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CN102339808A - 封装引线框架结构 - Google Patents

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CN102339808A
CN102339808A CN2011103327308A CN201110332730A CN102339808A CN 102339808 A CN102339808 A CN 102339808A CN 2011103327308 A CN2011103327308 A CN 2011103327308A CN 201110332730 A CN201110332730 A CN 201110332730A CN 102339808 A CN102339808 A CN 102339808A
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CN
China
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chip
adhesive layer
conductive adhesive
molybdenum sheet
base island
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CN2011103327308A
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侯友良
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WUXI RED MICROELECTRONICS CO Ltd
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WUXI RED MICROELECTRONICS CO Ltd
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    • H10W72/884—
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    • H10W90/756—

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明提供了封装引线框架结构，其使得封装的芯片不易与底部的框架因为材料的热膨胀系数差异而导致在高温环境中破裂，确保产品有效，且提高了一次加工良率。其包括框架底板、基岛、芯片、引线、外引脚，所述框架底板上设置有基岛，所述芯片位于所述基岛的区域内，所述引线连接所述芯片、外引脚，其特征在于：所述基岛上涂布有导热胶层，钼片底部粘接所述导热胶层，所述钼片的上表面涂布有导电胶层，所述芯片的底部粘接所述导电胶层，所述芯片的外边缘均位于所述钼片的外边缘内部。

Description

封装引线框架结构
技术领域
    本发明涉及半导体器件封装的技术领域，具体为封装引线框架结构。
背景技术
现有的TO-3P封装结构是在TO-3P框架通过导电胶/或绝缘胶粘结芯片，芯片外再包封环氧树脂，由于该工艺的所封装的芯片尺寸较大，封装后由于芯片与框架两种材料之间热膨胀系数差异较大，易造成后加热包封及使用过程中由于温度过高，使得芯片破裂，使产品失效，且目前的加热包封易导致芯片破裂，封装结构一次加工良率只有80%左右，加工良率低。
发明内容
针对上述问题，本发明提供了封装引线框架结构，其使得封装的芯片不易与底部的框架因为材料的热膨胀系数差异而导致在高温环境中破裂，确保产品有效，且提高了一次加工良率。
封装引线框架结构，其技术方案是这样的：其包括框架底板、基岛、芯片、引线、外引脚，所述框架底板上设置有基岛，所述芯片位于所述基岛的区域内，所述引线连接所述芯片、外引脚，其特征在于：所述基岛上涂布有导热胶层，钼片底部粘接所述导热胶层，所述钼片的上表面涂布有导电胶层，所述芯片的底部粘接所述导电胶层，所述芯片的外边缘均位于所述钼片的外边缘内部。
其进一步特征在于：所述导电胶层可替换成绝缘胶层；
所述钼片的厚度为2mm。
采用本发明的结构后，由于基岛和芯片之间设置了钼片，钼片的热膨胀系数介于基岛材质、芯片之间，在高温环境中，热膨胀得到了一定的中和，使得芯片的变形和钼片大致相同，而钼片和基岛的变形大致相同，进而芯片不会再高温环境中破裂，确保产品有效，并提高依次加工良率至95%以上，加工良率高。 
附图说明
图1为本发明的TO-3P封装引线框架结构示意图；
图2为图1的左视图结构示意图（加入环氧树脂层）。
具体实施方式
见图1、图2，其包括框架底板1、基岛2、芯片3、引线4、外引脚5，框架底板1上设置有基岛2，芯片3位于基岛2的区域内上，引线4连接芯片3、外引脚5，基岛2上涂布有导热胶层6，2mm厚的钼片7的底部粘接导热胶层6，钼片7的上表面涂布有导电胶层8，芯片3的底部粘接导电胶层8，芯片3的外边缘均位于钼片7的外边缘内部。其中导电胶层8可替换成绝缘胶层。图中9为环氧树脂层。

Claims (3)

1.封装引线框架结构，其包括框架底板、基岛、芯片、引线、外引脚，所述框架底板上设置有基岛，所述芯片位于所述基岛的区域内，所述引线连接所述芯片、外引脚，其特征在于：所述基岛上涂布有导热胶层，钼片底部粘接所述导热胶层，所述钼片的上表面涂布有导电胶层，所述芯片的底部粘接所述导电胶层，所述芯片的外边缘均位于所述钼片的外边缘内部。
2.根据权利要求1所述的封装引线框架结构，其特征在于：所述导电胶层可替换成绝缘胶层。
3.根据权利要求1或2所述的封装引线框架结构，其特征在于：所述钼片的厚度为2mm。
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