是圆的。所以，本发明图式所呈示的元件主要是用于示意，并非旨在精准地描绘出元件的实际形状，也非用于限制本发明的申请专利范围。

其次，本发明所出现的“约”、“近似”或“实质上”等这类用字不仅涵盖明确记载的数值与数值范围，而且也涵盖发明所属技术领域中具有通常知识者所能理解的可允许偏差范围，其中此偏差范围可由测量时所产生的误差来决定，而此误差例如是起因于测量系统或制程条件两者的限制。举例而言，两物件(例如基板的平面或走线)“实质上平行”或“实质上垂直”，其中“实质上平行”与“实质上垂直”分别代表这两物件之间的平行与垂直可包含允许偏差范围所导致的不平行与不垂直。

此外，“约”可表示在上述数值的一个或多个标准偏差内，例如±30％、±20％、±10％或±5％内。本发明所出现的“约”、“近似”或“实质上”等这类用字可依光学性质、蚀刻性质、机械性质或其他性质来选择可以接受的偏差范围或标准偏差，并非单以一个标准偏差来套用以上光学性质、蚀刻性质、机械性质以及其他性质等所有性质。

本发明所使用的空间相对用语，例如“下方”、“之下”、“上方”、“之上”等，这是为了便于叙述一元件或特征与另一元件或特征之间的相对关系，如图中所绘示。这些空间上的相对用语的真实意义包含其他的方位。例如，当图示上下翻转180度时，一元件与另一元件之间的关系，可能从“下方”、“之下”变成“上方”、“之上”。此外，本发明所使用的空间上的相对叙述也应作同样的解释。

应当可以理解的是，虽然本发明可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种元件或者信号，但这些元件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一元件与另一元件，或者一信号与另一信号。另外，本发明所使用的术语“或”，应视实际情况可能包含相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。

虽然本发明中利用一系列的操作或步骤来说明制造方法，但是这些操作或步骤所示的顺序不应被解释为本发明的限制。例如，某些操作或步骤可以按不同顺序进行及/或与其它步骤同时进行。此外，在此所述的每一个操作或步骤可以包含数个子步骤或动作。

此外，本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本发明的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的构思下进行各种实施例的组合、修改与变更。

图1A到图1G是本发明至少一实施例的显示装置在不同制程阶段的局部剖面图。图2是本发明至少一实施例的显示装置的局部剖面示意图。请参阅图1A，提供第一载板C1、第一胶体A1及多个发光元件110，第一胶体A1设置于多个发光元件110与第一载板C1之间，并黏合多个发光元件110与第一载板C1。在一些实施例中，第一载板C1可以是晶圆基板、玻璃基板、陶瓷基板或塑胶基板。在本实施例中，第一载板C1为塑胶基板用以承载从晶圆基板转移下来的多个发光元件110，但本发明不以此为限。在一些实施例中，第一胶体A1可以是光学胶或压敏胶。在一些实施例中，第一胶体A1的材料可以包含环氧树脂(epoxy)。

在一些实施例中，发光元件110可以是发光二极管(Light Emitting Diode，LED)，其例如是次毫米发光二极管(mini LED)或微型发光二极管(micro LED，μLED)。微型发光二极管的厚度在10微米以下，例如6微米。次毫米发光二极管可分成两种：一种含有封装胶，另一种则未含有封装胶。含有封装胶的次毫米发光二极管的厚度可在800微米以下，而未含有封装胶的次毫米发光二极管的厚度可在100微米以下。此外，发光元件110也可以是次毫米发光二极管与微型发光二极管以外的大尺寸正规发光二极管(regular LED)，所以发光元件110不限制是尺寸较小的次毫米发光二极管或微型发光二极管。

如图1A所示，发光元件110具有第一表面110S1、与第一表面110S1相对的第二表面110S2及连接第一表面110S1与第二表面110S2的侧表面110S3，焊垫120设置于发光元件110的第二表面110S2上。在一些实施例中，发光元件110的第一表面110S1即为发光元件110的出光面。

请参阅图1B，提供第二载板C2及第二胶体A2，第二胶体A2设置于第二载板C2上。在一些实施例中，第二载板C2可以是玻璃基板、陶瓷基板或塑胶基板。在本实施例中，第二载板C2为塑胶基板用以承载并定位从第一载板C1转移下来的至少两个发光元件110，以固定后续接合至阵列基板的次像素间距，但本发明不以此为限。在一些实施例中，第二胶体A2可以是光学胶或压敏胶。在一些实施例中，第一胶体A1的材料可以包含硅胶。

如图1B所示，将至少两个发光元件110从第一载板C1转移至第二载板C2，发光元件110的第一表面110S1藉由第二胶体A2贴附于第二载板C2上，发光元件110的第二表面110S2上形成有第一胶体残留物A1R。在一些实施例中，将至少两个发光元件110从第一载板C1转移至第二载板C2的方式可包括激光剥离(laser lift-off)制程。

请参阅图1C，形成一或多个间隔层150’于第二载板C2上。在一些实施例中，间隔层150’可以是光阻。在一些实施例中，形成一或多个间隔层150’的方式可为喷墨制程、印刷制程、涂布制程以及微影制程。如图1C所示，间隔层150’的高度大于发光元件110与第一胶体残留物A1R的高度总和。换句话说，间隔层150’凸出于第一胶体残留物A1R的上表面。在一些实施例中，间隔层150’可用以定义后续遮光层的填充范围，以及后续将发光元件110从第二载板C2转移至阵列基板时，可做为第二载板C2与阵列基板之间的支撑件。在一些实施例中，间隔层150’可以包含环状结构、网状结构、柱状结构或上述的组合。

请参阅图1D，形成遮光层160’于发光元件110上及第一胶体残留物A1R上，并填满发光元件110之间的间隔。在一些实施例中，遮光层160’的材料可以包含酚醛树脂(phenolformaldehyde resins)、环氧树脂、催化剂、氧化硅、深色光阻或上述的组合。在一些实施例中，形成遮光层160’的方式可为沉积制程、喷墨制程、印刷制程或涂布制程。

接着，如图1E及图1F所示，进行蚀刻E来移除第一胶体残留物A1R及部分的遮光层160’以暴露发光元件110的第二表面110S2。在一些实施例中，移除第一胶体残留物A1R及部分的遮光层160’的方式可为干蚀刻，例如以六氟化硫(SF₆)与氧气的混和气体进行电浆蚀刻。

在一些实施例中，间隔层150’的蚀刻率小于遮光层160’的蚀刻率，且遮光层160’的蚀刻率小于或等于第一胶体残留物A1R的蚀刻率。换句话说，间隔层150’的蚀刻率小于遮光层160’的蚀刻率，且遮光层160’的蚀刻率小于或等于第一胶体A1的蚀刻率。在一些实施例中，除了藉由选择材料来达成上述的蚀刻率关系，亦可藉由调整制程，例如烘烤的温度或时间来达成。

如图1F所示，间隔层150’于蚀刻后形成为一或多个间隔件150，遮光层160’于蚀刻后形成为多个遮光单元160，且第一胶体残留物A1R于蚀刻后被移除，进而暴露发光元件110的第二表面110S2。间隔件150的高度大于发光元件110的高度及遮光单元160的高度。在一些实施例中，于后续将发光元件110从第二载板C2转移至阵列基板时，间隔件150可做为第二载板C2与阵列基板之间的支撑件。在一些实施例中，间隔件150可以包含环状结构、网状结构、柱状结构或上述的组合。

请参阅图1G，提供阵列基板100，在暴露发光元件110的第二表面110S2之后，将发光元件110从第二载板C2转移至阵列基板100，发光元件110的第二表面110S2面对阵列基板100。在一些实施例中，阵列基板100可以包含显示装置1需要的元件或线路，例如驱动元件、开关元件、电源线、驱动信号线、时序信号线、电流补偿线、检测信号线。举例而言，可以利用沉积制程及微影蚀刻制程来形成显示装置1需要的元件或线路。

如图1G所示，阵列基板100上形成有多个接垫130，以与形成于多个发光元件110的第二表面110S2上的焊垫120电连接，进而使发光元件110接合至阵列基板100。详细而言，于焊垫120上形成焊料140，再将第二载板C2与阵列基板100对准后，使用激光L照射第二胶体A2使发光元件110从第二载板C2剥离，同时可使焊料140焊接焊垫120与接垫130，进而接合发光元件110与阵列基板100，但本发明不限于此，焊料140可在发光元件110转移至第一载板C1前，就形成于焊垫120上。在一些实施例中，接垫130可以采用无电电镀(例如化镀)的制程形成在阵列基板100上，且接垫130的材料可包含镍金合金。焊料140的材料可包含适合用以共晶焊接的金属，例如锡、铟、铋等，以于激光照射时，与接垫130形成共晶接合。

请参阅图1G及图2，显示装置1包含阵列基板100、多个发光元件110及多个遮光单元160。多个发光元件110设置于阵列基板100上并电连接阵列基板100。每一发光元件110具有第一表面110S1及与第一表面相对的第二表面110S2，第二表面110S2面对阵列基板100。多个遮光单元160设置于阵列基板100上并可与多个发光元件110交错设置，遮光单元160暴露发光元件110的第一表面110S1，第一表面110S1即为发光元件110的出光面。每一遮光单元160具有顶部160T及与顶部相对的底部160B，底部160B面对阵列基板100，且底部160B与阵列基板100之间包含空腔170。在一些实施例中，空腔170可以是空气层。

藉由形成遮光层160’于发光元件110上及第一胶体残留物A1R上，并填满发光元件110之间的间隔，可保护第二胶体A2，而于蚀刻移除第一胶体残留物A1R时，降低第二胶体A2被破坏的机率，进而降低发光元件110接合至阵列基板100时产生偏移导致发生暗点的机率，故可提升良率。此外，因上述制程而形成其底部160B与阵列基板100之间包含空腔170的遮光单元160，可避免发出不同色光的发光元件110产生混光，进而降低光串扰。

请继续参阅图2，显示装置1具有显示区AA及围绕显示区AA的周边区PA，发光元件110设置于显示区AA中，间隔件150设置于周边区PA中。在一些实施例中，间隔件150的厚度T1大于遮光单元160的厚度T2，且遮光单元160的厚度T2大于或等于发光元件110的厚度T3。如图2所示，间隔件150具有面对阵列基板100的底面150S2及与底面150S2相对的顶面150S1，顶面150S1大于底面150S2。

如图1G及图2所示，间隔件150的厚度T1大于遮光单元160的厚度T2，而遮光单元160的底部160B与发光元件110的第二表面110S2大致切齐。因此，在本实施例中，间隔层150’的蚀刻率小于遮光层160’的蚀刻率，且遮光层160’的蚀刻率等于第一胶体残留物A1R的蚀刻率，即遮光层160’的蚀刻率等于第一胶体A1的蚀刻率。

在一些实施例中，发光元件110的第一表面110S1凸出于遮光单元160的顶部160T。在一些实施例中，发光元件110的第一表面110S1可以包含粗糙结构，以提升光萃取率。在一些实施例中，遮光单元160除了接触发光元件110的侧表面110S3，更可延伸至发光元件110的第二表面110S2邻近侧表面110S3的部分，可更进一步降低光串扰。

图3是本发明至少另一实施例的显示装置的局部剖面示意图。请参阅图3，图3的实施例与图2的实施例大部分的元件结构、材料、制程及相对位置关系皆相同，故在此不再赘述相同技术特征。两实施例之间的差异为图3的显示装置2的遮光单元260，其底部260B包含曲面，且曲面为凸出于发光元件110的凸面。

详细而言，遮光单元260的底部260B凸出于发光元件110的第二表面110S2，间隔件150的厚度T1大于遮光单元260的厚度T2，且遮光单元260的厚度T2大于发光元件110的厚度T3。因此，在本实施例中，间隔层150’的蚀刻率小于遮光层160’的蚀刻率，且遮光层160’的蚀刻率小于第一胶体残留物A1R的蚀刻率，即遮光层160’的蚀刻率小于第一胶体A1的蚀刻率。藉由上述结构设计及材料选择或制程调整，可更进一步降低光串扰。

在一些实施例中，遮光单元260与发光元件110之间的厚度差值小于或等于间隔件150与发光元件110之间的厚度差值，以使发光元件110可与阵列基板100顺利接合。在一些实施例中，形成于阵列基板100上的接垫130的厚度约等于间隔件150与遮光单元260之间的厚度差值，以使发光元件110可与阵列基板100顺利接合。

图4是本发明至少另一实施例的显示装置的局部剖面示意图。请参阅图4，图4的实施例与图2的实施例大部分的元件结构、材料、制程及相对位置关系皆相同，故在此不再赘述相同技术特征。两实施例之间的差异为图4的显示装置3的遮光单元360，其底部360B包含曲面，且曲面为凹面，发光元件110凸出于凹面。

详细而言，发光元件110的第二表面110S2凸出于遮光单元360的底部360B，间隔件150的厚度T1大于遮光单元360的厚度T2，且遮光单元360的边缘厚度T21大于或等于发光元件110的厚度T3，而遮光单元360的中央厚度T22小于发光元件110的厚度T3。因此，在本实施例中，间隔层150’的蚀刻率小于遮光层160’的蚀刻率，且遮光层160’的蚀刻率大于第一胶体残留物A1R的蚀刻率，即遮光层160’的蚀刻率大于第一胶体A1的蚀刻率。藉由上述结构设计及材料选择或制程调整，仍可降低光串扰。

图5A到图5G是本发明至少另一实施例的显示装置在不同制程阶段的局部剖面图。图6是本发明至少另一实施例的显示装置的局部剖面示意图。图5A到图5G及图6的实施例与图1A到图1G及图2的实施例大部分的元件结构、材料、制程及相对位置关系皆相同，故在此不再赘述相同技术特征。然而，两实施例之间的差异将详述如下。

请参阅图5C到图5F，与图1C到图1F的差异在于，如图5C所示，仅形成遮光层460’于发光元件110上及第一胶体残留物A1R上，并填满发光元件110之间的间隔，但未形成间隔层。接着，如图5D及图5E所示，进行蚀刻E来移除第一胶体残留物A1R及部分的遮光层460’以暴露发光元件110的第二表面110S2。详细而言，遮光层460’于蚀刻后形成为多个遮光单元460，且第一胶体残留物A1R于蚀刻后被移除，进而暴露发光元件110的第二表面110S2。

接着，如图5F所示，提供阵列基板100并形成一或多个第一间隔件450及一或多个第二间隔件451于阵列基板100上，第一间隔件450的高度大于第二间隔件451的高度。如图5G所示，在暴露发光元件110的第二表面110S2之后，将发光元件110从第二载板C2转移至阵列基板100，发光元件110的第二表面110S2面对阵列基板100。在一些实施例中，在发光元件110从第二载板C2转移至阵列基板100时，第一间隔件450接触第二胶体A2，第二间隔件451接触遮光层460’，第一间隔件450及第二间隔件451做为第二载板C2与阵列基板100之间的支撑件。

请参阅图6，显示装置4的第一间隔件450设置于周边区PA中，第二间隔件451设置于显示区AA中并接触遮光单元460，第一间隔件450的厚度T1大于第二间隔件451的厚度T4，第一间隔件450及第二间隔件451分别具有面对阵列基板100的底面450S2、451S2及与底面450S2、451S2相对的顶面450S1、451S1，底面450S2、451S2分别大于顶面450S1、451S1。

在一些实施例中，如图6所示，于显示装置4中，最邻近第一间隔件450的遮光单元460的顶部460T与第一间隔件450之间具有间距，而最邻近第一间隔件450的遮光单元460的底部460B，其边缘为曲线。

图7是本发明至少另一实施例的显示装置的局部剖面示意图。请参阅图7，图7的实施例与图6的实施例大部分的元件结构、材料、制程及相对位置关系皆相同，故在此不再赘述相同技术特征。两实施例之间的差异为图7的显示装置5的遮光单元560除了位于显示区AA中，更延伸至周边区PA中，甚至接近显示装置5的边缘。此外，显示装置5仅包含与遮光单元560接触的多个间隔件550，间隔件550位于显示区AA及周边区PA中，即显示装置5未包含分别位于显示区AA及周边区PA的不同厚度的间隔件。

综上所述，在以上本发明至少一实施例的显示装置及其制造方法，藉由形成遮光层于发光元件上及残胶上，并填满发光元件之间的间隔，可保护定位载板与发光元件之间的胶体，而于蚀刻移除残胶时，降低定位载板与发光元件之间的胶体被破坏的机率，进而降低发光元件接合至阵列基板时产生偏移导致发生暗点的机率，故可提升良率。此外，因上述制程而形成其底部与阵列基板之间包含空腔或其底部包含曲面的遮光单元，可避免发出不同色光的发光元件产生混光，进而降低光串扰。

虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明精神和范围内，当可作些许更动与润饰，因此本发明保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (13)

1.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一第一载板、一第一胶体及多个发光元件，其中该第一胶体设置于该些发光元件与该第一载板之间，并黏合该些发光元件与该第一载板；

提供一第二载板及一第二胶体，其中该第二胶体设置于该第二载板上；

将该些发光元件的至少两个发光元件从该第一载板转移至该第二载板，每一该至少两个发光元件具有一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面，其中该第一表面藉由该第二胶体贴附于该第二载板上，该第二表面上形成有一第一胶体残留物；

形成一遮光层于该至少两个发光元件上及该些第一胶体残留物上，并填满该至少两个发光元件之间的间隔；

移除该些第一胶体残留物及部分的该遮光层以暴露该些第二表面；以及

提供一阵列基板，在暴露该些第二表面之后，将该至少两个发光元件从该第二载板转移至该阵列基板，其中该些第二表面面对该阵列基板。

2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，其中在形成该遮光层之前，更包括形成一或多个间隔层于该第二载板上。

3.如权利要求2所述的显示装置的制造方法，其特征在于，其中移除该些第一胶体残留物及部分的该遮光层的方式为干蚀刻，该一或多个间隔层的蚀刻率大于该遮光层的蚀刻率，且该遮光层的蚀刻率大于或等于该第一胶体的蚀刻率。

4.一种显示装置，其特征在于，包括：

一阵列基板；

多个发光元件，设置于该阵列基板上并电连接该阵列基板，每一该些发光元件具有一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面，该些第二表面面对该阵列基板；以及

多个遮光单元，设置于该阵列基板上并与该些发光元件交错设置，且暴露该些第一表面，其中每一该些遮光单元具有一顶部及与该顶部相对的一底部，该底部面对该阵列基板，且该底部与该阵列基板之间包括一空腔。

5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，更包括一或多个间隔件设置于该阵列基板上，其中每一该一或多个间隔件的厚度大于每一该些遮光单元的厚度，每一该些遮光单元的厚度大于或等于每一该些发光元件的厚度，且每一该一或多个间隔件具有面对该阵列基板的一底面及与该底面相对的一顶面，该顶面大于该底面。

6.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，更包括一或多个间隔件设置于该阵列基板上，其中每一该一或多个间隔件具有面对该阵列基板的一底面及与该底面相对的一顶面，该底面大于该顶面。

7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，具有一显示区及围绕该显示区的周边区，其中该些间隔件包括设置于该周边区中的一或多个第一间隔件及设置于该显示区中的一或多个第二间隔件，每一该一或多个第一间隔件的厚度大于每一该一或多个第二间隔件的厚度。

8.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，其中该底部包括一曲面。

9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，其中该曲面为一凸面，该凸面凸出于该些发光元件。

10.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，其中该曲面为一凹面，该些发光元件凸出于该凹面。

11.一种显示装置，其特征在于，包括：

一阵列基板；

多个发光元件，设置于该阵列基板上并电连接该阵列基板，每一该些发光元件具有一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面，该些第二表面面对该阵列基板；以及

多个遮光单元，设置于该阵列基板上并与该些发光元件交错设置，且暴露该些第一表面，其中每一该些遮光单元具有一顶部及与该顶部相对的一底部，该底部面对该阵列基板，且该底部包括一曲面。

12.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，其中该曲面为一凸面，该凸面凸出于该些发光元件。

13.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，其中该曲面为一凹面，该些发光元件凸出于该凹面。