[go: up one dir, main page]

NL8201279A - Elektrolytische afzetting van glanzend koper. - Google Patents

Elektrolytische afzetting van glanzend koper. Download PDF

Info

Publication number
NL8201279A
NL8201279A NL8201279A NL8201279A NL8201279A NL 8201279 A NL8201279 A NL 8201279A NL 8201279 A NL8201279 A NL 8201279A NL 8201279 A NL8201279 A NL 8201279A NL 8201279 A NL8201279 A NL 8201279A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
component
electrolyte according
bath
copper
amount
Prior art date
Application number
NL8201279A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Hooker Chemicals Plastics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hooker Chemicals Plastics Corp filed Critical Hooker Chemicals Plastics Corp
Publication of NL8201279A publication Critical patent/NL8201279A/nl

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38Electroplating: Baths therefor from solutions of copper

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

‘V * VO 3192
Elektrolytische afzetting van glanzend koper.
De uitvinding heeft in ruime zin betrekking op een mengsel en een werkwijze voor elektrolytisch afzetten van koper en in het bijzonder op een mengsel en een werkwijze voor elektrolytisch afzetten van koper uit een zuur, waterig koperbekledingsbad, in het bijzonder uit baden op 5 basis van kopersulfaat en fluorboraat. In het bijzonder heeft de uitvinding betrekking op een toepassing van een nieuw glansmiddel en egalise-ringsmiddel, dat een. mengsel omvat van gekozen verbindingen om een glanzende, ductielë'Pegale koperlaag af te zetten met een goede glans in verdiepingen in metalen oppervlakken, in het bijzonder op platen voor 10 gedrukte bedradingen en dat over een ruim gebied van badconcentraties en stroomdichtheden.
Er is reeds een reeks van mengsels en werkwijzen gebruikt of voorgesteld voor toepassing, welke verschillende toevoegsels bevatten voor elektrolytisch afzetten van glanzende, egale en ductiele koperlagen 15 uit zure waterige koperelektrolyten. Typerend voor dergelijke bekende werkwijzen en mengsels zijn die, beschreven in de Amerikaanse octrooi-schriften 3.267.010, 3.328.273, 3.770.598 en 4.110.176 en de Amerikaanse octrooiaanvrage Serial No. 122.204 van 19 februari 1980 ten name van de onderhavige Aanvrager.Uit het Amerikaanse octrooischrift 3.267.010 20 is bekend, dat glanzende, egale en ductiele lagen koper kunnen worden verkregen uit een waterig zuur koperelektrolysebad, waarbij een in het bad oplosbaar polymeer van 1,3-dioxolan wordt toegevoegd, bij voorkeur samen met andere glansmiddelen, waaronder organische sulfiden; het Amerikaanse octrooischrift 3.328.273 stelt de toepassing voor van een 25 in het bad oplosbare polyetherverbinding, met tenminste 6 koolstof-atomen, als glansmiddel, bij voorkeur in combinatie met alifatische polysulfideverbindingen; het Amerikaanse octrooischrift 3-770.598 stelt de toepassing als glansmiddel voor van een in het bad oplosbaar reactieprodukt van polyethyleenimine én een alkyleringsmiddel onder 30 vorming van een kwatemair stikstofatoom, bij voorkeur in combinatie met alifatische polysulfiden, organische sulfiden en/of polyetherver-bindingen; het Amerikaanse octrooischrift 4.110.176 stelt de toepassing voor van een in het bad oplosbaar poly(alkanol kwaternair ammoniumzout) als glansmiddel, zoals wordt verkregen bij de reactie van een poly-35 alkyleenimine met een alkyleenoxyde; terwijl de Amerikaanse octrooiaanvrage serie no. 122.204 voorstelt een gesubstitueerd ftalocyanine- 82 0 1 2 7 9" ..........
-2- radicaal te gebruiken als glansmiddel, bij voorkeur in combinatie met andere glansmiddelen.
Hoewel de mengsels en de werkwijzen beschreven in deze octrooi-schriften leiden tot uitstekende glanzende, ductiele en egale koper-5 lagen, bleken moeilijkheden op te treden wanneer men een goede egalisatie wilde bereiken over onvolmaaktheden in de gaten in platen voor gedrukte bedrading, welke dus verdiepte gedeelten bevatten waar de stroomdichtheid klein is. Het nieuwe glans- en egaliseringsmiddel volgens de uitvinding is bijzonder geschikt voor bekleden met koper van platen voor 10 gedrukte bedrading voor elektronische schakelingen, zodat men glanzende, egale ductiele lagen verkrijgt, welke bovendien de onverwachte en bijzondere vermogens hebben egale lagen te vormen over onvolmaaktheden in de openingen in dergelijke platen voor gedrukte bedradingen.
De voordelen van de uitvinding worden verkregen met een mengsel 15 en een werkwijze voor elektrolytisch afzetten van koper uit zure waterige koperbaden, welke een hoeveelheid glans- en egaliseringsmiddel bevatten, dat omvat: a) een in het bad oplosbaar gesubstitueerd ftalocyanineradicaal; b) een in het bad oplosbaar additieprodukt van een tertiair alkylamine 20 met polyepichloorhydrine; c) een in het bad oplosbare organische verbinding van tweewaardig zwavel en d) een in het bad oplosbaar reactieprodukt van polyethyleenimine en een alkyleringsmiddel, dat het stikstofatoom van het polyethyleenamine 25 kan alkyleren onder vorming van een kwatemair stikstofatoom, terwijl dit alkyleringsmiddel is gekozen uit de groep, bestaande uit benzylchloride, allylbromide, propaansulton, en dimethylsulfaat, terwijl de reactietemperatuur varieert van kamertemperatuur tot ongeveer 120°C.
30 Bovendien en bij voorkeur kan de elektrolyt als glansmiddel een werkzame hoeveelheid bevatten van een in het bad oplosbare polyether-verbinding om de egalisatie en de glans van het afgezette koper nog verder te verbeteren.
Het zure, waterige koperbad kan volgens de uitvinding worden be- 35 dreven bij temperaturen van 15 - 50°C en bij stroomdichtheden van 2 0,055 tot 44 ampère per dm . Andere voordelen van de uitvinding zullen ____ blijken uit de onderstaande beschrijving van de voorkeursuitvoeringen en uit de voorbeelden.
8201279
* -W
-3-
Volgens de uitvinding gebruikt men zure waterige koperbaden op basis van het zure kopersulfaattype of van het zure koperfluorboraat-type. m overeënstemming met de gebruikelijke praktijk bevatten de zure kopersulfaatbaden typisch 180 - 250 g kopersulfaat per 1 en 30 - 80 g 5 zwavelzuur per 1. Volgens de gebruikelijke praktijk bevatten zure koper-fluorboraatbaden typisch 150 - 600 g koperfluorboraat per 1 en tot aan 60 g fluorboorzuur. Gevonden is, dat zure waterige bekledingsbaden van deze typen, welke de glansmiddelen volgens de uitvinding bevatten, kunnen worden bedreven bij groot gehalte aan zuur en klein gehalte aan 10 koper. Daardoor worden nog steeds uitstekende bekledingsresultaten verkregen, zelfs wanneer de baden slechts 7,5 g koper per 1 bevatten en tegelijk tot aan 350 g/1 zwavelzuur of tot aan 350 g fluorboorzuur per 1.
Volgens de uitvinding worden de zure bekledingsbaden typisch bedreven bij .stroomdichtheden variërend van ongeveer 1,1 tot aan 11 ampère 15 per dnw hoewel men ook stroomdichtheden kan gebruiken van slechts 0,055 of van niet minder dsn 44 ampère per dm onder overigens geschikte omstandigheden. Bij voorkeur gebruikt men stroomdichtheden van ongeveer 2 1,1 tot aan 5,5 ampère per dm . Onder omstandigheden, waarbij het bad sterk in beweging wordt gehouden kan men ook grotere stroomdichtheden 2 20 gebruiken tot aan 44 ampère per da en voor dit doel kan men roeren met lucht, roeren met kathodestaven en/of een roerder gebruiken.
De bedrijfstemperatuur van de bekledingsbaden kunnen variëren van. ongeveer 15°C tot ongeveer 50°C, terwijl temperaturen van 21 - 36°C typisch zijn.
25 De waterige zure baden bevatten bij voorkeur bovendien halogenide-, ionen, zoals chloride— en/of bromideanionen, welke typisch aanwezig zijn in hoeveelheden van niet meer dan ongeveer 0,5 g/1.
Naast de reeds genoemde bestanddelen bevat het zure bekledings-bad volgens de uitvinding een nieuw glans- en egaliseringsmengsel, be-30 staande uit een beheerst mengsel van gekozen verbindingen, die aanwezig zijn in een hoeveelheid, die geschikt is om een glanzende en egale koperlaag af te zetten. Dit mengsel bevat: a) een in het bad oplosbare gesubstitueerde ftalocyaninegroep, b) een in het bad oplosbaar additieprodukt van een tertiair alkylamine 35 met polyepichloorhydrine, c) een in het bad oplosbare organische verbinding van tweewaardige zwavëL en d) een in het bad oplosbaar reactieprodukt van polyethyleenimine en een 8201279 ...................
-4- * ♦ alkyleringsmiddel, dat de stikstof aan het polyethyleenimine kan alkyleren tot een kwatemair stikstofatoom en waarin dit alkylerings-middel is gekozen uit benzylchloride, allylbromide, propaansulton en dimethylsulfaat, terwijl de reactietemperatuur ligt tussen kamertemperatuur en 120°C.
Component a) van het glans- en egalisatiemiddel omvat een gesubstitueerd ftalocyanineradicaal met de structuurformule
Pc - (X) n waarin Pc een ftalocyanineradicaal is, X een -SCyn^, -SC>3M, -CH^CtNR^* Y~» R een waterstofatoom, een alkylgroep met 1-6 koolstof atomen, een aryl-groep met 6 koolstofatomen in het arylgedeelte en 1 - 6 koolstofatomen in het alkylgedeelte, een heterocyclische groep met 2-5 koolstofatomen en tenminste 1 stikstof-, zuurstof-, zwavel- of fosforatoom of een van de genoemde alkyl-, aryl-, aralkyl- en heterocyclische groepen, welke bovendien 1—5 amino-, hydroxy-, sulfonzuur- of fosfonzuur-groepen bevatten; n een geheel getal van 1-6, Y een halogeenatoom of een alkylsulfaatgroep met 1-4 koolstofatomen -in het alkylgedeelte en M een waterstof-, lithium-, natrium-, kalium- of magnesiumatoom voorstellen.
Verbindingen met deze structuurformule, die geschikt zijn voor toepassing volgens de uitvinding, zijn verder gekenmerkt doordat zij in een bad oplosbaar zijn tot tenminste 0,1 mg/1. Het ftalocyanineradicaal kan metaalvrij zijn of het kan een stabiele tweewaardig of driewaardig metaal bevatten dat stabiel gebonden is door coördinatie aan de iso-indoolstikstofatomen van het molecuul, welk metaal is gekozen uit kobalt, nikkel, chroom, ijzer of koper of mengsels daarvan..en bij voorkeur koper is. In dit laatste opzicht is hier bedoeld, dat het glansmiddel kan bestaan uit een mengsel van een gesubstitueerde ftalocyanineverbinding, welke gelijke of verschillende metalen uit de genoemde groep kunnen bevatten.
Een gesubstitueerde ftalocyanineverbinding, welke met succes kan worden gebruikt bij de werkwijze volgens de uitvinding moet in het bad oplosbaar zijn tot aan tenminste 0,1 mg/1 en overeenkomen met de struc-__ tuurformule 1 van het formuleblad, waarin 82 ÖT2 7 9 -5- Λ Λ + % X de bovengenoemde betekenis heeft, Z een atoom nikkel, kobalt, chroom, ijzer of koper, a 0 of 1 is, en b 0 - 2 is, mits het totale aantal substituenten X gelijk is aan 1-6.
5 Ftalocyanineverbindingen met formule 1 en werkwijzen voor hun bereiding zijn algemeen bekend. Hiervoor kan worden verwezen naar het ‘ overzicht in Rodds Chemical Carbon Compounds, 2nd Edition 1977, Vol 4B, bladz. 334 - 339 en in Colour Index Number 74280 bij the Society of Dyers and Colourers,England en naar de daar genoemde literatuur.
10 Een bij voorkeur gebruikte ftalocyanineverbinding binnen deze algemene formule is Alcian Blue met formule 2 van het formuleblad.
Deze verbinding kan typisch worden bereid door omzetten van koperftalocyanine met formaldehyde bij aanwezigheid van AlCl^ en HCl, waarna men het verkregen produkt omzet met N-tetramethylthioureum onder 15 vorming van de verbinding met formule 2.
Het ftalocyanineglansmiddel wordt in het zure koperbad gebruikt in een hoeveelheid, die slechts 0,1 mg/1 hoeft te bedragen, maar ook kan oplopen tot aan 10 g/1, terwijl men bij voorkeur 2 - 60 mg/1 gebruikt voor de meeste doeleinden. Toevoegen van dit ftalocyanineglansmiddel 20 leidt tot verbeterde egalisatie en verbeterd glanzen van het elektro-lytisch neergeslagen koper, in het bijzonder in verdiept gelegen gedeelten van de te bekleden voorwerpen.
Component b) van het glans- en egalisatiemengsel omvat een in het bad oplosbaar additieprodukt van een tertiair alkylamine met polyepi-25 chloorhydrine dat de algemene formule 3 van het formuleblad heeft, waarin: de verschillende groepen R gelijk of verschillend kunnen zijn en ieder een methyl-of ethylgroep voorstellen, de A en B elk een geheel getal zijn, waarvan de som een geheel getal is 30 van 4 tot aan 500, terwijl A/B tenminste ongeveer 1/5 is.
De polykwatemaire aminen met formule 3 kunnen een molecuulge-wicht hebben, dat varieert van ongeveer 600 tot ongeveer 100.000 en zij worden zo gekozen, dat zij oplosbaar zijn in de zure elektrolyt. Dergelijke kwatemaire additieprodukten van polyepichloorhydrine met terti-35 aire alkylaminen kunnen doelmatig worden bereid door een polyepichloorhydrine in aanraking te brengen met de oplossing van een tertiair alkyl-__ amine in een geschikt oplosmiddel bij ongeveer 50 - 120°C en bij voorkeur boven 100°C. Geschikte oplosmiddelen zijn water en alcohol en de v 8201279 -6- reactie wordt bij voorkeur uitgevoerd onder krachtig roeren gedurende ongeveer 2-8 uur of meer. Wanneer men aminen gebruikt, zoals trimethyl-amine, welke vrij sterk vluchtig zijn, wordt de reactie uitgevoerd in een gesloten vat, zoals een autoclaaf onder druk. Aminen met een hoger 5 kookpunt, zoals triethylamine, kunnen worden omgezet bij atmosferische druk onder terugvloeikoeling. In beide gevallen kan het kwaternaire additieprodukt uit het reactiemengsel worden afgescheiden door het oplosmiddel af te destilleren tegelijk met eventueel niet omgezet amine.
De bereiding en de eigenschappen van dergelijke kwaternaire ad-10 ditieprodukten is nader beschreven in Amerikaans octrooischrift 3.320317, waarnaar kan worden verwezen voor verdere bijzonderheden van produkten, die bruikbaar zijn volgens de onderhavige uitvinding.
Dit kwaternaire additieprodukt wordt in het zure koperbad gebruikt in een hoeveelheid, die slechts 0,1 mg/1 behoeft te bedragen, 15 maar ook tot aan 1000 mg/1 kan zijn, terwijl men bij voorkeur 3-12 mg/1 gebruikt voor de meeste bekledingsbewerkingen van platen voor elektronische bedradingen.
Het derde hoofdbestanddeel van het glans- en egalisatiemengsel volgens de uitvinding omvat organische verbindingen van tweewaardige 20 zwavel, met inbegrip van gesulfoneerde of gefosföneerde organische sulfiden, bijvoorbeeld organische sulfiden, welke tenminste een sulfonzuur of fosforzuurgroep bevatten. Deze organische sulfideverbindingen, welke sulfon- of fosfongroepen bevatten, kunnen ook diverse andere substituenten bevatten, zoals chloor- of broomatomen, methyl-, methoxy-, 25 ethoxy-, carboxy- of hydroxygroepen in het bijzonder bij de aromatische en heterocyclische sulfide-sulfonzuren of -fosfonzuren. Deze organische sulfiden kunnen worden gebruikt in de vorm van vrije zuren, als alkali-zouten, organische aminezouten en dergelijke. Voorbeelden van concrete sulfonaat-organische sulfiden die volgens de uitvinding gebruikt kunnen 30 worden, zijn die welke zijn genoemd in tabel 1 van het Amerikaanse octrooischrift 3.267.010 en in tabel 3 van het Amerikaanse octrooischrift 4.181.582 en eveneens de fosfonzuurderivaten daarvan. Andere geschikte organische verbindingen van tweewaardige zwavel, die gebruikt kunnen worden, zijn HO^P - (CH^)^ -S-S-iCH^)^ ~ PO^H en de mercaptanen, thio-35 carbamaten, thiolcarbamaten, thioxanthaten en thiocarbonaten, welke tenminste een sulfonzuur of fosfonzuurgroep bevatten.
--- Een met bijzondere voorkeur gebruikte groep organische verbin- 8201279 ..........................................
-7- Γ' -. . ..--:— ...
> dingen van tweewaardige zwavel zijn de organische polysulfideverbin- dingen. Deze polysulfideverbindingen kunnen de formule hebben XR^ - (S) R.SO.H of XR. - (S) R-PO.H, waarin R, en R. al dan niet gelijke nz3 1 nzj 1 l alkyleengroepen zijn met 1-6 koolstofatomen, X een waterstofatoom, 5 een SO^H of een PO^H groep en n een getal van 2-5 voorstellen. Deze organische verbindingen van tweewaardige zwavel zijn alifatische poly-sulfiden, waarin tenminste twee tweewaardige zwavelatomen vicinaal zijn en waarin het molecuul een of twee eindstandige sulfonzuur- of fosfon-zuurgroepen bevat. Het alkyleengedeelte van het molecuul kan gesubsti-10 tueerd zijn door groepen zoals chloor- of broomatomen, methyl-, ethyl-, ethoxy-, hydroxy en dergelijke. Deze verbindingen kunnen worden toegevoegd als de vrije zuren of als hun alkalimetaalzouten of aminezouten. Voorbeelden van bruikbare verbindingen zijn vermeld in tabel I van kolom 2 van het Amerikaanse octrooischrift 3.328.273 en ook hun fosfonzuur-15 derivaten zijn bruikbaar.
Van deze organische sulfideverbindingen is in de elektrolyten volgens de uitvinding 0,0005 - 1,0 g/1 aanwezig, en bij voorkeur 15 - 60 mg/1.
Het vierde hoofdbestanddeel van het glans- en egalisatiemengsel, 20 namelijk component d), is een in het bad oplosbaar reactieprodukt van een polyethyleenimine en een alkyleringsmiddel, dat het stikstofatoom van het. polyethyleenimine kan alkyleren tot een kwaternaire stikstofatoom. Dit alkyleringsmiddel wordt gekozen uit de groep bestaande uit benzylchloride, allylbromide, propaansulton, dimethylsulfaat en derge-25 lijke. De reactietemperatuur om dit produkt te bereiden ligt gewoonlijk tussen kamertemperatuur en ongeveer 120°C. Een bijzonder bevredigend reactieprodukt voor toepassing volgens de uitvinding is het produkt van polyethyleenimine met benzylchloride. Het reactieprodukt d kan worden gebruikt in hoeveelheden variërend van 0,1 tot ongeveer 50 mg/1, 30 en bij voorkeur van 0,75 - 3 mg/1.
Het reactieprodukt, de synthesemethode en geschikte alkylerings-middelen zijn nader beschreven in het Amerikaanse octrooischrift 3.770. 598, dat hier door verwijzing wordt opgenomen en waarnaar verder kan worden verwezen voor extra gegevens over bevredigende reactieprodukten, 35 die volgens de uitvinding kunnen worden toegepast.
Naast de vier hoofdcomponenten van het glans- en egalisatie-_ mengsel is verder gevonden, dat men ook en bij voorkeur als extra glansmiddel kan toevoegen een in het bad oplosbare polyetherverbinding om de 82Ö1279 « -8- eigenschappen van het elektrolytisch neergeslagen koper verder te verbeteren. De meest bij voorkeur gebruikte polyethers zijn die, met tenminste zes etherzuurstofatomen en met een molecuulgewicht van ongeveer 150 tot 1 miljoen. Van de verschillende bruikbare polyetherverbindingen 5 zijn uitstekende resultaten verkregen met de polypropeenglycolen, de polyethyleenglycolen en met de polypropyleen-polyethyleenglycolen met een gemiddeld molecuulgewicht tussen ongeveer 600 en 4000 en met ge-alkoxyleerde aromatische alcoholen met een molecuulgewicht van ongeveer 300 tot 2500. Voorbeelden van de verschillende bij voorkeur gebruikte 10 polyetherverbindingen zijn hieronder vermeld in tabel A. Bij voorkeur bevat de elektrolyt deze polyetherverbindingen in een hoeveelheid tussen 0. 001.en 5 g/1, tewijl van de polyethers met groot molecuulgewicht gewoonlijk een vrij lage concentratie wordt gebruikt. Typisch worden de polyetherverbindingen gebruikt in een hoeveelheid van ongeveer 10-40 15 mg/1.
TABEL A.
Polyethers 1. Polyethyleenglycolen (Gem. M.W. 400 - 1.000.000) 2. Geëthoxyleerde naftolen (Met 5 - 45 mol ethyleen- 2Q oxyde groepen) 3. Gepropoxyleerde naftolen (Met 5-25 mol propyleen- oxyde groepen) 4. Geëthoxyleerde nonylfenolen (Met 5-30 mol ethyleen- oxyde groepen) 5. Polypropyleenglycolen (Gem. M.W. 350 - 1.000) 25 6. Blokpolymeren van polyoxyethyleen en (Gem. M.W. 350 - 250.000) polyoxypropyleenglycolen 7. Geëthoxyleerde fenolen (Met 5-100 mol ethyleen- oxyde groepen) 8. Gepropoxy leerde fenolen (Met 5-25 mol propyleen- oxyde groepen) 30 9. Verbinding met formule 4 10. Verbinding met formule 5 11. Verbinding met formule 6 (X = 4 - 375 en gem. M.W.= 320 - 30.000)
De verbeterde zure waterige koperbaden en de werkwijze volgens de uitvinding wordt nader toegelicht in de volgende voorbeelden, welke niet 35 beperkend zijn bedoeld.
820127¾ *
Voorbeeld I.
Zeer bevredigende elektrolyten volgens de uitvinding voor elek-trolytisch bekleden van platen voor elektronische schakelingen zijn de volgende: 5 Component Concentratie
CuS04 ,5H20 60 - 75 g/1 H2S04 150 - 225 g/1
Cl" 20 “ 100 mg/1
Methic Turquoise 7 - 18 mg/1 10 Gekwaterniseerd polyepichloorhydrine 5 - 14 mg/1
Verbinding vantweewaardige zwavel 26 - 63 mg/1
Polybenzylethyleenimine 1,5-3 mg/1
Polyether 15 - 40 mg/1
De chlorideionen in deze elektrolyt worden toegevoegd in de vorm 15 van zoutzuur. De polyetherverbinding omvat Carbowax 4000 en de verbinding van tweewaardig zwavel omvat:
NaS03(CH3)2 - S - S - (CH3)2 - S03 -Na Een bad, dat de genoemde bestanddelen bevat in binnen de aangegeven concentratiegebieden vormt glanzende, egale en ductiele koperlagen 20 binnen een gebied van stroomdichtheden, dat bij voorkeur ligt tussen 2 2 1,1 en 5,5 ampère/dm , terwijl 3,3 ampêre/dm zeer bevredigend is- Dergelijke koperlagen hebben het bijzondere vermogen, egaal te worden afgezet over onvolmaaktheden in de gaten in platen voor gedrukte bedradingen.
25 Voorbeeld II.
Een elektrolyt wordt bereid met de volgende bestanddelen:
Component Concentratie CUS04.5H20 67,5 g/1 H2S04 172,5 g/1 30 Cl" 70 mg/1
Methic turquoise 8 mg/1
Gekwaterniseerd polyepichloorhydrine 6 mg/1
Verbinding van tweewaardige zwavel 32 mg/1
Polybenzylethyleenimine 1,5 mg/1 35 Carbowax 4000 20 mg/1
Een plaat voor gedrukte bedrading en met afmetingen van 5 x 5 cm _ wordt gereinigd en met water gespoeld en vervolgens met de bovengenoemde elektrolyt bekleed in de loop van 30 minuten en bij een stroomdichtheid 82 0 1 279 : 2 -10- van 3,3 ampère/dm onder toepassing van roeren met lucht en bij een o elektrolyttemperatuur van 22 C. De verkregen koperlaag bleek glanzend te zijn met goede egalisatie en ductiliteit.
Het zal duidelijk zijn, dat de werkwijze en het mengsel volgens 5 de uitvinding vatbaar zijn voor modificaties en variaties zonder af te wijken van de geest daarvan.
8201279 ..........................~

Claims (22)

1. Zure waterige elektrolyt, welke voldoende koper bevat om elektrolyt is ch koper af te zetten op een ondergrond, met het kenmerk, dat de elektrolyt tevens een glans- en egalisatiemengsel bevat in voldoende hoeveelheid om een glanzende en egale koperlaag te vormen, welk mengsel 5 bevat: a) een in het bad oplosbaar gesubstitueerd ftalocyanineradicaal, b) een in het bad oplosbaar additieprodukt van een tertiair alkylamine met polyepichloorhydrine, c) een in het bad oplosbare organische verbinding van tweewaardige 10 zwavel en d) een in het bad oplosbaar reactieprodukt van polyethyleenimine met een alkyleringsmiddel, dat het stikstofatoom aan het polyethyleenimine kan alkyleren tot een kwatemair stikstofatoom, welk alkyleringsmiddel gekozen uit benzylchloride, allylbromide, propaansulton en 15 dimethylsulfaat, terwijl de reactietemperatuur ligt tussen de kamertemperatuur en 120°C.
2. Elektrolyt volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het glansen egalisatiemiddel verder bevat: e) een in het bad oplosbare polyetherverbinding als extra glansmiddel.
3. Elektrolyt volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat component a de structuurformule heeft Pc - (X) n waarin Pc een ftalocyanineradicaal is, 25. is -S02NR2, -S03M, -CH2SC(NR2)2 y“, R een waterstofatoom, een alkylgroep met 1 - 6 koolstofatomen, een arylgroep met 6 koolstofatomen, een aralkylgroep met 6 koolstofatomen in het arylgedeelte en 1 - 6 koolstofatomen in het alkylgedeelte, een heterocyclische groep met 2-5 koolstofatomen en tenminste 1 stik- 30 stof-, zuurstof.-, zwavel- of fosforatoom en alkyl-, aryl-, aralkyl- en heterocyclische, groepen van de .genoemde typen, welke bovendien 1-5 ___ amino-, hydroxy-, sulfonzuur- of fosforzuurgroepen bevatten, n gelijk is aan 1-6, ______ . V -12- Y een halogeenatoom of alkylsulfaatgroep is met 1-4 koolstofatomen in het alkylgedeelte en M gelijk is aan H, Li, Na, K of Mg, terwijl deze verbinding in het bad oplosbaar is tot tenminste 0,1 mg/1.
4. Elektrolyt volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat component a een metaalvrij radicaal is.
5. Elektrolyt volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat component a een stabiel metaal bevattend ftalocyanineradicaal is.
6. Elektrolyt volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat component a 10 een twee- of driewaardig metaal bevat, gekozen uit kobalt, nikkel, chroom, ijzer, koper en mengsels daarvan.
7. Elektrolyt volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat component a als metaal koper bevat.
8. Elektrolyt volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat van compo-15 nent a 0,1 - 10.000 mg/1 aanwezig is.
9. Elektrolyt volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat component a aanwezig is in een hoeveelheid van 2-60 mg/1.
10. Elektrolyt volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat component b de formule 3 heeft, waarin de groepen R gelijk of verschillend zijn en 20 ieder een methyl- of ethylgroep voorstellen, A en B gehele getallen zijn, waarvan de som varieert van 4 - 5000, terwijl A/B tenminste ongeveer 1/5 is.
11. Elektrolyt volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat component b aanwezig is in een hoeveelheid van 0,6 - 1000 mg/1.
12. Elektrolyt volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat component b aanwezig is in een hoeveelheid van 3-12 mg/1.
13. Elektrolyt volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat component c • een organische polysulfideverbinding is.
14. Elektrolyt volgens conclusie 13, met het kenmerk, dat component c 30 de structuurformules heeft XRr (S)nR2S03H, of <S>aY°3H waarin en R2 gelijke of verschillende alkyleengroepen met 1—6 koolstof-35 atomen zijn en X een waterstofatoom, een SO^H of PO^H groep voorstellen en J_ n een geheel getal van 2 - 5 is. 82 0 1 2T9 .......... ................. V -13-
15. Elektrolyt volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat component c aanwezig is in een hoeveelheid van 0,5 tot 1000 mg/1.
16. Elektrolyt volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat component c aanwezig is in een hoeveelheid van 15 - 60 mg/1.
17. Elektrolyt volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat component d polybenzylethyleenimine is.
18. Elektrolyt volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat d aanwezig is in een hoeveelheid van 0,1 - 50 mg/1.
19. Elektrolyt volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat component d 10 aanwezig is in een hoeveelheid van 0,75 - 3 mg/1.
20. Elektrolyt volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat component e .aanwezig is in een hoeveelheid tot aan 5 g/1.
21. Elektrolyt volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat component e aanwezig is in een hoeveelheid van 10-40 mg/1.
22. Werkwijze om elektrolytisch een glanzende koperlaag af te zetten op een ondergrond, waarbij men elektrolytisch koper afzet uit een zuur waterig koperbad bij 15 - 50°C, met het kenmerk, dat het bad een mengsel bevat als omschreven in de conclusies 1 - 21. 82 0 1 2 7 9 ................................
NL8201279A 1981-03-26 1982-03-26 Elektrolytische afzetting van glanzend koper. NL8201279A (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US24757781 1981-03-26
US06/247,577 US4336114A (en) 1981-03-26 1981-03-26 Electrodeposition of bright copper

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8201279A true NL8201279A (nl) 1982-10-18

Family

ID=22935434

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8201279A NL8201279A (nl) 1981-03-26 1982-03-26 Elektrolytische afzetting van glanzend koper.

Country Status (14)

Country Link
US (1) US4336114A (nl)
JP (1) JPS57188693A (nl)
AU (1) AU530827B2 (nl)
BE (1) BE892639A (nl)
BR (1) BR8201708A (nl)
CH (1) CH650278A5 (nl)
DE (1) DE3210286A1 (nl)
DK (1) DK137382A (nl)
ES (1) ES510803A0 (nl)
FR (1) FR2502648A1 (nl)
GB (1) GB2097020B (nl)
IT (1) IT1147927B (nl)
NL (1) NL8201279A (nl)
SE (1) SE8201310L (nl)

Families Citing this family (107)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3323476A1 (de) * 1982-07-01 1984-01-05 Kollmorgen Technologies Corp., 75201 Dallas, Tex. Verbessertes verfahren zur galvanischen metallabscheidung auf nichtmetallischen oberflaechen
AU559896B2 (en) * 1983-06-10 1987-03-26 Omi International Corp. Electrolytic copper depositing processes
AU554236B2 (en) * 1983-06-10 1986-08-14 Omi International Corp. Electrolyte composition and process for electrodepositing copper
US4555315A (en) * 1984-05-29 1985-11-26 Omi International Corporation High speed copper electroplating process and bath therefor
US5051154A (en) * 1988-08-23 1991-09-24 Shipley Company Inc. Additive for acid-copper electroplating baths to increase throwing power
DE3836521C2 (de) * 1988-10-24 1995-04-13 Atotech Deutschland Gmbh Wäßriges saures Bad zur galvanischen Abscheidung von glänzenden und rißfreien Kupferüberzügen und Verwendung des Bades
EP0419845A3 (en) * 1989-09-05 1991-11-13 General Electric Company Method for preparing metallized polyimide composites
ATE188516T1 (de) * 1990-03-19 2000-01-15 Atotech Deutschland Gmbh Wässriges, saures bad zur galvanischen abscheidung von glänzenden und rissfreien kupferüberzügen und verwendung dieses bades
US6375741B2 (en) * 1991-03-06 2002-04-23 Timothy J. Reardon Semiconductor processing spray coating apparatus
US5252196A (en) * 1991-12-05 1993-10-12 Shipley Company Inc. Copper electroplating solutions and processes
US5328589A (en) * 1992-12-23 1994-07-12 Enthone-Omi, Inc. Functional fluid additives for acid copper electroplating baths
US5730854A (en) * 1996-05-30 1998-03-24 Enthone-Omi, Inc. Alkoxylated dimercaptans as copper additives and de-polarizing additives
US6203582B1 (en) * 1996-07-15 2001-03-20 Semitool, Inc. Modular semiconductor workpiece processing tool
US6276072B1 (en) * 1997-07-10 2001-08-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for heating and cooling substrates
US6936153B1 (en) 1997-09-30 2005-08-30 Semitool, Inc. Semiconductor plating system workpiece support having workpiece-engaging electrode with pre-conditioned contact face
US6454926B1 (en) 1997-09-30 2002-09-24 Semitool Inc. Semiconductor plating system workpiece support having workpiece-engaging electrode with submerged conductive current transfer areas
US7244677B2 (en) 1998-02-04 2007-07-17 Semitool. Inc. Method for filling recessed micro-structures with metallization in the production of a microelectronic device
EP1019954B1 (en) * 1998-02-04 2013-05-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for low-temperature annealing of electroplated copper micro-structures in the production of a microelectronic device
US6632292B1 (en) * 1998-03-13 2003-10-14 Semitool, Inc. Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces
US6416647B1 (en) 1998-04-21 2002-07-09 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates
KR100616198B1 (ko) 1998-04-21 2006-08-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판상에 전기도금하는 전기화학적 증착 시스템 및 방법
US6113771A (en) * 1998-04-21 2000-09-05 Applied Materials, Inc. Electro deposition chemistry
US6994776B2 (en) * 1998-06-01 2006-02-07 Semitool Inc. Method and apparatus for low temperature annealing of metallization micro-structure in the production of a microelectronic device
US6183622B1 (en) 1998-07-13 2001-02-06 Enthone-Omi, Inc. Ductility additives for electrorefining and electrowinning
US6228233B1 (en) 1998-11-30 2001-05-08 Applied Materials, Inc. Inflatable compliant bladder assembly
US6290865B1 (en) 1998-11-30 2001-09-18 Applied Materials, Inc. Spin-rinse-drying process for electroplated semiconductor wafers
US6254760B1 (en) 1999-03-05 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system and method
US6258220B1 (en) 1998-11-30 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system
US6267853B1 (en) 1999-07-09 2001-07-31 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system
US6544399B1 (en) 1999-01-11 2003-04-08 Applied Materials, Inc. Electrodeposition chemistry for filling apertures with reflective metal
US6379522B1 (en) 1999-01-11 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Electrodeposition chemistry for filling of apertures with reflective metal
US7192494B2 (en) * 1999-03-05 2007-03-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for annealing copper films
US6136163A (en) * 1999-03-05 2000-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus for electro-chemical deposition with thermal anneal chamber
US7109408B2 (en) * 1999-03-11 2006-09-19 Eneco, Inc. Solid state energy converter
US6837978B1 (en) 1999-04-08 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Deposition uniformity control for electroplating apparatus, and associated method
US6662673B1 (en) 1999-04-08 2003-12-16 Applied Materials, Inc. Linear motion apparatus and associated method
US6551488B1 (en) 1999-04-08 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Segmenting of processing system into wet and dry areas
US6585876B2 (en) 1999-04-08 2003-07-01 Applied Materials Inc. Flow diffuser to be used in electro-chemical plating system and method
US6557237B1 (en) 1999-04-08 2003-05-06 Applied Materials, Inc. Removable modular cell for electro-chemical plating and method
US6582578B1 (en) 1999-04-08 2003-06-24 Applied Materials, Inc. Method and associated apparatus for tilting a substrate upon entry for metal deposition
US6551484B2 (en) 1999-04-08 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Reverse voltage bias for electro-chemical plating system and method
US6571657B1 (en) 1999-04-08 2003-06-03 Applied Materials Inc. Multiple blade robot adjustment apparatus and associated method
US6444110B2 (en) * 1999-05-17 2002-09-03 Shipley Company, L.L.C. Electrolytic copper plating method
US6516815B1 (en) 1999-07-09 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module
US20030213772A9 (en) * 1999-07-09 2003-11-20 Mok Yeuk-Fai Edwin Integrated semiconductor substrate bevel cleaning apparatus and method
US6406609B1 (en) * 2000-02-25 2002-06-18 Agere Systems Guardian Corp. Method of fabricating an integrated circuit
US6913680B1 (en) 2000-05-02 2005-07-05 Applied Materials, Inc. Method of application of electrical biasing to enhance metal deposition
EP1337693A2 (en) 2000-05-23 2003-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to overcome anomalies in copper seed layers and to tune for feature size and aspect ratio
US20040079633A1 (en) * 2000-07-05 2004-04-29 Applied Materials, Inc. Apparatus for electro chemical deposition of copper metallization with the capability of in-situ thermal annealing
US6576110B2 (en) 2000-07-07 2003-06-10 Applied Materials, Inc. Coated anode apparatus and associated method
US20020112964A1 (en) * 2000-07-12 2002-08-22 Applied Materials, Inc. Process window for gap-fill on very high aspect ratio structures using additives in low acid copper baths
US6436267B1 (en) 2000-08-29 2002-08-20 Applied Materials, Inc. Method for achieving copper fill of high aspect ratio interconnect features
DE10058896C1 (de) * 2000-10-19 2002-06-13 Atotech Deutschland Gmbh Elektrolytisches Kupferbad, dessen Verwendung und Verfahren zur Abscheidung einer matten Kupferschicht
AU2002215939A1 (en) * 2000-10-19 2002-04-29 Atotech Deutschland Gmbh Copper bath and method of depositing a matt copper coating
US6776893B1 (en) * 2000-11-20 2004-08-17 Enthone Inc. Electroplating chemistry for the CU filling of submicron features of VLSI/ULSI interconnect
US6610189B2 (en) 2001-01-03 2003-08-26 Applied Materials, Inc. Method and associated apparatus to mechanically enhance the deposition of a metal film within a feature
US20040020780A1 (en) * 2001-01-18 2004-02-05 Hey H. Peter W. Immersion bias for use in electro-chemical plating system
US6478937B2 (en) 2001-01-19 2002-11-12 Applied Material, Inc. Substrate holder system with substrate extension apparatus and associated method
US6824612B2 (en) 2001-12-26 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Electroless plating system
US6770565B2 (en) 2002-01-08 2004-08-03 Applied Materials Inc. System for planarizing metal conductive layers
US20030146102A1 (en) * 2002-02-05 2003-08-07 Applied Materials, Inc. Method for forming copper interconnects
US8002962B2 (en) 2002-03-05 2011-08-23 Enthone Inc. Copper electrodeposition in microelectronics
US7316772B2 (en) * 2002-03-05 2008-01-08 Enthone Inc. Defect reduction in electrodeposited copper for semiconductor applications
US6911136B2 (en) * 2002-04-29 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Method for regulating the electrical power applied to a substrate during an immersion process
US7189313B2 (en) * 2002-05-09 2007-03-13 Applied Materials, Inc. Substrate support with fluid retention band
JP4115240B2 (ja) * 2002-10-21 2008-07-09 日鉱金属株式会社 特定骨格を有する四級アミン化合物及び有機硫黄化合物を添加剤として含む銅電解液並びにそれにより製造される電解銅箔
KR100682224B1 (ko) * 2002-12-18 2007-02-12 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 구리전해액 및 이것에 의해 제조된 전해구리박
US7138039B2 (en) * 2003-01-21 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Liquid isolation of contact rings
US7087144B2 (en) * 2003-01-31 2006-08-08 Applied Materials, Inc. Contact ring with embedded flexible contacts
US7025861B2 (en) 2003-02-06 2006-04-11 Applied Materials Contact plating apparatus
US6851200B2 (en) * 2003-03-14 2005-02-08 Hopkins Manufacturing Corporation Reflecting lighted level
US20040200725A1 (en) * 2003-04-09 2004-10-14 Applied Materials Inc. Application of antifoaming agent to reduce defects in a semiconductor electrochemical plating process
US20040211657A1 (en) * 2003-04-11 2004-10-28 Ingelbrecht Hugo Gerard Eduard Method of purifying 2,6-xylenol and method of producing poly(arylene ether) therefrom
US7205153B2 (en) 2003-04-11 2007-04-17 Applied Materials, Inc. Analytical reagent for acid copper sulfate solutions
US7311810B2 (en) * 2003-04-18 2007-12-25 Applied Materials, Inc. Two position anneal chamber
US20040206373A1 (en) * 2003-04-18 2004-10-21 Applied Materials, Inc. Spin rinse dry cell
US20040206628A1 (en) * 2003-04-18 2004-10-21 Applied Materials, Inc. Electrical bias during wafer exit from electrolyte bath
US7128822B2 (en) * 2003-06-04 2006-10-31 Shipley Company, L.L.C. Leveler compounds
US20050092602A1 (en) * 2003-10-29 2005-05-05 Harald Herchen Electrochemical plating cell having a membrane stack
US20050092601A1 (en) * 2003-10-29 2005-05-05 Harald Herchen Electrochemical plating cell having a diffusion member
US20050218000A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-06 Applied Materials, Inc. Conditioning of contact leads for metal plating systems
US20050230262A1 (en) * 2004-04-20 2005-10-20 Semitool, Inc. Electrochemical methods for the formation of protective features on metallized features
US7285195B2 (en) * 2004-06-24 2007-10-23 Applied Materials, Inc. Electric field reducing thrust plate
TW200613586A (en) * 2004-07-22 2006-05-01 Rohm & Haas Elect Mat Leveler compounds
TW200632147A (nl) 2004-11-12 2006-09-16
US20060102467A1 (en) * 2004-11-15 2006-05-18 Harald Herchen Current collimation for thin seed and direct plating
US20060175201A1 (en) * 2005-02-07 2006-08-10 Hooman Hafezi Immersion process for electroplating applications
US20070014958A1 (en) * 2005-07-08 2007-01-18 Chaplin Ernest R Hanger labels, label assemblies and methods for forming the same
US7662981B2 (en) * 2005-07-16 2010-02-16 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Leveler compounds
US7851222B2 (en) * 2005-07-26 2010-12-14 Applied Materials, Inc. System and methods for measuring chemical concentrations of a plating solution
GB0520793D0 (en) * 2005-10-13 2005-11-23 Avecia Inkjet Ltd Phthalocyanine inks and their use in ink-jet printing
US20070178697A1 (en) * 2006-02-02 2007-08-02 Enthone Inc. Copper electrodeposition in microelectronics
US7887693B2 (en) * 2007-06-22 2011-02-15 Maria Nikolova Acid copper electroplating bath composition
JP5442188B2 (ja) * 2007-08-10 2014-03-12 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. 銅めっき液組成物
JP2009041097A (ja) * 2007-08-10 2009-02-26 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 銅めっき方法
US7905994B2 (en) 2007-10-03 2011-03-15 Moses Lake Industries, Inc. Substrate holder and electroplating system
CN101978100B (zh) * 2008-03-17 2012-07-11 Jx日矿日石金属株式会社 用于制造电解铜箔的电解液
US8262894B2 (en) 2009-04-30 2012-09-11 Moses Lake Industries, Inc. High speed copper plating bath
EP2465976B1 (en) 2010-12-15 2013-04-03 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Method of electroplating uniform copper layer on the edge and walls of though holes of a substrate.
CN103397354B (zh) * 2013-08-08 2016-10-26 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂
EP2899411A1 (de) 2013-12-06 2015-07-29 Ulrich Reif Anordnung zur Verbindung von Bauteilen, insbesondere von zwei Bauteilen einer Unterkonstruktion, insbesondere für Balkon- und Terrassenabdeckungen
US10519557B2 (en) * 2016-02-12 2019-12-31 Macdermid Enthone Inc. Leveler compositions for use in copper deposition in manufacture of microelectronics
WO2018057590A1 (en) 2016-09-22 2018-03-29 Macdermid Enthone Inc. Copper deposition in wafer level packaging of integrated circuits
EP3415664B1 (en) * 2017-06-16 2019-09-18 ATOTECH Deutschland GmbH Aqueous acidic copper electroplating bath and method for electrolytically depositing of a copper coating
CN112135930B (zh) 2018-04-09 2024-10-29 朗姆研究公司 在非铜衬垫层上的铜电填充
CN112390947B (zh) * 2019-08-16 2023-04-28 位速科技股份有限公司 电极界面层材料、两性离子聚合物和有机光伏元件
US11512406B2 (en) 2019-10-17 2022-11-29 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method of enhancing copper electroplating

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL291575A (nl) * 1962-04-16
US3328273A (en) * 1966-08-15 1967-06-27 Udylite Corp Electro-deposition of copper from acidic baths
US3770598A (en) * 1972-01-21 1973-11-06 Oxy Metal Finishing Corp Electrodeposition of copper from acid baths
AU496780B2 (en) * 1975-03-11 1978-10-26 Oxy Metal Industries Corporation Additives in baths forthe electrodeposition of copper
US4272335A (en) * 1980-02-19 1981-06-09 Oxy Metal Industries Corporation Composition and method for electrodeposition of copper

Also Published As

Publication number Publication date
DK137382A (da) 1982-09-27
JPS57188693A (en) 1982-11-19
IT8248069A0 (it) 1982-03-24
ES8305852A1 (es) 1983-04-16
CH650278A5 (de) 1985-07-15
US4336114A (en) 1982-06-22
IT1147927B (it) 1986-11-26
AU8130782A (en) 1982-11-04
ES510803A0 (es) 1983-04-16
FR2502648A1 (fr) 1982-10-01
GB2097020A (en) 1982-10-27
BR8201708A (pt) 1983-02-22
DE3210286A1 (de) 1982-12-09
BE892639A (fr) 1982-09-27
SE8201310L (sv) 1982-09-27
AU530827B2 (en) 1983-07-28
GB2097020B (en) 1984-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8201279A (nl) Elektrolytische afzetting van glanzend koper.
US4110176A (en) Electrodeposition of copper
CA1078323A (en) Acid copper plating baths
NL8100637A (nl) Samenstelling en methode voor de elektrolytische afzetting van koper.
JPS6141787A (ja) 酸性一銅メッキ浴および方法
US4347108A (en) Electrodeposition of copper, acidic copper electroplating baths and additives therefor
EP0207732B1 (en) Plating bath and method for electroplating tin and/or lead
TWI468554B (zh) 電解錫電鍍溶液及電解錫電鍍方法
CA1104152A (en) Nitrogen and sulfur compositions and acid copper plating baths
JPH1121693A (ja) 錫−銀合金めっき浴及びめっき物
KR20150066485A (ko) 전기도금조용 첨가제
JP3365866B2 (ja) 非シアン性貴金属めっき浴
US5024736A (en) Process for electroplating utilizing disubstituted ethane sulfonic compounds as electroplating auxiliaries and electroplating auxiliaries containing same
US4496439A (en) Acidic zinc-plating bath
NL8401841A (nl) Elektrolyt-samenstelling alsmede werkwijze voor het elektrolytisch neerslaan van koper.
JPH0346553B2 (nl)
JP3210678B2 (ja) 錫メッキ電解質組成物
JPH11513749A (ja) 錫メッキ電解質組成物
NL8401842A (nl) Werkwijze voor het elektrolytisch neerslaan van koper.
JP3425646B2 (ja) 電着皮膜組成比安定用の錫―鉛合金めっき浴
TWI878013B (zh) 鍍敷液
US3190820A (en) Electrodeposition of bright nickel
JPH0233795B2 (ja) Metsukyokusoseibutsu
KR19990064055A (ko) 주석 도금 전해질 조성물
JPH02194192A (ja) 電気錫メツキ方法

Legal Events

Date Code Title Description
A1A A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed