NL163065C - Halfgeleiderinrichting, omvattende een samengestelde aansluitelektrodelaag, bestaande uit een eerste metaallaag, die wolfraam bevat en een tweede metaallaag van een metaal met een hoog geleidingsvermogen, die de eerste metaallaag bedekt.
- Google Patents
Halfgeleiderinrichting, omvattende een samengestelde aansluitelektrodelaag, bestaande uit een eerste metaallaag, die wolfraam bevat en een tweede metaallaag van een metaal met een hoog geleidingsvermogen, die de eerste metaallaag bedekt.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments IncfiledCriticalTexas Instruments Inc
Publication of NL6907540ApublicationCriticalpatent/NL6907540A/xx
Publication of NL163065BpublicationCriticalpatent/NL163065B/xx
Application grantedgrantedCritical
Publication of NL163065CpublicationCriticalpatent/NL163065C/xx
NL6907540.A1968-05-171969-05-16Halfgeleiderinrichting, omvattende een samengestelde aansluitelektrodelaag, bestaande uit een eerste metaallaag, die wolfraam bevat en een tweede metaallaag van een metaal met een hoog geleidingsvermogen, die de eerste metaallaag bedekt.
NL163065C
(nl)
Halfgeleiderinrichting, omvattende een samengestelde aansluitelektrodelaag, bestaande uit een eerste metaallaag, die wolfraam bevat en een tweede metaallaag van een metaal met een hoog geleidingsvermogen, die de eerste metaallaag bedekt.
Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een samengestelde suprageleider, de hiermee vervaardigde suprageleider, alsmede inrichting die zo'n suprageleider bevat.
Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting, waarbij op een oppervlak van een halfgeleiderlichaam een uit ten minste twee deellagen van verschillend materiaal samengestelde maskeringslaag wordt aangebracht.
Thermisch vormherstellend voorwerp voor het bekleden en/of afdichten van ten minste een deel van een of meer substraten, alsmede substraten, die hiermede zijn bekleed en/of afgedicht.
Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting, waarbij een metaallaag, die ten minste gedeeltelijk in aanraking is met een halfgeleider- lichaam wordt gebombardeerd met ionen.
Halfgeleiderinrichting met een plaatvorming half- geleiderlichaam met over althans een deel van de dikte van het halfgeleiderlichaam afgeschuinde randen, dat is voorzien van een metalen elektrode die een gelijkrichtende overgang vormt met het halfgeleider- lichaam en werkwijze ter vervaardiging van de halfgeleiderinrichting.
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een dubbele diffusielaag, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van een eerste geleidingstype met een door diffusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede geleidingstype.
Halfgeleiderinrichting, omvattende een samengestelde aansluitelektrodelaag, bestaande uit een eerste metaallaag, die wolfraam bevat en een tweede metaallaag van een metaal met een hoog geleidingsvermogen, die de eerste metaallaag bedekt.
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
Halfgeleidergeheugeninrichting omvattende een samenge- stelde isolerende laag die een eerste isolerende laag van siliciumdioxyde en een op de eerste isolerende laag aangebrachte tweede isolerende laag met invangniveaux bevat.
Werkwijze voor het geheel of gedeeltelijk bekleden van het oppervlak van een uit aluminium of een aluminiumlegering bestaand werkstuk met een koperlaag.
Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van isolerende panelen uit twee, vooraf gevormde, metalen profielen met daartussenin een vulling uit schuimmateriaal en de met toepassing van die werkwijze verkregen panelen.
Halfgeleiderinrichting met ten minste twee in een vlak gelegen halfgeleidende gebieden, die onderling en ten opzichte van een dragerlichaam elektrisch zijn geisoleerd.