CN108269816A - 一种降低cmos图像传感器白点缺陷的方法 - Google Patents

Abstract

本公开涉及CMOS图像传感器及降低CMOS图像传感器白点缺陷的方法。其中一个实施例提供了一种CMOS图像传感器的制作方法，其包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅极氧化层和栅极硅层；以及随后在形成栅极之前，利用栅极硅层作为保护层，对半导体衬底进行多次离子注入，以在半导体衬底内部形成多个掺杂区。

Description

一种降低CMOS图像传感器白点缺陷的方法

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体来说，涉及一种CMOS图像传感器及降低CMOS图像传感器白点缺陷的方法。

背景技术

图像传感器是将光学图像转换成电子信号的设备，被广泛地应用在数码相机和其他电子光学设备中。通常，图像传感器主要分为电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)和金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)两大类。其中，CMOS传感器具有集成度高、功耗小、响应速度快、成本低等优点。随着CMOS制造工艺和技术不断提升，以及高端CMOS传感器价格不断下降，在高清摄像机未来的发展中，CMOS传感器将占据越来越重要的地位。

在CMOS图像传感器中，采用传输管(transfer transistor，TX)来传输光电二极管中的光生电子。图1例示出了传统CMOS图像传感器的结构示意图。如图1中所示，传统图像传感器包括：半导体衬底100、感光二极管区101、钉扎二极管区102(包括N型掺杂区102-1、P型掺杂区102-2和102-3)、浮置扩散区103、栅极104、栅极侧墙105以及栅极氧化层106。其中，半导体衬底100中布置了感光二极管区101、钉扎二极管区102和浮置扩散区103；钉扎二极管区102的P型掺杂区102-2和102-3以及浮置扩散区103位于半导体衬底的表面区域。栅极104、栅极侧墙105、栅极氧化层106构成位于半导体衬底上方的栅极结构。

在传统CMOS图像传感器的制造过程中，形成器件的离子注入是在栅极图形定义之后完成的，这会对半导体衬底表面造成损伤，从而导致CMOS图像传感器出现白点。为减少离子注入对半导体衬底表面的损伤，通常采用一定厚度的氧化层作为离子注入的保护层，但是这增加了再形成氧化层的过程，增大了时间开销并且使得工艺变得复杂。此外，在干法刻蚀和湿法清洗等工艺过程中都会消耗氧化层，这会增加对离子注入的分布进行控制的难度，进而对CMOS晶体管的性能造成不利影响。

可以看出，存在减少离子注入对半导体衬底表面的损伤，同时也不增加工艺步骤的需求。

发明内容

本公开的一个目的是提供一种CMOS图像传感器及制造CMOS图像传感器的方法，以提高CMOS图像传感器的性能。

根据本公开的第一方面，提供了一种CMOS图像传感器的制作方法，包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅极氧化层和栅极硅层；以及随后在形成栅极之前，利用栅极硅层作为保护层，对半导体衬底进行多次离子注入，以在半导体衬底内部形成多个掺杂区。

根据本公开的第一方面，在形成栅极氧化层和栅极硅层之前，对半导体衬底进行第一次离子注入，以在半导体衬底内部形成第一掺杂区。

根据本公开的第一方面，在形成栅极氧化层和栅极硅层之后、形成栅极之前，对半导体衬底进行第二次离子注入，在所述半导体衬底内部形成第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区的上方且与所述第一掺杂区接触，并且所述第二掺杂区位于所述栅极的一侧。

根据本公开的第一方面，在形成第二掺杂区之后，对半导体衬底进行第三次和第四次离子注入，以在所述半导体衬底内部形成第三掺杂区和第四掺杂区，所述第三掺杂区位于所述第二掺杂区的一侧的上方且与所述第二掺杂区接触，所述第四掺杂区位于所述第二掺杂区的另一侧的上方且与所述第二掺杂区接触，并且所述第三掺杂区和所述第四掺杂区位于所述栅极的一侧。

根据本公开的第一方面，在形成第三掺杂区和第四掺杂区之后，对半导体衬底进行第五次离子注入，在所述半导体衬底内部形成第五掺杂区，所述第五掺杂区位于所述第一掺杂区的上方且与所述第一掺杂区不接触，并且位于所述栅极的另一侧。

根据本公开的第一方面，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述第五掺杂区的掺杂类型与所述第三掺杂区、所述第四掺杂区的掺杂类型相反。

根据本公开的第一方面，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述第五掺杂区为n型掺杂区，所述第三掺杂区、所述第四掺杂区为p型掺杂区。

根据本公开的第一方面，在形成多个掺杂区之后，依次形成栅极和栅极侧墙。

根据本公开的第一方面，所述栅极硅层的厚度为

根据本公开的第二方面，提供了一种CMOS图像传感器，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的感光二极管区、浮置扩散区、钉扎二极管区；以及位于所述半导体衬底上的传输管，其中，所述感光二极管区为所述第一掺杂区；所述浮置扩散区为所述第五掺杂区；所述钉扎二极管区包括所述第二掺杂区、所述第三掺杂区、所述第四掺杂区；并且所述传输管包括所述栅极氧化层、所述栅极以及所述栅极侧墙。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得更为清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1例示出了传统CMOS图像传感器的结构示意图；

图2例示出了根据本公开示例性实施例的CMOS图像传感器的制造方法的流程图；

图3A-3E例示出了传统的制造CMOS图像传感器的步骤的结构示意图；

图4A-4D例示出了已有的另一种制造CMOS图像传感器的步骤的结构示意图；

图5A-5C例示出了根据本公开示例性实施例的制造CMOS图像传感器的步骤的结构示意图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式

如前文所述，传统CMOS图像传感器制造过程中，形成栅极之后再进行离子注入的工艺会对感光二极管的半导体衬底表面造成损伤，而白点对感光二极管表面质量及完整性非常敏感，因此会导致CMOS图像传感器出现白点。为解决该问题，相关技术提出利用氧化层或介质层作为离子注入的保护层。但是，本申请的发明人发现，利用氧化层作为保护层需要再布置氧化层，此外，由于离子注入是利用图案化的光刻胶进行的，过程中会消耗一定的氧化层，使得氧化层厚度发生变化，进而使得控制离子注入的分布变得困难。而且，利用介质层作为保护层需要对介质层进行多次刻蚀。由此可见，这些保护方法均增加了工艺步骤，而且还会引入新的工艺难题。

经过深入研究，考虑到上述内容，本申请的发明人想到，调整离子注入和刻蚀形成栅极图形的顺序，利用栅极硅层作为衬底表面的保护层，并且提出了一种降低CMOS图像传感器白点缺陷的方法。由于通常栅极硅层厚度较厚，且性能更稳定，这样不仅可以有效减少离子注入对半导体衬底表面的损伤，减少图像传感器白点的产生，同时还可以优化工艺流程。

下面将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。也就是说，本文中的半导体装置及其制造方法是以示例性的方式示出，来说明本公开中的结构和方法的不同实施例。然而，本领域技术人员将会理解，它们仅仅说明可以用来实施的本发明的示例性方式，而不是穷尽的方式。此外，附图不必按比例绘制，一些特征可能被放大以示出具体组件的细节。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。

为了更全面、清楚地理解本发明，下面将结合附图来阐述根据本公开的新颖的技术。

图2例示出了根据本公开示例性实施例的CMOS图像传感器的制造方法的流程图。

具体而言，如图2所示，在步骤201处，提供一半导体衬底。在一些实施方式中，衬底可以由适合于半导体装置的任何半导体材料(诸如Si、SiC、SiGe等)制成。在另一些实施方式中，衬底也可以为绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上锗硅等各种复合衬底。本领域技术人员均理解衬底不受到任何限制，而是可以根据实际应用进行选择。衬底中可以形成有其它的半导体装置构件，例如，隔离(诸如浅沟槽隔离(STI))、阱和/或在早期处理步骤中形成的其它构件。在施加第一光致抗蚀剂层之前，衬底上还可以已经形成有其它层或构件，例如，接触孔、下层金属连线和通孔等在早期处理步骤中形成的其它构件和/或层间电介质层等。

在步骤202处，对半导体衬底进行第一次离子注入，以在半导体衬底内部形成感光二极管区(即，第一掺杂区)。

在步骤203处，在半导体衬底上依次形成栅极氧化层和栅极硅层，栅极硅层覆盖栅极氧化层，栅极氧化层覆盖半导体衬底。

在步骤204处，利用栅极硅层作为保护层，对半导体衬底进行多次离子注入，以在半导体衬底内部形成多个掺杂区。具体地，在根据本发明的一个实施例中，对半导体衬底进行了第二次～第五次离子注入，以在半导体衬底内部形成第二～第五掺杂区。

在步骤205处，依次形成栅极和栅极侧墙。其中栅极是通过光刻处理形成的，栅极侧墙是通过干法刻蚀处理形成的。具体地，形成栅极的步骤包括：在栅极硅层表面形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光与显影，形成图案化的光刻胶层；以图案化的光刻胶层为掩模，对栅极硅层进行刻蚀；以及去除图案化的光刻胶层。

本领域技术人员应明白，上述步骤并不限制本发明的方案，而是可以根据实际应用进行任意的修改或删除。而且制造CMOS图像传感器还可以根据需要包括在此没有列出的其它步骤。

为了更完整全面地理解本发明，下面将结合图3A-3E、图4A-4D、图5A-5C，详细说明本发明提出的CMOS图像传感器的制作方法及其相比于相关技术的优势。为简洁起见，图中并未例示出每一步骤的结构，只例示出了重点步骤。

图3A-3E例示出了传统的制造CMOS图像传感器的步骤的结构示意图。首先，如图3A所示，提供一半导体衬底100，对半导体衬底100进行第一次离子注入，形成感光二极管区101，随后，在半导体衬底100上依次形成栅极氧化层106和栅极硅层104。其中，栅极氧化层106可以为二氧化硅，栅极硅层104可以为多晶硅。栅极硅层104在栅极氧化层106之上，栅极氧化层106用于隔离栅极104和半导体衬底100，其覆盖半导体衬底100的CMOS晶体管的沟道区。

随后，如图3B所示，在栅极硅层104表面形成光刻胶层，对所形成的光刻胶层进行曝光与显影，形成图案化的光刻胶层。然后，以图案化的光刻胶层作为掩模，对栅极硅层104进行刻蚀，然后去除图案化的光刻胶层，形成经刻蚀的栅极。

随后，如图3C中所示，在半导体衬底100上除栅极104之外的表面上再形成一层氧化层107作为之后进行离子注入的保护层。氧化层107可以为通过热氧化形成的二氧化硅层。

随后，如图3D中所示，以氧化层107作为保护层，对半导体衬底100进行多次离子注入，形成钉扎二极管区102和浮置掺杂区103，钉扎二极管区102包括掺杂区102-1、掺杂区102-2和掺杂区102-3。

随后，如图3E所示，在完成了图3D中所示的多次离子注入之后，在半导体衬底100上形成介质层，随后形成栅极侧墙105。尽管图3E中未例示出形成栅极侧墙105的具体过程，但是应理解，栅极侧墙105可以通过干法刻蚀处理而形成。

可以看出，传统的利用氧化层作为保护层制造CMOS图像传感器的方法需要多形成一层氧化层107，这增加了工艺步骤。此外，氧化层107的厚度对离子注入的分布有很大影响。由于离子注入是通过图案化的光刻技术进行的，因此进行每次离子注入都需要形成和去除光刻胶层，这会消耗一定的氧化层，而所消耗的氧化层的厚度是难以预估的，进而导致难以对离子注入的分布进行控制。因此，以氧化层作为保护层，虽然一定程度上减少了离子注入对半导体衬底表面的损伤，但是增加了工艺流程且引入了新的工艺难题。

图4A-4D例示出了已有的另一种制造CMOS图像传感器的步骤的结构示意图。如图4A中所示，提供一半导体衬底100，对半导体衬底100进行第一次离子注入，形成感光二极管区101，随后在半导体衬底100上依次形成栅极氧化层106和栅极硅层104。

随后，如图4B所示，在半导体衬底100表面通过化学气相沉积形成介质层105，随后对介质层105进行刻蚀，保留半导体衬底上 厚度的介质层作为之后进行离子注入的保护层。

随后，如图4C中所示，以介质层作为保护层，对半导体衬底100进行多次离子注入，形成钉扎二极管区102和浮置掺杂区103，钉扎二极管区102包括掺杂区102-1、掺杂区102-2和掺杂区102-3。

随后，如图4D中所示，利用干法刻蚀处理去除除栅极侧墙105之外的所有介质层，形成栅极侧墙105。

可以看出，利用介质层作为保护层来制造CMOS图像传感器的方法需要对介质层进行两次刻蚀，考虑到刻蚀过程实际上还包含多个步骤，因此这种方法一定程度上增加了工艺流程，这会导致不可忽视的时间开销。

图5A-5C例示出了根据本公开示例性实施例的制造CMOS图像传感器的步骤的结构示意图。首先，与图3A和4A类似，如图5A中所示，提供一半导体衬底100，对半导体衬底100进行第一次离子注入，形成感光二极管区101(即，第一掺杂区)，随后在半导体衬底100上依次形成栅极氧化层106和栅极硅层104，优选地，栅极硅层的厚度为

随后，如图5B所示，在形成栅极之前以栅极硅层104作为保护层，对半导体衬底100进行多次离子注入，形成钉扎二极管区102和浮置掺杂区103(即，第五掺杂区)。钉扎二极管区102包括掺杂区102-1(即，第二掺杂区)、掺杂区102-2(即，第三掺杂区)和掺杂区102-3(即，第四掺杂区)。其中，对半导体衬底100进行离子注入的过程包括：在半导体衬底上形成图案化的光刻胶层，定义出掺杂区的位置，然后以图案化的光刻胶作为掩模，对半导体衬底进行离子注入以形成掺杂区，掺杂区形成后去除图案化的光刻胶层。

在图5B中，掺杂区102-2位于半导体衬底100表面上在栅极104一侧且靠近栅极104，掺杂区102-3位于半导体衬底100表面上与掺杂区102-2位于同一侧但远离栅极104。本领域技术人员应当理解，掺杂区102-2和掺杂区102-3的位置并不限于图5C中所示的位置，二者的位置也可以互换。掺杂区102-1位于感光二极管区101与掺杂区102-2和掺杂区102-3之间，且与感光二极管区101、掺杂区102-2和掺杂区102-3接触。浮置扩散区103位于感光二极管区101的上方且与感光二极管区不接触，并且位于半导体衬底100表面上在栅极104另一侧。其中，感光二极管区101、掺杂区102-1、掺杂区102-2、掺杂区102-3互相之间上下接触，以利于电子的传输。

另外，通过离子注入形成的感光二极管区101、掺杂区102-1、浮置扩散区103的掺杂类型与掺杂区102-2、掺杂区102-3的掺杂类型相反。根据本公开的一个实施例，感光二极管区101、掺杂区102-1、浮置扩散区103为n型掺杂区，即离子注入工艺中注入的离子为n型离子，例如磷(P)；掺杂区102-2、掺杂区102-3为p型掺杂区，即离子注入工艺中注入的离子为p型离子，例如硼(B)。但是，本领域技术人员应当理解，离子注入工艺中注入的n型和p型离子并不限于磷和硼。

随后，如图5C中所示，在形成多个掺杂区之后，再依次形成栅极和栅极侧墙。其中，栅极是通过光刻处理生成的，栅极侧墙是通过干法刻蚀处理形成的。其中，形成栅极的过程包括：在栅极硅层104表面形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光与显影，形成图案化的光刻胶层；以图案化的光刻胶层为掩模，对栅极硅层104进行刻蚀；去除图案化的光刻胶层。

根据本实施例，通过调整离子注入和刻蚀形成栅极图形的顺序，利用栅极硅层作为衬底表面的保护层，不仅没有添加额外的沉积与刻蚀等工艺步骤，优化了工艺流程，而且由于栅极硅层相比于相关技术中的其他保护层厚度更厚而且性质更稳定，进一步减少了离子注入对半导体衬底表面的损伤，减少图像传感器白点的产生。根据本实施例的制造CMOS图像传感器的方法没有增加时间和工艺成本，简单且容易操作，不仅可以提升图像传感器的性能，而且也不会引入其他技术难题。

本领域技术人员将理解，除了如图示出的工艺和结构之外，本公开还包括形成CMOS图像传感器必需的其它任何工艺和结构。

在说明书及权利要求中的词语“前”、“后”、“顶”、“底”、“之上”、“之下”等，如果存在的话，用于描述性的目的而并不一定用于描述不变的相对位置。应当理解，这样使用的词语在适当的情况下是可互换的，使得在此所描述的本公开的实施例，例如，能够在与在此所示出的或另外描述的那些取向不同的其他取向上操作。

如在此所使用的，词语“示例性的”意指“用作示例、实例或说明”，而不是作为将被精确复制的“模型”。在此示例性描述的任意实现方式并不一定要被解释为比其它实现方式优选的或有利的。而且，本公开不受在上述技术领域、背景技术、发明内容或具体实施方式中所给出的任何所表述的或所暗示的理论所限定。

如在此所使用的，词语“基本上”意指包含由设计或制造的缺陷、器件或元件的容差、环境影响和/或其它因素所致的任意微小的变化。词语“基本上”还允许由寄生效应、噪音以及可能存在于实际的实现方式中的其它实际考虑因素所致的与完美的或理想的情形之间的差异。

另外，仅仅为了参考的目的，还可以在本文中使用“第一”、“第二”等类似术语，并且因而并非意图限定。例如，除非上下文明确指出，否则涉及结构或元件的词语“第一”、“第二”和其它此类数字词语并没有暗示顺序或次序。

还应理解，“包括/包含”一词在本文中使用时，说明存在所指出的特征、整体、步骤、操作、单元和/或组件，但是并不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、单元和/或组件以及/或者它们的组合。

在本公开中，术语“提供”从广义上用于涵盖获得对象的所有方式，因此“提供某对象”包括但不限于“购买”、“制备/制造”、“布置/设置”、“安装/装配”、和/或“订购”对象等。

本领域技术人员应当意识到，在上述操作之间的边界仅仅是说明性的。多个操作可以结合成单个操作，单个操作可以分布于附加的操作中，并且操作可以在时间上至少部分重叠地执行。而且，另选的实施例可以包括特定操作的多个实例，并且在其他各种实施例中可以改变操作顺序。但是，其它的修改、变化和替换同样是可能的。因此，本说明书和附图应当被看作是说明性的，而非限制性的。

另外，本公开的实施方式还可以包括以下示例：

(1)一种CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅极氧化层和栅极硅层；以及

随后在形成栅极之前，利用栅极硅层作为保护层，对半导体衬底进行多次离子注入，以在半导体衬底内部形成多个掺杂区。

(2)根据1所述的方法，其特征在于，

在形成栅极氧化层和栅极硅层之前，对半导体衬底进行第一次离子注入，以在半导体衬底内部形成第一掺杂区。

(3)根据2所述的方法，其特征在于，

在形成栅极氧化层和栅极硅层之后、形成栅极之前，对半导体衬底进行第二次离子注入，在所述半导体衬底内部形成第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区的上方且与所述第一掺杂区接触，并且所述第二掺杂区位于所述栅极的一侧。

(4)根据3所述的方法，其特征在于，

在形成第二掺杂区之后，对半导体衬底进行第三次和第四次离子注入，以在所述半导体衬底内部形成第三掺杂区和第四掺杂区，所述第三掺杂区位于所述第二掺杂区的一侧的上方且与所述第二掺杂区接触，所述第四掺杂区位于所述第二掺杂区的另一侧的上方且与所述第二掺杂区接触，并且所述第三掺杂区和所述第四掺杂区位于所述栅极的一侧。

(5)根据4所述的方法，其特征在于，

在形成第三掺杂区和第四掺杂区之后，对半导体衬底进行第五次离子注入，在所述半导体衬底内部形成第五掺杂区，所述第五掺杂区位于所述第一掺杂区的上方且与所述第一掺杂区不接触，并且位于所述栅极的另一侧。

(6)根据2-5中任意一项所述的方法，其特征在于，

所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述第五掺杂区的掺杂类型与所述第三掺杂区、所述第四掺杂区的掺杂类型相反。

(7)根据2-5中任意一项所述的方法，其特征在于，

所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述第五掺杂区为n型掺杂区，所述第三掺杂区、所述第四掺杂区为p型掺杂区。

(8)根据1所述的方法，其特征在于，

在形成多个掺杂区之后，依次形成栅极和栅极侧墙。

(9)根据8所述的方法，其特征在于，所述栅极形成的步骤包括：

在所述栅极硅层表面形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光与显影，形成图案化的光刻胶层；

以图案化的光刻胶层为掩模，对所述栅极硅层进行刻蚀；以及

去除所述图案化的光刻胶层。

(10)根据1所述的方法，其特征在于，

所述栅极硅层的厚度为

(11)一种使用根据1-10中任意一项所述的方法制作的CMOS图像传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底中的感光二极管区、浮置扩散区、钉扎二极管区；以及

位于所述半导体衬底上的传输管，其中，

所述感光二极管区为所述第一掺杂区；

所述浮置扩散区为所述第五掺杂区；

所述钉扎二极管区包括所述第二掺杂区、所述第三掺杂区、所述第四掺杂区；并且

所述传输管包括所述栅极氧化层、所述栅极以及所述栅极侧墙。

虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。在此公开的各实施例可以任意组合，而不脱离本公开的精神和范围。本领域的技术人员还应理解，可以对实施例进行多种修改而不脱离本公开的范围和精神。本公开的范围由所附权利要求来限定。

Claims (10)

1.一种CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅极氧化层和栅极硅层；以及

随后在形成栅极之前，利用栅极硅层作为保护层，对半导体衬底进行多次离子注入，以在半导体衬底内部形成多个掺杂区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在形成栅极氧化层和栅极硅层之前，对半导体衬底进行第一次离子注入，以在半导体衬底内部形成第一掺杂区。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

在形成栅极氧化层和栅极硅层之后、形成栅极之前，对半导体衬底进行第二次离子注入，在所述半导体衬底内部形成第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区的上方且与所述第一掺杂区接触，并且所述第二掺杂区位于所述栅极的一侧。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

在形成第二掺杂区之后，对半导体衬底进行第三次和第四次离子注入，以在所述半导体衬底内部形成第三掺杂区和第四掺杂区，所述第三掺杂区位于所述第二掺杂区的一侧的上方且与所述第二掺杂区接触，所述第四掺杂区位于所述第二掺杂区的另一侧的上方且与所述第二掺杂区接触，并且所述第三掺杂区和所述第四掺杂区位于所述栅极的一侧。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

在形成第三掺杂区和第四掺杂区之后，对半导体衬底进行第五次离子注入，在所述半导体衬底内部形成第五掺杂区，所述第五掺杂区位于所述第一掺杂区的上方且与所述第一掺杂区不接触，并且位于所述栅极的另一侧。

6.根据权利要求2-5中任意一项所述的方法，其特征在于，

所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述第五掺杂区的掺杂类型与所述第三掺杂区、所述第四掺杂区的掺杂类型相反。

7.根据权利要求2-5中任意一项所述的方法，其特征在于，

所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述第五掺杂区为n型掺杂区，所述第三掺杂区、所述第四掺杂区为p型掺杂区。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在形成多个掺杂区之后，依次形成栅极和栅极侧墙。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述栅极硅层的厚度为

10.一种使用根据权利要求1-9中任意一项所述的方法制作的CMOS图像传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底中的感光二极管区、浮置扩散区、钉扎二极管区；以及

位于所述半导体衬底上的传输管，其中，

所述感光二极管区为所述第一掺杂区；

所述浮置扩散区为所述第五掺杂区；

所述钉扎二极管区包括所述第二掺杂区、所述第三掺杂区、所述第四掺杂区；并且

所述传输管包括所述栅极氧化层、所述栅极以及所述栅极侧墙。