TWI628135B

TWI628135B - 薄膜剝離設備

Info

Publication number: TWI628135B
Application number: TW103126679A
Authority: TW
Inventors: 李炳哲; 金東述; 朴宰奭; 朴鎭翰
Original assignee: 三星顯示器有限公司
Priority date: 2013-10-15
Filing date: 2014-08-05
Publication date: 2018-07-01
Also published as: US9315006B2; KR102130153B1; US20150101759A1; CN104576306A; CN104576306B; TW201514083A; KR20150043909A

Abstract

剝離附著於基板上的薄膜的薄膜剝離設備包含腔室、傳送單元及第一剝離滾筒。傳送單元設置於腔室中以傳送基板。第一剝離滾筒設置於腔室中，每個第一剝離滾筒包含靜電吸盤以吸附附著於基板上的第一薄膜。第一剝離滾筒捲繞所吸附的第一薄膜以從基板剝離第一薄膜。

Description

薄膜剝離設備

本公開內容係關於一種薄膜剝離設備。更具體地說，本公開內容係關於一種能夠容易地剝離附著於基板上的薄膜的薄膜剝離設備。

於平板顯示設備中，有機發光顯示設備自發光以顯示影像。有機發光顯示設備具有多個優點，如低功率消耗、快速回應速度等，並因此逐漸取代液晶顯示器。有機發光顯示設備包含設置於各像素區中的有機發光二極體，而有機發光二極體包含陰極、陽極及放置於陰極與陽極之間的有機發光層。

同時，當製造有機發光顯示設備的有機發光層時，廣泛使用沉積法或雷射引發熱成像法。根據雷射引發熱成像法，於其上形成有機發光層的供體膜附著於基板上並且雷射光束被照射到供體膜，使得有機發光層從供體膜轉印到基板上。於有機發光層轉印到基板上後，從基板剝離供體膜。

本公開內容提供了能夠容易地剝離附著於基板上的薄膜的一種薄膜剝離設備。

本發明概念的實施例提供了剝離附著於基板上的薄膜的薄膜剝離設備，其包含腔室、傳送單元及複數個第一剝離滾筒。傳送單元設置於腔室中以傳送基板。第一剝離滾筒設置於腔室中，每個第一剝離滾筒包含靜電吸盤以吸附附著於基板上的第一薄膜。第一剝離滾筒捲繞所吸附的第一薄膜以從基板剝離第一薄膜。

本發明概念的實施例提供了剝離附著於基板上的薄膜的薄膜剝離設備，其包含腔室、傳送單元及第一剝離滾筒。傳送單元設置於腔室中以傳送基板。第一剝離滾筒設置於腔室中捲繞附著於基板上的第一薄膜以從基板剝離第一薄膜。第一剝離滾筒包含氣體噴射部分以對第一薄膜噴射氣體。

本發明概念的實施例提供了剝離附著於基板上的薄膜的薄膜剝離設備，其包含腔室、傳送單元及第一剝離滾筒。傳送單元設置於腔室中以傳送基板。第一剝離滾筒設置於腔室中並捲繞附著於基板上的第一薄膜以從基板剝離第一薄膜。第一剝離滾筒包含溫度控制器。

根據以上所述，用於剝離附著於基板上的供體膜的滾筒包含靜電吸盤，並因此供體膜與滾筒之間的吸附力藉由靜電吸盤所產生的靜電力而充分地確保。所以，供體膜不被加壓到基板上，並且即使當捲繞供體膜時滾筒與基板分隔開，滾筒的旋轉力很容易地被施加於供體膜上，從而容易地進行薄膜剝離處理。此外，可以避免由於滾筒局部地施加壓力於供體膜及基板上而引致有機發光層的轉印質量下降。

C1‧‧‧腔室

D1‧‧‧第一方向

D2‧‧‧第二方向

D3‧‧‧重力方向

F1‧‧‧基膜

F2‧‧‧光熱轉換層

G1‧‧‧第一夾具單元

G2‧‧‧第二夾具單元

R1/R1-1/R1-2/R1-3‧‧‧第一滾筒

R2‧‧‧第二滾筒

R3‧‧‧第三滾筒

R4‧‧‧第四滾筒

SR1/SR1-1/SR1-2/SR1-3‧‧‧第一剝離滾筒

SR2‧‧‧第二剝離滾筒

S1‧‧‧上表面

S2‧‧‧下表面

BS‧‧‧基底基板

EML‧‧‧有機發光層

ESC‧‧‧靜電吸盤

FL‧‧‧液體

GS‧‧‧氣體

PDL‧‧‧像素定義層

TL‧‧‧傳送線

11‧‧‧入口

12‧‧‧出口

20‧‧‧傳送單元

31‧‧‧第一驅動單元

32‧‧‧第一傳送導引器

41‧‧‧第二驅動單元

42‧‧‧第二傳送導引器

51‧‧‧基板

52‧‧‧密封膜

53‧‧‧供體膜

70‧‧‧氣體供應單元

71‧‧‧輸氣管

80‧‧‧液體供應單元

81‧‧‧輸液管

90‧‧‧第一磁鐵

91‧‧‧第二磁鐵

95‧‧‧介電膜

100/101/102/103/104‧‧‧薄膜剝離設備

200‧‧‧氣體噴射部分

210‧‧‧氣體排出部分

215‧‧‧氣體通道

216‧‧‧液體通道

217‧‧‧連接部分

220‧‧‧溫度控制器

當結合附圖考量時，藉由參照以下詳細的描述，本公開內容之以上及其他優點將變得簡易清晰，其中：第1A圖是表示根據本公開內容的例示性實施例的薄膜剝離設備的視圖；第1B圖是表示於第1A圖中所示的第一滾筒的橫截面圖；第2圖是表示於第1A圖中所示的薄膜剝離設備的操作的視圖；第3圖是表示根據本公開內容的另一例示性實施例的薄膜剝離設備的視圖；第4A圖是表示根據本公開內容的另一例示性實施例的薄膜剝離設備的視圖；第4B圖是表示於第4A圖中所示的第一滾筒的橫截面圖；第5圖是表示於第4A圖中所示的薄膜剝離設備的操作的視圖；第6A圖是表示根據本公開內容的另一例示性實施例的薄膜剝離設備的視圖；第6B圖是表示於第6A圖中所示的第一滾筒的橫截面圖；第7圖是表示於第6A圖中所示的第一滾筒的操作的視圖；及第8圖是表示根據本公開內容的另一例示性實施例的薄膜剝離設備的視圖。

應當理解的是，當元件或層被稱為於另一元件或層“上(on)”，“連接到(connected to)”或“耦合到(coupled to)”另一元件或層時，它可以直接形成於另一元件或層上，直接連接到或耦合到另一元件或層，或形成具有中間元件或層。相反，當元件或層被稱為“直接於(directly)”另一元件或層“上(on)”，“直接連接到(directly connected to)”或“直接耦合到(directly coupled to)”另一元件或層時，不存在中間元件或層。於全文中類似的數字表示類似的元件。如用於本文中，用語“及/或(and/or)”包含一個或多個相關所列項目的任何及所有組合。

應當理解的是，雖然用語第一、第二等可以被用於本文中以描述不同的元件、部件、區域、層及/或部分，但是所描述的元件、組件、區域、層及/或部分並不受限於所用的用語。用語僅用於區分一個元件、組件、區域、層或部分與另一元件、組件、區域、層或部分。因此，以下所討論的第一元件、組件、區域、層或部分可以被稱為第二元件、組件、區域、層或部分，而不脫離本公開內容的教示。

空間相對用語，如“之下(beneath)”、“下面(below)”、“下部(lower)”、“上面(above)”、“上部(upper)”等，可用於本文中以簡化對於描述如附圖中所示之一個元件或特徵與另一元件或特徵的關係之敘述。應當理解的是，除了於附圖中所描述的方位外，空間相對用語旨在涵蓋使用中或操作中的裝置的不同方位。例如，如果於附圖中的裝置被翻轉，那麼被描述為於其他元件或特徵“下面(below)”或“之下(beneath)”的元件可以隨後被定位於其他元件或特徵“上面(above)”。因此，用語“下面(below)”可以涵蓋上面及下面兩種方位。裝置可以被另外定位(被旋轉90度或於其他方位)，而於本文中所用的空間相對描述符據此相應地解釋。

於本文中所用的用語只為了描述特定實施例的目的，而並非旨在限制本發明的概念。如本文所用，除非上下文另有明確地指出，單數形式“一(a)”、“一(an)”及“該(the)”旨在也包含複數形式。應當進一步理解的是，用語“包含(includes)”及/或“包含(including)”，當被用於本說明書中時，表明了所陳述的特徵、整數、步驟、操作、元件及/或部件的存在，但並不排除一個或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、部件及/或其群組的存在或附加。

除非另有定義，於本文中所用的所有用語(包含技術性及科學性用語)具有與本公開內容所屬領域中普通技術人員所通常理解的相同的含義。應當進一步理解的是，如那些於常用字典中所定義的用語，除非於本文中如此明確地被定義，否則應該被解釋為具有與相關領域的上下文中的含義相一致的含義，並且不應被解釋成理想化或過於正式的意思。

於下文中，本發明的概念將參照附圖被詳細地解釋。

第1A圖是表示根據本公開內容的例示性實施例的薄膜剝離設備的視圖，第1B圖是表示於第1A圖中所示的第一滾筒的橫截面圖，及第2圖是表示於第1A圖中所示的薄膜剝離設備的操作的視圖。

參照第1A圖、第1B圖及第2圖，當有機發光顯示設備被製造時，薄膜剝離設備100被用於剝離附著於基板51上的薄膜。詳細地來說，於其上形成有機發光層的供體膜53附著於基板51的表面而密封膜52附著於基板51的另一表面以與供體膜53合作密封基板51。然後，當於供體膜53上進行雷射引發熱成像處理時，有機發光層從供體膜53被轉印到基板51。在此之後，利用薄膜剝離設備100進行薄膜剝離處理以從基板51剝離供體膜53及密封膜52。

薄膜剝離設備100包含腔室C1、設置於腔室C1中的傳送單元20、第一剝離滾筒SR1、第二剝離滾筒SR2、第一夾具單元G1、第二夾具單元G2、第一驅動單元31及第二驅動單元41。

腔室C1的內部被保持於低壓，例如，真空，入口11形成通過腔室C1的側壁，而出口12形成通過面向側壁的腔室C1的另一側壁。因此，附著供體膜53及密封膜52的基板51通過入口11被載入腔室C1中，利用薄膜剝離設備100於基板51上進行薄膜剝離處理，並於其上進行薄膜剝離處理的基板51通過出口12被取出到腔室C1的外部。

傳送單元20設置於腔室C1內部以傳送基板51。傳送單元20包含沿傳送線TL並互相分隔開佈置的複數個傳送滾筒。所以，傳送滾筒20以相同的方向旋轉以沿傳送線TL於第一方向D1上傳送基板51。傳送單元20可以包含其他傳送裝置如傳送帶等。

第一剝離滾筒SR1捲繞供體膜53以從基板51剝離供體膜53。第一剝離滾筒SR1包含互相面向的第一滾筒R1及第二滾筒R2，第一滾筒R1捲繞供體膜53的上表面S1，而第二滾筒R2捲繞供體膜53的下表面S2。

第一及第二滾筒R1及R2被設置成與基板51分隔開。第一剝離滾筒SR1捲繞供體膜53，並因此當進行薄膜剝離處理時供體膜53不會藉由第一剝離滾筒SR1加壓於基板51。

第一及第二滾筒R1及R2的至少一個可以包含靜電吸盤ESC。因此，當進行薄膜剝離處理，第一及第二滾筒R1及R2利用靜電吸盤ESC所產生的靜電力吸附供體膜53同時捲繞供體膜53。第一及第二滾筒R1及R2兩者可以為靜電吸盤ESC。

於下文中，第一滾筒R1中的靜電吸盤ESC將作為代表性例子被詳細地描述。

第一滾筒R1包含基底金屬，如不銹鋼，及薄介電層。於本例示性實施例中，靜電吸盤ESC包含各具有第一極性之複數個第一磁鐵90以及各具有不同於第一極性的第二極性之複數個第二磁鐵91。此外，第一及第二磁鐵90及91交替地並重複地沿第一滾筒R1的表面佈置。所以，供體膜53可以藉由靜電吸盤ESC之間所產生的靜電力被吸附到第一滾筒R1而供體膜53纏繞第一滾筒R1。第一滾筒R1的表面塗覆有薄介電膜95。

如上所述，當第一及第二滾筒R1及R2捲繞供體膜53而供體膜53藉由靜電吸盤ESC所產生的靜電力被吸附到第一及第二滾筒R1及R2時，就會發生以下效果。

一般情況下，如其中供體膜53被吸附到第一剝離滾筒SR1的吸附力變高時，第一剝離滾筒SR1的旋轉力可以容易地被傳送到供體膜53。因此，供體膜53可以容易地從基板51剝離。然而，當每個第一剝離滾筒SR1不包含靜電吸盤ESC時，第一滾筒R1需要朝向基板51加壓供體膜53以確保吸附力。由於堅硬的外來物質會不經意地設置於第一滾筒R1的表面上，故此高壓可能會局部地施加於供體膜53及基板51上，並因此從供體膜53轉印到基板51的有機發光層的轉印質量可能會劣化。

如果第一及第二滾筒R1及R2中的至少一個包含靜電吸盤ESC，吸附力可以藉由靜電吸盤ESC所產生的靜電力充分地確保。因此，供體膜53不需要藉由第一滾筒R1加壓至基板51上以確保吸附力。因此，可以容易地進行薄膜剝離處理，而轉印到基板51的有機發光層的轉印質量可不會由於堅硬的外來物質不經意地設置於第一滾筒R1的表面上而被劣化。第二剝離滾筒SR2設置於腔室C1的內部以面向第一剝離滾筒SR1而基板51設置於第二剝離滾筒SR2與第一剝離滾筒SR1之間。第二剝離滾筒SR2捲繞密封膜52以從基板51剝離密封膜52。第二剝離滾筒SR2包含第三滾筒R3及第四滾筒R4。第三滾筒R3捲繞密封膜53的一個表面而第四滾筒R4與基板51分隔開以捲繞密封膜53的另一表面。第三滾筒R3可以與其中不轉印有機發光層的基板的下表面相接觸。

第一夾具單元G1設置於傳送線TL上以相鄰於第一剝離滾筒SR1。第一夾持單元G1具有夾子以夾持由第一剝離滾筒SR1所剝離的供體膜53的端部。此外，第二夾具單元G2設置於傳送線TL下以相鄰於第二剝離滾筒SR2。於本例示性實施例中，第二夾具單元G2具有夾子以夾持由第二剝離滾筒SR2所剝離的密封膜52的端部。

第一驅動單元31被耦合到第一夾具單元G1以沿第一傳送導引器32於第一方向D1上及於相反於第一方向的第二方向D2上移動第一夾具單元G1。此外，第二驅動單元41被耦合到第二夾具單元G2以沿第二傳送導引器42於第一方向D1上及於第二方向D2上移動第二夾具單元G2。

因此，當具有靜電吸盤ESC的第一及第二剝離滾筒SR1及SR2捲繞供體膜53及密封膜52而夾持供體膜53及密封膜52的第一及第二夾具單元G1及G2藉由第一及第二驅動單元31及41移動到第二方向D2上時，可以更容易地進行薄膜剝離處理而不劣化有機發光層的轉印質量。

此外，由於第一及第二夾具單元G1及G2的移動速度可以藉由調整第一及第二驅動單元31及41的驅動力而控制，所以可以控制供體膜53及密封膜52從基板51的剝離速度以防止轉印質量被劣化。

於本例示性實施例中，密封膜52附著於基板51的下表面而供體膜53附著於基板51的上表面，但是不限於此或因此而受限。也就是說，密封膜52及供體膜53可以分別地附著到基板51的上表面及下表面。於此情況下，第一剝離滾筒SR1設置於基板51下面以捲繞供體膜53而第二剝離滾筒SR2設置於基板51上面以捲繞密封膜52。

第3圖是表示根據本公開內容的另一例示性實施例的薄膜剝離設備的視圖。於第3圖中，相同的參考標號表示與第2圖中相同的元件，並因此相同元件的詳細描述將被省略。

參照於第3圖，薄膜剝離設備101包含第一剝離滾筒SR1-1及第二剝離滾筒SR2。第一剝離滾筒SR1-1包含第一滾筒R1-1及第二滾筒R2，以及第一及第二滾筒R1-1及R2中的至少一個包含靜電吸盤ESC(參照於第1B圖)於其中。第一及第二滾筒R1-1及R2兩者皆可以包含靜電吸盤ESC。

參照於第1A圖，進行薄膜剝離處理時，當捲繞供體膜53時，薄膜剝離設備100的第一剝離滾筒SR1設置成與基板51分隔開。根據於第3圖中所示的本例示性實施例，當進行薄膜剝離處理，當利用居間供體膜53與基板51相接觸時，第一剝離滾筒SR1-1的第一滾筒R1-1捲繞供體膜53。

由於第一及第二滾筒R1-1及R2中的一個包含靜電吸盤ESC，所以於薄膜剝離處理期間第一及第二滾筒R1-1及R2可以利用靜電吸盤吸附供體膜53。所以，供體膜53被吸附到第一剝離滾筒SR1-1而第一剝離滾筒SR1-1的旋轉力可以容易地施加到供體膜53上。因此，雖然當第一滾筒R1-1捲繞供體膜53時第一滾筒R1-1利用居間供體膜53與基板51相接觸，但是朝向基板51施加到供體膜53的第一滾筒R1-1的力可以被消除或顯著地降低。故此，可以防止轉印質量由於由第一滾筒R1-1對供體膜53及基板51局部地施加的壓力而劣化。

第4A圖是表示根據本公開內容的另一例示性實施例的薄膜剝離設備的視圖，第4B圖是表示於第4A圖中所示的第一滾筒的橫截面圖，及第5圖是表示於第4A圖中所示的薄膜剝離設備的操作的視圖。於第4A圖、第4B圖及第5圖中，相同的參考標號表示與第1A圖、第1B圖及第2圖中相同的元件，並且因此相同元件的詳細描述將被省略。

參照於第4A圖、第4B圖及第5圖，薄膜剝離設備102包含第一剝離滾筒SR1-2、第二剝離滾筒SR2、氣體供應單元70及輸氣管71，而第一剝離滾筒SR1-2設置成與基板51分隔開。

第一及第二滾筒R1-2及R2中的至少一個可以包含靜電吸盤ESC。第一及第二滾筒R1-2及R2兩者皆可以為靜電吸盤ESC。

第一剝離滾筒SR1-2包含第一滾筒R1-2及第二滾筒R2。第一滾筒R1-2可以進一步包含由形成通過第一滾筒R1-2並延伸到第一滾筒R1-2的表面的複數個氣體排出部分210所定義的氣體噴射部分200。

氣體噴射部分200連接到氣體供應單元70以從氣體供應單元70接收氣體GS。例如，氣體通道215於第一滾筒R1-2中沿第一滾筒R1-2的縱向方向形成並連接到氣體排出部分210。此外，氣體通道215通過於第一滾筒R1-2的一側的輸氣管71連接到氣體供應單元70。因此，當氣體供應單元70通過輸氣管71供應氣體GS到氣體通道215時，氣體GS會通過氣體排出部分210被排出到第一滾筒R1-2的外部。

如參照第2圖所述，當第一及第二剝離滾筒SR1-2及SR2捲繞供體膜53及密封膜52以進行薄膜剝離處理時，於第一及第二夾具單元G1及G2夾持供體膜53及密封膜52時，第一滾筒R1-2捲繞供體膜53的上表面並基本上同時利用氣體噴射部分200噴射氣體GS到供體膜53。

因此，於薄膜剝離處理期間，供體膜53可以藉由從氣體噴射部分200所噴出的氣體GS均勻地加壓於基板51上，並因此從供體膜53轉印到基板51的有機發光層的轉印質量可不會由於附著於第一滾筒R1-2的表面之外來物質，導致壓力局部地施加於基板51及供體膜53上而被劣化。

第6A圖是表示根據本公開內容的另一例示性實施例的薄膜剝離設備的視圖，第6B圖是表示於第6A圖中所示的第一滾筒的橫截面圖，及第7圖是表示於第6A圖中所示的第一滾筒的操作的視圖。

參照於第6A圖、第6B圖及第7圖，薄膜剝離設備103包含第一剝離滾筒SR1-3、第二剝離滾筒SR2、液體供應單元80及輸液管81。

第一剝離滾筒SR1-3包含第一滾筒R1-3及第二滾筒R2。第一滾筒R1-3可以進一步包含溫度控制器220。溫度控制器220設置於第一滾筒R1-3中並具有沿第一滾筒R1-3的表面延伸的管狀。

此外，液體通道216於第一滾筒R1-3中沿第一滾筒R1-3的縱向方向形成並通過複數個連接部分217連接到溫度控制器220。液體通道216可以通過於第一滾筒R1-3的一側的輸液管81連接到液體供應單元80。因此，當液體供應單元80通過輸液管81供應液體FL到液體通道216時，液體FL會通過連接部分217被提供到溫度控制器220。

於本例示性實施例中，液體FL可以為冷卻水。所以，當液體FL被提供到溫度控制器220時，第一滾筒R1-3的表面可以藉由液體FL冷卻。如上所述，當第一滾筒R1-3的表面藉由液體FL冷卻時，就會發生以下效果。

如參照第1A圖所述，於進行薄膜剝離處理之前，於供體膜53及密封膜52附著於其上的基板51上進行雷射引發熱成像過程，且形成於供體膜53上的有機發光層EML被轉印到基板51。供體膜53包含基膜F1及形成於基膜F1上的光熱轉換層F2，並且於雷射引發熱成像處理期間照射到供體膜53的雷射束的光能藉由光熱轉換層F2被轉化為熱能。所以，光熱轉換層F2的體積藉由熱能而增加，使得有機發光層EML與設置於基底基板BS上的像素定義層PDL所定義的像素區相接觸。因此，有機發光層EML可以從供體膜53轉印到基板51。

如果於光熱轉換層F2未被冷卻並具有增大的體積時進行薄膜剝離處理，光熱轉換層F2可以局部地與轉印到基底基板BS的有機發光層EML相接觸。因此，於薄膜剝離處理期間，轉印到基板51的有機發光層EML的一部分可以再轉印到光熱轉換層F2。然而，於本例示性實施例中，光熱轉換層F2於薄膜剝離處理期間藉由溫度控制器220冷卻並減少光熱轉換層F2的體積。所以，光熱轉換層F2與有機發光層EML之間會出現間隙，從而防止有機發光層EML被再轉印到光熱轉換層F2。

第一及第二滾筒R1-3及R2中的至少一個可以包含靜電吸盤ESC。第一及第二滾筒R1-3及R2兩者皆可以為靜電吸盤ESC。

第一滾筒R1-3可以進一步包含，如於第4A圖、第4B圖及第5圖中所公開的，由形成通過第一滾筒R1-3並延伸到第一滾筒R1-3的表面的複數個氣體排出部分210所定義的氣體噴射部分200。

第8圖是表示根據本公開內容的另一例示性實施例的薄膜剝離設備的視圖。於第8圖中，相同的參考標號表示與第1A圖、第1B圖及第2圖中相同的元件，並因此相同元件的詳細描述將被省略。

第一及第二滾筒R1及R2中的至少一個可以包含靜電吸盤ESC。第一及第二滾筒R1及R2兩者皆可以為靜電吸盤ESC。

參照於第8圖，於第8圖中所示的薄膜剝離設備104具有與於第1A圖中所示的薄膜剝離設備100的結構相似的結構，但是薄膜剝離設備104沿重力方向D3從基板51剝離供體膜53及密封膜52。

於這種情況下，於薄膜剝離處理期間從基板51、密封膜52及供體膜53所產生的微粒會於腔室C1的重力方向D3上移動。因此，可以防止微粒進入到於其上完整進行薄膜剝離處理的基板51。

雖然本發明的例示性實施例已經被描述，應當理解的是，本發明不應該受限於這些例示性實施例，而是於如下文中所主張的本發明的精神及範圍內，可以由本領域中具有普通技術的人員作出各種變化及修改者。

Claims

一種薄膜剝離設備，剝離附著於一基板上的薄膜，其包含：一腔室；一傳送單元，設置於該腔室中以傳送該基板；以及複數個第一剝離滾筒，設置於該腔室中，該複數個第一剝離滾筒中的每一個包含一靜電吸盤以吸附附著於該基板上的一第一薄膜，其中該靜電吸盤包含各具有一第一極性之複數個第一磁鐵，以及各具有不同於該第一極性的一第二極性之複數個第二磁鐵，且其中該第一剝離滾筒捲繞吸附的該第一薄膜以從該基板剝離該第一薄膜。
如申請專利範圍第1項所述之薄膜剝離設備，其中該第一剝離滾筒包含：一第一滾筒，吸附並捲繞該第一薄膜的一上表面；以及一第二滾筒，面向該第一滾筒使得該第一薄膜設置於該第一滾筒與該第二滾筒之間，並且該第二滾筒捲繞該第一薄膜的一下表面。
如申請專利範圍第2項所述之薄膜剝離設備，其中當捲繞該第一薄膜時該第一剝離滾筒與該基板分隔開。
一種薄膜剝離設備，剝離附著於一基板上的薄膜，其包含：一腔室；一傳送單元，設置於該腔室中以傳送該基板；以及一第一剝離滾筒，設置於該腔室中，該第一剝離滾筒捲繞附著於該基板上的一第一薄膜以從該基板剝離該第一薄膜，並且該第一剝離滾筒包含一溫度控制器，該溫度控制器設置於該第一剝離滾筒中，該溫度控制器冷卻該第一剝離滾筒，以及一連接管，設置於該第一剝離滾筒中，該連接管將該溫度控制器連接到設置於該第一剝離滾筒的中心的一液體通道。
如申請專利範圍第4項所述之薄膜剝離設備，其中該第一剝離滾筒包含：一第一滾筒，捲繞該第一薄膜的一上表面；以及一第二滾筒，面向該第一滾筒使得該第一薄膜設置於該第一滾筒與該第二滾筒之間，並且該第二滾筒捲繞該第一薄膜的一下表面，其中該溫度控制器設置於該第一滾筒中。
如申請專利範圍第5項所述之薄膜剝離設備，其進一步包含連接到該溫度控制器的一液體供應單元以提供液體到該溫度控制器，其中該溫度控制器形成於該第一滾筒中，並且該溫度控制器沿該第一滾筒的一表面延伸並具有一管狀以容納液體。