[go: up one dir, main page]

WO2025089271A1 - 基板支持器及びプラズマ処理装置 - Google Patents

基板支持器及びプラズマ処理装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2025089271A1
WO2025089271A1 PCT/JP2024/037586 JP2024037586W WO2025089271A1 WO 2025089271 A1 WO2025089271 A1 WO 2025089271A1 JP 2024037586 W JP2024037586 W JP 2024037586W WO 2025089271 A1 WO2025089271 A1 WO 2025089271A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate support
hole
sleeve
fixed
electrostatic chuck
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
PCT/JP2024/037586
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
直輝 井本
一輝 大嶋
周平 山邊
一 田村
諒 千葉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to TW113140536A priority Critical patent/TW202537030A/zh
Publication of WO2025089271A1 publication Critical patent/WO2025089271A1/ja
Pending legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H10P50/242—
    • H10P72/70—

Definitions

  • An exemplary embodiment of the present disclosure relates to a substrate support and a plasma processing apparatus.
  • a plasma processing apparatus is used for plasma processing of a substrate.
  • the plasma processing apparatus described in the following Patent Document 1 includes a plasma processing chamber and a substrate support.
  • the substrate support is provided within the plasma processing chamber.
  • the substrate support includes an electrostatic chuck having a first through hole formed therein, a base having a second through hole formed therein that communicates with the first through hole, and an embedding member disposed inside the first through hole and the second through hole.
  • This disclosure provides a technique for suppressing discharge between a substrate and an electrostatic chuck.
  • a substrate support in one exemplary embodiment, includes a base, an electrostatic chuck, a sleeve, a first member, and a second member.
  • the electrostatic chuck is provided on the base.
  • the electrostatic chuck has a first surface including a substrate support surface and a second surface located opposite the first surface, and provides a first through hole penetrating from the first surface to the second surface.
  • the sleeve has a cylindrical shape and is fixed in the base.
  • the sleeve defines a second through hole as an inner hole that is aligned with the first through hole and communicates with the first through hole.
  • the first member is disposed in the first through hole.
  • the second member has a columnar shape and is disposed at least in the second through hole, and supports the first member.
  • the first member and the second member form a gas flow path in the first through hole and the second through hole.
  • the sleeve includes a fixing portion that partially defines an inner surface thereof.
  • the second member includes a fixed portion that is fixed by the fixing portion. The width of the fixing portion in a lateral direction perpendicular to the central axis of both the sleeve and the second member is smaller than the width of the fixed portion in the lateral direction.
  • discharge between the substrate and the electrostatic chuck is suppressed.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a plasma processing system according to one exemplary embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of a plasma processing apparatus according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a portion of a substrate support according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 4 is a partially enlarged cross-sectional view illustrating a configuration of a first member and an electrostatic chuck according to an example embodiment.
  • FIG. 5 is a perspective view of a portion of a second member according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 6 is an enlarged partial cross-sectional view of a substrate support according to another exemplary embodiment.
  • FIG. 7 is an enlarged partial cross-sectional view of a substrate support according to yet another exemplary embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a plasma processing system according to one exemplary embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of a plasma processing apparatus according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of
  • FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a second member and sleeve arrangement according to yet another exemplary embodiment.
  • FIG. 9 is a partial enlarged cross-sectional view of a substrate support according to yet another exemplary embodiment.
  • FIG. 10 is a partial enlarged cross-sectional view of a substrate support according to yet another exemplary embodiment.
  • FIG. 11 is an enlarged partial cross-sectional view of a substrate support according to yet another exemplary embodiment.
  • FIG. 12 is an enlarged partial cross-sectional view of a substrate support according to yet another exemplary embodiment.
  • FIG. 13 is a partial enlarged cross-sectional view of a substrate support according to yet another exemplary embodiment.
  • FIG. 14 is a partial enlarged cross-sectional view of a substrate support according to yet another exemplary embodiment.
  • the plasma generating unit 12 is configured to generate plasma from at least one processing gas supplied into the plasma processing space.
  • the plasma formed in the plasma processing space may be capacitively coupled plasma (CCP), inductively coupled plasma (ICP), ECR plasma (Electron-Cyclotron-Resonance Plasma), helicon wave plasma (HWP), or surface wave plasma (SWP), etc.
  • various types of plasma generating units may be used, including AC (Alternating Current) plasma generating units and DC (Direct Current) plasma generating units.
  • the AC signal (AC power) used in the AC plasma generating unit has a frequency in the range of 100 kHz to 10 GHz.
  • AC signals include RF (Radio Frequency) signals and microwave signals.
  • the RF signal has a frequency in the range of 100 kHz to 150 MHz.
  • the control unit 2 processes computer-executable instructions that cause the plasma processing apparatus 1 to perform the various steps described in this disclosure.
  • the control unit 2 may be configured to control each element of the plasma processing apparatus 1 to perform the various steps described herein. In one embodiment, a part or all of the control unit 2 may be included in the plasma processing apparatus 1.
  • the control unit 2 may include a processing unit 2a1, a storage unit 2a2, and a communication interface 2a3.
  • the control unit 2 is realized, for example, by a computer 2a.
  • the processing unit 2a1 may be configured to perform various control operations by reading a program from the storage unit 2a2 and executing the read program. This program may be stored in the storage unit 2a2 in advance, or may be acquired via a medium when necessary.
  • the acquired program is stored in the storage unit 2a2 and is read from the storage unit 2a2 by the processing unit 2a1 and executed.
  • the medium may be various storage media readable by the computer 2a, or may be a communication line connected to the communication interface 2a3.
  • the processing unit 2a1 may be a CPU (Central Processing Unit).
  • the memory unit 2a2 may include a RAM (Random Access Memory), a ROM (Read Only Memory), a HDD (Hard Disk Drive), a SSD (Solid State Drive), or a combination of these.
  • the communication interface 2a3 may communicate with the plasma processing device 1 via a communication line such as a LAN (Local Area Network).
  • FIG. 1 is a diagram for explaining an example of the configuration of a capacitively coupled plasma processing device.
  • the capacitively coupled plasma processing apparatus 1 includes a plasma processing chamber 10, a gas supply unit 20, a power supply 30, and an exhaust system 40.
  • the plasma processing apparatus 1 also includes a substrate support 11 and a gas inlet unit.
  • the gas inlet unit is configured to introduce at least one processing gas into the plasma processing chamber 10.
  • the gas inlet unit includes a shower head 13.
  • the substrate support 11 is disposed in the plasma processing chamber 10.
  • the shower head 13 is disposed above the substrate support 11. In one embodiment, the shower head 13 constitutes at least a part of the ceiling of the plasma processing chamber 10.
  • the plasma processing chamber 10 has a plasma processing space 10s defined by the shower head 13, the sidewall 10a of the plasma processing chamber 10, and the substrate support 11.
  • the plasma processing chamber 10 is grounded.
  • the shower head 13 and the substrate support 11 are electrically insulated from the housing of the plasma processing chamber 10.
  • the substrate support 11 includes a main body 111 and a ring assembly 112.
  • the main body 111 has a central region 111a for supporting the substrate W and an annular region 111b for supporting the ring assembly 112.
  • a wafer is an example of a substrate W.
  • the annular region 111b of the main body 111 surrounds the central region 111a of the main body 111 in a plan view.
  • the substrate W is disposed on the central region 111a of the main body 111
  • the ring assembly 112 is disposed on the annular region 111b of the main body 111 so as to surround the substrate W on the central region 111a of the main body 111. Therefore, the central region 111a is also called a substrate support surface for supporting the substrate W, and the annular region 111b is also called a ring support surface for supporting the ring assembly 112.
  • the main body 111 includes a base 1110 and an electrostatic chuck 1111.
  • the base 1110 includes a conductive member.
  • the conductive member of the base 1110 may function as a lower electrode.
  • the electrostatic chuck 1111 is disposed on the base 1110.
  • the electrostatic chuck 1111 includes a ceramic member 1111a and an electrostatic electrode 1111b disposed within the ceramic member 1111a.
  • the ceramic member 1111a has a central region 111a. In one embodiment, the ceramic member 1111a also has an annular region 111b. Note that other members surrounding the electrostatic chuck 1111, such as an annular electrostatic chuck or an annular insulating member, may have the annular region 111b.
  • the ring assembly 112 may be disposed on the annular electrostatic chuck or the annular insulating member, or may be disposed on both the electrostatic chuck 1111 and the annular insulating member.
  • at least one RF/DC electrode coupled to an RF power source 31 and/or a DC power source 32 described later may be disposed in the ceramic member 1111a.
  • the at least one RF/DC electrode functions as a lower electrode.
  • the RF/DC electrode is also called a bias electrode.
  • the conductive member of the base 1110 and the at least one RF/DC electrode may function as multiple lower electrodes.
  • the electrostatic electrode 1111b may function as a lower electrode.
  • the substrate support 11 includes at least one lower electrode.
  • the ring assembly 112 includes one or more annular members.
  • the one or more annular members include one or more edge rings and at least one cover ring.
  • the edge rings are formed of a conductive or insulating material, and the cover rings are formed of an insulating material.
  • the substrate support 11 may also include a temperature adjustment module configured to adjust at least one of the electrostatic chuck 1111, the ring assembly 112, and the substrate to a target temperature.
  • the temperature adjustment module may include a heater, a heat transfer medium, a flow passage 1110a, or a combination thereof.
  • a heat transfer fluid such as brine or a gas flows through the flow passage 1110a.
  • the flow passage 1110a is formed in the base 1110, and one or more heaters are disposed in the ceramic member 1111a of the electrostatic chuck 1111.
  • the substrate support 11 may also include a heat transfer gas supply configured to supply a heat transfer gas to a gap between the back surface of the substrate W and the central region 111a.
  • the shower head 13 is configured to introduce at least one processing gas from the gas supply unit 20 into the plasma processing space 10s.
  • the shower head 13 has at least one gas supply port 13a, at least one gas diffusion chamber 13b, and multiple gas inlets 13c.
  • the processing gas supplied to the gas supply port 13a passes through the gas diffusion chamber 13b and is introduced into the plasma processing space 10s from the multiple gas inlets 13c.
  • the shower head 13 also includes at least one upper electrode.
  • the gas introduction unit may include, in addition to the shower head 13, one or more side gas injectors (SGI) attached to one or more openings formed in the sidewall 10a.
  • SGI side gas injectors
  • the gas supply unit 20 may include at least one gas source 21 and at least one flow controller 22.
  • the gas supply unit 20 is configured to supply at least one process gas from a respective gas source 21 through a respective flow controller 22 to the showerhead 13.
  • Each flow controller 22 may include, for example, a mass flow controller or a pressure-controlled flow controller.
  • the gas supply unit 20 may include at least one flow modulation device that modulates or pulses the flow rate of the at least one process gas.
  • the power supply 30 includes an RF power supply 31 coupled to the plasma processing chamber 10 via at least one impedance matching circuit.
  • the RF power supply 31 is configured to supply at least one RF signal (RF power) to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode. This causes a plasma to be formed from at least one processing gas supplied to the plasma processing space 10s.
  • the RF power supply 31 can function as at least a part of the plasma generating unit 12.
  • a bias RF signal to at least one lower electrode, a bias potential is generated on the substrate W, and ion components in the formed plasma can be attracted to the substrate W.
  • the RF power supply 31 includes a first RF generating unit 31a and a second RF generating unit 31b.
  • the first RF generating unit 31a is coupled to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode via at least one impedance matching circuit and configured to generate a source RF signal (source RF power) for plasma generation.
  • the source RF signal has a frequency in the range of 10 MHz to 150 MHz.
  • the first RF generating unit 31a may be configured to generate multiple source RF signals having different frequencies. The generated one or more source RF signals are supplied to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode.
  • the second RF generator 31b is coupled to at least one lower electrode via at least one impedance matching circuit and configured to generate a bias RF signal (bias RF power).
  • the frequency of the bias RF signal may be the same as or different from the frequency of the source RF signal.
  • the bias RF signal has a lower frequency than the frequency of the source RF signal.
  • the bias RF signal has a frequency in the range of 100 kHz to 60 MHz.
  • the second RF generator 31b may be configured to generate multiple bias RF signals having different frequencies.
  • the generated one or more bias RF signals are provided to at least one lower electrode. Also, in various embodiments, at least one of the source RF signal and the bias RF signal may be pulsed.
  • the power supply 30 may also include a DC power supply 32 coupled to the plasma processing chamber 10.
  • the DC power supply 32 includes a first DC generator 32a and a second DC generator 32b.
  • the first DC generator 32a is connected to at least one lower electrode and configured to generate a first DC signal.
  • the generated first DC signal is applied to the at least one lower electrode.
  • the second DC generator 32b is connected to at least one upper electrode and configured to generate a second DC signal.
  • the generated second DC signal is applied to the at least one upper electrode.
  • the first and second DC signals may be pulsed.
  • a sequence of voltage pulses is applied to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode.
  • the voltage pulses may have a rectangular, trapezoidal, triangular or combination thereof pulse waveform.
  • a waveform generator for generating a sequence of voltage pulses from the DC signal is connected between the first DC generator 32a and at least one lower electrode.
  • the first DC generator 32a and the waveform generator constitute a voltage pulse generator.
  • the second DC generator 32b and the waveform generator constitute a voltage pulse generator
  • the voltage pulse generator is connected to at least one upper electrode.
  • the voltage pulses may have a positive polarity or a negative polarity.
  • the sequence of voltage pulses may also include one or more positive polarity voltage pulses and one or more negative polarity voltage pulses within one period.
  • the first and second DC generating units 32a and 32b may be provided in addition to the RF power source 31, or the first DC generating unit 32a may be provided in place of the second RF generating unit 31b.
  • the exhaust system 40 may be connected to, for example, a gas exhaust port 10e provided at the bottom of the plasma processing chamber 10.
  • the exhaust system 40 may include a pressure regulating valve and a vacuum pump. The pressure in the plasma processing space 10s is adjusted by the pressure regulating valve.
  • the vacuum pump may include a turbomolecular pump, a dry pump, or a combination thereof.
  • Figure 3 is a partially enlarged cross-sectional view showing a substrate support according to one exemplary embodiment.
  • Figure 4 is a partially enlarged cross-sectional view showing the configuration of a first member and an electrostatic chuck according to one exemplary embodiment.
  • Figure 5 is a perspective view showing a portion of a second member according to one exemplary embodiment.
  • the substrate support 11 shown in FIG. 3 can be used as the substrate support 11 of the plasma processing apparatus 1.
  • the substrate support 11 includes a base 1110, an electrostatic chuck 1111, a sleeve 50, a first member 60, and a second member 70.
  • the base 1110 may be made of a metal such as aluminum. Alternatively, the base 1110 may be made of a brittle material such as ceramic.
  • the base 1110 may be made of a conductive ceramic. Examples of conductive ceramic include a material in which conductive particles such as metal are mixed with a ceramic base material, or a metal matrix composite (MMC: Metal Matrix Composites) in which ceramic is mixed with a metal base material.
  • MMC Metal Matrix Composites
  • the metal constituting the base 1110 may include at least one selected from the group consisting of silicon, aluminum, titanium, tungsten, and molybdenum.
  • the ceramic constituting the base 1110 may include at least one selected from the group consisting of aluminum oxide, aluminum nitride, and silicon carbide.
  • the electrostatic chuck 1111 is provided on the base 1110.
  • the electrostatic chuck 1111 is bonded to the upper surface of the base 1110.
  • the electrostatic chuck 1111 is bonded to the base 1110 by a bonding material A.
  • the bonding material A may include, for example, an organic adhesive.
  • the electrostatic chuck 1111 may also be bonded to the base 1110 by metal bonding using a metal such as a brazing material.
  • the electrostatic chuck 1111 has a first surface 1111c and a second surface 1111d.
  • the first surface 1111c includes a substrate support surface (or central region 111a), i.e., a surface that supports a substrate W placed thereon.
  • the second surface 1111d is a surface located opposite the first surface 1111c.
  • the second surface 1111d is located between the first surface 1111c and the base 1110.
  • the second surface 1111d is bonded to the upper surface of the base 1110 by a bonding material A.
  • the electrostatic chuck 1111 provides a first through hole H1.
  • the first through hole H1 penetrates the electrostatic chuck 1111 from the first surface 1111c to the second surface 1111d.
  • the first through hole H1 may penetrate the electrostatic chuck 1111 in a vertical direction.
  • the first through hole H1 may have, for example, a circular cross-sectional shape.
  • the substrate support 11 may provide a plurality of first through holes H1.
  • the sleeve 50 is fixed to the base 1110.
  • the sleeve 50 is made of an insulating material and has a cylindrical shape. In the example shown in FIG. 3, the sleeve 50 is a single member having a cylindrical shape.
  • the sleeve 50 defines a second through hole H2 as its inner hole. That is, the inner surface of the sleeve 50 defines the second through hole H2 as the inner hole of the sleeve 50.
  • the second through hole H2 is aligned with the first through hole H1 and communicates with the first through hole H1.
  • the sleeve 50 may be fixed to the base 1110 by a bonding layer.
  • the sleeve 50 may be detachably attached to the base 1110 without a bonding layer.
  • the width of the second through hole H2 may be larger than the width of the first through hole H1.
  • the width of the second through hole H2 is determined by the length of the second through hole H2 in a horizontal direction perpendicular to the central axis of the second through hole H2
  • the width of the first through hole H1 is determined by the length of the first through hole H1 in a horizontal direction perpendicular to the central axis of the first through hole H1.
  • the width of the second through hole H2 may be smaller than the width of the first through hole H1 or may be equal to the width of the first through hole H1.
  • the first member 60 is disposed in the first through hole H1.
  • the first member 60 has a columnar shape.
  • the first member 60 may have a cylindrical shape.
  • the length of the first member 60 in the vertical direction is shorter than the length of the electrostatic chuck 1111 in the vertical direction.
  • the width of the first member 60 in the horizontal direction is smaller than the width of the first through hole H1 in the horizontal direction.
  • the first member 60 is made of silicon carbide or ceramic.
  • the length of the first member 60 in the vertical direction and the length of the electrostatic chuck 1111 in the vertical direction are determined by their lengths in the direction along the central axis of the first member 60.
  • the width of the first member 60 in the horizontal direction and the width of the first through hole H1 in the horizontal direction are determined by their lengths in the direction along the central axis of the first member 60.
  • the width of the first member 60 in the lateral direction is smaller than the width of the first through hole H1 in the lateral direction. Therefore, as shown in FIG. 4, a first gap is generated between the first member 60 and the inner surface of the electrostatic chuck 1111 that provides the first through hole H1. That is, the first member 60 forms a first gap between the inner surface of the electrostatic chuck 1111 that defines the first through hole H1 and the first member 60. The first member 60 forms a first gap between the inner surface of the electrostatic chuck 1111 and the first member 60 around its entire circumference. The first gap extends from the upper end to the lower end of the side surface of the first member 60.
  • the second member 70 is disposed below the first member 60 and supports the first member 60.
  • the second member 70 has a columnar shape and is disposed at least in the second through hole H2. In the example shown in FIG. 3, the second member 70 is disposed in the first through hole H1 and the second through hole H2.
  • the second member 70 may have a first rod 71 and a second rod 72.
  • the first rod 71 supports the second rod 72 in the second through hole H2.
  • the first rod 71 has a columnar shape and is disposed in the second through hole H2.
  • the first rod 71 is fixed to the sleeve 50. This fixes the position of the first rod 71 in the second through hole H2. Details of the fixing of the first rod 71 will be described later.
  • the first rod 71 forms a second gap between the inner surface of the sleeve 50 that defines the second through hole H2 and the first rod 71.
  • the first rod 71 may be formed from ceramic.
  • the second rod 72 has a columnar shape and extends between the first rod 71 and the first member 60.
  • the second rod 72 extends from the first through hole H1 to the second through hole H2.
  • the second rod 72 may be made of polytetrafluoroethylene.
  • the second rod 72 supports the first member 60 within the first through hole H1.
  • the second rod 72 may include a first portion 72A and a second portion 72B.
  • the first portion 72A extends from within the first through hole H1 to within the second through hole H2.
  • the first portion 72A contacts the lower end of the first member 60 within the first through hole H1 and supports the first member 60.
  • the side surface of the first portion 72A defines one or more grooves G1.
  • the one or more grooves G1 extend along the side surface of the first portion 72A from the upper end to the lower end of the side surface of the first portion 72a.
  • multiple grooves G1 may extend along the side surface of the first portion 72A, or may be arranged along the circumferential direction.
  • the number of multiple grooves G1 is, for example, "3.”
  • the one or more grooves G1 provide one or more third gaps between the side surface of the first portion 72A and the inner surface of the electrostatic chuck 1111 that defines the first through hole H1.
  • the one or more third gaps extend from the upper end to the lower end of the side surface of the first portion 72A.
  • the second portion 72B supports the first portion 72A within the second through hole H2.
  • the second portion 72B is disposed only within the second through hole H2 and is continuous with the first portion 72A. Similar to the first portion 72A, the side surface of the second portion 72B also defines one or more grooves G2 extending from its upper end to its lower end.
  • the one or more grooves G2 provide one or more fourth gaps between the second portion 72B and the inner surface of the sleeve 50 that defines the second through hole H2. The one or more fourth gaps extend from the upper end to the lower end of the side surface of the second portion 72B.
  • the one or more first gaps, the second gap, the one or more third gaps, and the one or more fourth gaps described above form a gas flow path F. That is, the gas flow path F extends across the first through hole H1 and the second through hole H2.
  • the gas flow path F is provided to supply a heat transfer gas from a heat transfer gas supply unit (not shown) between the first surface 1111c of the electrostatic chuck 1111 and the substrate W.
  • the heat transfer gas includes, for example, helium gas.
  • the sleeve 50 has a fixing portion 51.
  • the fixing portion 51 is a portion for fixing the first rod 71 to the sleeve 50.
  • the fixing portion 51 partially defines the inner surface of the sleeve 50.
  • the fixing portion 51 may define the inner surface of a portion of the sleeve 50 including the lower end of the sleeve 50.
  • the fixing portion 51 includes a female thread. More specifically, the inner surface of the sleeve 50 defined by the fixing portion 51 includes a female thread.
  • the second member 70 has a fixed portion 73.
  • the fixed portion 73 is a portion that is fixed to the sleeve 50 by the fixing portion 51.
  • the width of the fixing portion 51 in the horizontal direction is smaller than the width of the fixed portion 73 in the horizontal direction.
  • the width of the fixing portion 51 and the width of the fixed portion 73 in the horizontal direction are determined by the length in the direction perpendicular to the central axis of both the sleeve 50 and the second member 70.
  • the first rod 71 of the second member 70 includes a fixed portion 73. More specifically, the first rod 71 includes a fixed portion 73 and a main body portion 74.
  • the main body portion 74 supports the second rod 72 that is disposed above it in the second through hole H2.
  • the fixed portion 73 and the main body portion 74 are continuous.
  • the width of the main body portion 74 in the horizontal direction is smaller than the width of the fixed portion 73 in the horizontal direction.
  • the width of the main body portion 74 in the horizontal direction may be larger than or equal to the width of the fixed portion 73 in the horizontal direction.
  • the outer surface of the fixed portion 73 includes a male thread.
  • the male thread of the fixed portion 73 is screwed into the female thread of the fixing portion 51. Therefore, the width of the fixing portion 51 in the lateral direction is partially smaller than the width of the fixed portion 73 in the lateral direction.
  • the width of the fixing portion 51 in the lateral direction is determined by the minimum distance between the inner surfaces of the sleeve 50 defined by the fixing portion 51 in a direction perpendicular to the central axes of both the sleeve 50 and the second member 70.
  • This minimum distance between the inner surfaces of the sleeve 50 defined by the fixing portion 51 is also called the inner diameter of the female thread included in the fixing portion 51. Therefore, when the fixing portion 51 includes a female thread, the width of the fixing portion 51 in the lateral direction is determined by the inner diameter of the female thread (the minimum diameter of the female thread).
  • the width of the fixed portion 73 in the lateral direction is determined by the maximum diameter of the male thread.
  • a maximum diameter of the male thread is also called the nominal diameter. Therefore, when the fixed portion 73 includes a male thread, the width of the fixed portion 73 in the lateral direction is determined by the nominal diameter of the male thread.
  • the first member 60 and the second member 70 are disposed in the first through-hole H1 and the second through-hole H2.
  • the first member 60 and the second member 70 provide a gas flow path F for the heat transfer gas in the first through-hole H1 and the second through-hole H2, while suppressing discharge in the first through-hole H1 and the second through-hole H2.
  • the fixed portion 73 is fixed by the fixing portion 51, so even if the second member 70 undergoes thermal contraction, the increase in the distance between the first member 60 and the back surface of the substrate W is suppressed. Therefore, the substrate support 11 suppresses discharge between the substrate W and the electrostatic chuck 1111.
  • FIG. 6 is a partially enlarged cross-sectional view showing a substrate support according to another exemplary embodiment.
  • the substrate support 11A shown in FIG. 6 will be described, focusing mainly on the differences from the substrate support 11 according to the embodiment described above.
  • the substrate support 11A has an electrostatic chuck 1111A, a first member 60A, and a second member 70A instead of the electrostatic chuck 1111, the first member 60, and the second member 70.
  • the electrostatic chuck 1111A includes a countersunk hole that defines the first through hole H1.
  • the first member 60A may include, for example, a small diameter portion and a large diameter portion that is continuous with the small diameter portion. As shown in FIG. 6, the first member 60A abuts against the surface that defines the countersunk hole. This determines the position of the first member 60A within the first through hole H1.
  • the length of the first member 60A may be equal to the length of the electrostatic chuck 1111A. Therefore, in the substrate support 11A, only the first member 60A may be disposed within the first through-hole H1.
  • the second member 70A may be a single member.
  • the second member 70A may have only the first rod 71.
  • the first rod 71 supports the first member 60.
  • the second member 70A, i.e., the first rod 71 is made of ceramic.
  • the first member 60A provides a flow path that extends in a spiral shape. This flow path passes through the side and inside of the first member 60A and communicates with the gap between the first rod 71 and the inner surface of the sleeve 50 that provides the second through hole H2, forming a gas flow path F.
  • the manner in which the fixed portion 73 is fixed to the fixing portion 51 is similar to that in the substrate support 11, so a description thereof will be omitted.
  • Figure 7 is a partially enlarged cross-sectional view showing a substrate support according to yet another exemplary embodiment.
  • Figure 8 is a cross-sectional view showing the configuration of a second member and an electrostatic chuck according to yet another exemplary embodiment.
  • the substrate support 11B shown in Figure 7 will be described, focusing mainly on the differences from the substrate support 11 according to the above-mentioned embodiment.
  • the substrate support 11B has a sleeve 50B, a first member 60B, and a second member 70B instead of the sleeve 50, the first member 60, and the second member 70.
  • the sleeve 50B includes a first sleeve 501B and a second sleeve 502B.
  • the first sleeve 501B is fixed to the base 1110.
  • the first sleeve 501B may be fixed to the base 1110 by a bonding layer.
  • the first sleeve 501B may be detachably attached to the base 1110 without a bonding layer.
  • the first sleeve 501B has a columnar shape.
  • the second sleeve 502B is disposed in the inner hole of the first sleeve 501B and fixed to the first sleeve 501B. That is, the sleeve 50B has a two-layer structure formed from two columnar layers.
  • the first sleeve 501B and the second sleeve 502B may be screwed together at their lower ends.
  • the first sleeve 501B and the second sleeve 502B may be bonded to each other at their lower ends, for example, by an adhesive.
  • sleeve 50B Similar to sleeve 50, sleeve 50B also provides a second through hole H2 as its inner hole. More specifically, in sleeve 50B, a portion of the inner surface of the first sleeve 501B and the entire inner surface of the second sleeve 502B define the second through hole H2.
  • the first member 60B has a first portion 60B1 and a second portion 60B2.
  • the first portion 60B1 has a columnar shape.
  • the width of the first portion 60B1 in the lateral direction is smaller than the width of the first through hole H1 in the lateral direction. Therefore, a gap is generated between the first portion 60B1 and the inner surface of the electrostatic chuck 1111 that provides the first through hole H1.
  • the second portion 60B2 extends downward from the first portion 60B1.
  • the second portion 60B2 has a columnar shape, and its width in the lateral direction is smaller than the width of the first portion 60B1.
  • the second member 70B is a single member and includes a fixed portion 73 and a support portion 75.
  • the second member 70B may be made of polytetrafluoroethylene.
  • the support portion 75 has a columnar shape and extends upward from the fixed portion 73.
  • the support portion 75 is disposed within the first through hole H1.
  • the support portion 75 provides a groove G3 at its upper end.
  • the second portion 60B2 of the first member 60B is fitted into the groove G3. In this way, the first member 60B is supported by the support portion 75 within the first through hole H1.
  • the fixing portion 51 has a small diameter portion 51A and a large diameter portion 51B.
  • the small diameter portion 51A is provided by the second sleeve 502B, and the large diameter portion 51B is provided by the first sleeve 501B.
  • the small diameter portion 51A has a diameter smaller than the width of the fixed portion 73 in the lateral direction.
  • the large diameter portion 51B has a diameter larger than the width of the fixed portion 73 in the lateral direction, and is provided on the small diameter portion 51A.
  • the inner surfaces of the small diameter portion 51A and the large diameter portion 51B each define a part of the second through hole H2.
  • the fixed portion 73 is disposed above the small diameter portion 51A and inside the large diameter portion 51B. Furthermore, in the substrate support 11B, the fixed portion 73 is sandwiched between the small diameter portion 51A and the electrostatic chuck 1111. As shown in FIG. 7, the bonding material A does not have to be disposed between the fixed portion 73 and the electrostatic chuck 1111.
  • the side surface of the support portion 75 defines one or more grooves (not shown).
  • the one or more grooves extend from the upper end to the lower end of the side surface of the support portion 75.
  • the side surface of the support portion 75 may define multiple grooves as one or more grooves.
  • the multiple grooves may be arranged along the circumferential direction. The number of multiple grooves is, for example, "3.”
  • the one or more grooves defined by the support portion 75 form a gap between the side surface of the support portion 75 and the inner surface of the electrostatic chuck 1111 that defines the first through hole H1. This gap extends from the upper end to the lower end of the support portion 75.
  • the fixed portion 73 is continuous with the support portion 75 and extends downward from the support portion 75.
  • the side surface of the fixed portion 73 defines one or more grooves G4.
  • the one or more grooves G4 extend from the upper end to the lower end of the side surface of the fixed portion 73.
  • the side surface of the fixed portion 73 may define multiple grooves G4.
  • the multiple grooves G4 may be arranged along the circumferential direction. The number of multiple grooves G4 is, for example, "3.”
  • the one or more grooves G4 defined by the fixed portion 73 form a gap between the side of the fixed portion 73 and the inner surface of the large diameter portion 51B that defines the second through hole H2, as shown in FIG. 8. This gap extends from the upper end to the lower end of the fixed portion 73.
  • the gap between the first portion 60B1 and the inner surface of the electrostatic chuck 1111 and one or more grooves in the support portion 75 extend between the side surfaces of the first portion 60B1 and the support portion 75 and the inner surface of the electrostatic chuck 1111. Therefore, in the substrate support 11B, the gap between the first portion 60B1 and the inner surface of the electrostatic chuck 1111 and one or more grooves in the support portion 75 form a gas flow path F in the first through hole H1.
  • one or more grooves G4 extend between the side surface of the fixed portion 73 and the inner surface of the large diameter portion 51B, forming a gas flow path F in the second through hole H2.
  • the small diameter portion 51A supports the fixed portion 73 from below, and the fixed portion 73 is clamped between the small diameter portion 51A and the electrostatic chuck 1111, thereby fixing the fixed portion 73 to the fixing portion 51.
  • FIG. 9 is a partially enlarged cross-sectional view showing a substrate support according to yet another exemplary embodiment.
  • the substrate support 11C shown in FIG. 9 will be described, focusing mainly on the differences from the substrate support 11B described above.
  • the support portion 75 is disposed in the first through hole H1 and the second through hole H2. More specifically, in the substrate support 11C, the support portion 75 extends from the first through hole H1 to the second through hole H2.
  • the fixed portion 73 is clamped between the small diameter portion 51A and the first sleeve 501B (or the upper end portion thereof). This causes the fixed portion 73 to be fixed to the fixing portion 51.
  • FIG. 10 is a partially enlarged cross-sectional view showing a substrate support according to yet another exemplary embodiment.
  • the substrate support 11D shown in FIG. 10 will be described, focusing mainly on the differences from the substrate support 11B described above.
  • the substrate support 11D has a sleeve 50D and a second member 70D instead of the sleeve 50B and the second member 70B.
  • the sleeve 50D has a first sleeve 501D and a second sleeve 502D, similar to the sleeve 50B.
  • the second sleeve 502D has a small diameter portion 51A and a large diameter portion 51B.
  • the inner surface of the second sleeve 502D defines a groove G5. Specifically, the groove G5 is formed on the small diameter portion 51A and inside the large diameter portion 51B.
  • the second member 70D has a fixed portion 73D in addition to the support portion 75.
  • the fixed portion 73D is continuous with the support portion 75 and extends downward from the support portion 75.
  • the fixed portion 73D is configured to be expandable and contractable in the radial direction with respect to the central axis of both the sleeve 50D and the second member 70D.
  • the fixed portion 73D may be divided into multiple parts by two intersecting or perpendicular split grooves so that it can be expanded and contracted in the radial direction.
  • the multiple parts of the fixed portion 73D are guided to the groove G5 in a contracted state and elastically expand within the groove G5.
  • the fixed portion 73D is positioned and fixed above the small diameter portion 51A and inside the large diameter portion 51B.
  • the bonding material A does not need to be placed between the fixed portion 73D and the electrostatic chuck 1111.
  • the gap between the first portion 60B1 and the inner surface of the electrostatic chuck 1111 and the groove in the support portion 75 extend between the side surfaces of the first portion 60B1 and the support portion 75 and the inner surface of the electrostatic chuck 1111. Therefore, in the substrate support 11D, the gap between the first portion 60B1 and the inner surface of the electrostatic chuck 1111 and the groove in the support portion 75 form a gas flow path F in the first through hole H1. Also, in the substrate support 11D, the two split grooves in the fixed portion 73D form a gas flow path F in the second through hole H2.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a substrate support according to yet another exemplary embodiment.
  • the substrate support 11E shown in FIG. 11 will be described, focusing mainly on the differences from the substrate support 11B described above.
  • the substrate support 11E includes a sleeve 50E and a second member 70E instead of the sleeve 50B and the second member 70B.
  • the sleeve 50E is made of a single member and has a single-layer structure.
  • the sleeve 50E may be fixed to the base 1110 by a bonding layer (not shown).
  • the sleeve 50E may be detachably attached to the base 1110 without a bonding layer.
  • the sleeve 50E has a fixing portion 51E.
  • the fixing portion 51E defines the inner surface of a portion of the sleeve 50E, including the upper end of the sleeve 50E.
  • the fixing portion 51E includes a female thread. More specifically, a female thread is provided on the inner surface of the sleeve 50E defined by the fixing portion 51E.
  • the second member 70E has a fixed portion 73E in addition to the support portion 75.
  • the fixed portion 73E is continuous with the support portion 75.
  • the fixed portion 73E includes a male thread that is screwed into the female thread of the fixing portion 51E. More specifically, the male thread is provided on the outer surface of the fixed portion 73E.
  • the male thread of the fixed portion 73E is screwed into the female thread of the fixing portion 51E, thereby fixing the second member 70E to the sleeve 50E.
  • the bonding material A does not need to be disposed between the fixed portion 73E and the electrostatic chuck 1111.
  • the width of the fixing portion 51E in the lateral direction is determined by the minimum distance between the inner surfaces of the sleeve 50E defined by the fixing portion 51E in a direction perpendicular to the central axes of both the sleeve 50E and the second member 70E.
  • the width of the fixing portion 51E in the lateral direction is determined by the inner diameter of the female thread (the minimum diameter of the female thread).
  • the width of the fixed portion 73E in the lateral direction is determined by the maximum diameter of the male thread. In other words, if the fixed portion 73E includes a male thread, the width of the fixed portion 73E in the lateral direction is determined by the nominal diameter of the male thread.
  • the gap between the first portion 60B1 and the inner surface of the electrostatic chuck 1111 and the groove in the support portion 75 extend between the side surfaces of the first portion 60B1 and the support portion 75 and the inner surface of the electrostatic chuck 1111. Therefore, in the substrate support 11E, the gap between the first portion 60B1 and the inner surface of the electrostatic chuck 1111 and the groove in the support portion 75 form a gas flow path F in the first through hole H1. Also, in the substrate support 11E, the gap between the male thread of the fixed portion 73E and the female thread of the fixing portion 51E forms a gas flow path F in the second through hole H2.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing a substrate support according to yet another exemplary embodiment.
  • the substrate support 11F shown in FIG. 12 will be described, focusing mainly on the differences from the substrate support 11B described above.
  • the substrate support 11F has a sleeve 50F and a second member 70F instead of the sleeve 50B and the second member 70B.
  • the sleeve 50F is a single member and has a single-layer structure.
  • the sleeve 50F has a small diameter portion 51A and a large diameter portion 51B.
  • the inner surface of the sleeve 50F defines a groove G5.
  • the groove G5 is provided on the small diameter portion 51A and inside the large diameter portion 51B.
  • the second member 70F has a fixed portion 73F and a lower portion 76 in addition to the support portion 75.
  • the fixed portion 73F is continuous with the support portion 75 and extends downward from the support portion 75.
  • the fixed portion 73F is configured to be expandable and contractible in the radial direction relative to the central axis of both the sleeve 50F and the second member 70F.
  • the fixed portion 73F includes a plurality of claws 73Fa that protrude from its side surface to the outside of the second member 70F.
  • the multiple claws 73Fa are arranged circumferentially on the side surface of the fixed portion 73F.
  • the number of multiple claws 73Fa is, for example, "4.”
  • the multiple claws 73Fa are configured to be expandable and contractable in the radial direction relative to the central axis.
  • each of the multiple claws 73Fa may be fixed at its upper end and open at its lower end.
  • the multiple claws 73Fa are pushed toward the center of the fixed portion 73F and guided to the groove G5, where they elastically expand within the groove G5 due to their restoring force.
  • the multiple claws 73Fa are pressed against the large diameter portion 51B by their restoring force.
  • the fixed portion 73F is fixed by the fixing portion 51. There is no need to place a bonding material A between the fixed portion 73F and the electrostatic chuck 1111.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing a substrate support according to yet another exemplary embodiment.
  • the substrate support 11G shown in FIG. 13 will be described, focusing mainly on the differences from the substrate support 11F described above.
  • the substrate support 11G includes a sleeve 50G instead of the sleeve 50F. Unlike the sleeve 50F, the sleeve 50G has a two-layer structure. That is, the sleeve 50G includes a first sleeve 501G and a second sleeve 502G. In the substrate support 11G, the first sleeve 501G is fixed to the base 1110. The first sleeve 501G may be fixed to the base 1110 by a bonding layer (not shown). The first sleeve 501G may be detachably attached to the base 1110 without a bonding layer. The first sleeve 501G has a cylindrical shape.
  • the second sleeve 502G is disposed in the inner hole of the first sleeve 501G and is fixed to the first sleeve 501G.
  • the first sleeve 501G and the second sleeve 502G may be screwed together at their lower ends.
  • the first sleeve 501G and the second sleeve 502G may be joined together at their lower ends with a bonding material such as an adhesive.
  • the small diameter portion 51A is provided by the second sleeve 502G, and the large diameter portion 51B is provided by the first sleeve 501G.
  • the small diameter portion 51A supports the fixed portion 73F from below, and the fixed portion 73F is pressed against the large diameter portion 51B by the restoring force of the multiple claws 73Fa, thereby fixing the fixed portion 73F to the fixing portion 51. Furthermore, in the substrate support 11G, the lower portion 76 is also fixed to the fixing portion 51 by being clamped laterally by the small diameter portion 51A. In the substrate support 11G, as in the substrate support 11F, bonding material A does not need to be placed between the fixed portion 73F and the electrostatic chuck 1111.
  • the gap between the first portion 60B1 and the inner surface of the electrostatic chuck 1111 and the groove in the support portion 75 extend between the side surfaces of the first portion 60B1 and the support portion 75 and the inner surface of the electrostatic chuck 1111. Therefore, in the substrate support 11G, the gap between the first portion 60B1 and the inner surface of the electrostatic chuck 1111 and the groove in the support portion 75 form a gas flow path F in the first through hole H1.
  • the space between the multiple claws 73Fa and the groove in the lower portion 76 extend between the second member 70F and the inner surface of the second sleeve 502G to form a gas flow path F in the second through hole H2.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing a substrate support according to yet another exemplary embodiment.
  • the substrate support 11H shown in FIG. 14 will be described, focusing mainly on the differences from the substrate support 11 described above.
  • the fixed portion 73 and the main body portion 74 are continuous, but in the substrate support 11H, the fixed portion 73 and the main body portion 74 are not continuous. That is, in the substrate support 11H, the fixed portion 73 and the main body portion 74 are configured as separate members.
  • the main body portion 74 may be sandwiched between the fixed portion 73 and the second rod 72.
  • the main body portion 74 may support the second rod 72 arranged above it in the second through hole H2
  • the fixed portion 73 may support the main body portion 74 arranged above it.
  • the main body portion 74 and the fixed portion 73 may be joined to each other. When the main body portion 74 and the fixed portion 73 are joined to each other, the main body portion 74 may be pressed into the fixed portion 73.
  • the fixed portion 73 and the main body portion 74 may be formed from different materials.
  • the fixed portion 73 may be formed from a resin.
  • the resin forming the fixed portion 73 may be, for example, polytetrafluoroethylene.
  • the main body portion 74 may be formed from a ceramic.
  • the ceramic forming the main body portion 74 may be, for example, alumina.
  • the base and an electrostatic chuck provided on the base the electrostatic chuck having a first surface including a substrate support surface and a second surface located on an opposite side to the first surface, the electrostatic chuck having a first through hole penetrating from the first surface to the second surface; a cylindrical sleeve fixed within the base, the sleeve defining an internal second through hole aligned with and communicating with the first through hole; a first member disposed in the first through hole; a columnar second member supporting the first member, the second member being disposed at least within the second through hole; Equipped with the first member and the second member form a gas flow path within the first through hole and the second through hole, the sleeve includes a fastening portion partially defining an inner surface thereof; the second member includes a fixed portion fixed by the fixing portion, a width of the fixing portion in a lateral direction perpendicular to the central axis of both the sleeve and the second member is smaller than a width of the fixed portion in
  • the fixing portion includes a female thread
  • the fixed portion includes a male screw threadedly engaged with the female screw,
  • the second member includes: a first rod having a columnar shape; a second rod having a columnar shape and extending between the first rod and the first member; Including, The first rod includes the fixed portion.
  • the first rod is made of ceramic;
  • the second rod is made of polytetrafluoroethylene.
  • the first through hole is a countersunk hole
  • the substrate support according to E2 wherein the first member abuts against a surface that defines the countersunk hole.
  • the fixing portion is a small diameter portion having a diameter smaller than the width of the fixed portion; a large diameter portion having a diameter larger than the width of the fixed portion and provided on the small diameter portion; The fixed portion is disposed on the small diameter portion and inside the large diameter portion.
  • the sleeve is A first sleeve having a cylindrical shape; a second sleeve having a cylindrical shape, disposed within an inner hole of the first sleeve and fixed to the first sleeve; Including, the reduced diameter portion is provided by the second sleeve; The large diameter portion is provided by at least the first sleeve.
  • the base and an electrostatic chuck provided on the base having a first surface including a substrate support surface and a second surface located on the opposite side to the first surface, the electrostatic chuck providing a first through hole penetrating from the first surface to the second surface; a cylindrical sleeve fixed within the base, the sleeve defining an internal second through hole aligned with and communicating with the first through hole; a first member disposed in the first through hole; a columnar second member supporting the first member, the second member being disposed at least within the second through hole; Equipped with the first member and the second member form a gas flow path within the first through hole and the second through hole, the sleeve includes a fastening portion partially defining an inner surface thereof; the second member includes a fixed portion fixed by the fixing portion, The fixing portion includes a female thread, The fixed portion includes a male screw threadedly engaged with the female screw, Substrate support.
  • the second member includes: A first rod having a columnar shape; a second rod having a columnar shape and extending between the first rod and the first member; Including, The first rod includes the fixed portion.
  • the first rod is made of ceramic;
  • the second rod is made of polytetrafluoroethylene.
  • the first through hole is a countersunk hole, The first member is abutted against a surface that defines the countersunk hole.
  • 1...plasma processing apparatus 10...plasma processing chamber, 11, 11A to 11G...substrate support, 50, 50B, 50D, 50E, 50F, 50G...sleeve, 501B, 501D, 501G...first sleeve, 502B, 502D, 502G...second sleeve, 51...fixed portion, 51A...small diameter portion, 51B...large diameter portion, 60, 6 0A, 60B...first member, 70, 70A, 70B, 70D, 70E, 70F...second member, 73, 73D, 73E, 73F...fixed portion, 1110...base, 1111, 1111A...electrostatic chuck, 1111c...first surface, 1111d...second surface, F...gas flow path, G5...groove, H1...first through hole, H2...second through hole, W...substrate.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

開示される基板支持器は、基台、静電チャック、スリーブ、第１の部材、及び第２の部材を備える。静電チャックは、基台上に設けられ、基板支持面を含む第１面と第２面とを有し、第１面から第２面までを貫通する第１の貫通孔を提供する。スリーブは、基台内で固定されており、第１の貫通孔と整列し、且つ、連通する第２の貫通孔を画成する。スリーブは、その内側面を部分的に画成する固定部を含む。第１の部材は、第１の貫通孔内に配置されている。第２の部材は、柱形状を有し、少なくとも第２の貫通孔内に配置されており、第１の部材を支持する。第２の部材は、固定部によって固定される被固定部を含む。スリーブ及び第２の部材の双方の中心軸線に直交する横方向において、固定部の幅は、被固定部の幅よりも小さい。

Description

基板支持器及びプラズマ処理装置
　本開示の例示的実施形態は、基板支持器及びプラズマ処理装置に関するものである。
　基板に対するプラズマ処理では、プラズマ処理装置が用いられる。下記の特許文献１に記載されたプラズマ処理装置は、プラズマ処理チャンバ及び基板支持器を備える。基板支持器は、プラズマ処理チャンバ内に設けられている。基板支持器は、第１の通孔が形成された静電チャックと、第１の通孔に連通する第２の通孔が形成された基台と、第１の通孔及び第２の通孔の内部に配置された埋込部材とを備える。
特開２０１９－１４９４２２号公報
　本開示は、基板と静電チャックとの間での放電を抑制する技術を提供する。
　一つの例示的実施形態において、基板支持器が提供される。基板支持器は、基台、静電チャック、スリーブ、第１の部材、及び第２の部材を備える。静電チャックは、基台上に設けられている。静電チャックは、基板支持面を含む第１面と第１面とは反対側に位置する第２面を有し、第１面から第２面までを貫通する第１の貫通孔を提供する。スリーブは、筒形状を有し、基台内で固定されている。スリーブは、第１の貫通孔と整列し、且つ、第１の貫通孔と連通する第２の貫通孔をその内孔として画成する。第１の部材は、第１の貫通孔内に配置されている。第２の部材は、柱形状を有し、少なくとも第２の貫通孔内に配置されており、第１の部材を支持する。第１の部材及び第２の部材は、第１の貫通孔内及び第２の貫通孔内でガス流路を形成する。スリーブは、その内側面を部分的に画成する固定部を含む。第２の部材は、固定部によって固定される被固定部を含む。スリーブ及び第２の部材の双方の中心軸線に直交する横方向における固定部の幅は、該横方向における被固定部の幅よりも小さい。
　一つの例示的実施形態によれば、基板と静電チャックとの間での放電が抑制される。
図１は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理システムを概略的に示す図である。 図２は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 図３は、一つの例示的実施形態に係る基板支持器を示す部分拡大断面図である。 図４は、一つの例示的実施形態に係る第１の部材と静電チャックとの構成を示す部分拡大断面図である。 図５は、一つの例示的実施形態に係る第２の部材の一部を示す斜視図である。 図６は、別の例示的実施形態に係る基板支持器を示す部分拡大断面図である。 図７は、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器を示す部分拡大断面図である。 図８は、更に別の例示的実施形態に係る第２の部材とスリーブとの構成を示す断面図である。 図９は、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器を示す部分拡大断面図である。 図１０は、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器を示す部分拡大断面図である。 図１１は、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器を示す部分拡大断面図である。 図１２は、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器を示す部分拡大断面図である。 図１３は、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器を示す部分拡大断面図である。 図１４は、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器を示す部分拡大断面図である。
　以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面に同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
　図１は、プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理システムは、基板処理システムの一例であり、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持器１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持器１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。
　プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ　Ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ　Ｗａｖｅ　Ｐｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｗａｖｅ　Ｐｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ　Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ　Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。
　制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ　Ｄｉｓｋ　Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ　Ａｒｅａ　Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。
　以下に、プラズマ処理装置１の一例としての容量結合型のプラズマ処理装置の構成例について説明する。図２は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
　容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持器１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持器１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持器１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持器１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持器１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。
　基板支持器１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。
　一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ電源３１及び／又はＤＣ電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持器１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。
　リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。
　また、基板支持器１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持器１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。
　シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ　Ｇａｓ　Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。
　ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。
　電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。
　一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。
　第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。
　また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。
　種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。
　排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
　以下、図３～図５を参照して、一つの例示的実施形態に係る基板支持器について説明する。図３は、一つの例示的実施形態に係る基板支持器を示す部分拡大断面図である。図４は、一つの例示的実施形態に係る第１の部材と静電チャックとの構成を示す部分拡大断面図である。図５は、一つの例示的実施形態に係る第２の部材の一部を示す斜視図である。
　図３に示す基板支持器１１は、プラズマ処理装置１の基板支持器１１として利用され得る。図３に示すように、基板支持器１１は、基台１１１０、静電チャック１１１１、スリーブ５０、第１の部材６０、及び第２の部材７０を備えている。
　基台１１１０は、アルミニウムのような金属から形成されていてもよい。或いは、基台１１１０は、セラミックのような脆性材料から形成されていてもよい。基台１１１０は、導電性セラミックから形成されていてもよい。導電性セラミックとしては、セラミックを母材として金属などの導電性粒子を配合した材料又は金属を母材としてセラミックを配合した金属基複合材（ＭＭＣ：Ｍｅｔａｌ　Ｍａｔｒｉｘ　Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ）が挙げられる。基台１１１０を構成する金属は、シリコン、アルミニウム、チタン、タングステン、及びモリブデンからなる群から選択される少なくとも一つを含んでいてもよい。基台１１１０を構成するセラミックは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、及び炭化ケイ素からなる群から選択される少なくとも一つを含んでいてもよい。
　静電チャック１１１１は、基台１１１０上に設けられている。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上面に接合されている。本実施形態では、静電チャック１１１１は、接合材Ａによって、基台１１１０に接合されている。接合材Ａは、例えば有機接着剤を含み得る。静電チャック１１１１は、ロウ材のような金属を用いた金属接合によって、基台１１１０に接合されていてもよい。
　図３に示すように、静電チャック１１１１は、第１面１１１１ｃ及び第２面１１１１ｄを有している。第１面１１１１ｃは、基板支持面（又は中央領域１１１ａ）、即ちその上に載置される基板Ｗを支持する面を含む。第２面１１１１ｄは、第１面１１１１ｃとは反対側に位置する面である。第２面１１１１ｄは、第１面１１１１ｃと基台１１１０との間に位置する。第２面１１１１ｄは、接合材Ａによって、基台１１１０の上面に接合されている。
　静電チャック１１１１は、第１の貫通孔Ｈ１を提供する。第１の貫通孔Ｈ１は、第１面１１１１ｃから第２面１１１１ｄまで静電チャック１１１１を貫通している。第１の貫通孔Ｈ１は、静電チャック１１１１を垂直方向に貫通していてもよい。第１の貫通孔Ｈ１は、例えば、円形の断面形状を有し得る。なお、基板支持器１１は、複数の第１の貫通孔Ｈ１を提供していてもよい。
　スリーブ５０は、基台１１１０に固定されている。スリーブ５０は、絶縁性の材料で形成されており、筒形状を有している。図３に示す例では、スリーブ５０は、筒形状を有する単一の部材である。スリーブ５０は、その内孔として、第２の貫通孔Ｈ２を画成する。すなわち、スリーブ５０の内側面が、当該スリーブ５０の内孔として第２の貫通孔Ｈ２を画成する。第２の貫通孔Ｈ２は、第１の貫通孔Ｈ１と整列しており、第１の貫通孔Ｈ１と連通している。スリーブ５０は、接合層により基台１１１０に固定されていてもよい。なお、スリーブ５０は、接合層を伴うことなく、基台１１１０に着脱可能に取り付けられていてもよい。
　図３に示すように、第２の貫通孔Ｈ２の幅は、第１の貫通孔Ｈ１の幅よりも大きくてもよい。なお、第２の貫通孔Ｈ２の幅は、第２の貫通孔Ｈ２の中心軸線に直交する横方向における第２の貫通孔Ｈ２の長さによって規定され、第１の貫通孔Ｈ１の幅は第１の貫通孔Ｈ１の中心軸線に直交する横方向における第１の貫通孔Ｈ１の長さによって規定される。なお、第２の貫通孔Ｈ２の幅は、第１の貫通孔Ｈ１の幅よりも小さくてもよいし、第１の貫通孔Ｈ１の幅と同等であってもよい。
　第１の部材６０は、第１の貫通孔Ｈ１内に配置されている。第１の部材６０は、柱形状を有している。第１の部材６０は、円柱形状を有していてもよい。縦方向における第１の部材６０の長さは、縦方向における静電チャック１１１１の長さよりも短い。また、横方向における第１の部材６０の幅は、横方向における第１の貫通孔Ｈ１の幅よりも小さい。第１の部材６０は、シリコンカーバイド又はセラミックから形成されている。なお、縦方向における第１の部材６０の長さ及び縦方向における静電チャック１１１１の長さは第１の部材６０の中心軸線に沿う方向におけるそれらの長さによって規定される。さらに、横方向における第１の部材６０の幅及び横方向における第１の貫通孔Ｈ１の幅は、第１の部材６０の中心軸線に沿う方向におけるそれらの長さによって規定される。
　上述したように、横方向における第１の部材６０の幅は、横方向における第１の貫通孔Ｈ１の幅よりも小さい。したがって、図４に示すように、第１の部材６０と第１の貫通孔Ｈ１を提供する静電チャック１１１１の内側面との間には、第１の隙間が生じている。すなわち、第１の部材６０は、第１の貫通孔Ｈ１を画成する静電チャック１１１１の内側面と第１の部材６０との間に、第１の隙間を形成している。第１の部材６０は、その全周にわたって、静電チャック１１１１の内側面と第１の部材６０との間に、第１の隙間を形成している。第１の隙間は、第１の部材６０の側面の上端から下端にわたって延びている。
　第２の部材７０は、第１の部材６０の下に配置されており、第１の部材６０を支持している。第２の部材７０は、柱形状を有しており、少なくとも第２の貫通孔Ｈ２内に配置されている。図３に示す例では、第２の部材７０は、第１の貫通孔Ｈ１内及び第２の貫通孔Ｈ２内に配置されている。第２の部材７０は、第１のロッド７１及び第２のロッド７２を有していてもよい。
　第１のロッド７１は、第２の貫通孔Ｈ２内で、第２のロッド７２を支持する。第１のロッド７１は、柱形状を有しており、第２の貫通孔Ｈ２内に配置されている。第１のロッド７１は、スリーブ５０に固定されている。これによって、第２の貫通孔Ｈ２内での第１のロッド７１の位置が固定される。なお、第１のロッド７１の固定の詳細については、後述する。第１のロッド７１は、第２の貫通孔Ｈ２を画成するスリーブ５０の内側面と第１のロッド７１との間に、第２の隙間を形成している。第１のロッド７１は、セラミックから形成され得る。
　第２のロッド７２は、柱形状を有し、第１のロッド７１と第１の部材６０との間で延在している。第２のロッド７２は、第１の貫通孔Ｈ１から第２の貫通孔Ｈ２にわたって延在している。第２のロッド７２は、ポリテトラフルオロエチレンから形成され得る。第２のロッド７２は、第１の貫通孔Ｈ１内で、第１の部材６０を支持している。
　第２のロッド７２は、第１の部分７２Ａ及び第２の部分７２Ｂを含んでいてもよい。第１の部分７２Ａは、第１の貫通孔Ｈ１内から第２の貫通孔Ｈ２内にわたって延在している。第１の部分７２Ａは、第１の貫通孔Ｈ１内で第１の部材６０の下端に接しており、第１の部材６０を支持している。
　図５に示すように、第１の部分７２Ａの側面は、一つ以上の溝Ｇ１を画成している。一つ以上の溝Ｇ１は、第１の部分７２Ａの側面に沿って、第１の部分７２ａの側面の上端から下端にわたって、延びている。図５に示すように、複数の溝Ｇ１が、第１の部分７２Ａの側面に沿って、延びていてもよく、周方向に沿って配列されていてもよい。複数の溝Ｇ１の個数は、例えば「３」である。
　一つ以上の溝Ｇ１は、第１の部分７２Ａの側面と第１の貫通孔Ｈ１を画成する静電チャック１１１１の内側面との間に一つ以上の第３の隙間をもたらす。一つ以上の第３の隙間は、第１の部分７２Ａの側面の上端から下端にわたって延びている。
　第２の部分７２Ｂは、第２の貫通孔Ｈ２内において、第１の部分７２Ａを支持している。第２の部分７２Ｂは、第２の貫通孔Ｈ２内にのみ配置されており、第１の部分７２Ａと連続している。第１の部分７２Ａと同様に、第２の部分７２Ｂの側面も、その上端から下端にわたって延びる一つ以上の溝Ｇ２を画成している。一つ以上の溝Ｇ２は、第２の部分７２Ｂと第２の貫通孔Ｈ２を画成するスリーブ５０の内側面との間に一つ以上の第４の隙間をもたらす。一つ以上の第４の隙間は、第２の部分７２Ｂの側面の上端から下端にわたって延びている。
　上述の一つ以上の第１の隙間、第２の隙間、一つ以上の第３の隙間、及び一つ以上の第４の隙間は、ガス流路Ｆを形成する。すなわち、ガス流路Ｆは、第１の貫通孔Ｈ１及び第２の貫通孔Ｈ２にわたって、延在する。
　ガス流路Ｆは、不図示の伝熱ガス供給部からの伝熱ガスを、静電チャック１１１１の第１面１１１１ｃと基板Ｗとの間に供給するために設けられている。上記伝熱ガスは、例えばヘリウムガスを含む。
　以下、第１のロッド７１のスリーブ５０に対する固定について、更に詳細に説明する。図３に示すように、スリーブ５０は、固定部５１を有している。固定部５１は、第１のロッド７１をスリーブ５０に固定するための部分である。固定部５１は、スリーブ５０の内側面を部分的に画成している。固定部５１は、スリーブ５０の下端を含むスリーブ５０の一部分の内側面を画成していてもよい。固定部５１は、雌ねじを含んでいる。より具体的には、固定部５１が画成するスリーブ５０の内側面は、雌ねじを含んでいる。
　第２の部材７０は、被固定部７３を有している。被固定部７３は、固定部５１によって、スリーブ５０に固定される部分である。横方向における固定部５１の幅は、該横方向における被固定部７３の幅よりも小さい。ここで、横方向における固定部５１の幅及び被固定部７３の幅は、スリーブ５０及び第２の部材７０の双方の中心軸線に直交する方向の長さによって規定される。
　図３に示す例では、第２の部材７０の第１のロッド７１が被固定部７３を含んでいる。より具体的には、第１のロッド７１は、被固定部７３及び本体部７４を含んでいる。本体部７４は、第２の貫通孔Ｈ２内においてその上に配置される第２のロッド７２を支持している。被固定部７３と本体部７４とは連続している。また、横方向における本体部７４の幅は、横方向における被固定部７３の幅よりも小さい。なお、横方向における本体部７４の幅は、横方向における被固定部７３の幅よりも大きくてもよいし、該幅と同等であってもよい。
　被固定部７３の外側面は雄ねじを含んでいる。被固定部７３の雄ねじは、固定部５１の雌ねじに螺合される。したがって、横方向における固定部５１の幅は、部分的には、横方向における被固定部７３の幅よりも小さい。
　固定部５１が雌ねじを含む場合、横方向における固定部５１の幅は、スリーブ５０及び第２の部材７０の双方の中心軸線に直交する方向での、固定部５１が画成するスリーブ５０の内側面同士の最小間隔によって規定される。このような固定部５１が画成するスリーブ５０の内側面同士の最小間隔は、固定部５１に含まれる雌ねじの内径とも呼ばれる。したがって、固定部５１が雌ねじを含む場合、横方向における固定部５１の幅は、当該雌ねじの内径（雌ねじの最小径）によって規定される。
　被固定部７３が雄ねじを含む場合、横方向における被固定部７３の幅は、当該雄ねじの最大径によって規定される。このような雄ねじの最大径は、呼び径とも呼ばれる。したがって、被固定部７３が雄ねじを含む場合、横方向における被固定部７３の幅は、当該雄ねじの呼び径によって規定される。
　基板支持器１１では、第１の部材６０及び第２の部材７０は第１の貫通孔Ｈ１及び第２の貫通孔Ｈ２内に配置される。第１の部材６０及び第２の部材７０は、第１の貫通孔Ｈ１及び第２の貫通孔Ｈ２内で伝熱ガスのためのガス流路Ｆを提供しつつ、第１の貫通孔Ｈ１及び第２の貫通孔Ｈ２内での放電を抑制する。
　また、基板支持器１１では、被固定部７３が固定部５１によって固定されているので、第２の部材７０の熱収縮があっても、第１の部材６０と基板Ｗの裏面との間の距離の増大が抑制される。したがって、基板支持器１１によれば、基板Ｗと静電チャック１１１１との間での放電が抑制される。
　次に、図６を参照して、別の例示的実施形態に係る基板支持器１１Ａについて、説明する。図６は、別の例示的実施形態に係る基板支持器を示す部分拡大断面図である。以下では、図６に示す基板支持器１１Ａについて、上述した実施形態に係る基板支持器１１との相違点を主として説明する。
　基板支持器１１Ａは、静電チャック１１１１、第１の部材６０、及び第２の部材７０に代えて、静電チャック１１１１Ａ、第１の部材６０Ａ、及び第２の部材７０Ａを有している。
　静電チャック１１１１Ａは、第１の貫通孔Ｈ１を画成するザグリ穴を含んでいる。第１の部材６０Ａは、例えば、小径部と当該小径部に連続する大径部とを含み得る。図６に示すように、第１の部材６０Ａは、ザグリ穴を画成する面に当接する。これにより、第１の貫通孔Ｈ１内での第１の部材６０Ａの位置が決定される。
　第１の部材６０Ａの長さは、静電チャック１１１１Ａの長さと同等であり得る。したがって、基板支持器１１Ａにおいては、第１の貫通孔Ｈ１内には、第１の部材６０Ａのみが配置されてもよい。
　第２の部材７０Ａは、単一の部材であり得る。第２の部材７０Ａは、第１のロッド７１のみを有し得る。基板支持器１１Ａにおいては、第１のロッド７１が、第１の部材６０を支持する。また、基板支持器１１Ａにおいては、第２の部材７０Ａ、即ち第１のロッド７１は、セラミックから形成されている。
　第１の部材６０Ａは、螺旋状に延びる流路を提供している。この流路は、第１の部材６０Ａの側面及び内部を通って、第１のロッド７１と第２の貫通孔Ｈ２を提供するスリーブ５０の内側面との間の隙間に連通して、ガス流路Ｆを形成している。基板支持器１１Ａにおいて、被固定部７３が固定部５１に固定される態様については、基板支持器１１における態様と同様であるので、その説明を省略する。
　次に、図７及び図８を参照して、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器１１Ｂについて、説明する。図７は、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器を示す部分拡大断面図である。図８は、更に別の例示的実施形態に係る第２の部材と静電チャックとの構成を示す断面図である。以下では、図７に示す基板支持器１１Ｂについて、上述した実施形態に係る基板支持器１１との相違点を主として説明する。
　基板支持器１１Ｂは、スリーブ５０、第１の部材６０、及び第２の部材７０に代えて、スリーブ５０Ｂ、第１の部材６０Ｂ、及び第２の部材７０Ｂを有している。
　スリーブ５０Ｂは、第１のスリーブ５０１Ｂ及び第２のスリーブ５０２Ｂを含んでいる。第１のスリーブ５０１Ｂは、基台１１１０に固定されている。第１のスリーブ５０１Ｂは、接合層により基台１１１０に固定されていてもよい。なお、第１のスリーブ５０１Ｂは、接合層を伴うことなく、基台１１１０に着脱可能に取り付けられていてもよい。第１のスリーブ５０１Ｂは、柱形状を有している。第２のスリーブ５０２Ｂは、第１のスリーブ５０１Ｂの内孔の中に配置されて、第１のスリーブ５０１Ｂに固定されている。すなわち、スリーブ５０Ｂは、二つの柱状層から形成された二層構造を有している。第１のスリーブ５０１Ｂと第２のスリーブ５０２Ｂとは、両者の下端部において、互いにねじ留めされていてもよい。第１のスリーブ５０１Ｂと第２のスリーブ５０２Ｂとは、両者の下端部において、例えば接着剤によって、接着されていてもよい。
　スリーブ５０Ｂも、スリーブ５０と同様に、その内孔として、第２の貫通孔Ｈ２を提供する。より具体的には、スリーブ５０Ｂでは、第１のスリーブ５０１Ｂの内側面の一部と、第２のスリーブ５０２Ｂの内側面の全体とが、第２の貫通孔Ｈ２を画成している。
　第１の部材６０Ｂは、第１の部分６０Ｂ１及び第２の部分６０Ｂ２を有している。第１の部分６０Ｂ１は、柱形状を有している。横方向における第１の部分６０Ｂ１の幅は、横方向における第１の貫通孔Ｈ１の幅よりも小さい。したがって、第１の部分６０Ｂ１と第１の貫通孔Ｈ１を提供する静電チャック１１１１の内側面との間には、隙間が生じている。
　第２の部分６０Ｂ２は、第１の部分６０Ｂ１から下方に延在している部分である。また、第２の部分６０Ｂ２は、柱形状を有しており、その横方向における幅は第１の部分６０Ｂ１の幅よりも小さい。
　第２の部材７０Ｂは、単一の部材であり、被固定部７３と支持部７５を含んでいる。第２の部材７０Ｂは、ポリテトラフルオロエチレンから形成されていてもよい。
　支持部７５は、柱形状を有しており、被固定部７３から上方に延びている。支持部７５は、第１の貫通孔Ｈ１内に配置されている。支持部７５は、その上端部において、溝Ｇ３を提供している。溝Ｇ３の中には、第１の部材６０Ｂの第２の部分６０Ｂ２が嵌め込まれている。これによって、第１の部材６０Ｂは、第１の貫通孔Ｈ１内で支持部７５によって支持されている。
　基板支持器１１Ｂにおいて、固定部５１は、小径部５１Ａ及び大径部５１Ｂを有している。小径部５１Ａは、第２のスリーブ５０２Ｂによって提供され、大径部５１Ｂは、第１のスリーブ５０１Ｂによって提供されている。小径部５１Ａは、横方向における被固定部７３の幅よりも小さい直径を有している。大径部５１Ｂは、横方向における被固定部７３の幅よりも大きい直径を有しており、小径部５１Ａの上に設けられている。小径部５１Ａ及び大径部５１Ｂのそれぞれの内側面は、第２の貫通孔Ｈ２の一部を画成している。
　基板支持器１１Ｂでは、被固定部７３が、小径部５１Ａの上且つ大径部５１Ｂの内側に配置される。さらに、基板支持器１１Ｂでは、被固定部７３が、小径部５１Ａと静電チャック１１１１との間で挟持されている。図７に示すように、被固定部７３と静電チャック１１１１との間には、接合材Ａは配置されていなくてもよい。
　さらに、基板支持器１１Ｂにおいては、支持部７５の側面は、不図示の一つ以上の溝を画成している。一つ以上の溝は、支持部７５の側面の上端から下端にわたって、延びている。例えば支持部７５の側面は、一つ以上の溝として、複数の溝を画成していてもよい。複数の溝は、周方向に沿って配列されていてもよい。複数の溝の個数は、例えば「３」である。
　支持部７５が画成する一つ以上の溝は、支持部７５の側面と第１の貫通孔Ｈ１を画成する静電チャック１１１１の内側面との間に隙間を形成する。この隙間は、支持部７５の上端から下端にわたって延びている。
　被固定部７３は、支持部７５と連続しており、支持部７５から下方に延在している。被固定部７３の側面は、一つ以上の溝Ｇ４を画成している。一つ以上の溝Ｇ４は、被固定部７３の側面の上端から下端にわたって、延びている。被固定部７３の側面は、複数の溝Ｇ４を画成していてもよい。複数の溝Ｇ４は、周方向に沿って配列されていてもよい。複数の溝Ｇ４の数は、例えば「３」である。
　被固定部７３が画成する一つ以上の溝Ｇ４は、図８に示すように、被固定部７３の側面と第２の貫通孔Ｈ２を画成する大径部５１Ｂの内側面との間に隙間を形成する。この隙間は、被固定部７３の上端から下端にわたって延びている。
　基板支持器１１Ｂにおいては、第１の部分６０Ｂ１と静電チャック１１１１の内側面との間の隙間及び支持部７５の一つ以上の溝が、第１の部分６０Ｂ１及び支持部７５の各々の側面と静電チャック１１１１の内側面との間で延在している。したがって、基板支持器１１Ｂにおいては、第１の部分６０Ｂ１と静電チャック１１１１の内側面との間の隙間及び支持部７５の一つ以上の溝が、第１の貫通孔Ｈ１内でガス流路Ｆを形成する。同様に、基板支持器１１Ｂにおいては、一つ以上の溝Ｇ４が被固定部７３の側面と大径部５１Ｂの内側面との間で延在しており、第２の貫通孔Ｈ２内でガス流路Ｆを形成する。
　基板支持器１１Ｂでは、小径部５１Ａが被固定部７３を下方から支持し、且つ、小径部５１Ａと静電チャック１１１１とが被固定部７３を挟持することによって、被固定部７３が固定部５１に固定される。これによって、第２の部材７０の熱収縮が生じても、第２の部材７０がスリーブ５０から脱落することが防止される。したがって、第２の部材７０によって支持される第１の部材６０の位置の第１の貫通孔Ｈ１内での変化が抑制される。故に、基板支持器１１Ｂでは、基板Ｗと静電チャック１１１１との間での放電が抑制される。
　次に、図９を参照して、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器１１Ｃについて、説明する。図９は、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器を示す部分拡大断面図である。以下では、図９に示す基板支持器１１Ｃについて、上述した基板支持器１１Ｂとの相違点を主として説明する。
　基板支持器１１Ｃにおいては、図９に示すように、支持部７５は、第１の貫通孔Ｈ１内及び第２の貫通孔Ｈ２内に配置されている。より具体的には、基板支持器１１Ｃにおいて、支持部７５は、第１の貫通孔Ｈ１から第２の貫通孔Ｈ２にわたって、延在している。
　基板支持器１１Ｃにおいては、被固定部７３は、小径部５１Ａと第１のスリーブ５０１Ｂ（又はその上端部分）との間で挟持されている。これにより、被固定部７３が固定部５１に固定される。
　基板支持器１１Ｃにおいても、第２の部材７０の熱収縮が生じても、第２の部材７０がスリーブ５０から脱落することが防止される。したがって、基板支持器１１Ｃでは、基板Ｗと静電チャック１１１１との間での放電を抑制が抑制される。
　次に、図１０を参照して、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器１１Ｄについて、説明する。図１０は、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器を示す部分拡大断面図である。以下では、図１０に示す基板支持器１１Ｄについて、上述した基板支持器１１Ｂとの相違点を主として説明する。
　基板支持器１１Ｄは、スリーブ５０Ｂ及び第２の部材７０Ｂに代えて、スリーブ５０Ｄ及び第２の部材７０Ｄを備えている。図１０に示すように、スリーブ５０Ｄは、スリーブ５０Ｂと同様に、第１のスリーブ５０１Ｄ及び第２のスリーブ５０２Ｄを有している。基板支持器１１Ｄにおいては、第２のスリーブ５０２Ｄが、小径部５１Ａ及び大径部５１Ｂを有する。
　第２のスリーブ５０２Ｄの内側面は、溝Ｇ５を画成している。具体的には、溝Ｇ５は、小径部５１Ａ上、且つ、大径部５１Ｂの内側に形成されている。
　第２の部材７０Ｄは、支持部７５に加えて、被固定部７３Ｄを有している。被固定部７３Ｄは、支持部７５に連続しており、支持部７５から下方に延在している。被固定部７３Ｄは、スリーブ５０Ｄ及び第２の部材７０Ｄの双方の中心軸線に対して放射方向に拡縮可能に構成されている。被固定部７３Ｄは、放射方向に拡縮可能であるよう、互いに交差又は直交する二つの割り溝により複数の部分に分割されていてもよい。被固定部７３Ｄの複数の部分は、縮小された状態で溝Ｇ５まで案内されて、溝Ｇ５内で弾性的に拡大する。これにより、被固定部７３Ｄは、小径部５１Ａの上且つ大径部５１Ｂの内側に配置されて、固定される。被固定部７３Ｄと静電チャック１１１１との間には、接合材Ａは配置されていなくてもよい。
　さらに、基板支持器１１Ｄでは、基板支持器１１Ｂと同様に、第１の部分６０Ｂ１と静電チャック１１１１の内側面との間の隙間及び支持部７５の溝が、第１の部分６０Ｂ１及び支持部７５の各々の側面と静電チャック１１１１の内側面との間で延在している。したがって、基板支持器１１Ｄでは、第１の部分６０Ｂ１と静電チャック１１１１の内側面との間の隙間及び支持部７５の溝が、第１の貫通孔Ｈ１内でガス流路Ｆを形成する。また、基板支持器１１Ｄでは、被固定部７３Ｄの二つの割り溝が、第２の貫通孔Ｈ２内でガス流路Ｆを形成する。
　基板支持器１１Ｄにおいても、第２の部材７０の熱収縮が生じても、第２の部材７０がスリーブ５０から脱落することが防止される。したがって、基板支持器１１Ｄでも、基板Ｗと静電チャック１１１１との間での放電を抑制が抑制される。
　次に、図１１を参照して、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器１１Ｅについて、説明する。図１１は、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器を示す断面図である。以下では、図１１に示す基板支持器１１Ｅについて、上述した基板支持器１１Ｂとの相違点を主として説明する。
　基板支持器１１Ｅは、スリーブ５０Ｂ及び第２の部材７０Ｂに代えて、スリーブ５０Ｅ及び第２の部材７０Ｅを備えている。図１１に示すように、基板支持器１１Ｅでは、スリーブ５０Ｅは、単一の部材から構成されており、一層構造を有している。スリーブ５０はＥ、不図示の接合層により基台１１１０に固定されていてもよい。なお、スリーブ５０Ｅは、接合層を伴うことなく、基台１１１０に着脱可能に取り付けられていてもよい。
　スリーブ５０Ｅは、固定部５１Ｅを有している。基板支持器１１Ｅでは、固定部５１Ｅは、スリーブ５０Ｅの上端を含むスリーブ５０Ｅの一部分の内側面を画成している。また、基板支持器１１Ｅでは、固定部５１Ｅは、雌ねじを含んでいる。より具体的には、固定部５１Ｅが画成するスリーブ５０Ｅの内側面には、雌ねじが設けられている。
　第２の部材７０Ｅは、支持部７５に加えて、被固定部７３Ｅを有している。被固定部７３Ｅは、支持部７５に連続している。被固定部７３Ｅは、固定部５１Ｅの雌ねじに螺合される雄ねじを含んでいる。より具体的には、被固定部７３Ｅの外側面には該雄ねじが設けられている。被固定部７３Ｅの雄ねじが固定部５１Ｅの雌ねじに螺合されることにより、第２の部材７０Ｅがスリーブ５０Ｅに固定される。被固定部７３Ｅと静電チャック１１１１との間には、接合材Ａは配置されていなくてもよい。
　固定部５１Ｅが雌ねじを含む場合、横方向における固定部５１Ｅの幅は、スリーブ５０Ｅ及び第２の部材７０Ｅの双方の中心軸線に直交する方向での、固定部５１Ｅが画成するスリーブ５０Ｅの内側面同士の最小間隔によって規定される。すなわち、固定部５１Ｅが雌ねじを含む場合、横方向における固定部５１Ｅの幅は、当該雌ねじの内径（雌ねじの最小径）によって規定される。
　被固定部７３Ｅが雄ねじを含む場合、横方向における被固定部７３Ｅの幅は、当該雄ねじの最大径によって規定される。すなわち、被固定部７３Ｅが雄ねじを含む場合、横方向における被固定部７３Ｅの幅は、当該雄ねじの呼び径によって規定される。
　基板支持器１１Ｅでは、第１の部分６０Ｂ１と静電チャック１１１１の内側面との間の隙間及び支持部７５の溝が、第１の部分６０Ｂ１及び支持部７５の各々の側面と静電チャック１１１１の内側面との間で延在している。したがって、基板支持器１１Ｅでは、第１の部分６０Ｂ１と静電チャック１１１１の内側面との間の隙間及び支持部７５の溝が、第１の貫通孔Ｈ１内でガス流路Ｆを形成する。また、基板支持器１１Ｅでは、被固定部７３Ｅの雄ねじと固定部５１Ｅの雌ねじとの間の隙間が、第２の貫通孔Ｈ２内でガス流路Ｆを形成する。
　基板支持器１１Ｅにおいても、第２の部材７０の熱収縮が生じても、第２の部材７０がスリーブ５０から脱落することが防止される。したがって、基板支持器１１Ｅでも、基板Ｗと静電チャック１１１１との間での放電を抑制が抑制される。
　次に、図１２を参照して、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器１１Ｆについて、説明する。図１２は、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器を示す断面図である。以下では、図１２に示す基板支持器１１Ｆについて、上述した基板支持器１１Ｂとの相違点を主として説明する。
　基板支持器１１Ｆは、スリーブ５０Ｂ及び第２の部材７０Ｂに代えて、スリーブ５０Ｆ及び第２の部材７０Ｆを備えている。
　図１２に示すように、基板支持器１１Ｆでは、スリーブ５０Ｆは、単一の部材であり、一層構造を有している。したがって、基板支持器１１Ｆでは、スリーブ５０Ｆが、小径部５１Ａ及び大径部５１Ｂを有している。スリーブ５０Ｆの内側面は、溝Ｇ５を画成している。溝Ｇ５は、小径部５１Ａ上且つ大径部５１Ｂの内側に設けられている。
　第２の部材７０Ｆは、支持部７５に加えて、被固定部７３Ｆ及び下部７６を有している。基板支持器１１Ｆでは、被固定部７３Ｆは、支持部７５に連続して、支持部７５から下方に延在している。被固定部７３Ｆは、スリーブ５０Ｆ及び第２の部材７０Ｆの双方の中心軸線に対して放射方向に拡縮可能に構成されている。より具体的には、被固定部７３Ｆは、その側面から第２の部材７０Ｆの外側に突出する複数の爪７３Ｆａを含んでいる。複数の爪７３Ｆａは、被固定部７３Ｆの側面において、周方向に沿って配列されている。複数の爪７３Ｆａの数は、例えば「４」である。
　複数の爪７３Ｆａは、上記中心軸線に対して放射方向に拡縮可能に構成されている。例えば、複数の爪７３Ｆａの各々は、その上端において固定されており、その下端において開放されていてもよい。基板支持器１１Ｆでは、複数の爪７３Ｆａは、被固定部７３Ｆの中心側に押し込まれた状態で、溝Ｇ５まで案内されて、復元力により溝Ｇ５内で弾性的に拡大する。複数の爪７３Ｆａは、それらの復元力により大径部５１Ｂに押し付けられる。これにより、被固定部７３Ｆが固定部５１により固定される。被固定部７３Ｆと静電チャック１１１１との間には、接合材Ａは配置されていなくてもよい。
　下部７６は、被固定部７３Ｆに連続して、被固定部７３Ｆから下方に延在している。横方向における下部７６の幅は、横方向における小径部５１Ａの幅以下である。したがって、基板支持器１１Ｆにおいては、下部７６は、小径部５１Ａによって横方向から挟持されている。
　さらに、基板支持器１１Ｆにおいては、下部７６の側面は、不図示の一つ以上の溝を画成している。一つ以上の溝は、下部７６の側面の上端から下端にわたって、延びている。例えば下部７６の側面は、一つ以上の溝として、複数の溝を画成していてもよい。複数の溝は、周方向沿って配列されていてもよい。複数の溝の個数は、例えば「３」である。
　下部７６が画成する溝は、下部７６の側面と第２の貫通孔Ｈ２を画成するスリーブ５０Ｆの内側面との間に隙間を形成する。この隙間は、下部７６の側面の上端から下端にわたって生じている。
　基板支持器１１Ｆにおいては、第１の部分６０Ｂ１と静電チャック１１１１の内側面との間の隙間及び支持部７５の溝が、第１の部分６０Ｂ１及び支持部７５の各々の側面と静電チャック１１１１の内側面との間で延在している。したがって、基板支持器１１Ｆにおいては、第１の部分６０Ｂ１と静電チャック１１１１の内側面との間の隙間及び支持部７５の溝が、第１の貫通孔Ｈ１内でガス流路Ｆを形成する。また、基板支持器１１Ｆにおいては、複数の爪７３Ｆａ間の空間及び下部７６の溝とスリーブ５０Ｆの内側面との間の隙間が、第２の貫通孔Ｈ２内でガス流路Ｆを形成する。
　基板支持器１１Ｆにおいても、第２の部材７０の熱収縮が生じても、第２の部材７０がスリーブ５０から脱落することが防止される。したがって、基板支持器１１Ｆでも、基板Ｗと静電チャック１１１１との間での放電を抑制が抑制される。
　次に、図１３を参照して、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器１１Ｇについて、説明する。図１３は、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器を示す断面図である。以下では、図１３に示す基板支持器１１Ｇについて、上述した基板支持器１１Ｆとの相違点を主として説明する。
　基板支持器１１Ｇは、スリーブ５０Ｆに代えて、スリーブ５０Ｇを備えている。スリーブ５０Ｇは、スリーブ５０Ｆと異なり、二層構造を有している。すなわち、スリーブ５０Ｇは、第１のスリーブ５０１Ｇ及び第２のスリーブ５０２Ｇを有している。基板支持器１１Ｇでは、第１のスリーブ５０１Ｇは、基台１１１０に固定されている。第１のスリーブ５０１Ｇは、不図示の接合層により基台１１１０に固定されていてもよい。なお、第１のスリーブ５０１Ｇは、接合層を伴うことなく、基台１１１０に着脱可能に取り付けられていてもよい。第１のスリーブ５０１Ｇは、筒形状を有している。
　第２のスリーブ５０２Ｇは、第１のスリーブ５０１Ｇの内孔の中に配置されて、第１のスリーブ５０１Ｇに固定されている。基板支持器１１Ｇでは、第１のスリーブ５０１Ｇと第２のスリーブ５０２Ｇとは、両者の下端部において、ねじ留めされていてもよい。第１のスリーブ５０１Ｇと第２のスリーブ５０２Ｇとは、両者の下端部において、接着剤のような接合材によって、接合されていてもよい。
　基板支持器１１Ｇでは、小径部５１Ａは第２のスリーブ５０２Ｇによって提供され、大径部５１Ｂは第１のスリーブ５０１Ｇによって提供される。
　基板支持器１１Ｇでは、小径部５１Ａが被固定部７３Ｆを下方から支持し、且つ、複数の爪７３Ｆａの復元力で被固定部７３Ｆが大径部５１Ｂに押し付けられることによって、被固定部７３Ｆが固定部５１に固定される。さらに、基板支持器１１Ｇにおいても、下部７６が小径部５１Ａによって横方向から挟持されることで、下部７６も固定部５１に固定される。基板支持器１１Ｇにおいても、基板支持器１１Ｆと同様に、被固定部７３Ｆと静電チャック１１１１との間には、接合材Ａは配置されていなくてもよい。
　基板支持器１１Ｇにおいては、第１の部分６０Ｂ１と静電チャック１１１１の内側面との間の隙間及び支持部７５の溝が、第１の部分６０Ｂ１及び支持部７５の各々の側面と静電チャック１１１１の内側面との間で延在している。したがって、基板支持器１１Ｇにおいては、第１の部分６０Ｂ１と静電チャック１１１１の内側面との間の隙間及び支持部７５の溝が、第１の貫通孔Ｈ１内でガス流路Ｆを形成する。また、基板支持器１１Ｆにおいては、複数の爪７３Ｆａ間の空間及び下部７６の溝が、第２の部材７０Ｆと第２のスリーブ５０２Ｇの内側面との間で延びて、第２の貫通孔Ｈ２内でガス流路Ｆを形成する。
　基板支持器１１Ｇにおいても、第２の部材７０の熱収縮が生じても、第２の部材７０がスリーブ５０Ｇから脱落することが防止される。したがって、基板支持器１１Ｇでも、基板Ｗと静電チャック１１１１との間での放電が抑制される。
　次に、図１４を参照して、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器１１Ｈについて、説明する。図１４は、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器を示す断面図である。図１４に示す基板支持器１１Ｈについて、上述した基板支持器１１との相違点を主として説明する。
　基板支持器１１では、被固定部７３と本体部７４とが連続しているが、基板支持器１１Ｈでは、被固定部７３と本体部７４とが連続していない。すなわち、基板支持器１１Ｈでは、被固定部７３と本体部７４とが、互いに別部材として構成されている。本体部７４は、被固定部７３と第２のロッド７２との間に、挟み込まれていてもよい。本体部７４が被固定部７３と第２のロッド７２との間に挟み込まれている場合、本体部７４が、第２の貫通孔Ｈ２内においてその上に配置されてる第２のロッド７２を支持していてもよく、被固定部７３が、その上に配置される本体部７４を支持していてもよい。本体部７４と被固定部７３とは、互いに接合されていてもよい。本体部７４と被固定部７３とが互いに接合される場合、本体部７４は、被固定部７３に圧入されていてもよい。
　被固定部７３と本体部７４とが互いに別部材として構成されている場合、被固定部７３と本体部７４とは、互いに別の材料から形成され得る。基板支持器１１Ｈでは、被固定部７３は、樹脂から形成され得る。被固定部７３を形成する上記樹脂は、例えば、ポリテトラフルオロエチレンであってもよい。本体部７４は、セラミックから形成され得る。本体部７４を形成する上記セラミックは、例えば、アルミナであってもよい。
　以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。
　ここで、本開示に含まれる種々の例示的実施形態を、以下の［Ｅ１］～［Ｅ１４］に記載する。
［Ｅ１］
　基台と、
　前記基台上に設けられた静電チャックであり、基板支持面を含む第１面と前記第１面とは反対側に位置する第２面を有し、前記第１面から前記第２面までを貫通する第１の貫通孔を提供する、該静電チャックと、
　前記基台内で固定された筒状のスリーブであり、前記第１の貫通孔と整列し、且つ、前記第１の貫通孔と連通する第２の貫通孔をその内孔として画成するスリーブと、
　前記第１の貫通孔内に配置された第１の部材と、
　前記第１の部材を支持する柱状の第２の部材であり、少なくとも前記第２の貫通孔内に配置された、該第２の部材と、
を備え、
　前記第１の部材及び前記第２の部材は、前記第１の貫通孔内及び前記第２の貫通孔内でガス流路を形成し、
　前記スリーブは、その内側面を部分的に画成する固定部を含み、
　前記第２の部材は、前記固定部によって固定される被固定部を含み、
　前記スリーブ及び前記第２の部材の双方の中心軸線に直交する横方向における前記固定部の幅は、該横方向における前記被固定部の幅よりも小さい、
基板支持器。
　［Ｅ２］
　前記固定部は、雌ねじを含み、
　前記被固定部は、前記雌ねじに螺合された雄ねじを含む、
Ｅ１に記載の基板支持器。
［Ｅ３］
　前記第２の部材は、
　　柱形状を有する第１のロッドと
　　柱形状を有し、前記第１のロッドと前記第１の部材との間で延在する第２のロッドと、
　を含み、
　前記第１のロッドは、前記被固定部を含む、
Ｅ２に記載の基板支持器
［Ｅ４］
　前記第１のロッドは、セラミックから形成されており、
　前記第２のロッドは、ポリテトラフルオロエチレンから形成されている、
Ｅ３に記載の基板支持器。
［Ｅ５］
　前記第１の貫通孔はザグリ穴であり、
　前記第１の部材は、前記ザグリ穴を画成する面に突き当てられている
Ｅ２に記載の基板支持器。
［Ｅ６］
　前記第２の部材は、セラミックから形成されている、Ｅ５に記載の基板支持器。
［Ｅ７］
　前記固定部は、
　　前記被固定部の前記幅よりも小さい直径を有する小径部と、
　　前記被固定部の前記幅よりも大きい径を有し、該小径部の上に設けられた大径部を含み、
　前記被固定部は、前記小径部上且つ前記大径部の内側に配置される、
Ｅ１に記載の基板支持器。
［Ｅ８］
　前記被固定部は、前記小径部と前記静電チャックとの間で挟持されている、Ｅ７に記載の基板支持器。
［Ｅ９］
　前記被固定部は、前記中心軸線に対して放射方向に拡縮可能に構成されている、Ｅ７に記載の基板支持器。
［Ｅ１０］
　前記大径部は、前記スリーブの溝である、Ｅ９に記載の基板支持器。
［Ｅ１１］
　前記スリーブは、
　　筒形状を有する第１のスリーブと、
　　筒形状を有し、前記第１のスリーブの内孔の中に配置されて、前記第１のスリーブに固定された第２のスリーブと、
　を含み、
　前記小径部は前記第２のスリーブによって提供されており、
　前記大径部は少なくとも前記第１のスリーブによって提供されている、
Ｅ７に記載の基板支持器。
［Ｅ１２］
　前記第２の部材は、ポリテトラフルオロエチレンから形成されている、Ｅ７～Ｅ１１のいずれか一項に記載の基板支持器。
［Ｅ１３］
　基台と、
　前記基台上に設けられた静電チャックであり、基板支持面を含む第１面と前記第１面とは反対側に位置する第２面とを有し、前記第１面から前記第２面までを貫通する第１の貫通孔を提供する、該静電チャックと、
　前記基台内で固定された筒状のスリーブであり、前記第１の貫通孔と整列し、且つ、前記第１の貫通孔と連通する第２の貫通孔をその内孔として画成するスリーブと、
　前記第１の貫通孔内に配置された第１の部材と、
　前記第１の部材を支持する柱状の第２の部材であり、少なくとも前記第２の貫通孔内に配置された、該第２の部材と、
を備え、
　前記第１の部材及び前記第２の部材は、前記第１の貫通孔内及び前記第２の貫通孔内でガス流路を形成し、
　前記スリーブは、その内側面を部分的に画成する固定部を含み、
　前記第２の部材は、前記固定部によって固定される被固定部を含み、
　前記固定部は、雌ねじを含み、
　前記被固定部は、前記雌ねじに螺合された雄ねじを含む、
基板支持器。
［Ｅ１４］
　前記第２の部材は、
　　柱形状を有する第１のロッドと、
　　柱形状を有し、前記第１のロッドと前記第１の部材との間で延在する第２のロッドと、
　を含み、
　前記第１のロッドは、前記被固定部を含む、
Ｅ１３に記載の基板支持器。
［Ｅ１５］
　前記第１のロッドは、セラミックから形成されており、
　前記第２のロッドは、ポリテトラフルオロエチレンから形成されている、
Ｅ１４に記載の基板支持器。
［Ｅ１６］
　前記第１の貫通孔はザグリ穴であり、
　前記第１の部材は、前記ザグリ穴を画成する面に突き当てられている、
Ｅ１３に記載の基板支持器。
［Ｅ１７］
　前記第２の部材は、セラミックから形成されている、Ｅ１６に記載の基板支持器。
［Ｅ１８］
　前記第１の部材は、シリコンカーバイド又はセラミックから形成されている、Ｅ１～Ｅ１７のいずれか一項に記載の基板支持器。
［Ｅ１９］
　その内部に処理空間を提供するプラズマ処理チャンバと、
　Ｅ１～Ｅ１８のいずれか一項に記載の基板支持器であり、前記プラズマ処理チャンバ内に設けられた該基板支持器と、
を備える、プラズマ処理装置。
　以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
　１…プラズマ処理装置、１０…プラズマ処理チャンバ、１１，１１Ａ～１１Ｇ…基板支持器、５０，５０Ｂ，５０Ｄ，５０Ｅ，５０Ｆ，５０Ｇ…スリーブ、５０１Ｂ，５０１Ｄ，５０１Ｇ…第１のスリーブ、５０２Ｂ，５０２Ｄ，５０２Ｇ…第２のスリーブ、５１…固定部、５１Ａ…小径部、５１Ｂ…大径部、６０，６０Ａ，６０Ｂ…第１の部材、７０，７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｄ，７０Ｅ，７０Ｆ…第２の部材、７３，７３Ｄ，７３Ｅ，７３Ｆ…被固定部、１１１０…基台、１１１１，１１１１Ａ…静電チャック、１１１１ｃ…第１面、１１１１ｄ…第２面、Ｆ…ガス流路、Ｇ５…溝、Ｈ１…第１の貫通孔、Ｈ２…第２の貫通孔、Ｗ…基板。

Claims (19)

  1. 　基台と、
    　前記基台上に設けられた静電チャックであり、基板支持面を含む第１面と前記第１面とは反対側に位置する第２面とを有し、前記第１面から前記第２面までを貫通する第１の貫通孔を提供する、該静電チャックと、
    　前記基台内で固定された筒状のスリーブであり、前記第１の貫通孔と整列し、且つ、前記第１の貫通孔と連通する第２の貫通孔をその内孔として画成するスリーブと、
    　前記第１の貫通孔内に配置された第１の部材と、
    　前記第１の部材を支持する柱状の第２の部材であり、少なくとも前記第２の貫通孔内に配置された、該第２の部材と、
    を備え、
    　前記第１の部材及び前記第２の部材は、前記第１の貫通孔内及び前記第２の貫通孔内でガス流路を形成し、
    　前記スリーブは、その内側面を部分的に画成する固定部を含み、
    　前記第２の部材は、前記固定部によって固定される被固定部を含み、
    　前記スリーブ及び前記第２の部材の双方の中心軸線に直交する横方向における前記固定部の幅は、該横方向における前記被固定部の幅よりも小さい、
    基板支持器。
  2. 　前記固定部は、雌ねじを含み、
    　前記被固定部は、前記雌ねじに螺合された雄ねじを含む、
    請求項１に記載の基板支持器。
  3. 　前記第２の部材は、
    　　柱形状を有する第１のロッドと、
    　　柱形状を有し、前記第１のロッドと前記第１の部材との間で延在する第２のロッドと、
    　を含み、
    　前記第１のロッドは、前記被固定部を含む、
    請求項２に記載の基板支持器。
  4. 　前記第１のロッドは、セラミックから形成されており、
    　前記第２のロッドは、ポリテトラフルオロエチレンから形成されている、
    請求項３に記載の基板支持器。
  5. 　前記第１の貫通孔はザグリ穴であり、
    　前記第１の部材は、前記ザグリ穴を画成する面に突き当てられている、
    請求項２に記載の基板支持器。
  6. 　前記第２の部材は、セラミックから形成されている、請求項５に記載の基板支持器。
  7. 　前記固定部は、
    　　前記被固定部の前記幅よりも小さい直径を有する小径部と、
    　　前記被固定部の前記幅よりも大きい径を有し、該小径部の上に設けられた大径部を含み、
    　前記被固定部は、前記小径部上且つ前記大径部の内側に配置される、
    請求項１に記載の基板支持器。
  8. 　前記被固定部は、前記小径部と前記静電チャックとの間で挟持されている、請求項７に記載の基板支持器。
  9. 　前記被固定部は、前記中心軸線に対して放射方向に拡縮可能に構成されている、請求項７に記載の基板支持器。
  10. 　前記大径部は、前記スリーブの溝である、請求項９に記載の基板支持器。
  11. 　前記スリーブは、
    　　筒形状を有する第１のスリーブと、
    　　筒形状を有し、前記第１のスリーブの内孔の中に配置されて、前記第１のスリーブに固定された第２のスリーブと、
    　を含み、
    　前記小径部は前記第２のスリーブによって提供されており、
    　前記大径部は少なくとも前記第１のスリーブによって提供されている、
    請求項７に記載の基板支持器。
  12. 　前記第２の部材は、ポリテトラフルオロエチレンから形成されている、請求項７～１１のいずれか一項に記載の基板支持器。
  13. 　基台と、
    　前記基台上に設けられた静電チャックであり、基板支持面を含む第１面と前記第１面とは反対側に位置する第２面とを有し、前記第１面から前記第２面までを貫通する第１の貫通孔を提供する、該静電チャックと、
    　前記基台内で固定された筒状のスリーブであり、前記第１の貫通孔と整列し、且つ、前記第１の貫通孔と連通する第２の貫通孔をその内孔として画成するスリーブと、
    　前記第１の貫通孔内に配置された第１の部材と、
    　前記第１の部材を支持する柱状の第２の部材であり、少なくとも前記第２の貫通孔内に配置された、該第２の部材と、
    を備え、
    　前記第１の部材及び前記第２の部材は、前記第１の貫通孔内及び前記第２の貫通孔内でガス流路を形成し、
    　前記スリーブは、その内側面を部分的に画成する固定部を含み、
    　前記第２の部材は、前記固定部によって固定される被固定部を含み、
    　前記固定部は、雌ねじを含み、
    　前記被固定部は、前記雌ねじに螺合された雄ねじを含む、
    基板支持器。
  14. 　前記第２の部材は、
    　　柱形状を有する第１のロッドと、
    　　柱形状を有し、前記第１のロッドと前記第１の部材との間で延在する第２のロッドと、
    　を含み、
    　前記第１のロッドは、前記被固定部を含む、
    請求項１３に記載の基板支持器。
  15. 　前記第１のロッドは、セラミックから形成されており、
    　前記第２のロッドは、ポリテトラフルオロエチレンから形成されている、
    請求項１４に記載の基板支持器。
  16. 　前記第１の貫通孔はザグリ穴であり、
    　前記第１の部材は、前記ザグリ穴を画成する面に突き当てられている、
    請求項１３に記載の基板支持器。
  17. 　前記第２の部材は、セラミックから形成されている、請求項１６に記載の基板支持器。
  18. 　前記第１の部材は、シリコンカーバイド又はセラミックから形成されている、請求項１又は１３に記載の基板支持器。
  19. 　その内部に処理空間を提供するプラズマ処理チャンバと、
    　請求項１又は１３に記載の基板支持器であり、前記プラズマ処理チャンバ内に設けられた該基板支持器と、
    を備える、プラズマ処理装置。
PCT/JP2024/037586 2023-10-26 2024-10-22 基板支持器及びプラズマ処理装置 Pending WO2025089271A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW113140536A TW202537030A (zh) 2023-10-26 2024-10-24 基板支持器及電漿處理裝置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023-183943 2023-10-26
JP2023183943 2023-10-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2025089271A1 true WO2025089271A1 (ja) 2025-05-01

Family

ID=95515534

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2024/037586 Pending WO2025089271A1 (ja) 2023-10-26 2024-10-22 基板支持器及びプラズマ処理装置

Country Status (2)

Country Link
TW (1) TW202537030A (ja)
WO (1) WO2025089271A1 (ja)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003115529A (ja) * 2001-10-05 2003-04-18 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置、その組立方法および静電チャック装置用部材
KR20090094898A (ko) * 2008-03-04 2009-09-09 주식회사 코미코 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2009536461A (ja) * 2006-05-03 2009-10-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 高アスペクト比の特徴部をエッチングするのに適した真空処理チャンバ及びそのコンポーネント
KR20110056712A (ko) * 2009-11-23 2011-05-31 삼성전자주식회사 정전 척
JP2015225952A (ja) * 2014-05-28 2015-12-14 新光電気工業株式会社 静電チャック及び半導体・液晶製造装置
WO2017126534A1 (ja) * 2016-01-19 2017-07-27 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
WO2023074475A1 (ja) * 2021-10-28 2023-05-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び静電チャック
JP2023106928A (ja) * 2022-01-21 2023-08-02 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003115529A (ja) * 2001-10-05 2003-04-18 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置、その組立方法および静電チャック装置用部材
JP2009536461A (ja) * 2006-05-03 2009-10-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 高アスペクト比の特徴部をエッチングするのに適した真空処理チャンバ及びそのコンポーネント
KR20090094898A (ko) * 2008-03-04 2009-09-09 주식회사 코미코 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20110056712A (ko) * 2009-11-23 2011-05-31 삼성전자주식회사 정전 척
JP2015225952A (ja) * 2014-05-28 2015-12-14 新光電気工業株式会社 静電チャック及び半導体・液晶製造装置
WO2017126534A1 (ja) * 2016-01-19 2017-07-27 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
WO2023074475A1 (ja) * 2021-10-28 2023-05-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び静電チャック
JP2023106928A (ja) * 2022-01-21 2023-08-02 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材

Also Published As

Publication number Publication date
TW202537030A (zh) 2025-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20250011133A (ko) 플라즈마 처리 장치
TW202326801A (zh) 靜電吸盤及電漿處理裝置
US12387907B2 (en) Plasma processing apparatus and substrate processing method
US20240222092A1 (en) Plasma processing apparatus and electrostatic chuck including a dielectric structure and an electrostatic claim electrode inside the dielectric structure
WO2022215633A1 (ja) 静電チャックおよび基板処理装置
WO2025089271A1 (ja) 基板支持器及びプラズマ処理装置
KR20250019055A (ko) 기판 처리 장치
JP2023165222A (ja) 静電チャック、基板支持アセンブリ、及びプラズマ処理装置
KR20230045545A (ko) 기판 지지기, 기판 처리 장치 및 정전 흡착 방법
JP2024132907A (ja) 基板支持器及び基板処理装置
JP7717015B2 (ja) 上部電極及びプラズマ処理装置
JP7575177B2 (ja) プラズマ処理装置及び基板支持部
US20260024734A1 (en) Substrate support stage and substrate processing apparatus
JP7572126B2 (ja) プラズマ処理装置用の電極及びプラズマ処理装置
WO2024154749A1 (ja) 基板処理装置及び静電チャック
JP2025064037A (ja) 静電チャック、基板支持器、及びプラズマ処理装置
TW202518664A (zh) 基板處理裝置
JP2026013822A (ja) プラズマ処理装置及び静電チャック
WO2025263340A1 (ja) 基板支持器及び基板処理装置
JP2026004103A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2024033855A (ja) プラズマ処理装置
JP2024011192A (ja) 基板支持器及びプラズマ処理装置
KR20240045102A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 기판 처리 장치
TW202509993A (zh) 電漿處理裝置、基板支持部及邊緣環之消耗修正方法
WO2024150747A1 (ja) プラズマ処理装置及び基板支持部

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 24882382

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1