WO2026004682A1 - スルホン酸塩、オキシムスルホネート、イミドスルホネート、アミドスルホネート、前記化合物を含む酸発生剤、前記酸発生剤を含むフォトレジスト - Google Patents

Abstract

パーフルオロメチル基及びパーフルオロメチレン基を有さず、光線照射によって容易に分解して、高い酸強度を有するスルホン酸を発生する新規の化合物を提供する。　本発明は、下記式（ａ－１）又は（ａ－２）で表されるアニオンと、カチオンとの塩である化合物である。下記式中、Ｒ^１は、水素原子、炭化水素基、又は複素環式基、又は前記基の２個以上が連結基を介して結合した基を示す。Ｒ^１０はフッ素原子、又は芳香族炭化水素基、又は芳香族複素環式基を示す。Ｒ^２０は水素原子、又はハロゲン原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基と連結基とが結合した基を有する基を示す。ｎは０又は１を示す。

Description

スルホン酸塩、オキシムスルホネート、イミドスルホネート、アミドスルホネート、前記化合物を含む酸発生剤、前記酸発生剤を含むフォトレジスト

　本発明は、新規のスルホン酸塩、新規のオキシムスルホネート、新規のイミドスルホネート、新規のアミドスルホネート、及び前記新規の化合物を含む酸発生剤、前記酸発生剤を含むフォトレジストに関する。

　光線を照射することにより分解して酸を発生する化合物（いわゆる、酸発生剤）は、種々の分野において使用されている。例えば、半導体レジスト分野では、フォトリソグラフィーにおいて使用する化学増幅型レジストの現像液への溶解性を変化させる目的で使用される。また、塗料、接着剤、各種部品の注型材、封止材等の分野では、カチオン硬化性化合物のカチオン重合を開始させ、硬化させる目的で使用される。

　前記酸発生剤としては、例えば、下記式（Ｘ－１）（Ｘ－２）で表される化合物が知られている（特許文献１，２参照）。これらの化合物は、スルホン酸基のα位にパーフルオロメチル基又はパーフルオロメチレン基を有するため、高い酸強度を有するスルホン酸を発生することができる。

特開２００６－３０６８５６号公報 特開２００８－２９７２５５号公報

　しかし、欧州では、ＰＦＡＳ（Ｐｅｒ　ａｎｄ　Ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ　Ｓｕｂｓｔａｎｃｅｓ）規制の強化により、前記式（Ｘ－１）（Ｘ－２）で表される化合物のようなパーフルオロメチル基又はパーフルオロメチレン基を有する化合物は使用が制限されることとなり、代替品が求められている。

　従って、本発明の目的は、パーフルオロメチル基及びパーフルオロメチレン基を有さず、光線照射によって容易に分解して、高い酸強度を有するスルホン酸を発生する新規の化合物を提供することにある。
　本発明の他の目的は、前記の新規化合物を含む酸発生剤を提供することにある。
　本発明の他の目的は、前記酸発生剤を含むフォトレジストを提供することにある。
　本発明の他の目的は、前記フォトレジストを使用した電子デバイス又は光デバイスの製造方法を提供することにある。

　本発明者は上記課題を解決するため鋭意検討した結果、下記式（ａ－１）又は（ａ－２）で表されるアニオンと、カチオンとの塩である化合物、下記式（ｂ－１）又は（ｂ－２）で表される化合物、下記式（ｃ－１）又は（ｃ－２）で表される化合物、及び下記式（ｄ－１）又は（ｄ－２）で表される化合物は、いずれも、スルホン酸基のα位にパーフルオロメチル基及びパーフルオロメチレン基を有さないが、光線照射によって分解して、高い酸強度を有するスルホン酸を発生することを見いだした。本発明はこれらの知見に基づいて完成させたものである。

　すなわち、本発明は、下記式（ａ－１）又は（ａ－２）で表されるアニオンと、カチオンとの塩である化合物を提供する。
（式中、Ｒ^１は、水素原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基の２個以上が連結基を介して結合した基を示す。Ｒ^１０はフッ素原子、又は置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、又は置換基を有していても良い芳香族複素環式基を示す。Ｒ^２０は水素原子、又はハロゲン原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基と連結基とが結合した基を有する基を示す。ｎは０又は１を示す）

　本発明は、また、下記式（ｂ－１）又は（ｂ－２）で表される化合物を提供する。
（式中、Ｒ^１は、水素原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基の２個以上が連結基を介して結合した基を示す。Ｒ^２、Ｒ^３は同一又は異なって有機基を示す。Ｒ^１０はフッ素原子、又は置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、又は置換基を有していても良い芳香族複素環式基を示す。Ｒ^２０は水素原子、又はハロゲン原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基と連結基とが結合した基を有する基を示す。ｎは０又は１を示す）

　本発明は、また、下記式（ｃ－１）又は（ｃ－２）で表される化合物を提供する。
（式中、Ｒ^１は、水素原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基の２個以上が連結基を介して結合した基を示す。Ｒ^４、Ｒ^５は同一又は異なって、置換基を有していても良い炭化水素基を示す。Ｒ^４、Ｒ^５は互いに連結して隣接する炭素原子と共に環を形成していても良い。Ｒ^１０はフッ素原子、又は置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、又は置換基を有していても良い芳香族複素環式基を示す。Ｒ^２０は水素原子、又はハロゲン原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基と連結基とが結合した基を有する基を示す。Ｌは単結合又は連結基を示す。ｎは０又は１を示す）

　本発明は、また、下記式（ｄ－１）又は（ｄ－２）で表される化合物を提供する。
（式中、Ｒ^１は、水素原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基の２個以上が連結基を介して結合した基を示す。Ｒ^６、Ｒ^７は同一又は異なって、置換基を有していても良い炭化水素基を示す。Ｒ^１０はフッ素原子、又は置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、又は置換基を有していても良い芳香族複素環式基を示す。Ｒ^２０は水素原子、又はハロゲン原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基と連結基とが結合した基を有する基を示す。ｎは０又は１を示す）

　本発明は、また、前記化合物を含む酸発生剤を提供する。

　本発明は、また、前記酸発生剤と酸反応性化合物を含むフォトレジストを提供する。

　本発明は、また、前記フォトレジストを使用したフォトリソグラフィーによりパターン形成を行う工程を含む、電子デバイス又は光デバイスの製造方法を提供する。

　本発明の化合物は、前記式（ａ－１）又は（ａ－２）で表されるアニオンと、カチオンとの塩である化合物、前記式（ｂ－１）又は（ｂ－２）で表される化合物、前記式（ｃ－１）又は（ｃ－２）で表される化合物、及び前記式（ｄ－１）又は（ｄ－２）で表される化合物であり、光線を照射すると速やかに分解して、後述の式（Ａ－１）又は（Ａ－２）で表されるスルホン酸を発生する化合物である。
　本発明の化合物は、従来のパーフルオロメチル基及びパーフルオロメチレン基を有する酸発生剤が発生する酸と同等或いはそれ以上の酸強度を有するスルホン酸を発生することができる。
　そして、上記特性を有する化合物を含有するフォトレジストを使用すれば、高解像度のパターンを精度良く有するレジスト膜を製造することができる。そして、得られたレジスト膜を使用して、基板にエッチング（例えば、反応性ガスやプラズマを用いたドライエッチング）処理を施せば、高解像度のパターン（例えば、配線パターン、回路パターン等）を有する半導体素子を歩留まり良く製造することができる。

　［スルホン酸塩］
　本発明のスルホン酸塩は、下記式（ａ－１）又は（ａ－２）で表されるアニオンと、カチオンとの塩である化合物である。
（式中、Ｒ^１は、水素原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基の２個以上が連結基を介して結合した基を示す。Ｒ^１０はフッ素原子、又は置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、又は置換基を有していても良い芳香族複素環式基を示す。Ｒ^２０は水素原子、又はハロゲン原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基と連結基とが結合した基を有する基を示す。ｎは０又は１を示す）

　前記炭化水素基には、（１価の）脂肪族炭化水素基、（１価の）脂環式炭化水素基、（１価の）芳香族炭化水素基、及びこれらの結合した（１価の）基が含まれる。

　前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数１～２０（＝Ｃ_１－２０）の脂肪族炭化水素基が好ましい。前記脂肪族炭化水素基には飽和脂肪族炭化水素基と不飽和脂肪族炭化水素基が含まれる。前記飽和脂肪族炭化水素基としては、炭素数１～２０（＝Ｃ_１－２０）の飽和脂肪族炭化水素基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、デシル基、ドデシル基等の炭素数１～２０（好ましくは１～１０、特に好ましくは１～３）のアルキル基等が挙げられる。前記不飽和脂肪族炭化水素基としては、炭素数２～２０（＝Ｃ_２－２０）の不飽和脂肪族炭化水素基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、１－ブテニル基等の炭素数２～２０（好ましくは２～１０、特に好ましくは２～３）のアルケニル基；エチニル基、プロピニル基等の炭素数２～２０（好ましくは２～１０、特に好ましくは２～３）のアルキニル基等が挙げられる。

　前記脂環式炭化水素基としては、Ｃ_３－２０脂環式炭化水素基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等の３～２０員（好ましくは３～１５員、特に好ましくは５～８員）のシクロアルキル基；シクロペンテニル基、シクロへキセニル基等の３～２０員（好ましくは３～１５員、特に好ましくは５～８員）のシクロアルケニル基；パーヒドロナフタレン－１－イル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン－８－イル基、テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］ドデカン－３－イル基等の橋かけ環式炭化水素基等が挙げられる。

　前記芳香族炭化水素基としては、Ｃ_６－１４（特に、Ｃ_６－１０）芳香族炭化水素基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。

　脂肪族炭化水素基と芳香族炭化水素基が結合した１価の基としては、ベンジル基、フェニルエチル基等のＣ_７－１８アラルキル基等が挙げられる。

　また、前記脂環式炭化水素基や芳香族炭化水素基の環には芳香族性又は非芳香族性の複素環が縮合していてもよい。

　前記炭化水素基が有していても良い置換基としては、例えば、ハロゲン原子、オキソ基、水酸基、置換オキシ基（例えば、Ｃ_１－４アルコキシ基、Ｃ_６－１０アリールオキシ基、Ｃ_７－１６アラルキルオキシ基、Ｃ_１－４アシルオキシ基等）、チオ基、置換チオ基（例えば、置換基を有していても良いＣ_１－６アルキルチオ基、Ｃ_６－１０アリールチオ基等であり、前記置換基としては、例えば、水酸基、シアノ基、アルコキシ基、ヒドロキシアルコキシ基、スルホ基、カルボキシル基等が挙げられる）、カルボキシル基、置換オキシカルボニル基（例えば、Ｃ_１－４アルコキシカルボニル基、Ｃ_６－１０アリールオキシカルボニル基、Ｃ_７－１６アラルキルオキシカルボニル基等）、アシル基（ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基等のＣ_１－６脂肪族アシル基；アセトアセチル基；ベンゾイル基等のＣ_７－１４芳香族アシル基）、置換又は無置換カルバモイル基（例えば、カルバモイル、メチルカルバモイル等のＣ_１－４アルキル置換カルバモイル、フェニルカルバモイル基等のＣ_６－１０アリール置換カルバモイル基）、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、複素環式基等が挙げられる。また、前記炭化水素基は、パーフルオロメチル基又はパーフルオロメチレン基を含む基（例えば、Ｃ_１－１０ハロアルキル基等）を有していても良い。

　前記複素環式基は１価の複素環式基である。１価の複素環式基は、複素環の構造式から１個の水素原子を除いた基である。前記複素環には、芳香族複素環及び非芳香族複素環が含まれる。前記複素環式基を構成する複素環には、芳香族複素環及び非芳香族複素環が含まれる。このような複素環としては、環を構成する原子に炭素原子と少なくとも１種のヘテロ原子（例えば、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等）を有する３～２０員環（好ましくは３～１０員環、特に好ましくは４～６員環）、及びこれらの縮合環を挙げることができる。具体的には、ヘテロ原子として酸素原子を含む複素環（例えば、オキシラン環等の３員環；オキセタン環等の４員環；フラン環、テトラヒドロフラン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、γ－ブチロラクトン環等の５員環；４－オキソ－４Ｈ－ピラン環、テトラヒドロピラン環、モルホリン環等の６員環；ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、４－オキソ－４Ｈ－クロメン環、クロマン環、イソクロマン環等の縮合環；３－オキサトリシクロ［４．３．１．１^４，８］ウンデカン－２－オン環、３－オキサトリシクロ［４．２．１．０^４，８］ノナン－２－オン環等の橋かけ環）、ヘテロ原子として硫黄原子を含む複素環（例えば、チオフェン環、チアゾール環、イソチアゾール環、チアジアゾール環等の５員環；４－オキソ－４Ｈ－チオピラン環等の６員環；ベンゾチオフェン環等の縮合環等）、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環（例えば、ピロール環、ピロリジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環等の５員環；イソシアヌル環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピペリジン環、ピペラジン環等の６員環；インドール環、インドリン環、キノリン環、アクリジン環、ナフチリジン環、キナゾリン環、プリン環等の縮合環等）等が挙げられる。

　前記複素環式基が有していても良い置換基としては、前記炭化水素基が有していても良い置換基のほか、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基等のＣ_１－４アルキル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基、１－ブテニル基等のＣ_２－４アルケニル基）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロピニル基等のＣ_２－４アルキニル基等）、Ｃ_３－８シクロアルキル基、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基等のＣ_６－１５アリール基）等が挙げられる。

　前記Ｒ^１としては、発生するスルホン酸の拡散性を抑制して、フォトレジストに使用した場合に、パターン解像度を向上させる効果が得られる点において、分子量が１００以上（例えば１００～２００、好ましくは１００～１５０）の基であることが好ましい。

　前記Ｒ^１としては、置換基を有していても良い飽和若しくは不飽和脂肪族炭化水素基、又は置換基を有していても良い脂環式炭化水素基、又は前記基の２個以上が連結基を介して結合した基が好ましい。

　前記連結基は１以上の原子を有する２価の基であり、例えば、２価の炭化水素基、２価の複素環式基、カルボニル基（－ＣＯ－）、エーテル結合（－Ｏ－）、チオエーテル結合（－Ｓ－）、スルホニル基（－ＳＯ_２－）、エステル結合（－ＣＯＯ－、又は－ＯＣＯ－）、アミド結合（－ＣＯＮＨ－）、カーボネート結合（－ＯＣＯＯ－）、及びこれらが複数個連結した基等が挙げられる。

　前記２価の炭化水素基は、前記１価の炭化水素基の構造式から１個の水素原子を除いた基が挙げられる。中でも、例えば、メチレン基、メチルメチレン基、ジメチルメチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基等のＣ_１－５アルキレン基；シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等のＣ_３－６シクロアルキレン基；フェニレン基、フェニレンビス（メチレン）基、ビフェニレン基、ナフチレン基等のＣ_６－１０アリーレン基等が好ましい。

　前記２価の複素環式基としては、前記複素環の構造式から２個の水素原子を除いた基が挙げられる。中でも、ピリジレン基、キノリレン基等の、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環の構造式から２個の水素原子を除いた基が好ましい。

　前記２価の炭化水素基や２価の複素環式基は、置換基として電子吸引性基（例えば、カルボキシル基、Ｃ_１－５アルキルエステル基、ニトロ基、ハロゲン原子、Ｃ_１－１４アシル基、シアノ基、トシル基、メシル基等）を有していてもよい。

　前記連結基としては、エーテル結合（－Ｏ－）、エステル結合（－ＣＯＯ－、又は－ＯＣＯ－）が好ましい。

　前記Ｒ^１０における芳香族炭化水素基は１価の芳香族炭化水素基であり、Ｃ_６－１４（特に、Ｃ_６－１０）芳香族炭化水素基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。前記芳香族炭化水素基は、置換基を有していても良い。置換基としては前記炭化水素基が有していても良い置換基と同様の例（例えば、ハロゲン原子等）が挙げられる。

　前記Ｒ^１０における芳香族複素環式基は１価の芳香族複素環式基であり、芳香族複素環の構造式から１個の水素原子を除いた基である。前記芳香族複素環としては、例えば、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、フラン環、チオフェン環等の５員環；ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環等の６員環；キノリン環、ベンゾフラン環等の縮合環等が挙げられる。前記芳香族複素環式基は、置換基を有していても良い。置換基としては前記複素環式基が有していても良い置換基と同様の例（例えば、アルキル基等）が挙げられる。

　前記Ｒ^１０としては、中でも、優れた感光性を有し、高い酸強度を有するスルホン酸を発生して、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、フッ素原子又は置換基を有していても良い芳香族炭化水素基が好ましく、フッ素原子がとりわけ好ましい。

　前記Ｒ^２０は、水素原子又はハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基と連結基とが結合した基を有する基を示す。前記Ｒ^２０における、置換基を有していても良い炭化水素基、置換基を有していても良い複素環式基、連結基は、それぞれ、前記Ｒ^１における、置換基を有していても良い炭化水素基、置換基を有していても良い複素環式基、連結基と同じであり、説明を省略する。前記Ｒ^２０における、前記基と連結基とが結合した基を有する基は、前記基（置換基を有していても良い炭化水素基、置換基を有していても良い複素環式基）の１個以上と前記連結基の１個以上とが結合した基を有する１価の基であり、前記基（置換基を有していても良い炭化水素基、置換基を有していても良い複素環式基）の２個以上が前記連結基を介して結合した基であってもよく、前記基（置換基を有していても良い炭化水素基、置換基を有していても良い複素環式基）の１個と前記連結基とが結合した基であってもよく、前記基（置換基を有していても良い炭化水素基、置換基を有していても良い複素環式基）の２個以上が前記連結基を介して結合した基と前記連結基とが結合した基であってもよい。

　式（ａ－１）中のＲ^２０としては、中でも、優れた感光性を有し、高い酸強度を有するスルホン酸を発生して、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、ハロゲン原子、又は脂環式炭化水素基若しくは脂肪族炭化水素基と、脂肪族炭化水素基若しくは芳香族炭化水素基とが連結基を介して結合した基、又は脂環式炭化水素基と連結基とが結合した基が好ましく、塩素原子又は臭素原子、又は脂環式炭化水素基と脂肪族炭化水素基とがエステル結合を介して結合した基、又は脂環式炭化水素基と芳香族炭化水素基とがエステル結合を介して結合した基、又は脂肪族炭化水素基の２個以上がエステル結合を介して結合した基、又は脂環式炭化水素基とエステル基とが結合した基が特に好ましく、塩素原子、又は脂環式炭化水素基と脂肪族炭化水素基とがエステル結合を介して結合した基、又は脂環式炭化水素基と芳香族炭化水素基とがエステル結合を介して結合した基、又は脂肪族炭化水素基の２個以上がエステル結合を介して結合した基、又は脂環式炭化水素基と－ОＣＯ－とが結合した基がとりわけ好ましい。

　式（ａ－２）中のＲ^２０としては、中でも、優れた感光性を有し、高い酸強度を有するスルホン酸を発生して、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、水素原子、又は脂環式炭化水素基若しくは脂肪族炭化水素基と、脂肪族炭化水素基若しくは芳香族炭化水素基とが連結基を介して結合した基、又は脂環式炭化水素基と連結基とが結合した基が好ましく、水素原子、又は脂環式炭化水素基と脂肪族炭化水素基とがエステル結合を介して結合した基、又は脂環式炭化水素基と芳香族炭化水素基とがエステル結合を介して結合した基、又は脂肪族炭化水素基の２個以上がエステル結合を介して結合した基、又は脂環式炭化水素基と－ОＣＯ－とが結合した基がとりわけ好ましい。

　従って、前記式（ａ－１）で表され、式中のｎ＝０であるアニオンとしては、下記式（ａ－１ａ－１）又は（ａ－１ａ－２）で表されるアニオンが好ましく、下記式（ａ－１ａ－３）又は（ａ－１ａ－４）で表されるアニオンが特に好ましい。下記式中、Ｒ^１０は前記に同じである。

　前記式（ａ－１ａ－１）及び（ａ－１ａ－３）中、Ｘはハロゲン原子を示す。前記ハロゲン原子としては、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、塩素原子又は臭素原子が好ましく、塩素原子がとりわけ好ましい。

　前記式（ａ－１ａ－１）及び（ａ－１ａ－３）中、Ｒ^１ａは、水素原子、置換基を有していても良い炭化水素基、又は炭化水素基の２個以上が連結基を介して結合した基を示す。Ｒ^１ａは、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、水素原子、置換基を有していても良い飽和若しくは不飽和脂肪族炭化水素基、置換基を有していても良い脂環式炭化水素基、又は前記基の２個以上が連結基を介して結合した基が好ましく、置換基を有していても良い飽和脂肪族炭化水素基が最も好ましい。

　前記式（ａ－１ａ－１）及び（ａ－１ａ－３）中、Ｒ^１ｂは、水素原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は炭化水素基の２個以上が連結基を介して結合した基を示す。Ｒ^１ｂは、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、水素原子、置換基を有していても良い飽和若しくは不飽和脂肪族炭化水素基、又は置換基を有していても良い脂環式炭化水素基、又は前記基の２個以上が連結基を介して結合した基が好ましく、水素原子が最も好ましい。

　また、前記式（ａ－１）で表され、式中のｎ＝１であるアニオンとしては、下記式（ａ－１ｂ－１）又は（ａ－１ｂ－２）で表されるアニオンが好ましい。
　また、下記式（ａ－１ｂ－１）で表されるアニオンとしては、下記式（ａ－１ｂ－３）～（ａ－１ｂ－５）で表されるアニオンが特に好ましい。
　下記式（ａ－１ｂ－２）で表されるアニオンとしては、下記式（ａ－１ｂ－６）で表されるアニオンが特に好ましい。
　下記式中、Ｒ^１０は前記に同じである。

　前記式（ａ－１ｂ－１）～（ａ－１ｂ－６）中、Ｘ^１はハロゲン原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基と連結基とが結合した基を有する基を示す。前記ハロゲン原子としては、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、塩素原子又は臭素原子が好ましく、塩素原子がとりわけ好ましい。前記Ｘ^１における、置換基を有していても良い炭化水素基、置換基を有していても良い複素環式基、前記基と連結基とが結合した基を有する基は、それぞれ、前記Ｒ^２０における、置換基を有していても良い炭化水素基、置換基を有していても良い複素環式基、前記基と連結基とが結合した基を有する基と同じであり、説明を省略する。前記Ｘ^１における、置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基と連結基とが結合した基を有する基としては、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、脂環式炭化水素基若しくは脂肪族炭化水素基と、脂肪族炭化水素基若しくは芳香族炭化水素基とが連結基を介して結合した基、又は脂環式炭化水素基と連結基とが結合した基が好ましく、脂環式炭化水素基と脂肪族炭化水素基とがエステル結合を介して結合した基、又は脂環式炭化水素基と芳香族炭化水素基とがエステル結合を介して結合した基、又は脂肪族炭化水素基の２個以上がエステル結合を介して結合した基、又は脂環式炭化水素基と－ОＣＯ－とが結合した基がとりわけ好ましい。

　前記式（ａ－１ｂ－１）中、Ｒ^１ｃは、置換基を有していても良い（１価の）炭化水素基、又は炭化水素基の２個以上が連結基を介して結合した（１価の）基を示す。

　Ｒ^１ｃは、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、置換基を有していても良い（１価の）飽和若しくは不飽和脂肪族炭化水素基、又は置換基を有していても良い（１価の）脂環式炭化水素基、又は前記基の２個以上が連結基を介して結合した（１価の）基が好ましい。

　前記式（ａ－２）で表され、式中のｎ＝１であるアニオンとしては、下記式（ａ－２－１）で表されるアニオンが好ましく、下記式（ａ－２－２）～（ａ－２－４）で表されるアニオンが特に好ましい。下記式中、Ｒ^１、Ｒ^１０は前記に同じである。

　前記式（ａ－１ｂ－３）～（ａ－１ｂ－５）、（ａ－２－２）及び（ａ－２－３）中、Ｒ^１ｄは、２価の炭化水素基を示す。

　Ｒ^１ｄは、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、２価の飽和又は不飽和脂肪族炭化水素基が好ましい。２価の飽和炭化水素基としては、例えば、メチレン基、メチルメチレン基、ジメチルメチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基等の炭素数１～５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が挙げられる。２価の不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニレン基、１－メチルビニレン基、プロペニレン基、１－ブテニレン基、２－ブテニレン基、１－ペンテニレン基、２－ペンテニレン基等の炭素数２～５の直鎖状又は分岐鎖状アルケニレン基が挙げられる。

　Ｒ^１ｄとしては、中でも、２価の飽和炭化水素基が好ましく、直鎖又は分岐鎖状のアルキレン基が特に好ましく、炭素数１～３の直鎖状アルキレン基が最も好ましく、炭素数２～３の直鎖状アルキレン基がとりわけ好ましい。

　前記式（ａ－１ｂ－４）、（ａ－１ｂ－５）及び（ａ－２－３）中、Ｒ^１ｅは、置換基を有していても良い（１価の）飽和又は不飽和脂肪族炭化水素基を示す。

　Ｒ^１ｅは、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、置換基を有していても良い炭素数１～５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、若しくは置換基を有していても良い炭素数２～５の直鎖状又は分岐鎖状アルケニル基が好ましい。

　前記式（ａ－１ｂ－３）及び（ａ－２－２）中、環Ｚは、（１価の）脂環式炭化水素基、（１価の）芳香族炭化水素基、（１価の）芳香族複素環式基、又は（１価の）非芳香族複素環式基を示す。これらの基は置換基を有していても良い。

　環Ｚは、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、置換基を有していても良い（１価の）脂環式炭化水素基が好ましく、置換基を有していても良い（１価の）橋かけ環式炭化水素基が特に好ましい。

　前記式（ａ－２－１）～（ａ－２－４）中、Ｘ^２は水素原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基と連結基とが結合した基を有する基を示す。前記Ｘ^２における、置換基を有していても良い炭化水素基、置換基を有していても良い複素環式基、前記基と連結基とが結合した基を有する基は、それぞれ、前記Ｒ^２０における、置換基を有していても良い炭化水素基、置換基を有していても良い複素環式基、前記基と連結基とが結合した基を有する基と同じであり、説明を省略する。前記Ｘ^２における、置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基と連結基とが結合した基を有する基としては、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、脂環式炭化水素基若しくは脂肪族炭化水素基と、脂肪族炭化水素基若しくは芳香族炭化水素基とが連結基を介して結合した基、又は脂環式炭化水素基と連結基とが結合した基が好ましく、脂環式炭化水素基と脂肪族炭化水素基とがエステル結合を介して結合した基、又は脂環式炭化水素基と芳香族炭化水素基とがエステル結合を介して結合した基、又は脂肪族炭化水素基の２個以上がエステル結合を介して結合した基、又は脂環式炭化水素基と－ОＣＯ－とが結合した基がとりわけ好ましい。

　前記スルホン酸塩を構成するカチオンとしては特に限定されず、１価のカチオンでも良いし、２価以上の多価カチオンでも良い。本発明においては、中でも１価又は２価のカチオンが好ましく、特に１価のカチオンが好ましい。

　また、前記カチオンには、無機カチオンと有機カチオンが含まれる。

　前記スルホン酸塩が、前記式（ａ－１）又は（ａ－２）で表されるアニオンと無機カチオンの塩である場合、これを無機スルホン酸塩と称する。

　前記無機スルホン酸塩は、例えば、有機スルホン酸塩の原料として好適に使用することができる。

　前記スルホン酸塩が、前記式（ａ－１）又は（ａ－２）で表されるアニオンと有機カチオンの塩である場合、これを有機スルホン酸塩と称する。

　前記有機スルホン酸塩は、酸発生剤に好適に使用することができる。

　前記無機カチオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオン、リチウムイオン等のアルカリ金属イオン；カルシウムイオン、マグネシウムイオン、バリウムイオン等のアルカリ土類金属イオンが挙げられる。

　前記有機カチオンとしては、例えば、スルホニウムイオン、ヨードニウムイオン、セレニウムイオン、アンモニウムイオン、ホスホニウムイオン等のオニウムカチオンが挙げられる。

　前記スルホニウムイオンとしては、例えば、下記式（ｓ）で表されるスルホニウムイオンが挙げられる。

　前記式（ｓ）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２は、同一又は異なって１価の炭化水素基、１価の複素環式基、及び前記基の２個以上が単結合又は連結基を介して結合してなる１価の基を示す。Ｒ^１１、Ｒ^１２は互いに連結して隣接するＳ^＋と共に環を形成していても良い。

　Ｒ^１１、Ｒ^１２における１価の炭化水素基及び１価の複素環式基としては、Ｒ^１における炭化水素基及び複素環式基と同様の例が挙げられる。また、前記基は、置換基を有していても良く、前記置換基としてはＲ^１における炭化水素基及び複素環式基が有していても良い置換基と同様の例が挙げられる。

　Ｒ^１１、Ｒ^１２が互いに連結して隣接するＳ^＋と共に形成していても良い環は、式中に記載のＳ^＋を少なくとも含む複素環である。前記複素環は、前記Ｓ^＋以外にもヘテロ原子（例えば、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等）を含んでいても良い。前記複素環は、例えば５～６員の複素環であり、芳香族複素環及び非芳香族複素環が含まれる。また、前記複素環には芳香族炭化水素環が縮合していてもよい。

　前記式（ｓ）中に示されるベンゼン環には、アルキル基（例えば、Ｃ_１－５アルキル基）やアリール基（例えば、Ｃ_６－１５アリール基）が結合していても良い。また、前記ベンゼン環には、芳香族炭化水素環が縮合していてもよい。更に、前記ベンゼン環や、前記ベンゼン環に結合するアルキル基、アリール基、前記ベンゼン環と芳香族炭化水素環との縮合環には、置換基が結合していても良い。前記置換基としては、例えば、水酸基、ＳＦ_５基、ハロゲン原子、シリル基、置換オキシ基（例えば、Ｃ_１－４アルコキシ基、Ｃ_６－１５アリールオキシ基、Ｃ_７－１６アラルキルオキシ基、Ｃ_１－４アシルオキシ基等）、置換チオ基（例えば、Ｃ_１－６アルキルチオ基、Ｃ_６－１５アリールチオ基）等が挙げられる。

　また、前記スルホニウムイオンは、後述の酸反応性化合物に結合していても良い。すなわち、前記スルホニウムイオンは、その構造内に、後述の酸反応性化合物を含んでいても良い。

　前記式（ｓ）で表されるスルホニウムイオンとしては、中でも、下記式（ｓ－１）で表されるトリアリールスルホニウムイオンや、下記式（ｓ－２）で表されるスルホニウムイオンが好ましい。

　前記式（ｓ－２）中の環Ｚはヘテロ原子として硫黄原子を少なくとも含む複素環である。前記複素環は、硫黄原子以外にも、その他のヘテロ原子（例えば、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等）を含んでいても良い。前記複素環は、例えば５～６員の複素環であり、芳香族複素環及び非芳香族複素環が含まれる。また、前記複素環には芳香族炭化水素環が縮合していてもよい。

　前記式（ｓ－２）で表されるスルホニウムイオンの具体例を以下に示す。下記式中に示されるベンゼン環にも、前記と同じ置換基が結合していても良い。

　前記ヨードニウムイオンとしては、例えば、下記式（ｉ）で表されるヨードニウムイオン等が挙げられる。

　前記式（ｉ）中に示されるベンゼン環にはアルキル基（例えば、Ｃ_１－５アルキル基）やアリール基（例えば、Ｃ_６－１５アリール基）が結合していても良い。また、前記ベンゼン環には、芳香族炭化水素環が縮合していてもよい。更に、前記ベンゼン環や、前記ベンゼン環に結合するアルキル基、アリール基、前記ベンゼン環と芳香族炭化水素環との縮合環には、置換基が結合していても良い。前記置換基としては、例えば、水酸基、ＳＦ_５基、ハロゲン原子、シリル基、置換オキシ基（例えば、Ｃ_１－４アルコキシ基、Ｃ_６－１５アリールオキシ基、Ｃ_７－１６アラルキルオキシ基、Ｃ_１－４アシルオキシ基等）、置換チオ基（例えば、Ｃ_１－６アルキルチオ基、Ｃ_６－１５アリールチオ基）等が挙げられる。

　前記ヨードニウムイオンの具体例としては、例えば、ｐ－クメニル（ｐ－トリル）ヨードニウムイオン、ジフェニルヨードニウムイオン、ジ－ｐ－トリルヨードニウムイオン、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムイオン、ビス（４－ドデシルフェニル）ヨードニウムイオン、ビス（４－メトキシフェニル）ヨードニウムイオン、（４－オクチルオキシフェニル）フェニルヨードニウムイオンなどのアリールヨードニウムイオン等が挙げられる。

　前記セレニウムイオンとしては、例えば、トリフェニルセレニウムイオン、トリ－ｐ－トリルセレニウムイオン、トリ－ｏ－トリルセレニウムイオン、トリス（４－メトキシフェニル）セレニウムイオン、１－ナフチルジフェニルセレニウムイオン、トリス（４－フルオロフェニル）セレニウムイオン、トリ－１－ナフチルセレニウムイオン、トリ－２－ナフチルセレニウムイオンなどのアリールセレニウムイオン等が挙げられる。

　前記アンモニウムイオンとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムイオン、テトラエチルアンモニウムイオン、テトラプロピルアンモニウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン、テトラペンチルアンモニウムイオン、テトラヘキシルアンモニウムイオン、テトラヘプチルアンモニウムイオン、テトラオクチルアンモニウムイオン、トリメチルヘキシルアンモニウムイオン、トリメチルオクチルアンモニウムイオンなどの４級アンモニウムイオン等が挙げられる。

　前記ホスホニウムイオンとしては、例えば、テトラフェニルホスホニウム、テトラ－ｐ－トリルホスホニウム、テトラキス（２－メトキシフェニル）ホスホニウム、テトラキス（３－メトキシフェニル）ホスホニウム、テトラキス（４－メトキシフェニル）ホスホニウムなどのテトラアリールホスホニウム；トリフェニルベンジルホスホニウム、トリフェニルフェナシルホスホニウム、トリフェニルメチルホスホニウム、トリフェニルブチルホスホニウム等のトリアリールホスホニウム；トリエチルベンジルホスホニウム、トリブチルベンジルホスホニウム、テトラエチルホスホニウム、テトラブチルホスホニウム、テトラヘキシルホスホニウム、トリエチルフェナシルホスホニウム、トリブチルフェナシルホスホニウム等のテトラアルキルホスホニウム等が挙げられる。

　前記有機カチオンとしては、優れた感光性を有する観点から、スルホニウムイオン又はヨードニウムイオンが好ましく、アリールスルホニウムイオン又はアリールヨードニウムイオンが特に好ましい。

　前記スルホン酸塩は、光照射により速やかに分解してスルホン酸を発生する。
　前記スルホン酸塩が前記式（ａ－１）で表されるアニオンを含む場合、下記式（Ａ－１）で表されるスルホン酸を発生する。
　また、前記スルホン酸塩が前記式（ａ－２）で表されるアニオンを含む場合、下記式（Ａ－２）で表されるスルホン酸を発生する。
　前記スルホン酸は、Ｒ^１０ＳＦ_４基又はＳＦ_５基を有するため、高い酸強度を示す。
（式中、Ｒ^１、Ｒ^１０、Ｒ^２０、ｎは前記に同じである）

　前記スルホン酸の気相酸性度ΔＧ（Ｋｃａｌ／ｍｏｌ）は、例えば３００以下、好ましくは２９５以下、特に好ましくは２９０以下、特に好ましくは２８５以下である。前記気相酸性度ΔＧ（Ｋｃａｌ／ｍｏｌ）の下限値は、例えば２５０であり、２６０であっても良く、２７０であっても良く、２７５であっても良い。ここで「気相酸性度」とは、気相中での酸性度であり、ＩＵＰＡＣ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｕｎｉｏｎ　ｏｆ　Ｐｕｒｅ　ａｎｄ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）により酸解離に伴うギブズエネルギー変化と定義されている。気相酸性度は、公知の計算ソフトにより算出することができる。尚、気相酸性度の数値は小さい方が酸強度は大きい。

　［オキシムスルホネート］
　本発明のオキシムスルホネートは、下記式（ｂ－１）又は（ｂ－２）で表される化合物である。
（式中、Ｒ^１は、水素原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基の２個以上が連結基を介して結合した基を示す。Ｒ^２、Ｒ^３は同一又は異なって有機基を示す。Ｒ^１０はフッ素原子、又は置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、又は置換基を有していても良い芳香族複素環式基を示す。Ｒ^２０は水素原子、又はハロゲン原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基と連結基とが結合した基を有する基を示す。ｎは０又は１を示す）

　前記オキシムスルホネートの－Ｎ＝ＣＲ^２Ｒ^３で示される基以外の部分は、それぞれ、上記スルホン酸塩の対応する部分と同じであり、説明を省略する。

　Ｒ^２、Ｒ^３における有機基としては、例えば、炭化水素基（Ｒ）、ＲＯ基、ＲＣＯ基、ＲＯＣＯ基、ＲＳ基（前記Ｒは、いずれも炭化水素基を示す）、カルボキシル基、シアノ基、イソシアナート基、カルバモイル基、イソチオシアナート基、置換アミノ基、複素環式基、及びこれらの２個以上が単結合を介して結合した基などが挙げられる。

　前記式（ｂ－１）中のＲ^２、Ｒ^３における有機基は、２個以上の炭化水素基（Ｒ）が、下記式（Ｌ－１）で表される２価の基を介して結合した基であっても良い。
　前記式（ｂ－２）中のＲ^２、Ｒ^３における有機基は、２個以上の炭化水素基（Ｒ）が、下記式（Ｌ－２）で表される２価の基を介して結合した基であっても良い。

　前記式（Ｌ－１）、（Ｌ－２）中のＲ^１、Ｒ^１０、Ｒ^２０、ｎは、前記に同じである。

　前記炭化水素基（Ｒ）、複素環式基としては、それぞれ、Ｒ^１における炭化水素基、複素環式基と同様の例が挙げられる。また、Ｒ^２、Ｒ^３における炭化水素基は置換基を有していても良く、前記置換基としては、Ｒ^１における炭化水素基が有していても良い置換基と同様の例が挙げられる。

　Ｒ^２、Ｒ^３の一方は置換基を有していても良い炭化水素基であることが好ましい。また、Ｒ^２、Ｒ^３の他方は、電子吸引性基であることが好ましく、シアノ基、ＲＣＯ基（Ｒは炭化水素基を示す）、イソシアナート基、カルバモイル基、及びイソチオシアナート基から選択される基であることが特に好ましく、シアノ基であることがとりわけ好ましい。

　前記式（ｂ－１）で表され、式中のｎ＝０である化合物としては、中でも、優れた感光性を有し、高い酸強度を有するスルホン酸を発生して、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、下記式（ｂ－１ａ－１）又は（ｂ－１ａ－２）で表される化合物が好ましく、下記式（ｂ－１ａ－３）、（ｂ－１ａ－４）で表される化合物が特に好ましい。下記式中、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^１０、Ｒ^１ａ、Ｒ^１ｂ、Ｘは前記に同じである。

　前記式（ｂ－１）で表され、式中のｎ＝１である化合物としては、中でも、優れた感光性を有し、高い酸強度を有するスルホン酸を発生して、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、下記式（ｂ－１ｂ－１）又は（ｂ－１ｂ－２）で表される化合物が好ましい。
　また、下記式（ｂ－１ｂ－１）としては、下記式（ｂ－１ｂ－３）～（ｂ－１ｂ－５）で表される化合物が特に好ましい。
　下記式（ｂ－１ｂ－２）としては、下記式（ｂ－１ｂ－６）で表される化合物が特に好ましい。
　下記式中、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^１０、Ｒ^１ｃ、Ｒ^１ｄ、Ｒ^１ｅ、Ｘ^１、環Ｚは前記に同じである。

　前記式（ｂ－２）で表される化合物としては、中でも、優れた感光性を有し、高い酸強度を有するスルホン酸を発生して、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、下記式（ｂ－２－１）で表される化合物が好ましく、下記式（ｂ－２－２）～（ｂ－２－４）で表される化合物が特に好ましい。下記式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^１０、Ｒ^１ｄ、Ｒ^１ｅ、環Ｚ、Ｘ^２は前記に同じである。

　前記オキシムスルホネートは、光照射により速やかに分解してスルホン酸を発生する。
　前記オキシムスルホネートが前記式（ｂ－１）で表される化合物である場合、前記式（Ａ－１）で表されるスルホン酸を発生する。
　また、前記オキシムスルホネートが前記式（ｂ－２）で表される化合物である場合、前記式（Ａ－２）で表されるスルホン酸を発生する。
　前記スルホン酸は、Ｒ^１０ＳＦ_４基又はＳＦ_５基を有するため、高い酸強度を示す。

　［イミドスルホネート］
　本発明のイミドスルホネートは、下記式（ｃ－１）又は（ｃ－２）で表される化合物である。
（式中、Ｒ^１は、水素原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基の２個以上が連結基を介して結合した基を示す。Ｒ^４、Ｒ^５は同一又は異なって、置換基を有していても良い炭化水素基を示す。Ｒ^４、Ｒ^５は互いに連結して隣接する炭素原子と共に環を形成していても良い。Ｒ^１０はフッ素原子、又は置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、又は置換基を有していても良い芳香族複素環式基を示す。Ｒ^２０は水素原子、又はハロゲン原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基と連結基とが結合した基を有する基を示す。Ｌは単結合又は連結基を示す。ｎは０又は１を示す）

　前記イミドスルホネートのイミド環以外の部分は、それぞれ、上記スルホン酸塩の対応する部分と同じであり、説明を省略する。

　前記Ｌにおける連結基は１以上の原子を有する二価の基であり、例えば、２価の炭化水素基、２価の複素環式基、カルボニル基（－ＣＯ－）、エーテル結合（－Ｏ－）、チオエーテル結合（－Ｓ－）、スルホニル基（－ＳＯ２－）、エステル結合（－ＣＯＯ－、又は－ＯＣＯ－）、アミド結合（－ＣＯＮＨ－）、カーボネート結合（－ＯＣＯＯ－）、及びこれらが複数個連結した基等が挙げられる。

　前記Ｌとしては、中でも、優れた感光性を有し、高い酸強度を有するスルホン酸を発生して、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、単結合が好ましい。

　Ｒ^４、Ｒ^５における炭化水素基としては、Ｒ^１における１価の炭化水素基と同様の例が挙げられる。また、Ｒ^４、Ｒ^５における炭化水素基が有していても良い置換基としても、Ｒ^１における１価の炭化水素基が有していても良い置換基と同様の例が挙げられる。

　Ｒ^４、Ｒ^５が、互いに連結して隣接する炭素原子と共に形成していても良い環としては、例えば、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素環、複素環が挙げられる。

　前記脂環式炭化水素としては、Ｃ_３－２０脂環式炭化水素基が好ましく、例えば、シクロヘキサン、ビシクロヘキサン等のＣ_３－１２シクロアルカン環；シクロヘキセン等のＣ_３－１２シクロアルケン環；ノルボルナン、ノルボルネン、アダマンタン、トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン、トリシクロ［４．３．１．１^２，５］ウンデカン、テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］ドデカン、パーヒドロ－１，４－メタノ－５，８－メタノナフタレン等の橋かけ環が挙げられる。

　前記芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン等が挙げられる。

　前記複素環としては、前記複素環式基を形成する複素環と同様の例が挙げられる。

　前記式（ｃ－１）で表され、式中のｎ＝０である化合物としては、中でも、優れた感光性を有し、高い酸強度を有するスルホン酸を発生して、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、下記式（ｃ－１ａ－１）又は（ｃ－１ａ－２）で表される化合物が好ましく、下記式（ｃ－１ａ－３）、（ｃ－１ａ－４）で表される化合物が特に好ましい。下記式中、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^１０、Ｒ^１ａ、Ｒ^１ｂ、Ｌ、Ｘは前記に同じである。

　前記式（ｃ－１）で表され、式中のｎ＝１である化合物としては、中でも、優れた感光性を有し、高い酸強度を有するスルホン酸を発生して、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、下記式（ｃ－１ｂ－１）又は（ｃ－１ｂ－２）で表される化合物が好ましい。
　また、下記式（ｃ－１ｂ－１）で表される化合物としては、下記式（ｃ－１ｂ－３）～（ｃ－１ｂ－５）で表される化合物が特に好ましい。
　下記式（ｃ－１ｂ－２）で表される化合物としては、下記式（ｃ－１ｂ－６）で表される化合物が特に好ましい。
　下記式中、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^１０、Ｒ^１ｃ、Ｒ^１ｄ、Ｒ^１ｅ、環Ｚ、Ｌ、Ｘ^１は前記に同じである。

　前記式（ｃ－２）で表される化合物としては、中でも、優れた感光性を有し、高い酸強度を有するスルホン酸を発生して、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、下記式（ｃ－２－１）で表される化合物が好ましく、下記式（ｃ－２－２）～（ｃ－２－４）で表される化合物が特に好ましい。下記式中、Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^１０、Ｒ^１ｄ、Ｒ^１ｅ、環Ｚ、Ｌ、Ｘ^２は前記に同じである。

　前記イミドスルホネートは、光照射により速やかに分解してスルホン酸を発生する。
　前記イミドスルホネートが前記式（ｃ－１）で表される化合物である場合、前記式（Ａ－１）で表されるスルホン酸を発生する。
　また、前記イミドスルホネートが前記式（ｃ－２）で表される化合物である場合、前記式（Ａ－２）で表されるスルホン酸を発生する。
　前記スルホン酸は、Ｒ^１０ＳＦ_４基又はＳＦ_５基を有するため、高い酸強度を示す。

　［アミドスルホネート］
　本発明のアミドスルホネートは、下記式（ｄ－１）又は（ｄ－２）で表される化合物である。
（式中、Ｒ^１は、水素原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基の２個以上が連結基を介して結合した基を示す。Ｒ^６、Ｒ^７は同一又は異なって、置換基を有していても良い炭化水素基を示す。Ｒ^１０はフッ素原子、又は置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、又は置換基を有していても良い芳香族複素環式基を示す。Ｒ^２０は水素原子、又はハロゲン原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基と連結基とが結合した基を有する基を示す。ｎは０又は１を示す）

　前記アミドスルホネートのアミド基以外の部分は、それぞれ、上記スルホン酸塩の対応する部分と同じであり、説明を省略する。

　Ｒ^６、Ｒ^７における炭化水素基としては、Ｒ^１における１価の炭化水素基と同様の例が挙げられる。また、Ｒ^６、Ｒ^７における炭化水素基が有していても良い置換基としても、Ｒ^１における１価の炭化水素基が有していても良い置換基と同様の例が挙げられる。

　前記式（ｄ－１）で表され、式中のｎ＝０である化合物としては、中でも、優れた感光性を有し、高い酸強度を有するスルホン酸を発生して、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、下記式（ｄ－１ａ－１）又は（ｄ－１ａ－２）で表される化合物が好ましく、下記式（ｄ－１ａ－３）、（ｄ－１ａ－４）で表される化合物が特に好ましい。下記式中、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^１０、Ｒ^１ａ、Ｒ^１ｂ、Ｘは前記に同じである。

　前記式（ｄ－１）で表され、式中のｎ＝１である化合物としては、中でも、優れた感光性を有し、高い酸強度を有するスルホン酸を発生して、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、下記式（ｄ－１ｂ－１）又は（ｄ－１ｂ－２）で表される化合物が好ましい。
　また、下記式（ｄ－１ｂ－１）で表される化合物としては、下記式（ｄ－１ｂ－３）～（ｄ－１ｂ－５）で表される化合物が特に好ましい。
　下記式（ｄ－１ｂ－２）で表される化合物としては、下記式（ｄ－１ｂ－６）で表される化合物が特に好ましい。
　下記式中、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^１０、Ｒ^１ｃ、Ｒ^１ｄ、Ｒ^１ｅ、Ｘ^１、環Ｚは前記に同じである。

　前記式（ｄ－２）で表される化合物としては、中でも、優れた感光性を有し、高い酸強度を有するスルホン酸を発生して、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる点において、下記式（ｄ－２－１）で表される化合物が好ましく、下記式（ｄ－２－２）～（ｄ－２－４）で表される化合物が特に好ましい。下記式中、Ｒ^１、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^１０、Ｒ^１ｄ、Ｒ^１ｅ、環Ｚ、Ｘ^２は前記に同じである。

　前記アミドスルホネートは、光照射により速やかに分解してスルホン酸を発生する。
　前記アミドスルホネートが前記式（ｄ－１）で表される化合物である場合、前記式（Ａ－１）で表されるスルホン酸を発生する。
　また、前記アミドスルホネートが前記式（ｄ－２）で表される化合物である場合、前記式（Ａ－２）で表されるスルホン酸を発生する。
　前記スルホン酸は、Ｒ^１０ＳＦ_４基又はＳＦ_５基を有するため、高い酸強度を示す。

　［酸発生剤］
　本発明の酸発生剤は、光照射により速やかに分解してスルホン酸を発生する、前記スルホン酸塩、又は前記オキシムスルホネート、又は前記イミドスルホネート、又は前記アミドスルホネートを含有する。

　前記酸発生剤は、溶剤（例えば、ＰＧＭＥＡ）への溶解性に優れ、常温常圧下において、ＰＧＭＥＡ１００重量部に溶解する前記酸発生剤（若しくは、前記スルホン酸塩、又は前記オキシムスルホネート、又は前記イミドスルホネート、又は前記アミドスルホネート）量は、例えば１重量部以上、好ましくは５重量部以上、特に好ましくは１０重量部以上である。尚、上限値は例えば３０重量部である。

　また、前記酸発生剤は光線に対する感応性に優れ、光線を照射すれば、速やかにスルホン酸を発生する。前記光線の波長は、例えば１～１０００ｎｍである。前記光線には、例えば、赤外線、可視光線、紫外線、Ｘ線、電子線、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）等が含まれる。

　前記酸発生剤は上記特性を有するため、フォトレジスト（例えば、化学増幅型レジスト）用の酸発生剤や、カチオン重合性化合物のカチオン重合開始剤として好適に使用することができる。

　［フォトレジスト］
　本発明のフォトレジストは、前記酸発生剤と酸反応性化合物を含む。

　前記酸発生剤と酸反応性化合物は、それぞれ別個の化合物として前記フォトレジストに含まれていても良いし、酸反応性化合物が前記酸発生剤に組み込まれ、一体化した状態で前記フォトレジストに含まれていても良い。

　前記フォトレジストが、前記酸発生剤と酸反応性化合物を、それぞれ別個の化合物として含む場合、前記酸発生剤の含有量は、酸反応性化合物の含有量（２種以上含有する場合はその総量）の例えば０．００１～２０重量％、好ましくは０．０１～１５重量％、特に好ましくは０．０５～７重量％である。

　前記酸発生剤の含有量が、酸反応性化合物の含有量の０．００１重量％以上であれば、より長波長側の光線はもちろん、波長２０ｎｍ以下の光線に対しても、優れた感応性を発揮することができる。また、前記含有量が酸反応性化合物の含有量の２０重量％以下であれば、フォトレジストの解像度を向上する効果が得られる。

　前記フォトレジストが、前記酸発生剤と酸反応性化合物の一体化物を含む場合も、前記フォトレジスト中の前記酸発生剤と酸反応性化合物の含有割合としては、前記酸発生剤と酸反応性化合物を、それぞれ別個の化合物として含む場合と同様の範囲が好ましい。

　前記酸反応性化合物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する性質を有する化合物であり、ポリマーである。本発明のフォトレジストは前記酸反応性化合物の１種を単独で含有しても良いし、２種以上を組み合わせて含有しても良い。

　前記酸反応性化合物には、アルカリ現像液に易溶解性を示し、酸の存在下で架橋剤と反応してアルカリ現像液に難溶或いは不溶の化合物を生成するものと、アルカリ現像液に難溶或いは不溶であり、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大するものが含まれる。

　従って、前記フォトレジストには、下記組成物（１）と下記組成物（２）が含まれる。
組成物（１）：前記酸発生剤と、アルカリ現像液に易溶解性を示し、酸の存在下でアルカリ現像液に難溶或いは不溶の化合物を生成するネガ型感光性樹脂（ＱＮ）を含む組成物
組成物（２）：前記酸発生剤と、アルカリ現像液に難溶或いは不溶であり、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大するポジ型感光性樹脂（ＱＰ）を含む組成物

　前記ネガ型感光性樹脂（若しくは、ネガ型化学増幅樹脂；ＱＮ）としては、例えば、フェノール性水酸基含有樹脂（ＱＮ１）と架橋剤（ＱＮ２）を含む組成物が挙げられる。

　フェノール性水酸基含有樹脂（ＱＮ１）は、アルカリ現像液に易溶解性を示すフェノール性水酸基を含有する樹脂であって、架橋剤と反応してアルカリ現像液に難溶化或いは不溶化する樹脂であり、例えば、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシスチレンの共重合体、ヒドロキシスチレンとスチレンの共重合体、ヒドロキシスチレン、スチレン及び（メタ）アクリル酸誘導体の共重合体、フェノール－キシリレングリコール縮合樹脂、クレゾール－キシリレングリコール縮合樹脂、フェノール性水酸基を含有するポリイミド、フェノール性水酸基を含有するポリアミック酸、フェノール－ジシクロペンタジエン縮合樹脂等が挙げられる。これらは１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

　フェノール性水酸基含有樹脂（ＱＮ１）は、成分の一部にフェノール性低分子化合物を含有していても良い。

　フェノール性水酸基含有樹脂（ＱＮ１）の、ＧＰＣで測定したポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば２０００～２００００である。

　架橋剤（ＱＮ２）は、例えば酸発生剤から発生した酸により、フェノール性水酸基含有樹脂（ＱＮ１）を架橋し得る化合物であり、例えば、ビスフェノールＡ系エポキシ化合物、ビスフェノールＦ系エポキシ化合物、ビスフェノールＳ系エポキシ化合物、ノボラック樹脂系エポキシ化合物、レゾール樹脂系エポキシ化合物、ポリ（ヒドロキシスチレン）系エポキシ化合物、オキセタン化合物、メチロール基含有メラミン化合物、メチロール基含有ベンゾグアナミン化合物、メチロール基含有尿素化合物、メチロール基含有フェノール化合物、アルコキシアルキル基含有メラミン化合物、アルコキシアルキル基含有ベンゾグアナミン化合物、アルコキシアルキル基含有尿素化合物、アルコキシアルキル基含有フェノール化合物、カルボキシメチル基含有メラミン樹脂、カルボキシメチル基含有ベンゾグアナミン樹脂、カルボキシメチル基含有尿素樹脂、カルボキシメチル基含有フェノール樹脂、カルボキシメチル基含有メラミン化合物、カルボキシメチル基含有ベンゾグアナミン化合物、カルボキシメチル基含有尿素化合物及びカルボキシメチル基含有フェノール化合物等が挙げられる。これらは１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

　架橋剤（ＱＮ２）の含有量は、フェノール性水酸基含有樹脂（ＱＮ１）のアルカリ現像液に対する難溶化或いは不溶化を効率よく行う観点から、フェノール性水酸基含有樹脂（ＱＮ１）中の全酸性官能基に対して、例えば１０～４０モル％である。

　前記ポジ型感光性樹脂（若しくは、ポジ型化学増幅樹脂；ＱＰ）としては、例えば、保護基として酸解離性基が導入されたアルカリ可溶性樹脂（保護基導入樹脂；ＱＰ１）が挙げられる。

　保護基導入樹脂（ＱＰ１）は、アルカリ可溶性樹脂中の酸性官能基（例えば、フェノール性水酸基、カルボキシル基、スルホニル基等）の水素原子の一部或いは全部が酸解離性基で置換された樹脂である。

　保護基導入樹脂（ＱＰ１）自体はアルカリ現像液に不溶性又は難溶性の樹脂であり、酸発生剤から発生した酸（Ｈ^＋Ｘ^－）によって酸解離性基が解離すると、アルカリ現像液に易溶解性を示すアルカリ可溶性樹脂に変化する。

　アルカリ可溶性樹脂は、例えばＨＬＢ値が４～１９（好ましくは５～１８、特に好ましくは６～１７）の樹脂である。

　アルカリ可溶性樹脂には、フェノール性水酸基含有樹脂、カルボキシル基含有樹脂、及びスルホン酸基含有樹脂が含まれる。

　フェノール性水酸基含有樹脂としては、上記フェノール性水酸基含有樹脂（ＱＮ１）と同様の樹脂が例示される。

　カルボキシル基含有樹脂としては、カルボキシル基を有するポリマーであれば特に制限はなく、例えば、カルボキシル基含有ビニルモノマー（Ｂａ）のホモポリマーや、カルボキシル基含有ビニルモノマー（Ｂａ）と疎水基含有ビニルモノマー（Ｂｂ）とのホモポリマーが挙げられる。

　カルボキシル基含有ビニルモノマー（Ｂａ）としては、例えば、（メタ）アクリル酸である。

　疎水基含有ビニルモノマー（Ｂｂ）としては、Ｃ_１－２０アルキル（メタ）アクリレート、脂環基含有（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸エステル（Ｂｂ１）、及びスチレン骨格を有する炭化水素モノマーやビニルナフタレン等の芳香族炭化水素モノマー（Ｂｂ２）等が挙げられる。

　スルホン酸基含有樹脂としては、スルホン酸基を有するポリマーであれば特に制限はなく、例えば、ビニルスルホン酸、スチレンスルホン酸等のスルホン酸基含有ビニルモノマー（Ｂｃ）と、必要により疎水基含有ビニルモノマー（Ｂｂ）とをビニル重合することで得られる。

　保護基導入樹脂（ＱＰ１）が有する酸解離性基としては、例えば、メトキシメチル基、ベンジル基、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチル基等の１－置換メチル基；１－メトキシエチル基、１－エトキシエチル基等の１－置換エチル基；ｔｅｒｔ－ブチル基等の１－分岐アルキル基；トリメチルシリル基等のシリル基；トリメチルゲルミル基等のゲルミル基；ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；アシル基；テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基等の環式酸解離性基等が挙げられる。これらは１種を単独で含有していても良いし、２種以上を組み合わせて含有していても良い。

　保護基導入樹脂（ＱＰ１）における酸解離性基の導入率［保護基導入樹脂（ＱＰ１）中の保護されていない酸性官能基と酸解離性基との合計数に対する酸解離性基の数の割合］は、酸解離性基や該基が導入されるアルカリ可溶性樹脂の種類により一概には規定できないが、好ましくは１０～１００％、さらに好ましくは１５～１００％である。

　保護基導入樹脂（ＱＰ１）の、ＧＰＣで測定したポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば１０００～１５００００、好ましくは３０００～１０００００である。

　本発明のフォトレジストは、例えば、前記酸発生剤を有機溶剤に溶解し、これを感光性樹脂と混合することにより調製することができる。

　本発明のフォトレジストは、前記酸発生剤と感光性樹脂以外にも必要に応じて他の成分を１種又は２種以上含有することができる。他の成分としては、例えば、有機溶剤、顔料、染料、光増感剤、分散剤、界面活性剤、充填剤、レベリング剤、消泡剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、ｐＨ調整剤、表面改質剤、可塑剤、乾燥促進剤等が挙げられる。

　前記有機溶剤としては、前記感光性樹脂を溶解させることができ、フォトレジストに良好な塗布性を付与することができる溶剤であれば良いが、中でも、沸点が２００℃以下のものを使用することが、フォトレジストを塗布後、容易に乾燥させることができる点で好ましい。このような有機溶剤としては、トルエン等の芳香族炭化水素；エタノール、メタノール等のアルコール；シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトン等のケトン；酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル等のエステル；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）等のグリコールモノエーテルモノエステルなどが好ましい。これらは１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

　前記有機溶剤としては、中でも、ケトン、エステル（特に、鎖状エステル）、及びグリコールモノエーテルモノエステルから選択される少なくとも１種を含有することが好ましい。

　本発明のフォトレジストは、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）；ＫｒＦ、ＡｒＦ、Ｆ_２などのエキシマレーザ；紫外線、Ｘ線、電子線、ＥＵＶ等の波長の光線に対して高い感光性を有するスルホニウム塩を含有する。そのため、本発明のフォトレジストを利用すれば、前記波長の光線を用いたフォトリソグラフィーにより、高解像度の微細パターンを有するレジスト膜を製造することができる。

　前記フォトレジストを使用したフォトリソグラフィーによりパターン形成を行う方法としては、例えば下記工程１～３を含む方法が挙げられる。

工程１：基板上に、前記フォトレジストの塗膜を形成する工程
工程２：前記塗膜に光照射を行ってパターンを転写する工程
工程３：アルカリ現像を行う工程

　（工程１）
　本工程は、エッチング対象である基板上に、前記フォトレジストの塗膜を形成する工程である。前記フォトレジストの塗膜は、前記フォトレジストを、スピンコート、カーテンコート、ロールコート、スプレーコート、スクリーン印刷等公知の方法を用いて基板に塗布し、乾燥させて形成することができる。

　前記フォトレジストの乾燥方法としては、自然乾燥を行っても良いが、前記スルホニウム塩は熱安定性を備えるため、加熱（例えば、５０℃以上１３０℃未満の温度で１～５分加熱）して乾燥させることもでき、作業性に優れる。

　前記塗膜の厚みは、例えば１～１０００ｎｍである。

　（工程２）
　本工程は、工程１を経て得られた塗膜に、パターンを有するフォトマスクを介して光照射する等の方法で、光照射を行ってパターンを転写する工程である。

　光照射に用いる光線としては、塗膜に含まれる前記スルホニウム塩を分解して酸（Ｈ^＋Ｘ^－；Ｘ^－は対アニオンを示す）を発生させることができれば特に制限はないが、パターンをより微細化する観点から、短波長の光線を使用することが好ましく、光線の波長は、例えば４５０ｎｍ以下（例えば、１～４５０ｎｍ）が好ましく、４００ｎｍ以下がより好ましく、３００ｎｍ以下が更に好ましく、２００ｎｍ以下が特に好ましく、３０ｎｍ以下が最も好ましい。前記光線には、例えば、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）；ＫｒＦ、ＡｒＦ、Ｆ_２などのエキシマレーザ；紫外線、Ｘ線、電子線、ＥＵＶ等が含まれる。

　光照射後は、６０～２００℃の温度で、０．１～１２０分程度加熱することが、露光部と未露光部のアルカリ現像液への溶解性の差を大きくすることができる点で好ましい。

　（工程３）
　本工程は、工程２を経たフォトレジストの塗膜を、アルカリ現像処理に付す工程である。

　アルカリ現像処理に使用するアルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、炭酸水素ナトリウム、テトラメチルアンモニウム塩水溶液等が挙げられる。

　前記アルカリ現像液には、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、テトラヒドロフラン、Ｎ－メチルピロリドン等を添加しても良い。

　アルカリ現像処理は、前記塗膜に、ディップ方式、シャワー方式、スプレー方式等の方法により前記アルカリ現像液を塗布することで行われる。

　アルカリ現像液の温度は、例えば２５～４０℃である。また、アルカリ現像時間は、フォトレジストの塗膜の厚さに応じて適宜決定されるが、例えば１～５分程度である。

　アルカリ現像処理においては、フォトレジストの塗膜の、露光部と未露光部における溶解性の差が大きいことが精度良好な微細パターンを形成する観点から好ましい。現像残渣が多く存在すれば、配線形状異常などの問題が発生し易いためである。そして、本発明のフォトレジストは、上述の通りカルボキシル基を有するスルホニウム塩を含有するため、アルカリ現像時にレジストの現像性が向上し現像残渣を低減することができる。そのため、欠陥の無い製品を歩留まり良く製造することができる。

　工程３を経て、基板上に、精度良好な微細パターンを有するレジスト膜を形成することができる。このようにして得られたレジスト膜を利用して基板をエッチングすれば、高精度の電子デバイス又は光デバイスを製造することができる。

　前記電子デバイスには、例えば、有機ＥＬディスプレイ、液晶ディスプレイ等の表示デバイス；タッチパネル等の入力デバイス；発光デバイス；センサーデバイス；光スキャナー、光スイッチ、加速度センサー、圧力センサー、ジャイロスコープ、マイクロ流路、インクジェットヘッド等のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ　Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｓｙｓｔｅｍｓ）デバイス等が含まれる。

　前記光デバイスには、例えば、光導波路、メタレンズ、半導体レーザなどが含まれる。

　［カチオン重合開始剤］
　本発明のカチオン重合開始剤は、光照射により速やかに分解してスルホン酸を発生する、前記スルホン酸塩、又は前記オキシムスルホネート、又は前記イミドスルホネート、又は前記アミドスルホネートを含有する。

　前記カチオン重合開始剤は、溶剤（例えば、ＰＧＭＥＡ）への溶解性に優れ、常温常圧下において、ＰＧＭＥＡ１００重量部に溶解する前記カチオン重合開始剤（若しくは、前記スルホン酸塩、又は前記オキシムスルホネート、又は前記イミドスルホネート、又は前記アミドスルホネート）量は、例えば１重量部以上、好ましくは５重量部以上、特に好ましくは１０重量部以上である。尚、上限値は例えば３０重量部である。

　また、前記カチオン重合開始剤は光線に対する感応性に優れ、前記光線を照射すれば、速やかにスルホン酸を発生する。尚、前記光線の波長は、例えば１～１０００ｎｍである。前記光線には、例えば、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）；ＫｒＦ、ＡｒＦ、Ｆ_２などのエキシマレーザ；紫外線、赤外線、可視光線、Ｘ線、電子線、ＥＵＶ等が含まれる。

　［硬化性組成物］
　本発明の硬化性組成物は、前記カチオン重合開始剤と、樹脂成分としてのカチオン重合性化合物を含む。前記カチオン重合開始剤とカチオン重合性化合物はそれぞれ１種を単独で含有していても良いし、２種以上を組み合わせて含有していても良い。

　前記カチオン重合開始剤の含有量は、カチオン重合性化合物１００重量部に対して、例えば０．０５～２０重量部、好ましくは０．１～１０重量部である。

　前記カチオン重合性化合物は、エポキシ基、オキセタニル基、ビニルエーテル基等から選択される１種又は２種以上のカチオン重合性基を有する化合物である。尚、前記エポキシ基とは３員の環状エーテル骨格を含む基であり、オキセタニル基とは４員の環状エーテル骨格を含む基である。

　前記カチオン重合性化合物としては、例えば、カチオン重合性基としてエポキシ基を有する化合物（＝エポキシ化合物）、カチオン重合性基としてオキセタニル基を有する化合物（＝オキセタン化合物）、カチオン重合性基としてビニルエーテル基を有する化合物（＝ビニルエーテル化合物）、カチオン重合性基としてエポキシ基とオキセタニル基を有する化合物、カチオン重合性基としてエポキシ基とビニルエーテル基を有する化合物、カチオン重合性基としてオキセタニル基とビニルエーテル基を有する化合物等が挙げられる。

　（エポキシ化合物）
　エポキシ化合物には、例えば、エポキシ変性シロキサン化合物、脂環式エポキシ化合物（脂環式エポキシ樹脂）、芳香族エポキシ化合物（芳香族エポキシ樹脂）、脂肪族エポキシ化合物（脂肪族エポキシ樹脂）等が含まれる。

　＜エポキシ変性シロキサン化合物＞
　前記エポキシ変性シロキサン化合物としては、例えば、エポキシ変性シリコーンやエポキシ変性ポリオルガノシルセスキオキサン等が挙げられる。

　＜脂環式エポキシ化合物＞
　上記脂環式エポキシ化合物としては、分子内に１個以上の脂環と１個以上のエポキシ基とを有する公知乃至慣用の化合物が挙げられ、特に限定されないが、例えば、以下の化合物等が挙げられる。
（１）脂環エポキシ基（＝分子内に脂環を構成する隣接する２つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基）を有する化合物
（２）脂環とグリシジルエーテル基を有する化合物

　前記脂環エポキシ基を有する化合物（１）としては、例えば、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル－３，４－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、３，４－エポキシ－１－メチルシクロヘキシル－３，４－エポキシ－１－メチルヘキサンカルボキシレート、６－メチル－３，４－エポキシシクロヘキシルメチル－６－メチル－３，４－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、３，４－エポキシ－３－メチルシクロヘキシルメチル－３，４－エポキシ－３－メチルシクロヘキサンカルボキシレート、３，４－エポキシ－５－メチルシクロヘキシルメチル－３，４－エポキシ－５－メチルシクロヘキサンカルボキシレート、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル－５，５－スピロ－３，４－エポキシ）シクロヘキサンメタジオキサン、ビス（３，４－エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、３，４－エポキシ－６－メチルシクロヘキシルカルボキシレート、メチレンビス（３，４－エポキシシクロヘキサン）、ジシクロペンタジエンジエポキシド、エチレンビス（３，４－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート）等が挙げられる。

　前記脂環とグリシジルエーテル基を有する化合物（２）としては、例えば、脂環式アルコール（特に、脂環式多価アルコール）のグリシジルエーテルが挙げられる。より詳しくは、例えば、２，２－ビス［４－（２，３－エポキシプロポキシ）シクロへキシル］プロパン、２，２－ビス［３，５－ジメチル－４－（２，３－エポキシプロポキシ）シクロへキシル］プロパンなどのビスフェノールＡ型エポキシ化合物を水素化した化合物（水素化ビスフェノールＡ型エポキシ化合物）；ビス［ｏ，ｏ－（２，３－エポキシプロポキシ）シクロへキシル］メタン、ビス［ｏ，ｐ－（２，３－エポキシプロポキシ）シクロへキシル］メタン、ビス［ｐ，ｐ－（２，３－エポキシプロポキシ）シクロへキシル］メタン、ビス［３，５－ジメチル－４－（２，３－エポキシプロポキシ）シクロへキシル］メタンなどのビスフェノールＦ型エポキシ化合物を水素化した化合物（水素化ビスフェノールＦ型エポキシ化合物）；水素化ビフェノール型エポキシ化合物；水素化フェノールノボラック型エポキシ化合物；水素化クレゾールノボラック型エポキシ化合物；ビスフェノールＡの水素化クレゾールノボラック型エポキシ化合物；水素化ナフタレン型エポキシ化合物；トリスフェノールメタン型エポキシ化合物の水添物等が挙げられる。

　＜芳香族エポキシ化合物＞
　前記芳香族エポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノール類［例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フルオレンビスフェノール等］と、エピハロヒドリンとの縮合反応により得られるエピビスタイプグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；これらのエピビスタイプグリシジルエーテル型エポキシ樹脂を上記ビスフェノール類とさらに付加反応させることにより得られる高分子量エピビスタイプグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；フェノール類［例えば、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ等］とアルデヒド［例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等］とを縮合反応させて得られる多価アルコール類を、さらにエピハロヒドリンと縮合反応させることにより得られるノボラック・アルキルタイプグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；フルオレン環の９位に２つのフェノール骨格が結合し、且つこれらフェノール骨格の水酸基から水素原子を除いた酸素原子に、それぞれ、直接又はアルキレンオキシ基を介してグリシジル基が結合しているエポキシ化合物等が挙げられる。

　＜脂肪族エポキシ化合物＞
　前記脂肪族エポキシ化合物としては、例えば、ｑ価の環状構造を有しないアルコール（ｑは自然数である）のグリシジルエーテル；一価又は多価カルボン酸［例えば、酢酸、プロピオン酸、酪酸、ステアリン酸、アジピン酸、セバシン酸、マレイン酸、イタコン酸等］のグリシジルエステル；エポキシ化亜麻仁油、エポキシ化大豆油、エポキシ化ひまし油等の二重結合を有する油脂のエポキシ化物；エポキシ化ポリブタジエン等のポリオレフィン（ポリアルカジエンを含む）のエポキシ化物等が挙げられる。尚、上記ｑ価の環状構造を有しないアルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、１－プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、１－ブタノール等の一価のアルコール；エチレングリコール、１，２－プロパンジオール、１，３－プロパンジオール、１，４－ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、１，６－ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等の二価のアルコール；グリセリン、ジグリセリン、エリスリトール、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、ソルビトール等の三価以上の多価アルコール等が挙げられる。また、ｑ価のアルコールは、ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール、ポリカーボネートポリオール、ポリオレフィンポリオール等であってもよい。

　（オキセタン化合物）
　前記オキセタン化合物としては、例えば、３，３－ビス（ビニルオキシメチル）オキセタン、３－エチル－３－ヒドロキシメチルオキセタン、３－エチル－３－（２－エチルヘキシルオキシメチル）オキセタン、３－エチル－３－（ヒドロキシメチル）オキセタン、３－エチル－３－［（フェノキシ）メチル］オキセタン、３－エチル－３－（ヘキシロキシメチル）オキセタン、３－エチル－３－（クロロメチル）オキセタン、３，３－ビス（クロロメチル）オキセタン、１，４－ビス［（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）メチル］ベンゼン、ビス（［１－エチル（３－オキセタニル）］メチル）エーテル、４，４’－ビス［（３－エチル－３－オキセタニル）メトキシメチル］ビシクロヘキシル、４，４’－ビス［３－エチル－（３－オキセタニル）メトキシメチル］ビフェニル、１，４－ビス［（３－エチル－３－オキセタニル）メトキシメチル］シクロヘキサン、１，４－ビス（［（３－エチル－３－オキセタニル）メトキシ］メチル）ベンゼン、３－エチル－３（［（３－エチルオキセタン－３－イル）メトキシ］メチル）オキセタン、キシリレンビスオキセタン等を挙げることができる。

　（ビニルエーテル化合物）
　前記ビニルエーテル化合物としては、例えば、フェニルビニルエーテル等のアリールビニルエーテル；ｎ－ブチルビニルエーテル、ｎ－オクチルビニルエーテル等のアルキルビニルエーテル；シクロヘキシルビニルエーテル等のシクロアルキルビニルエーテル；２－ヒドロキシエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、２－ヒドロキシブチルビニルエーテル等の水酸基を有するビニルエーテル；ハイドロキノンジビニルエーテル、１，４－ブタンジオールジビニルエーテル、シクロヘキサンジビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル等の多官能ビニルエーテルなどが挙げられる。

　前記硬化性組成物は、上記成分以外にも必要に応じて他の成分を１種又は２種以上含有していても良い。他の成分としては、例えば、増感剤、増感助剤、酸化防止剤、安定化剤、界面活性剤、溶剤、レオロジーコントロール剤、レベリング剤、シランカップリング剤、充填材、導電性粒子、重合禁止剤、光安定剤、可塑剤、消泡剤、発泡剤、紫外線吸収剤、粘着付与剤、硬化遅延剤、イオン吸着体、顔料、染料、蛍光体、離型剤、帯電防止剤、難燃剤、ラジカル重合性化合物、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリ（メタ）アクリレート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリウレア樹脂、ポリエステル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ＳＢＳ、ＳＥＢＳ等を挙げることができる。これらの含有量（２種以上含有する場合はその総量）は、硬化性組成物全量（１００重量％）の、例えば０．０５～５０重量％程度、好ましくは０．０５～１０重量％、特に好ましくは０．１～５重量％である。

　前記硬化性組成物は、前記カチオン重合開始剤とカチオン重合性化合物と、必要に応じて添加される他の成分を、自公転式撹拌脱泡装置、ホモジナイザー、プラネタリーミキサー、３本ロールミル、ビーズミル等の一般的に知られる混合用機器を使用して均一に混合することにより製造することができる。尚、各成分は、同時に混合してもよいし、逐次混合してもよい。

　前記硬化性組成物の用途は特に制限がなく、例えば、塗料、コーティング剤、インキ、ポジ型レジスト、レジストフィルム、液状レジスト、感光性材料、接着剤、成形材料、注型材料、パテ、ガラス繊維含浸剤、目止め材、シーリング材、封止材、光造形用材料などが挙げられる。

　前記硬化性組成物は、優れた酸強度を有するスルホン酸を発生するカチオン重合開始剤を含有するため、光線照射により、速やかに硬化物を形成することができる。また、前記硬化性組成物は、溶剤溶解性に優れたカチオン重合開始剤を含有するため、調製後に低温環境下（例えば０℃以下の温度環境下、好ましくは－２５℃以下の温度環境下）で保持してもカチオン重合開始剤が析出することを抑制することができる。そのため、調製後、使用するまでに時間的余裕があり、取扱い性に優れる。

　［硬化物］
　本発明の硬化物は、前記硬化性組成物の硬化物である。

　前記硬化物は前記硬化性組成物を硬化させることにより得られる。

　前記硬化性組成物は、光線を照射することにより硬化させることができる。光線としては、前記酸発生剤に含まれる塩の分解を誘発するエネルギーを有する限り特に制限無く使用することができるが、好ましくは低圧、中圧、高圧または超高圧の水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、カーボンアークランプ、蛍光灯、半導体固体レーザ、アルゴンレーザ、Ｈｅ－Ｃｄレーザ、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、Ｆ２レーザなどから得られる紫外光領域～可視光領域の波長の光線が用いられる。更に電子線、Ｘ線などの高エネルギーを有する放射線を用いることもできる。光線の照射時間は、エネルギー線の強度や硬化性組成物に対する光線の透過性によるが、通常は常温で０．１～１０秒程度である。また、必要に応じて、光線照射後に、室温～１５０℃の温度で数秒～数時間の加熱処理を施してもよい。

　以上、本発明の各構成及びそれらの組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において、適宜、構成の付加、省略、置換、及び変更が可能である。また、本明細書に開示された各々の態様は、本明細書に開示された他のいかなる特徴とも組み合わせることができる。

　以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。

　調製例、製造例、及び実施例で得られた化合物の構造は、^１Ｈ－ＮＭＲ及び^１９Ｆ－ＮＭＲで確認した。

　調製例１（酸反応性化合物の合成）
　窒素雰囲気下、フラスコに１６８．６ｇのメタクリル酸２－エチルアダマンタン－２－イル、８５．５ｇのメタクリル酸３－ヒドロキシ－１－アダマンチル、１７２．１ｇのメタクリル酸２－オキソテトラヒドロフラン－３－イル、５１０ｇのプロピレングリコールメチルエーテルアセテートを仕込み、モノマー溶液を得た。
　１４．８６ｇの２，２'－アゾビスイソブチロニトリル、２．６ｇの２－メルカプトエタノール、１２７ｇのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを混合して、開始剤溶液とした。
　窒素雰囲気下、別のフラスコに２９２ｇのプロピレングリコールメチルエーテルアセテートを仕込み、撹拌しながら８０℃まで加熱した。その後、ここに、上記モノマー溶液と開始剤溶液を同時に４時間かけて滴下した。
　滴下終了後、反応液の温度を８０℃に保ったまま２時間撹拌し、その後室温まで冷却して重合液を得た。
　得られた重合液を、激しく撹拌した１２ｋｇのメタノールに滴下し、析出した共重合体を濾別した。共重合体をメタノール３ｋｇで２回洗浄した後、５０℃で２０時間真空乾燥して３８４ｇの白色粉末状の共重合体を得た。得られた共重合体をＧＰＣにて分析したところポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は６０００であった。この共重合体を、酸反応性化合物として使用した。

　調製例２
　反応容器に１－プロペン－１，３－スルトン１．２ｇと四塩化炭素１０ｍＬを加え、そこへペンタフルオロスルファニルクロリドのヘキサン溶液（ペンタフルオロスルファニルクロリド濃度：０．１Ｍ）１２ｍＬを加え、高圧水銀灯を用いてＵＶ照射しながら、５０℃で７２時間反応させた。その後、室温に戻してから水１０ｍＬを加え、有機層（１）と水層（１）を分液した。
　分液により得られた水層（１）は、更に、ジエチルエーテル１０ｍＬで３回抽出を行い、得られた有機層（２）を前記有機層（１）と合わせて、水２０ｍＬで３回洗浄を行った。
　その後、分液操作により得られた有機層（３）を減圧下で溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、下記式（Ｆ－１a）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－１a））（収率３９％）と、下記式（Ｆ－１a’）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－１a’））（収率１１％）とを単離した。

　調製例３
　１－プロペン－１，３－スルトン１．２ｇに代えて、１－ブテン－１，４－スルトン１．４ｇを使用した以外は調製例２と同様にして、下記式（Ｆ－１ｂ）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－１ｂ））と、下記式（Ｆ－１ｂ’）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－１ｂ’））とを単離した。

　調製例４
　１－プロペン－１，３－スルトン１．２ｇに代えて、ビニルスルホン酸エチル１．４ｇを使用した以外は調製例２と同様にして、下記式（Ｆ－１ｃ）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－１ｃ））を合成した。

　調製例５
　ペンタフルオロスルファニルクロリドのヘキサン溶液（ペンタフルオロスルファニルクロリド濃度０．１Ｍ）１２ｍＬに代えて、４－クロロフェニルテトラフルオロ－λ^６－スルファニルクロリド２．６ｇを使用した以外は調製例２と同様にして、下記式（Ｆ－１ｄ）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－１ｄ））を得た。

　調製例６
　ペンタフルオロスルファニルクロリドのヘキサン溶液（ペンタフルオロスルファニルクロリド濃度０．１Ｍ）１２ｍＬに代えて、４－クロロフェニルテトラフルオロ－λ^６－スルファニルクロリド２．６ｇを使用し、１－プロペン－１，３－スルトン１．２ｇに代えて、１－ブテン－１，４－スルトン１．４ｇを使用した以外は調製例２と同様にして、下記式（Ｆ－１ｅ）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－１ｅ））を得た。

　調製例７
　ペンタフルオロスルファニルクロリドのヘキサン溶液（ペンタフルオロスルファニルクロリド濃度０．１Ｍ）１２ｍＬに代えて、５－ブロモピリジン－２－イルテトラフルオロ－λ^６－スルファニルクロリド３．０ｇを使用した以外は調製例２と同様にして、下記式（Ｆ－１ｆ）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－１ｆ））を得た。

　製造例１
　反応容器に化合物（Ｆ－１ａ）２．８ｇとアセトニトリル－水混合溶媒（アセトニトリル：水＝１０：１（重量比））５０ｍＬを加え、そこへ１５％水酸化ナトリウム水溶液５０ｇを少しずつ加えた。添加後、室温下でさらに５時間撹拌した。反応液を濾過し、濾液を濃縮することで白色固体１．０ｇを得た（収率３１％）。^１Ｈ－ＮＭＲ及び^１９Ｆ－ＮＭＲより、得られた白色固体が下記式（Ｆ－２）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－２））であることを確認した。

　製造例２
　反応容器に化合物（Ｆ－１ａ）２．８ｇとトルエン１００ｍＬを加え、そこへ水酸化カリウム２．８ｇを加えて室温下で２４時間撹拌した。反応液を濾過し、濾液を濃縮することで淡褐液体を得た。得られた淡褐液体をアセトニトリル－水混合溶媒（アセトニトリル：水＝１０：１（重量比））５０ｍＬを加え、そこへ１５％水酸化カリウム水溶液５０ｇを少しずつ加えた。添加後、室温下でさらに５時間撹拌した。反応液を濾過し、濾液を濃縮することで白色固体０．９ｇを得た（収率３０％）。^１Ｈ－ＮＭＲ及び^１９Ｆ－ＮＭＲより、得られた白色固体が下記式（Ｆ－３）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－３））であることを確認した。

　製造例３
　化合物（Ｆ－１ａ）に代えて、化合物（Ｆ－１ｂ）を使用した以外は製造例１と同様にして、下記式（Ｆ－４）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－４））を得た。

　製造例４
　化合物（Ｆ－１ａ）に代えて、化合物（Ｆ－１ｂ）を使用した以外は製造例２と同様にして、下記式（Ｆ－５）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－５））を得た。

　製造例５
　化合物（Ｆ－１ａ）に代えて、化合物（Ｆ－１ｃ）を使用した以外は製造例１と同様にして、下記式（Ｆ－６）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－６））を得た。

　製造例６
　化合物（Ｆ－１ａ）に代えて、化合物（Ｆ－１ｃ）を使用した以外は製造例２と同様にして、下記式（Ｆ－７）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－７））を得た。

　製造例７
　化合物（Ｆ－１ａ）に代えて、化合物（Ｆ－１ａ’）を使用した以外は製造例１と同様にして、下記式（Ｆ－８）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－８））を得た。

　製造例８
　化合物（Ｆ－１ａ）に代えて、化合物（Ｆ－１ｂ’）を使用した以外は製造例１と同様にして、下記式（Ｆ－９）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－９））を得た。

　製造例９
　化合物（Ｆ－１ａ）に代えて化合物（Ｆ－１ｄ）を使用した以外は製造例１と同様にして下記式（Ｆ－１０）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－１０））を得た。

　製造例１０
　化合物（Ｆ－１ａ）に代えて化合物（Ｆ－１ｅ）を使用した以外は製造例１と同様にして下記式（Ｆ－１１）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－１１））を得た。

　製造例１１
　化合物（Ｆ－１ａ）に代えて化合物（Ｆ－１ｆ）を使用した以外は製造例１と同様にして下記式（Ｆ－１２）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－１２））を得た。

　製造例１２
　非特許文献（Ｒ．Ｊ．Ｔｅｒｊｅｓｏｎ，ｅｔ.ａｌ．，Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．,Ｖｏｌ.２７，１９８８，２９１６）の記載の方法に基づいて、下記式（Ｆ－１３）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－１３））を得た。

　製造例１３
　非特許文献（Ｒ．Ｊ．Ｗｉｌｌｅｎｂｒｉｎｇ，ｅｔ.ａｌ．，Ｃａｎ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．,Ｖｏｌ.６７，１９８９，２０３７）記載の方法に基づいて、下記式（Ｆ－１４）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－１４））を得た。

　製造例１４（Ｇ－３）の合成
　反応容器に４－ペンテン酸エチル０．４ｇとヘキサン５０ｍＬを加え、－４０℃に冷却した。そこへペンタフルオロスルファニルクロリドのヘキサン溶液（ペンタフルオロスルファニルクロリド濃度：０．１Ｍ）５０ｍＬを加え、さらにトリエチルボランのヘキサン溶液（濃度：０．１Ｍ）をシリンジで滴下した。その後－４０℃で３時間反応させた。その後、室温に戻してから水１０ｍＬを加え、有機層（１）と水層（１）を分液した。

　分液により得られた水層（１）は、更に、ジエチルエーテル１０ｍＬで３回抽出を行い、得られた有機層（２）を前記有機層（１）と合わせて、水２０ｍＬで３回洗浄を行った。

　その後、分液操作により得られた有機層（３）を減圧下で溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して下記式（Ｆ－１５ａ）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－１５ａ））（収率７８％）を得た。

　反応容器に化合物（Ｆ－１５ａ）２．９ｇと亜硫酸ナトリウム１．５ｇを加え、そこへ５０％エタノール水溶液５０ｍＬを加えた。その後７０時間加熱還流下反応させた。その後、室温に戻し濃縮した。得られた残渣をエタノールで抽出し、再度有機層を濃縮することで下記式（Ｆ－１５ｂ）で表される化合物（＝化合物（Ｆ－１５ｂ））（収率６０％）を得た。

　反応容器に（Ｆ－１５ｂ）３．３ｇと、エチルジイソプロピルアミノカルボジイミド塩酸塩２．３ｇ、ジメチルアミノピリジン０．１ｇを加え窒素置換を行った。そこへＴＨＦ：５０ｍＬを加え撹拌した。氷浴にて０℃に冷却し、そこへ１－アダマンタンメタノール１．７ｇを加えた後、室温下で１２時間撹拌した。その後１０ｍＬの水を加え反応を停止し、溶媒を減圧留去し、酢酸エチル５０ｍＬで３回抽出し、得られた有機層を飽和炭酸ナトリウムで洗浄し、さらに水洗を５回行って有機層を減圧下で溶媒を留去し、３－（１－アダマンタンメチルオキシカルボニル）－１－（ペンタフルオロスルファニルメチル）－プロパンスルホン酸ナトリウムを淡黄色固体として得た（２．７ｇ；収率５７％）。

製造例１５（Ｇ－４）～製造例１９（Ｇ－８）の合成
　製造例１４に準じた方法にて下記記載の化合物を合成した。
製造例１５（Ｇ－４）の合成
　４－ペンテン酸エチル０．４ｇに代えてアクリル酸エチル０．３ｇを使用した以外は製造例１４と同様に行い、１－（１－アダマンタンメチルオキシカルボニル）－２－（ペンタフルオロスルファニル）－エタンスルホン酸ナトリウムを微黄色固体として得た（１．６ｇ；収率３６％）。

製造例１６（Ｇ－５）の合成
　４－ペンテン酸エチル０．４ｇに代えて４－ビニル安息香酸メチル０．５ｇを使用した以外は製造例１４と同様に行い、１－｛４－（１－アダマンタンメチルオキシカルボニル）フェニル｝－２－（ペンタフルオロスルファニル）－エタンスルホン酸ナトリウムを微黄色固体として得た（１．９ｇ；収率３６％）。

製造例１７（Ｇ－６）の合成
　ペンタフルオロスルファニルクロリドのヘキサン溶液（ペンタフルオロスルファニルクロリド濃度：０．１Ｍ）５０ｍＬに代えて、非特許文献（Ｔ．Ｕｍｅｍｏｔｏ，ｅｔ.ａｌ．，Ｂｅｉｌｓｔｅｉｎ．Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．,２０１２，Ｖｏｌ.８，４６１）記載の方法に基づいて合成した４－フルオロフェニルテトラフルオロスルファニルクロリド１．２ｇを使用した以外は製造例１４と同様に行い、３－（１－アダマンタンメチルオキシカルボニル）－１－（４－フルオロフェニルテトラフルオロスルファニルメチル）－プロパンスルホン酸ナトリウムを微黄色固体として得た（２．１ｇ；収率３８％）。

製造例１８（Ｇ－７）の合成
　ペンタフルオロスルファニルクロリドのヘキサン溶液（ペンタフルオロスルファニルクロリド濃度：０．１Ｍ）５０ｍＬに代えて、非特許文献（Ｔ．Ｕｍｅｍｏｔｏ，ｅｔ.ａｌ．，Ｂｅｉｌｓｔｅｉｎ．Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．,２０１２，Ｖｏｌ.８，４６１）記載の方法に基づいて合成したペンタフルオロフェニルテトラフルオロスルファニルクロリド１．６ｇを使用した以外は製造例１４と同様に行い、３－（１－アダマンタンメチルオキシカルボニル）－１－（ペンタフルオロフェニルテトラフルオロスルファニルメチル）－プロパンスルホン酸ナトリウムを微黄色固体として得た（２．７ｇ；収率４３％）。

製造例１９（Ｇ－８）の合成
　１－アダマンタンメタノール１．７ｇに代えて２－ヒドロキシエチルメタクリレート１．３ｇを使用した以外は製造例１４と同様に行い、３－｛２－（メタクリロイルオキシ）エトシカルボニル｝－１－（ペンタフルオロスルファニルメチル）－プロパンスルホン酸ナトリウムを白色固体として得た（１．８ｇ；収率４１％）。

　実施例１
　反応容器に化合物（Ｆ－３）３．０ｇと１－アダマンタンカルボン酸クロリド２．０ｇを加え、窒素置換を行った。そこへアセトニトリル３０ｍＬを加え撹拌した。氷浴にて０℃に冷却し、そこへ２，６－ルチジン１．１ｇを滴下した。その後、室温で８時間撹拌した。反応後、水３０ｍＬ、ジクロロメタン５０ｍＬを加え１時間撹拌した。分液にて水層を除去後、有機層をさらに水１０ｍＬで２回洗浄を行い、溶媒を減圧下で留去した。得られた固体を２－プロパノールで再結晶して、下記式（Ｇ－１）で表される、３－（１－アダマンタンカルボニルオキシ）－２－（ペンタフルオロスルファニル）－１－プロペンスルホン酸カリウムを、白色固体として得た（２．２ｇ；収率４８％）。

　反応容器に、トリフェニルスルホニウムクロリド３．０ｇと化合物（Ｇ－１）４．６ｇを加え、さらにジクロロメタン５０ｍＬ、水５０ｍＬを加えた後、１０時間室温下で撹拌した。静置後、分液により水層を除去し、有機層を水５０ｍＬで５回洗浄を行った。有機層を減圧下で濃縮を行い、得られた固体をジクロロメタン－エーテル混合溶媒で再結晶して、下記式（Ｓ－１）で表される、トリフェニルスルホニウム３－（１－アダマンタンカルボニルオキシ）－２－（ペンタフルオロスルファニル）－１－プロペンスルホナートを、白色固体として得た（６．２ｇ；収率９０％）。

　実施例２
　１－アダマンタンカルボン酸クロリド２．０ｇに代えてメタクリル酸クロリド１．０ｇを使用した以外は実施例１と同様に行い、トリフェニルスルホニウム３－メタクリロイルオキシ－２－（ペンタフルオロスルファニル）－１－プロペンスルホナートを、白色固体として得た（５．１ｇ；収率８６％）。

　実施例３
　化合物（Ｆ－３）３．０ｇに代えて化合物（Ｆ－２）３．２ｇを使用した以外は実施例１と同様に行い、トリフェニルスルホニウム１－クロロ－３－（１－アダマンタンカルボニルオキシ）－２－（ペンタフルオロスルファニル）プロパンスルホナートを、白色固体として得た（５．８ｇ；収率８０％）。

　実施例４
　化合物（Ｆ－３）３．０ｇに代えて化合物（Ｆ－２）３．２ｇを、１－アダマンタンカルボン酸クロリド２．０ｇに代えてメタクリル酸クロリド１．０ｇを使用した以外は実施例１と同様に行い、トリフェニルスルホニウム１－クロロ－３－メタクリロイルオキシ－２－（ペンタフルオロスルファニル）プロパンスルホナートを、白色固体として得た（５．１ｇ；収率８１％）。

　実施例５
　化合物（Ｆ－３）３．０ｇに代えて化合物（Ｆ－５）４．８ｇを使用した以外は実施例１と同様に行い、トリフェニルスルホニウム４－（１－アダマンタンカルボニルオキシ）－２－（ペンタフルオロスルファニル）－１－ブテンスルホナートを、白色固体として得た（６．３ｇ；収率９０％）。

　実施例６
　化合物（Ｆ－３）３．０ｇに代えて化合物（Ｆ－４）３．４ｇを、１－アダマンタンカルボン酸クロリド２．０ｇに代えてメタクリル酸クロリド１．０ｇを使用した以外は実施例１と同様に行い、トリフェニルスルホニウム１－クロロ－４－メタクリロイルオキシ－２－（ペンタフルオロスルファニル）ブタンスルホナートを、白色固体として得た（５．１ｇ；収率７９％）。

　実施例７
　化合物（Ｆ－３）３．０ｇに代えて化合物（Ｆ－４）３．４ｇを使用した以外は実施例１と同様に行い、トリフェニルスルホニウム４－（１－アダマンタンカルボニルオキシ）－１－クロロ－２－（ペンタフルオロスルファニル）ブタンスルホナートを、白色固体として得た（６．４ｇ；収率８７％）。

　実施例８
　化合物（Ｆ－３）３．０ｇに代えて化合物（Ｆ－１０）４．２ｇを使用した以外は実施例１と同様に行い、トリフェニルスルホニウム３－（１－アダマンタンカルボニルオキシ）－１－クロロ－２－（４－クロロフェニルテトラフルオロスルファニル）プロパンスルホナートを、白色固体として得た（５．８ｇ；収率７１％）。

　実施例９
　化合物（Ｆ－３）３．０ｇに代えて化合物（Ｆ－１１）４．３ｇを使用した以外は実施例１と同様に行い、トリフェニルスルホニウム４－（１－アダマンタンカルボニルオキシ）－１－クロロ－２－（４－クロロフェニルテトラフルオロスルファニル）ブタンスルホナートを、白色固体として得た（６．３ｇ；収率７６％）。

　実施例１０
　トリフェニルスルホニウムクロリド３．０ｇに代えてビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムクロリド４．３ｇを使用した以外は実施例１と同様に行い、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ヨードニウム３－（１－アダマンタンカルボニルオキシ）－２－（ペンタフルオロスルファニル）－１－プロペンスルホナートを白色固体として得た（７．２ｇ；収率８８％）。

　実施例１１
　化合物（Ｆ－３）３．０ｇに代えて化合物（Ｆ－２）３．２ｇを、トリフェニルスルホニウムクロリド３．０ｇに代えてビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムクロリド４．３ｇを使用した以外は実施例１と同様に行い、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ヨードニウム１－クロロ－３－（１－アダマンタンカルボニルオキシ）－２－（ペンタフルオロスルファニル）プロパンスルホナートを、白色固体として得た（６．９ｇ；収率８１％）。

　実施例１２
　反応容器に、トリフェニルスルホニウムクロリド３．０ｇと化合物（Ｆ－２）３．２ｇを加え、さらにジクロロメタン５０ｍＬ、水５０ｍＬを加えた後、１０時間室温下で撹拌した。静置後、分液により水層を除去し、有機層を水５０ｍＬで５回洗浄を行った。有機層を減圧下で濃縮を行い、得られた固体をジクロロメタン－エーテル混合溶媒で再結晶して、トリフェニルスルホニウム１－クロロ－３－ヒドロキシ－２－ペンタフルオロスルファニルプロパンスルホナートを白色固体として得た（５．０ｇ；収率８９％）。

　実施例１３
　化合物（Ｆ－２）３．２ｇに代えて化合物（Ｆ－４）３．４ｇを使用した以外は実施例１２と同様に行い、トリフェニルスルホニウム１－クロロ－４－ヒドロキシ－２－ペンタフルオロスルファニルプロパンスルホナートを白色固体として得た（５．０ｇ；収率８８％）。

　実施例１４
　化合物（Ｆ－２）３．２ｇに代えて１－クロロ－２－（４－クロロフェニルテトラフルオロスルファニル）エタンスルホン酸ナトリウム３．９ｇを使用した以外は実施例１２と同様に行い、トリフェニルスルホニウム１－クロロ－２－（４－クロロフェニルテトラフルオロスルファニル）エタンスルホナートを白色固体として得た（５．７ｇ；収率８８％）。

　実施例１５
　化合物（Ｆ－２）３．２ｇに代えて１－クロロ－２－（５－ブロモピリジン－２－イルテトラフルオロスルファニル）エタンスルホン酸ナトリウム３．９ｇを使用した以外は実施例１２と同様に行い、トリフェニルスルホニウム１－クロロ－２－（５－ブロモピリジン－２－イルテトラフルオロスルファニル）エタンスルホナートを白色固体として得た（５．０ｇ；収率７５％）。

　実施例１６
　化合物（Ｆ－２）３．２ｇに代えて化合物（Ｆ－６）２．９ｇを使用した以外は実施例１２と同様に行い、トリフェニルスルホニウム１－クロロ－２－ペンタフルオロスルファニルエタンスルホナートを白色固体として得た（４．６ｇ；収率８７％）。

　実施例１７
　化合物（Ｆ－２）３．２ｇに代えて１－ブロモ－２－ペンタフルオロスルファニルエタンスルホン酸ナトリウム３．４ｇを使用した以外は実施例１２と同様に行い、トリフェニルスルホニウム１－ブロモ－２－ペンタフルオロスルファニルエタンスルホナートを白色固体として得た（５．０ｇ；収率８７％）。

　実施例１８
　化合物（Ｆ－２）３．２ｇに代えて化合物（Ｆ－１３）２．４ｇを使用した以外は実施例１２と同様に行い、トリフェニルスルホニウムペンタフルオロスルファニルメタンスルホナートを白色固体として得た（４．４ｇ；収率９１％）。

　実施例１９
　化合物（Ｆ－２）３．２ｇに代えて化合物（Ｆ－７）２．７ｇを使用した以外は実施例１２と同様に行い、トリフェニルスルホニウムペンタフルオロスルファニルメタンスルホナートを白色固体として得た（４．２ｇ；収率８５％）。

　実施例２０
　化合物（Ｆ－２）３．２ｇに代えて化合物（Ｆ－１４）２．６ｇを使用した以外は実施例１２と同様に行い、トリフェニルスルホニウムペンタフルオロスルファニルメタンスルホナートを白色固体として得た（４．５ｇ；収率９０％）。

　実施例２１
　化合物（Ｆ－２）３．２ｇに代えて化合物（Ｆ－９）４．２ｇを使用した以外は実施例１２と同様に行い、トリフェニルスルホニウム１－クロロ－３－ヒドロキシ－２－（４－クロロフェニルテトラフルオロスルファニル）プロパンスルホナートを白色固体として得た（４．３ｇ；収率６６％）。

　実施例２２
　化合物（Ｆ－２）３．２ｇに代えて化合物（Ｆ－８）３．２ｇを使用した以外は実施例１２と同様に行い、トリフェニルスルホニウム２－クロロ－３－ヒドロキシ－１－ペンタフルオロスルファニルプロパンスルホナートを白色固体として得た（４．１ｇ；収率７３％）。

　実施例２３
　化合物（Ｆ－２）３．２ｇに代えて化合物（Ｆ－９）３．４ｇを使用した以外は実施例１２と同様に行い、トリフェニルスルホニウム２－クロロ－４－ヒドロキシ－２－ペンタフルオロスルファニルプロパンスルホナートを白色固体として得た（３．５ｇ；収率６１％）。

　実施例２４
　反応容器に、３－（１－アダマンタンカルボニルオキシ）－２－（ペンタフルオロスルファニル）－１－プロペンスルホニルクロリド４．５ｇとＮ－ヒドロキシフタルイミド１．７ｇを加え、クロロホルム５０ｍＬにて溶解させた。これを０℃に冷却し、撹拌しながらトリエチルアミン１．１ｇをゆっくりと滴下した。その後、昇温し５０℃で８時間撹拌後、この反応液にクロロホルム５０ｍＬ、水５０ｍＬを加え１時間撹拌した。撹拌後、静置して水層を除去し、有機層を減圧除去することで黄色油状物を得た。得られた黄色油状物を、さらにメタノールで再結晶して、Ｎ－［３－（１－アダマンタンカルボニルオキシ）－２－（ペンタフルオロスルファニル）－１－プロペンスルホニルオキシ］フタルイミドを淡黄色固体として得た（３．０ｇ；収率５３％）。

　実施例２５
　３－（１－アダマンタンカルボニルオキシ）－２－（ペンタフルオロスルファニル）－１－プロペンスルホニルクロリド４．５ｇに代えて１－クロロ－２－（４－クロロフェニルテトラフルオロスルファニル）－エタンスルホニルクロリド３．８ｇを使用した以外は実施例２４と同様に行い、Ｎ－［１－クロロ－２－（４－クロロフェニルテトラフルオロスルファニル）エタンスルホニルオキシ］フタルイミドを淡黄色固体として得た（２．２ｇ；収率４４％）。

　実施例２６
　Ｎ－ヒドロキシフタルイミド１．７ｇに代えて、４－メトキシベンゾイルシアニドオキシム１．８ｇを使用した以外は実施例２４と同様に行い、Ｎ－［３－（１－アダマンタンカルボニルオキシ）－２－（ペンタフルオロスルファニル）－１－プロペンスルホニルオキシ］－４－メトキシベンズイミドイルシアニドを淡黄色固体として得た（３．４ｇ；収率５８％）。

　実施例２７
　３－（１－アダマンタンカルボニルオキシ）－２－（ペンタフルオロスルファニル）－１－プロペンスルホニルクロリド４．５ｇに代えて１－クロロ－２－（４－クロロフェニルテトラフルオロスルファニル）－エタンスルホニルクロリド３．８ｇ、Ｎ－ヒドロキシフタルイミド１．７ｇに代えて、４－メトキシベンゾイルシアニドオキシム１．８ｇを使用した以外は実施例２４と同様に行い、Ｎ－［１－クロロ－２－（４－クロロフェニルテトラフルオロスルファニル）－エタンスルホニルオキシ］－４－メトキシベンズイミドイルシアニドを淡黄色固体として得た（２．６ｇ；収率５０％）。

　実施例２８
　反応容器にＮ－メチルヒドロキシルアンモニウム塩酸塩１．３ｇを加え、メタノール１０ｍＬにて溶解させ、０℃で撹拌しながら、水酸化カリウムの１０％メタノール溶液１５ｍＬを滴下して加えた。さらに、８－メトキシクマリン－３－カルボン酸クロリド２．４ｇをＴＨＦ１０ｍＬに溶解させたものを加え、１時間撹拌した。反応液を室温に戻し、さらに１時間撹拌した後、減圧下で反応溶液を留去した。残渣を酢酸エチル２０ｍＬと飽和食塩水２０ｍＬで抽出し、有機層を分離した後、溶媒を留去して、Ｎ－メチル－Ｎ－ヒドロキシ－８－メトキシクマリン－３－カルボニルアミド（＝化合物（Ｇ－２））を白色固体として得た（１．８ｇ；収率７２％）。

　３－（１－アダマンタンカルボニルオキシ）－２－（ペンタフルオロスルファニル）－１－プロペンスルホニルクロリド４．５ｇを３－（１－アダマンタンカルボニルオキシ）－２－（ペンタフルオロスルファニル）－１－クロロプロパンスルホニルクロリド４．８ｇに、Ｎ－ヒドロキシフタルイミド１．７ｇを化合物（Ｇ－２）２．５ｇに変更した以外は実施例２４と同様に行い、Ｎ－メチル－Ｎ－［３－（１－アダマンタンカルボニルオキシ）－２－（ペンタフルオロスルファニル）－１－クロロプロパンスルホニルオキシ］－８－メトキシクマリン－３－カルボニルアミドを淡黄色固体として得た（３．６ｇ；収率５２％）。

　実施例２９
　３－（１－アダマンタンカルボニルオキシ）－２－（ペンタフルオロスルファニル）－１－クロロプロパンスルホニルクロリド４．８ｇを２－｛（５－ブロモピリジン－２－イル）テトラフルオロスルファニル｝－１－クロロエタンスルホニルクロリド４．３ｇに変更した以外は実施例２８と同様に行い、Ｎ－メチル－Ｎ－［２－｛（５－ブロモピリジン－２－イル）テトラフルオロスルファニル｝－１－クロロエタンスルホニルオキシ］－８－メトキシクマリン－３－カルボニルアミドを黄色固体として得た（３．１ｇ；収率４８％）。

　実施例３０～３２
　実施例１に準じた方法にて表に記載の化合物を合成した。

　実施例３３
　反応容器に、トリフェニルスルホニウムクロリド３．０ｇと化合物（Ｇ－３）４．８ｇを加え、さらにジクロロメタン５０ｍＬ、水５０ｍＬを加えた後、１０時間室温下で撹拌した。静置後、分液により水層を除去し、有機層を水５０ｍＬで５回洗浄を行った。有機層を減圧下で濃縮を行い、得られた固体をジクロロメタン－ジイソプロピルエーテル混合溶媒で再結晶して、トリフェニルスルホニウム３－（１－アダマンタンメチルオキシカルボニル）－１－（ペンタフルオロスルファニルメチル）－プロパンスルホナートを、白色固体として得た（５．４ｇ；収率７５％）。

　実施例３４
　化合物（Ｇ－３）４．８ｇに代えて化合物（Ｇ－５）５．３ｇを使用した以外は実施例３３と同様に行い、トリフェニルスルホニウム１－｛４－（１－アダマンタンメチルオキシカルボニル）フェニル｝－２－（ペンタフルオロスルファニル）－エタンスルホナートを、白色固体として得た（６．２ｇ；収率８１％）。

　実施例３５
　化合物（Ｇ－３）４．８ｇに代えて化合物（Ｇ－４）４．５ｇを使用した以外は実施例３３と同様に行い、トリフェニルスルホニウム１－（１－アダマンタンメチルオキシカルボニル）－２－（ペンタフルオロスルファニル）－エタンスルホナートを、白色固体として得た（５．５ｇ；収率８０％）。

　実施例３６
　３－（１－アダマンタンカルボニルオキシ）－２－（ペンタフルオロスルファニル）－１－プロペンスルホニルクロリド４．５ｇに代えて１－（１－アダマンタンメチルオキシカルボニル）－２－（ペンタフルオロスルファニル）－エタンスルホニルクロリド４．４ｇを使用した以外は実施例２４と同様に行い、Ｎ－［１－（１－アダマンタンメチルオキシカルボニル）－２－ペンタフルオロスルファニルエタンスルホニルオキシ］フタルイミドを淡黄色固体として得た（３．３ｇ；収率５８％）。

　実施例３７
　３－（１－アダマンタンカルボニルオキシ）－２－（ペンタフルオロスルファニル）－１－プロペンスルホニルクロリド４．５ｇに代えて３－（１－アダマンタンメチルオキシカルボニル）－１－（ペンタフルオロスルファニルメチル）－プロパンスルホニルクロリド４．７ｇを、Ｎ－ヒドロキシフタルイミド１．７ｇに代えて、４－メトキシベンゾイルシアニドオキシム１．８ｇを使用した以外は実施例２４と同様に行い、Ｎ－［３－（１－アダマンタンメチルオキシカルボニル）－１－（ペンタフルオロスルファニルメチル）－プロパンスルホニルオキシ］フタルイミドを淡黄色固体として得た（３．５ｇ；収率５７％）。

　実施例３８
　３－（１－アダマンタンカルボニルオキシ）－２－（ペンタフルオロスルファニル）－１－プロペンスルホニルクロリド４．５ｇを１－｛４－（１－アダマンタンメチルオキシカルボニル）フェニル｝－２－（ペンタフルオロスルファニル）－エタンスルホニルクロリド５．２ｇに、Ｎ－ヒドロキシフタルイミド１．７ｇを実施例２８で得られた化合物（Ｇ－２）２．５ｇに変更した以外は実施例２４と同様に行い、Ｎ－メチル－Ｎ－［１－｛４－（１－アダマンタンメチルオキシカルボニル）フェニル｝－２－（ペンタフルオロスルファニル）－エタンスルホニルオキシ］－８－メトキシクマリン－３－カルボニルアミドを淡黄色固体として得た（４．５ｇ；収率６１％）。

　実施例３９
　化合物（Ｇ－３）４．８ｇに代えて化合物（Ｇ－６）５．５ｇを使用した以外は実施例３３と同様に行い、トリフェニルスルホニウム３－（１－アダマンタンメチルオキシカルボニル）－１－（４－フルオロフェニルテトラフルオロスルファニルメチル）－プロパンスルホナートを、白色固体として得た（６．１ｇ；収率７７％）。

　実施例４０
　化合物（Ｇ－３）４．８ｇに代えて化合物（Ｇ－７）６．３ｇを使用した以外は実施例３３と同様に行い、トリフェニルスルホニウム３－（１－アダマンタンメチルオキシカルボニル）－１－（ペンタフルオロフェニルテトラフルオロスルファニルメチル）－プロパンスルホナートを、白色固体として得た（６．４ｇ；収率７４％）。

　実施例４１
　化合物（Ｇ－３）４．８ｇに代えて化合物（Ｇ－８）４．４ｇを使用した以外は実施例３３と同様に行い、トリフェニルスルホニウム３－｛２－（メタクリロイルオキシ）エトシカルボニル｝－１－（ペンタフルオロスルファニルメチル）－プロパンスルホナートを、白色固体として得た（４．７ｇ；収率６９％）。

　実施例で得られた化合物又は比較例として表中に記載の化合物を酸発生剤として用いて、下記方法でフォトレジストを調製し、得られたフォトレジストを用いて最適露光量、解像度、及びパターン形状を測定した。

　（フォトレジストの調製）
　調製例１で得られた酸反応性化合物８０重量部に、実施例又は比較例の化合物７．４重量部、トリス［２－（メトキシメトキシ）エチル］アミン１．１重量部、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート８９６重量部、及びシクロヘキサノン３６４重量部を混合して混合物を得、得られた混合物を０．２μｍのテフロン（登録商標）製フィルターで濾過してフォトレジストを調製した。

　（露光・現像）
　シリコン基板上に反射防止膜溶液（日産化学工業（株）製、ＡＲＣ－２９Ａ）を塗布し、２００℃で６０秒間ベークして反射防止膜（７８ｎｍ膜厚）を作製した。
　反射防止膜を備えた基板上に、前記調製により得たフォトレジストをスピンコーティングし、ホットプレートを用いて１２０℃で６０秒間ベークして、１６０ｎｍ膜厚のレジスト膜を作製した。
　得られたレジスト膜に、ＡｒＦエキシマレーザーマイクロステッパー（（株）ニコン製、ＮＳＲ－Ｓ３０７Ｅ、ＮＡ＝０．８５、４／５輪帯照明、Ｃｒマスク）を用いて露光し、１００℃で６０秒間ベークし、その後、２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に６０秒間浸漬して現像を行った。

　（最適露光量、解像度、及びパターン形状評価）
　８０ｎｍのラインアンドスペースを１：１で解像する露光量を最適露光量（Ｅｏｐ、ｍＪ／ｃｍ^２）とし、この露光量において分離しているラインアンドスペースの最小線幅（ｎｍ）を解像度とした。
　また、走査型電子顕微鏡を用いてレジスト断面のパターンの形状を観察した。

　（気相酸性度評価）
　実施例又は比較例の化合物から発生するスルホン酸の気相酸性度ΔＧ（ｋｃａｌ／ｍｏｌ）は、量子化学計算ソフト（Ｇａｕｓｓｉａｎ１６プログラム）を用いてＤＦＴ計算（Ｂ３ＬＹＰ／６－３１１＋Ｇ（ｄ，ｐ））により算出した。

　上記表から、本発明の化合物は、比較例に記載の従来から用いられている酸発生剤と比べて、より高い酸強度を有するスルホン酸を発生することができ、より高解像度のパターンを形成できることが分かる。
　従って、本発明の化合物を使用すれば、高解像度の配線パターンや回路パターンを有する半導体素子を歩留まり良く製造することができることが分かる。

Claims (7)

1. 　下記式（ａ－１）又は（ａ－２）で表されるアニオンと、カチオンとの塩である化合物。
   （式中、Ｒ^１は、水素原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基の２個以上が連結基を介して結合した基を示す。Ｒ^１０はフッ素原子、又は置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、又は置換基を有していても良い芳香族複素環式基を示す。Ｒ^２０は水素原子、又はハロゲン原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基と連結基とが結合した基を有する基を示す。ｎは０又は１を示す）
2. 　下記式（ｂ－１）又は（ｂ－２）で表される化合物。
   （式中、Ｒ^１は、水素原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基の２個以上が連結基を介して結合した基を示す。Ｒ^２、Ｒ^３は同一又は異なって有機基を示す。Ｒ^１０はフッ素原子、又は置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、又は置換基を有していても良い芳香族複素環式基を示す。Ｒ^２０は水素原子、又はハロゲン原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基と連結基とが結合した基を有する基を示す。ｎは０又は１を示す）
3. 　下記式（ｃ－１）又は（ｃ－２）で表される化合物。
   （式中、Ｒ^１は、水素原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基の２個以上が連結基を介して結合した基を示す。Ｒ^４、Ｒ^５は同一又は異なって、置換基を有していても良い炭化水素基を示す。Ｒ^４、Ｒ^５は互いに連結して隣接する炭素原子と共に環を形成していても良い。Ｒ^１０はフッ素原子、又は置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、又は置換基を有していても良い芳香族複素環式基を示す。Ｒ^２０は水素原子、又はハロゲン原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基と連結基とが結合した基を有する基を示す。Ｌは単結合又は連結基を示す。ｎは０又は１を示す）
4. 　下記式（ｄ－１）又は（ｄ－２）で表される化合物。
   （式中、Ｒ^１は、水素原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基の２個以上が連結基を介して結合した基を示す。Ｒ^６、Ｒ^７は同一又は異なって、置換基を有していても良い炭化水素基を示す。Ｒ^１０はフッ素原子、又は置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、又は置換基を有していても良い芳香族複素環式基を示す。Ｒ^２０は水素原子、又はハロゲン原子、又は置換基を有していても良い炭化水素基、又は置換基を有していても良い複素環式基、又は前記基と連結基とが結合した基を有する基を示す。ｎは０又は１を示す）
5. 　請求項１～４の何れか１項に記載の化合物を含む酸発生剤。
6. 　請求項５に記載の酸発生剤と酸反応性化合物を含むフォトレジスト。
7. 　請求項６に記載のフォトレジストを使用したフォトリソグラフィーによりパターン形成を行う工程を含む、電子デバイス又は光デバイスの製造方法。