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CN104576306A - 膜剥离装置 - Google Patents

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CN104576306A
CN104576306A CN201410363002.7A CN201410363002A CN104576306A CN 104576306 A CN104576306 A CN 104576306A CN 201410363002 A CN201410363002 A CN 201410363002A CN 104576306 A CN104576306 A CN 104576306A
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peeling
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Abstract

一种剥离附着于基底的膜的膜剥离装置包括腔室、传送单元和第一剥离辊。传送单元被设置在腔室中以传送基底。第一剥离辊被设置在腔室中，第一剥离辊的每一个均包括静电吸盘，以吸附附着于基底的第一膜。第一剥离辊卷绕所吸附的第一膜，以从基底剥离第一膜。

Description

膜剥离装置
技术领域
本公开涉及膜剥离装置。更具体地说，本公开涉及能够容易地剥落附着于基底的膜的膜剥离装置。
背景技术
在平板显示装置中，有机发光显示装置自发光来显示图像。有机发光显示装置具有诸如低功耗、快响应速度等优点，因而有机发光显示装置逐渐取代液晶显示器。有机发光显示装置包括设置在每个像素区域中的有机发光二极管，并且有机发光二极管包括阴极、阳极和插入在阴极与阳极之间的有机发光层。
同时，在制造有机发光显示装置的有机发光层时，广泛使用沉积法或激光诱导热成像法。根据激光诱导热成像法，其上形成有机发光层的供体膜被附着到基底，并且激光束被照射到供体膜，从而使有机发光层从供体膜被转印到基底。在有机发光层被转印到基底之后，供体膜被从基底剥落。
发明内容
本公开提供一种能够容易地剥离附着于基底的膜的膜剥离装置。
发明构思的实施例提供了一种剥离附着于基底的膜的膜剥离装置，包括腔室、传送单元和第一剥离辊。传送单元被设置在腔室中以传送基底。第一剥离辊被设置在腔室中，第一剥离辊的每一个均包括静电吸盘，以吸附附着于基底的第一膜。第一剥离辊卷绕所吸附的第一膜，以从基底剥离第一膜。
发明构思的实施例提供了一种剥离附着于基底的膜的膜剥离装置，包括腔室、传送单元和第一剥离辊。传送单元被设置在腔室中以传送基底。第一剥离辊被设置在腔室中，卷绕附着于基底的第一膜，以从基底剥离第一膜。第一剥离辊包括气体喷射部件，以向第一膜喷射气体。
发明构思的实施例提供了一种剥离附着于基底的膜的膜剥离装置，包括腔室、传送单元和第一剥离辊。传送单元被设置在腔室中以传送基底。第一剥离辊被设置在腔室中，并卷绕附着于基底的第一膜，以从基底剥离第一膜。第一剥离辊包括温度控制件。
根据以上，用于剥离附着于基底的供体膜的辊包括静电吸盘，因而供体膜与辊之间的吸附力由静电吸盘所产生的静电力充分地保证。因此，供体膜不被加压到基底，并且即使辊在卷绕供体膜时与基底隔开，辊的旋转力也容易被施加到供体膜，从而易于进行膜剥离工艺。另外，可以防止有机发光层的转印质量由于由辊部分地施加到供体膜和基底的压力而降低。
附图说明
当结合附图考虑时，参照以下详细描述本公开的以上和其它优点将变得更显而易见，附图中：
图1A是示出根据本公开的一示例性实施例的膜剥离装置的视图；
图1B是示出图1A中所示的第一辊的剖视图；
图2是示出图1A中所示的膜剥离装置的操作的视图；
图3是示出根据本公开的另一示例性实施例的膜剥离装置的视图；
图4A是示出根据本公开的另一示例性实施例的膜剥离装置的视图；
图4B是示出图4A中所示的第一辊的剖视图；
图5是示出图4A中所示的膜剥离装置的操作的视图；
图6A是示出根据本公开的另一示例性实施例的膜剥离装置的视图；
图6B是示出图6A中所示的第一辊的剖视图；
图7是示出图6A中所示的第一辊的操作的视图；并且
图8是示出根据本公开的另一示例性实施例的膜剥离装置的视图。
具体实施方式
将理解的是，当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“被连接到”或“被结合到”另一元件或层时，其可以被直接形成在另一元件或层上，被直接连接到或结合到另一元件或层，或者形成有中间元件或中间层。相反，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“被直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。相似的附图标记自始至终指代相似的元件。如本文中所用，术语“和/或”包括相关联的所列项目的一个或多个的任意和所有组合。
将理解的是，虽然术语第一、第二等可在本文中用来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是所描述的元件、部件、区域、层和/或部分不受所使用的术语的限制。术语仅用来区分一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分。因此，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不脱离本公开的教导。
为了易于描述，在本文中可使用诸如“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征相对于另一元件或特征的关系。将理解的是，除了图中描述的方位之外，空间相对术语旨在包含设备在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的设备被翻转，描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将于是被定向为在其它元件或特征“上方”。因此，术语“下方”可以包括上方和下方两种方位。设备可被另外定向(旋转90度或者在其它方位)，并且本文使用的空间相对描述符可以被相应地解释。
本文使用的术语仅用于描述特定的实施例的目的，并不旨在限制发明构思。如本文所用，单数形式的“一”、“某一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确说明。将进一步理解的是，当在申请文件中使用时，术语“包括”和/或“包含”表明存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、和/或部件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本公开所属的技术领域的普通技术人员所通常理解的相同含义。将进一步理解，例如那些在常用字典中定义的术语应该被解释为具有与其在相关领域的背景中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此定义。
下面将参考附图详细解释本发明构思。
图1A是示出根据本公开的一示例性实施例的膜剥离装置的视图，图1B是示出图1A中所示的第一辊的剖视图，并且图2是示出图1A中所示的膜剥离装置的操作的视图。
参考图1A、图1B和图2，膜剥离装置100被用于剥落在制造有机发光显示装置时附着于基底51的膜。详细地说，其上形成有机发光层的供体膜53被附着到基底51的一个表面，密封膜52被附着到基底51的另一表面，以与供体膜53协作而将基底51密封。然后，当在供体膜53上进行激光诱导热成像工艺时，有机发光层从供体膜53被转印到基底51。之后，使用膜剥离装置100进行膜剥离工艺，以从基底51剥落供体膜53和密封膜52。
膜剥离装置100包括腔室C1、设置在腔室C1中的传送单元20、第一剥离辊SR1、第二剥离辊SR2、第一夹持单元G1、第二夹持单元G2、第一驱动单元31和第二驱动单元41。
腔室C1的内部被保持在例如真空的低压中，入口11被形成为贯穿腔室C1的侧壁，并且出口12被形成为贯穿腔室C1的面对该侧壁的另一侧壁。因此，附着有供体膜53和密封膜52的基底51通过入口11被装入腔室C1内，使用膜剥离装置100在基底51上进行膜剥离工艺，并且其上进行了膜剥离工艺的基底51通过出口12被排出到腔室C1的外部。
传送单元20被设置在腔室C1内以传送基底51。传送单元20包括沿传送线TL布置并彼此隔开的多个传送辊。因此，传送辊在相同的方向转动，以沿传送线TL在第一方向D1上传送基底51。传送单元20可包括诸如传送带等的其它传送设备。
第一剥离辊SR1卷绕供体膜53，以将供体膜53从基底51剥落。第一剥离辊SR1包括彼此面对的第一辊R1和第二辊R2，第一辊R1卷绕供体膜53的上表面S1，并且第二辊R2卷绕供体膜53的下表面S2。
第一和第二辊R1和R2被设置成与基底51隔开。第一剥离辊SR1卷绕供体膜53，因此在进行膜剥离工艺的同时供体膜53不会被第一剥离辊SR1加压到基底51上。
第一和第二辊R1和R2中的至少一个可以包括静电吸盘ESC。因此，当进行膜剥离工艺时，第一和第二辊R1和R2在卷绕供体膜53的同时使用由静电吸盘ESC产生的静电力吸附供体膜53。第一和第二辊R1和R2二者都可以是静电吸盘ESC。
在下文中，将作为代表性示例详细描述第一辊R1中的静电吸盘ESC。
第一辊R1包括诸如不锈钢的基底金属和薄介电层。在本示例性实施例中，静电吸盘ESC包括每一个具有第一极性的多个第一磁体90以及每一个具有不同于第一极性的第二极性的多个第二磁体91。此外，第一和第二磁体90和91沿第一辊R1的表面被交替并重复地布置。因此，供体膜53可由静电吸盘ESC与缠绕在第一辊R1周围的供体膜53之间产生的静电力吸附到第一辊R1。第一辊R1的表面涂有薄介电膜95。
如上所述，当第一和第二辊R1和R2卷绕供体膜53，并且供体膜53被由静电吸盘ESC产生的静电力吸附到第一和第二辊R1和R2时，产生以下效果。
通常，随着供体膜53被吸附到第一剥离辊SR1的吸附力变高，第一剥离辊SR1的旋转力可以容易地被传递到供体膜53。其结果是，供体膜53可以被容易地从基底51剥落。但是，当第一剥离辊SR1中的每一个均不包括静电吸盘ESC时，需要第一辊R1朝向基底51对供体膜53加压，以保证吸附力。由于无意中设置在第一辊R1的表面上的硬质异物，高压可能被部分地施加到供体膜53和基底51，因此从供体膜53转印到基底51上的有机发光层的转印质量可能降低。
如果第一和第二辊R1和R2中的至少一个包括静电吸盘ESC，则由静电吸盘ESC产生的静电力可以充分地保证吸附力。因此，不要求供体膜53由第一辊R1加压到基底51来保证吸附力。因此，可以容易地进行膜剥离工艺，并且转印到基底的有机发光层的转印质量不会由于无意中设置在第一辊R1的表面上的硬质异物而降低。第二剥离辊SR2被设置在腔室C1内以面对第一剥离辊SR1，并且基底51被设置在第二剥离辊SR2和第一剥离辊SR1之间。第二剥离辊SR2卷绕密封膜52，以将密封膜52从基底51剥落。第二剥离辊SR2包括第三辊R3和第四辊R4。第三辊R3卷绕密封膜53的一个表面，并且第四辊R4与基底51隔开以卷绕密封膜53的另一表面。第三辊R3可以接触基底的未转印有机发光层的下表面。
第一夹持单元G1被设置在传送线TL上方，以邻近于第一剥离辊SR1。第一夹持单元G1具有夹具来保持由第一剥离辊SR1剥落的供体膜53的端部。另外，第二夹持单元G2被设置在传送线TL下方，以邻近于第二剥离辊SR2。在本示例性实施例中，第二夹持单元G2具有夹具来保持由第二剥离辊SR2剥落的密封膜52的端部。
第一驱动单元31被结合到第一夹持单元G1，以沿第一传送引导件32在第一方向D1和与第一方向相反的第二方向D2上移动第一夹持单元G1。另外，第二驱动单元41被结合到第二夹持单元G2，以沿第二传送引导件42在第一方向D1和第二方向D2上移动第二夹持单元G2。
因此，当具有静电吸盘ESC的第一和第二剥离辊SR1和SR2卷绕供体膜53和密封膜52并且夹持供体膜53和密封膜52的第一和第二夹持单元G1和G2通过第一和第二驱动单元31和41朝第二方向D2移动时，可以更容易地进行膜剥离工艺而不降低有机发光层的转印质量。
另外，由于第一和第二夹持单元G1和G2的移动速度可以通过调节第一和第二驱动单元31和41的驱动力来控制，所以可以控制从基底51剥离供体膜53和密封膜52的速度，以防止转印质量降低。
在本示例性实施例中，密封膜52被附着到基底51的下表面，并且供体膜53被附着到基底51的上表面，但它们不应当限于此或由此限制。也就是说，密封膜52和供体膜53可以被分别附着到基底51的上表面和下表面。在这种情况下，第一剥离辊SR1被布置在基底51下方以卷绕供体膜53，并且第二剥离辊SR2被设置在基底51上方以卷绕密封膜52。
图3是示出根据本公开的另一示例性实施例的膜剥离装置的视图。在图3中，相同的附图标记指代图2中的相同元件，因此相同元件的详细描述将被省略。
参考图3，膜剥离装置101包括第一剥离辊SR1-1和第二剥离辊SR2。第一剥离辊SR1-1包括第一辊R1-1和第二辊R2，并且第一和第二辊R1-1和R2中的至少一个在其中包括静电吸盘ESC(参考图1B)。第一和第二辊R1-1和R2二者都可以包括静电吸盘ESC。
参考图1A，当进行膜剥离工艺时，膜剥离装置100的第一剥离辊SR1被设置为在卷绕供体膜53的同时与基底51隔开。根据图3所示的本示例性实施例，当进行膜剥离工艺时，第一剥离辊SR1-1的第一辊R1-1在借助介于其间的供体膜53与基底51接触的同时卷绕供体膜53。
由于第一和第二辊R1-1和R2中的一个包括静电吸盘，在膜剥离工艺期间，第一和第二辊R1-1和R2可使用静电吸盘吸附供体膜53。因此，供体膜53被吸附到第一剥离辊SR1-1，并且第一剥离辊SR1-1的旋转力可以被容易地施加到供体膜53。因此，虽然当第一辊R1-1卷绕供体膜53时第一辊R1-1借助介于其间的供体膜53与基底51接触，可以消除或显著减少第一辊R1-1朝基底51施加到供体膜53的力。因此，可以防止转印质量因由第一辊R1-1部分施加到供体膜53和基底51的压力而降低。
图4A是示出根据本公开的另一示例性实施例的膜剥离装置的视图，图4B是示出图4A中所示的第一辊的剖视图，并且图5是示出图4A中所示的膜剥离装置的操作的视图。在图4A、图4B和图5中，相同的附图标记指代图1A、图1B和图2中的相同元件，因此相同元件的详细描述将被省略。
参考图4A、图4B和图5，膜剥离装置102包括第一剥离辊SR1-2、第二剥离辊SR2、气体供给单元70和气体管71，并且第一剥离辊SR1-2被设置为与基底51隔开。
第一剥离辊SR1-2包括第一辊R1-2和第二辊R2。第一和第二辊R1-2和R2中的至少一个可包括静电吸盘ESC。第一和第二辊R1-2和R2二者都可以是静电吸盘ESC。
第一辊R1-2可以进一步包括气体喷射部件200，该气体喷射部件200由贯穿第一辊R1-2形成并延伸到第一辊R1-2的表面的多个气体排出部分210限定。
气体喷射部件200被连接到气体供给单元70，以从气体供给单元70接收气体GS。例如，气体通路215沿第一辊R1-2的纵向方向被形成在第一辊R1-2中，并被连接到气体排出部分210。另外，气体通路215通过位于第一辊R1-2的一侧的气体管71被连接到气体供给单元70。因此，当气体供给单元70通过气体管71向气体通路215供给气体GS时，气体GS通过气体排出部分210被排出到第一辊R1-2的外部。
如参考图2所述，当第一和第二剥离辊SR1-2和SR2卷绕供体膜53和密封膜52来进行膜剥离工艺同时第一和第二夹持单元G1和G2夹持供体膜53和密封膜52时，第一辊R1-2卷绕供体膜53的上表面，并且基本上同时使用气体喷射部件200向供体膜53喷射气体GS。
因此，在膜剥离工艺期间，供体膜53可以由从气体喷射部件200排出的气体GS向基底51被均匀地加压。因而从供体膜53转印到基底51的有机发光层的转印质量可以不会由于附着到第一辊R1-2的表面的异物部分施加到基底51和供体膜53的压力而降低。
图6A是示出根据本公开的另一示例性实施例的膜剥离装置的视图，图6B是图6A中所示的第一辊的剖视图，图7是示出图6A中所示的第一辊的操作的视图。
参考图6A、图6B和图7，膜剥离装置103包括第一剥离辊SR1-3、第二剥离辊SR2、流体供给单元80和流体管81。
第一剥离辊SR1-3包括第一辊R1-3和第二辊R2。第一辊R1-3可进一步包括温度控制件220。温度控制件220被设置在第一辊R1-3中，并具有沿第一辊R1-3的表面延伸的管形状。
另外，流体通路216沿第一辊R1-3的纵向方向被形成在第一辊R1-3中，并通过多个连接部分217被连接到温度控制件220。流体通路216可通过位于第一辊R1-3的一侧的流体管81被连接到流体供给单元80。因此，当流体供给单元80通过流体管81向流体通路216供给流体FL时，流体FL通过连接部分217被提供到温度控制件220。
在本示例性实施例中，流体FL可以是冷却水。因此，当流体FL被提供到温度控制件220时，第一辊R1-3的表面可以由流体FL冷却。如上所述，当第一辊R1-3的表面由流体FL冷却时，产生以下效果。
如参考图1A所描述，在进行膜剥离工艺之前，在附着有供体膜53和密封膜52的基底51上进行激光诱导热成像工艺，并且形成在供体膜53上的有机发光层EML被转印到基底51。供体膜53包括基膜F1和形成在基膜F1上的光热转换层F2，并且在激光诱导热成像工艺期间照射到供体膜53的激光束的光能由光热转换层F2转换成热能。因此，光热转换层F2的体积由于热能而增加，使得有机发光层EML接触由设置在基体基底BS上的像素限定层PDL限定的像素区域。其结果是，有机发光层EML可以从供体膜53被转印到基底51。
如果在光热转换层F2没有被冷却并具有增加的体积时进行膜剥离工艺，则光热转换层F2可能部分地接触转印到基体基底BS的有机发光层EML。因此，在膜剥离工艺期间，转印到基底51的有机发光层EML的一部分可能被转印到光热转换层F2。然而，在本示例性实施例中，在膜剥离工艺期间，光热转换层F2被温度控制件220冷却，并且光热转换层F2的体积减小。因此，在光热转换层F2和有机发光层EML之间产生间隙，从而防止了有机发光层EML被再转印到光热转换层F2。
第一和第二辊R1-3和R2中的至少一个可以包括静电吸盘ESC。第一和第二辊R1-3和R2二者都可以是静电吸盘ESC。
第一辊R1-3可以进一步包括如图4A、图4B和图5所公开的由贯穿第一辊R1-3形成并延伸到第一辊R1-3的表面的多个气体排出部分210限定的气体喷射部件200。
图8是示出根据本公开的另一示例性实施例的膜剥离装置的视图。在图8中，相同的附图标记指代图1A、图1B和图2中的相同元件，因此相同元件的详细描述将被省略。
第一和第二辊R1和R2中的至少一个可以包括静电吸盘ESC。第一和第二辊R1和R2二者都可以是静电吸盘ESC。
参考图8，除了膜剥离装置104沿重力方向D3从基底51剥离供体膜53和密封膜52之外，图8中所示的膜剥离装置104具有与图1A中所示的膜剥离装置100相似的结构。
在这种情况下，在膜剥离工艺期间从基底51、密封膜52和供体膜53产生的颗粒沿腔室C1的重力方向D3移动。因此，可以防止颗粒进入在其上完全进行膜剥离工艺的基底51。
尽管已经描述了本发明的示例性实施例，但应理解的是，本发明不应限于这些示例性实施例，本领域普通技术人员可以在随后要求权利的本发明的精神和范围内进行各种改变和修改。

Claims (19)

1.一种剥离附着于基底的膜的膜剥离装置，包括：
腔室；
传送单元，设置在所述腔室中以传送所述基底；和
第一剥离辊，设置在所述腔室中，所述第一剥离辊的每一个均包括静电吸盘以吸附附着于所述基底的第一膜，并且所述第一剥离辊卷绕所吸附的所述第一膜以从所述基底剥离所述第一膜。
2.根据权利要求1所述的膜剥离装置，其中所述第一剥离辊包括：
吸附并卷绕所述第一膜的上表面的第一辊；和
面对所述第一辊的第二辊，使得所述第一膜被设置在所述第一辊与所述第二辊之间，并且所述第二辊卷绕所述第一膜的下表面。
3.根据权利要求2所述的膜剥离装置，其中所述第一剥离辊在卷绕所述第一膜时与所述基底隔开。
4.根据权利要求2所述的膜剥离装置，其中所述第一辊在卷绕所述第一膜时接触所述基底。
5.根据权利要求1所述的膜剥离装置，进一步包括设置在所述腔室中以面对所述第一剥离辊的第二剥离辊，使得所述基底被设置在所述第一剥离辊与所述第二剥离辊之间，其中所述第二剥离辊卷绕与所述第一膜协作而将所述基底密封的第二膜，以从所述基底剥离所述第二膜。
6.根据权利要求5所述的膜剥离装置，进一步包括：
夹持单元，设置在所述腔室中，以分别夹持从所述基底剥离的所述第一膜和所述第二膜；和
驱动单元，结合到所述夹持单元，以在所述腔室中移动所述夹持单元。
7.一种剥离附着于基底的膜的膜剥离装置，包括：
腔室；
传送单元，设置在所述腔室中以传送所述基底；和
设置在所述腔室中的第一剥离辊，所述第一剥离辊卷绕附着于所述基底的第一膜以从所述基底剥离所述第一膜，并且所述第一剥离辊包括气体喷射部件以向所述第一膜喷射气体。
8.根据权利要求7所述的膜剥离装置，其中所述第一剥离辊包括：
卷绕所述第一膜的上表面的第一辊；和
面对所述第一辊的第二辊，使得所述第一膜被设置在所述第一辊与所述第二辊之间，并且所述第二辊卷绕所述第一膜的下表面，
其中所述气体喷射部件被设置在所述第一辊中。
9.根据权利要求8所述的膜剥离装置，其中所述第一剥离辊在卷绕所述第一膜时与所述基底隔开，并且所述第一剥离辊向所述第一膜喷射所述气体。
10.根据权利要求8所述的膜剥离装置，进一步包括连接到所述气体喷射部件以向所述气体喷射部件提供所述气体的气体供给单元，其中所述气体喷射部件由贯穿所述第一辊形成并延伸到所述第一辊的表面的多个气体排出部分限定。
11.根据权利要求8所述的膜剥离装置，进一步包括：
夹持单元，设置在所述腔室中，以分别夹持从所述基底剥离的所述第一膜和所述第二膜；和
驱动单元，结合到所述夹持单元，以在所述腔室中移动所述夹持单元。
12.根据权利要求7所述的膜剥离装置，进一步包括设置在所述腔室中以面对所述第一剥离辊的第二剥离辊，使得所述基底被设置在所述第一剥离辊与所述第二剥离辊之间，其中所述第二剥离辊卷绕与所述第一膜协作而将所述基底密封的第二膜，以从所述基底剥离所述第二膜。
13.一种剥离附着于基底的膜的膜剥离装置，包括：
腔室；
传送单元，设置在所述腔室中以传送所述基底；和
设置在所述腔室中的第一剥离辊，所述第一剥离辊卷绕附着于所述基底的第一膜以从所述基底剥离所述第一膜，并且所述第一剥离辊包括温度控制件。
14.根据权利要求13所述的膜剥离装置，其中所述第一剥离辊包括：
卷绕所述第一膜的上表面的第一辊；和
面对所述第一辊的第二辊，使得所述第一膜被设置在所述第一辊与所述第二辊之间，所述第二辊卷绕所述第一膜的下表面，
其中所述温度控制件被设置在所述第一辊中。
15.根据权利要求14所述的膜剥离装置，进一步包括连接到所述温度控制件以向所述温度控制件提供流体的流体供给单元，
其中所述温度控制件被形成在所述第一辊中，并且所述温度控制件沿所述第一辊的表面延伸，并具有管形状以容纳所述流体。
16.根据权利要求15所述的膜剥离装置，其中所述流体是冷却水。
17.根据权利要求15所述的膜剥离装置，其中所述流体是温水。
18.根据权利要求14所述的膜剥离装置，进一步包括：
夹持单元，设置在所述腔室中，以分别夹持从所述基底剥离的所述第一膜和所述第二膜；和
驱动单元，结合到所述夹持单元，以在所述腔室中移动所述夹持单元。
19.根据权利要求13所述的膜剥离装置，进一步包括设置在所述腔室中以面对所述第一剥离辊的第二剥离辊，使得所述基底被设置在所述第一剥离辊与所述第二剥离辊之间，其中所述第二剥离辊卷绕与所述第一膜协作而将所述基底密封的第二膜，以从所述基底剥离所述第二膜。
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