CH424889A - Verfahren zur Herstellung von lötfähigen Kontaktstellen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von lötfähigen KontaktstellenInfo
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Description
Verfahren zur Herstellung von lötfähigen Kontaktstellen Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von lötfähigen Kontaktstellen an dünnen Schichten aus schlecht oder nicht lötfähigen Metallen, die auf einen isolierenden Träger aufgebracht sind.
In der Elektrotechnik gibt es viele Fälle, bei denen Schichten aus schlecht oder nicht lötfähigen Metallen, die auf einen isolierenden Träger aufgebracht wurden, mit elektrischen Anschlüssen versehen werden müs sen. So werden beispielsweise Widerstände in Form von dünnen Schichten durch Aufdampfen auf eine isolierende Trägerunterlage hergestellt und müssen an ihren Enden mit geeigneten Kontakten versehen wer den. Am einfachsten sind elektrische Kontakte durch Anlöten anzubringen. Es ist jedoch bei Schichten aus schlecht lötfähigen oder nicht lötfähigen Metallen schwierig, wenn nicht gar unmöglich, durch Löten ge eignete Kontakte anzubringen. Andere Kontaktie- rungsverfahren, wie z. B.
Schweissen, stossen inso fern auf Schwierigkeiten, weil hierbei die dünnen Schichten leicht beschädigt oder zerstört werden.
In neuerer Zeit sind sogenannte integrierte Schal tungen oder Dünnfilmschaltungen bekanntgeworden, bei denen die passiven elektrischen Bauelemente wie Widerstände und Kondensatoren nach Art einer ge druckten Schaltung gleichzeitig mit den Leitungszü gen für die Verbindungen hergestellt werden. Als Ma terial für solche Dünnfilmschaltungen wird mit Vor teil Tantal verwendet, aus dem sich leicht Wider stände und Kondensatoren herstellen lassen. Die Tan talschicht wird hierbei beispielsweise durch Katho denzerstäubung auf eine geeignete isolierende Unter lage, wie z. B. Glas, aufgebracht und nach einem Photoätzverfahren wird ein Teil der Tantalschicht so weggeätzt, dass die Leitungszüge, Widerstände und Kondensatoren in Form von dünnen Streifen zu rückbleiben.
Die aktiven Bauelemente können nicht aus der Tantalschicht erzeugt werden und müssen nachträglich in die Schaltung eingelötet werden. Zum Anschluss einer solchen Dünnfilmschaltung und zum Anbringen der aktiven Bauelemente wie Dioden und Transistoren sind bei solchen Schaltungen Anschluss- stellen vorgesehen, an welche die entsprechenden elektrischen Leitungen angelötet werden. Da sich Tantal nur schwer oder nicht löten lässt, werden die Leitungszüge der Schaltung mit einer dünnen Gold schicht bedampft, welche zusätzlich die Aufgabe hat, den elektrischen Widerstand der Zuleitungen herab zusetzen.
Es ist nun zwar möglich, an die auf der Tantalschicht angeordnete Goldschicht Kontakte an zulöten, jedoch ist dies sehr schwierig und die Kon takte lösen sich leicht ab. Die dünne Goldschicht löst sich nämlich beim Aufbringen von Lot in diesem auf, so dass das Lot auf die darunter befindliche Tantal- schicht zu liegen kommt, auf der es nicht haftet. Wenn es schon gelingt, an der dünnen Goldschicht einen Leitungsdraht anzulöten, so ist die mechanische Festigkeit nur sehr gering, da der Lottropfen sich leicht mit der darunter befindlichen Goldschicht vom Tantal ablöst.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, diese Nachteile zu vermeiden und ein Verfahren zur Her stellung von lötfähigen Kontaktstellen an dünnen Schichten aus schlecht oder nicht lötfähigen Metal len auf einem isolierenden Träger anzugeben, das eine gut leitende und mechanisch feste Verbindung von elektrischen Anschlüssen durch Anlöten ermög licht.
Gemäss der Erfindung wird vor dem Aufbringen der schlecht oder nicht lötfähigen Metallschicht, z. B. der Tantalschicht, auf den Träger eine Metallschicht aus gut lötfähigem Metall aufgebracht und nach dem Aufbringen der Schicht des schlecht oder nicht löt- fähigen Metalls ein Teil dieser Schicht mit Hilfe eines Ätzmittels, welches das gut lötfähige Metall nicht löst, wieder entfernt, so dass dabei die darunterliegende Schicht aus gut lötfähigem Metall freigelegt wird.
Die Schicht aus gut lötfähigem Metall wird zweckmässig auf den Isolierstoffträger, gegebenen falls unter Verwendung einer Schablone, durch Auf streichen, Aufspritzen oder Aufdrucken aufgebracht und danach in den Träger eingebrannt. Zur Herstel lung der Kontaktstellen gemäss der Erfindung eignet sich insbesondere das sog. Einbrennsilber, das als Paste auf die isolierende Unterlage aufgebracht wird. Durch Erhitzung bildet sich eine fest mit dieser Un terlage verbundene Silberschicht.
Man kann dabei folgendermassen verfahren: Es werden also zunächst an den Kontaktstellen oder auch zusätzlich noch an den Stellen, wo die Leitungs züge verlaufen, die entsprechenden Flächen der Iso lierstoffunterlage mit Einbrennsilber bestrichen und dieses in die Unterlage eingebrannt. Danach erst wird die Schicht aus schlecht lötfähigem Metall, wie z. B. Tantal, aufgebracht, beispielsweise durch Ka thodenzerstäubung. Nun wird in üblicher Weise nach einem Photoätzverfahren das überschüssige Tantal entfernt, so dass nur die Leitungszüge und die pas siven Bauelemente in Form von dünnen Tantalstrei fen zurückbleiben.
Gleichzeitig wird hierbei an den Kontaktstellen die Tantalschicht teilweise entfernt, so dass die darunterliegende Silberschicht zu Tage tritt. Nach Fertigstellung der Schaltung können in einfacher Weise an diesen Stellen die elektrischen Zuleitungen angelötet werden, da sich Silber sehr gut löten lässt und in gutem elektrischem Kontakt mit der aufgestäubten Tantalschicht steht. Da die Silber schicht in die Trägerunterlage eingebrannt wurde, sind die so erhaltenen Kontakte auch mechanisch sehr stabil.
Es ist weiter möglich, in an sich bekannter Weise auf die Schicht aus schlecht lötfähigem Metall, bei spielsweise auf das Tantal, eine Schicht aus einem gut leitenden Metall, wie z. B. Gold, aufzubringen. An den Kontaktstellen liegt die Goldschicht dann direkt auf der Silberschicht. Beim Anlöten an diesen Stellen treten jedoch nicht die zuvor beobachteten Nachteile ein, da die Lötverbindung bis zur Silber schicht hindurchreicht.
Auf diese Weise ist die Herstellung von lötfähi- gen Kontaktstellen bei Dünnfilmschaltungen aus Tau tal möglich, es können aber auch sonst lötfähige Kon taktstellen hergestellt werden, wo Schichten aus schlecht oder nicht lötfähigem Metall auf einem iso- lierenden Träger mit einem elektrischen Anschluss versehen werden müssen.
Beim Ätzen von Tantal wird üblicherweise eine Mischung von konzentrierter Flusssäure und Salpe tersäure verwendet, welche das Silber jedoch nicht auflöst, da sich eine dünne Schicht aus Silberfluorid auf dem Silber bildet. Diese Schutzschicht aus Silber- fluorid löst sich beim Spülen mit Wasser nach dem Ätzen, so dass das Löten dadurch nicht behindert wird. Anstelle des Silbers kann auch ein anderes ge eignetes Metall verwendet werden, das sich in der verwendeten Ätzung jedoch nicht lösen darf.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH Verfahren zur Herstellung von lötfähigen Kon taktstellen an dünnen Schichten aus schlecht oder nicht lötfähigen Metallen auf einem isolierenden Trä ger, insbesondere zur Kontaktierung von Tantal schichten bei Dünnfilmschaltungen, dadurch gekenn zeichnet, dass vor dem Aufbringen der schlecht oder nicht lötfähigen Metallschicht auf den Träger eine Schicht aus gut lötfähigem Metall aufgebracht wird, und dass nach dem Aufbringen der Schicht des schlecht oder nicht lötfähigen Metalls ein Teil dieser Schicht mit Hilfe eines Ätzmittels, welches das gut lötfähige Metall nicht löst,wieder entfernt und damit die darunterliegende Schicht aus gut lötfähigem Me tall freigelegt' wird. UNTERANSPRüCHE 1. Verfahren nach Patentanspruch, dadurch ge kennzeichnet, dass die Schicht aus gut lötfähigem Metall auf den Träger, gegebenenfalls unter Ver wendung einer Schablone, aufgespritzt, aufgestrichen oder aufgedruckt und danach eingebrannt wird.2. Verfahren nach Patentanspruch und Unteran spruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass auf die frei gelegten Teile der Schicht aus gut lötfähigem Metall und mindestens auf einem Teil der Schicht aus schlecht lötfähigem Metall eine weitere Schicht aus gut leitendem Metall aufgebracht wird. 3. Verfahren nach Patentanspruch und den Un teransprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass bei Schichten aus Tantal als gut lötfähiges Metall Silber verwendet wird. 4.Verfahren nach den Unteransprüchen 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, dass auf die freigelegten Teile der Silberschicht und mindestens auf einen Teil der Tantalschicht eine Goldschicht aufgebracht wird.
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