CN112968006A - 一种无框架超薄正面引出tvs芯片封装结构 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种无框架超薄正面引出TVS芯片封装结构，包括芯片、引线、导电胶层、框架及封装体，芯片为横向结构，其引出电极位于芯片的正面，引线设有一对，并分别键合于芯片的引出电极上，导电胶层的内端粘接于铜线末端，框架设有一对，各框架与导电胶层的外端粘接，封装体包裹于芯片、引线、导电胶层及框架外部，框架末端从封装体中露出；引线采用铜线充任，并通过热声焊接键合于芯片的引出电极上；导电胶层采用导电银胶成型；封装体采用环氧树脂模塑料成型。采用该封装结构封装的芯片不再是纵向的结构，而是横向结构，电性连接都在晶圆的正面，具有简化工艺流程，提高生产效果，降低成本的作用，同时可以最大地发挥芯片性能。

Description

一种无框架超薄正面引出TVS芯片封装结构

技术领域

本发明涉及瞬态电压抑制器，尤其涉及一种无框架超薄正面引出TVS芯片封装结构。

背景技术

封装是把硅片上的电路管脚用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接，不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。目前封装瞬态电压抑制器(TVS)产品的芯片时候上下纵向结构的，需要对芯片的正面和背面同时进行电性连接，封装工艺较为复杂，例如减薄背金是一个工艺比较难控制的环节，容易造成碎片和背金脱落，打线需要专业的打线设备，由于打线要求精度非常高，所以设备非常昂贵，总体效率也不高，使得生产效率低，成本高。因此，有必要对这种TVS芯片进行结构优化，以克服上述缺陷。

发明内容

本发明的目的是提供一种无框架超薄正面引出TVS芯片封装结构，以降低生产成本，提高生产效率。

本发明为解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种无框架超薄正面引出TVS芯片封装结构，包括：

芯片，该芯片为横向结构，其引出电极位于芯片的正面；

引线，该引线设有一对，并分别键合于芯片的引出电极上；

导电胶层，该导电胶层的内端粘接于铜线末端；

框架，该框架设有一对，各框架与导电胶层的外端粘接；

封装体，该封装体包裹于芯片、引线、导电胶层及框架外部，框架末端从封装体中露出。

具体地，引线采用铜线充任，并通过热声焊接键合于芯片的引出电极上。

进一步，导电胶层采用导电银胶成型。

进一步，封装体采用环氧树脂模塑料成型。

本发明的优点在于：

采用该封装结构封装的芯片不再是纵向的结构，而是横向结构，电性连接都在晶圆的正面，具有简化工艺流程，提高生产效果，降低成本的作用，同时可以最大地发挥芯片性能。

附图说明

图1是本发明提出的无框架超薄正面引出TVS芯片封装结构的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，本发明提出的无框架超薄正面引出TVS芯片封装结构包括芯片100、引线200、导电胶层300、框架400及封装体500，芯片为横向结构，其引出电极位于芯片的正面，引线设有一对，并分别键合于芯片的引出电极上，导电胶层的内端粘接于铜线末端，框架设有一对，各框架与导电胶层的外端粘接，封装体包裹于芯片、引线、导电胶层及框架外部，框架末端从封装体中露出。在本实施例中，引线采用铜线充任，并通过热声焊接键合于芯片的引出电极上。在本实施例中，导电胶层采用导电银胶成型。在本实施例中，封装体采用环氧树脂模塑料成型。

目前影响封装效率和成本的主要是芯片的减薄背金、打线和测试包装上，本方案在减薄背金和打线工序做了优化设计，不需要前期对晶圆进行减薄背金，减薄背金是一个工艺比较难控制的环节，容易造成碎片和背金脱落，打线需要专业的打线设备，由于打线要求精度非常高，所以设备非常昂贵，总体效率也不高。本方案采用晶圆厂的工艺，厚片加工，直接在厚片上进行光刻涨一层金属层，20～30μm，然后塑封，磨片和进行第二次电镀连接层，以及第三次电镀焊盘；最后切割测试包装，完成封装。具体为：晶圆涨金属层→切割→第一次塑封→磨片→电镀金属层→第二次塑封→磨片→电镀引脚层→切割→丝印→测试包装。

采用该方法可提高生产效率，正常减薄背金的周期大概是2周，打线预计1周，本方案预计节省时间2周，整个产品的封装周期有6周优化到4周，遇到产能紧张时，效果更佳明显；降低成本，本方案取消的减薄背金和打线工艺流程，预计降低产品成本20％；提高良率，减薄背金和上芯打线都是比较容易造成报废的生产环节，本专利利用晶圆工艺精度更好，良率可达99.5％以上。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，“设置”、“连接”等术语应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

Claims (4)

1.一种无框架超薄正面引出TVS芯片封装结构，其特征在于，包括：

芯片，该芯片为横向结构，其引出电极位于芯片的正面；

引线，该引线设有一对，并分别键合于芯片的引出电极上；

导电胶层，该导电胶层的内端粘接于铜线末端；

框架，该框架设有一对，各框架与导电胶层的外端粘接；

封装体，该封装体包裹于芯片、引线、导电胶层及框架外部，框架末端从封装体中露出。

2.根据权利要求1所述的一种无框架超薄正面引出TVS芯片封装结构，其特征在于：

引线采用铜线充任，并通过热声焊接键合于芯片的引出电极上。

3.根据权利要求1所述的一种无框架超薄正面引出TVS芯片封装结构，其特征在于：

导电胶层采用导电银胶成型。

4.根据权利要求1所述的一种无框架超薄正面引出TVS芯片封装结构，其特征在于：

封装体采用环氧树脂模塑料成型。

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