TWI864851B - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種顯示裝置，包含陣列基板、多個發光元件及多個遮光單元。多個發光元件設置於陣列基板上並電連接陣列基板，每一發光元件具有第一表面及與第一表面相對的第二表面，第二表面面對陣列基板。多個遮光單元設置於陣列基板上並與多個發光元件交錯設置，且暴露每一發光元件的第一表面。每一遮光單元具有頂部及底部，底部面對陣列基板，且底部與陣列基板之間包含空腔。

Description

顯示裝置及其製造方法

本發明是有關於一種顯示裝置，特別是有關於一種包含遮光單元的顯示裝置。

微型發光二極體(Micro-LED)顯示裝置具有省電、高效率、高亮度及反應時間快等優點。為了實現巨量轉移，目前的轉移過程中，會採用蝕刻方式將轉移至定位載板的微型發光二極體上的殘膠移除。然而，上述做法雖然可以移除殘膠，但也容易破壞定位載板與微型發光二極體之間的膠體，導致微型發光二極體偏移，進而造成後續定位載板上的微型發光二極體接合至陣列基板時產生偏移，發生微型發光二極體無法點亮而產生暗點的問題，使整體良率下降。

本發明提供一種顯示裝置，能降低定位載板與微型發光二極體之間的膠體被破壞的機率，進而提升良率。

本發明至少一實施例所提出的顯示裝置的製造方法，包含提供第一載板、第一膠體及多個發光元件，第一膠體設置於多個發光元件與第一載板之間，並黏合多個發光元件與第一載板。提供第二載板及第二膠體，第二膠體設置於第二載板上。將多個發光元件的至少兩個發光元件從第一載板轉移至第二載板，每一至少兩個發光元件具有第一表面及與第一表面相對的第二表面，每一至少兩個發光元件第一表面藉由第二膠體貼附於第二載板上，第二表面上形成有第一膠體殘留物。之後，形成遮光層於至少兩個發光元件上及第一膠體殘留物上，並填滿至少兩個發光元件之間的間隔。之後，移除第一膠體殘留物及部分的遮光層以暴露第二表面。提供陣列基板，在暴露第二表面之後，將至少兩個發光元件從第二載板轉移至陣列基板，第二表面面對陣列基板。

在本發明至少一實施例中，在形成所述遮光層之前，更包含形成一或多個間隔層於第二載板上。

在本發明至少一實施例中，移除所述第一膠體殘留物及部分的所述遮光層的方式為乾蝕刻，所述一或多個間隔層的蝕刻率小於所述遮光層的蝕刻率，且所述遮光層的蝕刻率小於或等於所述第一膠體殘留物的蝕刻率。

本發明至少一實施例所提出的顯示裝置，包含陣列基板、多個發光元件及多個遮光單元。多個發光元件設置於陣列基板上並電連接陣列基板，每一發光元件具有第一表面及與第一表面相對的第二表面，第二表面面對陣列基板。多個遮光單元設置於陣列基板上並與多個發光元件交錯設置，且暴露每一發光元件的第一表面。每一遮光單元具有頂部及與頂部相對的底部，底部面對陣列基板，且底部與陣列基板之間包含空腔。

在本發明至少一實施例中，所述底部包含曲面。

在本發明另一實施例所提出的顯示裝置，包含陣列基板、多個發光元件及多個遮光單元。多個發光元件設置於陣列基板上並電連接陣列基板，每一發光元件具有第一表面及與第一表面相對的第二表面，第二表面面對陣列基板。多個遮光單元設置於陣列基板上並與多個發光元件交錯設置，且暴露每一發光元件的第一表面。每一遮光單元具有頂部及與頂部相對的底部，底部面對陣列基板，且底部包含曲面。

在本發明至少一實施例中，所述曲面為凸面，凸面凸出於多個發光元件。

在本發明至少一實施例中，所述曲面為凹面，多個發光元件凸出於該凹面。

在本發明至少一實施例中，顯示裝置更包含一或多個間隔件設置於所述陣列基板上，每一間隔件的厚度大於每一所述遮光單元的厚度，每一所述遮光單元的厚度大於或等於每一所述發光元件的厚度，且每一間隔件具有面對所述陣列基板的底面及與底面相對的頂面，頂面大於底面。

在本發明至少另一實施例中，顯示裝置更包含一或多個間隔件設置於所述陣列基板上，每一間隔件具有面對所述陣列基板的底面及與底面相對的頂面，底面大於頂面。

在本發明至少另一實施例中，顯示裝置具有顯示區及圍繞顯示區的週邊區，所述間隔件包含設置於週邊區中的一或多個第一間隔件及設置於顯示區中的一或多個第二間隔件，每一第一間隔件的厚度大於每一第二間隔件的厚度。

在以下的內文中，為了清楚呈現本發明的技術特徵，圖式中的元件（例如層、膜、基板以及區域等）的尺寸（例如長度、寬度、厚度與深度）會以不等比例的方式放大，而且有的元件數量會減少。因此，下文實施例的說明與解釋不受限於圖式中的元件數量以及元件所呈現的尺寸與形狀，而應涵蓋如實際製程及/或公差所導致的尺寸、形狀以及兩者的偏差。例如，圖式所示的平坦表面可以具有粗糙及/或非線性的特徵，而圖式所示的銳角可以是圓的。所以，本發明圖式所呈示的元件主要是用於示意，並非旨在精準地描繪出元件的實際形狀，也非用於限制本發明的申請專利範圍。

其次，本發明所出現的「約」、「近似」或「實質上」等這類用字不僅涵蓋明確記載的數值與數值範圍，而且也涵蓋發明所屬技術領域中具有通常知識者所能理解的可允許偏差範圍，其中此偏差範圍可由測量時所產生的誤差來決定，而此誤差例如是起因於測量系統或製程條件兩者的限制。舉例而言，兩物件（例如基板的平面或走線）「實質上平行」或「實質上垂直」，其中「實質上平行」與「實質上垂直」分別代表這兩物件之間的平行與垂直可包含允許偏差範圍所導致的不平行與不垂直。

此外，「約」可表示在上述數值的一個或多個標準偏差內，例如±30％、±20％、±10％或±5％內。本發明所出現的「約」、「近似」或「實質上」等這類用字可依光學性質、蝕刻性質、機械性質或其他性質來選擇可以接受的偏差範圍或標準偏差，並非單以一個標準偏差來套用以上光學性質、蝕刻性質、機械性質以及其他性質等所有性質。

本發明所使用的空間相對用語，例如「下方」、「之下」、「上方」、「之上」等，這是為了便於敘述一元件或特徵與另一元件或特徵之間的相對關係，如圖中所繪示。這些空間上的相對用語的真實意義包含其他的方位。例如，當圖示上下翻轉180度時，一元件與另一元件之間的關係，可能從「下方」、「之下」變成「上方」、「之上」。此外，本發明所使用的空間上的相對敘述也應作同樣的解釋。

應當可以理解的是，雖然本發明可能會使用到「第一」、「第二」、「第三」等術語來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本發明所使用的術語「或」，應視實際情況可能包含相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。

雖然本發明中利用一系列的操作或步驟來說明製造方法，但是這些操作或步驟所示的順序不應被解釋為本發明的限制。例如，某些操作或步驟可以按不同順序進行及/或與其它步驟同時進行。此外，在此所述的每一個操作或步驟可以包含數個子步驟或動作。

此外，本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本發明的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種實施例的組合、修改與變更。

圖1A到圖1G是本發明至少一實施例的顯示裝置在不同製程階段的局部剖面圖。圖2是本發明至少一實施例的顯示裝置的局部剖面示意圖。請參閱圖1A，提供第一載板C1、第一膠體A1及多個發光元件110，第一膠體A1設置於多個發光元件110與第一載板C1之間，並黏合多個發光元件110與第一載板C1。在一些實施例中，第一載板C1可以是晶圓基板、玻璃基板、陶瓷基板或塑膠基板。在本實施例中，第一載板C1為塑膠基板用以承載從晶圓基板轉移下來的多個發光元件110，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第一膠體A1可以是光學膠或壓敏膠。在一些實施例中，第一膠體A1的材料可以包含環氧樹脂（epoxy）。

在一些實施例中，發光元件110可以是發光二極體（Light Emitting Diode，LED），其例如是次毫米發光二極體（mini LED）或微型發光二極體（micro LED，μLED）。微型發光二極體的厚度在10微米以下，例如6微米。次毫米發光二極體可分成兩種：一種含有封裝膠，另一種則未含有封裝膠。含有封裝膠的次毫米發光二極體之厚度可在800微米以下，而未含有封裝膠的次毫米發光二極體之厚度可在100微米以下。此外，發光元件110也可以是次毫米發光二極體與微型發光二極體以外的大尺寸正規發光二極體(regular LED)，所以發光元件110不限制是尺寸較小的次毫米發光二極體或微型發光二極體。

如圖1A所示，發光元件110具有第一表面110S1、與第一表面110S1相對的第二表面110S2及連接第一表面110S1與第二表面110S2的側表面110S3，焊墊120設置於發光元件110的第二表面110S2上。在一些實施例中，發光元件110的第一表面110S1即為發光元件110的出光面。

請參閱圖1B，提供第二載板C2及第二膠體A2，第二膠體A2設置於第二載板C2上。在一些實施例中，第二載板C2可以是玻璃基板、陶瓷基板或塑膠基板。在本實施例中，第二載板C2為塑膠基板用以承載並定位從第一載板C1轉移下來的至少兩個發光元件110，以固定後續接合至陣列基板的次畫素間距，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第二膠體A2可以是光學膠或壓敏膠。在一些實施例中，第二膠體A2的材料可以包含矽膠。

如圖1B所示，將至少兩個發光元件110從第一載板C1轉移至第二載板C2，發光元件110的第一表面110S1藉由第二膠體A2貼附於第二載板C2上，發光元件110的第二表面110S2上形成有第一膠體殘留物A1R。在一些實施例中，將至少兩個發光元件110從第一載板C1轉移至第二載板C2的方式可包括雷射剝離(laser lift-off）製程。

請參閱圖1C，形成一或多個間隔層150’於第二載板C2上。在一些實施例中，間隔層150’可以是光阻。在一些實施例中，形成一或多個間隔層150’的方式可為噴墨製程、印刷製程、塗佈製程以及微影製程。如圖1C所示，間隔層150’的高度大於發光元件110與第一膠體殘留物A1R的高度總和。換句話說，間隔層150’凸出於第一膠體殘留物A1R的上表面。在一些實施例中，間隔層150’可用以定義後續遮光層的填充範圍，以及後續將發光元件110從第二載板C2轉移至陣列基板時，可做為第二載板C2與陣列基板之間的支撐件。在一些實施例中，間隔層150’可以包含環狀結構、網狀結構、柱狀結構或上述的組合。

請參閱圖1D，形成遮光層160’於發光元件110上及第一膠體殘留物A1R上，並填滿發光元件110之間的間隔。在一些實施例中，遮光層160’的材料可以包含酚醛樹脂（phenol formaldehyde resins）、環氧樹脂、催化劑、氧化矽、深色光阻或上述的組合。在一些實施例中，形成遮光層160’的方式可為沉積製程、噴墨製程、印刷製程或塗佈製程。

接著，如圖1E及圖1F所示，進行蝕刻E來移除第一膠體殘留物A1R及部分的遮光層160’以暴露發光元件110的第二表面110S2。在一些實施例中，移除第一膠體殘留物A1R及部分的遮光層160’ 的方式可為乾蝕刻，例如以六氟化硫（SF ₆）與氧氣的混和氣體進行電漿蝕刻。

在一些實施例中，間隔層150’的蝕刻率小於遮光層160’的蝕刻率，且遮光層160’的蝕刻率小於或等於第一膠體殘留物A1R的蝕刻率。換句話說，間隔層150’的蝕刻率小於遮光層160’的蝕刻率，且遮光層160’的蝕刻率小於或等於第一膠體A1的蝕刻率。在一些實施例中，除了藉由選擇材料來達成上述的蝕刻率關係，亦可藉由調整製程，例如烘烤的溫度或時間來達成。

如圖1F所示，間隔層150’於蝕刻後形成為一或多個間隔件150，遮光層160’ 於蝕刻後形成為多個遮光單元160，且第一膠體殘留物A1R於蝕刻後被移除，進而暴露發光元件110的第二表面110S2。間隔件150的高度大於發光元件110的高度及遮光單元160的高度。在一些實施例中，於後續將發光元件110從第二載板C2轉移至陣列基板時，間隔件150可做為第二載板C2與陣列基板之間的支撐件。在一些實施例中，間隔件150可以包含環狀結構、網狀結構、柱狀結構或上述的組合。

請參閱圖1G，提供陣列基板100，在暴露發光元件110的第二表面110S2之後，將發光元件110從第二載板C2轉移至陣列基板100，發光元件110的第二表面110S2面對陣列基板100。在一些實施例中，陣列基板100可以包含顯示裝置1需要的元件或線路，例如驅動元件、開關元件、電源線、驅動訊號線、時序訊號線、電流補償線、檢測訊號線。舉例而言，可以利用沉積製程及微影蝕刻製程來形成顯示裝置1需要的元件或線路。

如圖1G所示，陣列基板100上形成有多個接墊130，以與形成於多個發光元件110的第二表面110S2上的焊墊120電連接，進而使發光元件110接合至陣列基板100。詳細而言，於焊墊120上形成焊料140，再將第二載板C2與陣列基板100對準後，使用雷射L照射第二膠體A2使發光元件110從第二載板C2剝離，同時可使焊料140焊接焊墊120與接墊130，進而接合發光元件110與陣列基板100，但本發明不限於此，焊料140可在發光元件110轉移至第一載板C1前，就形成於焊墊120上。在一些實施例中，接墊130可以採用無電電鍍(例如化鍍)的製程形成在陣列基板100上，且接墊130的材料可包含鎳金合金。焊料140的材料可包含適合用以共晶焊接的金屬，例如錫、銦、鉍等，以於雷射照射時，與接墊130形成共晶接合。

請參閱圖1G及圖2，顯示裝置1包含陣列基板100、多個發光元件110及多個遮光單元160。多個發光元件110設置於陣列基板100上並電連接陣列基板100。每一發光元件110具有第一表面110S1及與第一表面相對的第二表面110S2，第二表面110S2面對陣列基板100。多個遮光單元160設置於陣列基板100上並可與多個發光元件110交錯設置，遮光單元160暴露發光元件110的第一表面110S1，第一表面110S1即為發光元件110的出光面。每一遮光單元160具有頂部160T及與頂部160T 相對的底部160B，底部160B面對陣列基板100，且底部160B與陣列基板100之間包含空腔170。在一些實施例中，空腔170可以是空氣層。

藉由形成遮光層160’於發光元件110上及第一膠體殘留物A1R上，並填滿發光元件110之間的間隔，可保護第二膠體A2，而於蝕刻移除第一膠體殘留物A1R時，降低第二膠體A2被破壞的機率，進而降低發光元件110接合至陣列基板100時產生偏移導致發生暗點的機率，故可提升良率。此外，因上述製程而形成其底部160B與陣列基板100之間包含空腔170的遮光單元160，可避免發出不同色光的發光元件110產生混光，進而降低光串擾。

請繼續參閱圖2，顯示裝置1具有顯示區AA及圍繞顯示區AA的週邊區PA，發光元件110設置於顯示區AA中，間隔件150設置於週邊區PA中。在一些實施例中，間隔件150的厚度T1大於遮光單元160的厚度T2，且遮光單元160的厚度T2大於或等於發光元件110的厚度T3。如圖2所示，間隔件150具有面對陣列基板100的底面150S2及與底面150S2相對的頂面150S1，頂面150S1大於底面150S2。

如圖1G及圖2所示，間隔件150的厚度T1大於遮光單元160的厚度T2，而遮光單元160的底部160B與發光元件110的第二表面110S2大致切齊。因此，在本實施例中，間隔層150’的蝕刻率小於遮光層160’的蝕刻率，且遮光層160’的蝕刻率等於第一膠體殘留物A1R的蝕刻率，即遮光層160’的蝕刻率等於第一膠體A1的蝕刻率。

在一些實施例中，發光元件110的第一表面110S1凸出於遮光單元160的頂部160T。在一些實施例中，發光元件110的第一表面110S1可以包含粗糙結構，以提升光萃取率。在一些實施例中，遮光單元160除了接觸發光元件110的側表面110S3，更可延伸至發光元件110的第二表面110S2鄰近側表面110S3的部分，可更進一步降低光串擾。

圖3是本發明至少另一實施例的顯示裝置的局部剖面示意圖。請參閱圖3，圖3的實施例與圖2的實施例大部分的元件結構、材料、製程及相對位置關係皆相同，故在此不再贅述相同技術特徵。兩實施例之間的差異為圖3的顯示裝置2的遮光單元260，其底部260B包含曲面，且曲面為凸出於發光元件110的凸面。

詳細而言，遮光單元260的底部260B凸出於發光元件110的第二表面110S2，間隔件150的厚度T1大於遮光單元260的厚度T2，且遮光單元260的厚度T2大於發光元件110的厚度T3。因此，在本實施例中，間隔層150’的蝕刻率小於遮光層160’的蝕刻率，且遮光層160’的蝕刻率小於第一膠體殘留物A1R的蝕刻率，即遮光層160’的蝕刻率小於第一膠體A1的蝕刻率。藉由上述結構設計及材料選擇或製程調整，可更進一步降低光串擾。

在一些實施例中，遮光單元260與發光元件110之間的厚度差值小於或等於間隔件150與發光元件110之間的厚度差值，以使發光元件110可與陣列基板100順利接合。在一些實施例中，形成於陣列基板100上的接墊130的厚度約等於間隔件150與遮光單元260之間的厚度差值，以使發光元件110可與陣列基板100順利接合。

圖4是本發明至少另一實施例的顯示裝置的局部剖面示意圖。請參閱圖4，圖4的實施例與圖2的實施例大部分的元件結構、材料、製程及相對位置關係皆相同，故在此不再贅述相同技術特徵。兩實施例之間的差異為圖4的顯示裝置3的遮光單元360，其底部360B包含曲面，且曲面為凹面，發光元件110凸出於凹面。

詳細而言，發光元件110的第二表面110S2凸出於遮光單元360的底部360B，間隔件150的厚度T1大於遮光單元360的厚度T2，且遮光單元360的邊緣厚度T21大於或等於發光元件110的厚度T3，而遮光單元360的中央厚度T22小於發光元件110的厚度T3。因此，在本實施例中，間隔層150’的蝕刻率小於遮光層160’的蝕刻率，且遮光層160’的蝕刻率大於第一膠體殘留物A1R的蝕刻率，即遮光層160’的蝕刻率大於第一膠體A1的蝕刻率。藉由上述結構設計及材料選擇或製程調整，仍可降低光串擾。

圖5A到圖5G是本發明至少另一實施例的顯示裝置在不同製程階段的局部剖面圖。圖6是本發明至少另一實施例的顯示裝置的局部剖面示意圖。圖5A到圖5G及圖6的實施例與圖1A到圖1G及圖2的實施例大部分的元件結構、材料、製程及相對位置關係皆相同，故在此不再贅述相同技術特徵。然而，兩實施例之間的差異將詳述如下。

請參閱圖5C到圖5F，與圖1C到圖1F的差異在於，如圖5C所示，僅形成遮光層460’於發光元件110上及第一膠體殘留物A1R上，並填滿發光元件110之間的間隔，但未形成間隔層。接著，如圖5D及圖5E所示，進行蝕刻E來移除第一膠體殘留物A1R及部分的遮光層460’以暴露發光元件110的第二表面110S2。詳細而言，遮光層460’於蝕刻後形成為多個遮光單元460，且第一膠體殘留物A1R於蝕刻後被移除，進而暴露發光元件110的第二表面110S2。

接著，如圖5F所示，提供陣列基板100並形成一或多個第一間隔件450及一或多個第二間隔件451於陣列基板100上，第一間隔件450的高度大於第二間隔件451的高度。如圖5G所示，在暴露發光元件110的第二表面110S2之後，將發光元件110從第二載板C2轉移至陣列基板100，發光元件110的第二表面110S2面對陣列基板100。在一些實施例中，在發光元件110從第二載板C2轉移至陣列基板100時，第一間隔件450接觸第二膠體A2，第二間隔件451接觸遮光單元460，第一間隔件450及第二間隔件451做為第二載板C2與陣列基板100之間的支撐件。

請參閱圖6，顯示裝置4的第一間隔件450設置於週邊區PA中，第二間隔件451設置於顯示區AA中並接觸遮光單元460，第一間隔件450的厚度T1大於第二間隔件451的厚度T4，第一間隔件450及第二間隔件451分別具有面對陣列基板100的底面450S2、451S2及與底面450S2、451S2相對的頂面450S1、451S1，底面450S2、451S2分別大於頂面450S1、451S1。

在一些實施例中，如圖6所示，於顯示裝置4中，最鄰近第一間隔件450的遮光單元460的頂部460T與第一間隔件450之間具有間距，而最鄰近第一間隔件450的遮光單元460的底部460B，其邊緣為曲線。

圖7是本發明至少另一實施例的顯示裝置的局部剖面示意圖。請參閱圖7，圖7的實施例與圖6的實施例大部分的元件結構、材料、製程及相對位置關係皆相同，故在此不再贅述相同技術特徵。兩實施例之間的差異為圖7的顯示裝置5的遮光單元560除了位於顯示區AA中，更延伸至週邊區PA中，甚至接近顯示裝置5的邊緣。此外，顯示裝置5僅包含與遮光單元560接觸的多個間隔件550，間隔件550位於顯示區AA及週邊區PA中，即顯示裝置5未包含分別位於顯示區AA及週邊區PA的不同厚度的間隔件。

綜上所述，在以上本發明至少一實施例的顯示裝置及其製造方法，藉由形成遮光層於發光元件上及殘膠上，並填滿發光元件之間的間隔，可保護定位載板與發光元件之間的膠體，而於蝕刻移除殘膠時，降低定位載板與發光元件之間的膠體被破壞的機率，進而降低發光元件接合至陣列基板時產生偏移導致發生暗點的機率，故可提升良率。此外，因上述製程而形成其底部與陣列基板之間包含空腔或其底部包含曲面的遮光單元，可避免發出不同色光的發光元件產生混光，進而降低光串擾。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明精神和範圍內，當可作些許更動與潤飾，因此本發明保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

1、2、3、4、5:顯示裝置

100:陣列基板

110:發光元件

110S1:第一表面

110S2:第二表面

110S3:側表面

120:焊墊

130:接墊

140:焊料

150、550:間隔件

150’:間隔層

150S1、450S1、451S1、550S1:頂面

150S2、450S2、451S2、550S2:底面

160、260、360、460、560:遮光單元

160’、460’:遮光層

160T、260T、360T、460T、560T:頂部

160B、260B、360B、460B、560B:底部

170:空腔

450:第一間隔件

451:第二間隔件

A1:第一膠體

A1R:第一膠體殘留物

A2:第二膠體

AA:顯示區

C1:第一載板

C2:第二載板

E:蝕刻

L:雷射

PA:週邊區

T1、T2、T3、T4:厚度

T21:邊緣厚度

T22:中央厚度

圖1A到圖1G是本發明至少一實施例的顯示裝置在不同製程階段的局部剖面圖。 圖2是本發明至少一實施例的顯示裝置的局部剖面示意圖。 圖3是本發明至少另一實施例的顯示裝置的局部剖面示意圖。 圖4是本發明至少另一實施例的顯示裝置的局部剖面示意圖。 圖5A到圖5G是本發明至少另一實施例的顯示裝置在不同製程階段的局部剖面圖。 圖6是本發明至少另一實施例的顯示裝置的局部剖面示意圖。 圖7是本發明至少另一實施例的顯示裝置的局部剖面示意圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

1:顯示裝置

100:陣列基板

110:發光元件

110S1:第一表面

110S2:第二表面

110S3:側表面

120:焊墊

130:接墊

140:焊料

150:間隔件

150S1:頂面

150S2:底面

160:遮光單元

160T:頂部

160B:底部

170:空腔

AA:顯示區

PA:週邊區

T1、T2、T3:厚度

Claims (13)

1. 一種顯示裝置的製造方法，包括：提供一第一載板、一第一膠體及多個發光元件，其中該第一膠體設置於該些發光元件與該第一載板之間，並黏合該些發光元件與該第一載板；提供一第二載板及一第二膠體，其中該第二膠體設置於該第二載板上；將該些發光元件的至少兩個發光元件從該第一載板轉移至該第二載板，每一該至少兩個發光元件具有一第一表面及與該第一表面相對的一第二表面，其中該第一表面藉由該第二膠體貼附於該第二載板上，該第二表面上形成有一第一膠體殘留物；形成一遮光層於該至少兩個發光元件上及該些第一膠體殘留物上，並填滿該至少兩個發光元件之間的間隔；移除該些第一膠體殘留物及部分的該遮光層以暴露該些第二表面；提供一陣列基板，在暴露該些第二表面之後，將該至少兩個發光元件從該第二載板轉移至該陣列基板，其中該些第二表面面對該陣列基板；以及形成一或多個間隔層於該陣列基板上或該第二載板上以形成一或多個間隔件於該陣列基板上，其中每一該一或多個間隔件具有面對該陣列基板的一底面及與該底面相對的一頂面，該頂面大於或小於該底面。
2. 如請求項1所述之顯示裝置的製造方法，其中在形成該遮光層之前，更包括形成該一或多個間隔層於該第二載板上。
3. 如請求項2所述之顯示裝置的製造方法，其中移除該些第一膠體殘留物及部分的該遮光層的方式為乾蝕刻，該一或多個間隔層的蝕刻率小於該遮光層的蝕刻率，且該遮光層的蝕刻率小於或等於該第一膠體的蝕刻率。
4. 一種顯示裝置，包括：一陣列基板；多個發光元件，設置於該陣列基板上並電連接該陣列基板，每一該些發光元件具有一第一表面及與該第一表面相對的一第二表面，該些第二表面面對該陣列基板；多個遮光單元，設置於該陣列基板上並與該些發光元件交錯設置，且暴露該些第一表面，其中每一該些遮光單元具有一頂部及與該頂部相對的一底部，該底部面對該陣列基板，且該底部與該陣列基板之間包括一空腔；以及一或多個間隔件，設置於該陣列基板上，其中每一該一或多個間隔件具有面對該陣列基板的一底面及與該底面相對的一頂面，該頂面大於或小於該底面。
5. 如請求項4所述之顯示裝置，其中每一該一或多個間隔件的厚度大於每一該些遮光單元的厚度，每一 該些遮光單元的厚度大於或等於每一該些發光元件的厚度。
6. 如請求項4所述之顯示裝置，其中每一該些遮光單元與每一該些發光元件之間的厚度差值小於或等於每一該些間隔件與每一該些發光元件之間的厚度差值。
7. 如請求項4所述之顯示裝置，具有一顯示區及圍繞該顯示區的週邊區，其中該些間隔件包括設置於該週邊區中的一或多個第一間隔件及設置於該顯示區中的一或多個第二間隔件，每一該一或多個第一間隔件的厚度大於每一該一或多個第二間隔件的厚度。
8. 如請求項4所述之顯示裝置，其中該底部包括一曲面。
9. 如請求項8所述之顯示裝置，其中該曲面為一凸面，該凸面凸出於該些發光元件。
10. 如請求項8所述之顯示裝置，其中該曲面為一凹面，該些發光元件凸出於該凹面。
11. 一種顯示裝置，包括：一陣列基板； 多個發光元件，設置於該陣列基板上並電連接該陣列基板，每一該些發光元件具有一第一表面及與該第一表面相對的一第二表面，該些第二表面面對該陣列基板；多個遮光單元，設置於該陣列基板上並與該些發光元件交錯設置，且暴露該些第一表面，其中每一該些遮光單元具有一頂部及與該頂部相對的一底部，該底部面對該陣列基板，且該底部包括一曲面；以及一或多個間隔件，設置於該陣列基板上，其中每一該一或多個間隔件具有面對該陣列基板的一底面及與該底面相對的一頂面，該頂面大於或小於該底面。
12. 如請求項11所述之顯示裝置，其中該曲面為一凸面，該凸面凸出於該些發光元件。
13. 如請求項11所述之顯示裝置，其中該曲面為一凹面，該些發光元件凸出於該凹面。

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