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WO2025238765A1 - プローブカード - Google Patents

プローブカード

Info

Publication number
WO2025238765A1
WO2025238765A1 PCT/JP2024/018014 JP2024018014W WO2025238765A1 WO 2025238765 A1 WO2025238765 A1 WO 2025238765A1 JP 2024018014 W JP2024018014 W JP 2024018014W WO 2025238765 A1 WO2025238765 A1 WO 2025238765A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
probe
guide plate
conductive
conductive line
guide hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
PCT/JP2024/018014
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
翔大 田中
敬 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Electronic Materials Corp
Original Assignee
Japan Electronic Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Electronic Materials Corp filed Critical Japan Electronic Materials Corp
Priority to PCT/JP2024/018014 priority Critical patent/WO2025238765A1/ja
Publication of WO2025238765A1 publication Critical patent/WO2025238765A1/ja
Pending legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes

Definitions

  • the present invention relates to probe cards, and more particularly to improvements in the arrangement of electronic components on probe cards.
  • a probe card is an inspection device used to test the electrical characteristics of semiconductor integrated circuits formed on a semiconductor wafer. It has a large number of probes mounted on a wiring board, which are each brought into contact with electrode pads on the semiconductor wafer. Testing of semiconductor integrated circuits is carried out by bringing the probes into contact with the electrode pads of the semiconductor integrated circuit formed on the semiconductor wafer, establishing electrical continuity between the semiconductor integrated circuit and an external device.
  • a probe card In order to perform highly reliable electrical testing with a probe card, it is desirable to place electronic components such as resistors as close as possible to the object being tested. For this reason, it is common to mount electronic components on a space transformer (ST) or wiring board, but there are also many known ideas for incorporating the functions of electronic components into the probe itself.
  • ST space transformer
  • a known configuration is a cantilever-type probe card in which a probe with built-in resistor functions is provided (see, for example, Patent Document 1).
  • a vertical-type probe card in which a resistor is provided on a guide plate located closer to the object being tested, and the probe and resistor are connected (see, for example, Patent Documents 2 and 3).
  • the present invention aims to provide a vertical probe card that provides resistor functionality with the required resistance value in the conductive path, instead of installing resistors in the individual probes themselves, at a position closer to the object being tested.
  • a probe card comprising: a vertical probe having a first tip and a second tip opposite the first tip; and a guide plate having a guide hole formed therein through which the probe is inserted, wherein the probe comprises: a first conductive portion including the first tip that contacts a first electrode; a second conductive portion including the second tip that contacts a second electrode; and an insulating portion disposed within the guide hole that is sandwiched between the first conductive portion and the second conductive portion and electrically insulates the first conductive portion from the second conductive portion; the guide plate comprises a conductive line extending from a first end disposed at an upper portion on the inner wall of the guide hole, via a first main surface and a second main surface of the guide plate, to a second end disposed at a lower portion on the inner wall of the guide hole and spaced apart from the first end; a resistor having a predetermined resistance value inserted in the conductive line; and the first conductive portion of the probe is electrically
  • the present invention allows the conductive lines to function as resistors with the required resistance value, instead of installing resistors on the individual probes themselves, at a position closer to the object being tested.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the overall configuration of a probe card according to an embodiment of the present invention.
  • 2 is a cross-sectional view showing the structure of a probe and a guide plate of the probe card according to the first embodiment.
  • FIG. FIG. 3 is a view of the probe and guide plate of FIG. 2 as seen from above. 3 is a view of the probe and guide plate of FIG. 2 as seen from below.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing the structure of a probe and a guide plate of a probe card according to a second embodiment.
  • FIG. FIG. 10 is a cross-sectional view showing the structure of a probe and a guide plate of a probe card according to a third embodiment.
  • FIG. 7 is a view of the probe and guide plate of FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of a conductive line according to a first modified example.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of a conductive line according to a second modified example.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of a conductive line according to a third modified example.
  • Fig. 1 is a cross-sectional view showing the overall configuration of a probe card according to one embodiment of the present invention.
  • the probe card 100 is a device used in the inspection process of semiconductor integrated circuits, and includes, as its main components, a main substrate 10, a reinforcing plate 11, an ST (space transformer) substrate 12, probes 13, and probe guides 14.
  • Fig. 1 shows a cross section of the probe card 100, which is arranged horizontally with the probes 13 on the lower side, cut vertically.
  • the main board 10 is a wiring board, such as a disk-shaped printed circuit board, that can be detachably attached to a probe device (not shown), and is provided with a large number of external electrodes T1.
  • the external electrodes T1 are input/output terminals for inputting and outputting signals to and from a tester device (not shown), and are located on the periphery of the main board 10.
  • the reinforcing plate 11 is a reinforcing member that prevents deformation of the main board 10. It is made of a material with higher rigidity than the main board 10 and is attached to the top surface of the main board 10. For example, a flat metal block made of stainless steel can be used as the reinforcing plate 11.
  • the ST board 12 is a wiring board used to convert the wiring pitch, and is attached to the underside of the main board 10 so as to be parallel to the main board 10.
  • the ST board 12 is also positioned inside the external electrodes T1 of the main board 10, and a large number of probe electrodes T2 corresponding to the probes 13 are formed on the underside of the ST board 12, with each probe electrode T2 being electrically connected to its corresponding external electrode T1.
  • the probe electrodes T2 have a narrower pitch than the external electrodes T1, and by interposing the ST board 12, the probes 13 can be arranged at a narrower pitch. If the ST board 12 is omitted, the probe electrodes T2 are formed on the underside of the main board 10.
  • Probes 13 are probes that come into contact with microelectrodes on the object under test (not shown), and are vertical probes that have a roughly linear shape and are installed roughly vertically on ST board 12. Each probe 13 is aligned and positioned to correspond to the electrode pads of the semiconductor integrated circuit (not shown), which is the object under test.
  • the probe guide 14 is a support member for the probe 13 that guides the probe 13 and positions it in a plane parallel to the main board 10.
  • the probe guide 14 is composed of two guide plates 20 that support the probe 13, and a guide plate mounting portion 21 that secures these guide plates 20.
  • the guide plate mounting portion 21 positions the guide plate 20 so that it is parallel to the main board 10, at a position separated from the main board 10 and ST board 12.
  • the guide plate 20 arranged closer to the main board 10 (hereinafter sometimes referred to as the "upper guide plate 20") supports the needle base portion 131 of the probe 13, and the guide plate 20 arranged farther from the main board 10 (hereinafter sometimes referred to as the “lower guide plate 20”) supports the needle tip portion 133 of the probe 13, with the elastic deformation portion 132 of the probe 13 being positioned between these guide plates 20.
  • the guide plate 20 is composed of a flat ceramic plate with a large number of guide holes 23 formed in it.
  • the ceramic plate can have any shape, such as a circle or a rectangle.
  • the guide holes 23 are through-holes in the guide plate 20 for inserting the probes 13, and are formed in the thickness direction of the ceramic plate, i.e., the vertical direction.
  • the guide holes 23 are slightly larger than the probes 13, and support the probes 13 so that they can move in the insertion direction.
  • the corresponding guide holes 23 of the two guide plates 20 are positioned at different positions in a plane. Due to this offset arrangement of the guide holes 23, stresses are applied to the probes 13 in opposite directions in the planar direction of the guide plates 20 in the guide holes 23 of the upper and lower guide plates 20, causing the elastic deformation portions 132 to gently curve. Furthermore, during testing, an overdrive process causes the elastic deformation portions 132 to further buckle and deform, and the probes 13 are pressed against the inner wall surfaces of the guide holes 23 to which stress is applied, causing them to slide, ensuring that all probes 13 are electrically connected to the microelectrodes of the test object (not shown).
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the structure of the probe and guide plate of the probe card according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a view of the probe and guide plate of FIG. 2 as seen from above.
  • FIG. 4 is a view of the probe and guide plate of FIG. 2 as seen from below.
  • the probe 13 is composed of three parts in the axial direction: a first conductive portion 13a, an insulating portion 13b, and a second conductive portion 13c.
  • the first conductive portion 13a roughly corresponds to the base portion 131 shown in FIG. 1, and its tip 13d contacts the probe electrode T2.
  • the second conductive portion 13c roughly corresponds to the elastic deformation portion 132 and tip portion 133 shown in FIG.
  • the first conductive portion 13a and the second conductive portion 13c are made of a metal material such as tungsten (W), rhenium (Re), Os (osmium), iridium (Ir), platinum (Pt), ruthenium (Ru), rhodium (Rh), palladium (Pd), a platinum-rhodium alloy, or a rhenium-tungsten alloy.
  • the probe card 100 is equipped with multiple probes 13, but for convenience, only one probe 13 is shown here.
  • Insulating portion 13b is sandwiched between first conductive portion 13a and second conductive portion 13c, and electrically insulates first conductive portion 13a from second conductive portion 13c. That is, tip 13d and tip 13e are not electrically connected to each other within probe 13 alone.
  • insulating portion 13b is joined to first conductive portion 13a and second conductive portion 13c to form one probe 13 , it can be formed from a material such as alumina ( Al2O3 ) or silicon nitride ( Si3N4 ) in consideration of adhesiveness to first conductive portion 13a and second conductive portion 13c and electrical insulation performance.
  • a through hole 24 is formed in the upper guide plate 20 at a position spaced apart from the guide hole 23.
  • the through hole 24 is formed in the thickness direction of the ceramic plate that constitutes the guide plate 20, and penetrates from the main surface 20a of the guide plate 20 to the opposite main surface 20b.
  • the upper guide plate 20 is equipped with a conductive line 30 that extends from a first end 30a located at the top of the inner wall of the guide hole 23, via the main surface 20a, the through hole 24, and the main surface 20b, to a second end 30b located at the bottom of the inner wall of the guide hole 23.
  • the conductive line 30 is made of a conductive film formed on the guide plate 20.
  • a resistor 31 is inserted into the conductive line 30.
  • the resistor 31 is made of a thin-film resistor formed on the main surface 20a of the guide plate 20.
  • Thin-film resistors are made of metal materials such as nickel-chromium (Ni-Cr) alloy and tantalum nitride (TaN) alloy.
  • the resistor 31 serves as a protective resistor that makes it difficult for current to flow through the semiconductor integrated circuit (not shown) being inspected, and its resistance value is preferably around 200 to 500 ⁇ .
  • the conductive line 30 is formed on the entire inner wall of the through hole 24, this is due to the process of forming a conductive film on the guide plate 20, and it is not necessary to form the conductive line 30 on the entire inner wall of the through hole 24. It is sufficient that the conductive line 30 is formed so as to connect the first end 30a and the second end 30b to each other via the through hole 24.
  • the first conductive portion 13a may be in advance in contact with the first end 30a of the conductive line 30 to establish electrical continuity
  • the second conductive portion 13c may be in contact with the second end 30b of the conductive line 30 to establish electrical continuity.
  • the conductive line can be given the function of a resistor with the required resistance value. This allows testing to be performed by applying individual signals to each probe 13.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the structure of the probe and guide plate of the probe card according to the second embodiment.
  • the probe 13 is composed of three parts, arranged in the axial direction: a first conductive portion 13a, an insulating portion 13b, and a second conductive portion 13c.
  • the first conductive portion 13a generally corresponds to the base portion 131 and the elastically deformable portion 132 shown in FIG. 1, and its tip 13d contacts the probe electrode T2.
  • the second conductive portion 13c generally corresponds to the tip portion 133 shown in FIG. 1, and its tip 13e contacts the microelectrode T3 on the test object.
  • the first conductive portion 13a and the second conductive portion 13c are made of a metal material such as tungsten (W), rhenium (Re), Os (osmium), iridium (Ir), platinum (Pt), ruthenium (Ru), rhodium (Rh), palladium (Pd), a platinum-rhodium alloy, or a rhenium-tungsten alloy.
  • the probe card 100 is equipped with multiple probes 13, but for convenience, only one probe 13 is shown here.
  • Insulating portion 13b is sandwiched between first conductive portion 13a and second conductive portion 13c, and electrically insulates first conductive portion 13a from second conductive portion 13c. That is, tip 13d and tip 13e are not electrically connected to each other within probe 13 alone.
  • insulating portion 13b is joined to first conductive portion 13a and second conductive portion 13c to form one probe 13 , it can be formed from a material such as alumina ( Al2O3 ) or silicon nitride ( Si3N4 ) in consideration of adhesiveness to first conductive portion 13a and second conductive portion 13c and electrical insulation performance.
  • a through hole 24 is formed in the lower guide plate 20 at a position spaced apart from the guide hole 23.
  • the through hole 24 is formed in the thickness direction of the ceramic plate that constitutes the guide plate 20, and penetrates from the main surface 20a of the guide plate 20 to the opposite main surface 20b.
  • the lower guide plate 20 is equipped with a conductive line 30 that extends from a first end 30a located at the top of the inner wall of the guide hole 23, via the main surface 20a, the through hole 24, and the main surface 20b, to a second end 30b located at the bottom of the inner wall of the guide hole 23.
  • the conductive line 30 is made of a conductive film formed on the guide plate 20.
  • a resistor 31 is inserted into the conductive line 30.
  • the resistor 31 is made of a thin-film resistor formed on the main surface 20a of the guide plate 20.
  • Thin-film resistors are made of metal materials such as nickel-chromium (Ni-Cr) alloy and tantalum nitride (TaN) alloy.
  • the resistor 31 serves as a protective resistor that makes it difficult for current to flow through the semiconductor integrated circuit (not shown) being inspected, and its resistance value is preferably around 200 to 500 ⁇ .
  • the conductive line 30 is formed on the entire inner wall of the through hole 24, this is due to the process of forming a conductive film on the guide plate 20, and it is not necessary to form the conductive line 30 on the entire inner wall of the through hole 24. It is sufficient that the conductive line 30 is formed so as to connect the first end 30a and the second end 30b to each other via the through hole 24.
  • the first conductive portion 13a may be in advance in contact with the first end 30a of the conductive line 30 to establish electrical continuity
  • the second conductive portion 13c may be in contact with the second end 30b of the conductive line 30 to establish electrical continuity.
  • the conductive line can be given the function of a resistor with the required resistance value. This makes it possible to apply individual signals to each probe 13 for testing.
  • the resistor can be placed closer to the object being tested than in the first embodiment, thereby further improving electrical characteristics.
  • Fig. 6 is a cross-sectional view showing the structure of the probe and guide plate of the probe card according to the third embodiment.
  • Fig. 7 is a view of the probe and guide plate of Fig. 6 seen from above.
  • Fig. 8 is a view of the probe and guide plate of Fig. 6 seen from below.
  • the probe card 100 according to the third embodiment is obtained by adding a probe 15 and a conductive line 40 to the probe card 100 according to the second embodiment.
  • a repetition of the matters explained in the second embodiment will be omitted, and differences from the second embodiment will be mainly explained.
  • Probe 15 is positioned adjacent to probe 13. More specifically, probe 15 is inserted through a guide hole 23 in the lower guide plate 20 that does not have a conductive line 30, and a corresponding guide hole 23 in the upper guide plate 20. Unlike a signal probe that conducts a test signal like probe 13, probe 15 is a ground probe that applies ground potential. Therefore, as shown in Figure 6, when probe 15 comes into contact with probe electrode T4 and microelectrode T5 on the object under test, these electrodes are at ground potential.
  • the probe card 100 is equipped with multiple probes 13, 15, but for convenience, only one probe 13, 15 is shown here.
  • the upper guide plate 20 has a conductive line 40 that extends from the inner wall of one adjacent guide hole 23 via the main surface 20a to the inner wall of the other guide hole 23.
  • the conductive line 40 is made of a conductive film formed on the guide plate 20.
  • a resistor 41 is inserted into the conductive line 40.
  • the resistor 41 is made of a thin-film resistor formed on the main surface 20a of the guide plate 20.
  • Metal materials such as nickel-chromium (Ni-Cr) alloy and tantalum nitride (TaN) alloy are used for thin-film resistors.
  • the resistor 41 serves as a termination resistor for the probe 13, which serves as a signal probe. Therefore, it is preferable that the resistance value of the resistor 41 be matched to the characteristic impedance of the line.
  • tips 13d and 13e of probe 13 come into contact with electrodes T2 and T3, respectively, and probe 13 is pressed in, causing probe 13 to buckle and deform, and conductive portion 13a of probe 13 is pressed against the inner wall surface of guide hole 23 in upper guide plate 20, where stress is applied, and slides.
  • Probe 15 also comes into contact with electrodes T4 and T5 and is pressed in, causing probe 15 to buckle and deform, and probe 15 is pressed against the inner wall surface of guide hole 23 in upper guide plate 20, where stress is applied, and slides. This establishes electrical continuity between probe 13 and probe 15 via conductive line 40. In other words, probe 13 is grounded via resistor 41, which serves as a termination resistor.
  • first conductive portion 13a and the second conductive portion 13c may be configured to abut against the conductive line 30 in advance, before the probe 13 is overdriven and not buckled.
  • the third embodiment instead of installing a resistor in the probe 13 itself, it is possible to provide the conductive line with the function of a resistor with the required resistance value, and by adding a termination resistor to the probe 13, it is possible to prevent unnecessary reflection of the signal flowing through the probe 13.
  • FIG. 9 illustrates an example of a conductive line forming process.
  • a laser L is used to drill holes in the guide plate 20, forming guide holes 23 and through holes 24.
  • pattern plating is used to form a conductive film 30c, which is part of the conductive line 30, in the guide holes 23 and through holes 24.
  • the larger the aspect ratio defined as the depth relative to the diameter of the hole, the less likely the plating film will wrap around the hole's inner wall.
  • the guide hole 23 has a larger aspect ratio than the through hole 24.
  • the plating film is formed only on the upper part of the inner wall of the guide hole 23, whereas the plating film wraps deeper into the through hole 24.
  • the plating film formed on the upper part of the inner wall of the guide hole 23 becomes the second end 30b of the conductive line 30. Since the second end 30b of the conductive line 30 is the portion with which the probe 13 abuts and slides, it is preferable to plate it with a highly wear-resistant film such as rhodium (Rh) in this step.
  • a conductive film 30d which is part of the conductive line 30, is formed on the guide plate 20 by pattern plating.
  • the conductive film 30d is preferably formed from a copper (Cu) film or other material with excellent conductivity.
  • the guide plate 20 is turned over, and a conductive film 30e, which is part of the conductive line 30, is formed in the guide hole 23 and through hole 24 by pattern plating.
  • a conductive film 30f which is also part of the conductive line 30, is then formed on the guide plate 20 by pattern plating.
  • the conductive film 30f is formed by separating the conductive film 30f, leaving an area in advance where the thin-film resistor 31 will be inserted.
  • the first end 30a is formed on the inner wall of the guide hole 23 at a position opposite the second end 30b.
  • the conductive films 30c and 30e are connected in the through hole 24 to form a continuous line.
  • the conductive film 30e be formed from a rhodium (Rh) film or the like, which has excellent wear resistance
  • the conductive film 30f be formed from a copper (Cu) film or the like, which has excellent conductivity.
  • a thin-film resistor 31 is formed on the guide plate 20 by sputtering. This forms a conductive line 30 on the guide plate 20.
  • the resistor 31 may be formed by a process such as plating or vapor deposition.
  • the above process can also be applied to forming the conductive line 40.
  • the resistor 41 inserted into the conductive line 40 is also formed from a thin-film resistor.
  • Chip resistors can also be used for resistor 31 or resistor 41, but chip resistors can result in problems due to poor soldering.
  • resistor 31 or resistor 41 is placed on the main surface 20a of the upper guide plate 20
  • chip resistors require a sufficiently large gap between the main surface 20a of the guide plate 20 and the ST board to ensure the component installation height, and resistor 31 or resistor 41 may get in the way when inserting probes 13 and 15.
  • resistor 31 or resistor 41 from a thin-film resistor, the gap between the main surface 20a of the guide plate 20 and the ST board 12 can be narrowed, and resistor 31 or resistor 41 does not get in the way when inserting probes 13 and 15.
  • the conductive line 30 can be modified as follows.
  • a resistor 31 may be formed on the main surface 20b of the guide plate 20.
  • a resistor 31 may be formed on the inner wall of a through hole 24.
  • a through hole 24 may not be formed in the guide plate 20, and a portion of the conductive line 30 may be disposed inside the guide plate 20 in the thickness direction.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

プローブカード(100)は、第１先端(13d)および第２先端(13e)を有する垂直型のプローブ(13)と、プローブ(13)が挿通されるガイド孔(23)が形成されたガイド板(20)とを備え、プローブ(13)は、第１電極(T2)に接触する第１先端(13d)を含む第１導電部(13a)と、第２電極(T3)に接触する第２先端(13e)を含む第２導電部(13c)と、第１導電部(13a)と第２導電部(13c)とに挟まれ、これらの間を電気的に絶縁する，ガイド孔(23)内に配置された絶縁部(13b)とを備え、ガイド板(20)は、ガイド孔(23)の内壁上の上部に配置された第１端部(30a)からガイド板(20)の第１主面(20a)および第２主面(20b)を経由してガイド孔(20)の内壁上の下部に配置されるとともに第１端部(30a)と離間された第２端部(30b)へと延設された導電線路(30)を備え、導電線路(30)に所定の抵抗値の抵抗体(31)が挿入されており、プローブ(13)の第１導電部(13a)が導電線路(30)の第１端部(30a)に電気的に接続されるとともにプローブ(13)の第２導電部(13c)が導電線路(30)の第２端部(30b)に電気的に接続されるように構成されている。

Description

プローブカード
　本発明は、プローブカードに関し、特に、プローブカードにおける電子部品の配置の改良に関する。
　プローブカードは、半導体ウエハ上に形成された半導体集積回路の電気的特性を検査する際に使用される検査装置であり、半導体ウエハ上の電極パッドにそれぞれ接触させる多数のプローブが配線基板上に設けられている。半導体集積回路の検査は、プローブを半導体ウエハ上に形成された半導体集積回路の電極パッドに接触させ、半導体集積回路と外部装置とを導通させることにより行われる。
　プローブカードでは、信頼性の高い電気的検査を実施するためには、抵抗体などの電子部品は被検査対象物により近づけることが望ましい。そのため、ＳＴ（スペーストランスフォーマ）や配線基板上に電子部品を搭載することが一般的であるが、電子部品の機能をプローブ自体に持たせるアイデアも多数知られている。例えば、カンチレバー型プローブカードにおいて、抵抗体の機能を内蔵したプローブを設ける構成が知られている（例えば、特許文献１を参照）。また、垂直型プローブカードにおいて、被検査対象物により近い位置にあるガイド板上に抵抗体を備え、プローブと抵抗体とを接続する構成が知られている（例えば、特許文献２、３を参照）。
　垂直型プローブはカンチレバー型プローブに比べて非常に細いため、カンチレバー型プローブのようにプローブ自体に必要な抵抗値の抵抗体の機能を持たせることが難しい。このため、上述の垂直型プローブカードでは、プローブと抵抗体との接続に少なくとも２本以上のプローブを介する導電経路を設ける必要がある。このような導電経路を介して互いに接続されたプローブは例えばループバック試験で使用されるが、各プローブに個別の信号を印加して検査を行うことができない。
特開２００９－１５０８０１号公報 特開２０１８－８４４４９号公報 国際公開第２０１９／０７９５９５号
　上記問題に鑑み、本発明は、被検査対象物により近い位置で個別のプローブ自体への抵抗体の設置に代えて導電経路に必要な抵抗値の抵抗体の機能を持たせた垂直型プローブカードを提供することを目的とする。
　本発明の一局面によると、第１先端および前記第１先端とは反対側の第２先端を有する垂直型のプローブと、前記プローブが挿通されるガイド孔が形成されたガイド板と、を備えたプローブカードであって、前記プローブは、第１電極に接触する前記第１先端を含む第１導電部と、第２電極に接触する前記第２先端を含む第２導電部と、前記第１導電部と前記第２導電部とに挟まれ、前記第１導電部と前記第２導電部との間を電気的に絶縁する，前記ガイド孔内に配置された絶縁部と、を備え、前記ガイド板は、前記ガイド孔の内壁上の上部に配置された第１端部から前記ガイド板の第１主面および第２主面を経由して前記ガイド孔の内壁上の下部に配置されるとともに前記第１端部と離間された第２端部へと延設された導電線路を備え、前記導電線路に所定の抵抗値の抵抗体が挿入されており、前記プローブの前記第１導電部が前記導電線路の前記第１端部に電気的に接続されるとともに前記プローブの前記第２導電部が前記導電線路の前記第２端部に電気的に接続されるように構成されていることを特徴とするプローブカードが提供される。
　本発明によると、垂直型プローブカードにおいて、被検査対象物により近い位置で個別のプローブ自体への抵抗体の設置に代えて導電線路に必要な抵抗値の抵抗体の機能を持たせることができる。
本発明の一実施形態に係るプローブカードの全体構成を示す断面図である。 第１の実施形態に係るプローブカードのプローブおよびガイド板の構造を示す断面図である。 図２のプローブおよびガイド板を上方から見た図である。 図２のプローブおよびガイド板を下方から見た図である。 第２の実施形態に係るプローブカードのプローブおよびガイド板の構造を示す断面図である。 第３の実施形態に係るプローブカードのプローブおよびガイド板の構造を示す断面図である。 図６のプローブおよびガイド板を上方から見た図である。 図６のプローブおよびガイド板を下方から見た図である。 一例に係る導電線路の形成プロセスを示す図である。 第１の変形例に係る導電線路の断面図である。 第２の変形例に係る導電線路の断面図である。 第３の変形例に係る導電線路の断面図である。
　以下、適宜図面を参照しながら、本発明の実施の形態を詳細に説明する。ただし、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。なお、発明者は、当業者が本発明を十分に理解するために添付図面および以下の説明を提供するのであって、これらによって特許請求の範囲に記載の主題を限定することを意図するものではない。また、図面に描かれた各部材の寸法、細部の詳細形状などは実際のものとは異なることがある。
　≪実施形態に係るプローブカードの全体構成≫
　図１は、本発明の一実施形態に係るプローブカードの全体構成を示す断面図である。プローブカード１００は、半導体集積回路の検査工程で用いられる装置であり、主たる構成部材としてメイン基板１０、補強板１１、ＳＴ（スペーストランスフォーマ）基板１２、プローブ１３およびプローブガイド１４を備えている。図１には、プローブ１３が下側になるように水平方向に配置されたプローブカード１００を鉛直面で切断したときの断面が示されている。
　メイン基板１０は、図略のプローブ装置に着脱可能に取り付けられる配線基板、例えば、円盤形状のプリント回路基板であり、多数の外部電極Ｔ１が設けられている。外部電極Ｔ１は、図略のテスター装置との間で信号の入出力を行うための入出力端子であり、メイン基板１０の周縁部に配置されている。
　補強板１１は、メイン基板１０の変形を防止するための補強部材であり、メイン基板１０よりも高剛性の材料からなり、メイン基板１０の上面に取り付けられている。例えば、ステンレス鋼からなる平板形状の金属ブロックを補強板１１として用いることができる。
　ＳＴ基板１２は、配線ピッチを変換するための配線基板であり、メイン基板１０の下面にメイン基板１０と平行になるように取り付けられる。また、ＳＴ基板１２は、メイン基板１０の外部電極Ｔ１よりも内側に配置され、ＳＴ基板１２の下面には、プローブ１３に対応する多数のプローブ電極Ｔ２が形成され、各プローブ電極Ｔ２は、対応する外部電極Ｔ１とそれぞれ導通している。つまり、プローブ電極Ｔ２は、外部電極Ｔ１よりもピッチが狭く、ＳＴ基板１２を介在させることにより、プローブ１３を狭ピッチで配設することができる。なお、ＳＴ基板１２を省略する場合には、メイン基板１０の下面にプローブ電極Ｔ２が形成される。
　プローブ１３は、図略の被検査対象物上の微小電極に接触させるプローブであり、略直線の形状を有し、ＳＴ基板１２上に略垂直に立設される垂直型プローブである。各プローブ１３は、被検査対象物である図略の半導体集積回路の電極パッドに対応づけて整列配置されている。
　プローブガイド１４は、プローブ１３をガイドし、メイン基板１０と平行な平面内における位置決めを行うプローブ１３の支持部材である。プローブガイド１４は、プローブ１３を支持する２枚のガイド板２０と、これらガイド板２０を固定するガイド板取付部２１とにより構成される。ガイド板２０は、ガイド板取付部２１により、メイン基板１０およびＳＴ基板１２から離間した位置において、メイン基板１０と平行となるように配置される。
　メイン基板１０に近い側に配設されるガイド板２０（以下で「上部のガイド板２０」と呼ぶことがある。）は、プローブ１３の針元部１３１を支持し、メイン基板１０から遠い側に配設されるガイド板２０（以下で「下部のガイド板２０」と呼ぶことがある。）は、プローブ１３の針先部１３３を支持し、これらガイド板２０の間に、プローブ１３の弾性変形部１３２が配置されている。
　ガイド板２０は、多数のガイド孔２３が形成された平板形状のセラミック板により構成される。セラミック板は、円形または矩形などの任意の外形を有する。ガイド孔２３は、プローブ１３を挿通するためのガイド板２０の貫通孔であり、セラミック板の厚さ方向、すなわち、鉛直方向に形成されている。ガイド孔２３は、プローブ１３よりも一回り大きくなっており、プローブ１３を挿通方向に移動可能に支持する。
　２枚のガイド板２０の互いに対応するガイド孔２３は、平面内の位置を異ならせて配置されている。このようなガイド孔２３のオフセット配置により、上下のガイド板２０のガイド孔２３においてプローブ１３にガイド板２０の平面方向に互いに逆向きの応力が加わり弾性変形部１３２が緩やかに湾曲する形状になっている。さらに検査時には、オーバードライブ処理によって、弾性変形部１３２がさらに座屈変形するとともにプローブ１３がガイド孔２３において応力が加わる内壁面に押し付けられて摺動し、図略の被検査対象物の微小電極に対し、すべてのプローブ１３を確実に導通させることができる。
　≪第１の実施形態≫
　図２は、第１の実施形態に係るプローブカードのプローブおよびガイド板の構造を示す断面図である。図３は、図２のプローブおよびガイド板を上方から見た図である。図４は、図２のプローブおよびガイド板を下方から見た図である。プローブ１３は、軸方向に、第１導電部１３ａ、絶縁部１３ｂおよび第２導電部１３ｃの順に３つのパーツで構成される。第１導電部１３ａは、図１に示した針元部１３１に概ね該当し、その先端１３ｄはプローブ電極Ｔ２に接触する。第２導電部１３ｃは、図１に示した弾性変形部１３２および針先部１３３に概ね該当し、その先端１３ｅは被検査対象物上の微小電極Ｔ３に接触する。第１導電部１３ａおよび第２導電部１３ｃは、例えば、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、Ｏｓ（オスミニウム）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金－ロジウム合金、レニウム－タングステン合金などの金属材料でできている。
　なお、実際にはプローブカード１００は複数のプローブ１３を備えているが、ここでは便宜のため一つのプローブ１３を例示している。
　絶縁部１３ｂは、第１導電部１３ａと第２導電部１３ｃとに挟まれ、第１導電部１３ａと第２導電部１３ｃとの間を電気的に絶縁する。すなわち、プローブ１３単体において先端１３ｄと先端１３ｅとは導通しないようになっている。なお、絶縁部１３ｂは第１導電部１３ａおよび第２導電部１３ｃと接合して一つのプローブ１３を構成するものであるから、第１導電部１３ａおよび第２導電部１３ｃとの接着性や電気絶縁性能などを考慮して、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やシリコンナイトライド（Ｓｉ３Ｎ４）などの材料で形成することができる。
　上部のガイド板２０において、ガイド孔２３から離間した位置に貫通孔２４が形成されている。貫通孔２４は、ガイド板２０を構成するセラミック板の厚さ方向に形成され、ガイド板２０の主面２０ａから反対側の主面２０ｂへと貫通している。そして、上部のガイド板２０は、ガイド孔２３の内壁上の上部に配置された第１端部３０ａから主面２０ａ、貫通孔２４、主面２０ｂを経由してガイド孔２３の内壁上の下部に配置された第２端部３０ｂへと延設された導電線路３０を備えている。例えば、導電線路３０は、ガイド板２０に形成される導電膜でできている。
　さらに、導電線路３０に抵抗体３１が挿入されている。例えば、抵抗体３１は、ガイド板２０の主面２０ａに形成される薄膜抵抗でできている。薄膜抵抗には、例えばニッケル・クロム（Ｎｉ－Ｃｒ）合金、窒化タンタル（ＴａＮ）合金などの金属材料が用いられる。抵抗体３１は、検査対象の図略の半導体集積回路に電流を流しにくくするための保護抵抗としての役割を果たすものであり、好ましくはその抵抗値は２００～５００Ω程度である。
　なお、貫通孔２４の内壁全体に導電線路３０が形成されているが、これはガイド板２０に導電膜を形成するプロセスによるものであり、貫通孔２４の内壁全体に導電線路３０を形成することは必須ではない。貫通孔２４を介して、第１端部３０ａと第２端部３０ｂとを互いに接続するように導電線路３０が形成されていればよい。
　オーバードライブ時において、図２に示したようにプローブ１３の先端１３ｄ、１３ｅが電極Ｔ２、Ｔ３にそれぞれ接触してプローブ１３が押し込まれることで、プローブ１３が座屈変形するとともにプローブ１３がガイド孔２３において応力が加わる内壁面に押し付けられて摺動する。ここで、プローブ１３の絶縁部１３ｂの軸方向の厚みは上部のガイド板２０の厚みよりも小さく、さらにオーバードライブ時は、絶縁部１３ｂは上部のガイド板２０のガイド孔２３内に位置するようになっている。したがって、オーバードライブ時は、プローブ１３の第１導電部１３ａが導電線路３０の端部３０ａに当接して摺動するとともに第２導電部１３ｃが導電線路３０の第２端部３０ｂに当接して摺動し、図２中の矢印で示したように電極Ｔ２側から電極Ｔ３側へ導電線路３０を経由して電流Ｃが流れる。
　なお、オーバードライブ前のプローブ１３が座屈変形していない状態において、あらかじめ第１導電部１３ａが導電線路３０の第１端部３０ａに当接し導通するとともに第２導電部１３ｃが導電線路３０の第２端部３０ｂに当接し導通する構成としてもよい。
　このように第１の実施形態によると、プローブ１３自体への抵抗体の設置に代えて導電線路に必要な抵抗値の抵抗体の機能を持たせることができる。これにより、各プローブ１３に個別の信号を印加して検査を行うことができる。
　≪第２の実施形態≫
　図５は、第２の実施形態に係るプローブカードのプローブおよびガイド板の構造を示す断面図である。プローブ１３は、軸方向に、第１導電部１３ａ、絶縁部１３ｂおよび第２導電部１３ｃの順に３つのパーツで構成される。本実施形態における第１導電部１３ａは、図１に示した針元部１３１および弾性変形部１３２に概ね該当し、その先端１３ｄはプローブ電極Ｔ２に接触する。第２導電部１３ｃは、図１に示した針先部１３３に概ね該当し、その先端１３ｅは被検査対象物上の微小電極Ｔ３に接触する。第１導電部１３ａおよび第２導電部１３ｃは、例えば、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、Ｏｓ（オスミニウム）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金－ロジウム合金、レニウム－タングステン合金などの金属材料でできている。
　なお、実際にはプローブカード１００は複数のプローブ１３を備えているが、ここでは便宜のため一つのプローブ１３を例示している。
　絶縁部１３ｂは、第１導電部１３ａと第２導電部１３ｃとに挟まれ、第１導電部１３ａと第２導電部１３ｃとの間を電気的に絶縁する。すなわち、プローブ１３単体において先端１３ｄと先端１３ｅとは導通しないようになっている。なお、絶縁部１３ｂは第１導電部１３ａおよび第２導電部１３ｃと接合して一つのプローブ１３を構成するものであるから、第１導電部１３ａおよび第２導電部１３ｃとの接着性や電気絶縁性能などを考慮して、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やシリコンナイトライド（Ｓｉ３Ｎ４）などの材料で形成することができる。
　下部のガイド板２０において、ガイド孔２３から離間した位置に貫通孔２４が形成されている。貫通孔２４は、ガイド板２０を構成するセラミック板の厚さ方向に形成され、ガイド板２０の主面２０ａから反対側の主面２０ｂへと貫通している。そして、下部のガイド板２０は、ガイド孔２３の内壁上の上部に配置された第１端部３０ａから主面２０ａ、貫通孔２４、主面２０ｂを経由してガイド孔２３の内壁上の下部に配置された第２端部３０ｂへと延設された導電線路３０を備えている。例えば、導電線路３０は、ガイド板２０に形成される導電膜でできている。
　さらに、導電線路３０に抵抗体３１が挿入されている。例えば、抵抗体３１は、ガイド板２０の主面２０ａに形成される薄膜抵抗でできている。薄膜抵抗には、例えばニッケル・クロム（Ｎｉ―Ｃｒ）合金、窒化タンタル（ＴａＮ）合金などの金属材料が用いられる。抵抗体３１は、検査対象の図略の半導体集積回路に電流を流しにくくするための保護抵抗としての役割を果たすものであり、好ましくはその抵抗値は２００～５００Ω程度である。
　なお、貫通孔２４の内壁全体に導電線路３０が形成されているが、これはガイド板２０に導電膜を形成するプロセスによるものであり、貫通孔２４の内壁全体に導電線路３０を形成することは必須ではない。貫通孔２４を介して、第１端部３０ａと第２端部３０ｂとを互いに接続するように導電線路３０が形成されていればよい。
　オーバードライブ時において、図５に示したようにプローブ１３の先端１３ｄ、１３ｅが電極Ｔ２、Ｔ３にそれぞれ接触してプローブ１３が押し込まれることで、プローブ１３が座屈変形するとともにプローブ１３がガイド孔２３において応力が加わる内壁面に押し付けられて摺動する。ここで、プローブ１３の絶縁部１３ｂの軸方向の厚みは上部のガイド板２０の厚みよりも小さく、さらにオーバードライブ時は、絶縁部１３ｂは下部のガイド板２０のガイド孔２３内に位置するようになっている。したがって、オーバードライブ時は、プローブ１３の第１導電部１３ａが導電線路３０の第１端部３０ａに当接して摺動するとともに第２導電部１３ｃが導電線路３０の第２端部３０ｂに当接して摺動し、図５中の矢印で示したように電極Ｔ２側から電極Ｔ３側へ導電線路３０を経由して電流Ｃが流れる。
　なお、オーバードライブ前のプローブ１３が座屈変形していない状態において、あらかじめ第１導電部１３ａが導電線路３０の第１端部３０ａに当接し導通するとともに第２導電部１３ｃが導電線路３０の第２端部３０ｂに当接し導通する構成としてもよい。
　このように第２の実施形態によると、プローブ１３自体への抵抗体の設置に代えて導電線路に必要な抵抗値の抵抗体の機能を持たせることができる。これにより、各プローブ１３に個別の信号を印加して検査を行うことができる。特に、第２の実施形態によると、第１の実施形態と比べて、抵抗体を被検査対象物により近づけて配置するにより、電気特性をさらに改善することができる。
　≪第３の実施形態≫
　図６は、第３の実施形態に係るプローブカードのプローブおよびガイド板の構造を示す断面図である。図７は、図６のプローブおよびガイド板を上方から見た図である。図８は、図６のプローブおよびガイド板を下方から見た図である。第３の実施形態に係るプローブカード１００は、第２の実施形態に係るプローブカード１００に、プローブ１５と、導電線路４０を追加したものである。以下、第２の実施形態で説明した事項の再度の説明は省略し、第２の実施形態と異なる点を主に説明する。
　プローブ１５は、プローブ１３に隣接して配置されている。より詳細には、プローブ１５は、下部のガイド板２０において導電線路３０を備えないガイド孔２３と、それに対応する上部のガイド板２０におけるガイド孔２３に挿通されている。プローブ１５は、プローブ１３のようなテスト信号を通電する信号プローブとは違い、グランド電位を印加するグランドプローブである。したがって、図６に示したようにプローブ１５がプローブ電極Ｔ４および被検査対象物上の微小電極Ｔ５に接触することでこれら電極はグランド電位となる。
　なお、実際にはプローブカード１００は複数のプローブ１３、１５を備えているが、ここでは便宜のため一つのプローブ１３、１５を例示している。
　上部のガイド板２０は、互いに隣接する一方のガイド孔２３の内壁から主面２０ａを経由して他方のガイド孔２３の内壁へと延設された導電線路４０を備えている。例えば、導電線路４０は、ガイド板２０に形成される導電膜でできている。
　さらに、導電線路４０に抵抗体４１が挿入されている。例えば、抵抗体４１は、ガイド板２０の主面２０ａに形成される薄膜抵抗でできている。薄膜抵抗には、例えばニッケル・クロム（Ｎｉ－Ｃｒ）合金、窒化タンタル（ＴａＮ）合金などの金属材料が用いられる。抵抗体４１は、信号プローブとしてのプローブ１３の終端抵抗としての役割を果たすものである。したがって、抵抗体４１の抵抗値は線路の特性インピーダンスに合わせることが好ましい。
　オーバードライブ時において、図６に示したようにプローブ１３の先端１３ｄ、１３ｅが電極Ｔ２、Ｔ３にそれぞれ接触してプローブ１３が押し込まれることで、プローブ１３が座屈変形するとともにプローブ１３の導電部１３ａが上部のガイド板２０のガイド孔２３において応力が加わる内壁面に押し付けられて摺動する。プローブ１５もまた電極Ｔ４、Ｔ５に接触して押し込まれて、プローブ１５が座屈変形するとともにプローブ１５が上部のガイド板２０のガイド孔２３において応力が加わる内壁面に押し付けられて摺動する。これにより、導電線路４０を介してプローブ１３とプローブ１５とが導通する。すなわち、プローブ１３は、終端抵抗としての抵抗体４１を介して接地されることとなる。
　なお、オーバードライブ前のプローブ１３が座屈変形していない状態において、あらかじめ第１導電部１３ａおよび第２導電部１３ｃが導電線路３０に当接し導通する構成としてもよい。
　このように第３の実施形態によると、プローブ１３自体への抵抗体の設置に代えて導電線路に必要な抵抗値の抵抗体の機能を持たせることができるとともに、プローブ１３に終端抵抗を付加してプローブ１３を流れる信号の不要な反射を防ぐことができる。
　≪導電線路の形成方法≫
　次に、導電線路３０の形成方法の一例を説明する。図９は、一例に係る導電線路の形成プロセスを示す図である。（ａ）まず、レーザーＬでガイド板２０に穴を開け、ガイド孔２３および貫通孔２４を形成する。（ｂ）次に、ガイド孔２３および貫通孔２４にパターンめっきで、導電線路３０の一部である導電膜３０ｃを形成する。一般に、孔の直径に対する深さで定義されるアスペクト比が大きいほど孔内壁へめっき膜が回り込みにくくなる。図９（ｂ）の例では、ガイド孔２３の方が貫通孔２４よりもアスペクト比が大きいため、ガイド孔２３ではめっき膜は内壁上の上部のみに形成されるのに対し、貫通孔２４ではより深いところまでめっき膜が回り込んでいる。このガイド孔２３の内壁上の上部に形成されためっき膜が導電線路３０の第２端部３０ｂとなる。導電線路３０の第２端部３０ｂはプローブ１３が当接して摺動する部分であるから、この工程では耐摩耗性に優れたロジウム（Ｒｈ）膜などのめっきを施すことが好ましい。
　（ｃ）次に、ガイド板２０上にパターンめっきで、導電線路３０の一部である導電膜３０ｄを形成する。導電膜３０ｄは導電性に優れた銅（Ｃｕ）膜などで形成することが好ましい。
　（ｄ）さらに、ガイド板２０を裏返して、ガイド孔２３および貫通孔２４にパターンめっきで、導電線路３０の一部である導電膜３０ｅを形成し、ガイド板２０上にパターンめっきで、導電線路３０の一部である導電膜３０ｆを形成する。導電膜３０ｆは、あらかじめ薄膜抵抗の抵抗体３１が挿入されるエリアを空けて分離して形成される。この工程で、ガイド孔２３の内壁において第２端部３０ｂに対向する位置に第１端部３０ａが形成される。また、貫通孔２４において導電膜３０ｃ、３０ｅが繋がって一続きの線路となる。なお、導電膜３０ｅは耐摩耗性に優れたロジウム（Ｒｈ）膜などで、導電膜３０ｆは導電性に優れた銅（Ｃｕ）膜などでそれぞれ形成することが好ましい。
　（ｅ）最後に、ガイド板２０上にスパッタリングにより薄膜抵抗の抵抗体３１を形成する。これでガイド板２０に導電線路３０が形成される。なお、めっきや蒸着などのプロセスで抵抗体３１を形成してもよい。
　上記のプロセスは導電線路４０の形成にも適用することができる。この場合、導電線路４０に挿入される抵抗体４１もまた薄膜抵抗で形成される。抵抗体３１あるいは抵抗体４１にチップ抵抗を使用することもできるが、チップ抵抗だとはんだ不良による不具合が生じるおそれがある。また、特に上部のガイド板２０の主面２０ａに抵抗体３１あるいは抵抗体４１を配置する場合、チップ抵抗だと部品の設置高さを確保するためにガイド板２０の主面２０ａとＳＴ基板との間隔を十分に大きく確保する必要があるとともに、プローブ１３、１５を針立てする際に抵抗体３１あるいは抵抗体４１が邪魔になったりすることがある。これに対して、抵抗体３１あるいは抵抗体４１を薄膜抵抗で形成することで、ガイド板２０の主面２０ａとＳＴ基板１２との間隔を狭くすることができるとともに、プローブ１３、１５を針立てする際に抵抗体３１あるいは抵抗体４１が邪魔になることがない。
　≪変形例≫
　導電線路３０は以下のように変形することが可能である。例えば、図１０に示すように、ガイド板２０の主面２０ｂに抵抗体３１形成してもよい。また、図１１に示すように、貫通孔２４の内壁に抵抗体３１を形成してもよい。あるいは、図１２に示すように、ガイド板２０に貫通孔２４を形成せずにガイド板２０の厚み方向に導電線路３０の一部を内設するようにしてもよい。
　以上のように、本発明における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。また、上述の実施の形態は、本発明における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
　１００　プローブカード
　１３　　プローブ
　１３ａ　第１導電部
　１３ｂ　絶縁部
　１３ｃ　第２導電部
　１３ｄ　先端（第１先端）
　１３ｅ　先端（第２先端）
　１４　　プローブガイド
　１５　　プローブ（第２プローブ）
　２０　　ガイド板
　２０ａ　主面（第１主面）
　２０ｂ　主面（第２主面）
　２１　　ガイド板取付部
　２３　　ガイド孔、第１ガイド孔、第２ガイド孔
　２４　　貫通孔
　３０　　導電線路
　３０ａ　第１端部
　３０ｂ　第２端部
　３１　　抵抗体
　４０　　導電線路（第２導電線路）
　４１　　抵抗体
　１３１　針元部
　１３２　弾性変形部
　１３３　針先部
　Ｔ１　　外部電極
　Ｔ２、Ｔ４　プローブ電極
　Ｔ３，Ｔ５　被検査対象物の微小電極
　Ｃ　　　電流

Claims (5)

  1. 　第１先端および前記第１先端とは反対側の第２先端を有する垂直型のプローブと、前記プローブが挿通されるガイド孔が形成されたガイド板と、を備えたプローブカードであって、
    　前記プローブは、
    　　第１電極に接触する前記第１先端を含む第１導電部と、
    　　第２電極に接触する前記第２先端を含む第２導電部と、
    　　前記第１導電部と前記第２導電部とに挟まれ、前記第１導電部と前記第２導電部との間を電気的に絶縁する，前記ガイド孔内に配置された絶縁部と、を備え、
    　前記ガイド板は、前記ガイド孔の内壁上の上部に配置された第１端部から前記ガイド板の第１主面および第２主面を経由して前記ガイド孔の内壁上の下部に配置されるとともに前記第１端部と離間された第２端部へと延設された導電線路を備え、
    　前記導電線路には所定の抵抗値の抵抗体が挿入されており、
    　前記プローブの前記第１導電部が前記導電線路の前記第１端部に電気的に接続されるとともに前記プローブの前記第２導電部が前記導電線路の前記第２端部に電気的に接続されるように構成されていることを特徴とするプローブカード。
  2. 　前記ガイド板において前記ガイド孔から離間した位置に貫通孔が形成されており、
    　前記導電線路が前記貫通孔を経由して前記ガイド板の前記第１主面から前記第２主面へと亘っている、請求項１に記載のプローブカード。
  3. 　前記ガイド板から離間して前記ガイド板と対向して配置され、前記プローブが挿通される第２ガイド孔が形成された第２ガイド板を備え、
    　前記ガイド板の前記ガイド孔および前記第２ガイド板の前記第２ガイド孔が互いにオフセットして配置されており、
    　前記導電線路の前記第１端部および前記第２端部が、前記ガイド板の前記ガイド孔において、前記プローブの座屈変形により前記プローブが押し付けられる側の内壁に形成されている、請求項１に記載のプローブカード。
  4. 　前記プローブから離間して配置され、両端が第３電極および第４電極にそれぞれ接触可能な第２プローブと、
    　前記ガイド板から離間して前記ガイド板と対向して被検査対象物からより遠い側に配置され、前記プローブが挿通される第１ガイド孔および前記第２プローブが挿通される第２ガイド孔が形成された第２ガイド板と、を備え、
    　前記第２ガイド板は、前記第１ガイド孔の内壁から前記第２ガイド板の主面を経由して前記第２ガイド孔の内壁へと延設された第２導電線路を備え、
    　前記第２導電線路の第１端が前記第１ガイド孔の内壁に形成され、前記第２導電線路の第２端が前記第２ガイド孔の内壁に形成され、前記第２導電線路に所定の抵抗値の抵抗体が挿入されており、
    　前記プローブが前記第１電極および前記第２電極に接触して押し込まれ、前記第２プローブが前記第３電極および前記第４電極に接触して押し込まれる際に、前記プローブの前記第１導電部および前記第２導電部のいずれか一方が前記第２導電線路の前記第１端に当接して摺動するとともに前記第２プローブが前記第２導電線路の前記第２端に当接して摺動するように構成されている、請求項１に記載のプローブカード。
  5. 　前記抵抗体が、めっき技術、スパッタリング技術および蒸着技術を含むグループから選択された少なくとも一つにより形成された薄膜抵抗体である、請求項１ないし４のいずれか一つに記載のプローブカード。
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