WO2026014067A1 - 積層インダクタ - Google Patents

Abstract

金属磁性体と隣接する側のコイル導体層の内部状態を改善し、コイル導体層の低抵抗化および表皮効果の向上を図った積層インダクタを提供する。本開示の積層インダクタは、金属磁性粒子を含有する金属磁性層ＭＬが積層された金属磁性体Ｍと、コイル導体層ＣＬが金属磁性層ＭＬの積層方向に積層されたコイル（第１コイルＣ１，第２コイルＣ２）と、を有する素体１０を備え、コイル導体層ＣＬは、積層方向において金属磁性層ＭＬと隣接する外側導体層部ＣＬｏと、外側導体層部ＣＬｏよりも内側に位置し、外側導体層部ＣＬｏと隣接する内側導体層部ＣＬｉと、を備えており、外側導体層部ＣＬｏの空隙の量は、内側導体層部ＣＬｉの空隙の量よりも少ない。

Description

積層インダクタ

　本開示は、積層インダクタに関する。

　特許文献１には、複数のコイル用導体層（Ａｇ）が磁性体層（Ｎｉ－Ｃｕ－Ｚｎ系フェライト）を介して積層され、コイル用導体層の単位長さ当たりの実表面長が１≦（実表面長／単位長さ）≦１．３の範囲にある積層インダクタが開示されている。この積層インダクタによれば、導体層の表面平滑性を向上させてコイル部分の実質的な表面長を短くしてあるので、表皮効果によって電流がコイル部分の表面に集中して流れる場合でも抵抗値を減少させてＱ値低下を抑制することができる、とされている。

特開２００４－３９９５７号公報

　近年、磁性体層に金属磁性体粒子が用いられているが、金属磁性体粒子を用いた場合、熱処理（例えば、焼成）温度を高くすると金属磁性体の磁気特性が劣化する虞がある。そのため、磁性体層にフェライトを用いた場合の様に熱処理温度を高くすることができなかった。そして、熱処理温度が低いとコイル用導体の焼結が不十分になりやすかった。

　コイル用導体の焼結が不十分な場合、高周波域の電流がコイル用導体に流れる際の表皮効果を原因としたＱ値の低下や、コイル用導体の抵抗の増大が生じていた。具体的には、コイル用導体の焼結が不十分であると、図７に示すようにコイル用導体ＣＤの全域に空隙Ｐが存在し、表皮効果を原因としたＱ値の低下や、コイル用導体の抵抗の増大が生じていた。

　かかる点を鑑みて、本開示は、金属磁性体と隣接する側のコイル導体層の内部状態を改善し、コイル導体層の低抵抗化および表皮効果の向上を図った積層インダクタを提供することを目的とする。

　本開示に係る積層インダクタは、
　金属磁性粒子を含有する金属磁性層が積層された金属磁性体と、コイル導体層が前記金属磁性層の積層方向に積層されたコイルと、を有する素体を備え、
　前記コイル導体層は、前記積層方向において前記金属磁性層と隣接する外側導体層部と、前記外側導体層部よりも内側に位置し、前記外側導体層部と隣接する内側導体層部と、を備えており、
　前記外側導体層部の空隙の量は、前記内側導体層部の空隙の量よりも少ない。

　本開示の積層インダクタによれば、金属磁性体と隣接する側のコイル導体層の内部状態を改善し、コイル導体層の低抵抗化および表皮効果の向上を図ることができる。

図１は、本開示の積層インダクタの斜視図である。 図２は、本開示の積層インダクタの分解斜視図である。 図３は、本開示の積層インダクタの模式断面図である。 図４は、本開示の積層インダクタのＳＥＭ写真である。 図５は、本開示の積層インダクタの模式断面図である。 図６は、本開示の積層インダクタのＳＥＭ写真である。 図７は、従来の積層インダクタの模式断面図である。 図８は、本開示の積層インダクタの製造工程を示す製造フロー図である。

　以下、本開示の積層インダクタおよび積層インダクタの製造方法を詳細に説明する。必要に応じて図面を参照して説明を行うものの、図示する内容は、本開示の理解のために模式的かつ例示的に示したにすぎず、外観や寸法比などは実物と異なり得る。以下に示す図面は模式図であり、その寸法、縦横比の縮尺等は実際の製品と異なる場合がある。

　本明細書中、要素間の関係性を示す用語（例えば、「平行」、「直交」等）及び要素の形状を示す用語は、文字どおりの厳密な態様のみを意味するだけではなく、実質的に同等な範囲、例えば、数％程度の差異を含む範囲も意味する。なお、本明細書では、素体を構成する磁性層およびコイル導体層が積層される方向を「積層方向」とする。また、平面視とは、素体を上面（高さ方向）から見た平面図を言う。

＜本開示の積層インダクタ＞
　本開示の積層インダクタ１は、素体１０と、素体１０の実装面に設けられた外部電極２０と、を備えている。

［素体］
　素体１０は、例えば、六面を有する六面体形状である。一例として、直方体形状又は略直方体形状であってよい。素体１０は、角部及び稜線部に丸みが付けられていてもよい。角部は、素体１０の三面が交わる部分であり、稜線部は、素体１０の二面が交わる部分である。

　図１には、積層インダクタ１及び素体１０における長辺方向、短辺方向、高さ方向を、それぞれＬ方向、Ｗ方向、Ｔ方向として示している。長辺方向Ｌと短辺方向Ｗと高さ方向Ｔとは互いに直交する。

　図１に示す素体１０は、高さ方向Ｔに相対する第１主面１１及び第２主面１２と、長辺方向Ｌに相対する第１端面１３及び第２端面１４と、短辺方向Ｗに相対する第１側面１５及び第２側面１６とを有する。図１に示す例では、素体１０の第１主面１１にそれぞれ第１外部電極２１、第２外部電極２２、第３外部電極２３、第４外部電極２４が形成されており、素体１０の第１主面１１は、積層インダクタ１の実装面（素体の底面）に相当する。

　図２は、本開示の積層インダクタ１の内部構造の一例を模式的に示す分解斜視図である。図２に示すように、素体１０は、コイル導体層ＣＬと、金属磁性粒子を含有する金属磁性層ＭＬと、スルーホール導体ＴＨと、がそれぞれ積層されている。そして、素体１０の内部には、一例として、２つのコイル（第１コイルＣ１および第２コイルＣ２）が設けられている。なお、素体１０の内部に設けられるコイルの個数は、３個以上であってもよいし、１個であってもよい。

　素体１０は積層グループＧ１～Ｇ７が積層されて成り、積層グループＧ７の下側に第１外部電極２１～第４外部電極２４が形成されている。なお、素体１０が有する積層構造の各層の境界は消失してよい。各積層グループＧ１～Ｇ７は、所望の厚みとするために複数積層して構成されていてよい。

　積層グループＧ１は、金属磁性層ＭＬを有しており、素体１０の第２主面１２（図１参照）を構成する。

　積層グループＧ２および積層グループＧ３は、第２コイルＣ２を構成するために設けられている。つまり、第２コイルＣ２を構成するように、コイル導体層ＣＬが積層されている。なお、積層グループＧ２のコイル導体層ＣＬと積層グループＧ３のコイル導体層ＣＬとは互いにビア導体（不図示）によって接続されていてよい。また、本開示の積層グループＧ２およびＧ３は、それぞれ複数の層が積層されて構成されてよい。

　第２コイルＣ２の一端は、第３外部電極２３と電気的に接続される第３スルーホール導体ＴＨ３が設けられ、第２コイルＣ２の他端は、第４外部電極２４と電気的に接続される第４スルーホール導体ＴＨ４が設けられている。コイル導体層ＣＬ、第３スルーホール導体ＴＨ３および第４スルーホール導体ＴＨ４の周囲には、金属磁性層ＭＬが配置されている。

　積層グループＧ４および積層グループＧ５は、第１コイルＣ１を構成するために設けられている。つまり、第１コイルＣ１を構成するように、コイル導体層ＣＬが積層されている。なお、積層グループＧ４のコイル導体層ＣＬと積層グループＧ５のコイル導体層ＣＬとは互いにビア導体（不図示）によって接続されていてよい。また、本開示の積層グループＧ４および積層グループＧ５は、複数の層が積層されて構成されてよい。

　第１コイルＣ１の一端は、第１外部電極２１と電気的に接続される第１スルーホール導体ＴＨ１が設けられ、第１コイルＣ１の他端は、第２外部電極２２と電気的に接続される第２スルーホール導体ＴＨ２が設けられている。コイル導体層ＣＬ、第１スルーホール導体ＴＨ１～第４スルーホール導体ＴＨ４の周囲には、金属磁性層ＭＬが配置されている。

　積層グループＧ６および積層グループＧ７は、第１外部電極２１～第４外部電極２４の配置に対応して、第１スルーホール導体ＴＨ１～第４スルーホール導体ＴＨ４が設けられている。第１スルーホール導体ＴＨ１～第４スルーホール導体ＴＨ４の周囲には、金属磁性層ＭＬが配置されている。なお、図２に示すように、積層グループＧ６の第１スルーホール導体ＴＨ１～第４スルーホール導体ＴＨ４の平面積よりも積層グループＧ７の第１スルーホール導体ＴＨ１～第４スルーホール導体ＴＨ４の平面積を大きくすることにより、スルーホール導体の位置合わせを容易に行うことができる。

　以上のように、素体１０が積層グループＧ１～積層グループＧ７を備える積層構造を有すると、積層インダクタ１の設計の自由度がより高くなる。例えば、素体１０の底面（第１主面１１）に第１外部電極２１～第４外部電極２４を備える積層インダクタ１を製造する場合、スルーホール導体を用いた底面側へのコイル（第１コイルＣ１，第２コイルＣ２）の引き出しが行いやすくなる。なお、上記積層グループＧ１～積層グループＧ７を備える積層構造は、素体１０の第２主面１２側から又は第１主面１１側から積層してもよい。また、スルーホール導体ＴＨおよび／またはビア導体を構成する材料を例えば、スクリーン印刷等で順次ビア導体所望の厚みになるまで繰り返し印刷を行ってもよく、スパッタ法、インクジェット法、またはこれら以外の公知の方法で形成してもよい。

　上述のとおり、素体１０の内部には、金属磁性層ＭＬを積層して構成された金属磁性体Ｍと、コイル導体層ＣＬを積層して構成されたコイル（第１コイルＣ１および第２コイルＣ２）と、スルーホール導体ＴＨと、を備えている。以下、素体１０を構成する各要素を詳述する。

－金属磁性体－
　金属磁性層ＭＬを積層して構成された金属磁性体Ｍは、金属磁性材料で構成される金属磁性粒子を含んでよい。金属磁性粒子は、Ｆｅおよび／またはＳｉを含んでいてよい。より具体的には、Ｆｅ粒子又はＦｅ合金粒子であってよい。Ｆｅ合金としては、Ｆｅ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｃｒ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｐ－Ｃｕ－Ｃ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｎｂ－Ｃｕ系合金等であってよい。また、金属磁性粒子には、製造上意図しないＣｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐ、ＳまたはＣｏ等の不純物を含んでいてもよい。また、金属磁性粒子は、磁性ペーストに含有されてよい。そのため、金属磁性粒子には、磁性ペースト作製時に添加されるＦｅよりも酸化し易い元素（例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｚｎ、Ｚｒ）が含まれていてもよい。

　上述の金属磁性粒子の表面は、絶縁被膜で覆われていてよい。金属磁性粒子の表面が絶縁被膜で覆われていると、金属磁性粒子間の絶縁性を高くでき、インダクタの耐電圧が向上するとともに、金属磁性粒子に生じる渦電流を抑制できる。金属磁性粒子の表面に絶縁被膜を形成する方法としては、ゾル－ゲル法、メカノケミカル法等を用いることができる。絶縁被膜を構成する材料は、Ｐ、Ｓｉ等の酸化物、リン酸亜鉛、リン酸マンガンであってよい。また、絶縁被膜は金属磁性粒子の表面が雰囲気中の酸素で酸化されることで形成された酸化膜、またはＦｅよりも酸化し易い元素の酸化被膜であってもよい。絶縁被膜の厚みは、好ましくは１ｎｍ以上５０ｎｍ以下、より好ましくは１ｎｍ以上３０ｎｍ以下、さらに好ましくは１ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。例えば、インダクタの試料を研磨することで得られた断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影し、得られたＳＥＭ写真から、金属磁性粒子の表面を覆う絶縁被膜の厚みを測定できる。

　金属磁性体Ｍ中の金属磁性粒子の平均粒径は、好ましくは０．２μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上１０μｍ以下である。金属磁性体Ｍ中の金属磁性粒子の平均粒径は、以下に説明する手順で測定できる。インダクタの試料を切断して試料断面を得る。具体的には、素体の中心部を通って積層インダクタの実装面と端面に直交する様に切断して試料断面を得る。得られた断面について、複数箇所（例えば５箇所）の領域（例えば１３０μｍ×１００μｍ）をＳＥＭで撮影し、得られたＳＥＭ画像を画像解析ソフト（例えば、画像解析ソフトウェアWinROOF2021（三谷商事株式会社製））を用いて解析し、金属磁性粒子の円相当径を求める。得られた円相当径の平均値を金属磁性粒子の平均粒径とする。

　素体１０を形成する際には、熱処理が施されてよい。この場合、素体１０に含まれる金属磁性粒子は表面に酸化膜を有する。この酸化膜は、金属磁性粒子に由来するものであり、熱処理により形成される。素体１０において、隣接する金属磁性粒子は酸化膜を介して互いに接合されて金属磁性層ＭＬが構成される。本明細書でいう「複数の金属磁性粒子が接合されて構成される」とは、ＳＥＭ観察等によって粒形状を確認可能な構成の他に、金属磁性粒子を使用するものの、熱処理等によって複数の金属磁性粒子が混然一体となって緻密な構造体（一例として、焼結体）を構成することも包含してよい。

　素体１０は、素体強度をより向上させるため、素体１０の焼成後に樹脂材料を含浸させてよい。素体強度を高める樹脂の一例として、エポキシ樹脂または／およびフェノール樹脂または／およびシリコーン樹脂を用いてよい。

－コイル－
　コイル導体層ＣＬを積層して構成されたコイル（第１コイルＣ１および第２コイルＣ２）は、積層方向に巻回軸を備えていてよい。そして、積層方向で隣接するコイル導体層ＣＬ同士は、上述したとおり、ビア導体を介して接続されてよい。図２に示す実施形態では、積層グループＧ４および積層グループＧ５によって第１コイルＣ１が構成される。また、積層グループＧ２および積層グループＧ３によって第２コイルＣ２が構成される。

　コイル導体層ＣＬの厚みは、各積層グループで同じであってもよいし、異なる厚みであってもよい。コイル導体層ＣＬは、その材料の一例として、Ａｇを含んでおり、さらにＣｕおよび／またはＰｄ等の金属導体を含んでもよい。より具体的には、コイル導体層ＣＬの材料は、上述の金属磁性体Ｍを構成する金属磁性材料よりも柔らかい材料としてよい。コイル導体層ＣＬは、例えば上述の金属磁性層ＭＬに導電性ペーストを印刷することによって形成されてよい。

　各コイル導体層ＣＬは、積層方向において金属磁性層ＭＬと隣接する外側導体層部ＣＬｏと、外側導体層部ＣＬｏよりも内側に位置し、外側導体層部ＣＬｏと隣接する内側導体層部ＣＬｉと、を備えてよい（図３，図５参照）。

　本明細書において、外側導体層部ＣＬｏと内側導体層部ＣＬｉとの境界は、以下のように設定される。
（１）素体１０の実装面側からコイルの巻軸を通る位置で素体１０の長さ方向に沿って素体１０の厚み方向に切断した切断面を作成する。
（２）この切断面において、コイル導体層ＣＬの厚み全体を確認できる程度の撮影視野（およそ400～600倍程度）でSEMおよび／またはEDXによって撮影する（一例として、図４，図６参照）。
（３）図３および図４に示すように、コイル導体層ＣＬの断面を観察すると空隙Ｐの量により、コイル導体層ＣＬは、厚み方向に、金属磁性層ＭＬと隣接する外側導体層部ＣＬｏと、外側導体層部ＣＬｏと隣接する内側導体層部ＣＬｉと、を有することがわかる。なお、図示例では、内側導体層部ＣＬｉの厚みＬ１と、外側導体層部ＣＬｏの合計の厚み（０．５Ｌ１，０．５Ｌ１）と、を略一致させているが、この態様に限定されるものではない。

　本開示の積層インダクタ１は、外側導体層部ＣＬｏの空隙Ｐの量は、内側導体層部ＣＬｉの空隙Ｐの量よりも少なくなっている（図４，図６参照）。本明細書において空隙Ｐの量は、コイル導体層ＣＬの画像を二値化処理し、内側導体層部ＣＬｉの空隙Ｐの面積および外側導体層部ＣＬｏの空隙Ｐの面積を算出し、求めている。

　したがって、本開示の積層インダクタ１は、従来技術である図７に示すようなコイル用導体ＣＤの全域に空隙Ｐが存在するインダクタと比較し、外側導体層部ＣＬｏの空隙量が少ないため、表皮効果を原因としたＱ値の低下を改善するとともに、コイルの低抵抗化を図ることができる。

　好適な積層インダクタ１の態様として、内側導体層部ＣＬｉは、積層方向において外側導体層部ＣＬｏに挟まれていてよい。このような構成によれば、内側導体層部ＣＬｉが空隙の少ない外側導体層部ＣＬｏに挟まれているため、コイル導体層ＣＬと金属磁性層ＭＬとの境界にて表皮効果を原因としたＱ値の低下をより適切に改善することができる。

　また、図５および図６に示すように、外側導体層部ＣＬｏの厚み（０．０５Ｌ２，０．０５Ｌ２）を内側導体層部ＣＬｉの厚みＬ２の０．１倍としてもよい。なお、本明細書でいう外側導体層部ＣＬｏの厚みは、内側導体層部ＣＬｉの積層方向の両側の外側導体部ＣＬｏの合計の厚みを意図している。このように外側導体層部ＣＬｏおよび内側導体層部ＣＬｉを設定すると、外側導体層部ＣＬｏの空隙量がより少なくなり、表皮効果を原因としたＱ値の低下がさらに改善される。これにより、外側導体層部ＣＬｏの厚みは、内側導体層部ＣＬｉの厚みの０．１倍以上１倍以下とすることが好ましい。

　また、図３および図４に示す態様では、内側導体層部ＣＬｉの空隙Ｐの面積は、外側導体層部ＣＬｏの空隙Ｐの面積の１．２倍となっており、図５および図６に示す態様では、内側導体層部ＣＬｉの空隙Ｐの面積は、外側導体層部ＣＬｏの空隙Ｐの面積の３倍となっている。なお、本明細書でいう外側導体層部ＣＬｏの空隙Ｐの面積は、内側導体層部ＣＬｉの積層方向の両側の外側導体部ＣＬｏの空隙Ｐの合計の面積を意図している。したがって、本開示の好適な積層インダクタ１の態様として、コイル導体層ＣＬを断面視した際に、内側導体層部ＣＬｉの空隙Ｐの面積は、外側導体層部ＣＬｏの空隙Ｐの面積の１．２倍以上３倍以下であってよい。このような構成によれば、コイル導体層の低抵抗化および表面効果の向上を好適に図ることができる。

－スルーホール導体－
　スルーホール導体ＴＨ（第１スルーホール導体ＴＨ１～第４スルーホール導体ＴＨ４）は、外部電極２０と、コイル（第１コイルＣ１，第２コイルＣ２）の一端または他端と、をそれぞれ電気的に接続する。スルーホール導体ＴＨは、その材料の一例として、Ａｇ、Ｃｕおよび／またはＰｄ等の金属導体であってよい。スルーホール導体層ＴＬは、例えば上述の金属磁性層ＭＬに導電性ペーストを印刷することによって形成されてよい。

［外部電極］
　外部電極２０は、素体１０の底面に設けられている。外部電極２０は、第１外部電極２１～第４外部電極２４を含んでよい。第１外部電極２１～第４外部電極２４は、それぞれ第１スルーホール導体ＴＨ１～第４スルーホール導体ＴＨ４と電気的に接続される。素体１０の底面（第１主面１１）に外部電極２０を設けると、積層インダクタ１を適切に実装基板等に実装が可能となる。

　第１外部電極２１～第４外部電極２４は、それぞれ、素体１０の第１主面１１のみに設けられていてもよいが、素体１０の第１主面１１と、第１主面１１と隣接する面（第１端面１３、第２端面１４、第１側面１５、第２側面１６のいずれか１つまたは２つの面）に跨って設けられていてもよい。

　外部電極２０は、一例として、Ｃｕおよび／またはＡｕ等様々な材料を用いてよい。外部電極２０の形成は、どのような手法で形成されてもよいが、一例として、めっき（例えば、無電解めっき法、スパッタ法）で形成されためっき電極であってよく、外部電極２０を形成した後、さらにめっき法を用いて外部電極２０上にＮｉおよびＳｎ等のめっき層を形成し、二層以上の積層構造としてもよい。

＜本開示の積層インダクタの製造方法＞
　次に、本開示のインダクタの製造方法について図８を参照しながら説明する。本開示の積層インダクタの製造方法は、積層工程と、熱処理工程と、を備えている。なお、後述するとおり、任意付加的に脱脂工程を備えていてもよい。

－積層工程－
　まず、図２で説明した積層グループＧ１～Ｇ８の金属磁性層ＭＬを構成する磁性材料（磁性ペースト）、コイル導体層ＣＬを構成する導体ペーストを準備する。

　磁性ペーストの作製方法の一例として、体積基準での累積５０％粒子径であるＤ５０が２μｍ以上、２０μｍ以下のＦｅ－Ｓｉ合金又はＦｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金などの金属粉末を準備する。この金属粉末に、結合剤としてセルロース又はポリビニルブチラール（ＰＶＢ）など、溶剤としてターピネオール及びブチルジグリコールアセテート（ＢＣＡ）の混合物などを含有させ、混錬することで磁性ペーストを作製する。

　金属磁性体として、Ｆｅ－Ｓｉ合金を用いる場合、Ｓｉの含有量は２．０ａｔ％（原子パーセント）以上、８．０ａｔ％以下であることが好ましい。金属磁性粉末として、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金を用いる場合、Ｓｉの含有量は２．０ａｔ％以上、８．０ａｔ％以下であることが好ましい。また、金属磁性粉末として、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金を用いる場合、Ｃｒの含有量は０．２ａｔ％以上、６．０ａｔ％以下であることが好ましい。

　導体ペーストとしては、例えば、導電材料としてのＡｇおよび有機物（エチルセルロース系樹脂、アクリル樹脂および／またはポリビニルブチラール樹脂等）を含むペーストを準備する。ここで、本開示の積層インダクタの製造方法では、外側導体層部用の有機物の含有量が少ない第１導体ペーストと、第１導体ペーストよりも有機物の含有量が多い第２導体ペーストを準備する。

　上述の磁性ペーストおよび導体ペーストを使用し、スクリーン印刷等によって図２に示す積層グループＧ１～Ｇ８を準備および積層する。ここで、コイル導体層ＣＬを形成する際、外側導体層部ＣＬｏには、有機物の含有量が少ない第１導体ペーストを使用し、内側導体層部ＣＬｉには、有機物の含有量が多い第２導体ペーストを使用する。そして、積層グループＧ１～Ｇ８を積層した後、プレス装置にて加圧処理をすることによって、積層体が構成される。

－脱脂工程（任意付加的工程）－
　好適な積層インダクタの製造方法の製造工程として、脱脂工程を備えていてよい。脱脂工程は、磁性ペーストおよび導体ペーストに含まれるバインダーを取り除く工程である。一例として３００℃以上５００℃以下程度の温度で脱脂する。これにより、磁性ペーストおよび導体ペーストに含まれるバインダーが取り除かれる。つまり、第１導体ペーストおよび第２導体ペーストの有機物の一部が除去されて空隙Ｐが生じうる。

・熱処理工程
　脱脂工程後に熱処理を行う。熱処理温度は、コイル導体層が焼結する程度の温度であり、例えば、４００℃以上１０００℃以下程度としてよい。本開示の熱処理工程は、空気雰囲気中で熱処理してもよいし、低酸素濃度雰囲気中で熱処理してもよい。熱処理を施すことにより、第１導体ペーストおよび第２導体ペーストの有機物が完全に除去され、コイル導体層ＣＬに空隙Ｐが生成される（空隙生成工程に対応する）。

　その後、素体の強度を高めるために素体に樹脂を含浸して硬化を行ってもよい。素体に含浸される樹脂は、エポキシ樹脂が用いられるが、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、セルロース樹脂及びアルキド樹脂等からなる群より選択される１種以上の樹脂が用いられても良い。上記工程を経ることにより、本開示の積層インダクタの素体が形成される。

　その後、形成された素体に対し、コイル導体層と電気的に接続されている外部電極を形成する。外部電極は、素体１０の実装面（第１主面１１）のスルーホール導体が露出している位置に電解めっきによって形成する。めっきの材料はＣｕめっきであってよい。その他にＮｉ－Ｓｎ、Ｎｉ－Ａｕ、Ｎｉ－Ｃｕおよび／またはＣｕ－Ｎｉ－Ａｕ等が挙げられるがこれに限定されるものではない。外部電極形成後に素子個片化カットを行って、本実施形態の積層インダクタを製造することができる。

　以上のとおり、本実施形態で説明したインダクタの製造方法によれば、外側導体層部ＣＬｏの空隙Ｐの量が内側導体層部ＣＬｉの空隙Ｐの量よりも少ない積層インダクタを製造することができる。したがって、金属磁性体と隣接する側のコイル導体層の内部状態を改善し、コイル導体層の低抵抗化および表皮効果の向上を図ることができる。

＜本開示の積層インダクタの他の製造方法＞
　上述の積層インダクタの製造方法における、空隙生成工程の一手法として、積層体を脱脂する際の脱脂速度を１００℃/ｍｉｎ以上で脱脂することによって成されてよい。脱脂速度を１００℃/ｍｉｎ以上とすると、コイル導体層において外側導体層部を内側導体層部よりも脱脂し易くすることができ、外側導体層部の空隙の量を内側導体層部の空隙の量よりも少なくすることができる。

　なお、今回開示した実施態様は、すべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本開示の技術的範囲は、上記した実施態様のみによって解釈されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、本開示の技術的範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。

　本開示の積層インダクタおよび積層インダクタの製造方法の態様は、以下のとおりである。
＜１＞金属磁性粒子を含有する金属磁性層が積層された金属磁性体と、コイル導体層が前記金属磁性層の積層方向に積層されたコイルと、を有する素体を備え、
　前記コイル導体層は、前記積層方向において前記金属磁性層と隣接する外側導体層部と、前記外側導体層部よりも内側に位置し、前記外側導体層部と隣接する内側導体層部と、を備えており、
　前記外側導体層部の空隙の量は、前記内側導体層部の空隙の量よりも少ない、積層インダクタ。
＜２＞前記外側導体層部の厚みは、前記内側導体層部の厚みの０．１倍以上１倍以下である、＜１＞に記載の積層インダクタ。
＜３＞前記コイル導体層を断面視した際に、前記内側導体層部の空隙の面積は、前記外側導体層部の空隙の面積の１．２倍以上３倍以下である、＜１＞または＜２＞に記載の積層インダクタ。
＜４＞前記コイル導体層は、Ａｇを含有する、＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の積層インダクタ。
＜５＞前記金属磁性粒子は、ＦｅおよびＳｉを含有する、＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の積層インダクタ。
＜６＞前記内側導体層部は、前記外側導体層部に挟まれている、＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載の積層インダクタ。

　本開示の積層インダクタは、金属磁性体と隣接する側のコイル導体層の内部状態を改善し、コイル導体層の低抵抗化および表皮効果の向上を図る電子部品として利用できる。

１　　積層インダクタ
１０　素体
１１　第１主面
１２　第２主面
１３　第１端面
１４　第２端面
１５　第１側面
１６　第２側面
２０　外部電極
２１～２４　第１外部電極～第４外部電極
Ｃ１～Ｃ２　第１コイル～第２コイル
ＣＬ　コイル導体層
ＣＤ　コイル用導体
Ｇ１～Ｇ８　積層グループ
Ｍ　　金属磁性体
ＭＬ　金属磁性層
ＴＨ　スルーホール導体
ＴＨ１～ＴＨ４　第１スルーホール導体～第４スルーホール導体

Claims (6)

1. 　金属磁性粒子を含有する金属磁性層が積層された金属磁性体と、コイル導体層が前記金属磁性層の積層方向に積層されたコイルと、を有する素体を備え、
   　前記コイル導体層は、前記積層方向において前記金属磁性層と隣接する外側導体層部と、前記外側導体層部よりも内側に位置し、前記外側導体層部と隣接する内側導体層部と、を備えており、
   　前記外側導体層部の空隙の量は、前記内側導体層部の空隙の量よりも少ない、積層インダクタ。
2. 　前記外側導体層部の厚みは、前記内側導体層部の厚みの０．１倍以上１倍以下である、請求項１に記載の積層インダクタ。
3. 　前記コイル導体層を断面視した際に、前記内側導体層部の空隙の面積は、前記外側導体層部の空隙の面積の１．２倍以上３倍以下である、請求項１または２に記載の積層インダクタ。
4. 　前記コイル導体層は、Ａｇを含有する、請求項１～３のいずれか１項に記載の積層インダクタ。
5. 　前記金属磁性粒子は、ＦｅおよびＳｉを含有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の積層インダクタ。
6. 　前記内側導体層部は、前記外側導体層部に挟まれている、請求項１～５のいずれか１項に記載の積層インダクタ。