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CN101305409B - 用于亮度退化补偿的电致发光器件显示器及其驱动方法 - Google Patents

用于亮度退化补偿的电致发光器件显示器及其驱动方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种用于补偿电致发光器件的亮度退化的方法和系统。该系统包括像素电路，该像素电路具有发光器件、存储电容器、多个晶体管和用于操作像素电路的控制信号线。当对像素电路进行编程和驱动时，存储电容器被连接到晶体管和信号线或从其断开连接。

Description

用于亮度退化补偿的电致发光器件显示器及其驱动方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2005年9月13日提交的加拿大专利申请第2,518,276号的优先权。
技术领域
本发明涉及电致发光器件显示器，更具体而言，涉及用于补偿亮度退化的电致发光器件显示器的驱动技术。
背景技术
电致发光显示器已经被开发来广泛用在如蜂窝电话等各种装置上。特别是，带有非晶硅(a-Si)、多晶硅、有机或其他驱动背板的主动矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器由于诸如可执行灵活显示、制造成本较低、高分辨率和视角较宽等优点而变得更有吸引力。
AMOLED显示器包括多行多列像素构成的阵列和排列成多行多列的阵列形式的背板电子装置，其中每个象素都具有有机发光二极管(OLED)。由于OLED是电流驱动的装置，所以AMOLED的像素电路应能够提供精确且恒定的驱定电流。
需要提供一种能够以高精确度提供具有恒定亮度并能减少像素电路老化的影响的方法和系统。
发明内容
本发明的目标是提供一种能够消除或减轻现有系统的至少一个缺点的方法和系统。
根据本发明的一个方面，提供了一种像素电路，其包括发光器件和具有第一端和第二端的存储电容器。像素电路包括具有栅极端、第一端和第二端的第一晶体管，其中的栅极端连接到第一选择线。像素电路包括具有栅极端、第一端和第二端的第二晶体管，该第二晶体管 的第一端与第一晶体管的第二端相连，并且该第二晶体管的第二端连接到发光器件。像素电路还包括具有栅极端、第一端和第二端的第三晶体管，其栅极端连接到第二选择线，第一端与第一晶体管的第二端相连，并且第二端连接到第二晶体管的栅极端和存储电容器的第一端。像素电路包括具有栅极端、第一端和第二端的第四晶体管，其栅极端连接到第三选择线，第一端连接到存储电容器的第二端，并且第二端连接到第二晶体管的第二端和发光器件。像素电路还包括具有栅极端、第一端和第二端的第五晶体管，其栅极端连接到第二选择线，第一端连接到信号线上，并且第二端连接到第四晶体管的第一端和存储电容器的第二端。
在上述像素电路中，第三选择线可以是第一选择线。
上述像素电路可包括具有栅极端、第一端和第二端的第六晶体管，其栅极端连接到第二选择线，第一端连接到第二晶体管的第一端，并且第二端连接到偏置电流线。
根据本发明的另一方面，提供了一种显示系统，该显示系统包括由像素电路形成的显示阵列和用于对像素电路进行编程和驱动的驱动模块。
根据本发明的另一方面，提供了一种用于补偿像素电路中的发光器件的退化的方法。该方法包括存储电容器充电和存储电容器放电的步骤。存储电容器充电的步骤包括将存储电容器连接到信号线。该方法包括将存储电容器从信号线上断开连接和将存储电容器的第二端连接到第二晶体管的第二端的步骤。
根据本发明的另一方面，提供了一种用于补偿像素电路中的晶体管的阈值电压的偏移的方法。该方法包括存储电容器充电和存储电容器放电的步骤。存储电容器充电的步骤包括将存储电容器连接到信号线。该方法包括将存储电容器从信号线上断开连接和将存储电容器的第二端连接到第二晶体管的第二端的步骤。
根据本发明的另一方面，提供了一种用于补偿像素电路中的接地弹跳或IR压降的方法。该方法包括存储电容器充电和存储电容器放电的步骤。存储电容器充电的步骤包括将存储电容器连接到信号线和偏置电流线。该方法包括将存储电容器从信号线和偏置电流线断开连接 和将存储电容器的第二端连接到第二晶体管的第二端的步骤。
本发明的发明内容部分并不必须要描述本发明的全部特征。
附图说明
根据参考附图作出的以下描述，本发明的这些和其他特征将变得更明显，在附图中：
图1A是示出应用了根据本发明的一个实施例的像素驱动方案的像素电路以及其控制信号线的示图；
图1B是示出操作图1A所示的像素电路的方法的一个实例的时序图；
图2是示出图1A-1B的仿真结果的曲线图；
图3是示出图1A-1B的另一个仿真结果的曲线图；
图4A示出应用了根据本发明另一个实施例的像素驱动方案的像素电路以及其控制信号线的一个实例的示图；
图4B是示出操作图4A所示的像素电路的方法的一个实例的时序图；
图5A示出应用了根据本发明的另一实施例的像素驱动方案的像素电路以及其控制信号线的一个实例的示图；
图5B是示出操作图5A所示的像素电路的方法的一个实例的时序图；
图6示出了带有包括图1A的像素电路的显示阵列的显示系统的一个实例；
图7示出了操作图6所示的显示阵列的方法的一个实例的时序图；
图8示出了带有包括图4A的像素电路的显示阵列的显示系统的一个实例；
图9示出了操作图8所示的显示阵列的方法的一个实例的时序图；
图10示出了带有包括图5A的像素电路的显示阵列的显示系统的一个实例；和
图11示出了操作图10所示的显示阵列的方法的一个实例的时序图。
具体实施方式
本发明的实施例是通过利用具有诸如有机发光二极管(OLED)和多个晶体管的发光器件的像素电路来描述的。然而，像素电路可包括任意不同于OLED的发光器件。像素电路中的晶体管可以是n型晶体管、p型晶体管或其组合。像素电路中的晶体管可利用非晶硅、纳米晶硅/微晶硅、多晶硅、有机半导体技术(例如，有机TFT)、NMOS/PMOS技术或CMOS技术(例如，MOSFET)来制造。具有像素电路的显示器可以是单色、多色或全色显示器，并且可包括一个或多个电致发光(EL)元件(例如，有机EL)。显示器可以是主动矩阵发光显示器。显示器可用在DVD、个人数字助理(PDA)、计算机显示器或蜂窝式电话中。
在本说明书中，“像素电路”和“像素”可互换地使用。在以下描述中，“信号”和“线”可互换地使用。在以下描述中，“连接(或被连接)”和“耦合(或被耦合)”可互换地使用，并且可用于表示两个或多个元件以物理或电气方式直接或间接地彼此相接触。
本发明的实施例包括驱动像素电路的驱动方法，该驱动方法包括用于补偿OLED退化、背板不稳定性(例如，TFT阈值偏移)和接地弹跳(或IR压降)中的至少一项的像素内补偿技术。驱动方案允许像素电路提供独立于像素元件特征的偏移的稳定亮度，这种偏移例如是由于延长显示操作和处理变化造成的像素老化而造成的。这就增强了OLED的亮度稳定性并有效地改善了显示器操作寿命。
图1A示出应用了根据本发明的一个实施例的像素驱动方案的像素电路和其控制信号线的一个实例。图1A所示的像素电路100包括晶体管102-110、存储电容器112和OLED 114。像素电路100被连接到三条选择线SEL1、SEL2和SEL3、信号线VDATA、电压线VDD和共同接地端(common ground)。
晶体管102-110可以是CMOS技术中的非晶硅、多晶硅或有机薄膜晶体管(TFT)或标准NMOS。本领域的普通技术人员将理解，像素电路100可以利用p型晶体管来重新布置。
晶体管104是驱动晶体管。驱动晶体管104的源极端和漏极端分别连接到OLED 114的阳极电极和晶体管102的源极端。驱动晶体管 104的栅极端通过晶体管110连接到信号线VDATA并连接到晶体管106的源极端。晶体管106的漏极端连接到晶体管102的源极端，并且其栅极端连接到选择线SEL2。
晶体管108的漏极端连接到晶体管110的源极端，其源极端连接到OLED 114的阳极，并且其栅极端连接到选择线SEL3。
晶体管110的漏极端连接到信号线VDATA，并且其栅极端连接到选择线SEL2。
驱动晶体管104、晶体管106和存储电容器112在节点A1处相连。晶体管108和110以及存储电容器112在节点B1处相连。
图1B示出了操作图1A所示的像素电路100的方法的一个实例。图1A所示的像素电路100包括n型晶体管。但本领域的普通技术人员将理解，图1B所示的方法可适用于具有p型晶体管的像素电路。
参考图1A-1B，像素电路100的操作包括两个操作周期：编程周期120和驱动周期122。在编程周期120的结尾，节点A1被充电至(VP+VT+ΔVOLED)，其中VP是编程电压，VT是晶体管104的阈值电压，并且ΔVOLED是偏压应力下的OLED电压偏移。
编程周期120包括两个子周期：预充电P11和补偿P12，下文中分别称为预充电子周期P11和补偿子周期P12。
在预充电子周期P11期间，选择线SEL1和SEL2是高电平而SEL3是低电平，其结果分别是，晶体管102、106和110导通，晶体管108关断。VDATA处的电压被设置成(VOLEDi-VP)。“VP”是编程电压，“i”代表OLED的初始电压，“VOLEDi”是恒定电压并可设置成OLED 114的初始导通电压。然而，“VOLEDi”可被设置成其他电压，诸如，零电压。在预充电子周期P11的结尾，存储电容器112被充电成具有接近(VDD+VP-VOLEDi)的电压。
在补偿子周期P12期间，选择线SEL2是高电平，从而使得晶体管106和110导通，而选择线SEL1和SEL3是低电平，从而使得晶体管102和108关断。其结果是，存储电容器112开始通过晶体管104和OLED 114放电，直至通过驱动晶体管104和OLED 114的电流变成接近于零为止。因此，接近(VT+VP+VOLED-VOLEDi)的电压被存储到存储电容器112中，其中VOLED是OLED 114的导通电压。
在驱动周期122期间，选择线SEL2是低电平，使得晶体管106和110关断，而选择线SEL1和SEL3是高电平，使得晶体管102和108导通。其结果是，存储电容器112从信号线VDATA断开连接并连接到驱动晶体管104的源极。
如果驱动晶体管104处于饱和区，则接近K(VP+ΔVOLED)2的电流通过OLED 114直至下一个编程周期，其中K是驱动晶体管104的跨导(trans-conductance)系数，并且ΔVOLED＝VOLED-VOLEDi。
图2示出了图1A-1B所示的操作的仿真结果的一个实例。图2所示的曲线图代表在驱动周期122期间作为OLED电压偏移的函数的OLED电流。参考图1A、1B和2，可看出当ΔVOLED随着时间增大时，OLED 114的驱动电流也增大。这样，像素电路100通过增加OLED 114的驱动电流而补偿OLED 114的亮度退化。
图3示出了图1A-1B的操作的另一个仿真结果的实例。图3的曲线图代表在驱动周期122期间作为驱动晶体管104的阈值电压偏移的函数的OLED电流。参考图1A、1B和3，因为OLED 114的驱动电流独立于驱动晶体管104的阈值，像素电路100补偿驱动晶体管104的阈值电压的偏移。图3所示的结果的重点在于驱动晶体管的阈值中的4-V偏移的OLED电流稳定性。
图4A示出应用了根据本发明的另一个实施例的像素驱动方案的像素电路及其控制信号线的一个实例。图4A所示的像素电路130包括五个晶体管132-140、存储电容器142和OLED 144。像素电路130连接到两条选择线SEL1和SEL2、信号线VDATA、电压线VDD、和共同接地端。
晶体管132-140可以与图1A所示的晶体管102-110相同或相似。晶体管132-140可以是非晶硅、多晶硅、或CMOS技术中的有机TFT或标准NMOS。存储电容器142和OLED 140可分别与图1A所示的存储电容器112和OLED 114相类似。
晶体管134是驱动晶体管。驱动晶体管134的源极端和漏极端分别连接到OLED 144的阳极电极和晶体管132的源极。驱动晶体管134的栅极端通过晶体管140连接到信号线VDATA，并连接到晶体管136的源极端。晶体管136的漏极端连接到晶体管132的源极端，并且其 栅极端连接到选择线SEL2。
晶体管138的漏极端连接到晶体管140的源极端，其源极端连接到OLED 144的阳极，并且其栅极连接到选择线SEL1。
晶体管140的漏极端连接到信号线VDATA，并且其栅极端连接到选择线SEL2。
驱动晶体管134、晶体管136和存储电容器142在节点A2处相连。晶体管138和140与存储电容器142在节点B2处相连。
图4B示出了操作图4A所示的像素电路130的方法的一个实例。图4A所示的像素电路130包括n型晶体管。但本领域的普通技术人员将理解，图4B所示的方法可适用于具有p型晶体管的像素电路。
参考图4A-4B，像素电路130的操作包括两个操作周期：编程周期150和驱动周期152。在编程周期150的结尾，节点A2被充电至(VP+VT+ΔVOLED)，其中，VP是编程电压，VT是晶体管134的阈值电压，并且ΔVOLED是偏压应力下的OLED电压偏移。
编程周期150包括两个子周期：预充电P21和补偿P22，下文中分别称为预充电子周期P21和补偿子周期P22。
在预充电子周期P21期间，选择线SEL1和SEL2是高电平，并且VDATA变成使OLED 144关断的适当电压VOLEDi。VOLEDi是预先定义的小于OLED的最小导通电压的电压。在预充电子周期P21的结尾，存储电容器142被充电成具有接近(VDD+VOLEDi)的电压。VDATA处的电压被设置成(VOLEDi-VP)，其中VP是编程电压。
在补偿子周期P22期间，选择线SEL2是高电平，使得晶体管136和140导通，而选择线SEL1是低电平，使得晶体管132和138关断。P22处的VDATA电压不同于P21的VDATA电压，以在P22的结尾适当地将A2充电至(VP+VT+ΔVOLED)。其结果是，存储电容器142开始通过驱动晶体管134和OLED 144放电，直至通过驱动晶体管134和OLED 144的电流变成接近于零为止。因此，接近(VT+VP+VOLED-VOLEDi)的电压被存储到存储电容器142中，其中VOLED是OLED 144的导通电压。
在驱动周期152期间，选择线SEL2是低电平，使得晶体管136和140关断。选择线SEL1是高电平，使得晶体管132和138导通。其 结果是，存储电容器142从信号线VDATA断开连接并连接到驱动晶体管134的源极端。
如果驱动晶体管134处于饱和区，则接近K(VP+ΔVOLED)2的电流流过OLED 144直至下一个编程周期，其中K是驱动晶体管134的跨导系数，并且ΔVOLED＝VOLED-VOLEDi。其结果是，当ΔVOLED随着时间而增大时，OLED 144的驱动电流也增大。这样，像素电路130通过增加OLED 144的驱动电流补偿OLED 144的亮度退化。
此外，像素电路130补偿驱动晶体管134的阈值电压的偏移，这样就使OLED 144的驱动电流独立于阈值VT。
图5A示出应用了根据本发明的另一个实施例的像素驱动方案的像素电路及其控制信号线的一个实例。图5A所示的像素电路160包括六个晶体管162-172、存储电容器174和OLED 176。像素电路160连接到两条选择线SEL1和SEL2、信号线VDATA、电压线VDD、偏置电流线IBIAS和共同接地端。
晶体管162-172可以是非晶硅、多晶硅、或CMOS技术中的有机TFT或标准NMOS。存储电容器174和OLED 176可分别与图1A所示的存储电容器112和OLED 114相同或相类似。
晶体管164是驱动晶体管。驱动晶体管164的源极端和漏极端分别连接到OLED 176的阳极电极和晶体管162的源极端。驱动晶体管164的栅极端通过晶体管170连接到信号线VDATA并连接到晶体管166的源极端。驱动晶体管166的漏极端连接到晶体管162的源极端，并且其栅极端连接到选择线SEL2。
晶体管168的漏极端连接到晶体管170的源极端，其源极端连接到OLED 176的阳极，并且其栅极端连接到选择线SEL1。
晶体管170的漏极端连接到VDATA，并且其栅极端连接到选择线SEL2。
晶体管172的漏极端连接到偏置线IBIAS，其栅极端连接到选择线SEL2，并且其源极端连接到晶体管162的源极端和晶体管164的漏极端。
驱动晶体管164、晶体管166和存储电容器174在节点A3处相连。晶体管168和170以及存储电容器174在节点B3处相连。
图5B示出了操作图5A所示的像素电路160的方法的一个实例。图5A所示的像素电路160包括n型晶体管。但本领域的普通技术人员将理解，图5B所示的方法可适用于具有p型晶体管的像素电路。
参考图5A-5B，像素电路160的操作包括两个操作周期：编程周期180和驱动周期182。在第二操作周期182的开始，节点A3被充电至(VP+VT+ΔVOLED)，其中，VP是编程电压，VT是晶体管164的阈值电压，并且ΔVOLED是偏压应力下的OLED电压偏移。VT和ΔVOLED是由能产生快速编程的大IBIAS生成的。
在第一操作周期180期间，选择线SEL1是低电平，SEL2是高电平，并且VDATA变成适当电压(VOLEDi-VP)，其中VP是编程电压。该适当电压是预先定义的小于OLED的最小导通电压的电压。同样，偏置线IBIAS向像素电路160提供偏置电流(称为IBIAS)。在这个周期的结尾，节点A3被充电到VBIAS+VT+VOLED(IBIAS)，其中，VBIAS与偏置电流IBIAS有关，并且VOLED(IBIAS)是对应于IBIAS的OLED 176电压。节点A3处的电压独立于180结尾处的VP。充电至(VBIAS+VT+ΔVOLED)发生在182的开始处。
在第二操作周期182期间，选择线SEL1是高电平并且选择线SEL2是低电平。其结果是，节点B3被充电至VOLED(IP)，其中VOLED(IP)是对应于像素电流的OLED 176电压。这样，晶体管164的栅-源极电压变成(VP+ΔVOLED+VT)，其中，ΔVOLED＝VOLED(IBIAS)-VOLEDi。由于在OLED亮度降低的同时OLED的电压为了维持恒定的亮度而增大，因此晶体管164的栅-源极电压增大从而导致更高的OLED电流。因此，OLED 176的亮度维持恒定。
图6示出了包括图1A所示像素电路100的显示系统200的一个实例。图6所示的显示阵列202包括以多行多列形式排列的多个像素电路100，并可形成主动矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器。VDATAj(j＝1，2，......)对应于图1A中的VDATA。SEL1k、SEL2k和SEL3k(k＝1，2，......)分别对应于图1A中的SEL1、SEL2和SEL3。选择线SEL1k、SEL2k和SEL3k在显示阵列202的公共行的各像素当中共享使用。信号线VDATAj在显示阵列202的公共列的各像素当中共享使用。
显示系统200包括驱动模块204，该驱动模块204具有地址驱动器206、源极驱动器208和控制器210。选择线SEL1k、SEL2k和SEL3k被地址驱动器206所驱动。信号线VDATAj被源极驱动器208所驱动。控制器210控制地址驱动器206和源极驱动器208的操作以便操作显示阵列202。
图1B所示的波形是由驱动模块204生成的。驱动器模块204还生成编程电压。在像素中发生对OLED退化、阈值电压偏移和接地弹跳的补偿。在第三周期(图1B中的122)，驱动晶体管的栅-源极电压由存储电容器(图1中的112)中存储的电压来定义。因此，接地弹跳不会改变栅-源极电压，因此像素电流变得稳定。
图7示出了操作图6中的显示阵列的方法的一个实例。在图7中，行(i)(i＝1，2，......)代表图6中的显示阵列202的行。图7中的“120”和“122”代表“编程周期”和“驱动周期”并且分别对应于图1B中的这些周期。图7中的“P11”和“P12”代表“预充电子周期”和“补偿子周期”并分别对应于图1B中的这些子周期。一行的补偿子周期P11和相邻行的预充电子周期P12是并行执行的。更进一步，在一行的驱动周期122期间，在相邻行中执行补偿子周期P22。图6中的显示系统200被设计成实施并行操作，即，具有独立地执行不同周期而不会相互影响的能力。
图8示出了包括图4A中的像素电路130的显示系统300的一个实例。图8所示的显示阵列302包括以多行多列形式排列的多个像素电路130，并可形成AMOLED显示器。VDATAj(j＝1，2，......)对应于图4A中的VDATA。SEL1k和SEL2k(k＝1，2，......)分别对应于图4A中的SEL1和SEL2。选择线SEL1k和SEL2k在显示阵列302的公共行的各像素当中共享使用。信号线VDATAj在显示阵列302的公共列的各像素当中共享使用。
显示系统300包括驱动模块304，该驱动模块304具有地址驱动器306、源极驱动器308和控制器310。选择线SEL1k和SEL2k被地址驱动器306所驱动。信号线VDATAj被源极驱动器308所驱动。控制器310控制地址驱动器306和源极驱动器308的操作以便操作显示阵列302。
图4B所示的波形是由驱动模块304生成的。驱动器模块304还生成编程电压。在像素中发生对OLED退化、阈值电压偏移和接地弹跳的补偿。在第三周期(图4B中的152)，驱动晶体管的栅-源极电压由存储电容器(图4A中的142)中存储的电压来定义。因此，接地弹跳不会改变栅-源极电压，因此像素电流变得稳定。
图9示出了操作图8中的显示阵列的方法的一个实例。在图9中，行(i)(i＝1，2，......)代表图8中的显示阵列302的行。图9中的“150”和“152”代表“编程周期”和“驱动周期”并且分别对应于图4B中的这些周期。图9中的“P21”和“P22”代表“预充电子周期”和“补偿子周期”并分别对应于图4B中的这些子周期。一行的补偿子周期P21和相邻行的预充电子周期P22是并行执行的。更进一步，在一行的驱动周期152期间，在相邻行中执行补偿子周期P22。图8中的显示系统300被设计成实施并行操作，即，具有独立地执行不同周期而不会影响彼此的能力。
图10示出了包括图5A中的像素电路160的显示系统400的一个实例。图10所示的显示阵列402包括以多行多列形式排列的多个像素电路160，并且是AMOLED显示器。显示阵列402可以是AMOLED显示器。VDATAj(j＝1，2，......)对应于图4A中的VDATA。BIASj(j＝1，2，.......)对应于图4A的IBIAS。SEL1k和SEL2k(k＝1，2，......)分别对应于图4A中的SEL1和SEL2。选择线SEL1k和SEL2k在显示阵列402的公共行的各像素当中共享使用。信号线VDATAj和偏置线IBIASj在显示阵列402的公共列的各像素当中共享使用。
显示系统400包括驱动模块404，该驱动模块404具有地址驱动器406、源极驱动器408和控制器410。选择线SEL1k和SEL2k被地址驱动器406所驱动。信号线VDATAj和偏置线IBIASj被源极驱动器408所驱动。控制器410控制地址驱动器406和源极驱动器408的操作以便操作显示阵列402。
图5B所示的波形是由驱动模块404生成的。驱动器模块404还生成编程电压。对OLED退化、阈值电压偏移和接地弹跳的补偿发生在像素中。在图5B所示的第二周期182期间，驱动晶体管的栅-源极电压由存储电容器(图5A中的174)中存储的电压来定义。因此，接地 弹跳不会改变栅-源极电压，因此像素电流变得稳定。
图11示出了操作图10中的显示阵列的方法的一个实例。在图9中，行(i)(i＝1，2，......)代表图10中的显示阵列402的行。图11中的“180”和“182”分别对应于图5B中的这些周期。对于显示阵列402的各行，编程周期180是顺序地被执行的。在一行的驱动周期182期间，在相邻行中执行编程周期180。图10中的显示系统400被设计成实施并行操作，即，具有独立地执行不同周期而不会影响彼此的能力。
所有引文都结合在本文中作为参考。
以上已经参照一个或多个实施例描述了本发明。但本领域技术人员将理解，在不脱离权利要求定义的本发明的范围的情况下可进行多种变形和修改。

Claims (30)

1.一种像素电路，包括：
发光器件；
具有第一端和第二端的存储电容器；
具有栅极端、第一端和第二端的第一晶体管，其栅极端连接到第一选择线；
具有栅极端、第一端和第二端的第二晶体管，其第一端连接到所述第一晶体管的第二端，第二端连接到所述发光器件；
具有栅极端、第一端和第二端的第三晶体管，其栅极端连接到第二选择线，第一端连接到所述第一晶体管的第二端，第二端连接到所述第二晶体管的栅极端和所述存储电容器的第一端；
具有栅极端、第一端和第二端的第四晶体管，其栅极端连接到第三选择线，第一端连接到所述存储电容器的第二端，第二端连接到所述第二晶体管的第二端和所述发光器件；和
具有栅极端、第一端和第二端的第五晶体管，其栅极端连接到第二选择线，第一端连接到信号线，第二端连接到所述第四晶体管的第一端和所述存储电容器的第二端。
2.如权利要求1所述的像素电路，其中，所述第一选择线、所述第二选择线和所述第三选择线被驱动以形成编程周期和驱动周期，所述编程周期包括预充电周期和补偿周期。
3.如权利要求2所述的像素电路，其中，所述存储电容器在所述预充电周期期间充电，所述存储电容器在所述补偿周期期间放电，并且在所述驱动周期期间，通过设置所述第二选择线使得所述第五晶体管关断并设置所述第三选择线使得所述第四晶体管导通，使所述存储电容器的第二端从所述信号线断开连接并连接到所述第二晶体管的第二端。
4.如权利要求3所述的像素电路，其中，所述第一选择线、所述第二选择线、所述信号线被驱动，使得在补偿周期期间，所述存储电容器存储的电压取决于所述第二晶体管的阈值电压、与所述发光器件有关的电压和编程电压。
5.如权利要求1所述的像素电路，其中，所述第三选择线是第一选择线。
6.如权利要求5所述的像素电路，其中，所述第一选择线和所述第二选择线被驱动以形成编程周期和驱动周期，所述编程周期包括预充电周期和补偿周期。
7.如权利要求6所述的像素电路，其中，所述存储电容器在所述预充电周期期间充电，所述存储电容器在所述补偿周期期间放电，并且在所述驱动周期期间，通过设置所述第二选择线使得所述第五晶体管关断并设置所述第三选择线使得所述第四晶体管导通，使所述存储电容器的第二端从所述信号线断开连接并连接到所述第二晶体管的第二端。
8.如权利要求7所述的像素电路，其中，所述第一选择线、所述第二选择线、所述信号线被驱动，使得在所述补偿周期期间，所述存储电容器存储的电压取决于所述第二晶体管的阈值电压、与所述发光器件有关的电压和编程电压。
9.如权利要求5所述的像素电路，还包括具有栅极端、第一端和第二端的第六晶体管，其栅极端连接到所述第二选择线，第一端连接到所述第二晶体管的第一端，第二端连接到偏置电流线。
10.如权利要求9所述的像素电路，其中，所述第一选择线和所述第二选择线被驱动以形成第一操作周期和第二操作周期。
11.如权利要求10所述的像素电路，其中，在所述第一操作周期期间所述存储电容器连接到所述信号线和所述偏置电流线，在所述第二操作周期期间，通过设置所述第二选择线使得所述第五晶体管关断并设置所述第三选择线使得所述第四晶体管导通，使所述存储电容器从所述信号线和所述偏置电流线断开连接并且所述存储电容器的第二端连接到所述第二晶体管的第二端。
12.如权利要求11所述的像素电路，其中，所述第一选择线、所述第二选择线、所述偏置电流线和所述信号线被驱动，使得所述存储电容器存储的电压取决于所述第二晶体管的阈值电压、与所述发光器件有关的电压和编程电压。
13.如权利要求1-12中任一项所述的像素电路，其中，所述发光器件是有机发光二极管。
14.如权利要求1-12中任一项所述的像素电路，其中，所述像素电路形成电致发光器件显示器。
15.如权利要求14所述的像素电路，其中，所述像素电路形成主动矩阵发光显示器。
16.如权利要求15所述的像素电路，其中，所述显示器是主动矩阵有机发光显示器。
17.如权利要求1-12中任一项所述的像素电路，其中，至少一个晶体管包括非晶、纳米晶/微晶、多晶、有机材料、n型材料、p型材料或CMOS硅。
18.如权利要求1-12中任一项所述的像素电路，其中，至少一个晶体管是n型或p型TFT。
19.一种显示系统，包括：
由权利要求1的像素电路形成的显示阵列；和
驱动模块，其用于驱动被显示阵列的行共享使用的所述第一选择线、所述第二选择线和所述第三选择线，并用于驱动被显示阵列的列共享使用的所述信号线，以为显示阵列的行形成编程周期和驱动周期，其中，所述编程周期包括预充电周期和补偿周期，所述存储电容器在所述预充电周期进行充电，所述存储电容器在所述补偿周期期间进行放电，并且在所述驱动周期期间，通过设置所述第二选择线使得所述第五晶体管关断并设置所述第三选择线使得所述第四晶体管导通，使所述存储电容器的第二端从所述信号线断开连接并连接到所述第二晶体管的第二端。
20.如权利要求19所述的显示系统，其中，所述驱动模块操作所述预充电周期和所述补偿周期，以使得所述显示阵列的一行的预充电周期和所述显示阵列的相邻行的补偿周期被并行执行。
21.一种显示系统，包括：
由权利要求5的像素电路形成的显示阵列；和
驱动模块，其用于驱动被显示阵列的行共享使用的所述第一选择线和所述第二选择线，并用于驱动被显示阵列的列共享使用的所述信号线，以为显示阵列的行形成编程周期和驱动周期，所述编程周期具有预充电周期和补偿周期，所述存储电容器在所述预充电周期期间进行充电，所述存储电容器在所述补偿周期期间进行放电，并且在所述驱动周期期间，通过设置所述第二选择线使得所述第五晶体管关断并设置所述第三选择线使得所述第四晶体管导通，使所述存储电容器的第二端从所述信号线断开连接并连接到所述第二晶体管的第二端。
22.如权利要求21所述的显示系统，其中，所述驱动模块操作所述预充电周期和所述补偿周期，以使得所述显示阵列的一行的预充电周期和所述显示阵列的相邻行的补偿周期被并行执行。
23.一种显示系统，包括：
由权利要求9的像素电路形成的显示阵列；和
驱动模块，其用于驱动被显示阵列的行共享使用的所述第一选择线和所述第二选择线，并用于驱动被显示阵列的列共享使用的所述信号线和所述偏置电流线，以为显示阵列的行形成第一操作周期和第二操作周期，在所述第一操作周期期间所述存储电容器连接到所述信号线和所述偏置电流线，在所述第二操作周期期间，通过设置所述第二选择线使得所述第五晶体管关断并设置所述第三选择线使得所述第四晶体管导通，使所述存储电容器从所述信号线和所述偏置电流线断开连接并连接到所述第二晶体管。
24.如权利要求23所述的显示系统，其中，所述驱动模块操作所述第一操作周期和所述第二操作周期，以随后执行所述显示阵列的各行的第一操作周期并在所述第一操作周期后执行所述第二操作周期。
25.一种用于补偿权利要求1所述的发光器件的退化的方法，包括以下步骤：
使所述存储电容器充电，该步骤包括将所述存储电容器连接到所述信号线；
使所述存储电容器放电；和
通过设置所述第二选择线使得所述第五晶体管关断并设置所述第三选择线使得所述第四晶体管导通，使所述存储电容器从所述信号线断开连接并将所述存储电容器的第二端连接到所述第二晶体管的第二端。
26.如权利要求25所述的方法，其中，取决于所述第二晶体管的阈值电压、与所述发光器件有关的电压和编程电压的电压被存储到所述存储电容器中以驱动所述像素电路。
27.一种用于补偿权利要求1所述的像素电路中的第二晶体管的阈值电压的偏移的方法，包括以下步骤：
使所述存储电容器充电，该步骤包括将所述存储电容器连接到所述信号线；
使所述存储电容器放电；和
通过设置所述第二选择线使得所述第五晶体管关断并设置所述第三选择线使得所述第四晶体管导通，使所述存储电容器从所述信号线断开连接并将所述存储电容器的第二端连接到所述第二晶体管的第二端。
28.如权利要求27所述的方法，其中，取决于所述第二晶体管的阈值电压、与所述发光器件有关的电压和编程电压的电压被存储到所述存储电容器中以驱动所述像素电路。
29.一种用于补偿权利要求1所述的像素电路的接地弹跳或IR压降的方法，包括以下步骤：
使所述存储电容器充电，该步骤包括将所述存储电容器连接到所述信号线和所述偏置电流线；
使所述存储电容器放电；和
通过设置所述第二选择线使得所述第五晶体管关断并设置所述第三选择线使得所述第四晶体管导通，使所述存储电容器从所述信号线和所述偏置电流线断开连接并将所述存储电容器的第二端连接到所述第二晶体管的第二端。
30.如权利要求29所述的方法，其中，取决于所述第二晶体管的阈值电压、与所述发光器件有关的电压和编程电压的电压被存储到所述存储电容器中以驱动所述像素电路。
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