WO2024116743A1 - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

半導体装置は、厚さ方向の一方側を向く第１主面および前記厚さ方向の他方側を向く第１裏面を有するダイパッド部を含む第１リードと、前記第１主面に支持された半導体素子と、前記半導体素子の前記厚さ方向の前記一方側に配置され、且つ前記半導体素子に導通接合された導電部と、前記ダイパッド部の少なくとも一部、および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、前記導電部の前記厚さ方向の前記一方側に固定され、且つ前記封止樹脂よりも熱伝導率が高い第１放熱体を備え、前記第１放熱体は、前記厚さ方向に見て前記導電部と重なる第１絶縁層を含むとともに、前記厚さ方向の前記一方側を向く第１放熱面を有し、前記封止樹脂は、前記厚さ方向の前記一方側を向く樹脂主面を有し、前記第１放熱面は、前記樹脂主面から露出している。

Description

半導体装置

　本開示は、半導体装置に関する。

　半導体素子を備えた半導体装置は、様々な構成が提案されている。特許文献１には、従来の半導体装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体装置は、半導体素子、複数のリードおよび封止樹脂を備えている。半導体素子は、リードに支持されている。半導体素子は、スイッチング機能を有するトランジスタである。リード上の半導体素子の電極（ソース電極）と他のリードとは、複数のワイヤにより接続されている。封止樹脂は、各リードの一部と、半導体素子および複数のワイヤとを覆っている。特許文献１の半導体装置においては、半導体素子のソース電極に多数のワイヤを接続することで、大電流を流すのに適しており、高出力に対応可能である。その一方、半導体装置の高出力化に伴い、半導体素子での発熱量の増大等の影響があり、当該半導体装置の放熱性の向上や耐電圧性の向上が求められる。

特開２０１７－１３５２４１号公報

　本開示は、従来より改良が施された半導体装置を提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記した事情に鑑み、放熱性の向上や耐電圧性の向上を図るのに適した半導体装置を提供することをその一の課題とする。

　本開示の一の側面によって提供される半導体装置は、厚さ方向の一方側を向く第１主面および前記厚さ方向の他方側を向く第１裏面を有するダイパッド部を含む第１リードと、前記第１主面に支持された半導体素子と、前記半導体素子の前記厚さ方向の一方側に配置され、且つ前記半導体素子に導通接合された導電部と、前記ダイパッド部の少なくとも一部、および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、前記導電部の前記厚さ方向の一方側に固定され、且つ前記封止樹脂よりも熱伝導率が高い第１放熱体とを備える。前記第１放熱体は、前記厚さ方向に見て前記導電部と重なる第１絶縁層を含むとともに、前記厚さ方向の一方側を向く第１放熱面を有する。前記封止樹脂は、前記厚さ方向の一方側を向く樹脂主面と、前記樹脂主面から前記厚さ方向の他方側に離隔し、且つ前記厚さ方向の他方側を向く樹脂裏面と、を有する。前記第１放熱面は、前記樹脂主面から露出している。

　上記構成によれば、半導体装置の放熱性の向上および耐電圧性の向上を図ることが可能である。

　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 図２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。 図３は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図（封止樹脂お よび第１放熱体を透過）である。 図４は、図３のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。 図５は、図３のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。 図６は、図３のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。 図７は、第１実施形態の第１変形例に係る半導体装置を示す、図４と同様の断面図である。 図８は、第１実施形態の第２変形例に係る半導体装置を示す平面図である。 図９は、第１実施形態の第２変形例に係る半導体装置を示す平面図（封止樹脂および第１放熱体を透過）である。 図１０は、図９のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。 図１１は、図９のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。 図１２は、図９のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。 図１３は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 図１４は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。 図１５は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す平面図（封止樹脂および第１放熱体を透過）である。 図１６は、図１５のＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿う断面図である。 図１７は、図１５のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。 図１８は、図１５のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１９は、図１５のＸＩＸ－ＸＩＸ線に沿う断面図である。 図２０は、第２実施形態の第１変形例に係る半導体装置を示す、図１７と同様の断面図である。

　以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

　本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。

　本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。また、本開示において「ある面Ａが方向Ｂ（の一方側または他方側）を向く」とは、面Ａの方向Ｂに対する角度が９０°である場合に限定されず、面Ａが方向Ｂに対して傾いている場合を含む。

　第１実施形態：
　図１～図６に基づき、本開示の第１実施形態に係る半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、第１リード１Ａ、第２リード１Ｂ、第３リード１Ｃ、半導体素子２、導通部材３、第１放熱体４、導電性接合材６１，６２，６３、接合材６４および封止樹脂７を備える。

　図１は、半導体装置Ａ１０を示す平面図である。図２は、半導体装置Ａ１０を示す底面図である。図３は、半導体装置Ａ１０を示す平面図である。図４は、図３のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。図５は、図３のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。図６は、図３のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。なお、図３は、理解の便宜上、封止樹脂７および第１放熱体４を透過している。これらの図において、透過した封止樹脂７および第１放熱体４を想像線（二点鎖線）で示している。

　半導体装置Ａ１０の説明においては、半導体素子２の厚さ方向（平面視方向）は、「厚さ方向ｚ」と呼ぶ。厚さ方向ｚに対して直交する方向（図１における上下方向）は、「第１方向ｘ」と呼ぶ。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘに対して直交する方向（図１における左右方向）は、「第２方向ｙ」と呼ぶ。図１および図２に示すように、半導体装置Ａ１０は、厚さ方向ｚに見て略矩形状である。また、半導体装置Ａ１０の説明においては、便宜上、図１において図中上側を「第１方向ｘのｘ１側」と呼び、図中下側を「第１方向ｘのｘ２側」と呼ぶ。図１において図中右側を「第２方向ｙのｙ１側」と呼び、図中左側を「第２方向ｙのｙ２側」と呼ぶ。図４～図６において図中上側は本開示の「厚さ方向の一方側」の一例であり、「厚さ方向ｚのｚ１側」と呼び、図中下側は本開示の「厚さ方向の他方側」の一例であり、「厚さ方向ｚのｚ２側」と呼ぶ。

　第１リード１Ａ、第２リード１Ｂおよび第３リード１Ｃは、たとえば、金属板に打ち抜き加工や折り曲げ加工等を施すことにより形成されている。第１リード１Ａ、第２リード１Ｂおよび第３リード１Ｃの構成材料は、たとえば銅（Ｃｕ）およびニッケル（Ｎｉ）のいずれか、またはこれらの合金などからなる。第１リード１Ａ、第２リード１Ｂおよび第３リード１Ｃの厚さは、たとえば０．１ｍｍ～０．３ｍｍである。

　図３に示すように、第１リード１Ａは、第２リード１Ｂおよび第３リード１Ｃに対して、第１方向ｘに離隔して配置されている。第２リード１Ｂおよび第３リード１Ｃは、第２方向ｙに並べられている。第１リード１Ａ、第２リード１Ｂおよび第３リード１Ｃは、厚さ方向ｚに見て、互いに離隔して配置されている。厚さ方向ｚ視におけるサイズは、第１リード１Ａが最大であり、第３リード１Ｃが最小である。

　図３～図６に示すように、第１リード１Ａは、ダイパッド部１１および複数（本実施形態では４つ）の端子部１２を有する。ダイパッド部１１は、たとえば厚さ方向ｚに見て矩形状である。ダイパッド部１１は、第１主面１１１および第１裏面１１２を有する。第１主面１１１は、厚さ方向ｚのｚ１側を向いており、第１裏面１１２は第１主面１１１とは反対側（厚さ方向ｚのｚ１側）を向く。第１主面１１１には、半導体素子２が搭載されている。図２、図４等に示すように、第１裏面１１２は、封止樹脂７から露出している。第１裏面１１２は、半導体装置Ａ１０を図示しない回路基板に実装する際に、はんだなどの接合材によって接合される部位である。

　複数の端子部１２は、ダイパッド部１１に対して第１方向ｘのｘ１側に位置する。複数の端子部１２は、各々、ダイパッド部１１の第１方向ｘのｘ１側につながり、第１方向ｘのｘ１側に延びている。複数の端子部１２は、第２方向ｙに間隔を隔てて配置されている。複数の端子部１２は、各々、裏面実装部１２１を有する。裏面実装部１２１は、厚さ方向ｚのｚ２側（図４における図中下側）を向く。裏面実装部１２１は、封止樹脂７から露出している。裏面実装部１２１は、半導体装置Ａ１０を図示しない回路基板に実装する際に、はんだなどの接合材によって接合される部位である。

　図３および図４に示すように、第２リード１Ｂは、パッド部１３、複数（本実施形態では３つ）の端子部１４および複数（本実施形態では３つ）の屈曲部１５を有する。パッド 部１３は、複数の端子部１４に対して、厚さ方向ｚのｚ１側（図４における図中上側）に位置している。また、パッド部１３は、複数の端子部１４に対して第１方向ｘの内方に位置している。

　複数の端子部１４は、第１リード１Ａのダイパッド部１１に対して第１方向ｘのｘ２側に位置する。複数の端子部１４は、第２方向ｙに間隔を隔てて配置されている。複数の端子部１４は、各々、裏面実装部１４１を有する。裏面実装部１４１は、厚さ方向ｚのｚ２側（図４における図中下側）を向く。裏面実装部１４１は、封止樹脂７から露出している。裏面実装部１４１は、半導体装置Ａ１０を図示しない回路基板に実装する際に、はんだなどの接合材によって接合される部位である。複数の屈曲部１５は、パッド部１３と複数の端子部１４とを各別につないでおり、第２方向ｙに見て屈曲形状である。

　図３および図５に示すように、第３リード１Ｃは、パッド部１６、端子部１７および屈曲部１８を有する。パッド部１６は、端子部１７に対して、厚さ方向ｚのｚ１側（図５における図中上側）に位置している。また、パッド部１６は、端子部１７に対して第１方向ｘの内方に位置している。

　端子部１７は、第１リード１Ａのダイパッド部１１に対して第１方向ｘのｘ２側に位置する。第２リード１Ｂの複数の端子部１４および第３リード１Ｃの端子部１７は、第２方向ｙに間隔を隔てて配置されている。端子部１７は、裏面実装部１７１を有する。裏面実装部１７１は、厚さ方向ｚのｚ２側（図５における図中下側）を向く。裏面実装部１７１は、封止樹脂７から露出している。裏面実装部１７１は、半導体装置Ａ１０を図示しない回路基板に実装する際に、はんだなどの接合材によって接合される部位である。屈曲部１８は、パッド部１６と端子部１７とをつないでおり、第２方向ｙに見て屈曲形状である。

　半導体素子２は、半導体装置Ａ１０の電気的機能を発揮する要素である。半導体素子２の種類は特に限定されず、本実施形態においては、半導体素子２は、たとえばＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）などのスイッチング機能を有するパワー半導体チップである。半導体素子２は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などのスイッチング素子あるいはダイオードでもよい。図３～図５に示すように、半導体素子２は、素子本体２０、ソース電極２１、ドレイン電極２２およびゲート電極２３を有する。

　素子本体２０は、厚さ方向ｚに見て矩形状である。素子本体２０は、素子主面２０１および素子裏面２０２を有する。素子主面２０１および素子裏面２０２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く。素子主面２０１は、厚さ方向ｚにおいてダイパッド部１１の第１主面１１１と同じ側を向く。このため、素子裏面２０２は、第１主面１１１に対向している。

　ソース電極２１およびゲート電極２３は、素子主面２０１上に配置されている。ドレイン電極２２は、素子裏面２０２上に配置されている。ソース電極２１、ドレイン電極２２およびゲート電極２３の構成材料は、たとえば銅およびアルミニウム（Ａｌ）のいずれか、またはこれらの合金などからなる。

　本実施形態において、ソース電極２１は、素子主面２０１の大半を覆っている。具体的には、ソース電極２１は、矩形状の素子主面２０１のうち、周縁部および１つの隅部（図３において図中右下の隅部）を除いた領域に配置されている。ゲート電極２３は、素子主面２０１の１つの隅部（図３において図中右下の隅部）に配置されている。ドレイン電極２２は、素子裏面２０２の略全面を覆っている。

　ドレイン電極２２は、導電性接合材６２を介して第１主面１１１（ダイパッド部１１）に電気的に接合されている。導電性接合材６２は、ダイパッド部１１とドレイン電極２２とを導通接合する。導電性接合材６２は、たとえばはんだである。

　半導体装置Ａ１０は、ワイヤ６８を備える。図３、図５に示すように、ワイヤ６８は、ゲート電極２３と第３リード１Ｃのパッド部１６とに電気的に接合されている。ワイヤ６８は、ゲート電極２３と第３リード１Ｃとを導通接合する。

　図３および図４に示すように、導通部材３は、半導体素子２のソース電極２１と、第２リード１Ｂと、に接合されている。導通部材３は、金属製の板材により構成される。当該導通部材３の構成材料は、たとえば銅または銅合金である。導通部材３は、たとえば打ち抜き加工や曲げ加工がなされた金属製の板材である。本実施形態において、導通部材３は、導電部３１、リード側接合部３２および中間部３３を有する。図４に示すように、導電部３１、リード側接合部３２および中間部３３は、第２方向ｙに見て適宜屈曲してつながっている。

　導電部３１は、半導体素子２の厚さ方向ｚのｚ１側に配置されている。導電部３１は、導電性接合材６１を介してソース電極２１に接合されている。導電性接合材６１は、導電部３１（導通部材３）とソース電極２１とを導通接合する。導電性接合材６１は、たとえばはんだである。導電部３１は、導電主面３１１を有する。導電主面３１１は、厚さ方向ｚのｚ１側を向く。

　リード側接合部３２は、導電性接合材６３を介して第２リード１Ｂのパッド部１３に接合されている。導電性接合材６３は、リード側接合部３２（導通部材３）とパッド部１３（第２リード１Ｂ）とを導通接合する。導電性接合材６３は、たとえばはんだである。図４に示すように、リード側接合部３２は、周囲よりも厚さ方向ｚのｚ２側（図中下側）に位置する凸部を有する。パッド部１３とリード側接合部３２との接合時には、当該凸部がパッド部１３に押し付けられつつ、前記凸部の周囲には十分な量の導電性接合材６３が存在する。これにより、リード側接合部３２とパッド部１３との導通が適切に維持される。

　中間部３３は、第１方向ｘにおいて導電部３１およびリード側接合部３２の間に位置する。中間部３３は、導電部３１およびリード側接合部３２の双方につながっている。これにより、導電部３１は、中間部３３、リード側接合部３２を介してパッド部１３（第２リード１Ｂ）に導通している。導通部材３は、半導体素子２によってスイッチングされる主電流の経路を構成する。

　本実施形態において、導電部３１は、リード側接合部３２および中間部３３よりも厚さが大である。中間部３３は、導電部３１と一体的に形成されている。図示した例では、図３、図４に示すように、中間部３３は、導電部３１の第２方向ｙのｙ２側寄りで、且つ厚さ方向ｚのｚ２側の端部につながり、第１方向ｘのｘ２側に延びている。なお、導電部３１を有する導通部材３は、上記構成に限定されない。導通部材３は、導電部３１、リード側接合部３２および中間部３３それぞれの厚さが略均一な構成であってもよい。

　第１放熱体４は、導電部３１の厚さ方向ｚのｚ１側に配置されている。第１放熱体４は、導電主面３１１（導電部３１）に固定されている。本実施形態では、第１放熱体４は、互いに積層された第１絶縁層４１、第１金属層４２および第２金属層４３を含む。第１放熱体４は、たとえばＤＢＣ（Direct Bonded Copper）基板から構成される。

　第１絶縁層４１は、熱伝導率が比較的高い材料により構成され、たとえばセラミックスからなる。第１絶縁層４１の構成材料は特に限定されず、たとえばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）などが挙げられる。第１絶縁層４１は、セラミックスの他、絶縁樹脂シートからなる構成でもよい。第１絶縁層４１は、厚さ方向ｚに見て矩形状である。

　第１金属層４２は、第１絶縁層４１の厚さ方向ｚのｚ１側に積層されている。第１金属層４２の構成材料は特に限定されず、たとえば銅を含む。当該第１金属層４２の構成材料は、銅ではなくアルミニウムを含んでいてもよい。

　第２金属層４３は、第１絶縁層４１の厚さ方向ｚのｚ２側に積層されている。第２金属層４３の構成材料は、第１金属層４２の構成材料と同じである。第２金属層４３は、接合材６４を介して導電主面３１１（導電部３１）に接合されている。導電主面３１１は、第２金属層４３（第１放熱体４）が固定される固定部位の一例である。接合材６４は、導電性でも絶縁性でもよいが、たとえばはんだが用いられる。

　上記の第１金属層４２および第２金属層４３は、それぞれ厚さ方向ｚに見て矩形状である。第１絶縁層４１は、平面視（厚さ方向ｚ視）のサイズが第１金属層４２および第２金属層４３の各々よりも大である。第１絶縁層４１は、厚さ方向ｚに見て、第１金属層４２、第２金属層４３、および導通部材３の導電部３１の各々と重なる。図示した例では、第１絶縁層４１は、厚さ方向ｚに見て、第１金属層４２、第２金属層４３、および導電部３１の各々のすべてと重なる。

　上記の第１金属層４２は、第１放熱面４２１を有する。第１放熱面４２１は、厚さ方向ｚのｚ１側を向く。第１放熱面４２１は、封止樹脂７から露出している。

　封止樹脂７は、第１リード１Ａ、第２リード１Ｂおよび第３リード１Ｃの一部ずつと、半導体素子２と、ワイヤ６８と、導通部材３と、第１放熱体４の一部とを覆っている。封止樹脂７は、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。上記の第１放熱体４（第１絶縁層４１、第１金属層４２および第２金属層４３の各々）の熱伝導率は、封止樹脂７の熱伝導率よりも高い。

　図１、図２、図４および図６に示すように、封止樹脂７は、樹脂主面７１、樹脂裏面７２および樹脂側面７３～７６を有する。樹脂主面７１および樹脂裏面７２は、厚さ方向ｚにおいて反対側を向いている。樹脂主面７１は、厚さ方向ｚのｚ１側を向いており、素子主面２０１および第１主面１１１と同じ側を向く。図１に示すように、樹脂主面７１は、平面視（厚さ方向ｚ視）において第１放熱体４の第１金属層４２の第１放熱面４２１を囲む枠状である。この樹脂主面７１から、第１放熱面４２１が露出している。図示した例では、第１放熱面４２１は、樹脂主面７１と面一である。なお、第１放熱面４２１は、図示した例と異なり、樹脂主面７１よりも厚さ方向ｚのｚ１側に位置してもよい。この場合、第１放熱面４２１を含む第１金属層４２は、樹脂主面７１から厚さ方向ｚのｚ１側に突き出ている。また、第１放熱面４２１は、樹脂主面７１より厚さ方向ｚのｚ２側に位置してもよい。この場合、第１放熱面４２１を含む第１金属層４２は、樹脂主面７１から厚さ方向ｚのｚ２側に凹んだ位置にある。

　樹脂裏面７２は、厚さ方向ｚのｚ２側を向いており、素子裏面２０２および第１裏面１１２と同じ側を向く。図２に示すように、この樹脂裏面７２からダイパッド部１１の第１裏面１１２が露出している。第１裏面１１２は、たとえば樹脂裏面７２と面一である。また、樹脂裏面７２から、複数の端子部１２の各々の裏面実装部１２１、複数の端子部１４の各々の裏面実装部１４１、および端子部１７の裏面実装部１７１が露出している。なお、ダイパッド部１１の第１裏面１１２は、図示した例と異なり、封止樹脂７に覆われていてもよい。

　樹脂側面７３～７６の各々は、樹脂主面７１および樹脂裏面７２につながるとともに、厚さ方向ｚにおいて樹脂主面７１と樹脂裏面７２とに挟まれている。樹脂側面７３および樹脂側面７４は、第１方向ｘにおいて互いに反対側を向く。樹脂側面７３は第１方向ｘのｘ１側を向いており、樹脂側面７４は第１方向ｘのｘ２側を向いている。樹脂側面７５および樹脂側面７６は、第２方向ｙにおいて互いに反対側を向く。樹脂側面７５は第２方向ｙのｙ１側を向いており、樹脂側面７６は第２方向ｙのｙ２側を向いている。図１に示すように、樹脂側面７３から、複数の端子部１２の各々の一部が突出している。また、樹脂側面７４から、複数の端子部１４、および端子部１７の各々の一部が突出している。図示した例では、樹脂側面７３～７６は、各々、厚さ方向ｚに対して若干傾斜している。なお、図１、図２、図４～図６に示す封止樹脂７の形状は一例である。封止樹脂７の形状は、例示された形状に限定されない。

　次に、本実施形態の作用について説明する。

　半導体装置Ａ１０は、ダイパッド部１１（第１リード１Ａ）の第１主面１１１に支持された半導体素子２と、半導体素子２の厚さ方向ｚのｚ１側に導通接合された導電部３１と、導電部３１の厚さ方向ｚのｚ１側に固定された第１放熱体４と、を備える。第１放熱体４は、厚さ方向ｚのｚ１側を向く第１放熱面４２１を有し、当該第１放熱面４２１は、封止樹脂７の樹脂主面７１から露出している。第１放熱体４の熱伝導率は、封止樹脂７の熱伝導率よりも高い。このような構成によれば、半導体素子２で発生した熱を、導電部３１および第１放熱体４を介して第１放熱面４２１から逃がすことができる。第１放熱面４２１は、第１リード１Ａ（ダイパッド部１１）の実装面である第１裏面１１２とは反対側を向いている。この第１放熱面４２１に図示しないヒートシンク等を密着させて取り付けることにより、半導体素子２で発生した熱を、半導体素子２に対してダイパッド部１１とは反対側（厚さ方向ｚのｚ１側）から効率よく逃がすことができる。また、第１放熱体４は、厚さ方向ｚのｚ１側に見て導電部３１と重なる第１絶縁層４１を含む。上記構成の半導体装置Ａ１０によれば、放熱性の向上および耐電圧性の向上を図ることができる。

　第１放熱体４は、互いに積層された第１絶縁層４１、第１金属層４２および第２金属層４３を含む。第１金属層４２は、第１絶縁層４１の厚さ方向ｚのｚ１側に積層されており、第１放熱面４２１を有する。第２金属層４３は第１絶縁層４１の厚さ方向ｚのｚ２側に積層されており、導電主面３１１（導電部３１）に接合されている。上記構成の第１放熱体４は、たとえばＤＢＣ基板により構成することが可能である。この第１放熱体４を備えた半導体装置Ａ１０は、放熱性の向上および耐電圧性の向上を図るのに適した構造である。

　第１放熱体４の第１絶縁層４１は、厚さ方向ｚに見て、導電部３１において第１放熱体４が固定される導電主面３１１のすべてと重なる。このような構成は、半導体装置Ａ１０の耐電圧性の向上を図る上でより好ましい。

　第１実施形態の第１変形例：
　図７は、第１実施形態の第１変形例に係る半導体装置を示している。図７は、本変形例の半導体装置Ａ１１を示す断面図であり、上記実施形態において示した図４と同様の断面を表す。なお、図７以降の図面において、上記実施形態の半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付しており、適宜説明を省略する。

　本変形例の半導体装置Ａ１１においては、第１放熱体４の構成が上記実施形態の半導体装置Ａ１０と異なっている。本変形例において、第１放熱体４は、導体板４４および第１絶縁層４５を含む。導体板４４は、たとえば金属製の板材により構成される。当該導体板４４の構成材料は、たとえば銅または銅合金である。導体板４４は、厚さ方向ｚに見て矩形状である。導体板４４の下面（厚さ方向ｚのｚ２側を向く面）は、接合材６４を介して導電主面３１１（導電部３１）に接合されている。

　第１絶縁層４５は、導体板４４の厚さ方向ｚのｚ１側に配置されており、導体板４４に接合されている。第１絶縁層４５は、たとえば厚さ方向ｚに見て矩形状である。第１絶縁層４５は、厚さ方向ｚに見て、導体板４４のすべて、および導電主面３１１のすべてと重なる。第１絶縁層４５は、導体板４４の上面（厚さ方向ｚのｚ１側を向く面）の全体と、封止樹脂７の樹脂主面７１の一部とを覆っている。第１絶縁層４５は、熱伝導率が比較的高い材料により構成される。第１絶縁層４５の構成は特に限定されず、たとえばセラミックスシートあるいは絶縁樹脂シートからなる。

　第１絶縁層４５は、厚さ方向ｚのｚ１側を向く第１放熱面４５１を有する。第１放熱面４５１は、封止樹脂７から露出している。図示した例では、第１放熱面４５１は、封止樹脂７の樹脂主面７１よりも厚さ方向ｚのｚ１側に位置する。上記の第１放熱体４（導体板４４および第１絶縁層４５の各々）の熱伝導率は、封止樹脂７の熱伝導率よりも高い。

　半導体装置Ａ１１は、ダイパッド部１１（第１リード１Ａ）の第１主面１１１に支持された半導体素子２と、半導体素子２の厚さ方向ｚのｚ１側に導通接合された導電部３１と、導電部３１の厚さ方向ｚのｚ１側に固定された第１放熱体４と、を備える。第１放熱体４は、厚さ方向ｚのｚ１側を向く第１放熱面４５１を有し、当該第１放熱面４５１は、封止樹脂７の樹脂主面７１から露出している。第１放熱体４の熱伝導率は、封止樹脂７の熱伝導率よりも高い。このような構成によれば、半導体素子２で発生した熱を、導電部３１および第１放熱体４を介して第１放熱面４５１から逃がすことができる。第１放熱面４５１は、第１リード１Ａ（ダイパッド部１１）の実装面である第１裏面１１２とは反対側を向いている。この第１放熱面４５１に図示しないヒートシンク等を密着させて取り付けることにより、半導体素子２で発生した熱を、半導体素子２に対してダイパッド部１１とは反対側（厚さ方向ｚのｚ１側）から効率よく逃がすことができる。また、第１放熱体４は、厚さ方向ｚのｚ１側に見て導電部３１と重なる第１絶縁層４５を含む。上記構成の半導体装置Ａ１１によれば、放熱性の向上および耐電圧性の向上を図ることができる。

　第１放熱体４の第１絶縁層４５は、厚さ方向ｚに見て、導電部３１において第１放熱体４が固定される導電主面３１１のすべてと重なる。このような構成は、半導体装置Ａ１１の耐電圧性の向上を図る上でより好ましい。

　第１実施形態の第２変形例：
　図８～図１２は、第１実施形態の第２変形例に係る半導体装置を示している。図８は、本変形例の半導体装置Ａ１２を示す平面図である。図９は、本変形例の半導体装置Ａ１２を示す平面図（封止樹脂および第１放熱体を透過）である。図１０は、図９のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。図１１は、図９のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。図１２は、図９のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。

　本変形例において、第１放熱体４および導通部材３の構成が上記実施形態の半導体装置Ａ１０と異なっている。本変形例において、第１放熱体４は、第１絶縁層４６および第３金属層４７を含む。導通部材３は、導電部３５、リード側接合部３６および中間部３７を有する。第１放熱体４は、導通部材３（導電部３５）の厚さ方向ｚのｚ１側に配置されている。

　第１放熱体４において、第１絶縁層４６は、熱伝導率が比較的高い材料により構成され、たとえばセラミックスからなる。第１絶縁層４６の構成材料は特に限定されず、たとえばアルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などが挙げられる。第１絶縁層４６は、セラミックスの他、絶縁樹脂シートからなる構成でもよい。第１絶縁層４６は、厚さ方向ｚに見て矩形状である。

　第３金属層４７は、第１絶縁層４６の厚さ方向ｚのｚ１側に積層されている。第３金属層４７の構成材料は特に限定されず、たとえば銅を含む。当該第３金属層４７の構成材料は、銅ではなくアルミニウムを含んでいてもよい。第３金属層４７は、厚さ方向ｚに見て矩形状である。第３金属層４７は、第１放熱面４７１を有する。第１放熱面４７１は、厚さ方向ｚのｚ１側を向く。第１放熱面４７１は、封止樹脂７の樹脂主面７１から露出している。図示した例では、第１放熱面４７１は、樹脂主面７１と面一である。上記の第１放熱体４（第１絶縁層４６および第３金属層４７の各々）の熱伝導率は、封止樹脂７の熱伝導率よりも高い。

　導通部材３（導電部３５、リード側接合部３６および中間部３７）は、第１絶縁層４５の厚さ方向ｚのｚ２側に積層されている。導通部材３の構成材料は、第３金属層４７の構成材料と同じである。上記の第１放熱体４（第１絶縁層４６および第３金属層４７）、および導通部材３は、たとえばＤＢＣ基板から構成される。

　導電部３５は、導電性接合材６１を介して半導体素子２のソース電極２１に接合されている。導電性接合材６１は、導電部３５（導通部材３）とソース電極２１とを導通接合する。導電性接合材６１は、たとえばはんだである。導電部３５は、導電主面３５１を有する。導電主面３５１は、厚さ方向ｚのｚ１側を向く。導電主面３５１は、第１絶縁層４６（第１放熱体４）が固定される固定部位の一例である。

　リード側接合部３６は、導電性接合材６３を介して第２リード１Ｂのパッド部１３に接合されている。導電性接合材６３は、リード側接合部３２（導通部材３）とパッド部１３（第２リード１Ｂ）とを導通接合する。導電性接合材６３は、たとえばはんだである。

　中間部３７は、第１方向ｘにおいて導電部３５およびリード側接合部３６の間に位置する。中間部３７は、導電部３５およびリード側接合部３６の双方につながっている。これにより、導電部３５は、中間部３７、リード側接合部３６を介してパッド部１３（第２リード１Ｂ）に導通している。導通部材３は、半導体素子２によってスイッチングされる主電流の経路を構成する。図示した例では、図９、図１０に示すように、中間部３７は、導電部３５の第２方向ｙのｙ２側寄りにつながり、第１方向ｘのｘ２側に延びている。

　本変形例の半導体装置Ａ１２は、上記実施形態のワイヤ６８に代えて、導通部材６９を備える。図９、図１１に示すように、導通部材６９は、半導体素子２のゲート電極２３と、第３リード１Ｃと、に接合されている。導通部材６９は、たとえば金属製の板材により構成される。当該導通部材６９の構成材料は、たとえば銅または銅合金である。導通部材６９は、たとえば打ち抜き加工や曲げ加工がなされた金属製の板材である。本実施形態において、導通部材６９は、素子側接合部６９１、リード側接合部６９２および中間部６９３を有する。図１１に示すように、素子側接合部６９１、リード側接合部６９２および中間部６９３は、第２方向ｙに見て適宜屈曲してつながっている。

　素子側接合部６９１は、導電性接合材６５を介してゲート電極２３に接合されている。導電性接合材６５は、素子側接合部６９１とゲート電極２３とを導通接合する。導電性接合材６５は、たとえばはんだである。リード側接合部６９２は、導電性接合材６６を介して第３リード１Ｃのパッド部１６に接合されている。導電性接合材６６は、リード側接合部６９２（導通部材６９）とパッド部１６（第３リード１Ｃ）とを導通接合する。導電性接合材６６は、たとえばはんだである。中間部６９３は、第１方向ｘにおいて素子側接合部６９１およびリード側接合部６９２の間に位置する。中間部６９３は、素子側接合部６９１およびリード側接合部６９２の双方につながっている。これにより、素子側接合部６９１は、中間部６９３、リード側接合部６９２を介してパッド部１６（第３リード１Ｃ）に導通している。

　図９～図１２から理解されるように、上記第１放熱体４の第１絶縁層４６は、平面視（厚さ方向ｚ視）のサイズが第３金属層４７および導電部３５の各々よりも大である。第１絶縁層４６は、厚さ方向ｚに見て、第３金属層４７、および導通部材３（導電部３５）の各々と重なる。図示した例では、第１絶縁層４６は、厚さ方向ｚに見て、第３金属層４７および導電部３５の各々のすべてと重なる。

　半導体装置Ａ１２は、ダイパッド部１１（第１リード１Ａ）の第１主面１１１に支持された半導体素子２と、半導体素子２の厚さ方向ｚのｚ１側に導通接合された導電部３５と、導電部３１の厚さ方向ｚのｚ１側に固定された第１放熱体４と、を備える。第１放熱体４は、厚さ方向ｚのｚ１側を向く第１放熱面４７１を有し、当該第１放熱面４７１は、封止樹脂７の樹脂主面７１から露出している。第１放熱体４の熱伝導率は、封止樹脂７の熱伝導率よりも高い。このような構成によれば、半導体素子２で発生した熱を、導電部３５および第１放熱体４を介して第１放熱面４７１から逃がすことができる。第１放熱面４７１は、第１リード１Ａ（ダイパッド部１１）の実装面である第１裏面１１２とは反対側を向いている。この第１放熱面４７１に図示しないヒートシンク等を密着させて取り付けることにより、半導体素子２で発生した熱を、半導体素子２に対してダイパッド部１１とは反対側（厚さ方向ｚのｚ１側）から効率よく逃がすことができる。また、第１放熱体４は、厚さ方向ｚのｚ１側に見て導電部３５と重なる第１絶縁層４６を含む。上記構成の半導体装置Ａ１２によれば、放熱性の向上および耐電圧性の向上を図ることができる。

　第１放熱体４は、第１絶縁層４６および第３金属層４７を含む。第３金属層４７は、第１絶縁層４６の厚さ方向ｚのｚ１側に積層されており、第１放熱面４７１を有する。導電部３５は第１絶縁層４６の厚さ方向ｚのｚ２側に積層されている。上記構成の第１放熱体４および導通部材３は、たとえばＤＢＣ基板により構成することが可能である。この第１放熱体４および導通部材３を備えた半導体装置Ａ１２は、放熱性の向上および耐電圧性の向上を図るのに適した構造である。

　第１放熱体４の第１絶縁層４６は、厚さ方向ｚに見て、導電部３５において第１放熱体４が固定される導電主面３５１のすべてと重なる。このような構成は、半導体装置Ａ１２の耐電圧性の向上を図る上でより好ましい。

　第２実施形態：
　図１３～図１９は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示している。図１３は、本実施形態の半導体装置Ａ２０を示す平面図である。図１４は、半導体装置Ａ２０を示す底面図である。図１５は、半導体装置Ａ２０を示す平面図（封止樹脂および第１放熱体を透過）である。図１６は、図１５のＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿う断面図である。図１７は、図１５のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。図１８は、図１５のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図１９は、図１５のＸＩＸ－ＸＩＸ線に沿う断面図である。半導体装置Ａ２０は、第１リード１Ａ、複数のリード端子１９１、複数のリード端子１９２、複数の半導体素子２、複数の導通部材３、第１放熱体４、第２放熱体５、導電性接合材６１，６２，６３、接合材６４，６７１および封止樹脂７を備える。

　図１５、図１６に示すように、第１リード１Ａは、ダイパッド部１１、延出部１２５および端子部１２６を有する。ダイパッド部１１の第１裏面１１２は、封止樹脂７から露出する。その一方、本実施形態では、この第１裏面１１２に後述する第２放熱体５の第４金属層５２が接合されている。

　延出部１２５は、ダイパッド部１１に対して第１方向ｘのｘ２側に位置する。延出部１２５は、ダイパッド部１１の第１方向ｘのｘ２側につながり、第１方向ｘのｘ２側に延びている。延出部１２５は、ダイパッド部１１の第２方向ｙの中央につながる。端子部１２６は、延出部１２５の第１方向ｘのｘ２側につながり、第１方向ｘのｘ２側に延びている。端子部１２６の一部は、封止樹脂７から露出している。端子部１２６において封止樹脂７から露出する部分は、樹脂側面７４から第１方向ｘのｘ２側に延びている。

　複数（本実施形態では２つ）のリード端子１９１は、それぞれ第１方向ｘに延びている。２つのリード端子１９１は、第２方向ｙにおいて端子部１２６を挟んで両側に配置されている。各リード端子１９１の一部は、封止樹脂７から露出している。リード端子１９１において封止樹脂７から露出する部分は、樹脂側面７４から第１方向ｘのｘ２側に延びている。

　複数（本実施形態では２つ）のリード端子１９２は、それぞれ第１方向ｘに延びている。２つのリード端子１９２は、第２方向ｙにおいて端子部１２６および２つのリード端子１９１を挟んで両側に配置されている。各リード端子１９２の一部は、封止樹脂７から露出している。リード端子１９２において封止樹脂７から露出する部分は、樹脂側面７４から第１方向ｘのｘ２側に延びている。図１５～図１８に示すように、端子部１２６、複数のリード端子１９１および複数のリード端子１９２それぞれの封止樹脂７から露出する部分は、厚さ方向ｚにおける位置が揃っており、第２方向ｙに見て互いに重なっている。

　複数（本実施形態では２つ）の半導体素子２は、ダイパッド部１１の第１主面１１１に支持されており、第２方向ｙにおいて互いに離隔して配置されている。複数（２つ）の半導体素子２の種類は特に限定されず、本実施形態においては、半導体素子２は、たとえばＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）などのスイッチング機能を有するパワー半導体チップである。なお、半導体素子２は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などのスイッチング素子あるいはダイオードでもよい。図１５、図１７～図１９に示すように、半導体素子２は、素子本体２０、ソース電極２１、ドレイン電極２２およびゲート電極２３を有する。各半導体素子２の構成は、上記実施形態と同様である。

　ソース電極２１は、素子主面２０１の大半を覆っている。具体的には、ソース電極２１は、矩形状の素子主面２０１のうち、周縁部および１つの隅部を除いた領域に配置されている。ゲート電極２３は、素子主面２０１の１つの隅部に配置されている。ドレイン電極２２は、素子裏面２０２の略全面を覆っている。

　２つの半導体素子２の各々のドレイン電極２２は、導電性接合材６２を介して第１主面１１１（ダイパッド部１１）に電気的に接合されている。導電性接合材６２は、ダイパッド部１１とドレイン電極２２とを導通接合する。各ドレイン電極２２は、ダイパッド部１１および延出部１２５を介して端子部１２６に導通する。

　半導体装置Ａ１０は、複数（２つ）のワイヤ６８を備える。図１５、図１８に示すように、ワイヤ６８は、２つの半導体素子２のいずれかのゲート電極２３と２つのリード端子１９２のいずれかとに電気的に接合されている。ワイヤ６８は、ゲート電極２３とリード端子１９２とを導通接合する。

　図１５および図１７に示すように、２つの導通部材３は、２つの半導体素子２に個別に対応して配置される。各導通部材３は、半導体素子２のソース電極２１と、リード端子１９１と、に接合されている。導通部材３は、金属製の板材により構成される。当該導通部材３の構成材料は、たとえば銅または銅合金である。導通部材３は、たとえば打ち抜き加工や曲げ加工がなされた金属製の板材である。導通部材３は、導電部３１、リード側接合部３２および中間部３３を有する。図１７に示すように、導電部３１、リード側接合部３２および中間部３３は、第２方向ｙに見て適宜屈曲してつながっている。

　導電部３１は、半導体素子２の厚さ方向ｚのｚ１側に配置されている。導電部３１は、導電性接合材６１を介してソース電極２１に接合されている。導電性接合材６１は、導電部３１（導通部材３）とソース電極２１とを導通接合する。導電部３１は、厚さ方向ｚのｚ１側を向く導電主面３１１を有する。

　リード側接合部３２は、導電性接合材６３を介してリード端子１９１の第１方向ｘのｘ１側の端部に接合されている。導電性接合材６３は、リード側接合部３２（導通部材３）とリード端子１９１とを導通接合する。

　中間部３３は、第１方向ｘにおいて導電部３１およびリード側接合部３２の間に位置する。中間部３３は、導電部３１およびリード側接合部３２の双方につながっている。導電部３１は、中間部３３、リード側接合部３２を介してリード端子１９１に導通している。これにより。各ソース電極２１は、導通部材３を介してリード端子１９１に導通する。

　第１放熱体４は、導電部３１の厚さ方向ｚのｚ１側に配置されている。第１放熱体４は、導電主面３１１（導電部３１）に固定されている。本実施形態では、第１放熱体４は、互いに積層された第１絶縁層４１、第１金属層４２および第２金属層４３を含む。第１放熱体４は、たとえばＤＢＣ（Direct Bonded Copper）基板から構成される。第１放熱体４の構成は、上記実施形態の半導体装置Ａ１０における第１放熱体４と同様である。

　第１絶縁層４１の厚さ方向ｚのｚ２側に積層された第２金属層４３は、接合材６４を介して、２つの導通部材３の各々の導電主面３１１（導電部３１）に接合されている。導電主面３１１は、第２金属層４３（第１放熱体４）が固定される固定部位の一例である。接合材６４は、導電性でも絶縁性でもよいが、たとえばはんだが用いられる。第１金属層４２は、第１放熱面４２１を有する。第１放熱面４２１は、厚さ方向ｚのｚ１側を向く。第１放熱面４２１は、封止樹脂７から露出している。

　上記の第１絶縁層４１、第１金属層４２および第２金属層４３は、それぞれ厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙを長手方向とする長矩形状である。第１絶縁層４１は、平面視（厚さ方向ｚ視）のサイズが第１金属層４２および第２金属層４３の各々よりも大である。第１絶縁層４１は、厚さ方向ｚに見て、第１金属層４２および第２金属層４３の各々と、２つの導通部材３の各々の導電部３１と重なる。図示した例では、第１絶縁層４１は、厚さ方向ｚに見て、第１金属層４２、第２金属層４３、および導電部３１の各々のすべてと重なる。なお、図示した例では、第２金属層４３は、２つの半導体素子２が並ぶ第２方向ｙに長状の単一領域として設けられ、当該単一領域の第２金属層４３が２つの導通部材３の各々の導電主面３１１（導電部３１）に接合されていたが、これに限定されない。第２金属層４３は、接合される２つの導通部材３の各導電部３１に対応させて、互いに分離した複数（２つ）の領域により構成してもよい。

　図１５～図１９に示すように、第２放熱体５は、ダイパッド部１１の厚さ方向ｚのｚ２側に配置されている。第２放熱体５は、第１裏面１１２（ダイパッド部１１）に固定されている。本実施形態では、第２放熱体５は、互いに積層された第２絶縁層５１、第４金属層５２および第５金属層５３を含む。第２放熱体５は、たとえばＤＢＣ（Direct Bonded Copper）基板から構成される。

　第２絶縁層５１は、熱伝導率が比較的高い材料により構成され、たとえばセラミックスからなる。第２絶縁層５１の構成材料は特に限定されず、たとえばアルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などが挙げられる。第２絶縁層５１は、セラミックスの他、絶縁樹脂シートからなる構成でもよい。第２絶縁層５１は、厚さ方向ｚに見て矩形状である。

　第４金属層５２は、第２絶縁層５１の厚さ方向ｚのｚ１側に積層されている。第４金属層５２の構成材料は特に限定されず、たとえば銅を含む。当該第４金属層５２の構成材料は、銅ではなくアルミニウムを含んでいてもよい。第４金属層５２は、接合材６７１を介して第１裏面１１２（ダイパッド部１１）に接合されている。接合材６７１は、導電性でも絶縁性でもよいが、たとえばはんだが用いられる。

　第５金属層５３は、第２絶縁層５１の厚さ方向ｚのｚ２側に積層されている。第５金属層５３の構成材料は、第４金属層５２の構成材料と同じである。第５金属層５３は、第２放熱面５３１を有する。第２放熱面５３１は、厚さ方向ｚのｚ２側を向く。第２放熱面５３１は、封止樹脂７の樹脂裏面７２から露出している。

　上記の第２絶縁層５１、第４金属層５２および第５金属層５３は、それぞれ厚さ方向ｚに見て矩形状である。第２絶縁層５１は、平面視（厚さ方向ｚ視）のサイズが第４金属層５２および第５金属層５３の各々よりも大である。第２絶縁層５１は、厚さ方向ｚに見て、第４金属層５２、第５金属層５３、およびダイパッド部１１（第１裏面１１２）の各々と重なる。図示した例では、第２絶縁層５１は、厚さ方向ｚに見て、第４金属層５２、第５金属層５３、およびダイパッド部１１（第１裏面１１２）の各々のすべてと重なる。上記の第２放熱体５（第２絶縁層５１、第４金属層５２および第５金属層５３の各々）の熱伝導率は、封止樹脂７の熱伝導率よりも高い。

　封止樹脂７は、第１リード１Ａ、複数のリード端子１９１および複数のリード端子１９２の一部ずつと、半導体素子２と、複数のワイヤ６８と、導通部材３と、第１放熱体４および第２放熱体５の一部ずつと、を覆っている。封止樹脂７は、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。

　図１３、図１４、図１６～図１９に示すように、封止樹脂７は、樹脂主面７１、樹脂裏面７２および樹脂側面７３～７６を有する。樹脂主面７１および樹脂裏面７２は、厚さ方向ｚにおいて反対側を向いている。樹脂主面７１は、厚さ方向ｚのｚ１側を向いており、素子主面２０１および第１主面１１１と同じ側を向く。図１３に示すように、樹脂主面７１は、平面視（厚さ方向ｚ視）において第１放熱体４の第１金属層４２の第１放熱面４２１を囲む枠状である。この樹脂主面７１から、第１放熱面４２１が露出している。図示した例では、第１放熱面４２１は、樹脂主面７１と面一である。なお、第１放熱面４２１は、図示した例と異なり、樹脂主面７１よりも厚さ方向ｚのｚ１側に位置してもよい。この場合、第１放熱面４２１を含む第１金属層４２は、樹脂主面７１から厚さ方向ｚのｚ１側に突き出ている。また、第１放熱面４２１は、樹脂主面７１より厚さ方向ｚのｚ２側に位置してもよい。この場合、第１放熱面４２１を含む第１金属層４２は、樹脂主面７１から厚さ方向ｚのｚ２側に凹んだ位置にある。

　樹脂裏面７２は、厚さ方向ｚのｚ２側を向いており、素子裏面２０２および第１裏面１１２と同じ側を向く。図１４に示すように、樹脂裏面７２は、平面視（厚さ方向ｚ視）において第２放熱体５の第５金属層５３の第２放熱面５３１を囲む枠状である。この樹脂裏面７２から第２放熱面５３１が露出している。第２放熱面５３１は、たとえば樹脂裏面７２と面一である。

　樹脂側面７３～７６の各々は、樹脂主面７１および樹脂裏面７２につながるとともに、厚さ方向ｚにおいて樹脂主面７１と樹脂裏面７２とに挟まれている。樹脂側面７３および樹脂側面７４は、第１方向ｘにおいて互いに反対側を向く。樹脂側面７３は第１方向ｘのｘ１側を向いており、樹脂側面７４は第１方向ｘのｘ２側を向いている。樹脂側面７５および樹脂側面７６は、第２方向ｙにおいて互いに反対側を向く。樹脂側面７５は第２方向ｙのｙ１側を向いており、樹脂側面７６は第２方向ｙのｙ２側を向いている。図１３に示すように、樹脂側面７３から、端子部１２６、複数のリード端子１９１および複数のリード端子１９２の各々の一部が突出している。図示した例では、樹脂側面７３～７６は、各々、厚さ方向ｚに対して若干傾斜している。なお、図１３、図１４、図１６～図１９に示す封止樹脂７の形状は一例である。封止樹脂７の形状は、例示された形状に限定されない。

　次に、本実施形態の作用について説明する。

　半導体装置Ａ２０は、ダイパッド部１１（第１リード１Ａ）の第１主面１１１に支持された複数の半導体素子２と、半導体素子２の厚さ方向ｚのｚ１側に導通接合された導電部３１と、導電部３１の厚さ方向ｚのｚ１側に固定された第１放熱体４と、を備える。第１放熱体４は、厚さ方向ｚのｚ１側を向く第１放熱面４２１を有し、当該第１放熱面４２１は、封止樹脂７の樹脂主面７１から露出している。第１放熱体４の熱伝導率は、封止樹脂７の熱伝導率よりも高い。このような構成によれば、複数の半導体素子２で発生した熱を、導電部３１および第１放熱体４を介して第１放熱面４２１から逃がすことができる。この第１放熱面４２１に図示しないヒートシンク等を密着させて取り付けることにより、複数の半導体素子２で発生した熱を、半導体素子２に対してダイパッド部１１とは反対側（厚さ方向ｚのｚ１側）から効率よく逃がすことができる。また、第１放熱体４は、厚さ方向ｚのｚ１側に見て導電部３１と重なる第１絶縁層４１を含む。上記構成の半導体装置Ａ１０によれば、放熱性の向上および耐電圧性の向上を図ることができる。

　半導体装置Ａ２０は、第２放熱体５をさらに備える。第２放熱体５は、ダイパッド部１１の第１裏面１１２（厚さ方向ｚのｚ２側を向く面）に固定されている。第２放熱体５は、厚さ方向ｚのｚ２側を向く第２放熱面５３１を有し、当該第２放熱面５３１は、封止樹脂７の樹脂裏面７２から露出している。第２放熱体５の熱伝導率は、封止樹脂７の熱伝導率よりも高い。このような構成によれば、複数の半導体素子２で発生した熱を、ダイパッド部１１および第２放熱体５を介して第２放熱面５３１から逃がすことができる。この第２放熱面５３１に図示しないヒートシンク等を密着させて取り付けることにより、複数の半導体素子２で発生した熱を、ダイパッド部１１側（厚さ方向ｚのｚ２側）から効率よく逃がすことができる。また、第２放熱体５は、厚さ方向ｚのｚ１側に見てダイパッド部１１と重なる第２絶縁層５１を含む。上記の第２放熱体５を備えた半導体装置Ａ２０によれば、放熱性の向上および耐電圧性の向上を図るうえで、より好ましい。

　第１放熱体４は、互いに積層された第１絶縁層４１、第１金属層４２および第２金属層４３を含む。第１金属層４２は、第１絶縁層４１の厚さ方向ｚのｚ１側に積層されており、第１放熱面４２１を有する。第２金属層４３は第１絶縁層４１の厚さ方向ｚのｚ２側に積層されており、導電主面３１１（導電部３１）に接合されている。また、第２放熱体５は、互いに積層された第２絶縁層５１、第４金属層５２および第５金属層５３を含む。第４金属層５２は、第２絶縁層５１の厚さ方向ｚのｚ１側に積層されており、ダイパッド部１１の第１裏面１１２に接合されている。第５金属層５３は、第２絶縁層５１の厚さ方向ｚのｚ２側に積層されており、第２放熱面５３１を有する。上記構成の第１放熱体４および第２放熱体５はそれぞれ、たとえばＤＢＣ基板により構成することが可能である。上記の第１放熱体４および第２放熱体５を備えた半導体装置Ａ２０は、放熱性の向上および耐電圧性の向上を図るのに適した構造である。

　第１放熱体４の第１絶縁層４１は、厚さ方向ｚに見て、導電部３１において第１放熱体４が固定される導電主面３１１のすべてと重なる。また、第２放熱体５の第２絶縁層５１は、厚さ方向ｚに見て、ダイパッド部１１において第２放熱体５が固定される第１裏面１１２のすべてと重なる。このような構成の半導体装置Ａ２０は、耐電圧性の向上を図る上でより好ましい。

　なお、本実施形態の半導体装置Ａ２０は、複数の半導体素子２と、これら半導体素子２の厚さ方向ｚのｚ１側に配置された第１放熱体４と、半導体素子２の厚さ方向ｚのｚ２側に配置された第２放熱体５と、を備える構成例について説明したが、本開示はこれに限定されない。本開示の半導体装置においては、１つのみの半導体素子２と、半導体素子２の厚さ方向ｚのｚ１側に配置された第１放熱体４と、半導体素子２の厚さ方向ｚのｚ２側に配置された第２放熱体５と、を備える構成でもよい。

　第２実施形態の第１変形例：
　図２０は、第２実施形態の第１変形例に係る半導体装置を示している。図２０は、本変形例の半導体装置Ａ２１を示す断面図であり、上記第２実施形態において示した図１７と同様の断面を表す。

　本変形例の半導体装置Ａ２１においては、上記の半導体装置Ａ２０と比べて、放熱板８が追加で設けられている。放熱板８の構成材料は、たとえば銅およびニッケルのいずれか、またはこれらの合金などからなる。

　放熱板８は、第１面８１および第２面８２を有する。第１面８１は、厚さ方向ｚのｚ１側を向いており、第２放熱体５（第５金属層５３）の第２放熱面５３１に対向している。第２放熱面５３１は、封止樹脂７から露出する。その一方、本変形例では、接合材６７２を介して、第２放熱面５３１と放熱板８の第１面８１とが接合されている。接合材６７２は、導電性でも絶縁性でもよいが、たとえばはんだが用いられる。第２面８２は、厚さ方向ｚのｚ２側を向く。第２面８２は、封止樹脂７の樹脂裏面７２から露出している。図示した例では、第２面８２は、樹脂裏面７２と面一である。第２面８２は、たとえば半導体装置Ａ２１を図示しない回路基板に実装する際に、はんだなどの接合材によって接合される部位である。

　本変形例では、リード端子１９１において封止樹脂７から露出する部分は、第２方向ｙに見て屈曲形状である。リード端子１９１の第１方向ｘのｘ２側の先端部は、他の部位よりも厚さ方向ｚのｚ２側に位置する。詳細な図示は省略するが、半導体素子２のゲート電極２３と導通するリード端子１９２、および半導体素子２のドレイン電極２２に導通する端子部１２６についても、位置する先端部は、リード端子１９１と同様に屈曲しており、第１方向ｘのｘ２側の先端部が他の部位よりも厚さ方向ｚのｚ２側に位置する。リード端子１９１、リード端子１９２および端子部１２６の各々の先端部は、たとえば半導体装置Ａ２１を図示しない回路基板に実装する際に、はんだなどの接合材によって接合される部位である。

　本変形例の半導体装置Ａ２１によれば、上記第２実施形態の半導体装置Ａ２０と同様の作用効果を奏する。半導体装置Ａ２１は、第２放熱体５の第２放熱面５３１に接合された放熱板８を備える。このような構成によれば、半導体素子２で発生した熱を、ダイパッド部１１および第２放熱体５を介して放熱板８に効率よく逃がすことができる。このような構成の半導体装置Ａ２１は、放熱性の向上を図るうえで好ましい。

　本開示に係る半導体装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

　本開示は、以下の付記に記載した実施形態を含む。
　付記１．
　厚さ方向の一方側を向く第１主面および前記厚さ方向の他方側を向く第１裏面を有するダイパッド部を含む第１リードと、
　前記第１主面に支持された半導体素子と、
　前記半導体素子の前記厚さ方向の一方側に配置され、且つ前記半導体素子に導通接合された導電部と、
　前記ダイパッド部の少なくとも一部、および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、
　前記導電部の前記厚さ方向の一方側に固定され、且つ前記封止樹脂よりも熱伝導率が高い第１放熱体とを備え、
　前記第１放熱体は、前記厚さ方向に見て前記導電部と重なる第１絶縁層を含むとともに、前記厚さ方向の一方側を向く第１放熱面を有し、
　前記封止樹脂は、前記厚さ方向の一方側を向く樹脂主面と、前記樹脂主面から前記厚さ方向の他方側に離隔し、且つ前記厚さ方向の他方側を向く樹脂裏面と、を有し、
　前記第１放熱面は、前記樹脂主面から露出している、半導体装置。
　付記２．
　前記第１放熱体は、前記第１絶縁層と、前記第１絶縁層の前記厚さ方向の一方側に積層された第１金属層と、前記第１絶縁層の前記厚さ方向の他方側に積層された第２金属層と、を含み、
　前記第２金属層は、前記導電部に接合されており、
　前記第１金属層は、前記第１放熱面を有する、付記１に記載の半導体装置。
　付記３．
　前記第１放熱体は、前記導電部に接合された導体板と、前記導体板の前記厚さ方向の一方側に接合された前記第１絶縁層と、を含み、
　前記第１絶縁層は、前記第１放熱面を有する、付記１に記載の半導体装置。
　付記４．
　前記導電部は、金属製の板材により構成される、付記１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
　付記５．
　前記第１放熱体は、前記第１絶縁層と、前記第１絶縁層の前記厚さ方向の一方側に積層された第３金属層と、を含み、
　前記導電部は、前記第１絶縁層の前記厚さ方向の他方側に積層されており、
　前記第３金属層は、前記第１放熱面を有する、付記１に記載の半導体装置。
　付記６．
　前記第１放熱面は、前記樹脂主面と面一、または前記樹脂主面よりも前記厚さ方向の一方側に位置する、付記１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
　付記７．
　前記導電部は、前記第１放熱体が固定される固定部位を有し、
　前記第１絶縁層は、前記厚さ方向に見て前記固定部位のすべてと重なる、付記１ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
　付記８．
　前記第１リードに対して前記厚さ方向と直交する方向に離隔して配置された第２リードをさらに備え、
　前記導電部は、前記第２リードに導通している、付記１ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
　付記９．
　前記第１裏面は、前記樹脂裏面から露出している、付記１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１０．
　前記第１裏面に固定され、且つ前記封止樹脂よりも熱伝導率が高い第２放熱体をさらに備え、
　前記第２放熱体は、前記厚さ方向に見て前記ダイパッド部と重なる第２絶縁層を含むとともに、前記厚さ方向の他方側を向く第２放熱面を有し、
　前記第２放熱面は、前記樹脂裏面から露出している、付記１ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１１．
　前記第２放熱体は、前記第２絶縁層と、前記第２絶縁層の前記厚さ方向の一方側に積層された第４金属層と、前記第２絶縁層の前記厚さ方向の他方側に積層された第５金属層と、を含み、
　前記第４金属層は、前記第１裏面に接合されており、
　前記第５金属層は、前記第２放熱面を有する、付記１０に記載の半導体装置。
　付記１２．
　前記第２放熱面は、前記樹脂裏面と面一である、付記１０または１１に記載の半導体装置。
　付記１３．
　前記第２絶縁層は、前記厚さ方向に見て前記第１裏面のすべてと重なる、付記１０ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１４．
　複数の前記半導体素子を備え、
　複数の前記半導体素子は、前記第１主面上に、前記厚さ方向と直交する方向において互いに離隔して配置されている、付記１０ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１５．
　前記半導体素子は、スイッチング素子である、付記１０ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１６．
　前記半導体素子は、前記厚さ方向の一方側を向く素子主面と、前記厚さ方向の他方側を向く素子裏面と、前記素子主面に配置されたソース電極およびゲート電極と、前記素子裏面に配置されたドレイン電極と、を有し、
　前記ドレイン電極は、前記第１主面に導通接合されており、
　前記導電部は、前記ソース電極に導通接合されている、付記１５に記載の半導体装置。

Ａ１０，Ａ１１，Ａ１２，Ａ２０，Ａ２１：半導体装置
１Ａ：第１リード　　　１Ｂ：第２リード
１Ｃ：第３リード　　　１１：ダイパッド部
１１１：第１主面　　　１１２：第１裏面
１２，１２６，１４，１７：端子部　　　
１２１，１４１，１７１：裏面実装部
１２５：延出部　　　１３，１６：パッド部
１５，１８：屈曲部　　　１９１，１９２：リード端子
２：半導体素子　　　２０：素子本体
２０１：素子主面　　　２０２：素子裏面
２１：ソース電極　　　２２：ドレイン電極
２３：ゲート電極　　　３：導通部材
３１，３５：導電部　　　３１１，３５１：導電主面
３２，３６：リード側接合部　　　３３，３７：中間部
４：第１放熱体　　　４１，４５，４６：第１絶縁層
４２：第１金属層　　　４２１，４５１，４７１：第１放熱面
４３：第２金属層　　　４４：導体板
４７：第３金属層　　　５：第２放熱体
５１：第２絶縁層　　　５２：第４金属層
５３：第５金属層　　　５３１：第２放熱面
６１，６２，６３，６５，６６：導電性接合材
６４，６７１，６７２：接合材　　　６８：ワイヤ
６９：導通部材　　　６９１：素子側接合部
６９２：リード側接合部　　　６９３：中間部
７：封止樹脂　　　７１：樹脂主面
７２：樹脂裏面　　　７３，７４，７５，７６：樹脂側面
８：放熱板　　　８１：第１面
８２：第２面

Claims (16)

1. 　厚さ方向の一方側を向く第１主面および前記厚さ方向の他方側を向く第１裏面を有するダイパッド部を含む第１リードと、
   　前記第１主面に支持された半導体素子と、
   　前記半導体素子の前記厚さ方向の一方側に配置され、且つ前記半導体素子に導通接合された導電部と、
   　前記ダイパッド部の少なくとも一部、および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、
   　前記導電部の前記厚さ方向の一方側に固定され、且つ前記封止樹脂よりも熱伝導率が高い第１放熱体とを備え、
   　前記第１放熱体は、前記厚さ方向に見て前記導電部と重なる第１絶縁層を含むとともに、前記厚さ方向の一方側を向く第１放熱面を有し、
   　前記封止樹脂は、前記厚さ方向の一方側を向く樹脂主面と、前記樹脂主面から前記厚さ方向の他方側に離隔し、且つ前記厚さ方向の他方側を向く樹脂裏面と、を有し、
   　前記第１放熱面は、前記樹脂主面から露出している、半導体装置。
2. 　前記第１放熱体は、前記第１絶縁層と、前記第１絶縁層の前記厚さ方向の一方側に積層された第１金属層と、前記第１絶縁層の前記厚さ方向の他方側に積層された第２金属層と、を含み、
   　前記第２金属層は、前記導電部に接合されており、
   　前記第１金属層は、前記第１放熱面を有する、請求項１に記載の半導体装置。
3. 　前記第１放熱体は、前記導電部に接合された導体板と、前記導体板の前記厚さ方向の一方側に接合された前記第１絶縁層と、を含み、
   　前記第１絶縁層は、前記第１放熱面を有する、請求項１に記載の半導体装置。
4. 　前記導電部は、金属製の板材により構成される、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
5. 　前記第１放熱体は、前記第１絶縁層と、前記第１絶縁層の前記厚さ方向の一方側に積層された第３金属層と、を含み、
   　前記導電部は、前記第１絶縁層の前記厚さ方向の他方側に積層されており、
   　前記第３金属層は、前記第１放熱面を有する、請求項１に記載の半導体装置。
6. 　前記第１放熱面は、前記樹脂主面と面一、または前記樹脂主面よりも前記厚さ方向の一方側に位置する、請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
7. 　前記導電部は、前記第１放熱体が固定される固定部位を有し、
   　前記第１絶縁層は、前記厚さ方向に見て前記固定部位のすべてと重なる、請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
8. 　前記第１リードに対して前記厚さ方向と直交する方向に離隔して配置された第２リードをさらに備え、
   　前記導電部は、前記第２リードに導通している、請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
9. 　前記第１裏面は、前記樹脂裏面から露出している、請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
10. 　前記第１裏面に固定され、且つ前記封止樹脂よりも熱伝導率が高い第２放熱体をさらに備え、
    　前記第２放熱体は、前記厚さ方向に見て前記ダイパッド部と重なる第２絶縁層を含むとともに、前記厚さ方向の他方側を向く第２放熱面を有し、
    　前記第２放熱面は、前記樹脂裏面から露出している、請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
11. 　前記第２放熱体は、前記第２絶縁層と、前記第２絶縁層の前記厚さ方向の一方側に積層された第４金属層と、前記第２絶縁層の前記厚さ方向の他方側に積層された第５金属層と、を含み、
    　前記第４金属層は、前記第１裏面に接合されており、
    　前記第５金属層は、前記第２放熱面を有する、請求項１０に記載の半導体装置。
12. 　前記第２放熱面は、前記樹脂裏面と面一である、請求項１０または１１に記載の半導体装置。
13. 　前記第２絶縁層は、前記厚さ方向に見て前記第１裏面のすべてと重なる、請求項１０ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
14. 　複数の前記半導体素子を備え、
    　複数の前記半導体素子は、前記第１主面上に、前記厚さ方向と直交する方向において互いに離隔して配置されている、請求項１０ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
15. 　前記半導体素子は、スイッチング素子である、請求項１および１０ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
16. 　前記半導体素子は、前記厚さ方向の一方側を向く素子主面と、前記厚さ方向の他方側を向く素子裏面と、前記素子主面に配置されたソース電極およびゲート電極と、前記素子裏面に配置されたドレイン電極と、を有し、
    　前記ドレイン電極は、前記第１主面に導通接合されており、
    　前記導電部は、前記ソース電極に導通接合されている、請求項１５に記載の半導体装置。

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