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CH484700A - Verfahren zum Eindiffundieren von Dotierungsstoff aus der Gasphase - Google Patents

Verfahren zum Eindiffundieren von Dotierungsstoff aus der Gasphase

Info

Publication number
CH484700A
CH484700A CH1011868A CH1011868A CH484700A CH 484700 A CH484700 A CH 484700A CH 1011868 A CH1011868 A CH 1011868A CH 1011868 A CH1011868 A CH 1011868A CH 484700 A CH484700 A CH 484700A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
gas phase
diffusing dopant
dopant
diffusing
phase
Prior art date
Application number
CH1011868A
Other languages
English (en)
Inventor
Eduard Dipl Ing Folkmann
Pammer Erich Dr Dipl-Chem
Staudacher Heinz
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH484700A publication Critical patent/CH484700A/de

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/32—Anodisation of semiconducting materials
    • H10P14/6324—
    • H10P14/6304—
    • H10P14/69215—
    • H10P50/282—
    • H10P50/283—
    • H10P95/00—
    • H10W74/43—
    • H10P14/69433—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Local Oxidation Of Silicon (AREA)
  • Element Separation (AREA)
CH1011868A 1967-05-07 1968-07-05 Verfahren zum Eindiffundieren von Dotierungsstoff aus der Gasphase CH484700A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1967S0110710 DE1644012B2 (de) 1967-05-07 1967-05-07 Verfahren zum eindiffundieren von dotierungsstoff aus der gasphase in eine lokal mit einer siliciumnitridschicht maskierte halbleiteroberflaeche

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH484700A true CH484700A (de) 1970-01-31

Family

ID=7530433

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH1011868A CH484700A (de) 1967-05-07 1968-07-05 Verfahren zum Eindiffundieren von Dotierungsstoff aus der Gasphase

Country Status (7)

Country Link
AT (1) AT292786B (de)
CH (1) CH484700A (de)
DE (1) DE1644012B2 (de)
FR (1) FR1573470A (de)
GB (1) GB1234665A (de)
NL (1) NL6809330A (de)
SE (1) SE337361B (de)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0072603B1 (de) * 1978-06-14 1986-10-01 Fujitsu Limited Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einer Isolierschicht aus Siliziumdioxid, die mit einer Schicht aus Siliziumoxynitrid bedeckt ist
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FR2675824B1 (fr) * 1991-04-26 1994-02-04 Alice Izrael Procede de traitement de la surface gravee d'un corps semi conducteur ou semi-isolant, circuits integres obtenus selon un tel procede et appareil d'oxydation anodique pour mettre en óoeuvre un tel procede.
DE102015102454A1 (de) 2015-02-20 2016-08-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Strukturierung einer Nitridschicht, strukturierte Dielektrikumschicht, optoelektronisches Bauelement, Ätzverfahren zum Ätzen von Schichten und Umgebungssensor

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Publication number Publication date
SE337361B (de) 1971-08-09
DE1644012B2 (de) 1976-08-12
AT292786B (de) 1971-08-15
DE1644012A1 (de) 1970-09-24
NL6809330A (de) 1969-01-09
GB1234665A (de) 1971-06-09
FR1573470A (de) 1969-07-04

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