CN106409786A - 一种双向esd防护二极管的dfn封装结构及制造方法 - Google Patents

Abstract

常规双向ESD防护二极管的芯片电极一个从正面引出，一个从背面引出，DFN封装时，芯片背面和框架用银胶连接，正面打金属线连接，常规结构的局限性是芯片尺寸要小于框架尺寸，芯片需要减薄至150微米以下，且背面需要金属化，此发明所使用的双向ESD防护二极管的芯片，其两个电极可以都从正面引出，两个电极都通过银胶和框架连接，芯片只需要使用单晶片制造，不再用外延片，降低成本；芯片厚度只需做到200微米，降低碎片率；背面无需金属化，减少工艺；芯片尺寸可以是原来的1.5‑2倍，给超低电容芯片、更强抗浪涌能力芯片提供了更多的设计空间。

Description

一种双向ESD防护二极管的DFN封装结构及制造方法

技术领域

本发明属于一种DFN封装的制造，适用于双向ESD防护二极管芯片的DFN封装。

背景技术

半导体电路集成度不断提高，ESD防护二极管的封装尺寸也随之变小，从原来的SOD523、SOD723到SOD923，再到DFN1006、DFN0603、 DFN0201，乃至将来的CSP封装，封装尺寸不断在缩小，但是对ESD防护二极管的性能要求却越来越高，抗浪涌能力，低电容，低电压等等参数标准不断提升，怎么样在更小的芯片上实现更强大的功能逐渐成为难题，由于最开始的ESD防护二极管是用在SOD523，SOD723封装上的，发展到后来，DFN封装仍然延续了SOD封装的工艺，即背面银胶连接，正面打金属线连接，目的是不改变最开始芯片的设计。随着封装尺寸变的越来越小，当到达DFN0603封装时，打线工艺已经占去了1/4的封装体高度空间，产生很多工艺上的难题，芯片厚度需要做到小于100微米，芯片尺寸也要做到小于200微米×200微米，芯片的成品率下降，封装的成品率同时也在下降，本发明的封装结构，两个芯片电极可以都是从正面引出，两个电极都通过银胶和框架连接，抛弃了正面打线工艺，芯片厚度只需做到200微米，而且省去了背面金属化，此结构提升了芯片成品率，提升了封装成品率，减少了芯片制造工艺，最重要的是芯片尺寸可以是原来的1.5-2倍，为超低电容产品、更强抗浪涌能力产品提供更大的芯片设计空间。

发明内容

1、一种双向ESD防护二极管的DFN封装结构，其结构包括：DFN框架上（105）连接银胶（104），银胶连接芯片电极（103），两个芯片电极都是从芯片（102）正面引出，芯片厚度小于200微米。

2、一种双向ESD防护二极管的DFN封装的制造方法，其方法包括：

A、将晶圆芯片通过划片切割成单个芯片，然后通过倒片使芯片正面与蓝膜粘接；

B、使用点胶机和固晶机，将芯片与框架通过银胶连接，然后固化银胶；

C、使用塑封机将载有芯片的框架塑封；

D、将塑封后裸露在外部的框架表面通过电镀，镀上银或者金；

E、将整个电镀好的塑封模块切割成单个的DFN封装体。

附图说明

图1是双向ESD防护二极管的DFN封装的截面图。

编号说明

101：DFN封装体；

102：双向ESD防护二极管芯片，厚度小于200微米；

103：芯片电极，金属，一般情况下是铝或者银，不局限于铝和银；

104：银胶，导电的胶状物，内含有银粉成分，高温固化；

105：框架，金属，一般情况下是铜，不局限于铜。

具体实施方式

1．芯片划片及倒片，芯片背面贴蓝膜，用划片机将整个的晶圆芯片，切割成单个芯片，切割完成后，用倒片机，将蓝膜上的芯片倒到另外一张蓝膜上，此时芯片的正面与蓝膜接触。

2．芯片与框架连接，用点胶机将银胶点到框架上，固晶机将单个芯片从蓝膜上取下，放在银胶上，芯片电极和银胶连接，进入固化炉固化。

3．塑封，将载有芯片的框架，放入塑封机进行塑封。

4．电镀，将漏在外部的框架电镀，一般镀银或者金。

5．塑封切割，将整个塑封模块切割成单个的DFN封装体。

6．测试包装。

通过上述实施例阐述了本发明，同时也可以采用其它实施例实现本发明，本发明不局限于上述具体实施例，因此本发明由所附权利要求范围限定。

Claims (2)

1.一种双向ESD防护二极管的DFN封装结构，其结构包括：DFN封装体（101）的框架（105）上连接银胶（104），银胶连接芯片电极（103），两个芯片电极都是从芯片（102）正面引出，芯片厚度小于200微米。

2.一种双向ESD防护二极管的DFN封装的制造方法，其方法包括：

A、将晶圆芯片通过划片切割成单个芯片，然后通过倒片使芯片正面与蓝膜粘接；

B、使用点胶机和固晶机，将芯片与框架通过银胶连接，然后固化银胶；

C、使用塑封机将载有芯片的框架塑封；

D、将塑封后裸露在外部的框架表面通过电镀，镀上银或者金；

E、将整个电镀好的塑封模块切割成单个的DFN封装体。