CN105819703A - 一种具有消影功能的电容式触摸屏用导电玻璃的制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种具有消影功能的电容式触摸屏用导电玻璃的制备方法,其步骤为:电子级玻璃的选择、玻璃基片切割、玻璃自动磨边、清洗、磨边检验、清洗、检验、主机上片、加热、利用磁控溅射镀膜机镀二氧化硅阻挡膜、利用磁控溅射镀膜机镀氧化铟锡膜、利用磁控溅射镀膜机镀五氧化二钽膜和碳化硅消影膜、冷却、主机卸片、氧化铟锡膜性能测试。所制备的导电玻璃具有低的方阻、面电阻均匀性好、高的光透过率和短的刻蚀时间、玻璃双面镀膜、多层膜连续镀膜、导电玻璃具有消影功能,提高生产效率,降低成本,所制备的导电玻璃能广泛的应用于高端智能型电容式触摸屏中。
Description
技术领域
本发明涉及导电玻璃技术领域,尤其涉及一种具有消影功能的电容式触摸屏用导电玻璃的制备方法。
背景技术
触摸屏是一种特殊的传感器,可以广泛应用于手机、MP3、MP4、数码相机、游戏机、个人电子导航仪、家电、信息查询系统等几乎所有的需要人机对话的显示器上。触摸屏统一了触觉和视觉,使人机交互更加直观、便携,开启一场人机交互方式的革命。同时,它也为电子产品的个性化设计打开了新的空间,是电子产品个性化的春风。目前,各种触摸屏技术的竞争格局是:中小尺寸领域电阻式和电容式占主导,大尺寸领域多种技术并存。但从长期发展趋势来看,电阻式触摸屏由于在使用寿命和透光率上存在先天不足,未来被其它技术替代是必然的,电容式触摸屏是发展趋势。普通玻璃是绝缘材料,通过在其表面镀上一层导电膜(氧化铟锡,IndiumTinOxide,简称:ITO),即可使其具备导电性能,这就是导电玻璃。氧化铟锡(Indium-TinOxide)透明导电膜玻璃,多通过ITO导电膜玻璃生产线,在高度净化的厂房环境中,利用平面磁控技术,在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。电容式触摸屏的主要原材料是高性能的多层膜双面镀膜的导电玻璃,目前导电玻璃不能满足要求,要么电阻不符合要求,要么电阻的均匀性不好,要么透光率太低等,同时不具有消影功能;因此,有必要对高性能具有消影功能的多层膜双面镀膜的导电玻璃进行研究,高性能多层膜双面镀膜的导电玻璃是发展趋势,具有广阔的市场前景。
发明内容
本发明的目的是这样来实现的:
本发明的目的在于提供一种具有消影功能的电容式触摸屏用导电玻璃的制备方法,主要是解决现有技术中电容触摸屏无法兼顾氧化铟锡的消影和方阻值的效果,以及生产效率低的问题。
一种具有消影功能的电容式触摸屏用导电玻璃的制备方法,其步骤为:采用磁控溅射镀膜机,利用电子级玻璃、二氧化硅靶材、氧化铟锡靶材、钽靶材和碳化硅靶材为原料,电子级玻璃的选择、玻璃基片切割、玻璃自动磨边、清洗、磨边检验、清洗、检验、主机上片、加热、利用磁控溅射镀二氧化硅阻挡膜、利用磁控溅射镀氧化铟锡膜、利用磁控溅射镀五氧化二钽膜和碳化硅消影膜、冷却、主机卸片、氧化铟锡膜性能测试。
进一步的,在所述玻璃基片上沉积一层二氧化硅膜之前,先将所述玻璃基片清洗,烘干。
具体地,利用磁控溅射镀二氧化硅阻挡膜的工艺参数为:镀膜温度为:200~320℃,镀膜室传动节拍为100~120秒,使用3个硅靶,氧气流量为90~130Sccm,氩气流量为180~220Sccm,真空度为3.0×10-1Pa~4.5×10-1Pa之间,总气压为0.4~0.45Pa,所述硅靶的溅射功率为1200~1350瓦;所述的二氧化硅膜的厚度为20~60nm。
进一步的,利用磁控溅射镀氧化铟锡膜的工艺参数为:镀膜温度范围为280~320℃;镀膜室传动节拍为90~120秒,使用2个氧化铟锡靶,氧气流量为90~130Sccm,氩气流量为180~220Sccm,真空度为3.0×10-1Pa~4.5×10-1Pa之间,总气压为0.4~0.45Pa,所述氧化铟锡靶的溅射功率为8000~8600瓦。所述的氧化铟锡膜的厚度为15~120nm。
进一步的,利用磁控溅射镀五氧化二钽膜的工艺参数为:镀膜温度为:250~280℃,镀膜室传动节拍为100~150秒;使用2个钽靶,溅射功率为1300瓦~1800瓦,氧气流量为100~150Sccm、氩气流量为200~250Sccm,真空度为3.0×10-1Pa~4.5×10-1Pa之间,总气压为0.4~0.45Pa。
进一步的,所述的五氧化二钽膜厚度为10~30nm。
进一步的,利用磁控溅射镀碳化硅消影膜的工艺参数为:采用磁控溅射镀膜机进行,镀膜温度为:200~250℃,镀膜室传动节拍为100~150秒;使用2个碳化硅靶,溅射功率为1200瓦~1600瓦,氮气流量为90~130Sccm、氩气流量为200~250Sccm,真空度为3.0×10-1Pa~4.5×10-1Pa之间,总气压为0.4~0.45Pa。所述的碳化硅膜厚度为30~60nm。
本发明与现有技术相比,具有如下优点:
1、所制备的导电玻璃的具有如下很好的性能:方阻为60~100Ω/□,透过率大于等于90%,刻蚀时间小于等于30秒,方电阻均匀性好。
2、本专利的导电玻璃的性能很容易调节,以满足系列高端智能型电容式触摸屏的要求。
3、本专利的导电玻璃具有很好的消影功能。
4、利用磁控溅射镀膜机镀二氧化硅阻挡膜、利用磁控溅射镀膜机镀氧化铟锡膜、利用磁控溅射镀膜机镀五氧化二钽膜和碳化硅消影膜的过程是在磁控溅射镀膜机中连续进行,同时在玻璃双面进行镀膜,大大提高生产效率,降低成本。
5、本专利的导电玻璃制作简便,符合市场需求,生产成本低,竞争力强。
具体实施例
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。
本发明提供的一种具有消影功能的电容式触摸屏用导电玻璃的制备方法是:采用磁控溅射法,利用电子级玻璃、二氧化硅靶材、氧化铟锡靶材、五氧化二铌和碳化硅靶材为原料,电子级玻璃的选择、玻璃基片切割、玻璃自动磨边、清洗、磨边检验、清洗、检验、主机上片、加热、利用磁控溅射镀二氧化硅阻挡膜、利用磁控溅射镀氧化铟锡膜、利用磁控溅射镀五氧化二钽和碳化硅消影膜、冷却、主机卸片、特殊的表面处理、氧化铟锡膜性能测试。如此,通过将二氧化硅膜、氧化铟锡膜、碳化硅膜依次重叠布置在玻璃底板上,从而在保证氧化铟锡膜方阻值的基础上,实现较好的消影效果,制作简便,符合市场要求,提高产品的市场竞争力。
具体地,在玻璃上沉积一层二氧化硅膜之前,先将玻璃经过处理加工(电子级玻璃的选择、玻璃基片切割、玻璃自动磨边、清洗、磨边检验、清洗、检验)。将经过处理的玻璃置于磁控溅射镀膜机中,采用磁控溅射镀膜机进行,将镀膜温度设置为:200~320℃,镀膜室传动节拍为100~120秒,使用3个硅靶,氧气流量为90~130Sccm,氩气流量为180~220Sccm,真空度为3.0×10-1Pa~4.5×10-1Pa之间,总气压为0.4~0.45Pa,所述硅靶的溅射功率为1200-1350瓦。于玻璃上沉积一层厚度为20~60nm的二氧化硅膜,作为底层。优先地,沉积二氧化硅膜的厚度为20nm。二氧化硅膜可以阻止玻璃中的钠离子扩散,并且可以增加下一道膜层与玻璃之间的附着力。
然后,在上述二氧化硅膜上通过磁控溅射沉积一层氧化铟锡膜,作为导电膜层,这样可在氧化铟锡膜上制作用于显示图像的线路,作为电容触摸屏的基础。采用磁控溅射镀膜机进行,镀膜温度范围设置为280~320℃;镀膜室传动节拍为90~120秒,使用2个氧化铟锡靶,氧气流量为90~130Sccm,氩气流量为180~220Sccm,真空度为3.0×10-1Pa~4.5×10-1Pa之间,总气压为0.4~0.45Pa,所述氧化铟锡靶的溅射功率为8000~8600瓦。沉积的的氧化铟锡膜的厚度为15~120nm。优先地,沉积氧化铟锡膜的厚度为30nm。氧化铟锡膜沉积于二氧化硅膜的上面。
然后,在氧化铟锡膜上镀上一层五氧化二钽膜,作为消影的初步作用,采用磁控溅射镀膜机进行,设置镀膜温度为:250~280℃,镀膜室传动节拍为100~150秒;使用2个钽靶,溅射功率为1300瓦~1800瓦,氧气流量为100~150Sccm、氩气流量为200~250Sccm,真空度为3.0×10-1Pa~4.5×10-1Pa之间,总气压为0.4~0.45Pa。沉积的五氧化二钽膜厚度为10~30nm。优先地,沉积五氧化二钽膜的厚度为20nm。
最后,为了进一步改善消影功能,在五氧化二钽膜上镀设一层碳化硅膜上,也作为消影层,这样,氧化铟锡膜上的刻蚀线看起来就不明显,视觉效果更好。采用磁控溅射镀膜机进行,镀膜温度为:200~250℃,镀膜室传动节拍为100~150秒;使用2个碳化硅靶,溅射功率为1200瓦~1600瓦,氮气流量为90~130Sccm、氩气流量为200~250Sccm,真空度为3.0×10-1Pa~4.5×10-1Pa之间,总气压为0.4~0.45Pa。沉积的碳化硅厚度为30~60nm。优先地,沉积碳化硅膜的厚度为40nm。
因此,制作出的高端智能型电容式触摸屏用导电玻璃的性能和特点如下:方阻为60~100Ω/□,透过率大于等于90%,刻蚀时间小于等于30秒,方电阻均匀性好。本专利的导电玻璃的性能很容易调节,以满足系列高端智能型电容式触摸屏的要求。本专利的导电玻璃具有很好的消影功能。镀多层膜是在磁控溅射机中连续进行,双面镀膜,大大提高生产效率,降低成本,本专利的导电玻璃制作简便,符合市场需求,竞争力强。
以上所述仅为本发明专利的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种具有消影功能的电容式触摸屏用导电玻璃的制备方法,其特征在于:所用的导电玻璃采用如下方法逐步制备:
第一步骤,进行电子级玻璃的选择、玻璃基片切割、玻璃自动磨边、清洗、磨边检验、清洗、检验、主机上片、进行加热;
第二步骤,利用磁控溅射镀膜机镀二氧化硅阻挡膜;然后,再次利用磁控溅射镀膜机镀氧化铟锡膜使得氧化铟锡膜沉积在二氧化硅膜的表面,这样可在氧化铟锡膜上制作用于显示图像的线路,作为电容触摸屏的基础;进一步的,采用磁控溅射镀膜在氧化铟锡膜上镀上一层五氧化二钽膜,作为消影的初步作用;进一步的,为改善消影功能,在五氧化二钽膜上镀设一层碳化硅膜上,也作为消影层,以利于氧化铟锡膜上的刻蚀线看起来不明显,视觉效果更好;
第三步骤,进行冷却、主机卸片、氧化铟锡膜性能测试。
2.如权利要求1所述的一种具有消影功能的电容式触摸屏用导电玻璃的制备方法,其特征在于:所述的导电玻璃具有如下特性:方阻为60~100Ω/□,透过率大于等于90%,刻蚀时间小于等于30秒,面电阻均匀性好。
3.如权利要求2所述的一种具有消影功能的电容式触摸屏用导电玻璃的制备方法,其特征在于:所述的导电玻璃具有五氧化二钽和碳化硅消影膜,并且具有消影功能。
4.如权利要求3所述的一种具有消影功能的电容式触摸屏用导电玻璃的制备方法,其特征在于:所述的导电玻璃是双面镀膜。
5.如权利要求4所述的一种具有消影功能的电容式触摸屏用导电玻璃的制备方法,其特征在于:所述氧化铟锡膜在镀设一层五氧化二钽膜时,采用磁控溅射镀膜机进行,镀膜温度为:250~280℃,镀膜室传动节拍为100~150秒;使用2个钽靶,溅射功率为1300瓦~1800瓦,氧气流量为100~150Sccm、氩气流量为200~250Sccm,真空度为3.0×10-1Pa~4.5×10-1Pa之间,总气压为0.4~0.45Pa。
6.如权利要求5所述的一种具有消影功能的电容式触摸屏用导电玻璃的制备方法,其特征在于:所述氧化铟锡膜在镀设一层碳化硅膜时,采用磁控溅射镀膜机进行,镀膜温度为:200~250℃,镀膜室传动节拍为100~150秒;使用2个碳化硅靶,溅射功率为1200瓦~1600瓦,氮气流量为90~130Sccm、氩气流量为200~250Sccm,真空度为3.0×10-1Pa~4.5×10-1Pa之间,总气压为0.4~0.45Pa。
7.如权利要求6所述的一种具有消影功能的电容式触摸屏用导电玻璃的制备方法,其特征在于:所述磁控溅射镀膜机镀二氧化硅阻挡膜、利用磁控溅射镀膜机镀氧化铟锡膜、利用磁控溅射镀膜机镀五氧化二钽膜和碳化硅消影膜的过程是在磁控溅射镀膜机中连续进行。
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