[go: up one dir, main page]

CN101167160B - 用于在分立薄片上沉积多层涂层的装置 - Google Patents

用于在分立薄片上沉积多层涂层的装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101167160B
CN101167160B CN2005800495728A CN200580049572A CN101167160B CN 101167160 B CN101167160 B CN 101167160B CN 2005800495728 A CN2005800495728 A CN 2005800495728A CN 200580049572 A CN200580049572 A CN 200580049572A CN 101167160 B CN101167160 B CN 101167160B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
organic
deposition
layer
tool
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN2005800495728A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101167160A (zh
Inventor
马丁·P.·罗森布拉姆
楚希
洛伦扎·莫罗
肯尼思·J.·纳尔逊
保罗·巴罗斯
马克·E.·格罗斯
马克·R.·祖姆霍夫
彼得·M.·马丁
查尔斯·C.·邦哈姆
戈登·L.·格拉夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Mobile Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Mobile Display Co Ltd filed Critical Samsung Mobile Display Co Ltd
Publication of CN101167160A publication Critical patent/CN101167160A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101167160B publication Critical patent/CN101167160B/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/60—Deposition of organic layers from vapour phase
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
    • B05D3/061—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation using U.V.
    • B05D3/065—After-treatment
    • B05D3/067—Curing or cross-linking the coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
    • B05D7/50—Multilayers
    • B05D7/52—Two layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H10P72/0451—
    • H10P72/0468—
    • H10P72/0478—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

本发明提供一种用于将多层涂层沉积到衬底上的工具。在一种配置中，该工具包括工作在压力控制或温度控制环境的至少一种下的直列式有机材料沉积台。在另外一种配置中，它还是同时包含直列工具和集束型工具特征的混合设计。在后一种配置中，至少一个沉积台被配置为沉积无机层，而至少一个其它沉积台被配置为沉积有机层。该工具尤其适合于将多层涂层沉积到分离衬底上，还适合于封装被放置于柔性衬底上的环境敏感器件。可以包括安全系统以监控有机材料向工具的分配。

Description

用于在分立薄片上沉积多层涂层的装置
技术领域
本发明大体上涉及用于将多层涂层沉积到薄片衬底上的装置以及装载于其上的器件，而更具体地说，涉及执行多层涂层过程同时减少各个层的污染的可能性的封装工具。
背景技术
多层涂层已经被包括在环境敏感的产品和器件的封装中以保护它们免受诸如大气中的氧气和水蒸气之类的环境气体或液体、或者产品或器件加工、处理、储存或使用中所用的化学物质的渗透。在一种形式中，这些涂层可以由被有机聚合物层分离的无机金属或金属氧化物层制成。这样的涂层已经在例如美国专利Nos.5,880,246、6,268,695、6,413,645和6,522,067中被描述了，以上全部都通过引用被并入本文中。一种通常被用于将薄的多层涂层涂敷到各种卷筒衬底(websubstrate)的方法是“卷到卷(roll-to-roll)”法，包括将连续的卷筒衬底装载到卷盘(reel)上。一连串旋转鼓被用于将衬底传送经过一个或多个沉积台。随着卷筒衬底传送过系统中的旋转鼓，聚合物层在一个或多个聚合物沉积和固化台处被沉积和固化，而无机层在一个或多个无机层沉积台处被沉积。沉积和固化台不是被联结到一起的分离的室，而是在单一真空室内彼此相邻地隔开的。用这样一种开放式架构(open architecture)，一般必须努力使可能导致层或衬底污染的有机蒸气迁移最小化。此外，因为气相沉积给予接受衬底(receivingsubstrate)显著的热负荷，所以一个或多个转鼓可被配置为提供所需的散热以控制衬底温度。虽然卷到卷法能够具有高生产率，但是其实际使用受限于连续长度(卷)的衬底。另外，卷到卷法固有的卷曲使其难以将涂层沉积到刚性衬底上或者沉积到其上承载了非柔性器件(inflexible device)的衬底上。
当要涂敷的衬底为分立薄片形式而非连续卷筒时，另一种方法，被称为“集束型工具(cluster tool)”法，通常被用于将多层涂层涂敷到薄片衬底上。集束型工具法通常被用在半导体器件的制造中，包括使用两个或更多的通过公共接口联结到一起的独立的真空室，诸如“星形(hub-and-spoke)拓扑结构”配置，其中中央(central)(或者大致中央)枢纽(hub)包括机器人传输设备(robotic transport device)，该枢纽可以不断地将衬底移动到通常环绕在枢纽周围的大量的独立处理室中。一个或多个处理室为包含一种或多种沉积源的真空室。在集束型工具法中，分立的薄片衬底被从一个真空室移动到另一个真空室以在其上接受不同的层，将该过程重复所需的次数以生产所需的组合涂层(built-up coating)。对于发展集束型工具法的一个强烈的激励因素是对隔离相邻但不同的层之间的潜在污染源的需要，其中，隔离阀一般被放置于相邻的室之间。事实上，用于阻挡层涂敷(barriercoating)工业的基于集束型工具机器的使用是部分地基于以下的理解：即如果要避免污染，那么有机和无机沉积不能发生于公共真空室中。集束型工具方法的另一个属性是在每个分离的真空室中用于衬底的精确温度控制的潜力(protential)比大于在用于卷到卷配置的开放室中的大。
因此，需要一种能将多层涂层涂敷到薄片衬底以及装载到薄片衬底上的器件或者产品上、并且将卷到卷设备的速度和效率与基于集束型工具的机器所固有的防止交叉污染的能力结合起来的工具。还需要一种能与该工具协作以确保被用于形成至少一些该多层涂层的材料来自可靠且可信的源的系统。
发明内容
本发明的装置可以满足上述需要，其中组成多层涂层的各个层可以在修改的集束型工具架构中进行沉积，该架构具体表现了卷到卷配置和相关直列式配置中所固有的一些线性度(linearity)。与跟卷筒衬底相关的连续处理相比，本发明尤其适于通过批量处理来涂敷分立的衬底。在本文中，修改的集束型工具架构同时包括集束型和直列式属性以限定用于将多层涂层沉积于分立薄片衬底上的混合设计。在本文中，混合工具不同于卷到卷(或相关的连续式)工具之处在于，首先，混合工具被配置为处理分立的薄片而卷到卷工具处理连续卷筒；其次，沿着混合工具布置的沉积台通常遵循线性的、平坦的路径(其可以包含单向/一次移动或者穿梭/多次移动)使得在涂层处理期间该工具不会让衬底(以及任何其上装载的器件)经历可能会对涂层或被涂层封装的器件有害的过度曲折的路径。在本文中，沉积路径被认为是大致线性的。混合工具也不同于集束型工具之处在于，在混合工具中包括直列式属性，其中多层涂层的各种层的至少一些的沉积发生于公共环境中的连续路径中；而在集束型工具中，各种层在与周围环境和相邻的室隔离开的自治室(autonomous chamber)中被沉积。
根据本发明的一个方面，公开了用于将有机材料沉积到分立衬底上的设备。该设备包括：有机材料沉积台(也称为有机层沉积台)；与有机材料沉积台协作的有机材料固化台；被配置为至少在有机材料沉积台和有机材料固化台之间传送衬底的衬底传输器；与有机材料沉积台成真空联通放置的减压源(reduced-pressure source)；以及与有机材料沉积台和有机材料固化台中至少一个协作使得可以在衬底上沉积有机材料的期间控制内部温度的热控制机构(thermal controlmachanism)。减压源(诸如真空泵)可以在将有机层沉积到分立衬底上的至少一部分过程期间被使用，并工作以在衬底周围立即产生至少部分被抽真空的环境。
可选地，该设备可以包括额外的部件，包括被配置为调整有机材料沉积台中温度和压力条件的至少一个的控制系统。在更具体的选项中，该控制系统被配置为调整有机材料沉积台中的温度和压力条件两者。其它设备，诸如被配置为在进入有机材料沉积台之前将合适形状和尺寸的掩模放置到衬底上的有机掩模放置(organic maskplacement)设备(以下将详细讨论)，也可以被合并入。该设备还可以包括联结到有机材料沉积台的清洁系统。在一种形式中，该清洁系统可以产生降解或者去除要被清除出有机材料沉积台的材料的反应等离子体。例如，该装置可以包括射频(RF)电极用于产生清洁等离子体。
这能被用于将与清除和相关的清洁有机材料沉积台中未固化的、部分固化的或完全聚合的有机材料相关的停机时间(down-time)最小化而不用依靠使用化学溶剂或研磨机械擦洗(abrasive mechanicalwiping)。这样的清洁系统可以，例如，使用等离子体源以能够原位清洁(in-situ cleaning)并随之使系统必须置于非真空环境下的时间最小化。有机材料沉积台还可以包括可调衬底传输路径。例如，通过使一部分衬底传输路径相对于沉积喷嘴(deposition nozzle)上移或下移，就可以得到各种工作模式，包括为了工艺稳定性而相对关闭的位置、为了正常有机材料的沉积而居中的位置以及为了环绕在喷嘴周围的室的抽气而完全敞开的位置。还可以包括被配置为在沉积至少一个有机层之前将掩模涂敷到衬底上的掩模台。此外，该掩模台可以包括掩模对准功能以提升掩模相对衬底的放置精度。磁性夹具(magneticclamp)也可以被用来使掩模和衬底在彼此连接之后保持正确的对准。
在另一个选项中，该设备还可以包括有机材料测定和安全系统。该系统可以被用来确保在允许设备分配有机材料沉积台之前满足特定的安全标准。有机材料测定和安全系统包括保持一些有机材料(其例子会在下文中进行更详细地解释)的容器、以及所述容器协作的验证设备(优选的形式为硬件密钥)。计算机可加载(computer-loadable)算法与基于微处理器的控制器(诸如计算机，其可能已经是设备的一部分)相配合，使得在收到用户输入和满足硬件密钥中所编码的安全标准之后，有机材料测定和安全系统指示释放所请求数量的有机材料。本领域技术人员可以理解的是，计算机可加载的算法，以及任何可选的加密或相关安全软件都可以在硬件密钥上或者作为独立软件包的一部分而被提供。还可以理解的是，有机材料测定和安全系统可以与本发明前述方面和以下要讨论的其余方面一起使用。
根据本发明另一个方面，公开了用于将材料沉积到分立衬底上的设备。该设备包括：集束型工具，被配置为将至少一个无机层沉积到衬底上；直列式工具，被操作地联结(operatively coupled)到集束型工具并被配置为将至少一个有机层沉积到衬底上；以及减压源，与有机材料沉积台成真空联通放置。
可选地，该设备还包括热控制机构。在一种形式中，热控制机构可以包括环绕于直列式工具中的沉积室周围的冷却套。直列式工具由有机材料沉积台、与有机材料沉积台协作的有机材料固化台、以及被配置为至少在有机材料沉积台和有机材料固化台之间传送衬底的衬底传输器组成。有机材料沉积台还包括有机材料蒸发器、与蒸发器成流体联通的有机材料沉积喷嘴以及布置于喷嘴周围的有机材料封隔系统(organic material confinement system)。在具体形式中，有机材料沉积台限定了可隔离内室(isolatable interior chamber)，该室限定了包含有机材料封隔系统的第一区域，以及可通过可活动遮板(movable shutter)与第一区域选择性隔离的第二区域。还可以包括与第二区域成热联通的冷却设备。用这样的设备，可以使用基于冷却与单体沉积台相邻的或者单体沉积台的一部分的各种表面的分布式方法(distributed approach)。在另一种形式中，该分布式方法被用于支持当在工具中被传输或临时存储于处理台之间时的衬底。冷却设备可以被用于减少第一区域中所产生的热负荷对第二区域的影响。还可以使用另外的温度控制装置。例如，至少一个冷阱(cold trap)被放置于可隔离内室中(诸如与分隔第一区域和第二区域的孔相邻)。在具体形式中，该冷阱被布置于第二区域中以与衬底接收路径(substrate-receiving path)协作。一个或多个泵(例如，结合局部涡轮分子泵工作的前级泵(rough pump))可以被流体地联结(fluidlycoupled)到第一和第二区域的至少一个上以根据需要提高或者降低局部环境压力。
设备的集束型工具部分还可以包含无机沉积台，诸如配置为平面阴极溅射(planar cathode sputtering)的台。这个台被称为无机材料沉积台或者无机层沉积台，可以被用于将第一层无机材料层沉积到衬底上。除了上面讨论的减压源之外，也可以与集束型工具成真空联通地放置一个减压源，使得在无机层沉积到分立衬底上的过程的至少一部分期间，减压源工作以在衬底周围产生至少部分被抽真空的环境。它可以为与该设备直列式部分结合使用的相同减压源，或者可以为自治地控制或者公共地控制的分离单元。
无机层沉积台被配置为将多层涂层的至少一个无机层沉积到衬底上，而有机层沉积台和固化台被配置为将多层涂层的至少一个有机层沉积到衬底上。在本文中，将层“沉积”到衬底上包括与下方的衬底直接接触地涂敷和在先前沉积于衬底上的一个或多个层上作为相接叠层(contiguous stack)的一部分的涂敷。这样，有机层或无机层可以首先被沉积，然而这两层，即使为多层配置的形式，也被认为是沉积到衬底上的。可以配置该设备使得任一层都可以被首先沉积。例如，无机层可以在第一有机层放置之前被放置到衬底上。
设备还包括至少一种表面处理机构，该机构被配置为增强多层涂层的各个层粘附到衬底或相邻层的能力。例如，由于使用溅射(上述与无机层沉积到衬底上结合使用的)是有益的，它的使用与增加温度和提高等离子体能量相符。可以采用特别的措施以避免对环境敏感器件(诸如有机发光二极管(OLED))的损害，这种损害可能会由于被暴露给等离子体和/或溅射涂层处理(sputtering coating process)的温度下而引起。其它沉积技术，诸如热蒸发(thermal evaporation)，有助于有机层的沉积而不使环境敏感器件处于恶劣环境、例如、高温和/或等离子体中。作为举例，因为热蒸发是目前所用的用于形成OLED的金属化上部电极的方法，这种无机层沉积法也能被用作封装增强(encapsulation-enhancement)方法，诸如用于沉积保护层。与诸如可由反应溅射涂敷的氧化铝(Al2O3)之类的常用的氧化物不同，无机物诸如氟化锂(LiF)和氟化镁(MgF2)(两者都是光学透明的)也能通过热蒸发涂敷以创造保护层而不必将环境敏感器件暴露于等离子体下。同样地，该方法可以利用通过热蒸发的无机透明金属卤化物、溅射的透明无机物或者第一沉积无机物、或者其中热蒸发被用于第一沉积无机物的更简单方法。后者会要求第一沉积无机物能由热蒸发涂敷并提供粘附力和透明度的组合。
该设备可以被配置为使衬底来回穿梭(shuttle)所需次数以将多层涂层沉积到衬底上。为了实现穿梭移动，一个或多个传送器(conveyor)或相关传输机构可以一直延伸贯穿该设备的直列式部分以从头到尾传输衬底。如下文将详细讨论的那样，这样的传输机构的特征可以同样地被用于无机层沉积台的至少一部分中。为了协助穿梭，传送器可以被配置为双向移动。机器人机构可以被放置于设备的集束型工具部分的区域中以不仅协调衬底在排列于中央枢纽周围的不同台之间的移动，而且与直列式工具的传送器或其它传输设备相协作。可以包括控制系统以确定不同组件和工艺条件的可操作性，还可以对诸如压力、温度、扫描速度、污染物的存在之类的工艺参数作出响应。真空源可以在无机层沉积期间提供与有机层沉积期间不同的真空水平(vacuum level)。为了举例，无机层沉积期间的真空水平可以为约3毫托，而有机层沉积期间的真空水平可以为约10毫托。
如上所述，无机层可以在有机层放置之前被沉积到衬底上。发明人已经发现在放置有机层之前放置无机(诸如氧化物)层可以改善衬底之间和层之间的粘附力，以及改善阻挡特性(barrier property)。发明人还已发现在封装放置于衬底上的物体(诸如OLED)的情况中，可以使用“无机物优先(inorganic first)”法实现良好的粘附力和阻挡特性。因此，虽然包括有机层持续对多层涂层的总体性能作出有价值的影响，但是发明人的研究提出得到适合于有效地隔离阻挡层不受来自下方衬底(或器件)不必要影响的基体(或基础)可以通过用一对或多对由无机层(可能位于上述保护层顶上)开始的无机层/有机层对来最佳地实现。通过将无机层在有机层之前放置到衬底(诸如玻璃或塑料)上，发明人已经实现到衬底、到衬底上放置的器件、以及多层环境阻挡层之间的粘附，它们全部经受住了它们所必需经受的物理和热的恶劣环境。此外，当这些层形成了上面放有器件的表面时，它们承受住了全部与器件制造相关的处理。发明人相信至少一种解释可以是有机物从塑料或相关衬底到首先涂敷的层(first-applied layer)的迁移相比第一层为有机层的情况被减少了，并且这种迁移减少促进和维持了衬底和首先涂敷的层之间的强化粘附力。另外，在沉积到装载于衬底上的器件上的情况中，发明人相信利用第一有机沉积层，该层不会充分湿润或者均匀涂敷该器件表面。这可能由于源自被涂敷的器件的有机层中的物质对于第一有机沉积层相对于器件或两者的组合而言不具有合适的配方。另一方面，“有机物优先”法(至少在封装情况中)会减少甚至消除沉积无机层中所用的等离子体对器件的潜在损害。同样地，可以基于被涂敷衬底或器件的特定需要作出对“有机物优先”或“无机物优先”沉积策略的选择。
如前所述，掩模可以被用于在衬底上形成特定的沉积图案。为了减小渗出和相关毛细现象(其在处理沉积的有机层时相当普遍)的影响，掩模可以被堆叠以制作底切掩模(undercut mask)，或者有机掩模可以在固化步骤之前被去除。在固化之前去除掩模还可以通过去除有机材料边缘的掩模遮蔽(mask shadowing)改善固化速度。
根据本发明的又一个方面，公开了用于将多层涂层沉积到分立衬底上的工具。该工具包括分布于中央枢纽周围并与该枢纽联结的多个外围台(peripheral station)以使大致中央的枢纽可以在外围台之间传输衬底。可以理解的是，虽然星形拓扑结构排列在图中被用来表示中央枢纽配置，但是其它用于便于不同外围台之间串行或并行输送的类似配置(comparable arrangement)也被涵盖于本发明的范围内。外围台包括阻挡层形成台(barrier layer forming station)、一个或多个有机物(或相关聚合物前体)层形成台、与阻挡层和有机层形成台的至少一个成真空联通放置的减压源、以及与阻挡层和有机层形成台的至少一个成热联通放置的温度控制装置。该阻挡层形成台可以被用于将至少一个无机层沉积到衬底上，而该一个或多个有机层形成台可以被配置为直列式工具以将至少一个有机层沉积到衬底上。通过提供一个以上的有机层形成台，本发明可以在需要时处理更高吞吐量的操作。减压源(诸如真空)工作以在衬底周围产生至少部分被抽真空的环境。同样地，温度控制装置工作以调整衬底温度。可选地，温度控制装置被配置为降低衬底温度。另外，该工具还包括被置于工具中的至少一个掩模台，该掩模台被配置为将至少一个掩模放置于衬底上。有机层形成台包括单体沉积、单体固化和将具有单体涂层的衬底在该工具的沉积和固化部分之间移动的传输部件。
根据本发明的又一个方面，公开了用于将多层涂层沉积到分立衬底上的工具。该工具包括单体层沉积台、与单体层沉积台协作的阻挡层沉积台以及与单体和阻挡层沉积台之一或两者协作以在衬底周围产生至少部分被抽真空的环境的减压源。如前所述，单体层沉积台可以被设置为直列式工具以将至少一个有机层沉积到衬底上。阻挡层沉积台被配置为集束型工具以将至少一个无机层沉积到衬底上。
可选地，该工具还包括至少一个固化台，其被配置为固化由单体层沉积台沉积的有机层。该工具还可以包括一个或多个污染减少设备(contamination reduction)以控制有机层制造材料的迁移。该工具还可以包括掩模台，其被配置为将至少一个掩模放置于衬底上。单体层沉积台和阻挡层沉积台可以被配置为将衬底沿着各自传输路径反向移动以促进多层涂层的多层的沉积。环境隔离阀(environmentalisolation valve)可以被放置于单体层沉积台和阻挡层沉积台之间以避免工具内相邻隔间之间不必要的污染。另外，一个或多个表面处理室可以被合并入以增强多层涂层的各个层粘附衬底或多层涂层的相邻层的能力。该表面处理室，其可以由等离子体能量源或热蒸发装置制成，能够被置于单体层沉积台中。在其中表面处理室包括热蒸发装置的配置中，可以配置一种形式以将非氧化物材料沉积于衬底或刚才曝光的层上。在这种情况的具体方案中，该非氧化物材料可以为氟化锂或氟化镁。在具体的工具配置中，无机层沉积台在有机层沉积台放置有机层之前将无机层放置到衬底上。另外，真空源可以在无机层沉积期间提供与有机层沉积期间不同的真空水平。
根据本发明的又一个方面，公开了将多层涂层沉积到OLED上的封装工具。该封装工具包括被配置为将至少一个无机层沉积到OLED上集束型工具、被配置为将至少一个有机层沉积到OLED上的直列式工具、以及真空源，该真空源至少被联结到直列式工具上使得在将有机层沉积到OLED上的过程的至少一部分期间，真空源工作以在OLED周围产生至少部分被抽真空的环境。该直列式工具被操作地联结到集束型工具。可选地，热控制机构被联结到集束型工具和直列式工具的至少一个上。此外，可以配置封装工具使得无机或有机层可以被首先涂敷于OLED上。
根据本发明的又一个方面，公开了用于将多层涂层沉积到分立衬底上的方法。该方法包括使用可以根据一个或多个前述方面被配置的封装工具。另外，该方法包括将衬底加载到工具中，将无机材料的至少一部分作为多层涂层的组分沉积到衬底上，操作减压源以在有机层沉积到衬底上的过程的至少一部分期间在衬底周围产生至少部分被抽真空的环境，将有机材料的至少一部分作为多层涂层的成分沉积到衬底上，以及固化有机沉积层。
可选地，该方法还包括在形成多层涂层的第一层之前处理衬底的至少一个表面。这增强了衬底和第一形成层之间的粘附力。该方法还可以包括在沉积无机层之前将无机掩模放置于衬底上，以及在沉积有机层之前将有机掩模放置于衬底上。多个掩模可以被堆叠以制作底切掩模。在另一种方法中，底切掩模可以由具有足够厚度的单层形成。在一种形式中，希望避免由蔓延到底切掩模所限定的遮蔽区域中的有机沉积层的一部分与实质上接触衬底的底切掩模部分相接触，由此使毛细(wicking)或相关现象的可能性最小化。另外，有机掩模可以在固化之前被去除。在另一个选项中，工具的至少一部分可以被冷却以实现对有机层沉积的控制。该方法还可以包括在有机层的至少一部分沉积到衬底上之前沉积无机层的至少一部分使得衬底上的第一沉积层为无机层。在另一种形式中，可以执行相反操作使得衬底上第一沉积层为有机层。该方法还可以包括操作热控制机构使得可以在沉积期间控制集束型工具和直列式工具中至少一个的温度。
根据本发明的又一个方面，公开了封装放置于分立衬底上具有多层涂层的OLED的方法。该方法包括将OLED加载到封装工具中，当OLED在工具的无机层沉积台部分中时将无机层的至少一部分沉积到OLED上，当OLED在工具的有机层沉积台部分中时将有机层的至少一部分沉积到OLED上，操作减压源以在有机层沉积到OLED上的过程的至少一部分期间在OLED周围产生至少部分被抽真空的环境；以及固化有机沉积层。
可选地，有机和无机层的沉积可以重复至少一次，其中沉积有机和无机层的步骤可以按任意次序执行。优选地，用于有机层的有机材料以蒸汽形式被导入到有机层沉积台中，更具体地说，该有机材料为聚合物前体或单体。另外，用于无机层的无机材料优选地为陶瓷。可以理解的是，这些材料选择同样可以被应用于它们所对应的集束型和直列式工具部分的任意前述方面。在一种形式中，有机沉积层的固化包括紫外线(UV)固化，虽然可以理解的是，也可以使用其它已知形式的固化。如前述方面，首先涂敷的层可以为无机层。此外，最后涂敷的层可以为无机层。该方法还包括在有机层沉积之前处理至少一个无机沉积层。这样的处理可以通过等离子体源执行。
根据本发明又一个方面，一种工具包括：封装设备；装载锁(loadlock)，用于封装设备与该工具其余部分之间进行选择性真空隔离(selective vacuum isolation)；以及交换机构(exchange mechanism)，便于一个或多个形成于衬底上的封装构件在封装设备与该工具其余部分之间的传输。该封装设备包括有机层形成台和阻挡层形成台，其中有机层形成台可以包括有机材料沉积台、与有机材料沉积台协作的有机材料固化台、衬底传输器以及减压源，减压源与有机材料沉积台成真空联通放置使得在有机层沉积到衬底上的过程的至少一部分期间，减压源工作以在衬底周围产生至少部分被抽真空的环境。另外，有机层形成台可以包括与沉积和固化台中一个或二者协作的热控制机构使得其中的温度可以在衬底上有机材料形成期间得到控制。
可选地，在一个实施方案中，该工具不仅可以被用于封装衬底上的器件，还可以被用于将被封装器件集成为更大的部件，例如集成电路等。封装设备可以为OLED封装设备。同样地，交换机构可以为之前讨论的贮料器(accumulator)。同样结合以上方面所述，阻挡层形成台可以被配置为集束型工具，而有机层形成台可以被配置为直列式工具。该工具还可以包括被放置于有机层形成台或其它地方中的清洁系统。该清洁系统可以包括前述的辉光放电装置。
根据本发明的又一个方面，公开了有机材料测定和安全系统。该系统被配置为调节有机材料被分配到有机材料沉积工具(诸如一种上述工具)的流。该系统包括安全有机材料供给组合件(secure organicmaterial supply package)，其可以作为可替代、可消耗的单元被组装并出售。而事实上所有机械设备都随着使用被损耗并会因此是“可消耗的”，在本文中，该术语被用于那些包含可用组成部分(诸如加工原料)的设备使得在原料耗尽时，该设备可以补充新的原料或者被丢弃。该组合件包括具有置于其内的一定量的有机材料的容器、以及与所述容器协作的验证设备。验证设备可以用与容器内的材料有关的信息进行编码。在优选实施方案中，在被联结到有机材料沉积工具的有机材料测定和安全系统工作期间，与被分配有机材料的请求相对应的信号将有机材料测定和安全系统设置为判定所接收的信号是否表示有效的请求的运行状态。这样的信号的一个例子来自用户输入，其中该用户可以为操作有机层沉积工具的一个或多个个体。安全标准涉及容器内的材料，还可以包括数量、制造厂商、化学成分或所包含材料的相关标记。一旦该验证设备测定安全标准被满足，那么它就指示有机材料沉积台组件(其可以构成源控制单元)准许从容器中分配材料流体(material fluid)。
可选地，该验证设备为可以用与容器中材料对应的信息编码的硬件密钥。如同其它形式的验证设备，该硬件密钥被配置为防止有机材料的未授权分配。该硬件密钥还被配置为通过计算机上的或相关工艺过程控制器上的传统端口(诸如USB端口)连接有机材料沉积工具以便于硬件密钥与计算机上驻留的测定或安检软件之间的通讯。编码到硬件密钥上的信息可以被用于建立，例如，许可协议下的使用条款。通过对信息进行编码，滥用(诸如违反许可协议的条款)的可能性被最小化。硬件密钥上包含的数据可以通过软件更新。例如，可以改变关于容器内有机材料数量的信息以反映材料的提取(即收取)。当硬件密钥中包含的信息反映材料的零余额时，有机材料测定和安全系统可以指示设备停止工作。本领域技术人员可以理解的是，其它形式的信息可以被有效地存储于硬件密钥上，而系统内嵌的加密和相关安全措施提升了制造厂商对于正确类型和数量的材料正在被分配的信心。
附图说明
图1为根据现有技术所述的卷到卷工具的简化视图；
图2为根据现有技术所述的集束型工具的简化框图；
图3显示了被多层涂层封装的物体的剖视图，其中层的沉积是通过根据本发明一个方面所述的工具进行的；
图4A为根据本发明一个方面所述的具有单一有机层沉积台的直列式封装工具的示意图；
图4B为当衬底在多层沉积过程期间往返穿梭图4A的工具时衬底位置的示意图，突出了该工具同时处理多批次衬底的能力；
图4C用顺序图显示了图4A的工具的并置排列，其显示了工具中各个部件被激活以制造多层涂层的顺序；
图5A为根据本发明的替代实施方案所述的具有双有机层沉积台的直列式封装工具的示意图；
图5B为在衬底在多层沉积工艺期间往返穿梭图5A的工具时衬底位置的示意图，突出了该工具同时处理多批次衬底的能力；
图6为显示使用具有有源器件沉积装置的本发明控制器的封装工具的并置排列的透视图；
图7为包括集束型和直列式特征的工具的替代实施方案的配置图；
图8为图7的工具的集束型部份的溅射台部分的简化表示；
图9为横穿衬底移动路径看时图8的溅射台部分的正视图；
图10为沿着衬底移动路径看时图8的溅射台部分的正视图；
图11为图7的工具的直列式部分的简化表示；
图12显示了围绕放置于衬底上的环境敏感器件的简化掩模配置的正视图；
图13A显示了用于覆盖衬底的现有技术的传统掩模的正视图；
图13B显示了根据本发明实施方案所述的用于覆盖衬底的掩模的正视图；
图14A显示了根据本发明实施方案所述的用于封装放置于刚性衬底上环境敏感器件的多层涂层覆盖物的透视剖视图；
图14B显示了由图14A的多层涂层形成的边缘密封(edge seal)的正面细节视图；
图15显示了在使用图13B的掩模的衬底上形成的边缘密封的俯视图；
图16A到图16F显示了衬底承载托盘(substrate-carrying pallet)经过图11中所示有机层沉积台的不同阶段；
图17A是描述有机层沉积效率与衬底温度的对应关系的图；
图17B是描述当多层涂层在衬底上堆积时衬底温度的上升(elevation)的图；以及
图18显示了有机材料测定和安全系统如何与有机材料沉积台协作的方框图。
具体实施方式
首先参考图1，显示了根据现有技术用于将多层涂层沉积于连续卷筒衬底上的卷到卷设备100。衬底110的卷筒经过分配卷盘(distribution reel)120并经过了有机层沉积台125、固化台130、无机层沉积台135、第二有机层沉积台140和固化台145、并到达收取卷盘(take-up reel)150上。可选地，该设备100可以包括一个或多个表面处理设备(诸如等离子体源155)以改善有机层和衬底110之间的粘附力。设备100的内部限定了单室160。公共真空(commonvacuum)存在于所有上述部件间。在一个常用工艺、即聚合物多层(PML)工艺中，第一和第二有机层沉积台125和140上所用的有机前体被闪蒸使得当有机前体被导入到真空室160中时蒸发，然后它可被引导到相对低温的衬底110以冷凝于其上。气相(蒸发)的形成通过加热和增大前体表面积来实现，后者优选地通过雾化(atomization)为无数微小液滴来将前体表面积增大若干个数量级。在表面积显著增加的同时将液滴导入到真空环境中。美国专利4,722,515，因此通过引用被并入，描述了加热、雾化以及实现有机前体材料蒸发的真空环境。可选地，在前述蒸发中，另外的加热(热输入)起因于将喷雾器的输出冲击到炙热表面上。这个过程，被称为闪蒸，进一步由美国专利4,954,371所教导，也通过引用被并入。冷凝液趋于平坦化，因而去除了衬底110的固有粗糙度的绝大部分。
接下来参考图2，显示了现有技术的集束型工具系统200。在集束型工具配置中，传输台205为所有沉积台210、220和230所共用，使得每个台独有的材料不会渗透其余沉积台。
例如，衬底(未图示)的分立薄片在传输台205与第一有机层沉积台210、无机层沉积台220和第二有机层沉积台230之间顺序路过直到得到所要的成品。独立真空(separate vacuum)(未图示)被施加于每个沉积台上。该方法减少了被沉积的物质在错误时间或地点被导入的机会，使得有助于得到无交叉污染(cross-contaminant-free)的最终产品，但这样做却极大增加了时间和生产成本。
接下来参考图3，本发明可以被用于封装薄片衬底6与多层抗渗透涂层9之间的环境敏感器件90，或者快速地将涂层9直接沉积到薄片衬底6上。作为举例，环境敏感器件90可以为OLED。薄片衬底6可以被配置为每个薄片上接受一个或多个环境敏感器件90。此外，薄片衬底6可以为柔性或刚性的；柔性衬底包括但不限于：聚合物、金属、纸、织物、柔性薄片玻璃(flexible sheet glass)、以及其组合，而刚性衬底包括但不限于：陶瓷、金属、玻璃、半导体、以及其组合。在所示实施方案中，薄片衬底6由玻璃制成，虽然被封装器件还可以被放置于塑料膜载体(support)上(诸如聚对苯二甲酸乙二酯，PET)，其中阻挡层可以被放置于该膜与器件90之间。构成多层涂层9的层为有机层9A和无机层9B，它们可以按任意次序堆叠，而每一层有机层9A可以由与其它有机层相同或不同的材料制成，无机层9B也一样。无机层9B被用于保护环境敏感器件90，而有机层9A钝化或以其它方式抑制无机层9B中裂纹或类似缺陷的形成。有机层9A一般厚度范围为约1,000到15,000，而有机层9B一般厚度范围为约100到500
Figure 2005800495728_1
，虽然它可以更厚。例如，在器件封装的情况中(如图中所示)，首先沉积的无机层9B可被涂敷为相对厚的层(诸如大于1,000
Figure 2005800495728_2
)以得到更彻底的封装。本领域技术人员可以理解的是，本附图用简单方式绘制以突出不同层，并且本附图不需要与真实的层厚度或数量成比例。有机层和无机层9A、9B的数量可以根据覆率(coverage)要求和抗渗透要求由用户选择、控制。此外，前述热蒸发涂层，诸如LiF和MgF2，可以形成额外的保护层9C，如结合图14A和14B中所示。
有机层
除了执行前述裂纹钝化功能之外，有机层9A可以(如图中所示)被制作得更厚以提供，除了其它特点以外，平坦化。此外，层9A可以提供下方衬底或器件的绝热(thermal isolation)，这有利于减少与后续无机层9B沉积有关的热的输入。在更少的更厚层上交替分离层对涂层性能的好处可以用简单冗余(simple redundancy)来解释，但也可以是在初始沉积于第一无机层9B上的有机层9A上后续沉积的无机层9B的成核(nucleation)具有体结构所没有的改善阻挡特性的结果。
有许多方法基于等离子体或蒸发技术引发有机层9A的聚合、交联和固化。一种方法是基于将闪蒸的有机材料通过充电的阴极/阳极组件以形成辉光放电等离子体。在辉光放电等离子体中，局部电离气体被用来轰击衬底6。辉光放电在本技术领域中是完善的，并照此表达了可以使用的所需装备配置、工艺操作条件、工作气体等、以及可以达到什么结果的理解。气体中的反应物(reactive species)被化学沉积到衬底6或其上的涂层9上。在此之后，有机材料冷凝以形成通过被由等离子体形成产生的带电物质引发的聚合反应自固化了的有机层9A。该方法由美国专利5,902,641和6,224,948教导，因此两者都通过引用被并入。该方法的变种是基于工作气体中的等离子体生成，其随后直接被用于使用闪蒸沉积的有机层；该变种由美国专利6,203,898和6,348,237、以及美国专利申请公开2002/0102361A1教导，所有这三者都通过引用被并入。适合于形成有机层9A的有机前体包含至少一种含有活性功能基团(active functional group)的物质使得反应能够产生聚合和/或交联。因为希望控制这些反应的开始(onset)，并且这些反应将在真空环境下发生，所以通常优选地为加成反应(additionreaction)。示范的加成反应包括丙烯酸基团(-O-CO-CR＝CH2，其中R一般为H、CH3或CN)的聚合，乙烯基团(R1R2C＝CH2，其中R1一般为H而R2一般为-O(氧键)或者其中R1为芳香烃或取代芳香烃而R2为H或CH3)的聚合，脂环族环氧基团的开环聚合以及异氰酸酯(-NCO)官能物质(functional species)与氢氧基(-OH)或氨基(-NH2)官能物质的反应。易于反应以及可用性使得丙烯酸和乙烯功能材料更受偏爱，但也可以使用其它材料。
被合并入到合适的有机前体中的反应物可以为含有至少一种官能基团的单体(简单结构/单一单元)，含有至少一种官能基团的低聚物(由两到数个重复单元组成)，或者含有至少一种官能基团的聚合物。如文中所用的，单体是指包括被称为单体的物质，而术语低聚物和/或聚合物是指包括被称为低聚体、聚合体、预聚物、酚醛(novalac)、加合物、以及树脂的物质，当最后提到的含有官能基团时。反应物(即单体、低聚物或聚合物)可以含有两个或多个的相同或不同官能基团，而合适的有机前体可以包括两种或多种这些反应物。作为例子，这些可以由两种或多种单体物质、一种或多种与一种低聚体物质化合的单体物质、一种或多种与一种聚合体物质化合的单体物质组成。本领域技术人员可以理解的是，可被用于化合的反应物的数量和种类不受特定限制。另外，有机前体可以包括不可聚合和/或交联并且为液体或固体的一种或多种物质。例子包括前述的光引发剂，它是相应暴露在紫外线下而碎裂(fragment)以产生引起基于自由基的反应(包括聚合)的自由基的物质。当为固体时，这些物质可以表现为分散体、胶态分散体、或者溶解状态(in solution)，并且本质上可以为离子，诸如无机或有机物质的盐。当为液体时，非反应物可以表现为乳液、胶体、或者混合组分。
液体多层(liquid multilayer，LML)工艺，由美国专利5,260,095、5,395,644和5,547,508(通过引用被并入本文)公开，通过在PML基于闪蒸的方法中所用的许多相同的有机材料而含有一些与前述PML工艺的共同之处，但还可以进一步与不能超出闪蒸使用的更高分子量材料一起工作。大体上，与PML方法的将闪蒸的有机物冷凝然后引起固化不同，LML工艺包括将液体材料涂敷到表面上然后引起固化(聚合)。
无机层
图中所示的无机层9B可以为可被真空沉积到器件90的上表面上、薄片衬底6的表面上、或者薄片衬底6上存在的有机层9A上的陶瓷层。用于无机层9B的真空沉积法包括但不限于：溅射、化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、蒸发、升华、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积、及其组合。溅射一般包括低压环境下的气体离子对阴极材料的轰击，由此从阴极表面排出(eject)阴极材料的原子。排出的原子在之后撞击到放置于其路径中的衬底上，由此使得阴极材料原子沉积到衬底表面上。溅射装置使用了电场和磁场两者来加速气体离子朝阴极表面的运动。通过经过贯穿阴极材料的磁场，可以实现增强的沉积速率。此外，为了避免由于相邻磁铁的固定摆放造成的阴极材料烧穿(burn-through)，使磁铁相对目标阴极移动(诸如旋转)。该想法的明确细化(specific refinement)包括绕着固定磁铁旋转的圆柱管形阴极(cylindrical tube cathode)，从而有助于阴极材料相对均匀的消耗。旋转溅射法由美国专利6,488,824教导，其整体公开通过引用被并入本文中。
溅射可以为反应的(在沉积陶瓷或介电材料，诸如金属的氧化物和氮化物的情况中)或者非反应的(在沉积金属的情况中)。通过加入反应能力，溅射装置(包括可旋转圆柱形装置)可以被用于沉积陶瓷或通过例如将被释放的阴极材料原子与反应物气体(reactivespecies gas)化合形成的相关的非金属材料，同时，控制溅射材料非导电层的堆积避免了会在沉积期间发生的工艺参数的偏移。在反应溅射中，金属离子从溅射源(阴极)产生并接着在反应气氛中被转化为在之后被沉积于衬底上的金属化合物。例如，使用氧气作为反应气体会导致金属氧化物层的沉积，而使用氮气或碳源诸如甲烷作为反应气体会分别导致金属氮化物或金属碳化物层的沉积。反应气体混合物可以被用于制造更复杂的层。作为替代，陶瓷靶(ceramic target)可以被射频溅射到衬底6上。在两种情况的任一种中，该惰性工作气体通常为氩气。在一种形式中，溅射的陶瓷层9B可以为Al2O3，因为其现成的可用性和已知的沉积参数。然而，可以理解的是，还可以使用其它适合的沉积工艺和其它的无机层材料9C(诸如通过前述热蒸发制造的前述非氧化物MgF2和LiF)。与有机层9A一样，在器件封装的情况中，第一沉积层9B或9C可以被较厚(诸如1,000
Figure 2005800495728_3
以上)地涂敷以得到更高质量的封装，而后续沉积的阻挡叠层可以为被封装器件提供所需的环境保护。虽然反应或非反应溅射都可以被用于便于无机层9B沉积到薄片衬底6或环境敏感器件90上，但是优选地为反应溅射方法，因为该技术提供更高的沉积速率和用于更好的阻挡层的更致密膜。如前所述，非反应溅射工艺可以优选地用于更关心对被封装物体的损害的保护层9C的沉积。
沉积源与被沉积表面的紧密度(closeness)部分地取决于使用何种前述沉积方法。作为举例，发明人发现两者之间大约6英寸的溅射间距产生良好的结果。一般来说，表面离源越近，沉积速率越高，代价是如果表面离源太近，在该表面上就可能发生高的热量积累(highheat build-up)。在一个例子中，如果该环境敏感器件90为前述的OLED，那么它可能需要保护其阴极层免受反应气体的影响。除了紧密度之外，表面相对源的取向(例如，是在上还是在下)取决于被封装器件的类型。向上沉积(upward deposition)在过去已经被越来越广泛地使用，因为热蒸发一般是向上(upwardly-directed)的现象。如果衬底很大，优选地用向下或者侧向沉积代替。用于许多沉积工艺的能量输入还可以有各种形式，并能与其它的沉积考虑(depositionconsideration)互相影响，诸如是使用反应的还是非反应的方法。例如，具有反向偏置脉冲的直流电流(DC)与Al2O3层电流兼容，且相对简单并提供高的沉积速率。这还有利于消弧(arc suppression)和灭弧(arc control)，以及相关的粒子生成。还有其它能用于沉积陶瓷和相关介电材料的能量源，诸如交流(AC)或射频(RF)，尤其是对于要避免电弧、以及不要求单质材料的相对高速沉积速率的情况。
接下来参考图4A，显示了根据本发明的一个方面所述的用于将多层涂层沉积到薄片衬底6上的直列式封装工具2。具有近端2A和远端2B的封装工具2包括沉积间(deposition housing)3，其内部可为真空。沉积间3集中地限定了有机层沉积台10、固化台20、无机层沉积台30和掩模台60，使得所有4种沉积台在单一真空下工作。为了保证沉积间3内部的台10、20、30和60之间的公共真空，相邻台之间的开口被联结到一起以在它们之间建立开放式流路(open flowpath)。如文中所用的，“联结”是指组件被相互连接，但不必被直接连接。在本文中，在被“联结”到一起的两部分之间居间部分的装置只要存在一些连通性就不会破坏联结的配置。
所示的封装工具2的配置包括使薄片衬底6经过有机层沉积台10、固化台20、无机层沉积台30和掩模台60前后穿梭双向往返多次以实现所需数目的沉积层。如下将更详细描述，封装工具2还可以被配置为单向设备使得所需数目的层可以一次性经过该系统被沉积。无机层沉积台30包括用于沉积无机层9B的沉积室32，其细节如上所述。有机层沉积台10包括第一迁移控制(migration control)室12、用于沉积有机层9A的沉积室11、以及第二迁移控制室14。衬底的温度控制是一种可以对构成有机层9A的材料实现迁移控制的方式。因为有机层沉积步骤对衬底温度非常敏感(尤其是升高的衬底温度)，而更冷的衬底会均衡和快速地冷凝更多的有机前体，所以特别强调冷却该衬底。为了这个目的，冷却(例如，以制冷机(chiller)或热质形式置于迁移控制室12、14中)可以沿着沉积路径被导入以防止衬底6和涂层9或其上的环境敏感器件90过热。这种冷却最小化了任何有机前体蒸气到相邻台的扩散以避免封装工具构件结垢(hardwarefouling)。另外，通过在薄片衬底6移动到下个台之前减少过量的有机前体蒸气，封装工具2实现了污染物的减少，即减少了后续涂层会被污染的可能性。冷却剂(低温的或其它的)供给管(coolant feed tube)(未图示)将制冷机(未图示)连接到第一迁移控制室12以使得该供给管可以将制冷液(诸如液氮)分配给薄片衬底6的顶部和底部。该供给管具有供应装置和回收装置(supply and return)。该冷却剂与真空隔离。
另外，循环净化器(cycle purge)可以被用于减少供给接口部分(feed interface section)中的污染。位于有机层沉积台10近端和远端的折流板(baffle)15还在气态有机前体被沉积的局部空间内包含该气态有机前体。折流板15还可以被添加到其它台以将由不同台相邻的入口和出口限定的开放式流路与杂散蒸气弥散(stray vapordispersion)部分地屏蔽开。该流路足够开放以保证不会损害这些台之间的公共真空。一旦沉积过程完成，薄片衬底6进入到与上述第一迁移控制室12类似的第二迁移控制室14。
固化台20被配置为固化已在有机层沉积台10中沉积的有机层9A。在固化的有机层9A之上，可以沉积另外的层。固化或交联产生自可以在前述光引发剂被合并到有机前体中时通过暴露于电子束(EB)源或暴露于紫外(UV)源而引发的自由基聚合。在某些沉积情况中，诸如器件90被放置于衬底6上的情况中，使用UV较使用EB优选，因为依靠UV曝光来固化冷凝层而不是靠EB源有助于避免对更有害的EB曝光的影响的担忧。作为举例，EB曝光可以在下方的器件90上达数千电子伏特(keV)。本领域技术人员可以理解的是，基于UV曝光的聚合(交联)并不只限于自由基机制。存在释出阳离子引发剂(称为Lewis酸，Bronstead酸，鎓盐等)的光引发剂，使得可以使用阳离子聚合机理。这些结合闪蒸的固化机理的使用由美国专利6,468,595教导，因此通过引用被并入。阳离子聚合便于不适合于用在自由基聚合中而仍要考虑加成聚合的乙烯基官能有机材料和脂环族环氧基官能有机材料的大族(large family)的使用。
掩模台60可以包括无机掩模放置设备65和有机掩模放置设备67，每个都将薄且卡片状的掩模覆盖在薄片衬底6上沉积的环境敏感器件90上。这些掩模防止有机层9A沉积到诸如电接触之类的衬底90的选定区域上，并且可以被用于限定(控制)无机层9B和有机层9A之间的覆盖关系，这种关系有利于边缘密封设计。在有机掩模放置设备67的情况中，覆盖掩模还可以被用于使得能进行选择性曝光和有机沉积层9A部分的后续固化。在无机层9B的沉积中，掩模的部分可以通过作为屏蔽罩来有效保护环境敏感器件90(诸如OLED阴极)免受热或颗粒物的损害，因为它们被放置于源的阴极和被涂敷的衬底之间并且作为掩模来限制(限定)暴露于源的衬底区域。
封装工具2的远端2A可以被配置作为贮料器40使得沉积间3的沉积台接口能连接到上游或下游设备，或者连接到周围的外部环境，诸如用于加载和卸载衬底6。贮料器40(或相关交换机构)作为等待台(wait station)用于一个或多个即将被处理的衬底6，其提供例如可以实现减少温度和大气的抖动的、稳定的、相对孤立的环境，由此改善沉积工艺的总体质量。贮料器40包括入口40A和远离入口40A的出口40B。该贮料器可以包括由隔离阀17限定的隔离室4，以使得一旦衬底6被加载到贮料器40中，至少可以开始与周围环境的部分隔离。如前所述，可以在贮料器40中产生真空和热控制。热减少(thermalreduction)可以通过在一个或多个分离位置与衬底6接触或相邻放置的热质热沉(thermal mass heat sink)、或者通过制冷液(诸如液氮)系统实现。这些热沉可以被用于在衬底6进入不同沉积台之前降低衬底6的温度，以及在沉积过程期间冷却衬底。
除了支持对衬底6的至少部分环境隔离之外，贮料器40还可以包括一个或多个表面处理室19以改善有机层9A或无机层9B之一与衬底之间的粘附力。表面处理室19可以为等离子体能量(辉光放电)源并且可以使用惰性工作气体、反应工作气体或其组合。用于产生等离子体的能量源可以来自射频(RF)、交流(AC)和直流(DC)，并且可以包括下游等离子体源，其中等离子体被远程产生和传递以去除可能已覆盖了其中的各种部件的有机污染物。这种处理引起伴随着亲水行为的增加的表面能量增加，从而增强了衬底和第一形成层之间的粘附力，由此使得它们之间能形成更好的结合。在柔性衬底、诸如前述PET薄膜的情况中，表面处理还使得能额外地改善膜一致性(filmcompliance)和污染物的减少。这很重要，因为这些污染物(一般为低分子量物种形式)是迁移的，因此能蔓延到其它层。另外，可以处理无机层以实现增强与后续沉积的有机层的粘附力。对于封装，只处理多层涂层的无机层表面可能就足够了。这是基于发明人相信通过处理无机层表面而非有机层表面会改善粘附力。第二贮料器50可以限定封装供给2的远端2B。该贮料器，虽然可以拥有贮料器40的全部特征，但是优选地为更简化，提供可选的用于一个或多个衬底6的温度控制以及周转和等待容器(wait-state containment)。
一旦为贮料器40中的衬底6建立了适当环境条件，衬底6就被沿着传送器7传输到沉积间3，在此，多层涂层9的层9A、9B会根据沉积策略被沉积。例如，十一层的涂层9可以由在6层的无机层9B中交替的5层的有机层9A形成。此外，可以优选地将无机层9B作为第一层沉积到衬底6上，然后可以在其上放置有机和无机层9A、9B的交替层。反之，可以优选地倒转该次序，让有机层9A作为衬底6上第一层。尽管显示为单侧配置，但是无机层沉积台30可以被配置为提供衬底的双侧处理。
接下来，薄片衬底6行进到有机层沉积台10内的沉积室11，以接受多层涂层9的有机层9A。有机层9A优选地通过蒸发工艺诸如PML被沉积，其中前体材料的形式可以为液体溶液，具有分散有固体的液体(liquid with solid dispersion)或者具有液体不溶混混合物的液体(liquid with liquid-immiscible mixture)。蒸发可以通过将有机层前体材料的连续液流在低于前体的分解温度和聚合温度的温度下供给到真空环境中，接着将前体雾化为液滴的连续流，然后将液滴在温度等于或高于前体沸点但是低于热解温度的加热室中蒸发。
一旦薄片衬底6到达封装工具2的远端2B处的贮料器50，就可以接着被反方向输送以通过固化台20来硬化刚才在有机层沉积台10中沉积的有机层9A。同样地，这样的配置建立了用于沉积多层涂层另外的层9A、9B的紧凑系统(compact system)，因为可以简单地将薄片衬底6调转而按相反次序通过由有机层沉积台10、固化台20和无机层沉积台30限定的当前部件。薄片衬底6可以以所需次数经过封装工具2以接受适当数量和类型的多层涂层9的层9A、9B。封装工具2还可以包括其它沉积台(未图示)以在薄片衬底上沉积额外的涂层其包括但不限于抗划伤涂层、防反射涂层、防指纹涂层、抗静电涂层、导电涂层、透明导电涂层、以及其它功能的涂层。额外的装置可以被连接到封装工具2，包括可以被用于质量控制的测试(或测量)室8(稍后显示)，诸如提供多层覆盖率的适当性(adequacy)的标识(indicia)。例如，可以制造钙基鉴定样品(calcium-based refereesample)以支持通过本发明的装置涂敷的多层涂层的氧和水渗透性测试。这样的额外沉积台(如果有的话)可以被包括于贮料器50的上游或下游设备中。
由单独的控制器70A到70N组成的控制系统70被用于控制工艺参数，包括无机层和有机层的沉积次序、以及热、运动和器械控制。例如，热控制器70D可以包括被联结到贮料器40中的热控制装置以冷却衬底6的硬件和软件，而热控制器70F和70H可以被用于操作迁移控制室12的污染物减少器件。运动控制器70M包括追踪衬底6在被传送器7沿着封装工具2传输时的位置的硬件和软件。器械控制装置(utilities control)70N包括硬件和软件以为各个台提供电源、工艺气体(process gas)、真空、压缩空气和冷冻水。同样地，工厂控制器连接用于材料管理和过程状态的外部系统。人机接口(HMI)为控制面板、计算机、软件、屏幕、键盘、鼠标和允许操作者运行系统的相关装置。控制系统70可以使薄片衬底6按任意次序穿梭以适应特定的封装或阻挡层沉积配置。
接下来结合图4A参考图4B，显示了十六个简化步骤，这些步骤显示双层涂层9通过包含单一有机层沉积台10的封装工具的优选沉积次序，特别要注意的是所述设备可以同时处理两批次的衬底6A、6B。图4A中所示具有布置于沉积间3两端的贮料器40、50的封装工具2的配置允许衬底6以所需次数双向通过封装工具2以堆积多层涂层9。通过让布置于封装工具2远端的第二贮料器50，可以同时加载和处理多批次的衬底6。本领域技术人员可以理解的是，虽然图4A和5A的工具中可以同时生产的批次数目优选地为2，但是本设备不局限于此，因为额外的贮料器和相关的隔离容器(均未图示)可以被联结到现有工具以改善批处理吞吐量(batch throughput)。
在操作的步骤1中，薄片衬底6的第一批次6A被加载到远端2A处的贮料器40中。在贮料器40中建立稳定环境条件(诸如温度下降、预定真空水平的建立或表面处理室19中表面特性的增强)之后，薄片衬底6通过传送器7顺序移动经过有机层沉积台10和固化台20到达掩模台60。如果需要的话，承载薄片衬底6的托盘(未图示)可以包含孔，通过该孔便于将多层涂层的层沉积到薄片衬底6的底部，诸如对于双侧涂层沉积。此外，开口的托盘可以使衬底可以更好地“看见”冷却板或相关的热管理装置，由此增大冷却板对衬底热管理的作用。
当到达掩模台60时，衬底6首先从无机掩模放置设备65接受掩模，在此之后它移动到(如步骤2中所示)无机层沉积台30以接受无机层9B。施加到来自无机层沉积台30的衬底的能量(其可以来自例如，在放热反应中涂敷反应涂层的2千瓦脉冲直流电源)可以显著提高衬底温度。
为了抵消该温度增加(其可能对后续沉积步骤中衬底接受有机层9A的能力产生不良影响)，衬底被暂时放置于贮料器中，如步骤3所示，在此可以启动贮料器50的热控制功能以实现温度降低，以及为经过沉积间3的回程定位衬底6的批次6A。此时，如步骤4所示，第二批次6B可以被导入到位于封装工具2远端的贮料器40入口4A中，同时批次6A中的衬底6反方向移动，接受来自有机层沉积台10的有机层涂层并在之后被固化(目前未图示)。在步骤5中，第二批次6B的各个衬底6接受与第一步骤2中第一批次6A相同的层沉积。在步骤6中，第一批次6A重复步骤2的内容，在沉积之后被移动到贮料器50中的分离的等待空间(separate wait space)以不与第二批次6B发生混淆。在该步骤之后，第一批次6A具有了涂层9的以无机层开始的(inorganic-led)第一有机/无机层对9A/9B。同样地，第一无机层9B为基础对(由第一无机层9B和第一有机层9A组成)的一部分，它将阻挡涂层9与下方的衬底6或器件90分离或隔离开。在步骤7中，批次6A和6B都被装在贮料器50中，而在步骤8中，第一批次6A接受第二有机层9A并且固化。在步骤9中，第二批次6B的每个衬底6都接受其有机层9A的第一次沉积直到批次6A和6B都被储存在贮料器40中，如步骤10所示。在步骤11之后，第一批次6A具有两对分布于衬底6上的涂层9的有机/无机层对9A/9B。步骤12，一旦完成，使得第二批次6B具有了涂层9的第一无机层9B和第一有机/无机层对9A/9B。步骤13为与步骤7相似的等待状态。步骤14描述了第一批次6A中的衬底6通过贮料器40中的出口40B离开封装工具2。在步骤15中(其重复步骤4的过程)，第二批次6B接受有机层9A并固化，同时新的批次6C被加载到贮料器40的入口40A中。步骤16显示第二和第三批次6B、6C在贮料器40中处于等待状态。可以理解的是，可以修改上述步骤；例如，如果需要更多或更少数目的层，经过封装工具2的次数可以因此而变化。本领域技术人员可以理解的是，虽然基础对的次序(即无机层优先)基于目前所用的衬底是优选的，但是本系统可以被配置为将有机物优先沉积策略提供给其它需要这种方法的衬底成分。
接下来参考图4C，显示了图4A的封装工具的并置排列以及显示了衬底6的穿梭以制造四层的涂层9的流程图。此时，可以涂敷一次无机(氧化物)掩模，接着只为无机(氧化物)沉积涂敷(覆盖)有机掩模。该配置使得容易从两个平坦掩模制作出底切掩模。
接下来结合图5A和5B，封装工具2具有多个有机层沉积台10使得，如图4A所示配置那样，它可以在公共真空下工作。由于该系统的变种包括额外的部件，它的优点在于重复沉积间3(未图示)使得多层涂层9的全部所需层都能用更少遍数被沉积，因此改善吞吐量。作为替代，如果并置排列了足够的沉积间3，那么可以使衬底6单向移动，使得贮料器40、50得到简化而不再需要调转功能。这种台配置的数目和排列将取决于多层涂层9中层的所需配置，并且可以据此被配置。封装工具2还可以被配置为按任意次序沉积有机和无机层9A、9B，以及将物体直接放置于薄片衬底6上或一层或多层的多层涂层上。例如，虽然优选实施方案为让薄片衬底6与已加载的要封装物体一起被放置到封装工具2中，但是该工具也可以被配置为让空载的衬底6先进入封装工具2，一旦它在工具2中就将物体放置于其上。同样地，用图4A所示封装工具2的配置，折流板15可以被用于跨越(straddle)不同的台，尤其是有机层沉积台10，以减少制作有机层9A所用材料的迁移。图5B的简化步骤与前面那些结合图4B的描述相似，并被修改以考虑额外的有机层沉积台10。
接下来结合图3参考图6，图4A的封装工具2如图所示被连接到控制系统70和外部材料处理装置80，其全部都用于将环境敏感器件90，诸如OLED，沉积到衬底6上。外部材料处理装置80可以被配置为可以手动或自动地与封装工具2接口。可选的测量室8如图所示在封装工具2末端与贮料器40相邻。在工具可被用于直列式器件(OLED)生产的情况中，会使用这样的接口：其维持合适真空并包括将被放置了器件的衬底在合适的位置传输给工具2的交接装置。尽管当前未图示，但是位于这两者之间的贮料器40是优选的，提供了处理速度匹配、问题解决(诸如停机维修)、维护、冷却等手段。在另一个方法(未图示)中，工具2与该器件(OLED)生产线分开。该生产线将需要具有用于将具有器件的衬底安置到可被封装的传输容器中并在之后维持合适的真空的装置的传递装置。在这个情况中，工具2将需要具有用于接收传输容器、打开并将装料交接到工具传输系统上的装置的装载装置。生产线传递器和工具接收器必须包括建立和维持合适真空的装置。另外，与图4A和5A相反，隔离室4不必为贮料器40的一部分，而是可以为分离的装置。
接下来参考图7到17，工具300的替代实施方案使用用于将多层涂层沉积于分立衬底上的混合设计。其混合本质源于其将集束型和直列式工具的属性结合到单一工具中，其中，对有无机层沉积使用集束型工具部分310而对有机层沉积使用直列式工具部分330。具有真空环境(使用真空源350)的两部分的本组合便于多层保护涂层的形成。
集束型工具部分
在集束型工具部分310中，中央机器人312被放置于中央枢纽区域313以按编程顺序在不同外围联结的处理台之间传输一个或多个工件(workpiece)(诸如前述分立衬底6)。这样的外围台的例子包括薄膜涂层沉积台314(具体是，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)台)、热蒸发台316、掩模储料台(mask stocker station)318、装载锁320、蚀刻台322、溅射台324和掩模对准台326。每个外围台、以及中央枢纽区域313被联结到真空装置350(其可以为例如真空泵)以建立和维持所需的内部真空。门或相关的隔离阀(未图示)被放置于中央枢纽区域313与每个外围台之间以便于在它们之间进行选择。由于机器人312在分离的、可隔离的台之间传输衬底和相关的工件，不再需要连续穿梭装置(诸如基于传输机的传输设备)。优选地，一旦机器人312将分立衬底传输到特定台中，联结到其上的隔离装置(诸如前述的阀门)就被调度以减少由于工艺副产品或过量反应物引起的污染。除了热蒸发台316，各种台都可以执行与它们前述直列式工具相应部件相同的功能。本领域技术人员可以理解的是，集束型工具部分310中的各种台为可互换的，使得它们可以按所需的多种方法被配置。
热蒸发台316可以被用于将前述保护层9C立即沉积到要被封装的器件90上(例如，如图3C所示)。例如，当器件90为OLED时，其最顶层为一般由与氧或水快速反应的低功函数金属(诸如钙或镁)制成的阴极。在这种情况下，使用热蒸发系统316以立刻开始将保护层9C沉积于新形成的阴极层顶上以避免阴极失效(cathodedegradation)。因此，在OLED生产工艺顺序中，热蒸发系统316提供了有价值的涂层沉积。热蒸发台316还可以被用于一层或多层保护层(例如前述的LiF和MgF2层)的热蒸发以避免对敏感衬底6的等离子体损伤。热蒸发台316还可以包括掩模能力，(包括掩模对准能力)以控制在何处沉积保护层9C。这样的额外特征可以有助于生产操作和工艺优化操作。掩模储料台318能够保存大量掩模，包括用于蚀刻、溅射、单体沉积、PECVD和蒸发的掩模。掩模对准台326可以被用于保证掩模相对于衬底6或放置于衬底6上的器件90的精确放置。
关于对贯穿混合工具300的掩模的使用，许多与以上结合图4A和5A(包括底切选项)的实施方案所述相同的特征可以被用于混合工具300的集束型工具部分310和直列式工具330两者。接下来参考图12到15，显示了现有技术的掩模与本发明掩模之间的对比。特别是参考图12，描述了如何使用所生成的底切掩模600来沉积有机(聚合物)层9A。包括边界区域700的更大区域是沉积路径与由于所知的湿润现象产生的冷凝层额外蔓延(additional spreading)的组合。因此，掩模尺寸需要考虑衬底与掩模界面处掩模下的单体蔓延，因为希望避免已蔓延的单体沉积与残留在衬底6上的掩模底切边缘之间的接触。通过使用可以由掩模600制成的强化底切(enhanced undercut)610，接触掩模600与衬底6之间的接触发生于边界区域700中超出单体蔓延的位置，但不是在掩模600与衬底6相遇的地方。形成于强化底切610下方的遮蔽区域使得有机层能伴随必然的蔓延被沉积而不会影响厚沉积层的积累或在它们的结合处发生毛细现象。相似的配置可被用于沉积氧化物或其它无机层，虽然由于蔓延趋于更少，但是底切所需的量也一般更少。当在沉积之后去除掩模时，通过不让氧化层接触掩模，避免了损害氧化层的边缘(以及伴生有机物残渣减少(concomitantdebris reduction))。可以理解的是，底切的形状不是关键的，所以可以基于衬底、易于制备等的需要来选择。
本掩模配置便于单体层9A周围边界区域700中未涂敷的边缘的形成。该未涂敷的边缘可以在随后接受额外的无机层9B而不插入单体层9A。连续无机层9B的积累构成了基本不能渗透的边缘密封结构。不让底切掩模600接触无机层9B的暴露表面避免了潜在的无意的污染。在要被涂敷的衬底6是由刚性材料(诸如玻璃)制成的情况中，简化的掩模配置(诸如接下来将讨论的)可能更有用。
特别参考图13A，显示了在现有技术的传统接触掩模800中的衬底6。有机材料(未图示)由于毛细力效应而在掩模800的边缘处堆积。这导致了厚有机边缘层和相应的较差的阻挡性能。为了克服这个问题，使用了根据如图13中所示本发明实施方案所述的掩模900。不同于掩模800，掩模900包括内建的底切910，以与图12中掩模600的边缘类似的方式悬垂于衬底6的边缘6A下方。有机材料(诸如前述单体蒸气)被向上沉积于衬底6的下表面，而使边缘6A部分不涂敷。调整由底切910所产生伸出物的尺寸以保证在有机材料沉积期间形成边缘6A的未涂敷部分。这些内建的底切也足使得能向上沉积而延伸出有机沉积层9A覆盖区域的氧化(阻挡)层9B，而不让它完全涂敷底切下方的区域。这有助于在去除掩模时避免对衬底或沉积层的损害。图13B的掩模特别适合于使用向上沉积将OLED封装于玻璃或相关刚性衬底上。
特别参考图14A和14B，显示了使用一个或多个本发明的掩模在衬底上形成交替的有机和无机层。环境敏感器件90(诸如OLED)被放置于衬底6(目前显示为玻璃衬底)上。在其顶上，可以首先沉积可选的保护层9C(诸如前述的热蒸发LiF或MgF2)以覆盖环境敏感器件90。紧接着，可以沉积无机层9B以覆盖保护层9C，在这之后可以堆积交替的有机和无机层9A、9B以形成所需涂层9。如图14A中可见，有机层9A的尺寸大致符合保护层9C的尺寸，而由无机层9B形成的边缘密封9D覆盖了有机层9A以减少有机层9A边缘暴露给周围环境。覆盖的本质特性可以更详细的见于图14B的剖视图中，其中边缘密封9D的宽度(包括其覆盖有机和保护层9A、9C的部分)约为3毫米，而有机沉积层9A和保护层9C的宽度约为1到1.5毫米。本领域技术人员可以理解的是，上述尺寸只是范例，并且所需的更大或更小尺寸已被本公开所包含并属于本发明的范围。
特别参考图15，底切尺寸与掩模1000不接触氧化物沉积层(其一般类似于图12和13B的掩模600和900)之间的关系可以用两种形式中的至少一种来实现，一种是用于单体层9A而第二种是用于无机层9B。可以使用一对底切掩模在特定区域内沉积有机层9A和溅射(无机)层9B并满足两者之间的确定关系，其中有机层9A覆盖较小面积以使阻挡层9B在边缘处暴露出来。在边缘处暴露阻挡层有助于形成图14A和14B中所示多层结构，其中边缘密封9D由暴露的阻挡层(无机层9B)边缘的叠层形成。图15还显示了使用单体掩模1000A的大底切以使该掩模与衬底6的接触在阻挡层(氧化层)9B所覆盖的区域之外。该方法避免了在氧化物沉积步骤之间被暴露氧化层表面的积聚(accumulation)和相关的污染。
再参考图7，因为各个台不是通过传送器或相关连续传输设备联结的，所以更易于保持各个台的自治性(autonomy)并随之避免交叉污染。相比于衬底6在基于传送器的系统上传送的情况，使用与隔离阀(未图示)联结的机器人312的机械臂(未图示)以允许在各个台内放置衬底更有利于台自治性，因为相比存在有传送器系统的情况主动闭合(positive closure)更容易。装载锁台320可以被用作用于待涂敷的衬底6的初期作业区域(initial staging area)，并且可以与外部(周围)环境隔离，以及通过隔离阀与集束型工具部分310的中央枢纽区域313隔离。装载锁台320还可以被用于将混合工具300连接到更大生产工具(未图示)的其它分离部件。例如，如果混合工具300中形成的封装OLED要成为更大的成品的一部分(诸如集成电路等)，装载锁台320、以及合适的交换机构(例如，前述的贮料器40)可以被用于便于使涂敷衬底从混合工具300沿着更大工具传输到其它台。
由于大量副产品存在于一些台中(例如，蚀刻台322)，所以优选地让这些台与装载锁台320分离开。蚀刻台322的蚀刻过程包括体去除(bulk removal)，并因此释放大量材料到真空环境中。对于在这种潜在的富含污染物环境中实现易于传送和环境隔离而言，使用机器人312的集束型方法比类似的直列式工具更简单。同样地，两者的分离也使得蚀刻台能够更易于替换或者在不需要的时候彻底去除。这也使得能够更易于为特定用户需要定制工具。分离的另一个选项是用执行不同操作的台替换蚀刻台322以满足特定用户需要。
接下来参考图8到10，显示了溅射台324的细节。特别参考图8，溅射台324和中央枢纽区域313之间的访问受到隔离阀324A的控制。在溅射台324内，衬底(未图示)可以被装载于托盘324B上，该托盘324B可以在皮带传动或轨道式传输器324T上在作业区(stagingregion)324C和远程区(remote region)324D之间前后穿梭。这种传输系统的一个例子是日本的FEC公司出售的磁耦合传动系统，其商标为MagTran。在这种配置中，传统的齿轮(gear)可以被替换为非接触式磁耦合(non-contact magnetic coupling)以提供传输或旋转传动运动的重取向。这有利于消除可能会被涂敷沉积材料的移动零件之间的产生颗粒的接触(particle-generating contact)。在具体的配置中，传输器可以包括屏蔽特征以防止沉积材料污染传输器表面。由于这种传输方法尤其适合于线性工具，它还可以被用于混合工具300的直列式工具部分330。例如，两个或多个台或者工艺可以被结合在单一部分内。
传输器324T可以被用在集束型工具部分310中的各个部分内以及穿过直列式部分330的一个或多个部分。特别参考图8，自动闸门阀324D被用于控制溅射的工艺压力，而涡轮分子泵(未图示)可以被用于保持清洁的高真空(clean high vacuum)。
控制器324H(其在一个实施方案中，可以为基于微处理器的系统诸如计算机)被用于调节溅射台324内的操作，包括控制托盘穿梭、气体供给(诸如活性气体供给装置324I和惰性气体供给装置324J)、主电源324G和基于残气分析的反馈324K。赋予控制器324H的功能还包括控制真空水平。利用反应溅射的无机层的沉积，特别是因为它涉及衬底6的加热或将环境敏感器件90(未图示)暴露于环境，需要被控制以避免对器件90造成损害。虽然现有技术已经使用掩蔽物(screen)来减少在衬底上的溅射的影响，但它们没有公开将OLED与溅射等离子体屏蔽开。例如，如前所述，反应溅射为沉积电介质、透明阻挡层的优选方法；然而，尽管有先前涂敷的聚合物层，但这样的阻挡层某些时候还是可以损害OLED。虽然损害的机理并不清楚，但该损害可能与插在其间的聚合物层有关，该损伤通过注入物质在该聚合物层中产生并因该物质而迁移穿过该层。
特别结合图8参考图9，当衬底6前后穿梭时，它经过相邻的两个溅射阴极(也被称为溅射靶或靶阴极)324E，其中一个被覆盖了掩蔽物324F以至少部分地隔离等离子体与衬底6。阴极324E包括在最顶层表面上的要被溅射的靶材料(例如，铝)层。掩蔽物324F还提供将惰性气体(优选的为氮气)与反应气体(优选的为氧气)分离的某些措施，这便于以固定的氧气流(fixed oxygen flow)来稳定操作。例如，具有相邻掩蔽物324F的阴极324E可以只被用于氧化物或相关无机材料的最初层(例如，约400
Figure 2005800495728_4
)。该层可被用于保护衬底不受其余的第一层沉积的损害。第二阴极324E被配置为没有掩蔽物，由此可以得到比具有遮蔽设备的情况更高的溅射速率和少得多的维护。为了控制该工艺，反馈系统可以被用于对氧气流作出快速、精确的调整以保持特定的靶偏置电压。这使得溅射过程能够相对环境变化稳定工作。
被掩蔽物324F覆盖的第一溅射阴极324E使得能够无损地将氧化物薄膜沉积到OLED上。虽然由于掩蔽物324F的阻碍的确导致沉积速率更慢(即靶材利用率低)，并且的确由于掩蔽物开口随着溅射材料在衬底上掩蔽物324F上的沉积而收缩而使工艺参数缓慢变化，但是该方法是控制反应溅射的简单方式。DC溅射电源可以被使用，并且从控制器324H的角度看可以具有固定的工艺气体流。反馈，如果需要的话，可以由手动或者通过控制器324H完成。没有覆盖掩蔽物324F的第二溅射阴极324E适合在OLED被氧化物薄层封装之后使用。此时，磁控管为了沉积速率和靶材利用率而被最化。可以要求先进的反应溅射控制，诸如脉冲DC溅射电源或活性反应气体控制。
出了横穿移动路径看时(如图9所示)和顺着移动路径看时(如图10所示)的无机阻挡层沉积中掩蔽物324F相对靶阴极324E和衬底6的放置。如图中所示，该配置采用前述的向上沉积以利用向上的热蒸发或溅射现象。向上的蒸发或溅射杜绝了颗粒残渣落回到被涂敷的表面上。这两种工艺受到控制而有助于在衬底表面上的沉积的最大化，但因为两者都在真空中运行，所以沉积会延伸到其它内表面。随着时间的经过，该材料沉积会成为颗粒源；由于这种颗粒源容易被扰乱，会由于重力作用向下运动离开衬底表面。将反应气体(例如，来自反应气体供给装置324I的氧)与惰性溅射气体(目前显示为来自惰性气体供给装置324J的氩)混合通常导致阴极324E的靶表面转化为由阴极材料和反应气体组成的化合物，这是一种被称为中毒的现象。
这种反应表面(reacted surface)的溅射被称为中毒模式溅射，其特征在于应优选地被最小化或避免的更慢的沉积速率。为了减少中毒模式溅射，可以引入掩蔽物324F以有益地减少靶阴极324E附近反应性氧的浓度。氧化物形成所需的氧被引入到掩蔽物324F和衬底6之间。通过让氧气和阴极324E所释放的材料之间的反应在更靠近接受衬底6和远离源阴极324E的地方发生(如图10中向上箭头所示的来自氧供给装置324I的氧)，减少了阴极324E处的氧化物中毒。当然(如上所述)，溅射通量(sputtered flux)中掩蔽物324F的存在成为了阻碍，降低了靶材沉积速率。由掩蔽物324F引起的阻碍作用可以被用于通过阻碍溅射等离子体的一些UV成分来降低等离子体损伤。UV曝光为已知的引起有机物退化(包括单体和聚合体材料)的原因而减少它可以有助于最小化等离子体损伤。周期性清洁掩蔽物324F可以被用于减少会进一步降低沉积速率的掩蔽物上沉积材料的堆积。
使用掩蔽物324F尤其有助于将阻挡层组件形成于可以被用于OLED和其它环境敏感器件的衬底的塑料或相关基于有机物的膜上。该方法还可以被用于将封装组件沉积于OLED上。另外，特别对于OLED封装，当采用这种“有机物优先”法时掩蔽物324F的使用已经被证明减少了首先沉积的有机分离层(first-deposited organicdecoupling layer)的前述等离子体损伤。掩蔽物324F可被用于分立衬底和传统卷筒衬底涂层装置。特别对于封装，掩蔽物324F提供了两种方法中的一种以在阻挡层为多层涂层的首先沉积的层时减少OLED的等离子体损伤。另一种避免等离子体损伤的方法包括在溅射之前沉积无机保护层，如前所述。
Al2O3特别适合于溅射到衬底上。当然，因为Al2O3为电绝缘体，所以它不能用于非RF磁控溅射，而RF溅射有缺点，包括沉积速率慢、实施方式复杂、以及相对其它方法衬底发热过多。前述反应溅射被用作一种在衬底上实现彻底的氧化膜的方法(产生干净的、稳定的、完全反应的膜)。使用具有注入到靠近溅射靶的惰性溅射气体(诸如氩气)和注入到靠近衬底的反应气体(诸如氧气)以及在两气体注入点之间的掩蔽物阻挡的上述遮蔽阴极有助于最小化活性气体接触溅射靶所产生的有害效应。被沉积于掩蔽物的靶侧上的靶材作为吸气泵(getter pump)将穿过掩蔽物的反应气体去除。这是有利的，因为其效果是在衬底附近留下富氧气氛，而在溅射靶附近留下富氩气氛。因此，它可以在衬底上创造干净涂层而不毒害在同一环境中的靶。
虽然被放置于阴极324E上方的分离的掩蔽物324F使得生产过程灵活化，但是本领域技术人员可以理解的是，该系统不必包括掩蔽物324F。各种考虑，诸如那些上述的考虑，可以影响具体配置，包括沉积何种类型的材料、以及对衬底和沉积层质量的潜在损害。
直列式工具部分
接下来结合图7参考图11，显示了混合工具300的直列式工具部分330的细节。直列式工具部分330包括有机材料沉积台334、无机材料固化台336和能够至少在有机材料沉积台334和有机材料固化台336之间传送衬底的衬底传输器338。另外，隔离阀(诸如闸门阀)333被用于将有机材料沉积台334和充当衬底加热和冷却台的单体掩模对准室332隔离。如前所述，可以使用基于冷却单体沉积台的相邻或者部分的不同表面的分配方法。例如，可以采用掩模对准室332内的表面，但是这些将通过使用有机材料沉积台334和有机材料固化室336内额外的温度控制表面来完成。
单体掩模对准室332还可以用与前述掩模台60相似的方式运行，其中放置了磁性掩模以控制衬底6上发生单体沉积的位置。还可以让其与室清洁功能相协作。虽然清洁特别适合于有机材料沉积台334(其中会发生最大程度(greatest level)的有机材料不期望沉积(unwanteddeposition))，但是还可能存在需要在沉积步骤完成时进行掩模的情况。
与集束型工具部分310一样，真空源350可以被用于控制有机材料沉积台334的内部压力。虽然所示真空源350是配置为向集束型工具部分310和直列式工具部分330两者供给真空的单一单元，但是本领域技术人员可以理解的是，本系统还可以被配置为具有用于每个工具部分的、分离的、自治的真空源。用作分离真空源的泵的例子会在下文中进行更详细描述。掩模对准室332中可以存在其它装置，包括加热和冷却板(未图示)。
有机材料沉积台334由无机层材料供给装置334A、蒸发器334B、沉积喷嘴334C、封隔装置(confinement)334D、热阻挡层334E、抽吸口(pumping port)334F和遮板(shutter)334G组成。抽吸口334F被用于在有机材料沉积台334中产生真空，并可以与真空源350或专用泵组件成真空连接。添加单体封隔装置334D有助于减少污染。大体上，封隔装置334D使用“室中室”方法，该方法允许将单体导入到有机材料沉积室334的子部分中。目的是使被涂敷衬底附近的更小区域内具有更高的单体蒸气浓度。使衬底能移动到更小内室中的开口可以与冷阱相邻以将经过这些开口逃逸并进入到室334的其余部分中的有机蒸气减到最少。图16A到16F(下述)具体实施了该“室中室”方法。如使用以上结合集束型工具部分310所述的溅射台324那样，衬底6可以被装载于托盘340上而可以在传输器338上在有机材料沉积台334的相对置的两端之间来回穿梭。
有机层9A的冷凝速率是气态单体分压和表面温度的函数，其中高分压和低温有助于冷凝。会对有机层沉积质量产生极大影响的一个参数变量是衬底温度。关于温度，气态单体会冷凝于大多数表面上，尤其是那些表面温度低于大约160摄氏度的表面。虽然可以调整工艺参数以改善在诸如有机材料固化台336的石英窗(quartz window)之类的部件上的单体堆积，但是这样的调整不是所希望的，尤其是在无法实时反馈的情形中。这样的调整包括例如改变衬底的传输速度和改变源的强度。不幸的是，源的红外线(IR)辐射衰减不均衡，所以任何这样的工艺调整都可能增加衬底温度，导致降低单体沉积速率除非采取控制衬底温度的方法。不做工艺调整，取而代之的是遮板334G被放置于有机材料沉积台334和有机材料固化台336之间以充当这两者之间的污染阻挡层。通过在除了有机材料沉积台334的初始抽真空(initial evacuation)和托盘340与衬底6的传输期间之外的所有时候都将杂散有机材料与有机材料固化台336隔离开，来将有机材料沉淀于有机材料固化台336的石英窗上以及对由其发射的UV固化能量的量造成妨碍的机会减到最少。
接下来参考图17A和17B，显示了改变衬底温度对有机层沉积质量造成的影响。虽然希望获得最高沉积效率，但是沉积效率对衬底温度的强烈依赖(尤其是在温标的低端)使得在封装过程期间难以使聚合物厚度保持在可接受范围内。促进均匀、可再现的沉积厚度在封装工作中是相当重要的，其中该聚合物厚度一般在约4,000
Figure 2005800495728_5
到6,000
Figure 2005800495728_6
之间。虽然主动温度控制系统是一种促进均匀层厚度的方式，但它不是唯一方式。本发明人已经能够控制沉积以实现厚度大致均匀的层，获得了成功封装的OLED而不需要主动温度控制系统。因此，虽然这个添加有益于封装工具，但是它不是必需的。
衬底温度和蒸发器压力的测量值对操作者(手动操作模式)或控制器(自动操作模式)控制沉积工艺是有用的指标。如前所述，温度(尤其是衬底温度)提供关于沉积效率的有用信息。在一种形式中，衬底温度在传输系统上衬底和托盘开始移动之前被测量。蒸发器压力直接在蒸发器中测量但是不提供撞击于衬底上的通量的绝对度量(absolute measure)。沉积工艺期间全部这两个参数的精确值，温度和流量，将取决于具体工具的细节。然而，发明人收集的数据显示了所测试温度、压力和膜厚度对这些细节的敏感度不大。特别参考图17A，显示了在沉积开始之前，在25摄氏度到65摄氏度之间，作为所测量的衬底6温度的函数的沉积效率近似值，其中沉积效率由层厚度乘以衬底/托盘速度除以单体流率来定义。沉积效率显示随温度增加而降低，尽管在大约50摄氏度以上不如更低温度处的快。
在封装工艺期间，衬底被暴露于来自单体固化和氧化物沉积的热负荷。例如，基于图17A所示的图，如果单体沉积开始于温度为25摄氏度的衬底6并且最后一层温度达到35到40摄氏度，那么这些更高温度的单体层厚度将减少为只有初始层厚度的50％。为每一层都增加流来补偿温度的控制方法对于OLED而言将难以实施。对于温度等于或接近周围环境温度(大约在25摄氏度到35摄氏度之间)的衬底6而言，该图证实了使得非均匀的衬底6温度可以导致单体厚度的显著变化的强烈的温度依赖关系。
为了避免这两个问题，发明人利用了无机层9B(其可以为厚氧化物)初始沉积期间衬底6的固有工艺加热(process heating)。在每层有机层9A沉积开始之前所测的衬底6温度的例子如图17B中所示，其中图示了具有7层有机层9A的多层涂层的结果。初始衬底温度大约为26摄氏度，厚氧化物沉积导致在涂敷第一有机层9A之前衬底温度达到差不多40摄氏度。结果，第七有机层9A的厚度仅比第一有机层9A少大约15％。为了补偿所增加的衬底6温度，可以增加单体的流。当然要在在更低温度下操作衬底6和在更高温度下操作衬底6之间进行权衡；在更低温度下操作衬底6时，工艺高效但是难以控制，而在更高温度下操作衬底6时效率较低但是易于控制并具有伴随的可再现性。直列式工具部分330的温度控制特征非常适合于在两者中的任一温度状况下操作。
当考虑通用工具(包括用于工艺研究和开发的这种工具)时，具有保持有机层9A厚度所需工艺控制的能力对于更通用的封装工艺是有价值的。如上所述，没有衬底温度控制，衬底6温度会在工艺开始时保持与周围环境温度相近，导致初始有机层9A厚度的不确定性和在封装工艺进行时有机层9A厚度的显著减少。本发明人已经发现有若干种可行方法能保持用于任意封装层结构的单体工艺的控制。举个非限定性的例子，可以实现在每一层有机层9A沉积之前衬底温度主动控制的某种形式。另一方法可以是测量每一层的衬底温度并据此调整单体流率。此外，还可以建立可重复的初始衬底温度并适应温度改变。
理想地，第一种方法会得到一致的有机层9A厚度。如果可以维持受控的更低衬底6温度那么就可以得到增加的沉积效率。另外，该方法还可以为不同单体和封装工艺提供最大适应能力。使用主动控制会需要额外的控制，而温度控制可能需要额外的处理时间以及可能需要解决跨遍及衬底或OLED表面的发射率变化。
第二种方法需要能重复测量衬底6温度。在处理期间对衬底6的非接触式测量面临着封装处理期间衬底6的变化的发射率的挑战。衬底6温度和沉积效率之间的关系需要被很好地特征化并储存为控制系统程序的一部分。
第三种技术需要使衬底达到特定的适中温度的温度稳定台。适当地选择该温度使其在沉积效率和温度敏感性之间达到最优权衡。温度稳定台会在将衬底温度调整到低敏感性的区域中起到厚氧化物的作用。储料型室会容许更长的稳定时间而不增加封装处理时间。对于目前的单体配料(monomer blend)而言，稳定温度应该在约35摄氏度到40摄氏度的范围内。其它单体配料可能需要不同的稳定温度。这将由特征化沉积效率对衬底温度的敏感性来决定。使用循环流体和加热器/冷却器的温度控制系统会为所关注的温度范围提供最快和最精确的控制。这种方法可容易地用于封装处理期间所用的掩模。减少掩模和衬底温度的差别将减少有差别的热膨胀对掩模容差的影响。本领域技术人员可以理解的是，上述方法只是例子，以及可以使用其它方法以满足单体工艺控制需要。
另一种管理有机材料沉积台334和有机材料固化台336之一或全部的温度的方法是让加热或冷却液体经过处理室的墙壁。例如，可以使用加套室(jacketed chamber)和循环温度控制(即加热的或冷却的)液体的装置。
接下来参考图16A到16F，显示了混合工具300的直列式工具部分330的有机材料沉积台334部分的替代实施方案。这些图显示了衬底6(优选地被贴了掩模(未图示))经过台334以涂敷一层或多层有机材料的不同阶段。在本配置中，单体仅在需要时流动，诸如当衬底6(图中在托盘340的底面上)在衬底6传输期间邻近孔335C时，特别如图16C到16D中所示。有机材料沉积台334包括密闭舱(containment vessel)以封隔用于将有机层沉积到衬底6上的至少一些部件。密闭舱由可隔离内室335构成，可隔离内室335进一步至少被划分为用于包围单体沉积喷嘴334C的第一区域335A(也被称为单体封隔子室)，以及限定可隔离内室335的其余部分的第二区域335B。优选地，托盘340上的衬底6(或者，如果有的话，器件90)和由第一区域335A包含孔335C的部分与冷阱334I限定的平面之间的间隔容差小。这种紧密固定将逃逸的材料的量减到最少，这种逃逸的材料会污染有机材料沉积台334的内部。托盘340具有延伸了的前缘和后缘尺寸(leading and trailing dimension)以减少遮板334G开启时的传导性(conductance)。
在一种形式中，热阻挡层334E将衬底6与由相对热的单体沉积喷嘴334C所辐射的热屏蔽开，由此减少了输入到衬底中的热。另外，热阻挡层334E屏蔽了内室335的第二区域335B的表面。热阻挡层334E的具体实施方案的形式可以为包围住单体沉积喷嘴334C除了喷嘴处的孔以外的每处的水冷套，由此减少蔓延到内室335的第二区域335B的热。
如前所述，单体在衬底6上的沉积速率强烈依赖于后者的温度。为了保持预期的沉积速率，所有的衬底都应该彼此间具有越接近越好的受热经历(thermal history)。另外，优选地衬底6的暴露应该相对温和(benign)(换句话说，它们所暴露的温度不要高于周围温度太多)。为此目的，通过在单体沉积期间将衬底6与第一区域335A中产生的升高温度热绝缘可以有利于保持衬底6的视线辐射加热(lineof sight radiant heating)最小化。一种方法可以包括冷却第一区域335A的外部。
只要导入蒸发器334B(图11中所示)中的单体流速被改变，源就需要一段时间(一般为十秒量级)来稳定。不应该在此期间内对衬底6进行沉积。当不存在衬底6时(诸如图16A中所示)，遮板334G将第一区域335A与主室隔离。用这种能力，它阻止了单体在所述期间被沉积到衬底6上，在所述期间它可以将从单体沉积喷嘴334C流出的单体流转移到第一区域泵334H1中。本领域技术人员可以理解的是，图16A到16F中所示的泵334H1和334H2可以结合或代替图7和11中所示真空源350来使用。第一区域泵334H1被用于保持内室335第一区域335A的单体污染较低。另外，第一区域泵334H1可以被用于快速实现或保持可隔离内室335中的真空质量。在一种形式中，第一区域泵334H1可以为被用于从第一区域335A中去除过量单体气体的耐单体高真空泵(诸如加热涡轮泵(heated turbo pump)或干式机械泵)。任何从第一区域泵334H1排出的气体可以被送到洗涤器以在被释放之前进行额外的净化。
在单体流动期间，经过单体沉积喷嘴334C的单体的部分可能在第一区域335A的内壁上、以及遮板334G上冷凝。在遮板334G背面上的该冷凝可能在遮板334G关闭时被重新蒸发到第一区域335A中。另外，积聚到遮板334G上的单体可能干扰其活动。通过加热遮板334G，可以将由这样的冷凝引起的积聚减到最少。这通过最小化传导性有效地隔离了第一区域335A而不释放颗粒，其中相邻组件的摩擦导致了这种风险。因此，当遮板334G关闭时，紧致闭合(tight closure)优选地具有低传导性间隙(conductance gap)。同遮板334G一样，第一区域335A的内壁可以被加热以将冷凝和由此造成的单体积聚减到最少。这防止了单体冷凝形成液滴的机会，这种液滴可能会进入到第一区域泵334H1并对其造成损害。
冷阱334I可以被用于捕捉从第一区域335A逃逸到第二区域335B的过量单体。冷阱334I的效率取决于冷阱表面的温度和面积。在优选的取向上，冷阱334I从遮板开口的周边偏移开。在更具体的实施方案中，可以有两个冷阱，在遮板开口的长边两边一边一个并且与遮板开口的长边大致等长。尽管低温学温度对于冷阱334I而言是最有效的，但只要有零下温度(可以例如用使用基于乙二醇传热流体的冷却器制得)就可能足够了，并且其实现更经济和更安全。为了增强适用性，可以使用具有咬合盖(snap-on cap)的可去除冷阱。这还有助于安全处理捕捉的单体。
遮板334G可以为前述有机材料固化台336的石英窗提供额外的保护，由此最小化单体源和窗口在单体沉积期间的传导性。为了最有效率，遮板334G可以与单体源334A(如图11中所示)相距足够远的距离使得衬底6在源上方的整个传输过程不被妨碍。
可以使用各种形式的单体封隔334D，既可以是独立的也可以与遮板334G或其它部件结合。例如，再次参考图7和11，如果存在传输机构338，那么其许多位于单体流移动路径上的部件极有可能会散落沉积单体的剥落碎片和由于摩擦、振动或相关运动产生的颗粒。这反过来可以在衬底6上产生薄膜缺陷。不幸的是，周期性清洁传输机构338部件太耗时，并且需要额外的停机时间。另外，该单体可能是危险的，需要额外的维护人员保护和相关花费。
虽然可能不能在工具300中实现完全的单体封隔，但是用本发明的方法，可以减少杂散单体的量以增加保养之间的平均时间。例如，使用分离的第一和第二区域335A、335B结合单体封隔334D和遮板334G可以促进大约90％的过量单体捕获。此外，冷阱334I可以捕获大约四分之三的余量，和在直到托盘340完全覆盖冷阱334I之前的约一半的余量。遮板334G还非常适合于使单体远离有机材料固化台336的窗口。
再次参考图11，可以包括清洁系统(未图示)以用于直列式工具部分330。这样的清洁系统还可以被用于清洁集束型工具部分310的溅射台324。此外，该清洁系统被配置为原位执行，使得它的完成可以不必破坏直列式工具部分330中存在的真空，由此使得能得到同样的或更好的有机物残渣清洁和去除水平。该清洁系统使用通过将前体气体暴露于放电源所生成的反应等离子体。在一种形式中，该清洁系统可以包括辉光放电源(局部或远程)以产生反应物，该反应物随后被用于化学去除残余有机沉积物。不管源电极配置，等离子体源工作在更低功率下以避免来自源电极表面的有害溅射。
同无机溅射一样，可以使用射频、相关的微波活化或者其它手段产生等离子体。前体组分(一般为气态形式)被装入用于等离子体源的等离子体罩(plasma enclosure)(未图示)中，而反应物通过适当的联结端口(未图示)被运送到有机材料沉积台334中。可以使用一种或多种前体气体，包括O2、O3、H2、N2、NF3、CF4、C2F6、以及C3F8，来产生适当水平的长寿命的反应物以送到有机材料沉积台334中所需的内表面。衬底传输可以被用于升高和降低衬底6，由此选择性地将其放置于等离子体源的路径中。优选地选择前体气体和工艺设置以产生可以在随后容易通过真空或相关抽吸源被去除的挥发性副产品。优选地避免形成颗粒副产品因为它们可以沉淀于表面上并最终引起涂层缺陷。反应等离子体清洁方法可以以一种有效的方法来最小化堆积于直列式工具部分330内的部件上的有机层。可以包括冷却设备(例如，水冷套)以保持直列式工具部分330中的室(或室的一部分)冷却。
希望将辉光放电源置于包含有机材料沉积台334的室中并配置传递装置以供给工作(前体)气体，或者将辉光放电源置于与包含有机材料沉积台334的室相连的(并且在真空下)辅助室(secondarychamber)中。在这两种情况的任一种中，对内部空间、适用性或其它诸如此类的考虑可以决定哪种配置是优选的。例如，对强调有机沉积台的基本需要可以包括考虑相邻的UV固化台的清洁。溅射室可以为自清洁的，其中适当的控制设置可以被用于产生适于清洁的低功率(辉光放电)等离子体以避免在清洁过程期间有害的和潜在不希望的溅射。
在另一种形式中，辅助部件电极(auxiliary component electrode)可以被置于有机材料沉积台334内永久固定的或可移动的附属位置(satellite position)中以在所需的关键位置发动(strike)并产生一连串局部反应等离子体清洁过程。如上段所述，一种或多种前体气体可以被用于去除有机物残渣。在两种情况的任一种中，由于化学反应去除工艺的温度依赖特性，所以反应速率和有机沉积物的去除可以通过提高被清洁的所需表面的温度而被进一步增强。这样的温度提高可以通过电阻和/或辐照加热的外部和/或内部源来实现。
在一种形式的操作中，可以采用在室温下使用适当的高速清洁工艺以在每一个每层多层沉积运行(deposition run)之后立即清洁和去除沉积的有机材料残渣。其优点在于维持每个沉积运行的相关开始背景和条件相似。在使用用于有机和无机沉积的分离室时，将有机会在每个单一有机层9A沉积之后清洁残渣。该处理，当然，可能会被较少地执行，取决于沉积工具正常运行时间和利用率的经济效益相对于处理室、堆积(drift)和污染情况的折衷。
最后参考图18，显示了有机材料测定和安全系统370的细节，以及它如何与直列式工具部分330的有机材料沉积台334协作。通过这样的系统，可以保证被导入到有机材料沉积台334中的材料满足工具所需的最小质量或纯度标准，因为内建的安全特征只允许验证过的化学药剂(诸如得到许可的化学药剂，其中最有可能是针对伪造或污染的控制)被用在沉积工具中。有机材料测定和安全系统370可以被放置为与必要的流控制(flow control)部件成协作关系，如图11中所示并在此被抽象化并以框图形式显示为源控制单元382(包括阀、泵、导管和如先前结合有机材料沉积台334所述的相关组件)。为了连接到流控制部件，有机材料测定和安全系统370连接数据控制部件(包括计算机或相关基于微处理器的控制器380，以及管理源材料流(flowof source material)所需的测定或控制软件)和安全软件384以执行许可验证和容积(volume)验证、加密的串行连接和保护不同流控制组件与测定软件之间通过的信息。可以理解的是，可编程逻辑控制器386可以被用于替代或结合计算机380以实现控制功能，因为可编程逻辑控制器一般被用于机器操作过程(machine-operated process)的自动化。
除了必要的硬件和软件组件以及它们到源控制单元382的连接之外，有机材料测定和安全系统370还可以包括由有机材料供给装置(其目前以容器334A的形式显示)和硬件密钥374组成的可消费安全有机材料供给组合件390。
用这样的构造，有机材料测定和安全系统370被配置为实施机器控制以及数据收集和验证功能，以及响应用户输入(例如，分配一定量的单体或相关的有机材料的用户请求)。在一个例子中，从有机材料测定和安全系统370分配的材料可以被供应商许可，该供应商具有能够提供安全、可靠数量的适合工具330的产品的可靠能力。安全有机材料供给组合件390的容器334A可以保存预定量的有机材料，而硬件密钥374(通常被称为解密装置(dongle))包含这样的信息：一旦该信息被联结到加载到计算机380中的适当安全软件384，就可以被用于控制和追踪被导入到有机材料沉积台334中的有机材料。
在通用适用范围中，解密装置是用于限制软件应用程序只被授权个体使用的装置。解密装置一般包括硬件钥匙，该硬件钥匙插入到该软件应用程序可以访问的计算机的并行或串行(例如，通用串行总线(USB))端口以在准许进行后续操作之前验证某些安全标准已被满足。涉及所放置产品的工厂安装标准(factory-installed criteria)可以通过只读存储器(ROM)被放入解密装置中。因此，在本发明的特定适用范围内，该解密装置可以包括涉及容器334A中初始放置的有机材料的量、以及许可验证(license verification)的信息或其它信息。安全软件384可以驻留在计算机380中，并为操作源控制单元382所需的测定软件提供安全措置。通过例如计算机380，在源控制单元382和解密装置374之间的信息传输优选地被加密。在使用可编程逻辑控制器386(后者响应用户输入，诸如将单体沉积到衬底上的请求)的情况中，它也可以通过加密的串行连接进行往来通信。这防止了篡改驻留于解密装置374中的许可验证信息。为了使安全性最大化，解密装置374优选地在有机材料分配期间保持连接到计算机380(诸如通过前述USB端口)。以这种方式，如果解密装置374被去除，或者容器334A中没有剩余有机材料，那么有机层沉积过程就不会进行。额外的安全水平(例如，口令、以及用于遗失口令等的恢复软件)也可以成为有机材料测定和安全系统370的一部分。
上述用于管理源材料流所需的控制软件优选地为计算机可加载算法，该算法接收对来自源控制单元382的有机材料的用户请求并且将该请求与解密装置374中所储存信息进行比较以确保与许可协议条款(其信息也可以被包含于解密装置374上)相匹配。数据记录软件可以被包括于测定软件中，或附加在测定软件上，以记录所分配有机材料的量，由此给解密装置374创建等于有机材料沉积台334所分配量的支取(debit)。一旦对分配一些有机材料的要求已经被判定为满足必要安全标准，那么计算机380(结合测定或控制软件)发送信号给源控制单元382以从容器334A中将有机材料分配给直列式工具部分330中的所需位置。
在一种具体实施方案中，源控制单元382可以发送信号给注射泵(未图示)以指示该泵输送所请求的量的有机材料。这个发送和接收命令可以被加密，并且关于所请求的量的信息可以被送到解密装置374以验证许可是否正确以及容器334A中剩余量是否足够。如前所述，安检软件384可以被用于确保保护源控制单元382中所用软件不受篡改或者误用。
虽然优选实施方案描述了使用硬件密钥实现本安检功能，但是本领域技术人员可以理解的是，可以使用其它安全方法。例如，可以在驻留于本地机380上的测定和安全软件与远程验证设备(诸如在有机材料卖方设备处的计算机)之间通过数据上行链路(data uplink)或类似远程通信机制来传输安检和测定信息。
虽然为了阐释本发明已经显示了某些代表性的实施方案和细节，对本领域技术人员明显的是可在由所附的权利要求所限定的本发明范围内作出各种改变。

Claims (65)

1.一种用于将材料沉积到分立衬底上的设备，所述设备包括：
集束型工具，被配置为将至少一个无机层沉积到所述衬底上；
直列式工具，被配置为将至少一个有机层沉积到所述衬底上，所述直列式工具被操作地联结到所述集束型工具；
减压源，至少与所述直列式工具成真空联通放置，使得在所述有机层沉积到所述分立衬底上的过程的至少一部分期间，所述减压源工作以在所述衬底周围产生至少部分被抽真空的环境；以及
至少底切掩模，其设置在所述衬底上以便避免由蔓延到底切掩模所限定的遮蔽区域中的沉积的无机或有机层的一部分与实质上接触衬底的底切掩模的一部分相接触。
2.根据权利要求1所述的设备，还包括热控制机构，该热控制机构与所述设备协作使得可以在所述衬底上沉积所述材料的期间控制所述集束型工具和所述直列式工具的至少一个中的温度。
3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述直列式工具包括：
有机材料沉积台；
与所述有机材料沉积台协作的有机材料固化台；以及
衬底传输器，被配置为至少在所述有机材料沉积台和所述有机材料固化台之间传送所述衬底。
4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述有机材料沉积台包括：
有机材料蒸发器；
与所述蒸发器成流体联通的有机材料沉积喷嘴；以及
布置在所述喷嘴周围的有机材料封隔系统。
5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述有机材料沉积台限定了可隔离内室。
6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述可隔离内室限定了包含所述有机材料封隔系统的第一区域、以及可通过可移动遮板与所述第一区域选择性隔离的第二区域。
7.根据权利要求6所述的设备，还包括与所述第二区域成热联通的冷却设备，所述冷却设备被配置为减少所述第一区域中产生的热负荷对所述第二区域的影响。
8.根据权利要求6所述的设备，还包括与所述可隔离内室成热联通放置的至少一个冷阱。
9.根据权利要求6所述的设备，还包括被流体地联结到所述第一和第二区域的至少一个的至少一个泵，所述至少一个泵被配置为在所述可隔离内室的所述第一和第二区域的至少一个中提供局部真空。
10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述至少一个泵包括涡轮分子泵。
11.根据权利要求1所述的设备，其中，所述集束型工具还包括无机沉积台，该无机沉积台被配置为将第一层无机材料沉积到所述衬底上。
12.根据权利要求1所述的设备，其中，所述减压源与所述集束型工具成真空联通放置，以使得在所述无机层沉积到所述分立衬底上的过程的至少一部分期间，所述减压源工作以在所述衬底周围产生至少部分被抽真空的环境。
13.根据权利要求1所述的设备，还包括与所述直列式工具协作的有机材料测定和安全系统，所述有机材料测定和安全系统包括：
内部包括一定量的有机材料的容器；以及
硬件密钥，所述硬件密钥与所述容器、至少一个计算机可加载算法和被配置为运行所述算法的基于微处理器的控制器协作，以使得在收到用户输入并满足所述硬件密钥中所编码的安全标准之后，所述有机材料测定和安全系统指示所述直列式工具的至少一部分工作。
14.一种用于将多层涂层沉积到分立衬底上的工具，所述工具包括：
多个外围台，所述多个外围台布置在大致中央的枢纽周围并与该中央枢纽相联结，以使得所述大致中央的枢纽可以在所述多个外围台之间传输衬底，所述多个外围台包括：
阻挡层形成台，被配置为将至少一个无机层沉积到衬底上；以及
至少一个有机层形成台，被配置为直列式工具，以将至少一个有机层沉积到所述衬底上；
减压源，与所述阻挡层形成台和所述有机层形成台中的至少一个成真空联通放置，以使得在所述多层涂层沉积到所述衬底上的过程的至少一部分期间，所述减压源工作以在所述衬底周围产生至少部分被抽真空的环境；
温度控制装置，与所述阻挡层形成台和所述有机层形成台中的至少一个成热联通放置，以使得在所述多层涂层沉积到所述衬底上的过程的至少一部分期间，所述温度控制装置工作以调整所述衬底的温度；以及
至少底切掩模，其设置在所述衬底上以便避免由蔓延到底切掩模所限定的遮蔽区域中的沉积的无机或有机层的一部分与实质上接触衬底的底切掩模的一部分相接触。
15.根据权利要求14所述的工具，其中，所述温度控制装置被配置为降低所述衬底的温度。
16.根据权利要求14所述的工具，还包括放置于所述工具中的至少一个掩模台，所述掩模台被配置为将至少一个掩模放置于所述衬底上。
17.根据权利要求14所述的工具，其中，所述至少一个有机层形成台包括单体沉积台、单体固化台和被配置为将所述衬底至少在所述单体沉积台和固化台之间移动的衬底传输器。
18.根据权利要求14所述的工具，还包括与所述直列式工具协作的有机材料测定和安全系统，所述有机材料测定和安全系统包括：
内部包括一定量的有机材料的容器；以及
硬件密钥，所述硬件密钥与所述容器、至少一个计算机可加载算法和被配置为运行所述算法的基于微处理器的控制器协作，以使得在收到用户输入并满足所述硬件密钥中所编码的安全标准之后，所述有机材料测定和安全系统指示所述直列式工具的至少一部分工作。
19.一种用于将多层涂层沉积到分立衬底上的工具，所述工具包括：
单体层沉积台，被配置为直列式工具，以将至少一个有机层沉积到所述衬底上；
与所述单体层沉积台协作的阻挡层沉积台，所述阻挡层沉积台被配置为集束型工具，以将至少一个无机层沉积到所述衬底上，所述直列式工具被操作地联结到所述集束型工具；
减压源，与所述集束型工具和所述直列式工具中的至少一个成真空联通放置，使得在所述多层涂层沉积到所述分立衬底上的过程的至少一部分期间，所述减压源工作以在所述衬底周围产生至少部分被抽真空的环境；以及
至少底切掩模，其设置在所述衬底上以便避免由蔓延到底切掩模所限定的遮蔽区域中的沉积的无机或有机层的一部分与实质上接触衬底的底切掩模的一部分相接触。
20.根据权利要求19所述的工具，还包括被配置为固化由所述单体层沉积台沉积的有机层的至少一个固化台。
21.根据权利要求19所述的工具，还包括至少一个污染减少设备以控制有机层制造材料从产生所述材料的所述单体层沉积台的迁移。
22.根据权利要求19所述的工具，还包括与所述工具协作的掩模台，所述掩模台被配置为将至少一个掩模放置于所述衬底上。
23.根据权利要求22所述的工具，其中，所述掩模台包括有机掩模放置设备和无机掩模放置设备。
24.根据权利要求19所述的工具，其中，所述单体层沉积台和所述阻挡层沉积台被配置为使所述衬底沿着它们内部各自的传输路径反向移动以使得所述多层涂层的多个层可以被沉积。
25.根据权利要求19所述的工具，还包括放置于所述单体层沉积台和所述阻挡层沉积台之间的环境隔离阀。
26.根据权利要求19所述的工具，还包括至少一个表面处理室，所述至少一个表面处理室被配置为增强所述多层涂层的单个层粘附到所述衬底或所述多层涂层的相邻层上的能力。
27.根据权利要求26所述的工具，其中，所述表面处理室被放置于所述单体层沉积台中。
28.根据权利要求27所述的工具，其中，所述表面处理室包括等离子体能量源。
29.根据权利要求27所述的工具，其中，所述表面处理室包括热蒸发设备。
30.根据权利要求29所述的工具，其中，所述热蒸发设备被配置为沉积非氧化物材料。
31.根据权利要求30所述的工具，其中，所述非氧化物材料包括氟化锂或氟化镁中的至少一种。
32.根据权利要求19所述的工具，其中，所述阻挡层沉积台被配置为在所述单体层沉积台放置有机层之前将无机层放置到所述衬底上。
33.根据权利要求19所述的工具，其中，真空源被配置为在所述无机层沉积期间提供与所述有机层沉积期间不同的真空水平。
34.根据权利要求19所述的工具，还包括有机材料测定和安全系统，其与所述单体层沉积台协作，所述有机材料测定和安全系统包括：
内部包括一定量的有机材料的容器；以及
硬件密钥，所述硬件密钥与所述容器、至少一个计算机可加载算法和被配置为运行所述算法的基于微处理器的控制器协作，以使得在收到用户输入并满足所述硬件密钥中所编码的安全标准之后，所述有机材料测定和安全系统指示所述单体层沉积台的至少一部分工作。
35.一种封装工具，被配置为将多层涂层沉积到放置于分立衬底上的有机发光二极管上，所述封装工具包括：
集束型工具，被配置为将至少一个无机层沉积到所述有机发光二极管上；
直列式工具，被配置为将至少一个有机层沉积到所述有机发光二极管上，所述直列式工具被操作地联结到所述集束型工具；
真空源，所述真空源至少被联结到所述直列式工具上，以使得在将有机层沉积到所述有机发光二极管上的过程的至少一部分期间，所述真空源工作以在所述有机发光二极管周围产生至少部分被抽真空的环境；以及
至少底切掩模，其设置在所述有机发光二极管上以便避免由蔓延到底切掩模所限定的遮蔽区域中的沉积的无机或有机层的一部分与实质上接触所述有机发光二极管的底切掩模的一部分相接触。
36.根据权利要求35所述的封装工具，还包括被联结到所述集束型工具和所述直列式工具的至少一个上的热控制机构。
37.根据权利要求35所述的封装工具，其中，所述封装工具被配置为使得所述无机层或有机层均可以被首先涂敷到所述有机发光二极管上。
38.根据权利要求35所述封装工具，还包括与所述直列式工具协作的有机材料测定和安全系统，所述有机材料测定和安全系统包括：
内部包括一定量的有机材料的容器；以及
硬件密钥，所述硬件密钥与所述容器、至少一个计算机可加载算法和被配置为运行所述算法的基于微处理器的控制器协作，以使得在收到用户输入并满足所述硬件密钥中所编码的安全标准之后，所述有机材料测定和安全系统指示所述直列式工具的至少一部分工作。
39.一种用于将多层涂层沉积到衬底上的方法，所述方法包括：
配置工具以使该工具包括：
集束型部分，被配置为将至少一个无机层沉积到所述衬底上；
直列式部分，被配置为将至少一个有机层沉积到所述衬底上，所述直列式部分被操作地联结到所述集束型部分；以及
减压源，所述减压源至少与所述直列式部分成真空联通放置；
将所述衬底加载到所述工具中；
将所述无机层的至少一部分作为所述多层涂层的成分沉积到所述衬底上；
操作所述减压源以在所述有机层沉积到所述衬底上的过程的至少一部分期间在所述衬底周围产生至少部分被抽真空的环境；
将所述有机层的至少一部分作为所述多层涂层的成分沉积到所述衬底上；以及
固化所沉积的所述有机层，
其中所述方法还包括在沉积所述无机层或沉积所述有机层前，将至少底切掩模设置在所述衬底上，和
其中所述将至少一部分所述无机层沉积到所述衬底上或者所述将至少一部分所述有机层沉积到所述衬底上包括避免由蔓延到底切掩模所限定的遮蔽区域中的沉积的无机或有机层的一部分与实质上接触衬底的底切掩模的一部分相接触。
40.根据权利要求39所述的方法，还包括在将所述多层涂层的第一层形成在所述衬底上之前处理所述衬底的至少一个表面，以增强所述衬底与所述多层涂层的第一层之间的粘附力。
41.根据权利要求39所述的方法，还包括：
在沉积所述无机层之前将无机掩模放置于所述衬底之上；以及
在沉积所述有机层之前将有机掩模放置于所述衬底上。
42.根据权利要求41所述的方法，还包括堆叠多个掩模以制作底切掩模。
43.根据权利要求41所述的方法，还包括在所述固化之前去除所述有机掩模。
44.根据权利要求39所述的方法，还包括冷却所述工具的至少一部分以实现对所述有机层沉积的控制。
45.根据权利要求39所述的方法，其中，在所述有机层的至少一部分沉积到所述衬底上之前沉积所述无机层的至少一部分，以使得所述衬底上的第一沉积层为无机层。
46.根据权利要求39所述的方法，其中，在所述有机层的至少一部分沉积到所述衬底上之后沉积所述无机层的至少一部分，以使得所述衬底上的第一沉积层为有机层。
47.根据权利要求39所述的方法，还包括操作热控制机构，以使得可以在所述沉积期间控制所述集束型部分和所述直列式部分的至少一个中的温度。
48.根据权利要求39所述的方法，还包括操作有机材料测定和安全系统，所述有机材料测定和安全系统包括：
内部包括一定量的有机材料的容器；以及
硬件密钥，所述硬件密钥与所述容器、至少一个计算机可加载算法和被配置为运行所述算法的基于微处理器的控制器协作。
49.一种用多层涂层封装放置于分立衬底上的有机发光二极管的方法，所述方法包括：
配置封装工具，以使所述封装工具包括：
集束型部分，被配置为将至少一个无机层沉积到所述有机发光二极管上；
直列式部分，被配置为将至少一个有机层沉积到所述有机发光二极管上，所述直列式部分被操作地联结到所述集束型部分；以及
真空源，所述真空源至少被联结到所述直列式部分；
将所述有机发光二极管加载到所述封装工具中；
当所述有机发光二极管位于无机层沉积台中时，将所述无机层的至少一部分沉积到所述有机发光二极管上；
当所述有机发光二极管位于有机层沉积台中时，将所述有机层的至少一部分沉积到所述有机发光二极管上；
操作所述真空源以在所述有机层沉积到所述有机发光二极管上的过程的至少一部分期间在所述有机发光二极管周围产生至少部分被抽真空的环境；以及
固化所沉积的所述有机层，
其中所述方法还包括在沉积所述无机层或沉积所述有机层前，将至少底切掩模设置在所述有机发光二极管上，和
其中所述将至少一部分所述无机层沉积到所述有机发光二极管上或者所述将至少一部分所述有机层沉积到所述有机发光二极管上包括避免由蔓延到底切掩模所限定的遮蔽区域中的沉积的无机或有机层的一部分与实质上接触有机发光二极管的底切掩模的一部分相接触。
50.根据权利要求49所述的方法，其中，所述有机层和无机层的沉积被重复至少一次。
51.根据权利要求50所述的方法，其中，所述有机层和无机层的沉积可以按任意次序执行。
52.根据权利要求49所述的方法，其中，用于所述有机层的有机材料以蒸汽形式被导入到所述有机层沉积台中。
53.根据权利要求52所述的方法，其中，所述有机材料为聚合物前体。
54.根据权利要求52所述的方法，其中，所述有机材料为单体。
55.根据权利要求49所述的方法，其中，用于所述无机层的无机材料为陶瓷。
56.根据权利要求49所述的方法，其中，所沉积的所述有机层的所述固化包括紫外线固化。
57.根据权利要求49所述的方法，其中，首先涂敷的层为无机层。
58.根据权利要求49所述的方法，其中，最后涂敷的层为无机层。
59.根据权利要求49所述的方法，还包括在所沉积的至少一个所述无机层上沉积有机层之前，对所沉积的所述至少一个所述无机层进行处理。
60.根据权利要求59所述的方法，其中，所述处理包括对所述无机层施加等离子体源。
61.根据权利要求49所述的方法，还包括操作有机材料测定和安全系统，所述有机材料测定和安全系统包括：
内部包括一定量的有机材料的容器；以及
硬件密钥，所述硬件密钥与所述容器、至少一个计算机可加载算法和被配置为运行所述算法的基于微处理器的控制器协作。
62.一种封装工具，该封装工具被配置为将多层涂层沉积到放置于分立衬底上的有机发光二极管上，所述封装工具包括：
集束型工具，被配置为将至少一个无机层沉积到所述有机发光二极管上；
直列式工具，被配置为将至少一个有机层沉积到所述有机发光二极管上，所述直列式工具被操作地联结到所述集束型工具；
有机材料测定和安全系统，包括：
内部包括一定量的有机材料的容器；以及
验证设备，所述验证设备与所述容器协作，以使得在满足至少一个安全标准时，所述验证设备允许所述容器与所述直列式工具之间成流体联通；
真空源，至少被联结到所述直列式工具上，以使得在将有机层沉积到所述有机发光二极管上的过程的至少一部分的期间，所述真空源工作以在所述有机发光二极管周围产生至少部分被抽真空的环境；以及
至少底切掩模，其设置在所述有机发光二极管上以便避免由蔓延到底切掩模所限定的遮蔽区域中的沉积的无机或有机层的一部分与实质上接触所述有机发光二极管的底切掩模的一部分相接触。
63.一种用于将多层涂层沉积到衬底上的方法，所述方法包括：
配置工具以使该工具包括：
集束型部分，被配置为将至少一个无机层沉积到所述衬底上；
直列式部分，被配置为将至少一个有机层沉积到所述衬底上，所述直列式部分被操作地联结到所述集束型部分；
基于微处理器的控制器，至少与所述直列式部分成信号联通；
有机材料测定和安全系统，包括：
内部包括一定量的有机材料的容器；和
验证设备，所述验证设备与所述容器和所述基于微处理器的控制器协作，以使得在满足至少一个安全标准时，所述验证设备和所述基于微处理器的控制器允许所述容器与所述直列式部分之间成流体联通；以及
减压源，至少与所述直列式部分成真空联通放置；
将所述衬底加载到所述工具中；
将所述无机层的至少一部分作为所述多层涂层的成分沉积到所述衬底上；
操作所述减压源以在所述有机层沉积到所述衬底上的过程的至少一部分期间在所述衬底周围产生至少部分被抽真空的环境；
将所述有机层的至少一部分作为所述多层涂层的成分沉积到所述衬底上；以及
固化所沉积的所述有机层，
其中所述方法还包括在沉积所述无机层或沉积所述有机层前，将至少底切掩模设置在所述衬底上，和
其中所述将至少一部分所述无机层沉积到所述衬底上或者所述将至少一部分所述有机层沉积到所述衬底上包括避免由蔓延到底切掩模所限定的遮蔽区域中的沉积的无机或有机层的一部分与实质上接触衬底的底切掩模的一部分相接触。
64.根据权利要求63所述的方法，其中，所述验证设备为硬件密钥。
65.一种用多层涂层封装放置于分立衬底上的有机发光二极管的方法，所述方法包括：
配置封装工具以包括：
集束型部分，被配置为将至少一个无机层沉积到所述有机发光二极管上；
直列式部分，被配置为将至少一个有机层沉积到所述有机发光二极管上，所述直列式部分被操作地联结到所述集束型部分；
基于微处理器的控制器；
有机材料测定和安全系统，包括：
内部包括一定量的有机材料的容器；和
硬件密钥，所述硬件密钥与所述容器和所述基于微处理器的控制器协作，以使得在满足至少一个安全标准时，所述硬件密钥和所述基于微处理器的控制器允许所述容器与所述直列式部分之间成流体联通；以及
真空源，至少被联结到所述直列式部分；
将所述有机发光二极管加载到所述封装工具中；
当所述有机发光二极管在无机层沉积台中时，将所述无机材料的至少一部分沉积到所述有机发光二极管上；
当所述有机发光二极管在有机层沉积台中时，将所述有机材料的至少一部分沉积到所述有机发光二极管上；
操作所述真空源以在所述有机层沉积到所述有机发光二极管上的过程的至少一部分的期间在所述有机发光二极管周围产生至少部分被抽真空的环境；以及
固化所沉积的所述有机层，
其中所述方法还包括在沉积所述无机层或沉积所述有机层前，将至少底切掩模设置在所述有机发光二极管上，和
其中所述将至少一部分所述无机层沉积到所述有机发光二极管上或者所述将至少一部分所述有机层沉积到所述有机发光二极管上包括避免由蔓延到底切掩模所限定的遮蔽区域中的沉积的无机或有机层的一部分与实质上接触有机发光二极管的底切掩模的一部分相接触。
CN2005800495728A 2005-04-22 2005-08-26 用于在分立薄片上沉积多层涂层的装置 Expired - Lifetime CN101167160B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/112,880 US8900366B2 (en) 2002-04-15 2005-04-22 Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US11/112,880 2005-04-22
PCT/US2005/030227 WO2006115530A1 (en) 2005-04-22 2005-08-26 Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101167160A CN101167160A (zh) 2008-04-23
CN101167160B true CN101167160B (zh) 2012-05-16

Family

ID=35517599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005800495728A Expired - Lifetime CN101167160B (zh) 2005-04-22 2005-08-26 用于在分立薄片上沉积多层涂层的装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8900366B2 (zh)
EP (1) EP1875491B1 (zh)
JP (2) JP2008538592A (zh)
KR (1) KR100947157B1 (zh)
CN (1) CN101167160B (zh)
TW (1) TWI281735B (zh)
WO (1) WO2006115530A1 (zh)

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100330748A1 (en) 1999-10-25 2010-12-30 Xi Chu Method of encapsulating an environmentally sensitive device
US6866901B2 (en) 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US8808457B2 (en) 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US7510913B2 (en) * 2003-04-11 2009-03-31 Vitex Systems, Inc. Method of making an encapsulated plasma sensitive device
US7648925B2 (en) 2003-04-11 2010-01-19 Vitex Systems, Inc. Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks
US8715772B2 (en) 2005-04-12 2014-05-06 Air Products And Chemicals, Inc. Thermal deposition coating method
US20070020451A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings
US7767498B2 (en) 2005-08-25 2010-08-03 Vitex Systems, Inc. Encapsulated devices and method of making
JP4796677B2 (ja) * 2006-06-14 2011-10-19 トッキ株式会社 封止膜形成装置及び封止膜形成方法
US20080006819A1 (en) * 2006-06-19 2008-01-10 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings for organic light emitting diode devices
WO2008011329A2 (en) * 2006-07-19 2008-01-24 Intermolecular, Inc. Method and system for isolated and discretized process sequence integration
US20080057183A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Spindler Jeffrey P Method for lithium deposition in oled device
US8293035B2 (en) 2006-10-12 2012-10-23 Air Products And Chemicals, Inc. Treatment method, system and product
US9493348B2 (en) * 2006-11-06 2016-11-15 Agency For Science, Technology And Research Nanoparticulate encapsulation barrier stack
US8395177B2 (en) 2006-12-19 2013-03-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Package for protecting a device from ambient substances
DE102007012000A1 (de) * 2007-03-10 2008-09-11 Alexander Kuhn Verfahren und Einrichtung zur Herstellung einer Beschichtung
EP1983072A1 (en) 2007-04-20 2008-10-22 Applied Materials, Inc. Processing device and method for processing a subtrate
US20080268164A1 (en) * 2007-04-26 2008-10-30 Air Products And Chemicals, Inc. Apparatuses and Methods for Cryogenic Cooling in Thermal Surface Treatment Processes
NL1033860C2 (nl) 2007-05-16 2008-11-18 Otb Group Bv Werkwijze voor het aanbrengen van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel op een organisch device en een organisch device voorzien van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel bij voorkeur aangebracht met een dergelijke werkwijze.
JP5208591B2 (ja) * 2007-06-28 2013-06-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、及び照明装置
JP2009037809A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
JP2009037812A (ja) 2007-07-31 2009-02-19 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機ｅｌ装置およびその製造方法
WO2009126115A1 (en) * 2008-04-09 2009-10-15 Agency For Science, Technology And Research Multilayer film for encapsulating oxygen and/or moisture sensitive electronic devices
US20090291231A1 (en) * 2008-05-21 2009-11-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for producing a solar cell module with integrated laser patterning
US20110113643A1 (en) * 2008-07-10 2011-05-19 Ulvac, Inc. Freeze-drying apparatus
US9337446B2 (en) 2008-12-22 2016-05-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output
US9184410B2 (en) 2008-12-22 2015-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output
KR101002659B1 (ko) * 2008-12-23 2010-12-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101001552B1 (ko) * 2009-01-20 2010-12-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
US20120138452A1 (en) * 2009-04-17 2012-06-07 The Regents Of The University Of California Method and Apparatus for Super-High Rate Deposition
US20110008525A1 (en) * 2009-07-10 2011-01-13 General Electric Company Condensation and curing of materials within a coating system
KR101052889B1 (ko) * 2009-12-31 2011-07-29 엘아이지에이디피 주식회사 화학기상증착장치
US8753711B2 (en) * 2009-12-18 2014-06-17 General Electric Company Edge sealing method using barrier coatings
US8590338B2 (en) 2009-12-31 2013-11-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Evaporator with internal restriction
KR101239575B1 (ko) * 2010-08-16 2013-03-05 고려대학교 산학협력단 기체 차단막 형성 장치 및 그 방법
JP5564573B2 (ja) * 2010-09-03 2014-07-30 株式会社アルバック 保護膜形成方法、表面平坦化方法
DE102011075081A1 (de) 2010-12-07 2012-06-14 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Organisches lichtemittierendes Leuchtmittel, sowie Vorrichtung und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102011075092B4 (de) * 2010-12-07 2015-11-12 Von Ardenne Gmbh Verfahren zur Herstellung eines organischen lichtemittierenden Leuchtmittels
WO2012134082A2 (en) * 2011-03-25 2012-10-04 Lg Electronics Inc. Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and method for controlling the same
WO2012173692A1 (en) * 2011-06-17 2012-12-20 Applied Materials, Inc. Cvd mask alignment for oled processing
US9853245B2 (en) * 2011-10-14 2017-12-26 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
KR101809659B1 (ko) * 2011-10-14 2017-12-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5931091B2 (ja) * 2012-01-16 2016-06-08 株式会社アルバック 成膜装置
KR101931177B1 (ko) 2012-03-02 2018-12-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN103361603A (zh) * 2012-03-29 2013-10-23 常熟卓辉光电科技有限公司 一种半导体薄膜材料的真空蒸发设备及oled导电层的制备方法
JP6244103B2 (ja) 2012-05-04 2017-12-06 ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッドＶｉａｖｉ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ Ｉｎｃ． 反応性スパッタ堆積のための方法および反応性スパッタ堆積システム
KR102064391B1 (ko) * 2012-08-31 2020-01-10 삼성디스플레이 주식회사 기판 처리 장치
KR102048051B1 (ko) 2012-09-04 2019-11-25 삼성디스플레이 주식회사 증착 환경 검사용 마스크 조립체 및 이를 포함하는 증착 설비
KR101419515B1 (ko) * 2012-09-24 2014-07-15 피에스케이 주식회사 배플 및 배플의 표면처리장치, 그리고 기판 처리 장치 및 표면 처리 방법
US9340876B2 (en) 2012-12-12 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Mask for deposition process
KR101990555B1 (ko) * 2012-12-24 2019-06-19 삼성디스플레이 주식회사 박막봉지 제조장치 및 박막봉지 제조방법
KR101367218B1 (ko) * 2013-01-07 2014-02-26 (주)지엔티 Ｏｌｅｄ 증착용 마스크의 세정 장치 및 방법
KR102120896B1 (ko) 2013-07-25 2020-06-10 삼성디스플레이 주식회사 대향 타겟 스퍼터링 장치를 이용한 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR102114313B1 (ko) * 2013-08-06 2020-05-25 삼성디스플레이 주식회사 증착장치 및 이를 이용한 증착방법
KR101673016B1 (ko) * 2013-08-27 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 박막봉지 제조장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법
CN103490019B (zh) * 2013-09-29 2016-02-17 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件的封装结构及封装方法、显示装置
KR101813828B1 (ko) * 2014-01-21 2017-12-29 카티바, 인크. 전자 장치 인캡슐레이션을 위한 기기 및 기술
KR101563341B1 (ko) * 2014-04-29 2015-11-06 한국과학기술원 기상 증착 장치
CN104269498A (zh) * 2014-09-03 2015-01-07 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
WO2016087005A1 (en) * 2014-12-05 2016-06-09 Applied Materials, Inc. Material deposition system and method for depositing material in a material deposition system
EP3034182A1 (en) * 2014-12-17 2016-06-22 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Coating system and coating method
KR102405123B1 (ko) * 2015-01-29 2022-06-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20170130421A (ko) * 2015-03-25 2017-11-28 린텍 가부시키가이샤 가스 배리어층을 갖는 성형물의 제조 장치
KR101688398B1 (ko) * 2015-05-26 2016-12-21 주식회사 선익시스템 기판 증착 시스템
EP3337913B1 (en) * 2015-08-18 2021-10-06 Tata Steel Nederland Technology B.V. Method and apparatus for the cleaning and coating of metal strip
CN105552247B (zh) * 2015-12-08 2018-10-26 上海天马微电子有限公司 复合基板、柔性显示装置及其制备方法
DE102016204449A1 (de) * 2016-03-17 2017-09-21 Plasmatreat Gmbh Vorrichtung zur Umformung metallischer Bauteile sowie damit durchgeführtes Verfahren
JP6937549B2 (ja) * 2016-06-10 2021-09-22 株式会社ジャパンディスプレイ 発光素子の製造装置
WO2018130288A1 (en) * 2017-01-12 2018-07-19 Applied Materials, Inc. Barrier layer system and method for manufacturing a barrier layer system in a continuous roll-to-roll process
JP2018181579A (ja) 2017-04-12 2018-11-15 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
WO2018189906A1 (ja) * 2017-04-14 2018-10-18 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法及び製造装置
CN118979237A (zh) * 2017-04-28 2024-11-19 应用材料公司 用于清洁在制造oled装置中使用的真空系统的方法、用于在基板上真空沉积来制造oled装置的方法及设备
KR102431354B1 (ko) * 2017-07-11 2022-08-11 삼성디스플레이 주식회사 화학기상 증착장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
JP2020528494A (ja) * 2017-07-27 2020-09-24 エヴァテック・アーゲー 浸透バリア
CN107958960B (zh) * 2017-11-16 2019-12-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 封装薄膜及显示装置
CN109920919B (zh) * 2017-12-12 2020-07-07 中国科学院大连化学物理研究所 一种柔刚两用型钙钛矿太阳能电池一体化沉积系统
WO2020009742A1 (en) * 2018-07-05 2020-01-09 Applied Materials, Inc. Silicide film nucleation
CN109037487A (zh) * 2018-08-09 2018-12-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
EP3838104A1 (en) * 2019-12-19 2021-06-23 Ambu A/S Tip housing for an endoscope with a coated wall surface
CN113053713B (zh) * 2019-12-26 2023-03-24 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理设备
US11919033B2 (en) 2020-06-26 2024-03-05 Awi Licensing Llc Coating humidification system
KR20220158165A (ko) * 2021-05-21 2022-11-30 삼성디스플레이 주식회사 인라인 제조 장치
TWI846328B (zh) * 2022-02-15 2024-06-21 美商因特瓦克公司 製作厚的多層介電質薄膜的直線型濺射系統

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3661117A (en) * 1969-12-03 1972-05-09 Stanford Research Inst Apparatus for depositing thin lines
US6827788B2 (en) * 2000-12-27 2004-12-07 Anelva Corporation Substrate processing device and through-chamber

Family Cites Families (356)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2382432A (en) 1940-08-02 1945-08-14 Crown Cork & Seal Co Method and apparatus for depositing vaporized metal coatings
US2384500A (en) 1942-07-08 1945-09-11 Crown Cork & Seal Co Apparatus and method of coating
US3475307A (en) 1965-02-04 1969-10-28 Continental Can Co Condensation of monomer vapors to increase polymerization rates in a glow discharge
FR1393629A (fr) 1965-09-13 1965-03-26 Continental Oil Co Procédé et appareil pour enduire des feuilles en matières solides
US3607365A (en) 1969-05-12 1971-09-21 Minnesota Mining & Mfg Vapor phase method of coating substrates with polymeric coating
US3941630A (en) * 1974-04-29 1976-03-02 Rca Corporation Method of fabricating a charged couple radiation sensing device
US4055530A (en) 1975-02-27 1977-10-25 Standard Oil Company (Indiana) Aqueous dispersion of addition polymer of an alpha-beta-ethylenically unsaturated monomer and suspended polypropylene particles
US4098965A (en) 1977-01-24 1978-07-04 Polaroid Corporation Flat batteries and method of making the same
US4266223A (en) * 1978-12-08 1981-05-05 W. H. Brady Co. Thin panel display
JPS55129345A (en) 1979-03-29 1980-10-07 Ulvac Corp Electron beam plate making method by vapor phase film formation and vapor phase development
US4313254A (en) * 1979-10-30 1982-02-02 The Johns Hopkins University Thin-film silicon solar cell with metal boride bottom electrode
US4581337A (en) * 1983-07-07 1986-04-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Polyether polyamines as linking agents for particle reagents useful in immunoassays
US4426275A (en) * 1981-11-27 1984-01-17 Deposition Technology, Inc. Sputtering device adaptable for coating heat-sensitive substrates
JPS58156848A (ja) 1982-03-15 1983-09-17 Fuji Photo Film Co Ltd イオン選択電極及びその製造法
JPS59138440A (ja) 1983-01-27 1984-08-08 豊田合成株式会社 セラミツクス被膜層を有する樹脂成形体
US4521458A (en) 1983-04-01 1985-06-04 Nelson Richard C Process for coating material with water resistant composition
DE3324106A1 (de) * 1983-07-05 1985-01-17 Draiswerke Gmbh, 6800 Mannheim Verfahren zum beleimen von holz-spaenen und dergl. mit fluessigleim und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
US4710426A (en) 1983-11-28 1987-12-01 Polaroid Corporation, Patent Dept. Solar radiation-control articles with protective overlayer
US4557978A (en) 1983-12-12 1985-12-10 Primary Energy Research Corporation Electroactive polymeric thin films
US4842893A (en) 1983-12-19 1989-06-27 Spectrum Control, Inc. High speed process for coating substrates
US5032461A (en) 1983-12-19 1991-07-16 Spectrum Control, Inc. Method of making a multi-layered article
EP0147696B1 (en) 1983-12-19 1991-07-10 SPECTRUM CONTROL, INC. (a Pennsylvania corporation) Miniaturized monolithic multi-layer capacitor and apparatus and method for making
EP0155823B1 (en) 1984-03-21 1989-07-26 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Improvements in or relating to the covering of substrates with synthetic resin films
DE3427057A1 (de) 1984-07-23 1986-01-23 Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart Anlage zum herstellen von halbleiter-schichtstrukturen durch epitaktisches wachstum
JPH0128819Y2 (zh) 1984-10-27 1989-09-01
US4722515A (en) * 1984-11-06 1988-02-02 Spectrum Control, Inc. Atomizing device for vaporization
JPH0141067Y2 (zh) 1985-03-12 1989-12-06
JPH0448515Y2 (zh) 1985-09-30 1992-11-16
US4695618A (en) 1986-05-23 1987-09-22 Ameron, Inc. Solventless polyurethane spray compositions and method for applying them
JP2530350B2 (ja) 1986-06-23 1996-09-04 スペクトラム コントロール，インコーポレイテッド モノマ―流体のフラッシュ蒸発
US4954371A (en) 1986-06-23 1990-09-04 Spectrum Control, Inc. Flash evaporation of monomer fluids
JPH0519120Y2 (zh) 1986-12-16 1993-05-20
JPS63136316U (zh) 1987-02-26 1988-09-07
DE3707214A1 (de) 1987-03-06 1988-09-15 Hoechst Ag Beschichtete kunststoffolie und daraus hergestelltes kunststofflaminat
US4768666A (en) 1987-05-26 1988-09-06 Milton Kessler Tamper proof container closure
JPH0414440Y2 (zh) 1987-06-08 1992-03-31
US4843036A (en) 1987-06-29 1989-06-27 Eastman Kodak Company Method for encapsulating electronic devices
US4847469A (en) 1987-07-15 1989-07-11 The Boc Group, Inc. Controlled flow vaporizer
JPH0626997Y2 (ja) 1987-07-22 1994-07-20 シャープ株式会社 磁気記録再生装置のロ−ディング装置
JPS6441192A (en) 1987-08-07 1989-02-13 Alps Electric Co Ltd Thin film electroluminescent display element
JPH0193129A (ja) * 1987-10-02 1989-04-12 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置
GB2210826B (en) 1987-10-19 1992-08-12 Bowater Packaging Ltd Barrier packaging materials
US4931158A (en) 1988-03-22 1990-06-05 The Regents Of The Univ. Of Calif. Deposition of films onto large area substrates using modified reactive magnetron sputtering
US4977013A (en) 1988-06-03 1990-12-11 Andus Corporation Tranparent conductive coatings
JP2742057B2 (ja) 1988-07-14 1998-04-22 シャープ株式会社 薄膜ｅｌパネル
US4889609A (en) 1988-09-06 1989-12-26 Ovonic Imaging Systems, Inc. Continuous dry etching system
JPH02183230A (ja) 1989-01-09 1990-07-17 Sharp Corp 有機非線形光学材料及びその製造方法
US5189405A (en) * 1989-01-26 1993-02-23 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film electroluminescent panel
JP2678055B2 (ja) 1989-03-30 1997-11-17 シャープ株式会社 有機化合物薄膜の製法
US5792550A (en) 1989-10-24 1998-08-11 Flex Products, Inc. Barrier film having high colorless transparency and method
US5047131A (en) 1989-11-08 1991-09-10 The Boc Group, Inc. Method for coating substrates with silicon based compounds
JPH0774378B2 (ja) 1989-12-09 1995-08-09 新日本製鐵株式会社 穴拡げ性の優れた高強度熱延鋼板の製造方法
US5036249A (en) 1989-12-11 1991-07-30 Molex Incorporated Electroluminescent lamp panel and method of fabricating same
JPH03183759A (ja) 1989-12-12 1991-08-09 Toyobo Co Ltd 積層プラスチックフイルムおよびその製造方法
CA2038117A1 (en) 1990-03-29 1991-09-30 Mahfuza B. Ali Controllable radiation curable photoiniferter prepared adhesives for attachment of microelectronic devices and a method of attaching microelectronic devices therewith
JPH03290375A (ja) 1990-04-09 1991-12-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 被覆炭素繊維強化複合材料
US5204314A (en) * 1990-07-06 1993-04-20 Advanced Technology Materials, Inc. Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor
US5711816A (en) * 1990-07-06 1998-01-27 Advanced Technolgy Materials, Inc. Source reagent liquid delivery apparatus, and chemical vapor deposition system comprising same
US5362328A (en) 1990-07-06 1994-11-08 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and method for delivering reagents in vapor form to a CVD reactor, incorporating a cleaning subsystem
US5059861A (en) 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer
US5047687A (en) 1990-07-26 1991-09-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilized cathode
FR2666190B1 (fr) 1990-08-24 1996-07-12 Thomson Csf Procede et dispositif d'encapsulation hermetique de composants electroniques.
JPH06104206B2 (ja) 1990-11-27 1994-12-21 株式会社栗本鐵工所 連続式エアスエプト型遊星ボールミル
JP2793048B2 (ja) 1991-02-22 1998-09-03 三井化学株式会社 有機発光素子の封止方法
JP2755844B2 (ja) 1991-09-30 1998-05-25 シャープ株式会社 プラスチック基板液晶表示素子
US5234762A (en) 1991-11-14 1993-08-10 Eastman Kodak Company Compliant support with mutually adhered web for transfer of information
JP3359649B2 (ja) 1991-11-27 2002-12-24 東洋アルミニウム株式会社 高防湿静電破壊防止袋
US5336324A (en) 1991-12-04 1994-08-09 Emcore Corporation Apparatus for depositing a coating on a substrate
US5203898A (en) * 1991-12-16 1993-04-20 Corning Incorporated Method of making fluorine/boron doped silica tubes
US5372851A (en) 1991-12-16 1994-12-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing a chemically adsorbed film
JPH0613258A (ja) * 1991-12-20 1994-01-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜積層コンデンサのパターン形成方法
JPH05182759A (ja) 1991-12-26 1993-07-23 Pioneer Video Corp 有機ｅｌ素子
US5759329A (en) 1992-01-06 1998-06-02 Pilot Industries, Inc. Fluoropolymer composite tube and method of preparation
US5393607A (en) * 1992-01-13 1995-02-28 Mitsui Toatsu Chemiclas, Inc. Laminated transparent plastic material and polymerizable monomer
US5402314A (en) * 1992-02-10 1995-03-28 Sony Corporation Printed circuit board having through-hole stopped with photo-curable solder resist
JP3203623B2 (ja) 1992-03-06 2001-08-27 ソニー株式会社 有機電解液電池
JP2958186B2 (ja) 1992-04-20 1999-10-06 シャープ株式会社 プラスチック基板液晶表示素子
US5427638A (en) 1992-06-04 1995-06-27 Alliedsignal Inc. Low temperature reaction bonding
US5652192A (en) 1992-07-10 1997-07-29 Battelle Memorial Institute Catalyst material and method of making
GB9215928D0 (en) * 1992-07-27 1992-09-09 Cambridge Display Tech Ltd Manufacture of electroluminescent devices
US5260095A (en) * 1992-08-21 1993-11-09 Battelle Memorial Institute Vacuum deposition and curing of liquid monomers
JPH06104206A (ja) * 1992-09-18 1994-04-15 Seiko Instr Inc 半導体装置の製造方法および製造装置
DE4232390A1 (de) 1992-09-26 1994-03-31 Roehm Gmbh Verfahren zum Erzeugen von siliciumoxidischen kratzfesten Schichten auf Kunststoffen durch Plasmabeschichtung
JPH06111936A (ja) 1992-09-29 1994-04-22 Nec Kansai Ltd 電界発光灯の製造方法
JPH06136159A (ja) 1992-10-27 1994-05-17 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 透明導電性フィルムおよびその製造法
JPH06158305A (ja) 1992-11-27 1994-06-07 Shimadzu Corp インラインスパッタリング装置
JPH06182935A (ja) 1992-12-18 1994-07-05 Bridgestone Corp ガスバリア性ゴム積層物及びその製造方法
JPH06223966A (ja) 1993-01-28 1994-08-12 Toshiba Corp 有機分散型ｅｌパネル
EP0608620B1 (en) * 1993-01-28 1996-08-14 Applied Materials, Inc. Vacuum Processing apparatus having improved throughput
JPH06234186A (ja) 1993-02-10 1994-08-23 Mitsui Toatsu Chem Inc 高ガスバリヤー性透明電極フィルム
JP3090688B2 (ja) 1993-05-17 2000-09-25 共栄制御機器株式会社 動的荷重測定方法及び動的荷重測定装置
JP3170105B2 (ja) 1993-07-01 2001-05-28 キヤノン株式会社 太陽電池モジュール
US5357063A (en) 1993-07-12 1994-10-18 Battelle Memorial Institute Method and apparatus for acoustic energy identification of objects buried in soil
US5510173A (en) * 1993-08-20 1996-04-23 Southwall Technologies Inc. Multiple layer thin films with improved corrosion resistance
US20040241454A1 (en) 1993-10-04 2004-12-02 Shaw David G. Barrier sheet and method of making same
KR100241470B1 (ko) 1993-10-04 2000-02-01 지. 쇼 데이비드 커패시터 유전체 및 산소 배리어의 형성에 유용한 가교 결합된 아크릴레이트 코팅 물질
US5440446A (en) 1993-10-04 1995-08-08 Catalina Coatings, Inc. Acrylate coating material
JPH07192866A (ja) 1993-12-26 1995-07-28 Ricoh Co Ltd 有機薄膜型電界発光素子
JP2846571B2 (ja) * 1994-02-25 1999-01-13 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5451449A (en) 1994-05-11 1995-09-19 The Mearl Corporation Colored iridescent film
US5934856A (en) 1994-05-23 1999-08-10 Tokyo Electron Limited Multi-chamber treatment system
US5795399A (en) 1994-06-30 1998-08-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device manufacturing apparatus, method for removing reaction product, and method of suppressing deposition of reaction product
US5654084A (en) 1994-07-22 1997-08-05 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Protective coatings for sensitive materials
US5464667A (en) 1994-08-16 1995-11-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Jet plasma process and apparatus
TW295677B (zh) 1994-08-19 1997-01-11 Tokyo Electron Co Ltd
JP3385292B2 (ja) 1994-09-02 2003-03-10 株式会社クラレ 多層構造体およびその用途
JP3274292B2 (ja) 1994-09-30 2002-04-15 富士写真フイルム株式会社 カセット用収納ケース
US6087007A (en) 1994-09-30 2000-07-11 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Heat-Resistant optical plastic laminated sheet and its producing method
DE4438359C2 (de) * 1994-10-27 2001-10-04 Schott Glas Behälter aus Kunststoff mit einer Sperrbeschichtung
US6083628A (en) 1994-11-04 2000-07-04 Sigma Laboratories Of Arizona, Inc. Hybrid polymer film
JPH08171988A (ja) 1994-12-20 1996-07-02 Showa Shell Sekiyu Kk エレクトロルミネッセンス素子
JP3565929B2 (ja) 1994-12-27 2004-09-15 大日本印刷株式会社 液晶表示素子用プラスチック基板
US5607789A (en) * 1995-01-23 1997-03-04 Duracell Inc. Light transparent multilayer moisture barrier for electrochemical cell tester and cell employing same
JPH08203669A (ja) 1995-01-30 1996-08-09 Seikosha Co Ltd Ｅｌ両面発光表示体
JP3364081B2 (ja) 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5620524A (en) * 1995-02-27 1997-04-15 Fan; Chiko Apparatus for fluid delivery in chemical vapor deposition systems
US5877895A (en) 1995-03-20 1999-03-02 Catalina Coatings, Inc. Multicolor interference coating
US5811183A (en) 1995-04-06 1998-09-22 Shaw; David G. Acrylate polymer release coated sheet materials and method of production thereof
GB9507862D0 (en) 1995-04-18 1995-05-31 Cambridge Display Tech Ltd Fabrication of organic light-emitting devices
GB9507817D0 (en) * 1995-04-18 1995-05-31 Philips Electronics Uk Ltd Touch sensing devices and methods of making such
US5771562A (en) 1995-05-02 1998-06-30 Motorola, Inc. Passivation of organic devices
US5554220A (en) 1995-05-19 1996-09-10 The Trustees Of Princeton University Method and apparatus using organic vapor phase deposition for the growth of organic thin films with large optical non-linearities
JPH08325713A (ja) 1995-05-30 1996-12-10 Matsushita Electric Works Ltd 有機質基材表面への金属膜形成方法
US5629389A (en) * 1995-06-06 1997-05-13 Hewlett-Packard Company Polymer-based electroluminescent device with improved stability
ES2213776T3 (es) 1995-06-30 2004-09-01 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Tratamiento mejorado de la superficie de polimeros.
US5681615A (en) 1995-07-27 1997-10-28 Battelle Memorial Institute Vacuum flash evaporated polymer composites
JPH0959763A (ja) 1995-08-25 1997-03-04 Matsushita Electric Works Ltd 有機質基材表面への金属膜形成方法
US5723219A (en) 1995-12-19 1998-03-03 Talison Research Plasma deposited film networks
DE19603746A1 (de) 1995-10-20 1997-04-24 Bosch Gmbh Robert Elektrolumineszierendes Schichtsystem
WO1997016053A1 (de) 1995-10-20 1997-05-01 Robert Bosch Gmbh Elektrolumineszierendes schichtsystem
JP3533790B2 (ja) 1995-11-10 2004-05-31 富士電機ホールディングス株式会社 有機薄膜発光素子
JP3484891B2 (ja) 1995-11-21 2004-01-06 三菱化学株式会社 ガスバリア性オレフィン系樹脂積層体
US5811177A (en) 1995-11-30 1998-09-22 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
US5686360A (en) 1995-11-30 1997-11-11 Motorola Passivation of organic devices
JPH09232553A (ja) 1995-12-20 1997-09-05 Sony Corp 光学デバイス
US5684084A (en) 1995-12-21 1997-11-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Coating containing acrylosilane polymer to improve mar and acid etch resistance
US6195142B1 (en) * 1995-12-28 2001-02-27 Matsushita Electrical Industrial Company, Ltd. Organic electroluminescence element, its manufacturing method, and display device using organic electroluminescence element
US5660961A (en) 1996-01-11 1997-08-26 Xerox Corporation Electrophotographic imaging member having enhanced layer adhesion and freedom from reflection interference
TW434301B (en) 1996-01-30 2001-05-16 Becton Dickinson Co Non-ideal barrier coating composition comprising organic and inorganic materials
US5763033A (en) 1996-01-30 1998-06-09 Becton, Dickinson And Company Blood collection tube assembly
US5738920A (en) * 1996-01-30 1998-04-14 Becton, Dickinson And Company Blood collection tube assembly
US5716683A (en) 1996-01-30 1998-02-10 Becton, Dickinson And Company Blood collection tube assembly
US5955161A (en) 1996-01-30 1999-09-21 Becton Dickinson And Company Blood collection tube assembly
US5683771A (en) 1996-01-30 1997-11-04 Becton, Dickinson And Company Blood collection tube assembly
US5731948A (en) 1996-04-04 1998-03-24 Sigma Labs Inc. High energy density capacitor
US6106627A (en) 1996-04-04 2000-08-22 Sigma Laboratories Of Arizona, Inc. Apparatus for producing metal coated polymers
JPH10725A (ja) 1996-06-18 1998-01-06 Toppan Printing Co Ltd 包装用ガスバリア積層体
JPH1013083A (ja) 1996-06-27 1998-01-16 Tosoh Corp 電磁波吸収体
JPH1016150A (ja) 1996-07-02 1998-01-20 Teijin Ltd ガスバリア性積層フィルム
US5731661A (en) * 1996-07-15 1998-03-24 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
US5902688A (en) * 1996-07-16 1999-05-11 Hewlett-Packard Company Electroluminescent display device
US5693956A (en) 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
US5844363A (en) 1997-01-23 1998-12-01 The Trustees Of Princeton Univ. Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices
US5948552A (en) 1996-08-27 1999-09-07 Hewlett-Packard Company Heat-resistant organic electroluminescent device
WO1998010116A1 (en) 1996-09-05 1998-03-12 Talison Research Ultrasonic nozzle feed for plasma deposited film networks
KR19980033213A (ko) 1996-10-31 1998-07-25 조셉제이.스위니 스퍼터링 챔버내의 미립자 물질 발생 감소 방법
US5895228A (en) * 1996-11-14 1999-04-20 International Business Machines Corporation Encapsulation of organic light emitting devices using Siloxane or Siloxane derivatives
US5821692A (en) 1996-11-26 1998-10-13 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device hermetic encapsulation package
US5912069A (en) 1996-12-19 1999-06-15 Sigma Laboratories Of Arizona Metal nanolaminate composite
US5952778A (en) 1997-03-18 1999-09-14 International Business Machines Corporation Encapsulated organic light emitting device
US5872355A (en) * 1997-04-09 1999-02-16 Hewlett-Packard Company Electroluminescent device and fabrication method for a light detection system
US6117266A (en) 1997-12-19 2000-09-12 Interuniversifair Micro-Elektronica Cenirum (Imec Vzw) Furnace for continuous, high throughput diffusion processes from various diffusion sources
JP3290375B2 (ja) 1997-05-12 2002-06-10 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
JP3478368B2 (ja) 1997-05-30 2003-12-15 住友ベークライト株式会社 透明帯電防止バリアフィルム
JPH1117106A (ja) 1997-06-20 1999-01-22 Sony Corp 電子デバイスおよびその製造方法
US5920080A (en) 1997-06-23 1999-07-06 Fed Corporation Emissive display using organic light emitting diodes
US6198220B1 (en) * 1997-07-11 2001-03-06 Emagin Corporation Sealing structure for organic light emitting devices
JP3743876B2 (ja) 1997-07-16 2006-02-08 カシオ計算機株式会社 電界発光素子及びその製造方法
FR2766200B1 (fr) 1997-07-17 1999-09-24 Toray Plastics Europ Sa Films polyester composites metallises a proprietes barriere
JPH1145779A (ja) 1997-07-25 1999-02-16 Tdk Corp 有機ｅｌ素子の製造方法および装置
EP2284602A1 (en) * 1997-08-29 2011-02-16 Sharp Kabushiki Kaisha Liduid crystal display device
US6203898B1 (en) * 1997-08-29 2001-03-20 3M Innovatave Properties Company Article comprising a substrate having a silicone coating
US5965907A (en) 1997-09-29 1999-10-12 Motorola, Inc. Full color organic light emitting backlight device for liquid crystal display applications
US5902641A (en) 1997-09-29 1999-05-11 Battelle Memorial Institute Flash evaporation of liquid monomer particle mixture
US6224948B1 (en) 1997-09-29 2001-05-01 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced chemical deposition with low vapor pressure compounds
US5994174A (en) 1997-09-29 1999-11-30 The Regents Of The University Of California Method of fabrication of display pixels driven by silicon thin film transistors
US6469437B1 (en) 1997-11-03 2002-10-22 The Trustees Of Princeton University Highly transparent organic light emitting device employing a non-metallic cathode
EP0915105B1 (en) 1997-11-07 2003-04-09 Rohm And Haas Company Plastic substrates for electronic display applications
US6194487B1 (en) 1997-11-14 2001-02-27 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing modified particles
JP3400324B2 (ja) 1997-11-17 2003-04-28 住友ベークライト株式会社 導電性フィルム
KR100249784B1 (ko) 1997-11-20 2000-04-01 정선종 고분자복합막을이용한유기물혹은고분자전기발광소자의패키징방법
US6045864A (en) * 1997-12-01 2000-04-04 3M Innovative Properties Company Vapor coating method
US6569515B2 (en) * 1998-01-13 2003-05-27 3M Innovative Properties Company Multilayered polymer films with recyclable or recycled layers
DE19802740A1 (de) 1998-01-26 1999-07-29 Leybold Systems Gmbh Verfahren zur Behandlung von Oberflächen von Substraten aus Kunststoff
US6178082B1 (en) * 1998-02-26 2001-01-23 International Business Machines Corporation High temperature, conductive thin film diffusion barrier for ceramic/metal systems
US5996498A (en) 1998-03-12 1999-12-07 Presstek, Inc. Method of lithographic imaging with reduced debris-generated performance degradation and related constructions
US6004660A (en) 1998-03-12 1999-12-21 E.I. Du Pont De Nemours And Company Oxygen barrier composite film structure
US6066826A (en) * 1998-03-16 2000-05-23 Yializis; Angelo Apparatus for plasma treatment of moving webs
US5904958A (en) * 1998-03-20 1999-05-18 Rexam Industries Corp. Adjustable nozzle for evaporation or organic monomers
GB2335884A (en) 1998-04-02 1999-10-06 Cambridge Display Tech Ltd Flexible substrates for electronic or optoelectronic devices
US6361885B1 (en) * 1998-04-10 2002-03-26 Organic Display Technology Organic electroluminescent materials and device made from such materials
US6146462A (en) 1998-05-08 2000-11-14 Astenjohnson, Inc. Structures and components thereof having a desired surface characteristic together with methods and apparatuses for producing the same
US6137221A (en) 1998-07-08 2000-10-24 Agilent Technologies, Inc. Organic electroluminescent device with full color characteristics
JP3539221B2 (ja) * 1998-07-13 2004-07-07 豊田合成株式会社 樹脂成形品及びその製造方法
US6146225A (en) 1998-07-30 2000-11-14 Agilent Technologies, Inc. Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices
KR100635429B1 (ko) 1998-08-03 2006-10-18 듀폰 디스플레이즈, 인크. 무기 재료를 사용한 중합체-기재 고체 장치의 캡슐화
US6352777B1 (en) * 1998-08-19 2002-03-05 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic devices with transparent electrodes
US6040017A (en) * 1998-10-02 2000-03-21 Sigma Laboratories, Inc. Formation of multilayered photonic polymer composites
US6084702A (en) 1998-10-15 2000-07-04 Pleotint, L.L.C. Thermochromic devices
US6322860B1 (en) 1998-11-02 2001-11-27 Rohm And Haas Company Plastic substrates for electronic display applications
EP1127381B1 (en) 1998-11-02 2015-09-23 3M Innovative Properties Company Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays
US6837950B1 (en) * 1998-11-05 2005-01-04 Interface, Inc. Separation of floor covering components for recycling
US6207238B1 (en) 1998-12-16 2001-03-27 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers
US6268695B1 (en) 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
US6274204B1 (en) 1998-12-16 2001-08-14 Battelle Memorial Institute Method of making non-linear optical polymer
US6228434B1 (en) 1998-12-16 2001-05-08 Battelle Memorial Institute Method of making a conformal coating of a microtextured surface
EP1145338B1 (en) 1998-12-16 2012-12-05 Samsung Display Co., Ltd. Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
US6217947B1 (en) * 1998-12-16 2001-04-17 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced polymer deposition onto fixtures
US6207239B1 (en) * 1998-12-16 2001-03-27 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced chemical deposition of conjugated polymer
US6228436B1 (en) * 1998-12-16 2001-05-08 Battelle Memorial Institute Method of making light emitting polymer composite material
US6960877B1 (en) 1998-12-17 2005-11-01 Cambrdige Display Technology Limited Organic light-emitting devices including specific barrier layers
WO2001087825A1 (en) 2000-04-04 2001-11-22 The Regents Of The University Of California Methods, compositions and bi-functional catalysts for synthesis of silica, glass, silicones
AU2713000A (en) 1998-12-18 2000-07-03 Regents Of The University Of California, The Methods, compositions, and biomimetic catalysts for in vitro synthesis of silica, polysilsequioxane, polysiloxane, and polymetallo-oxanes
JP2000208252A (ja) 1999-01-14 2000-07-28 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP3817081B2 (ja) * 1999-01-29 2006-08-30 パイオニア株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
US6118218A (en) 1999-02-01 2000-09-12 Sigma Technologies International, Inc. Steady-state glow-discharge plasma at atmospheric pressure
US6172810B1 (en) * 1999-02-26 2001-01-09 3M Innovative Properties Company Retroreflective articles having polymer multilayer reflective coatings
AU3879500A (en) 1999-03-10 2000-09-28 American Bank Note Holographics, Inc. Techniques of printing micro-structure patterns such as holograms directly onto final documents or other substrates in discrete areas thereof
US6358570B1 (en) * 1999-03-31 2002-03-19 Battelle Memorial Institute Vacuum deposition and curing of oligomers and resins
HK1043664A1 (zh) * 1999-04-28 2002-09-20 E‧I‧内穆尔杜邦公司 具有改进的抗氧和抗湿降解性的挠性有机电子器件
JP4261680B2 (ja) 1999-05-07 2009-04-30 株式会社クレハ 防湿性多層フィルム
US6194174B1 (en) 1999-05-12 2001-02-27 Smithkline Beecham Corporation Histidine kinase, 636 HK, of staphylococcus aureus
US6387732B1 (en) 1999-06-18 2002-05-14 Micron Technology, Inc. Methods of attaching a semiconductor chip to a leadframe with a footprint of about the same size as the chip and packages formed thereby
US6083313A (en) 1999-07-27 2000-07-04 Advanced Refractory Technologies, Inc. Hardcoats for flat panel display substrates
US6660409B1 (en) 1999-09-16 2003-12-09 Panasonic Communications Co., Ltd Electronic device and process for producing the same
US6413645B1 (en) 2000-04-20 2002-07-02 Battelle Memorial Institute Ultrabarrier substrates
US7198832B2 (en) 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6866901B2 (en) 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6573652B1 (en) 1999-10-25 2003-06-03 Battelle Memorial Institute Encapsulated display devices
US6548912B1 (en) 1999-10-25 2003-04-15 Battelle Memorial Institute Semicoductor passivation using barrier coatings
US6460369B2 (en) 1999-11-03 2002-10-08 Applied Materials, Inc. Consecutive deposition system
US7394153B2 (en) 1999-12-17 2008-07-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of electronic devices
TW490714B (en) 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
WO2001057904A1 (en) 2000-02-04 2001-08-09 Emagin Corporation Low absorption sputter protection layer for oled structure
JP2001338755A (ja) 2000-03-21 2001-12-07 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子およびその製造方法
US6492026B1 (en) 2000-04-20 2002-12-10 Battelle Memorial Institute Smoothing and barrier layers on high Tg substrates
JP3936151B2 (ja) 2000-05-08 2007-06-27 双葉電子工業株式会社 有機ｅｌ素子
JP3783099B2 (ja) 2000-05-16 2006-06-07 株式会社豊田中央研究所 有機電界発光素子
US6465953B1 (en) 2000-06-12 2002-10-15 General Electric Company Plastic substrates with improved barrier properties for devices sensitive to water and/or oxygen, such as organic electroluminescent devices
US6867539B1 (en) 2000-07-12 2005-03-15 3M Innovative Properties Company Encapsulated organic electronic devices and method for making same
US6416872B1 (en) 2000-08-30 2002-07-09 Cp Films, Inc. Heat reflecting film with low visible reflectance
US7094690B1 (en) 2000-08-31 2006-08-22 Micron Technology, Inc. Deposition methods and apparatuses providing surface activation
AU2000274682A1 (en) 2000-09-06 2002-03-22 Institute Of Materials Research And Engineering Encapsulation for oled devices
CN1341644A (zh) 2000-09-07 2002-03-27 上海博德基因开发有限公司 一种新的多肽——人核内非均－核蛋白32.01和编码这种多肽的多核苷酸
EP1209252A3 (en) 2000-09-15 2002-11-27 Shipley Co. L.L.C. Continuous coating apparatus
JP2002100469A (ja) 2000-09-25 2002-04-05 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
JP4374765B2 (ja) 2000-11-09 2009-12-02 株式会社デンソー 有機ｅｌ素子の製造方法
US6537688B2 (en) 2000-12-01 2003-03-25 Universal Display Corporation Adhesive sealed organic optoelectronic structures
US20020096114A1 (en) * 2001-01-22 2002-07-25 Applied Materials, Inc. Series chamber for substrate processing
TW552650B (en) 2001-02-01 2003-09-11 Semiconductor Energy Lab Deposition apparatus and deposition method
US6614057B2 (en) 2001-02-07 2003-09-02 Universal Display Corporation Sealed organic optoelectronic structures
US6468595B1 (en) 2001-02-13 2002-10-22 Sigma Technologies International, Inc. Vaccum deposition of cationic polymer systems
US6576351B2 (en) 2001-02-16 2003-06-10 Universal Display Corporation Barrier region for optoelectronic devices
US6822391B2 (en) 2001-02-21 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, electronic equipment, and method of manufacturing thereof
US6881447B2 (en) 2002-04-04 2005-04-19 Dielectric Systems, Inc. Chemically and electrically stabilized polymer films
US6624568B2 (en) 2001-03-28 2003-09-23 Universal Display Corporation Multilayer barrier region containing moisture- and oxygen-absorbing material for optoelectronic devices
US6664137B2 (en) 2001-03-29 2003-12-16 Universal Display Corporation Methods and structures for reducing lateral diffusion through cooperative barrier layers
TWI222838B (en) * 2001-04-10 2004-10-21 Chi Mei Optoelectronics Corp Packaging method of organic electroluminescence light-emitting display device
JP2002343580A (ja) 2001-05-11 2002-11-29 Pioneer Electronic Corp 発光ディスプレイ装置及びその製造方法
JP4704605B2 (ja) * 2001-05-23 2011-06-15 淳二 城戸 連続蒸着装置、蒸着装置及び蒸着方法
JP3678361B2 (ja) 2001-06-08 2005-08-03 大日本印刷株式会社 ガスバリアフィルム
US6397776B1 (en) * 2001-06-11 2002-06-04 General Electric Company Apparatus for large area chemical vapor deposition using multiple expanding thermal plasma generators
CA2352567A1 (en) 2001-07-06 2003-01-06 Mohamed Latreche Translucent material displaying ultra-low transport of gases and vapors, and method for its production
KR100413450B1 (ko) 2001-07-20 2003-12-31 엘지전자 주식회사 표시소자의 보호막 구조
JP2004537448A (ja) 2001-08-20 2004-12-16 ノバ−プラズマ インコーポレイテッド 気体および蒸気に対する浸透度の低いコーティング
US6888307B2 (en) * 2001-08-21 2005-05-03 Universal Display Corporation Patterned oxygen and moisture absorber for organic optoelectronic device structures
JP2003077651A (ja) * 2001-08-30 2003-03-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US6737753B2 (en) 2001-09-28 2004-05-18 Osram Opto Semiconductor Gmbh Barrier stack
US6803245B2 (en) 2001-09-28 2004-10-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Procedure for encapsulation of electronic devices
TW519853B (en) 2001-10-17 2003-02-01 Chi Mei Electronic Corp Organic electro-luminescent display and its packaging method
JP2003123969A (ja) 2001-10-17 2003-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蒸着用マスクおよび有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法
US6888305B2 (en) 2001-11-06 2005-05-03 Universal Display Corporation Encapsulation structure that acts as a multilayer mirror
US6681716B2 (en) * 2001-11-27 2004-01-27 General Electric Company Apparatus and method for depositing large area coatings on non-planar surfaces
US6597111B2 (en) 2001-11-27 2003-07-22 Universal Display Corporation Protected organic optoelectronic devices
US6948448B2 (en) * 2001-11-27 2005-09-27 General Electric Company Apparatus and method for depositing large area coatings on planar surfaces
US6765351B2 (en) 2001-12-20 2004-07-20 The Trustees Of Princeton University Organic optoelectronic device structures
KR100472502B1 (ko) 2001-12-26 2005-03-08 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
US7012363B2 (en) * 2002-01-10 2006-03-14 Universal Display Corporation OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies
US6620657B2 (en) 2002-01-15 2003-09-16 International Business Machines Corporation Method of forming a planar polymer transistor using substrate bonding techniques
JP4046512B2 (ja) 2002-01-25 2008-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US6936131B2 (en) 2002-01-31 2005-08-30 3M Innovative Properties Company Encapsulation of organic electronic devices using adsorbent loaded adhesives
US7112351B2 (en) 2002-02-26 2006-09-26 Sion Power Corporation Methods and apparatus for vacuum thin film deposition
JP2003258189A (ja) * 2002-03-01 2003-09-12 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2003272827A (ja) 2002-03-13 2003-09-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機発光素子及びその製造方法
US6891330B2 (en) 2002-03-29 2005-05-10 General Electric Company Mechanically flexible organic electroluminescent device with directional light emission
JP2003292394A (ja) * 2002-03-29 2003-10-15 Canon Inc 液相成長方法および液相成長装置
US20050174045A1 (en) 2002-04-04 2005-08-11 Dielectric Systems, Inc. Organic light-emitting device display having a plurality of passive polymer layers
US6835950B2 (en) 2002-04-12 2004-12-28 Universal Display Corporation Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer
US6897474B2 (en) 2002-04-12 2005-05-24 Universal Display Corporation Protected organic electronic devices and methods for making the same
US8808457B2 (en) 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
TWI336905B (en) * 2002-05-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device
NL1020635C2 (nl) 2002-05-21 2003-11-24 Otb Group Bv Werkwijze voor het vervaardigen van een polymere OLED.
NL1020634C2 (nl) * 2002-05-21 2003-11-24 Otb Group Bv Werkwijze voor het passiveren van een halfgeleider substraat.
KR100477745B1 (ko) 2002-05-23 2005-03-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 소자의 봉지방법 및 이를 이용하는 유기전계발광 패널
US6743524B2 (en) 2002-05-23 2004-06-01 General Electric Company Barrier layer for an article and method of making said barrier layer by expanding thermal plasma
US7554712B2 (en) 2005-06-23 2009-06-30 E Ink Corporation Edge seals for, and processes for assembly of, electro-optic displays
US7221093B2 (en) 2002-06-10 2007-05-22 Institute Of Materials Research And Engineering Patterning of electrodes in OLED devices
DE10230607A1 (de) 2002-07-08 2004-02-05 Abb Patent Gmbh Verfahren zur Überwachung einer Messeinrichtung, insbesondere einer Durchflussmesseinrichtung, sowie eine Messeinrichtung selbst
JP4130555B2 (ja) 2002-07-18 2008-08-06 住友精密工業株式会社 ガス加湿装置
US6734625B2 (en) 2002-07-30 2004-05-11 Xerox Corporation Organic light emitting device (OLED) with multiple capping layers passivation region on an electrode
US6710542B2 (en) * 2002-08-03 2004-03-23 Agilent Technologies, Inc. Organic light emitting device with improved moisture seal
US6818291B2 (en) 2002-08-17 2004-11-16 3M Innovative Properties Company Durable transparent EMI shielding film
TWI236862B (en) 2002-09-03 2005-07-21 Au Optronics Corp Package for OLED device
US7015640B2 (en) * 2002-09-11 2006-03-21 General Electric Company Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same
US8704211B2 (en) * 2004-06-30 2014-04-22 General Electric Company High integrity protective coatings
US20040229051A1 (en) 2003-05-15 2004-11-18 General Electric Company Multilayer coating package on flexible substrates for electro-optical devices
US6994933B1 (en) * 2002-09-16 2006-02-07 Oak Ridge Micro-Energy, Inc. Long life thin film battery and method therefor
US7056584B2 (en) * 2002-10-11 2006-06-06 General Electric Company Bond layer for coatings on plastic substrates
JP3953404B2 (ja) 2002-10-21 2007-08-08 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 有機エレクトロ・ルミネッセンス素子、該有機エレクトロ・ルミネッセンス素子の製造方法、および有機エレクトロ・ルミネッセンス表示装置
US20040099926A1 (en) 2002-11-22 2004-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and light-emitting device, and methods of manufacturing the same
JP2004176111A (ja) 2002-11-26 2004-06-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 樹脂蒸着成膜方法及び装置
US7086918B2 (en) 2002-12-11 2006-08-08 Applied Materials, Inc. Low temperature process for passivation applications
US6975067B2 (en) 2002-12-19 2005-12-13 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device and encapsulation method
US7338820B2 (en) 2002-12-19 2008-03-04 3M Innovative Properties Company Laser patterning of encapsulated organic light emitting diodes
NL1022269C2 (nl) 2002-12-24 2004-06-25 Otb Group Bv Werkwijze voor het vervaardigen van een organic electroluminescent display device, substraat ten gebruike bij een dergelijke werkwijze, alsmede een organic electroluminescent display device verkregen met de werkwijze.
JP2004224815A (ja) 2003-01-20 2004-08-12 Fuji Photo Film Co Ltd ガスバリア性積層フィルムの製造方法及びガスバリア性積層フィルム
JP2004294601A (ja) 2003-03-26 2004-10-21 Nitto Denko Corp 反射防止フィルム、光学素子および画像表示装置
JP4138672B2 (ja) 2003-03-27 2008-08-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
JP4491196B2 (ja) 2003-03-31 2010-06-30 富士フイルム株式会社 ガスバリア性積層フィルム及びその製造方法、並びに該フィルムを用いた基板及び画像表示素子
US7018713B2 (en) * 2003-04-02 2006-03-28 3M Innovative Properties Company Flexible high-temperature ultrabarrier
JP2004309932A (ja) 2003-04-09 2004-11-04 Dainippon Printing Co Ltd 表示素子用基材、表示パネル、表示装置及び表示素子用基材の製造方法
US7510913B2 (en) 2003-04-11 2009-03-31 Vitex Systems, Inc. Method of making an encapsulated plasma sensitive device
US7029765B2 (en) * 2003-04-22 2006-04-18 Universal Display Corporation Organic light emitting devices having reduced pixel shrinkage
JP2004353021A (ja) 2003-05-28 2004-12-16 Toppan Printing Co Ltd スパッタ用メタルマスク
US7820255B2 (en) * 2003-05-29 2010-10-26 Konica Minolta Holdings, Inc. Transparent film for display substrate, display substrate using the film and method of manufacturing the same, liquid crystal display, organic electroluminescence display, and touch panel
KR101170393B1 (ko) 2003-06-16 2012-08-02 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 전자 발광 디바이스를 위한 장벽 적층
ITMI20031281A1 (it) 2003-06-24 2004-12-25 Whirlpool Co Apparecchio refrigerante domestico con supporti amovibili dei ripiani.
NL1024090C2 (nl) 2003-08-12 2005-02-15 Otb Group Bv Werkwijze voor het aanbrengen van een dunne-film-afsluitlaagsamenstel op een device met microstructuren, alsmede een device voorzien van een dergelijk dunne-film-afsluitlaagsamenstel.
US6998648B2 (en) * 2003-08-25 2006-02-14 Universal Display Corporation Protected organic electronic device structures incorporating pressure sensitive adhesive and desiccant
US7282244B2 (en) * 2003-09-05 2007-10-16 General Electric Company Replaceable plate expanded thermal plasma apparatus and method
US7297414B2 (en) 2003-09-30 2007-11-20 Fujifilm Corporation Gas barrier film and method for producing the same
US7635525B2 (en) * 2003-09-30 2009-12-22 Fujifilm Corporation Gas barrier laminate film and method for producing the same
US7052355B2 (en) 2003-10-30 2006-05-30 General Electric Company Organic electro-optic device and method for making the same
US20050093437A1 (en) 2003-10-31 2005-05-05 Ouyang Michael X. OLED structures with strain relief, antireflection and barrier layers
US8722160B2 (en) 2003-10-31 2014-05-13 Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. Inorganic/organic hybrid nanolaminate barrier film
US7271534B2 (en) 2003-11-04 2007-09-18 3M Innovative Properties Company Segmented organic light emitting device
US7432124B2 (en) 2003-11-04 2008-10-07 3M Innovative Properties Company Method of making an organic light emitting device
GB0327093D0 (en) 2003-11-21 2003-12-24 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates
EP1548846A3 (en) 2003-11-28 2007-09-19 Sharp Kabushiki Kaisha Solar cell module edge face sealing member and solar cell module employing same
US7075103B2 (en) 2003-12-19 2006-07-11 General Electric Company Multilayer device and method of making
US7792489B2 (en) 2003-12-26 2010-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device
JP2005251671A (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Fuji Photo Film Co Ltd 表示装置
US20050238846A1 (en) 2004-03-10 2005-10-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Gas barrier laminate film, method for producing the same and image display device utilizing the film
US20050212419A1 (en) 2004-03-23 2005-09-29 Eastman Kodak Company Encapsulating oled devices
US8405193B2 (en) 2004-04-02 2013-03-26 General Electric Company Organic electronic packages having hermetically sealed edges and methods of manufacturing such packages
US7220687B2 (en) * 2004-06-25 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Method to improve water-barrier performance by changing film surface morphology
US7033850B2 (en) * 2004-06-30 2006-04-25 Eastman Kodak Company Roll-to-sheet manufacture of OLED materials
US7342356B2 (en) * 2004-09-23 2008-03-11 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device having protective structure with boron oxide layer and inorganic barrier layer
US20060063015A1 (en) * 2004-09-23 2006-03-23 3M Innovative Properties Company Protected polymeric film
US7825582B2 (en) 2004-11-08 2010-11-02 Kyodo Printing Co., Ltd. Flexible display and manufacturing method thereof
JP2006294780A (ja) 2005-04-08 2006-10-26 Toppan Printing Co Ltd 太陽電池モジュール用バックシートおよび太陽電池モジュール
US20060246811A1 (en) 2005-04-28 2006-11-02 Eastman Kodak Company Encapsulating emissive portions of an OLED device
US20060250084A1 (en) 2005-05-04 2006-11-09 Eastman Kodak Company OLED device with improved light output
US7251947B2 (en) 2005-08-09 2007-08-07 Carrier Corporation Refrigerant system with suction line restrictor for capacity correction
US20070281089A1 (en) 2006-06-05 2007-12-06 General Electric Company Systems and methods for roll-to-roll atomic layer deposition on continuously fed objects
JP5151234B2 (ja) 2007-04-26 2013-02-27 凸版印刷株式会社 加飾成形品

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3661117A (en) * 1969-12-03 1972-05-09 Stanford Research Inst Apparatus for depositing thin lines
US6827788B2 (en) * 2000-12-27 2004-12-07 Anelva Corporation Substrate processing device and through-chamber

Also Published As

Publication number Publication date
EP1875491B1 (en) 2017-10-25
JP6161294B2 (ja) 2017-07-12
JP2013122092A (ja) 2013-06-20
JP2008538592A (ja) 2008-10-30
TWI281735B (en) 2007-05-21
TW200638566A (en) 2006-11-01
KR100947157B1 (ko) 2010-03-12
US20050239294A1 (en) 2005-10-27
US8900366B2 (en) 2014-12-02
KR20080003911A (ko) 2008-01-08
WO2006115530A1 (en) 2006-11-02
EP1875491A1 (en) 2008-01-09
CN101167160A (zh) 2008-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101167160B (zh) 用于在分立薄片上沉积多层涂层的装置
US8808457B2 (en) Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US20250291253A1 (en) Apparatus for photoresist dry deposition
US20110155060A1 (en) Method And Apparatus To Apply Surface Release Coating For Imprint Mold
WO2012118953A2 (en) Atomic layer deposition carousel with continuous rotation and methods of use
TW201918577A (zh) 滲透阻障
KR100797428B1 (ko) 진공처리장치와 다실형 진공처리장치
US20250125165A1 (en) Apparatuses for radiative heating of an edge region of a semiconductor wafer
JP6768918B2 (ja) 気化器および素子構造体の製造装置
CN110268091B (zh) 成膜方法、成膜装置、元件结构体的制造方法及元件结构体的制造装置
CN109892012B (zh) 元件结构体的制造方法
JP2012193413A (ja) 真空蒸着装置及び薄膜の形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: VITEX SYSTEMS INC.

Effective date: 20110125

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: CALIFORNIA, THE USA TO: GYEONGGI, SOUTH KOREA

TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20110125

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant after: Samsung Mobile Display Co.,Ltd.

Address before: American California

Applicant before: VITEX SYSTEMS, Inc.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG MONITOR CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Effective date: 20121026

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20121026

Address after: South Korea Gyeonggi Do Yongin

Patentee after: SAMSUNG DISPLAY Co.,Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee before: Samsung Mobile Display Co.,Ltd.

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20120516

CX01 Expiry of patent term