CN108023001B - 蚀刻阻挡层结构、含其的外延片及该外延片的制作方法 - Google Patents
蚀刻阻挡层结构、含其的外延片及该外延片的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108023001B CN108023001B CN201711243780.2A CN201711243780A CN108023001B CN 108023001 B CN108023001 B CN 108023001B CN 201711243780 A CN201711243780 A CN 201711243780A CN 108023001 B CN108023001 B CN 108023001B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- polarity inversion
- gallium nitride
- gallium
- magnesium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 91
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical group [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 79
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 36
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical group [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 34
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 26
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 17
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 15
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- SKKNACBBJGLYJD-UHFFFAOYSA-N bismuth magnesium Chemical compound [Mg].[Bi] SKKNACBBJGLYJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
- H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
- H10H20/0133—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials with a substrate not being Group III-V materials
- H10H20/01335—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials with a substrate not being Group III-V materials the light-emitting regions comprising nitride materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
- H10H20/018—Bonding of wafers
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提供蚀刻阻挡层结构、含其的外延片及该外延片的制作方法，蚀刻阻挡层结构由第一极性反转层、沉积在第一极性反转层上表面的第二半导体层及沉积在所述第二半导体层上表面的第二极性反转层组成。外延片由沉积在图形化衬底上的牺牲层，所述蚀刻阻挡层结构及半导体器件结构组成。在外延片湿法剥离时，所述蚀刻阻挡层结构能够很好的同时保护半导体器件结构免受剥离液的损伤，实用性强。
Description
技术领域
本发明属于半导体领域，尤其涉及蚀刻阻挡层结构、含其的外延片及该外延片的制作方法。
背景技术
湿法剥离是目前进行氮化镓外延层与蓝宝石衬底分离的技术之一。湿法剥离通过化学溶液蚀刻氮化镓外延层与蓝宝石衬底界面处的氮化镓层，实现氮化镓外延层与蓝宝石衬底的分离。关于湿法剥离工艺，需要解决的一个问题是：如何防止化学剥离蚀刻与蓝宝石相邻氮化镓外延层的过程中蚀刻液对半导体器件结构层的过腐蚀，造成器件结构的损伤。
一般而言，采用MOCVD在图形化蓝宝石衬底上外延生长得到的氮化镓其上表面为镓极性面，下表面为氮极性面、朝向蓝宝石衬底。在文献Journal ofCrystal Growth,251,460(2003)中，报道了MBE生长GaN的表面通入Mg和NH3，形成Mg3N2层，实现GaN极性由Ga极性转化为N极性，或由N极性转化为Ga极性。在文献Appllied Physics Letters,77,2479(2000)中，报道了MBE生长重掺Mg的GaN层(掺杂浓度～1020cm-3)使GaN的极性实现了反转。文献Journal ofCrystal Growth,264,150(2004)中，报道了MOCVD生长的GaN表面在低压条件下生长重掺Mg(掺杂浓度～1020cm-3)的AlGaN层实现了GaN由(0001)Ga极性转变为(000-1)N极性。
氮化镓存在镓极性面和氮极性面，镓极性面表面光滑，适合制作高发光效率的半导体发光器件，而氮极性面表面粗糙，不适合制作高发光效率的半导体器件，故一般生长的半导体器件均采用镓极性面。氮化镓发光器件其上表面为镓极性面，那么其与蓝宝石衬底界面则为氮极性面。氮化镓材料的特性之一是镓极性面难以被化学溶液蚀刻，而氮极性面容易被化学溶液蚀刻。
综上所述，在半导体外延片制作过程中，有必要寻找一种利于湿法化学剥离，同时不会损伤半导体器件结构和方法。
发明内容
针对上述技术问题，本发明提供了蚀刻阻挡层结构、含其的外延片及该外延片的制作方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：
一种蚀刻阻挡层结构，其特征在于，其由第一极性反转层、沉积在第一极性反转层上表面的第二半导体层及沉积在所述第二半导体层上表面的第二极性反转层组成。
进一步，所述第一极性反转层为含镁的氮化物；所述第二半导体层为氮化镓，其下表面为镓极性面，上表面为氮极性面；所述第二极性反转层为含镁的氮化物。
再进一步，所述第一极性反转层和第二极性反转层均为含镁的氮化镓。
再进一步，所述第一极性反转层及第二极性反转层的镁原子的含量均大于5e19cm-3。
一种包含所述的蚀刻阻挡层结构的外延片，包括半导体器件结构和沉积在图形化衬底上的牺牲层，其特征在于，所述牺牲层为第一半导体层，所述蚀刻阻挡层的第一极性反转层沉积在所述第一半导体层上表面，所述半导体器件结构沉积在所述蚀刻阻挡层的第二极性反转层的上表面。
进一步，所述第一半导体层为氮化镓，其下表面为氮极性面，上表面为镓极性面；所述第一极性反转层为含镁的氮化物；所述第二半导体层为氮化镓，其下表面为镓极性面，上表面为氮极性面；所述第二极性反转层为含镁的氮化物。
再进一步，所述第一极性反转层和第二极性反转层均为含镁的氮化镓。
一种外延片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1)、生成牺牲层：在图形化衬底上生长第一半导体层，作为牺牲层；
步骤2)、生成蚀刻阻挡层：在第一半导体层上沉积第一极性反转层，在第一极性反转层上沉积第二半导体层，在第二半导体层上沉积第二极性反转层，第一极性反转层、第二半导体层和第二极性反转层共同构成蚀刻阻挡层结构；
步骤3)、外延生长半导体器件结构：在第二极性反转层上沉积半导体器件结构，至此完成外延片的制作。
进一步，所述图形化衬底为蓝宝石衬底。
进一步，所述第一半导体层为氮化镓，其下表面为氮极性面，上表面为镓极性面；所述第一极性反转层为含镁的氮化物；所述第二半导体层为氮化镓，其下表面为镓极性面，上表面为氮极性面；所述所述第二极性反转层为含镁的氮化物。
再进一步，所述第一极性反转层和第二极性反转层均为含镁的氮化镓。
再进一步，所述的制作方法，其步骤如下：
步骤1)、生成牺牲层：将图形化衬底放入MOCVD设备，通入氢气和氨气，升温到1000℃，然后通入三甲基镓，在图形化衬底的顶部进行三维氮化镓外延层的生长，厚度约2微米；然后，升高温度到1050℃，进行氮化镓的生长，完成氮化镓横向外延层的生长，厚度约3微米，停止通入三甲基镓，在图形化衬底上生长第一半导体层作为牺牲层；
步骤2)、生成蚀刻阻挡层：降低温度到980℃，然后再通入三甲基镓和二茂镁，进行掺杂镁的氮化镓层生长，生长厚度约100纳米，停止通入三甲基镓和二茂镁，在第一半导体层上沉积第一极性反转层；升高温度到1050℃，通入三甲基镓，进行氮化镓外延层生长，生长厚度约1000纳米，停止通入三甲基镓，在第一极性反转层上沉积第二半导体层；降低温度到980℃，然后再通入三甲基镓和二茂镁，进行掺杂镁的氮化镓层生长，生长厚度约100纳米，停止通入三甲基镓和二茂镁，在第二半导体层上沉积第二极性反转层；第一极性反转层、第二半导体层和第二极性反转层共同构成蚀刻阻挡层结构；
步骤3)、外延生长半导体器件结构：在第二极性反转层上依次生长n型氮化镓层、氮化铟镓/氮化镓超晶格、氮化铟镓/氮化镓多量子阱层、氮化铝镓电子阻挡层、p型氮化镓层，完成半导体器件结构的沉积，至此完成外延片的制作。
本发明可获得的技术效果有：
直接生长在蓝宝石衬底上的氮化镓，其下表面为氮极性，上表面为镓极性。在制作外延片时，先在蓝宝石衬底表面沉积一层氮化镓作为第一半导体层，由于其下表面为氮极性面、容易被腐蚀，故第一半导体层作为化学湿法剥离的牺牲层；之后，在第一半导体层上表面沉积第一极性反转层，在第一极性反转层的上表面沉积第二半导体层，极性反转层的作用在于，位于其上下两面的氮化镓具有相同的极性面，由于第一半导体层的上表面为镓极性面，故第二半导体层的下表面为镓极性面、上表面为氮极性面；在第二半导体层上面沉积第二极性反转层之后，接着在第二极性反转层上面外延生长GaN材料制备半导体发光器件，第二极性反转层的作用是实现极性的第二次反转，使半导体器件的表面呈现镓极性面。
本发明利用镓极性氮化镓相对于氮极性氮化镓难以被氢氧化钾溶液腐蚀的特性和镁掺杂氮化镓能够引起氮化镓极性反转的特性，在半导体器件与衬底之间设置蚀刻阻挡层。化学剥离实现半导体器件与衬底分离的过程中，蚀刻阻挡层使化学剥离溶液避免由于过腐蚀而造成半导体器件结构损伤。
附图说明
图1是一种蚀刻阻挡层结构的示意图；
图2是一种外延片的示意图。
附图标记：11-第一极性反转层；12-第二半导体层；13-第二极性反转层；20-第一半导体层；30-图形化衬底；40-半导体器件结构。
具体实施方式
如图1所示，一种蚀刻阻挡层结构，其特征在于，其由第一极性反转层11、沉积在第一极性反转层11上表面的第二半导体层12及沉积在所述第二半导体层12上表面的第二极性反转层13组成。
所述第一极性反转层11为含镁的氮化物；所述第二半导体层12为氮化镓，其下表面为镓极性面，上表面为氮极性面；所述第二极性反转层13为含镁的氮化物。
所述第一极性反转层11和第二极性反转层13均为含镁的氮化镓。
所述第一极性反转层11及第二极性反转层13的镁原子的含量均大于5e19cm-3。
如图2所示，一种包含所述的蚀刻阻挡层结构的外延片，包括半导体器件结构40和沉积在图形化衬底30上的牺牲层，其特征在于，所述牺牲层为第一半导体层20，所述蚀刻阻挡层的第一极性反转层11沉积在所述第一半导体层20上表面，所述半导体器件结构40沉积在所述蚀刻阻挡层的第二极性反转层13的上表面。
所述第一半导体层20为氮化镓，其下表面为氮极性面，上表面为镓极性面；所述第一极性反转层11为含镁的氮化物；所述第二半导体层12为氮化镓，其下表面为镓极性面，上表面为氮极性面；所述第二极性反转层13为含镁的氮化物。
所述第一极性反转层11和第二极性反转层13均为含镁的氮化镓。
一种外延片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1)、生成牺牲层：在图形化衬底30上生长第一半导体层20，作为牺牲层；
步骤2)、生成蚀刻阻挡层：在第一半导体层20上沉积第一极性反转层11，在第一极性反转层11上沉积第二半导体层12，在第二半导体层12上沉积第二极性反转层13，第一极性反转层11、第二半导体层12和第二极性反转层13共同构成蚀刻阻挡层结构；
步骤3)、外延生长半导体器件结构40：在第二极性反转层13上沉积半导体器件结构40，至此完成外延片的制作。
所述图形化衬底30为蓝宝石衬底。
所述第一半导体层20为氮化镓，其下表面为氮极性面，上表面为镓极性面；所述第一极性反转层11为含镁的氮化物；所述第二半导体层12为氮化镓，其下表面为镓极性面，上表面为氮极性面；所述所述第二极性反转层13为含镁的氮化物。
所述的制作方法，其步骤如下：
步骤1)、生成牺牲层：将图形化衬底30放入MOCVD设备，通入氢气和氨气，升温到1000℃，然后通入三甲基镓，在图形化衬底30的顶部进行三维氮化镓外延层的生长，厚度约2微米；然后，升高温度到1050℃，进行氮化镓的生长，完成氮化镓横向外延层的生长，厚度约3微米，停止通入三甲基镓，在图形化衬底30上生长第一半导体层20作为牺牲层；
步骤2)、生成蚀刻阻挡层：降低温度到980℃，然后再通入三甲基镓和二茂镁，进行掺杂镁的氮化镓层生长，生长厚度约100纳米，停止通入三甲基镓和二茂镁，在第一半导体层20上沉积第一极性反转层11；升高温度到1050℃，通入三甲基镓，进行氮化镓外延层生长，生长厚度约1000纳米，停止通入三甲基镓，在第一极性反转层11上沉积第二半导体层12；降低温度到980℃，然后再通入三甲基镓和二茂镁，进行掺杂镁的氮化镓层生长，生长厚度约100纳米，停止通入三甲基镓和二茂镁，在第二半导体层12上沉积第二极性反转层13；第一极性反转层11、第二半导体层12和第二极性反转层13共同构成蚀刻阻挡层结构；
步骤3)、外延生长半导体器件结构40：在第二极性反转层13上依次生长n型氮化镓层、氮化铟镓/氮化镓超晶格、氮化铟镓/氮化镓多量子阱层、氮化铝镓电子阻挡层、p型氮化镓层，完成半导体器件结构40的沉积，至此完成外延片的制作。
本发明方法制作的外延片连同蓝宝石衬底，放入氢氧化钾化学蚀刻溶液中，进行化学蚀刻，氢氧化钾溶液的质量百分比为50％。氢氧化钾蚀刻溶液通过衬底与氮化镓横向生长层之间的空腔流入结构内部，进行氮极性氮化镓面的化学腐蚀。经过大约2小时的化学蚀刻，实现氮化镓基半导体发光器件与蓝宝石衬底的分离。
氮化镓基蓝光半导体发光器件与蓝宝石衬底的分离后，采用电感耦合等离子(ICP)对剥离后的氮化镓器件表面进行蚀刻，去除由氮化镓组成的第一极性反转层11、第二半导体层12和第二极性反转层13共同构成的蚀刻阻挡层。
综上所述，本发明形成了一种具有蚀刻阻挡层的外延片结构，该蚀刻阻挡层起到防止化学剥离过程化学蚀刻液对半导体发光器件的过腐蚀，避免了在化学剥离过程对半导体器件结构的损伤。
以上实施例仅供阐述本发明之用，而非对本发明的限制。有关技术领域的技术人员在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以作出各种变换或变化。因此，所有等同的技术方案也应该属于本发明的范围，应由各权利要求限定。
Claims (7)
1.一种蚀刻阻挡层结构，其特征在于，其由第一极性反转层、沉积在第一极性反转层上表面的第二半导体层及沉积在所述第二半导体层上表面的第二极性反转层组成；所述第一极性反转层为含镁的氮化物；所述第二半导体层为氮化镓，其下表面为镓极性面，上表面为氮极性面；所述第二极性反转层为含镁的氮化物。
2.根据权利要求1所述的蚀刻阻挡层结构，其特征在于，所述第一极性反转层和第二极性反转层均为含镁的氮化镓。
3.一种包含权利要求1至2中任意一项所述的蚀刻阻挡层结构的外延片，包括半导体器件结构和沉积在图形化衬底上的牺牲层，其特征在于，所述牺牲层为第一半导体层，所述蚀刻阻挡层的第一极性反转层沉积在所述第一半导体层上表面，所述半导体器件结构沉积在所述蚀刻阻挡层的第二极性反转层的上表面；所述第一半导体层为氮化镓，其下表面为氮极性面，上表面为镓极性面；所述第一极性反转层为含镁的氮化物；所述第二半导体层为氮化镓，其下表面为镓极性面，上表面为氮极性面；所述第二极性反转层为含镁的氮化物。
4.根据权利要求3所述的外延片，其特征在于，所述第一极性反转层和第二极性反转层均为含镁的氮化镓。
5.一种外延片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1）、生成牺牲层：在图形化衬底上生长第一半导体层，作为牺牲层；
步骤2）、生成蚀刻阻挡层：在第一半导体层上沉积第一极性反转层，在第一极性反转层上沉积第二半导体层，在第二半导体层上沉积第二极性反转层，第一极性反转层、第二半导体层和第二极性反转层共同构成蚀刻阻挡层结构；
步骤3）、外延生长半导体器件结构：在第二极性反转层上沉积半导体器件结构，至此完成外延片的制作；
所述第一半导体层为氮化镓，其下表面为氮极性面，上表面为镓极性面；所述第一极性反转层为含镁的氮化物；所述第二半导体层为氮化镓，其下表面为镓极性面，上表面为氮极性面；所述第二极性反转层为含镁的氮化物。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述图形化衬底为蓝宝石衬底。
7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，其步骤如下：
步骤1）、生成牺牲层：将图形化衬底放入MOCVD设备，通入氢气和氨气，升温到1000℃，然后通入三甲基镓，在图形化衬底的顶部进行三维氮化镓外延层的生长，厚度2微米；然后，升高温度到1050℃，进行氮化镓的生长，完成氮化镓横向外延层的生长，厚度3微米，停止通入三甲基镓，在图形化衬底上生长第一半导体层作为牺牲层；
步骤2）、生成蚀刻阻挡层：降低温度到980℃，然后再通入三甲基镓和二茂镁，进行掺杂镁的氮化镓层生长，生长厚度100纳米，停止通入三甲基镓和二茂镁，在第一半导体层上沉积第一极性反转层；升高温度到1050℃，通入三甲基镓，进行氮化镓外延层生长，生长厚度1000纳米，停止通入三甲基镓，在第一极性反转层上沉积第二半导体层；降低温度到980℃，然后再通入三甲基镓和二茂镁，进行掺杂镁的氮化镓层生长，生长厚度100纳米，停止通入三甲基镓和二茂镁，在第二半导体层上沉积第二极性反转层；第一极性反转层、第二半导体层和第二极性反转层共同构成蚀刻阻挡层结构；
步骤3）、外延生长半导体器件结构：在第二极性反转层上依次生长n型氮化镓层、氮化铟镓/氮化镓超晶格、氮化铟镓/氮化镓多量子阱层、氮化铝镓电子阻挡层、p型氮化镓层，完成半导体器件结构的沉积，至此完成外延片的制作。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711243780.2A CN108023001B (zh) | 2017-11-30 | 2017-11-30 | 蚀刻阻挡层结构、含其的外延片及该外延片的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711243780.2A CN108023001B (zh) | 2017-11-30 | 2017-11-30 | 蚀刻阻挡层结构、含其的外延片及该外延片的制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108023001A CN108023001A (zh) | 2018-05-11 |
| CN108023001B true CN108023001B (zh) | 2020-03-10 |
Family
ID=62078032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711243780.2A Active CN108023001B (zh) | 2017-11-30 | 2017-11-30 | 蚀刻阻挡层结构、含其的外延片及该外延片的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108023001B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109742205B (zh) * | 2019-01-07 | 2020-05-29 | 江西乾照光电有限公司 | 一种具有极性反转层的led外延结构及制作方法 |
| CN111081531B (zh) * | 2019-10-30 | 2022-03-18 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 外延层剥离方法 |
| US12094958B2 (en) | 2019-12-05 | 2024-09-17 | Enkris Semiconductor, Inc. | Semiconductor structures and manufacturing methods thereof |
| CN111628055B (zh) * | 2020-04-20 | 2021-08-17 | 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司 | AlGaN基紫外LED外延层及其剥离方法 |
| US12451349B2 (en) * | 2020-08-24 | 2025-10-21 | Enkris Semiconductor, Inc. | Semiconductor manufacturing method using sacrificial layer etching for doping concentration reduction |
| CN112992737B (zh) * | 2021-02-08 | 2023-03-10 | 广东省科学院半导体研究所 | 晶圆级芯片的可转移结构及其转移方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101661985A (zh) * | 2009-09-18 | 2010-03-03 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种垂直结构氮化镓基发光二极管制作方法 |
| CN106531614A (zh) * | 2016-09-29 | 2017-03-22 | 北京科技大学 | 一种在蓝宝石衬底上生长具有不同极性GaN结构的方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI352434B (en) * | 2002-12-11 | 2011-11-11 | Ammono Sp Zoo | A substrate for epitaxy and a method of preparing |
| CN104835893B (zh) * | 2015-05-29 | 2017-06-13 | 东南大学 | 基于金属氮化物半导体的氮极性面发光二极管及制备方法 |
| CN105826440B (zh) * | 2016-05-25 | 2019-01-15 | 天津三安光电有限公司 | 氮化镓基发光二极管及其制备方法 |
| CN106847668A (zh) * | 2017-01-19 | 2017-06-13 | 北京科技大学 | 一种在Ga‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法 |
| CN106783551A (zh) * | 2017-01-19 | 2017-05-31 | 北京科技大学 | 一种在N‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法 |
-
2017
- 2017-11-30 CN CN201711243780.2A patent/CN108023001B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101661985A (zh) * | 2009-09-18 | 2010-03-03 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种垂直结构氮化镓基发光二极管制作方法 |
| CN106531614A (zh) * | 2016-09-29 | 2017-03-22 | 北京科技大学 | 一种在蓝宝石衬底上生长具有不同极性GaN结构的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108023001A (zh) | 2018-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108023001B (zh) | 蚀刻阻挡层结构、含其的外延片及该外延片的制作方法 | |
| CN102308370B (zh) | 外延晶片、氮化镓系半导体器件的制作方法、氮化镓系半导体器件及氧化镓晶片 | |
| CN103137446B (zh) | 硅衬底上氮化镓生长方法 | |
| CN107275187B (zh) | 自支撑氮化镓层及其制备方法、退火方法 | |
| CN106653970B (zh) | 一种发光二极管的外延片及其生长方法 | |
| US20150349064A1 (en) | Nucleation and buffer layers for group iii-nitride based semiconductor devices | |
| CN107195736B (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法 | |
| US20080296626A1 (en) | Nitride substrates, thin films, heterostructures and devices for enhanced performance, and methods of making the same | |
| WO2017088546A1 (zh) | 发光二极管及其制作方法 | |
| CN105826440A (zh) | 氮化镓基发光二极管及其制备方法 | |
| US9287366B2 (en) | III nitride semiconductor device and method of producing the same | |
| US9515146B2 (en) | Nitride semiconductor layer, nitride semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor layer | |
| JP5465295B2 (ja) | 化合物半導体装置、およびその製造方法 | |
| KR101354491B1 (ko) | 고효율 발광다이오드 제조방법 | |
| CN109545918B (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN105552178A (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法 | |
| KR101245509B1 (ko) | 다공성 기판의 제조 및 이에 의한 발광다이오드 제조 방법 | |
| CN107004724A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
| CN101110394B (zh) | 具有低缺陷的半导体衬底及其制造方法 | |
| CN101276864A (zh) | 发光元件 | |
| WO2012090254A1 (ja) | ｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層とのオーミック接触用の電極とその製造方法 | |
| CN106449375A (zh) | 含有硅掺杂氮化铝层的半导体器件及其制造方法 | |
| CN107123590B (zh) | 半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 | |
| JP2016015374A (ja) | 半導体積層構造体及び半導体素子 | |
| CN108550674A (zh) | 一种可增强空穴注入的发光二极管及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220812 Address after: 330000 No. 1717, Tianxiang North Avenue, Nanchang high tech Industrial Development Zone, Nanchang City, Jiangxi Province Patentee after: JIANGXI ZHAOCHI SEMICONDUCTOR Co.,Ltd. Address before: 430072 Hubei Province, Wuhan city Wuchang District of Wuhan University Luojiashan Patentee before: WUHAN University |
|
| TR01 | Transfer of patent right |